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Abstract
Description
ゲーム機器、携帯型音楽プレーヤなど様々な携帯型の電子機器の普及が進んでいる。この
ような携帯型の電子機器のインターフェースとして、画像表示のための表示部に重ねてタ
ッチセンサ設けることにより、より直感的に操作可能な電子機器が実現されている。
を備える発光装置、液晶表示装置、電気泳動方式などにより表示を行う電子ペーパなどを
適用することができる。
を挟持したものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から
発光を得ることができる。このような有機EL素子が適用された表示装置は、液晶表示装
置等で必要であったバックライトが不要なため、薄型、軽量、高コントラストで且つ低消
費電力な表示装置を実現できる。例えば、有機EL素子を用いた表示装置の一例が、特許
文献1に開示されている。
も表面弾性波方式、赤外線方式など様々な方式が知られている。
化、薄型化が望まれている。そのために電子機器を構成する個々の部品の薄型化や小型化
が必要である。例えば電子機器を構成する部品のひとつに表示装置がある。
ることが困難であった。例えば、タッチセンサや表示部を作製する際、それぞれ比較的厚
い基板上にタッチセンサや表示素子などを作り込み、その後基板の裏面を研磨することに
より表示装置の薄型化が可能であるが、素子を作製した後の研磨工程により歩留まりが低
下してしまう。また、薄い基板に直接素子を形成しようとする場合では、基板のたわみ量
が大きく基板の搬送が困難である。また、基板の搬送時や処理時に基板が割れてしまうな
どの問題が生じてしまう。
装置とする場合がある。該基板に薄い基板を適用する場合にも上述した基板のたわみなど
の影響により、カラーフィルタと表示素子とを高い位置合わせ精度で重ねることが困難で
、高い表示品位と表示装置の薄型化を両立することが難しい問題があった。
サを備える表示装置の厚さを低減することを課題の一とする。または、表示品位が高めら
れた表示装置の厚さを低減することを課題の一とする。または、量産性の高い表示装置の
作製方法を提供することを課題の一とする。または、信頼性の高い表示装置を提供するこ
とを課題の一とする。
成に着眼した。該基板として十分に薄い基板と比較的厚い支持基板とが積層された積層基
板を用いる。そして該積層基板のうち薄い基板の一表面にはタッチセンサを備える層が設
けられ、また異なる積層基板のうち薄い基板の一表面には表示素子を備える層が設けられ
る。そしてタッチセンサと表示素子が対向するように2組の積層基板を貼り合わせた後に
、各々の積層基板において支持基板と薄い基板とを剥離すればよい。
第1の支持基板と対向しない面上に発光素子を備える素子層が設けられた第1の基板と、
第3の支持基板上に固定され、該第3の支持基板と対向しない面上にカラーフィルタ層を
備える第3の基板とを、素子層とカラーフィルタ層が対向するように、第1の接着層によ
り接着した後に、第3の基板と第3の支持基板とを剥離する工程と、第3の基板と、第2
の支持基板上に固定され、該第2の支持基板と対向しない面上にセンサ層が設けられた第
2の基板とを、素子層とセンサ層が対向するように、第2の接着層により接着した後に、
第2の基板と第2の支持基板とを剥離する工程と、第1の基板と第1の支持基板とを剥離
する工程と、を有する。さらに、第1の基板、第2の基板、及び第3の基板に、厚さが1
0μm以上200μm以下であるガラス基板を用い、第1の支持基板、第2の支持基板、
及び第3の支持基板に、ガラス基板よりも厚い基材を用いる。
表示装置を高い歩留まりで作製することができる。また、センサ層が設けられた第2の基
板と、表示素子が設けられた第1の基板とを貼り合わせる際にはそれぞれ支持基板が設け
られているため、高い位置合わせ精度で2枚の基板を貼り合わせることができる。
基板を積層して設ける。その結果、総厚が十分に薄く、表示品位が高められた表示装置を
高い歩留まりで作製することができる。また、カラーフィルタ層が設けられた第3の基板
と表示素子が設けられた第1の基板とを貼り合わせる際にはそれぞれ支持基板が設けられ
ているため、カラーフィルタと画素の重なりのずれが抑制され、2枚の基板を高い位置合
わせ精度で貼り合わせることができる。そのため、極めて高精細(例えば300ppi以
上、好ましくは400ppi以上、より好ましくは500ppi以上)な画素を備え、総
厚の極めて薄い表示装置を実現できる。
第1の支持基板と対向しない面上に発光素子を備える素子層が設けられた第1の基板と、
第3の支持基板上に固定され、該第3の支持基板と対向しない面上にカラーフィルタ層を
備える第3の基板とを、素子層とカラーフィルタ層が対向するように、第1の接着層によ
り接着した後に、第3の基板と第3の支持基板とを剥離する工程と、第1の基板と、第2
の支持基板上に固定され、該第2の支持基板と対向しない面上にセンサ層が設けられた第
2の基板とを、カラーフィルタ層とセンサ層が対向するように、第2の接着層により接着
した後に、第2の基板と第2の支持基板とを剥離する工程と、第1の基板と第1の支持基
板とを剥離する工程と、を有する。さらに、第1の基板、第2の基板、及び第3の基板に
、厚さが10μm以上200μm以下であるガラス基板を用い、第1の支持基板、第2の
支持基板、及び第3の支持基板に、ガラス基板よりも厚い基材を用いる。
が設けられた、総厚の薄い表示装置を高い歩留まりで作製することができる。タッチセン
サを表示側とは反対側に設けることにより、ユーザの指等で表示を遮ることなく入力動作
を行うことができるため、タッチ入力を伴うゲームコンテンツの実行や、映画などの映像
コンテンツの再生が可能な電子機器に好適である。
第1の支持基板と対向しない面上に発光素子を備える素子層が設けられた第1の基板と、
第2の支持基板上に固定され、該第2の支持基板と対向しない面上にセンサ層及びカラー
フィルタ層が積層して設けられた第2の基板とを、素子層とセンサ層が対向するように、
接着層を用いて接着する工程と、第1の基板と第2の基板とを接着した後に、第1の基板
と第1の支持基板とを剥離する工程と、第2の基板と第2の支持基板とを剥離する工程と
、を有する。さらに、第1の基板、及び第2の基板に、厚さが10μm以上200μm以
下のガラス基板を用い、第1の支持基板、及び第2の支持基板に、ガラス基板よりも厚い
基材を用いる。
タとを重ねて設けることができるため、基板数を低減でき、より総厚の薄い表示装置とす
ることができる。また、該基板と表示素子が設けられる基板とを貼り合わせる際には支持
基板が設けられているため、2枚の基板を高い位置合わせ精度で貼り合わせることができ
、高精細な画素を有する表示装置を実現できる。
基材の各々は、接着面における表面粗さが2nm以下であることが好ましい。
とガラス基板が密着することにより、ガラス基板が基材に固定されていることが好ましい
。
カラーフィルタなどの作製工程中で剥離してしまうことが無く、且つ剥離する工程では容
易に剥離を行うことができる。
、センサ層が設けられた第2の基板と、を有し、第1の基板と第2の基板とが、素子層と
センサ層とが対向するように、接着層により接着されている。さらに、第1の基板及び第
2の基板は、共に厚さが10μm以上200μm以下であるガラス基板である。また第1
の基板上に第1の導電膜が設けられ、第2の基板上に、センサ層と電気的に接続する第2
の導電膜が設けられ、第1の導電膜と第2の導電膜とは、導電性の接続体を介して電気的
に接続されている。
ことができる。さらに、タッチセンサと信号をやりとりするためのFPC等を接続する外
部接続電極を、表示素子が形成される基板側に設けることにより、タッチセンサの外部接
続電極と、表示素子を含む表示部の外部接続電極の両方を、表示装置の一方の面側に設け
ることができる。したがって、FPCの接続に要する面積を低減することができる。この
ような表示装置を電子機器に適用すると、電子機器内部における表示装置の占有面積を低
減できるため電子機器の設計の自由度を高めることができる。
設けられていることが好ましい。
ことにより、ほとんど厚さを増大させることなくカラーフィルタを設けることができるた
め、総厚が極めて薄く、且つ表示品位が高められた表示装置を実現できる。
設けられ、第1の導電膜と第2の導電膜は、接着層で囲われた領域よりも外側で電気的に
接続する構成とすることが好ましい。
の接続部を設けることにより、接続部に設けられる接続体を含む部材からの不純物が発光
素子が設けられる領域に侵入することを抑制することができるため、信頼性の高い表示装
置とすることができる。
を溶解、凝固させて形成したガラス体を用いる。このような材料は水分やガスの透過を効
果的に抑制することができるため、発光素子の劣化を抑制し、極めて信頼性の高い表示装
置を実現できる。
ジスタを備え、トランジスタのチャネルが形成される半導体に酸化物半導体を有する構成
とすることが好ましい。
るため、例えばアモルファスシリコンを用いた場合に比べてトランジスタサイズを小さく
でき、開口率の向上や高精細化を実現できるため好ましい。また、酸化物半導体は水分な
どの不純物により電気的特性が変化してしまう場合があるため、上述のように、接着層よ
りも内側にトランジスタを設けることや、接着層にガラス材料を含む材料を用いることに
よって、より信頼性の高い表示装置を実現できる。
第1の接続端子と、第1の導電膜と電気的に接続する第2の接続端子とが、第2の基板と
重ならない位置に設けられ、第1の接続端子と第2の接続端子のそれぞれに電気的に接続
する1以上のFPCを有し、FPCと第2の基板に接するように補強材が設けられている
ことが好ましい。
めて薄い基板を用いたとしても、その後の取り回しにおいて、機械的強度が比較的低い当
該領域で基板の割れが生じてしまうことが抑制され、極めて信頼性の高い表示装置を実現
できる。
た、表示装置にコネクター、例えばFPC(Flexible printed cir
cuit)もしくはTCP(Tape Carrier Package)が取り付けら
れたモジュール、TCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または画素が形
