JP2020141015A - 配線基板 - Google Patents
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Abstract
Description
うに、ソルダーレジスト層3の上面から接合パッド8に向けて内径が小さくなる第1領域10aと、第1領域10aから接合パッド8に向けて内径が大きくなる第2領域10bとを有している。
3 ソルダーレジスト層
8 接合パッド
10 開口部
10a 第1領域
10b 第2領域
12 半田バンプ
13 ニッケルめっき層
Claims (4)
- 絶縁基板と、
該絶縁基板上に位置する接合パッドと、
該接合パッド上に開口部を有して位置するソルダーレジスト層と、
前記接合パッド上に位置しており、外周側面が前記開口部の側面に接しているニッケルめっき層と、
前記ニッケルめっき層上に位置しており、外周側面の少なくとも一部が前記開口部の側面に接しているとともに、前記開口部から突出している部位を有する半田バンプとを備え、
前記開口部は、前記ソルダーレジスト層の上面から前記接合パッドに向けて内径が小さくなる第1領域と、該第1領域から前記接合パッドに向けて内径が大きくなる第2領域とを有し、
前記ニッケルめっき層は、前記第2領域から前記第1領域まで跨って存在していることを特徴とする配線基板。 - 前記第1領域の高さをh1とし、前記第2領域の高さをh2としたときに、h1とh2との比率であるh1:h2が10:1〜3:2の範囲内であることを特徴とする請求項1記載の配線基板。
- 前記第1領域の前記ソルダーレジスト層表面側の開口径をφ1とし、前記第2領域の前記接合パッド側の開口径をφ2としたときに、φ1とφ2との比率であるφ1:φ2が5:4〜10:11の範囲内であることを特徴とする請求項1記載の配線基板。
- 前記ニッケルめっき層は、前記外周面が前記第1領域の前記側面に接する高さが1〜3μmの範囲内であることを特徴とする請求項1記載の配線基板。
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