JP2020136498A - ウェハ加工異常検出装置と方法及び平面加工システム - Google Patents

ウェハ加工異常検出装置と方法及び平面加工システム Download PDF

Info

Publication number
JP2020136498A
JP2020136498A JP2019028239A JP2019028239A JP2020136498A JP 2020136498 A JP2020136498 A JP 2020136498A JP 2019028239 A JP2019028239 A JP 2019028239A JP 2019028239 A JP2019028239 A JP 2019028239A JP 2020136498 A JP2020136498 A JP 2020136498A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
processing
flat surface
abnormality detection
comparison target
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019028239A
Other languages
English (en)
Inventor
宰 白鳥
Tsukasa Shiratori
宰 白鳥
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP2019028239A priority Critical patent/JP2020136498A/ja
Publication of JP2020136498A publication Critical patent/JP2020136498A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】加工状態の異常を早期に検出可能なウェハ加工異常検出装置と方法及び平面加工システムを提供する。【解決手段】検出装置16は、ウェハWの被加工面を含む比較対象画像を撮像するカメラ17と、比較対象画像と基準画像とを比較して、比較対象画像にウェハ加工状態の異常に伴う特徴的な差異が含まれているか否かの判定を介して平面加工が正常に行われたか否かを判定する制御手段15と、を備えている。【選択図】図2