成された基板にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集積回路)が直
接実装されたモジュールも表示装置に含むものとする。
位が高められた表示装置の厚さを低減できる。または、量産性高く表示装置を作製できる
。または、信頼性の高い表示装置を提供できる。
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成におい
て、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い
、その繰り返しの説明は省略する。
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。
の」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するも
の」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない
。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジス
タなどのスイッチング素子、抵抗素子、コイル、容量素子、その他の各種機能を有する素
子などが含まれる。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例及びその作製方法例について、
図面を参照して説明する。
まず、第1の支持基板102上に第1の基板101が積層された積層基板を準備する。
基板を用いる。第1の基板101の材料としては、ガラス材料、有機樹脂材料、または金
属又は合金を含む導電性材料などを用いることができる。
とで極めて平坦性の高い表面備え、且つその厚さが均一な大型の基板を、比較的容易に作
製することができる。このようなガラス基板は、フロート法やオーバーフロー法などを用
いて作製することができる。
、表示面とは反対側の基板である場合には、非透光性の基板を用いてもよい。一般に導電
性材料は熱伝導性も高いため、例えば第1の基板として導電性を有する基板を用いると、
後に説明する素子層103内の素子を駆動させたときに生じる発熱に対する放熱性を高め
ることができる。導電性の基板を用いる場合には、素子層103の被形成面を絶縁処理し
ておくことが好ましい。
1の支持基板102の厚さは、後に説明する素子層103の作製時において基板の搬送が
容易となるように、第1の基板101の厚さを考慮して決定することが好ましい。例えば
、第1の支持基板102及び第1の基板101を積層したときの総厚が、既存の装置ライ
ン(または生産ライン、製造ライン)で処理可能な基板の厚さと同等の厚さに設定すれば
よい。具体的には、第1の支持基板102と第1の基板101の総厚(接着剤を用いる場
合にはその厚さを足したもの)が0.4mmより大きく2.0mm以下、好ましくは0.
5mm以上1.0mm以下となるように、支持基板の厚さを設定する。
金を含む導電性材料などを用いることができる。好ましくはガラス材料を用いる。ガラス
材料を用いることで、第1の基板101との接着面の平坦性を高くすることができ、これ
らの密着性を高めることができる。
たは剥離可能な接着剤により固定されている。したがって素子層103の作製工程におい
て意図せずに剥離してしまうことなく、且つ後の剥離工程において容易に剥離可能となる
。
おける表面粗さを算術平均粗さで5nm以下、好ましくは2nm以下とする。このような
極めて平坦性の高い2面を密着させることにより、第1の支持基板102と第1の基板1
01とを固定することができる。
面に対して垂直方向に与えることにより剥離することができる。ここで、剥離の起点とな
る端部において、いずれかの基板の表面に表面粗さの比較的大きな領域を設けることによ
り、剥離を容易にすることができる。
接着剤として有機化合物又は珪素化合物を含む樹脂を用いることが好ましい。特に第1の
支持基板102と第1の基板101にガラス材料を用いる場合には、シロキサン結合を有
する樹脂を用いることが好ましい。
に溶媒で希釈した樹脂を塗布した後、溶媒を蒸発させ樹脂を硬化させる。その後該樹脂に
第1の基板101を密着させて押し付けることにより、固定することができる。また、第
1の支持基板102と第1の基板101とを剥離する際には、密着面に対して垂直方向に
力を与えることにより、容易に剥離することができる。このとき、上述したように第1の
支持基板102側に樹脂を形成することにより、剥離後に第1の基板101に該樹脂が残
ることを防ぐことができる。
ス基板を用いる。
を形成する(図1(A))。
トリクス型の表示装置の場合には、画素にトランジスタや容量素子を備えていてもよい。
また、素子層103に画素を駆動するための駆動回路(ゲート駆動回路、ソース駆動回路
など)が設けられていてもよい。さらに素子層103には配線や電極を含む。
を用いることができる。
が適用されたアクティブマトリクス型の表示装置とする場合には、第1の基板101上に
トランジスタを構成するゲート電極(及び配線)、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極
及びドレイン電極(及び配線)を形成し、その上層に絶縁層を介して、第1の電極、発光
性の有機化合物を含む層、第2の電極を順に積層してトランジスタと電気的に接続する発
光素子を形成する。
。ここで、該積層基板としては、上記と同様の構成のものを用いることができる。
3を形成する(図1(B))。ここではセンサ層113が有するセンサ素子として、投影
型の静電容量式のタッチセンサを用いる場合について説明する。
ンサ電極114と第2のセンサ電極115を絶縁する絶縁層116を有する。第1のセン
サ電極114は一方向にストライプ状に複数設けられる。また第2のセンサ電極115は
、第1のセンサ電極114と交差するストライプ状に複数設けられる。ここで、第1のセ
ンサ電極114と第2のセンサ電極115は必ずしも直交して設ける必要はなく、その成
す角が90度未満であってもよい。
2つの電極に挟持されるように設けられる。図1(B)では絶縁層116を第1のセンサ
電極114を覆って設ける構成を示しているが、第1のセンサ電極114と第2のセンサ
電極115が交差する部分にのみ絶縁層116を設けてもよい。
電極115に透光性を有する導電性材料を用いることが好ましい。また絶縁層116には
、透光性を有する絶縁材料を用いることが好ましい。
成すればよい。
12及び第2の基板111の積層基板を、素子層103とセンサ層113が対向するよう
に配置し、接着層104により第1の基板101と第2の基板111を貼り合わせる(図
1(C))。
性樹脂を用いることができる。当該樹脂を第1の基板101または第2の基板111のど
ちらかに塗布し、第1の基板101と第2の基板111に該樹脂を密着させた状態で樹脂
を硬化させることにより、2枚の基板を接着することができる。
の場合、第1の基板101または第2の基板111のどちらかに、ガラス粉末(フリット
材ともいう)とバインダを含むペーストを塗布し、当該ペーストに熱処理を施してバイン
ダを除去すると共に、フリット材同士が融着したガラス層を形成する。その後ガラス層と
他方の基板を密着させた状態で、レーザ光の照射などによりガラス層を融解して固化させ
ることで、第1の基板101と第2の基板111をガラス層(ガラス体ともいう)により
接着することができる。特に、表示素子として有機EL素子を用いる場合には、このよう
な水分などの不純物を透過しにくいガラス材料を用いることが好ましい。
の支持基板112をそれぞれ剥離する(図1(D))。
について説明する。
ジなどで固定する。次いで、第1の支持基板102と第1の基板101の間に剥離の起点
を形成する。例えば、第1の支持基板102または第1の基板101の端部において、2
枚の基板の境界に刃物などの鋭利な形状の器具を差し込むことで、剥離の起点としてもよ
い。また、表面張力の低い液体(例えばアルコールや水など)を該端部に滴下し、該液体
を2枚の基板の境界に浸透させることにより、剥離の起点を形成してもよい。
とにより、第1の支持基板102を破損することなく容易に、剥離を行うことができる。
このとき、例えば第1の支持基板102にテープ等を貼り付け、当該テープを上記方向に
引っ張ることで剥離を行ってもよいし、鉤状の部材を第1の支持基板102の端部に引っ
かけて剥離を行ってもよい。また、真空吸着が可能な部材を第1の支持基板102の裏面
に貼り付け、剥離を行ってもよい。
してしまう場合がある。第1の基板101または第2の基板111が帯電すると、素子層
103やセンサ層113内の回路や素子が静電気放電(ESD:Electro Sta
tic Discharge)により破壊してしまう恐れがある。これを抑制するため、
剥離の起点に導電性を有する液体(例えばイオン性液体や、炭酸水などのイオンを含む水
など)を滴下し、第1の支持基板102と第1の基板101の剥離界面に常に当該液体が
接している状態で剥離を行うことが好ましい。または、イオナイザなどを用いてESDの
発生を抑制しながら剥離を行ってもよい。
3が形成されていない面を吸着ステージなどで固定し、上記と同様の方法で第2の支持基
板112と第2の基板111とを剥離する。
が、その順序は問わない。例えば第2の支持基板112を剥離した後に、第1の支持基板
102を剥離してもよい。
歩留まりで作製することができる(図1(E))。
り合わされており、第1の基板101上に形成された表示素子を含む素子層103と、第
2の基板111上に形成されたセンサ素子を含むセンサ層113が対向して設けられてい
る。さらに第1の基板101及び第2の基板111は、その厚さが10μm以上200μ
m以下と極めて薄いことを特徴としている。
板101の2枚で表示装置100を構成することができるため、表示装置100の総厚を
より薄くすることができる。また、第2の基板111と第1の基板101とを貼り合わせ
る際にはそれぞれ支持基板が設けられているため、高い位置合わせ精度で2枚の基板を貼
り合わせることができる。
る。したがって、湾曲した表示部を備える電子機器や、表示部を湾曲させることが可能な
電子機器などを実現することもできる。
以下では、上記作製方法例1とは異なる表示装置の作製方法例について説明する。具体
的には、カラーフィルタを備える表示装置について説明する。なおここでは作製方法例1
と重複する部分については説明を省略するか簡略化して説明する。
に素子層103を形成する。さらに、第2の支持基板112に固定された第2の基板11
1上にセンサ層113を形成する。
123を形成する(図2(A))。
121には上記第1の基板101と同様の構成を用いることができる。
青色カラーフィルタ126を有する。それぞれのカラーフィルタは素子層103の備える
画素に対応して配置する。またそれぞれのカラーフィルタの間にブラックマトリクス12
7を備えていてもよい。また、それぞれのカラーフィルタとブラックマトリクス127を
覆うオーバーコートを設けてもよい。
り形成すればよい。画素が高精細な場合には、フォトリソグラフィ法を用いて形成するこ
とが好ましい。
に用いるためのマーカを形成しておくことが好ましい。マーカは上記カラーフィルタやブ
ラックマトリクス127と同時に形成してもよいし、別途形成してもよい。
成の順序は問わず、それぞれ別途形成すればよい。
22及び第3の基板121の積層基板を、素子層103とカラーフィルタ層123が対向
するように配置し、接着層104により第1の基板101と第3の基板121を貼り合わ
せる。
持基板122に、それぞれ固定された状態で貼り合わせを行うことができるため、素子層
103が有する各画素とカラーフィルタ層123の各カラーフィルタの位置合わせを高精
度で行うことができる。したがって、第1の基板101及び第3の基板121に極めて薄
い基板を用いたとしても、高精細な画素を備える表示装置を実現できる。
の支持基板122の剥離は、上記作製方法例1と同様に行えばよい。
基板を、第3の基板121の裏面(カラーフィルタ層123が設けられる面とは反対側の
面)に接着層105を用いて貼り合わせる。このとき、センサ層113が第1の基板10
1の素子層103が形成された面と対向するように貼り合わせを行う。
か接着層105には、両面に粘着性を有するシートなどを用いることもできる。なお、接
着層105を画素と重ねて設ける場合には、接着層105に透光性の材料を用いる。
の支持基板112とを、それぞれ剥離する(図2(C))。これらの剥離は、上記作製方
法例1と同様に行えばよい。
装置110を作製することができる(図2(D))。
り合わされており、第1の基板101上に形成された表示素子を含む素子層103と、第
3の基板121上に形成されたカラーフィルタ層123とが対向して設けられている。さ
らに、第3の基板121のカラーフィルタ層123が設けられていない面とセンサ層11
3対向するように、センサ層113が設けられた第2の基板111と第3の基板121が
接着層105によって貼り合わされている。さらに、第1の基板101、第2の基板11
1、及び第3の基板121は、それぞれ厚さが10μm以上200μm以下と極めて薄い
ことを特徴としている。
の色純度を高め、より質の高い画像を表示することができる。またタッチセンサは、表示
装置110の表示面側に設けられている。
ィルタがそれぞれ設けられた3枚の基板が積層された構成であっても、その総厚が十分に
薄い表示装置を高い歩留まりで作製することができる。また、カラーフィルタ層123が
設けられた第3の基板121と表示素子が設けられた第1の基板101とを貼り合わせる
際にはそれぞれ支持基板が設けられているため、カラーフィルタと画素の重なりのずれが
抑制され、2枚の基板を高い位置合わせ精度で貼り合わせることができる。そのため、極
めて高精細(例えば300ppi以上、好ましくは400ppi以上、より好ましくは5
00ppi以上)な画素を備え、総厚の極めて薄い表示装置110を実現できる。
る。したがって、湾曲した表示部を備える電子機器や、表示部を湾曲させることが可能な
電子機器などを実現することもできる。
以下では、上記作製方法例2とは一部が異なる表示装置の作製方法について説明する。
なおここでは上記と重複する部分については説明を省略するか簡略化して説明する。
第3の支持基板122及び第3の基板121の積層基板を、素子層103とカラーフィル
タ層123が対向するように配置し、接着層104により第1の基板101と第3の基板
121を貼り合わせる。
の支持基板102の剥離は、上記作製方法例1と同様に行えばよい。
基板を、第1の基板101の裏面(素子層103が形成されていない面)に、接着層10
5を用いて貼り合わせる。このとき、センサ層113が第3の基板121のカラーフィル
タ層123が形成された面と対向するように貼り合わせを行う。
層113は表示される面とは反対側の面に設けられるため、接着層105を画素と重ねて
設ける場合でも接着層105に用いる材料は透光性を有していなくてもよい。
の支持基板122とを、それぞれ剥離する(図3(B))。これらの剥離は、上記作製方
法例1と同様に行えばよい。
表示装置120を作製することができる(図3(C))。
り合わされており、第1の基板101上に形成された表示素子を含む素子層103と、第
3の基板121上に形成されたカラーフィルタ層123とが対向して設けられている。さ
らに、第1の基板101の素子層103が設けられていない面とセンサ層113が対向す
るように、センサ層113が設けられた第2の基板111と第1の基板101が接着層1
05によって貼り合わされている。さらに、第1の基板101、第2の基板111、及び
第3の基板121は、それぞれの厚さが10μm以上200μm以下と極めて薄いことを
特徴としている。
の色純度を高め、より質の高い画像を表示することができる。またタッチセンサは、表示
装置120の表示面とは反対側に設けられている。タッチセンサを表示面とは反対側に設
けることにより、ユーザの指等の入力手段で表示を遮ることなく入力動作を行うことがで
きるため、表示画像に応じたタッチ入力を伴うゲームコンテンツの実行や、映画などの映
像コンテンツの再生が可能な電子機器に好適である。
る。したがって、湾曲した表示部を備える電子機器や、表示部を湾曲させることが可能な
電子機器などを実現することもできる。
本作製方法例では上記作製方法例とは異なる表示装置の作製方法例について説明する。
素子層103を形成する。
カラーフィルタ層123を積層して形成する(図4(A))。
、センサ層113を形成する。
様々な形成方法により形成できる。また、絶縁層128として有機樹脂を用いると、セン
サ層113の第1のセンサ電極114や第2のセンサ電極115の段差形状を効果的に被
覆し、絶縁層128の表面を比較的平坦にできるため、後に形成されるカラーフィルタの
厚さのばらつきが抑制され、表示装置の表示品位を向上させることができるため好ましい
。
3は、作製方法例2と同様に形成することができる。
12と第2の基板111の積層基板を、素子層103とカラーフィルタ層123が対向す
るように配置し、接着層104により第1の基板101と第2の基板111を貼り合わせ
る(図4(B))。
持基板112に、それぞれ固定された状態で貼り合わせを行うことができるため、素子層
103が有する各画素とカラーフィルタ層123の各カラーフィルタの位置合わせを高精
度で行うことができる。したがって、第1の基板101及び第2の基板111に極めて薄
い基板を用いたとしても、高精細な画素を備える表示装置を実現できる。
の支持基板112とを、それぞれ剥離する(図4(C))。これらの剥離は、上記作製方
法例1と同様に行えばよい。
置130を作製することができる(図4(D))。
り合わされており、第1の基板101上に形成された表示素子を含む素子層103と、第
2の基板111上に積層して形成されたセンサ層113とカラーフィルタ層123とが対
向して設けられている。さらに、第1の基板101、及び第2の基板111は、それぞれ
の厚さが10μm以上200μm以下と極めて薄いことを特徴としている。
層123が積層して設けられているため、表示装置130を2枚の基板で構成することが
できる。したがって、より総厚の薄い表示装置130とすることができる。また、カラー
フィルタはタッチセンサ上に直接形成できると共に、2枚の基板を貼り合わせる際に各々
の基板は支持基板に固定されているため、タッチセンサとカラーフィルタ、タッチセンサ
と画素、及びカラーフィルタと画素のそれぞれの相対位置を高い精度で合わせることがで
き、極めて高精細な画素と極めて高精度なタッチセンサを備える表示装置を実現できる。
る。したがって、湾曲した表示部を備える電子機器や、表示部を湾曲させることが可能な
電子機器などを実現することもできる。
された表示装置である。また本実施の形態で例示した表示装置の作製方法によれば、総厚
が十分に低減された表示装置を量産性高く高い歩留まりで作製できる。
層、及びカラーフィルタ層を形成する工程についても説明したが、あらかじめ素子層やセ
ンサ層、カラーフィルタ層が設けられた積層基板を用いることもできる。したがって、例
えばあらかじめ素子層が設けられた積層基板と、あらかじめセンサ層が設けられた積層基
板を用いて表示装置を作製することも、本発明の一態様である。またこれに加え、あらか
じめカラーフィルタ層が設けられた積層基板や、あらかじめセンサ層とカラーフィルタ層
が積層して設けられた積層基板を用いて表示装置を作製することも、本発明の一態様であ
る。
とができる。
本実施の形態では、実施の形態1で例示した表示装置の作製方法により作製可能な表示
装置について、より具体的な構成例を例示する。なお以下では、実施の形態1と重複する
部分については、説明を省略するか簡略化して説明する。
図5(A)は本構成例で例示する表示装置200の斜視概略図である。なお図5には明
瞭化のため、代表的な構成要素のみを示している。
1、及びタッチセンサ202を備える。また第1の基板101にはFPC204が取り付
けられている。
略図を示す。
206と、タッチセンサ202とコンタクト部203を介して電気的に接続する複数の配
線207が設けられている。また複数の配線206と複数の配線207は、第1の基板1
01の周辺にまで引き回されており、当該周辺においてこれらの一部がFPC204と電
気的に接続するための外部接続電極205を構成している。
ト駆動回路213を有する。図5(B)ではソース駆動回路212を、画素部211を挟