Description

本発明は、研削又は研磨加工を行ったウェハの加工異常を検出するウェハ加工異常検出装置と方法及び平面加工システムに関するものである。
半導体製造分野では、シリコンウェハ等の半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という)を研削又は研磨する平面加工システムが知られている。
特許文献1には、研磨布56に目詰まりが生じたことを検出する検出手段を備えた平面加工システム10が開示されている。なお、符号は特許文献1におけるものである。
特開2003−007661号公報
ところで、平面加工装置では、研削砥石や研磨パッドを回転させるスピンドルモータに印加する負荷電圧を研削抵抗して読み取り、スピンドルモータの負荷電圧を介して加工状態の変化を観察している。そして、スピンドルモータの負荷電圧が著しく増大すると、目詰まり等に起因して加工状態が異常であることを検出し、オペレータに研削砥石や研磨パッドの交換を促すように構成されている。
しかしながら、スピンドルモータの負荷電圧を介して加工状態の変化を観察する場合、加工状態が悪化し始めてから研削砥石や研磨パッドが交換されるまでに加工されたウェハは、その被加工面に異常な研削痕が残ったり、面焼けで変色したり等して、歩留まりが悪化する虞があるという問題があった。
また、加工後のウェハについて目視観察または抗折強度の測定によって加工異常を検出する場合もある。しかしながら、目視観察や抗折強度の測定は、所定枚数分だけ平面加工を終えた後に行われるため、加工状態が悪化し始めてから研削砥石や研磨パッドが交換されるまでに加工されたウェハがダメージを負うことは避けられず、歩留まりが悪化する虞があるという問題があった。
そこで、加工状態の異常を早期に検出するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係るウェハ加工異常検出装置は、ウェハに対する平面加工の異常を検出するウェハ加工異常検出装置であって、前記ウェハの被加工面を撮像する撮像手段と、前記撮像手段が撮像した被加工面の画像である比較対象画像と予め記憶された正常な被加工面の画像である基準画像とを比較して、前記比較対象画像にウェハ加工状態の異常に伴う特徴的な差異が含まれているか否かの判定を介して平面加工が正常に行われたか否かを判定する判定手段と、を備えている。
この構成によれば、比較対象画像と基準画像とを比較して、ウェハ加工状態の異常に伴う特徴的な差異が比較対象画像に含まれているか否かの判定を介して平面加工の異常を加工直後に検出するこができる。
また、本発明に係るウェハ加工異常検出装置は、前記判定手段が、前記比較対象画像において、前記基準画像に表れていない切れ込みがウェハ周縁に存在する場合には、平面加工が正常に行われていないと判定することが好ましい。
この構成によれば、チッピング等のウェハ周縁に表れる異常を検出することにより、平面加工の異常を加工直後に検出するこができる。
また、本発明に係るウェハ加工異常検出装置は、前記判定手段が、前記比較対象画像において、前記基準画像に表れていない割れ又は欠けが被加工面に存在する場合には、平面加工が正常に行われていないと判定することが好ましい。
この構成によれば、割れや欠け等の被加工面に表れる異常を検出することにより、平面加工の異常を加工直後に検出するこができる。
また、本発明に係るウェハ加工異常検出装置は、前記判定手段が、前記比較対象画像及び前記基準画像の色について同一の閾値を用いて白黒に2値化し、前記基準画像の色が前記閾値以下であり、前記比較対象画像の色が前記閾値を上回る場合には、平面加工が正常に行われていないと判定することが好ましい。
この構成によれば、面焼け等の被加工面に表れる異常を検出することにより、平面加工の異常を加工直後に検出するこができる。
また、上記目的を達成するために、本発明に係るウェハ加工異常検出装置は、ウェハに対する平面加工の異常を検出するウェハ加工異常検出装置であって、前記ウェハの被加工面の表面粗さを非接触測定する粗さ測定器と、前記粗さ測定器が測定した被加工面の表面粗さが、予め設定された表面粗さの目標範囲を超えた場合には、平面加工が正常に行われていないと判定する判定手段と、を備えている。
この構成によれば、平面加工された被加工面の表面粗さが、予め記憶された正常に加工された場合の被加工面の表面粗さの目標範囲内を外れているか否かを介して平面加工の異常を加工直後に検出するこができる。
また、上記目的を達成するために、本発明に係る平面加工システムは、以上のようなウェハ加工異常検出装置と、前記ウェハを平面加工する平面加工装置と、前記ウェハを吸着保持するチャックを備え、前記ウェハ加工異常検出装置と前記平面加工装置との間で前記ウェハを移送するインデックステーブルと、を備えている。
この構成によれば、従来のような目視や抗折強度を測定する場合と比べて、平面加工装置で加工されたウェハの加工異常を加工直後に検出するこができる。
また、本発明に係る平面加工システムは、前記判定手段が、前記ウェハが前記チャックに吸着保持された状態で平面加工が正常に行われたか否かを判定し、前記平面加工装置は、異常と判定された前記ウェハを再び平面加工することが好ましい。
この構成によれば、ウェハがチャックに吸着保持された状態で加工異常の判定を行うことにより、ウェハの加工異常を早期に検出でき、さらに異常判定されたウェハを再び平面加工することにより、歩留まりの悪化を抑制することができる。