んでその両側に2つ配置する構成としたが、1つのソース駆動回路212を画素部211
の一方の辺に沿って配置する構成としてもよい。
の他、電気泳動方式などにより表示を行う表示素子など、様々な表示素子を用いることが
できる。
、第2の基板111の第1の基板101と対向する面側に設けられる。なお、図5(B)
では明瞭化のため、第2の基板111の裏面側(紙面奥側)に設けられるタッチセンサ2
02の電極を実線で示している。
る。タッチセンサ202は、第1のセンサ電極114と第2のセンサ電極115を有する
。
られた配線207とコンタクト部203を介して電気的に接続される。したがって、第1
の基板101に取り付けられたFPC204を介して、第2の基板111に設けられるタ
ッチセンサ202を駆動することができる。なおコンタクト部203の具体的な構成例は
、後に説明する。
(B)に示すように、複数の四辺形が一方向に連続した形状となっている。このとき、第
1のセンサ電極114と第2のセンサ電極115の交差部の面積ができるだけ小さくなる
ように、各電極を配置することが好ましい。このような形状とすることで、電極が設けら
れていない領域の面積を低減でき、当該電極の有無によって生じる透過率の違いにより第
1の基板111を透過する光の輝度ムラを抑制することができる。
様々な形状をとり得る。例えば、複数の第1のセンサ電極114をできるだけ隙間が生じ
ないように配置し、上層の第2のセンサ電極115を、第1のセンサ電極114と重なら
ない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよい。このとき、隣接する2つ
の第2のセンサ電極115の間に、これらと電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、
透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。
外部接続電極を、表示部201が形成される第1の基板101側に設けることにより、タ
ッチセンサと表示部201の両方の外部接続電極を、表示装置200の一方の面側に設け
ることができる。したがって、FPC204の接続に要する面積を低減することができる
。さらに図5に示すように、配線のレイアウトを工夫することで1つのFPC204のみ
を設ける構成にすることも可能である。このような表示装置200を電子機器に適用する
と、電子機器内部における表示装置200の占有面積を低減できるため電子機器の設計の
自由度を高めることができる。
以下では、表示部201に有機EL素子が適用された表示装置200の断面構成例につ
いて説明する。
路213を含む領域を切断する切断線A−Bと、画素部211を含む領域を切断する切断
線C−Dと、コンタクト部203を含む領域を切断する切断線E−Fに沿って切断した際
の断面概略図である。
されている。また第1の基板101、第2の基板111、及び接着層104に囲まれる領
域に、少なくとも画素部211が設けられている。
とトランジスタ232を組み合わせた回路を有する例を示している。なお、ゲート駆動回
路213の構成はこれに限られず、nチャネル型のトランジスタとpチャネル型のトラン
ジスタを組み合わせた種々のCMOS回路や、pチャネル型のトランジスタを組み合わせ
た回路を有する構成としてもよい。なお、ソース駆動回路212についても同様である。
また、本構成例では、表示部201が形成される絶縁表面上にゲート駆動回路213とソ
ース駆動回路212が形成されたドライバ一体型の表示装置の構成を示すが、表示部20
1が形成される絶縁表面とは別にゲート駆動回路213とソース駆動回路212の一方ま
たは両方を設ける構成としてもよい。例えば、COG方式により駆動回路用ICを実装し
てもよいし、COF方式により駆動回路用ICが実装されたフレキシブル基板(FPC)
を実装してもよい。
イッチング用のトランジスタ233と、電流制御用のトランジスタ234と、該トランジ
スタ234の一方の電極(ソース電極又はドレイン電極)に電気的に接続された第1の電
極層221を含む。また第1の電極層221の端部を覆う絶縁層235が設けられ、該絶
縁層235上の、後に説明するブラックマトリクス242と重なる領域にスペーサ236
が設けられている。スペーサ236を画素部211に複数設けることで、第1の基板10
1と第2の基板111の距離が必要以上に近づくことがないため、信頼性の高い表示装置
とすることができる。
ジ型またはネガ型の感光性樹脂を用いて形成することができる。また、スペーサ236と
して遮光性の材料を用いると、隣接する画素の発光素子220から回り込む光を遮光し、
隣接画素間における混色を抑制することができる。
スタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆ス
タガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいず
れのトランジスタ構造としてもよい。また、トランジスタに用いる半導体材料としては、
例えばシリコンやゲルマニウムなどの半導体材料を用いてもよいし、インジウム、ガリウ
ム、亜鉛のうち少なくともひとつを含む酸化物半導体を用いてもよい。
、結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結
晶領域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、ト
ランジスタ特性の劣化が抑制されるため好ましい。
表的にはIn−Ga−Zn−O系金属酸化物などが挙げられる。シリコンよりもバンドギ
ャップが広く、且つキャリア密度の小さい酸化物半導体を用いると、オフ時のリーク電流
を抑制できるため好ましい。好ましい酸化物半導体の詳細については、後の実施の形態で
説明する。
EL層222を有する。以下、発光素子220について説明する。
て透光性を有する材料を用いる。
鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることがで
きる。または、グラフェンを用いてもよい。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケ
ル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタン
などの金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材
料の窒化物(例えば、窒化チタン)などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料(ま
たはそれらの窒化物)を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、
上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金
とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるためこの
ましい。
ンクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、またはメッキ法を用いて
形成することができる。
当該導電性酸化物を、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜すると、透光性を向上させ
ることができる。
を含む雰囲気下で成膜した第1の導電性酸化物膜と、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で
成膜した第2の導電性酸化物膜の積層膜とすると、EL層222への成膜ダメージを低減
させることができるため好ましい。ここで特に第1の導電性酸化物膜を成膜する際に用い
るアルゴンガスの純度が高いことが好ましく、例えば露点が−70℃以下、好ましくは−
100℃以下のアルゴンガスを用いることが好ましい。
。
グステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料や、該
金属材料を含む合金材料を用いることができる。また、このような金属材料または合金材
料にランタンやネオジム、ゲルマニウムなどを添加してもよい。合金材料の例としては、
アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジム
の合金などのアルミニウムを含む合金(アルミニウム合金)や、銀と銅の合金、銀とパラ
ジウムと銅の合金、銀とマグネシウムの合金などの銀を含む合金などが挙げられる。銀と
銅を含む合金は耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウムを含む膜に接して金属
膜、または金属酸化物膜を積層することで、アルミニウムを含む膜の酸化を抑制すること
ができる。アルミニウムを含む膜に接して設ける金属材料、または金属酸化物材料として
は、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記透光性を有する材料からなる膜と
金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とインジウムスズ酸化物の積層膜、
銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いることができる。
ンクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、またはメッキ法を用いて
形成することができる。
含めばよく、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されていてもよい。複数の層
で構成されている構成としては、陽極側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送
層、並びに電子注入層が積層された構成を例に挙げることができる。なお、発光層を除く
これらの層はEL層222中に必ずしも全て設ける必要はない。また、これらの層は重複
して設けることもできる。具体的にはEL層222中に複数の発光層を重ねて設けてもよ
く、電子注入層に重ねて正孔注入層を設けてもよい。また、中間層として電荷発生層の他
、電子リレー層など他の構成を適宜加えることができる。また、例えば、異なる発光色を
呈する発光層を複数積層する構成としてもよい。例えば補色の関係にある2以上の発光層
を積層することにより白色発光を得ることができる。
、スピンコート法などの塗布法、または印刷法などを用いて形成できる。
層223として透光性を有する材料を用いる。したがって、発光素子220は上面射出型
(トップエミッション型)の発光素子であり、発光素子からみて第2の基板111側に光
を射出する。
スタのゲート絶縁層として機能する絶縁層238と、トランジスタを覆う絶縁層239、
及び絶縁層241が設けられている。
る。また、トランジスタの半導体層に接する絶縁層238及び絶縁層239は、トランジ
スタの劣化を助長する不純物の拡散を抑制する材料を用いることが好ましい。これら絶縁
層には、例えばシリコンなどの半導体や、アルミニウムなどの金属の酸化物または窒化物
、または酸窒化物を用いることができる。またこのような無機絶縁材料の積層膜、または
無機絶縁材料と有機絶縁材料の積層膜を用いてもよい。なお、絶縁層237や絶縁層23
9は不要であれば設けなくてもよい。
化層として機能する。絶縁層241としてはポリイミドやアクリルなどの有機樹脂材料を
用いることが好ましい。また、平坦性を高められる場合には、無機絶縁材料を用いてもよ
い。
成例においては、絶縁層237の上面から第2の電極層223まで積層した構成を素子層
103とする。
層116と第2のセンサ電極115が設けられ、これらの積層が実施の形態1におけるセ
ンサ層113に相当する。
対して透光性を有する材料を用いる。例えば上述した発光素子220に用いることのでき
る透光性を有する導電性材料を用いることができる。
絶縁層116は発光素子220からの発光に対して透光性を有する材料を用いる。例えば
無機絶縁材料や有機絶縁材料、またはこれらの積層膜を用いることができる。
は、画素部211だけでなくソース駆動回路212やゲート駆動回路213と重なる領域
にまで設けられていてもよい。
のセンサ電極115を覆う絶縁層128が設けられている。さらに、絶縁層128の発光
素子220に対向する面上に、ブラックマトリクス242とカラーフィルタ243が設け
られている。
15の間を埋め、これらを確実に絶縁することもできる。また絶縁層128として、第1
のセンサ電極114や第2のセンサ電極115の段差形状を効果的に被覆するように、被
覆性の高い材料を用いることが好ましい。例えば絶縁層241と同様の材料を用いる。絶
縁層128の表面を平坦にすることで、カラーフィルタ243の厚さを均一にすることが
できるため、表示装置の表示品位を向上させることができる。
で設けられている。例えば、白色発光の発光素子を用いてフルカラーの表示装置とする場
合には、異なる色のカラーフィルタを設けた複数の画素を用いる。その場合、赤色(R)
、緑色(G)、青色(B)の3色のカラーフィルタを用いてもよいし、これに黄色(Y)
を加えた4色とすることもできる。また、R、G、B(及びY)に加えて白色(W)の画
素を用い、4色(又は5色)としてもよい。
いる。ブラックマトリクス242は隣接する画素の発光素子220から回り込む光を遮光
し、隣接画素間における混色を抑制する。ブラックマトリクス242は異なる発光色の隣
接画素間にのみ配置し、同色画素間には設けない構成としてもよい。ここで、カラーフィ
ルタ243の端部を、ブラックマトリクス242と重なるように設けることにより、光漏
れを抑制することができる。ブラックマトリクス242は、発光素子220からの発光を
遮光する材料を用いることができ、金属材料や顔料を含む有機樹脂材料などを用いて形成
することができる。なお、図6に示すようにブラックマトリクス242はゲート駆動回路
213などの画素部211以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを
抑制できるため好ましい。
けてもよい。オーバーコートはカラーフィルタ243やブラックマトリクス242を保護
するほか、これらに含まれる不純物が拡散することを抑制する。オーバーコートは発光素
子220からの発光を透過する材料を用い、無機絶縁材料や有機絶縁材料を用いることが
できる。
成例では第1の基板101と第2の基板111にガラス材料を用い、且つ接着層104と
して、低融点ガラスからなるガラス材料を用いる。このような材料を用いることで、接着
層104より内部へ発光素子220やトランジスタの劣化の要因となる不純物の混入を効
果的に抑制できるため、極めて信頼性の高い表示装置とすることができる。
説明するように水素などの不純物が酸化物半導体膜中に含まれるとトランジスタのしきい
値電圧のマイナスシフトなどが生じてしまう。したがって、トランジスタが設けられる領
域をガラス材料で構成される第1の基板101、第2の基板111、及び接着層104で
封止し、水素を含む不純物元素の混入を抑制することは極めて効果的である。
気的に接続する電極244が形成されている。配線207はトランジスタのソース電極及
びドレイン電極と同一の導電膜を加工することにより形成されている。また電極244は
第1の電極層221と同一の導電膜を加工することにより形成されており、絶縁層239
及び絶縁層241に設けられた開口部を介して配線207と電気的に接続している。この
ようにコンタクト部203に設けられる配線207や電極244をトランジスタや発光素
子220の形成に用いる導電膜を加工することにより形成することで、工程を増やすこと
なくコンタクト部203を容易に形成できるため好ましい。
延在し、さらにコンタクト部203ではその表面が露出するよう設けられている。なお、
図示しないが第1のセンサ電極114のコンタクト部についても同様である。
ている。樹脂層246中の導電性粒子245が第2のセンサ電極115と電極244の両
方と接触することにより、第2のセンサ電極115と配線207が電気的に接続されてい
る。
のを用いる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい
。またニッケルをさらに金で被覆するなど、2種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒
子を用いることが好ましい。
硬化性の有機樹脂などの硬化性の有機樹脂を用いることが好ましい。
かる圧力によって潰れた形状に変形していることが好ましい。このような形状とすること
で、導電性粒子245と、第2のセンサ電極115または電極244との接触面積が増大
するため、確実に電気的な接続をとることができる。なお図6に示す断面概略図では便宜
上、導電性粒子245の断面形状として、基板と垂直な向きに長軸を有する楕円形状で図
示しているが、実際多くの場合では、その断面形状が円形、または基板と平行な向きに長
軸成分を有する楕円形状となる。
104が設けられ、接着層104よりも外側にコンタクト部203を設ける構成を示して
いる。特に接着層104としてガラス材料を用いた場合では、このようにコンタクト部2
03を接着層104よりも外側に設けることで、コンタクト部203に用いる有機樹脂な
どに含まれる水などの不純物が、接着層104よりも内側の領域に拡散することが抑制で
きるため好ましい。
域をまたぐようにして設けられる層には、有機材料などの水や水素を透過する材料の層を
用いないことが好ましい。このような構成とすることで、外部からの水や水素の侵入を効
果的に抑制でき、信頼性の高い表示装置を実現できる。
共通化し、接着層104をコンタクト部203と重なるようにして設け、コンタクト部2
03と重なる領域に導電性粒子245が分散される構成としてもよい。このような構成で
は、接着層104よりも外側にコンタクト部203を配置しなくてもよいため、表示装置
の狭額縁化が可能となる。なおこのとき、接着層104中に乾燥剤を分散させることが好
ましい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物(酸化カルシウムや酸化バリウム等)のよう
に、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。その他の乾燥剤として
、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いても
よい。
ート駆動回路213(またはソース駆動回路212)と電気的に接続している。また配線
206の端部の一部が外部接続電極205を成している。本構成例では、外部接続電極2
05はトランジスタのソース電極またはドレイン電極に用いる導電膜と、トランジスタの
ゲート電極に用いる導電膜を積層して形成されている。このように複数の導電膜を積層し
て外部接続電極205を構成することにより、FPC204などの圧着工程に対する機械
的強度を高めることができるため好ましい。
PC204と外部接続電極205とが電気的に接続している。接続層208としては、異
方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film
)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic Conductive
Paste)などを用いることができる。
の端部の一部が外部接続電極205を構成し、FPC204と電気的に接続している。
絶縁層で覆われていると、表面の酸化やショートなどの不具合を抑制できるため好ましい
。このとき、配線206、配線207、外部接続電極205を覆う絶縁層は、画素部21
1を構成するいずれかの絶縁層と同一の膜を加工することにより形成すると、工程を増や
すことなく形成できるため好ましい。
1の両方と接するように補強材209が設けられている。本構成例では、第1の基板10
1として極めて薄いガラス基板を用いており、FPC204と接着層104の間の領域の
機械的強度が比較的低い。そのため表示装置を電子機器に組み込む際などに、FPC20
4近傍に機械的な力が加わることにより、当該領域で割れが生じてしまう恐れがある。そ
のためこのように補強材209を設けることで、FPC204と接着層104の間の領域
の機械的強度を高めることができ、信頼性の高い表示装置を実現できる。
樹脂、光硬化性の有機樹脂、2液混合型の硬化性の有機樹脂など、硬化性の有機樹脂を用
いることができる。
基板101を補強材209により両面から補強することにより、機械的強度をより高める
ことができ、極めて総厚の薄い表示装置の破損を抑制できる。
て薄く、且つ機械的強度が優れた、信頼性の高い表示装置を実現できる。
以下では、表示部201に液晶素子が適用された表示装置200の断面構成例について
説明する。なお、上記と重複する部分については説明を省略するか、簡略化して説明する
。
記断面構成例1で例示した構成と対比して、主として画素部211と接着層104の構成
が異なる点で相違している。
た液晶素子250を備える。液晶素子250は基板面に対して横方向に発生する電界によ
り液晶の配向が制御される。
い保持容量を有する。またトランジスタ256のソース電極またはドレイン電極と電気的
に接続するくし形状の第1の電極層251が絶縁層241上に設けられている。またくし
形状の第2の電極層253が、第1の電極層251と絶縁するように、同一平面上に設け
られている。
電性材料を用いる。これら電極層の両方に、透光性の導電性材料を用いると、画素の開口
率を高めることができるため好ましい。
チングパターンを用いて明示しているが、これらを同一の導電膜を加工して形成すること
が好ましい。
ルタ243とブラックマトリクス242が設けられている。また図7ではカラーフィルタ
243とブラックマトリクス242を覆うオーバーコート255が設けられている。オー
バーコート255を設けることにより、カラーフィルタ243やブラックマトリクス24
2に含まれる顔料などの不純物が液晶252に拡散することを抑制できる。
254が設けられている。スペーサ254には、上記断面構成例1におけるスペーサ23
6と同様の材料を用いることができる。なお、本構成例ではスペーサ254を第2の基板
111側に設ける構成としたが、第1の基板101側に設ける構成としてもよい。
は、液晶252が封入されている。ここで、第1の電極層251、第2の電極層253、
及び液晶252により液晶素子250が構成されている。
電界が生じ、該電界によって液晶252の配向が制御され、表示装置の外部に配置された
バックライトからの光の偏光を画素単位で制御することにより、画像を表示することがで
きる。
。配向膜には透光性の材料を用いる。また、ここでは図示しないが、第1の基板101及
び第2の基板111の液晶素子250から見て外側の面に偏光板を設ける。また、導光板
を用いてバックライトからの光を表示装置の側面から入力する構成としてもよい。
白色発光のバックライトを用いてフルカラーの画像表示を実現できる。また、バックライ
トとして異なる発光色の複数の発光ダイオード(LED:Light Emitting
Diode)を用いて、時間分割表示方式(フィールドシーケンシャル駆動方式)を行
うこともできる。時間分割表示方式を用いた場合、カラーフィルタを設ける必要が無く、
また例えばR(赤色)、G(緑色)、B(青色)のそれぞれの発光を呈する副画素を設け
る必要がないため、画素の開口率を向上させることや、単位面積あたりの画素数を増加で
きるなどの利点がある。
反強誘電液晶などを用いることができる。また、ブルー相を示す液晶を使用すると、配向
膜が不要であり、且つ広い視野角が得られるため好ましい。
晶素子の構成はこれに限られず、そのほかにもTN(Twisted Nematic)
モード、FFS(Fringe Field Switching)モード、ASM(A
xially Symmetric aligned Micro−cell)モード、
OCB(Optically Compensated Birefringence)
モード、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal)モード
、AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal)モ
ードなどを用いることができる。
。このようなモードが適用された液晶素子は、第2の基板111側に電極を配置する必要
がないため、第2の基板111側に設けられるタッチセンサの電極と、液晶素子の電極と
の間で生じる寄生容量の影響が抑制され、タッチセンサの感度を向上させることができる
。
46と、接着層104を共通化し、これらに同一の材料を用いる構成を示す。接着層10
4として硬化性の有機樹脂を用い、接着層104をコンタクト部203と重なるように設
ける。さらに、コンタクト部203と重なる領域には導電性粒子245が分散されている
。このような構成とすることで、狭額縁の表示装置を実現できる。
が、画素部211及びゲート駆動回路213(及びソース駆動回路212)が設けられる
領域と、接着層104が設けられる領域とで連続しないように、これら領域の間で端部が
形成されるように島状に加工されていることが好ましい。このような構成とすることで、
接着層104に有機樹脂を用いた場合であっても、絶縁層241や絶縁層128などを介
して水分などの不純物が液晶素子250やトランジスタに拡散することを抑制できる。
て薄く、且つ機械的強度が優れた、信頼性の高い表示装置を実現できる。
とができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置に適用可能な発光素子の構成例について
、図面を参照して説明する。
第2の電極層の間に発光性の有機化合物を含む層(以下EL層という)を備える。第1の
電極層または第2の電極層のいずれか一方は陽極、他方が陰極として機能する。EL層は
第1の電極層と第2の電極層の間に設けられ、該EL層の構成は第1の電極層と第2の電
極層の材質に合わせて適宜選択すればよい。以下に発光素子の構成の一例を例示するが、
発光素子の構成がこれに限定されないことはいうまでもない。
発光素子の構成の一例を図8(A)に示す。図8(A)に示す発光素子は、陽極110
1と陰極1102の間に発光ユニット1103を含むEL層が挟まれている。
EL層に陽極1101の側から正孔が注入され、陰極1102の側から電子が注入される
。注入された電子と正孔はEL層において再結合し、EL層に含まれる発光物質が発光す
る。
または積層体を発光ユニットという。よって、当該発光素子の構成例1は発光ユニットを
1つ備えるということができる。
く、発光層以外の層と積層された構造であってもよい。発光層以外の層としては、例えば
正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔輸送性に乏しい(ブロッキングする
)物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、並びにバイポーラ性(電子及び
正孔の輸送性の高い)の物質等を含む層が挙げられる。
光ユニット1103は、正孔注入層1113、正孔輸送層1114、発光層1115、電
子輸送層1116、並びに電子注入層1117が陽極1101側からこの順に積層されて
いる。
発光素子の構成の他の一例を図8(C)に示す。図8(C)に例示する発光素子は、陽
極1101と陰極1102の間に発光ユニット1103を含むEL層が挟まれている。さ
らに、陰極1102と発光ユニット1103との間には中間層1104が設けられている
。なお、当該発光素子の構成例2の発光ユニット1103には、上述の発光素子の構成例
1が備える発光ユニットと同様の構成が適用可能であり、詳細については、発光素子の構
成例1の記載を参酌できる。
域以外の層と積層された構成であってもよい。例えば、第1の電荷発生領域1104c、
電子リレー層1104b、及び電子注入バッファー1104aが陰極1102側から順次
積層された構造を適用することができる。
02の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、第1の電荷発生領域110
4cにおいて、正孔と電子が発生し、正孔は陰極1102へ移動し、電子は電子リレー層
1104bへ移動する。電子リレー層1104bは電子輸送性が高く、第1の電荷発生領
域1104cで生じた電子を電子注入バッファー1104aに速やかに受け渡す。電子注
入バッファー1104aは発光ユニット1103に電子を注入する障壁を緩和し、発光ユ
ニット1103への電子注入効率を高める。従って、第1の電荷発生領域1104cで発
生した電子は、電子リレー層1104bと電子注入バッファー1104aを経て、発光ユ
ニット1103のLUMO準位に注入される。
子注入バッファー1104aを構成する物質が界面で反応し、互いの機能が損なわれてし
まう等の相互作用を防ぐことができる。
極に用いることができる材料の選択の幅に比べて、広い。なぜなら、構成例2の陰極は中
間層が発生する正孔を受け取ればよく、仕事関数が比較的大きな材料を適用できるからで
ある。
発光素子の構成の他の一例を図8(D)に示す。図8(D)に例示する発光素子は、陽
極1101と陰極1102の間に2つの発光ユニットが設けられたEL層を備えている。
さらに、第1の発光ユニット1103aと、第2の発光ユニット1103bとの間には中
間層1104が設けられている。
例示する発光素子は、発光ユニット1103が複数積層された構造、所謂、タンデム型の
発光素子の構成を備える。但し、例えば陽極と陰極の間にn(nは2以上の自然数)層の
発光ユニット1103を設ける場合には、m(mは自然数、1以上(n−1)以下)番目
の発光ユニットと、(m+1)番目の発光ユニットとの間に、それぞれ中間層1104を
設ける構成とする。
1と同様の構成を適用することが可能であり、また当該発光素子の構成例3の中間層11
04には、上述の発光素子の構成例2と同様の構成が適用可能である。よって、詳細につ
いては、発光素子の構成例1、または発光素子の構成例2の記載を参酌できる。
する。陽極1101と陰極1102の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加する
と、中間層1104において正孔と電子が発生し、正孔は陰極1102側に設けられた発
光ユニットへ移動し、電子は陽極1101側に設けられた発光ユニットへ移動する。陰極
側に設けられた発光ユニットに注入された正孔は、陰極側から注入された電子と再結合し
、当該発光ユニットに含まれる発光物質が発光する。また、陽極側に設けられた発光ユニ
ットに注入された電子は、陽極側から注入された正孔と再結合し、当該発光ユニットに含
まれる発光物質が発光する。よって、中間層1104において発生した正孔と電子は、そ
れぞれ異なる発光ユニットにおいて発光に至る。
れる場合は、発光ユニット同士を接して設けることができる。具体的には、発光ユニット
の一方の面に電荷発生領域が形成されていると、当該電荷発生領域は中間層の第1の電荷
発生領域として機能するため、発光ユニット同士を接して設けることができる。
、発光素子の構成例3の陰極と発光ユニットの間に中間層を設けることもできる。
て、例えば白色発光を得ることもできる。白色発光を得る場合には、例えば、発光物質を
含む層を少なくとも2つ備える構成とし、それぞれの層を互いに補色の関係にある色を呈
する光を発するように構成すればよい。具体的な補色の関係としては、例えば青色と黄色
、あるいは青緑色と赤色等が挙げられる。
ものが好ましく、例えば、一つの発光素子が、青色を呈する光を発する層、緑色を呈する
光を発する層、赤色を呈する光を発する層を備える構成とすればよい。
とができる。
上記実施の形態で例示したトランジスタのチャネルが形成される領域に好適に用いるこ
とができる半導体の一例について、以下に説明する。
な条件で加工し、そのキャリア密度を十分に低減して得られた酸化物半導体膜が適用され
たトランジスタにおいては、オフ状態でのソースとドレイン間のリーク電流(オフ電流)
を、従来のシリコンを用いたトランジスタと比較して極めて低いものとすることができる
。
)を含むことが好ましい。特にInとZnを含むことが好ましい。また、該酸化物半導体
を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとして、それ
らに加えてガリウム(Ga)、スズ(Sn)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr
)、チタン(Ti)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ランタノイド(例え
ば、セリウム(Ce)、ネオジム(Nd)、ガドリニウム(Gd))から選ばれた一種、
または複数種が含まれていることが好ましい。
化物であるIn−Zn系酸化物、Sn−Zn系酸化物、Al−Zn系酸化物、Zn−Mg
系酸化物、Sn−Mg系酸化物、In−Mg系酸化物、In−Ga系酸化物、三元系金属
の酸化物であるIn−Ga−Zn系酸化物(IGZOとも表記する)、In−Al−Zn
系酸化物、In−Sn−Zn系酸化物、Sn−Ga−Zn系酸化物、Al−Ga−Zn系
酸化物、Sn−Al−Zn系酸化物、In−Hf−Zn系酸化物、In−Zr−Zn系酸
化物、In−Ti−Zn系酸化物、In−Sc−Zn系酸化物、In−Y−Zn系酸化物
、In−La−Zn系酸化物、In−Ce−Zn系酸化物、In−Pr−Zn系酸化物、
In−Nd−Zn系酸化物、In−Sm−Zn系酸化物、In−Eu−Zn系酸化物、I
n−Gd−Zn系酸化物、In−Tb−Zn系酸化物、In−Dy−Zn系酸化物、In
−Ho−Zn系酸化物、In−Er−Zn系酸化物、In−Tm−Zn系酸化物、In−
Yb−Zn系酸化物、In−Lu−Zn系酸化物、四元系金属の酸化物であるIn−Sn
−Ga−Zn系酸化物、In−Hf−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Ga−Zn系酸
化物、In−Sn−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Hf−Zn系酸化物、In−Hf
−Al−Zn系酸化物を用いることができる。
物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとGaとZn以外
の金属元素が入っていてもよい。
)で表記される材料を用いてもよい。なお、Mは、Ga、Fe、Mn及びCoから選ばれ
た一の金属元素または複数の金属元素、若しくは上記のスタビライザーとしての元素を示
す。また、酸化物半導体として、In2SnO5(ZnO)n(n>0、且つ、nは整数
)で表記される材料を用いてもよい。
n:Ga:Zn=2:1:3の原子数比のIn−Ga−Zn系酸化物やその組成の近傍の
酸化物を用いるとよい。
結晶でもよい。また、アモルファス中に結晶性を有する部分を含む構造でも、非アモルフ
ァスでもよい。
rystalline Oxide Semiconductor)膜とする。
ことが多い。また、透過型電子顕微鏡(TEM:Transmission Elect
ron Microscope)による観察像では、CAAC−OS膜に含まれる結晶部
と結晶部との境界は明確ではない。また、TEMによってCAAC−OS膜には粒界(グ
レインバウンダリーともいう。)は確認できない。そのため、CAAC−OS膜は、粒界
に起因する電子移動度の低下が抑制される。
トルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃い、かつab面に垂直な方向から見て三
角形状または六角形状の原子配列を有し、c軸に垂直な方向から見て金属原子が層状また
は金属原子と酸素原子とが層状に配列している。なお、異なる結晶部間で、それぞれa軸
およびb軸の向きが異なっていてもよい。本明細書において、単に垂直と記載する場合、
80°以上100°以下の範囲も含まれることとする。また、単に平行と記載する場合、
−10°以上10°以下の範囲も含まれることとする。
AC−OS膜の形成過程において、酸化物半導体膜の表面側から結晶成長させる場合、被
形成面の近傍に対し表面の近傍では結晶部の占める割合が高くなることがある。また、C
AAC−OS膜へ不純物を添加することにより、当該不純物添加領域において結晶部の結
晶性が低下することもある。
トルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃うため、CAAC−OS膜の形状(被形
成面の断面形状または表面の断面形状)によっては互いに異なる方向を向くことがある。
なお、結晶部のc軸の方向は、CAAC−OS膜が形成されたときの被形成面の法線ベク
トルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向となる。結晶部は、成膜することにより、ま
たは成膜後に加熱処理などの結晶化処理を行うことにより形成される。
する方法としては、三つ挙げられる。
とで、酸化物半導体膜に含まれる結晶部のc軸が、被形成面の法線ベクトルまたは表面の
法線ベクトルに平行な方向に揃った結晶部を形成する方法である。
理を行うことで、酸化物半導体膜に含まれる結晶部のc軸が、被形成面の法線ベクトルま
たは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃った結晶部を形成する方法である。
処理を行い、さらに二層目の酸化物半導体膜の成膜を行うことで、酸化物半導体膜に含ま
れる結晶部のc軸が、被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に
揃った結晶部を形成する方法である。
動が小さい。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。
用い、スパッタリング法によって成膜することが好ましい。当該スパッタリング用ターゲ
ットにイオンが衝突すると、スパッタリング用ターゲットに含まれる結晶領域がa−b面
から劈開し、a−b面に平行な面を有する平板状またはペレット状のスパッタリング粒子
として剥離することがある。この場合、当該平板状またはペレット状のスパッタリング粒
子が、結晶状態を維持したまま被成膜面に到達することで、CAAC−OS膜を成膜する
ことができる。
きる。例えば、成膜室内に存在する不純物濃度(水素、水、二酸化炭素および窒素など)
を低減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点
が−80℃以下、好ましくは−100℃以下である成膜ガスを用いる。
に到達後にスパッタリング粒子のマイグレーションが起こる。具体的には、被成膜面の温
度を100℃以上740℃以下、好ましくは200℃以上500℃以下として成膜する。
成膜時の被成膜面の温度を高めることで、平板状またはペレット状のスパッタリング粒子
が被成膜面に到達した場合、当該被成膜面上でマイグレーションが起こり、スパッタリン
グ粒子の平らな面が被成膜面に付着する。
ジを軽減すると好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、30体積%以上、好ましくは100
体積%とする。
ついて以下に示す。
後、1000℃以上1500℃以下の温度で加熱処理をすることで多結晶であるIn−G
a−Zn−O化合物ターゲットとする。なお、X、YおよびZは任意の正数である。ここ
で、所定のmol数比は、例えば、InOX粉末、GaOY粉末およびZnOZ粉末が、
1:1:1、1:1:2、1:3:2、2:1:3、2:2:1、3:1:1、3:1:
2、3:1:4、4:2:3、8:4:3、またはこれらの近傍の値とすることができる
。なお、粉末の種類、およびその混合するmol数比は、作製するスパッタリング用ター
ゲットによって適宜変更すればよい。
て、水素の一部がドナーとなり、キャリアである電子を生じてしまう。これにより、トラ
ンジスタのしきい値電圧がマイナス方向にシフトしてしまう。そのため、酸化物半導体膜
において、水素濃度は、5×1018atoms/cm3未満、好ましくは1×1018
atoms/cm3以下、より好ましくは5×1017atoms/cm3以下、更に好
ましくは1×1016atoms/cm3以下とすることが望ましい。なお、酸化物半導
体膜中の水素濃度は、二次イオン質量分析法(SIMS:Secondary Ion
Mass Spectrometry)で測定されるものである。
から、水素、または水分を除去して不純物が極力含まれないように高純度化し、脱水化処
理(脱水素化処理)によって増加した酸素欠損を補填するため酸素を酸化物半導体膜に加
える処理を行うことが好ましい。また、本明細書等において、酸化物半導体膜に酸素を供
給する場合を、加酸素化処理と記す場合がある、または酸化物半導体膜に含まれる酸素を
化学量論的組成よりも多くする場合を過酸素化処理と記す場合がある。
が除去され、加酸素化処理により酸素欠損を補填することによって、i型(真性)化また
はi型に限りなく近い酸化物半導体膜とすることができる。このような酸化物半導体膜中
には、ドナーに由来するキャリアが極めて少なく(ゼロに近く)、キャリア濃度は1×1
014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3未満、さらに好ましくは1×10
11/cm3未満、より好ましくは1.45×1010/cm3未満となる。
酸素欠損に起因するエネルギーギャップ中の欠陥準位が低減された酸化物半導体膜を備え
るトランジスタは、極めて優れたオフ電流特性を実現できる。例えば、チャネル長が1μ
m、且つ室温(25℃)における、チャネル幅1μmあたりのオフ電流は、100yA(
1yA(ヨクトアンペア)は1×10−24A)以下、望ましくは、10yA以下となる
。また、85℃では、100zA/μm(1zA(ゼプトアンペア)は1×10−21A
)以下、望ましくは10zA/μm以下となる。このように、i型(真性)化または実質
的にi型化された酸化物半導体膜を用いることで、極めて優れたオフ電流特性のトランジ
スタを得ることができる。
の酸化物半導体膜の積層として、各々を異なる組成としてもよい。例えば、第1の酸化物
半導体膜および第3の酸化物半導体膜に三元系金属の酸化物を用い、第2の酸化物半導体
膜に二元系金属の酸化物を用いる、または、第1の酸化物半導体膜および第3の酸化物半
導体膜に二元系金属の酸化物を用い、第2の酸化物半導体膜に三元系金属の酸化物を用い
ることもできる。
成元素を同一とし、組成を異ならせてもよい。例えば、第1の酸化物半導体膜および第3
の酸化物半導体膜の原子数比をIn:Ga:Zn=1:1:1とし、第2の酸化物半導体
膜の原子数比をIn:Ga:Zn=3:1:2としてもよい。また、第1の酸化物半導体
膜および第3の酸化物半導体膜の原子数比をIn:Ga:Zn=1:3:2とし、第2の
酸化物半導体膜の原子数比をIn:Ga:Zn=3:1:2としてもよい。
第1の酸化物半導体膜および第3の酸化物半導体膜のInとGaの含有率をIn≦Gaと
するとよい。
率を多くすることによりs軌道のオーバーラップが多くなる傾向があるため、In>Ga
の組成となる酸化物はIn≦Gaの組成となる酸化物と比較して高い移動度を備える。ま
た、GaはInと比較して酸素欠損の形成エネルギーが大きく酸素欠損が生じにくいため
、In≦Gaの組成となる酸化物はIn>Gaの組成となる酸化物と比較して安定した特
性を備える。
)を形成する際に、酸化物半導体膜に接して形成される膜から酸化物半導体膜中に不純物
が拡散する恐れがある。シリコンやカーボンなどが酸化物半導体膜中に拡散すると、トラ
ンジスタの電気特性に悪影響を及ぼす可能性がある。
物半導体膜(つまり、In>Gaの組成となる酸化物半導体膜。上述の第2の酸化物半導
体膜に相当する。)に接して、当該酸化物半導体膜よりも酸素欠損が少なく安定した特性
を備える酸化物半導体膜(つまり、In≦Gaの組成となる酸化物半導体膜。上述の第1
の酸化物半導体膜および第3の酸化物半導体膜に相当する。)を形成し、酸化物半導体膜
に接する膜と高い移動度を備える酸化物半導体膜とが接しない構成とすることにより、不
純物拡散に起因したトランジスタの電気特性への悪影響(例えば移動度の低下など。)を
抑制することができる。したがって、トランジスタの移動度および信頼性を高めることが
可能となる。
とができる。
本実施の形態では、本発明の一態様であるタッチセンサを備える表示装置を備える電子
機器の例について、図9を参照して説明する。
12と、ボタン1013と、スピーカー1014と、を具備する。
ていてもよい。
であれば、ボタン1013を押すことにより、電子機器をオン状態にするか否かを制御す
ることができる。
する。
れることにより、例えば図9(A)に示す電子機器を電話機として機能させることができ
る。
び遊技機の一つ又は複数としての機能を有する。
ることができる。
に設けられたパネル1022aと、筐体1021bに設けられたパネル1022bと、軸
部1023と、ボタン1024と、接続端子1025と、記録媒体挿入部1026と、ス
ピーカー1027と、を備える。
1022bを対向させて折り畳むことができる。
24を設けてもよい。例えば、電源ボタンとしての機能を有するボタン1024を設ける
ことより、ボタン1024を押すことで電子機器に対する電源電圧の供給を制御できる。
1025が設けられていてもよい。また、接続端子1025が筐体1021a及び筐体1
021bの一方又は両方に複数設けられていてもよい。接続端子1025は、図9(B)
に示す電子機器と他の機器を接続するための端子である。
挿入部1026が設けられていてもよい。また、記録媒体挿入部1026が筐体1021
a及び筐体1021bの一方又は両方に複数設けられていてもよい。例えば、記録媒体挿
入部にカード型記録媒体を挿入することにより、カード型記録媒体のデータを電子機器に
読み出し、又は電子機器内のデータをカード型記録媒体に書き込むことができる。
出力する。なお、筐体1021aにスピーカー1027を設けてもよい。
は筐体1021bにマイクが設けられることにより、例えば図9(B)に示す電子機器を
電話機として機能させることができる。
び遊技機の一つ又は複数としての機能を有する。
備える表示装置を適用することができる。
子機器は、筐体1031と、筐体1031に設けられたパネル1032と、ボタン103
3と、スピーカー1034と、を具備する。
。
を設けてもよい。
であれば、ボタン1033を押すことで電子機器に対する電源電圧の供給を制御できる。
力する。
ための情報通信端末(マルチメディアステーションともいう)、又は遊技機としての機能
を有する。
ることができる。
1041と、筐体1041に設けられたパネル1042と、筐体1041を支持する支持
台1043と、ボタン1044と、接続端子1045と、スピーカー1046と、を備え
る。
子を設けてもよい。
であれば、ボタン1044を押すことで電子機器に対する電源電圧の供給を制御できる。
示す電子機器と他の機器を接続するための端子である。例えば、接続端子1045により
図9(D)に示す電子機器とパーソナルコンピュータを接続すると、パーソナルコンピュ
ータから入力されるデータ信号に応じた画像をパネル1042に表示させることができる
。例えば、図9(D)に示す電子機器のパネル1042が接続する他の電子機器のパネル
より大きければ、当該他の電子機器の表示画像を拡大することができ、複数の人が同時に
視認しやすくなる。
力する。
ビジョン装置の一つ又は複数としての機能を有する。
ることができる。
態様のタッチセンサを備える表示装置が適用されている。したがって、電子機器自体の軽
量化、小型化、薄型化が実現されている。
可能である。したがって、上述した電子機器として、曲面を有するパネルを備える構成や
、湾曲可能なパネルを備える構成とすることもできる。
とができる。
101 基板
102 支持基板
103 素子層
104 接着層
105 接着層
110 表示装置
111 基板
112 支持基板
113 センサ層
114 センサ電極
115 センサ電極
116 絶縁層
120 表示装置
121 基板
122 支持基板
123 カラーフィルタ層
124 赤色カラーフィルタ
125 緑色カラーフィルタ
126 青色カラーフィルタ
127 ブラックマトリクス
128 絶縁層
130 表示装置
200 表示装置
201 表示部
202 タッチセンサ
203 コンタクト部
204 FPC
205 外部接続電極
206 配線
207 配線
208 接続層
209 補強材
211 画素部
212 ソース駆動回路
213 ゲート駆動回路
220 発光素子
221 電極層
222 EL層
223 電極層
231 トランジスタ
232 トランジスタ
233 トランジスタ
234 トランジスタ
235 絶縁層
236 スペーサ
237 絶縁層
238 絶縁層
239 絶縁層
241 絶縁層
242 ブラックマトリクス
243 カラーフィルタ
244 電極
245 導電性粒子
246 樹脂層
250 液晶素子
251 電極層
252 液晶
253 電極層
254 スペーサ
255 オーバーコート
256 トランジスタ
1011 筐体
1012 パネル
1013 ボタン
1014 スピーカー
1021a 筐体
1021b 筐体
1022a パネル
1022b パネル
1023 軸部
1024 ボタン
1025 接続端子
1026 記録媒体挿入部
1027 スピーカー
1031 筐体
1032 パネル
1033 ボタン
1034 スピーカー
1035 甲板部
1041 筐体
1042 パネル
1043 支持台
1044 ボタン
1045 接続端子
1046 スピーカー
1101 陽極
1102 陰極
1103 発光ユニット
1103a 発光ユニット
1103b 発光ユニット
1104 中間層
1104a 電子注入バッファー
1104b 電子リレー層
1104c 電荷発生領域
1113 正孔注入層
1114 正孔輸送層
1115 発光層
1116 電子輸送層
1117 電子注入層
Claims (3)
- 発光層と、前記発光層の上方にガラス基板を介することなく設けられたセンサ層と、前記センサ層の上方に設けられた厚さが10μm以上200μm以下であるガラス材料を用いた層と、を有する表示装置。
- 発光層と、前記発光層の上方にガラス基板を介することなく設けられたセンサ層と、前記センサ層の上方に設けられた厚さが10μm以上200μm以下であるガラス材料を用いた層と、を有し、前記発光層を有する表示部を湾曲させることが可能な表示装置。
- 発光層と、前記発光層の上方にガラス基板を介することなく設けられたセンサ層と、前記センサ層の上方に設けられた厚さが10μm以上200μm以下であるガラス材料を用いた層と、を有する、可撓性を備えた表示装置。
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