また、上記目的を達成するために、本発明に係るウェハ加工異常検出方法は、ウェハに対する平面加工の異常を検出するウェハ加工異常検出方法であって、前記ウェハの被加工面を撮像手段で撮像する工程と、前記撮像手段が撮像した被加工面の画像である比較対象画像と予め記憶された正常な被加工面の画像である基準画像とを比較して、前記比較対象画像にウェハ加工状態の異常に伴う特徴的な差異が含まれているか否かの判定を介して平面加工が正常に行われたか否かを判定する工程と、を含む。
この構成によれば、比較対象画像と基準画像とを比較して、ウェハ加工状態の異常に伴う特徴的な差異が比較対象画像に含まれているか否かの判定を介して平面加工の異常を加工直後に検出するこができる。
また、上記目的を達成するために、本発明に係るウェハ加工異常検出方法は、ウェハに対する平面加工の異常を検出するウェハ加工異常検出方法であって、前記ウェハの被加工面の表面粗さを粗さ測定器で非接触測定する工程と、前記粗さ測定器が測定した被加工面の表面粗さが、予め設定された表面粗さの目標範囲を外れた場合には、平面加工が正常に行われていないと判定する工程と、を含む。
この構成によれば、平面加工された被加工面の表面粗さが、予め記憶された正常に加工された場合の被加工面の表面粗さの目標範囲内を外れているか否かを介して平面加工の異常を加工直後に検出するこができる。
本発明は、平面加工の異常を加工直後に検出するこができる。
本発明の一実施形態に係る平面加工システムを示す模式図。 図1に示すウェハ加工異常検出装置を示す模式図。 他の実施形態に係るウェハ加工異常検出装置を示す模式図。
本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。なお、以下では、構成要素の数、数値、量、範囲等に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも構わない。
また、構成要素等の形状、位置関係に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似又は類似するもの等を含む。
また、図面は、特徴を分かり易くするために特徴的な部分を拡大する等して誇張する場合があり、構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、構成要素の断面構造を分かり易くするために、一部の構成要素のハッチングを省略することがある。
図1は、平面加工システム1の基本的構成を示す平面図である。平面加工システム1は、ウェハWの研削加工及び研磨加工を連続して行うものである。なお、平面加工システム1は、研削加工又は研磨加工の何れか一方のみを行うものであっても構わない。
平面加工システム1には、プラットフォーム(ウェハ受け渡し)ステージST1、粗研削ステージST2、精研削ステージST3及び研磨ステージST4の4つのステージが設けられている。
平面加工システム1は、図1の紙面を反時計回りに回動可能なインデックステーブル2と、インデックステーブル2の回転軸を中心に同心円上で等間隔に離間して配置された4つのチャック3と、を備えている。インデックステーブル2が、90°ずつステップ回転することにより、チャック3は、プラットフォームステージST1、粗研削ステージST2、精研削ステージST3、研磨ステージST4の順に移動する。
チャック3は、上面にアルミナ等の多孔質材料からなる図示しない吸着体が埋設されている。チャック3は、内部を通って表面に延びる図示しない管路を備えている。管路は、図示しないロータリージョイントを介して真空源、圧縮空気源又は給水源に接続されている。真空源が起動すると、チャック3に載置されたウェハWがチャック3に吸着保持される。また、圧縮空気源又は給水源が起動すると、ウェハWとチャック3との吸着が解除される。
プラットフォームステージST1には、ウェハアライメントユニット4と、第1の搬送アーム5と、を備えている。ウェハアライメントユニット4には、第2の搬送アーム6によってロードポート7から取り出された研削前のウェハWが載置されて、ウェハWの位置出しが行われる。第1の搬送アーム5は、位置出しされたウェハWをウェハアライメントユニット4からチャック3に搬送する。
ウェハWは、バッググラインドテープや、ガラス基板、シリコン基板等のサポート基板にマウントされた状態でチャック3に吸着保持される。特に、ウェハWが薄く、大口径化するにつれて、サポート基板が用いられることが多い。
粗研削ステージST2には,図示しない粗研削砥石と、粗研削砥石送り機構8と、が設けられている。粗研削砥石には、例えば#600のカップ型砥石が用いられる。粗研削砥石送り機構8は、粗研削砥石を下端に取り付けるとともに粗研削砥石を回転可能に支持するスピンドル8aと、スピンドル8aを鉛直方向に昇降させるスピンドル送り機構8bと、を備えている。
精研削ステージST3には、図示しない精研削砥石と、精研削砥石送り機構9と、が設けられている。精研削砥石には、例えば#4000のカップ型砥石が用いられる。精研削砥石送り機構9は、精研削砥石を下端に取り付けるとともに精研削砥石を回転可能に支持するスピンドル9aと、スピンドル9aを鉛直方向に昇降させるスピンドル送り機構9bと、を備えている。
研磨ステージST4には、研磨パッドが取り付けられた図示しない研磨ヘッドと、研磨ヘッド送り機構10と、が設けられている。研磨ヘッド送り機構10は、研磨ヘッドを下端に取り付けるとともに研磨ヘッドを回転可能に支持するスピンドル10aと、スピンドル10aを垂直方向に昇降させるスピンドル送り機構10bと、を備えている。
上述した各スピンドル送り機構は、公知の構成であり、例えば、スピンドルの移動方向を案内する複数のリニアガイドと、スピンドルを昇降させるボールネジスライダ機構と、で構成されている。
プラットフォームステージST1には、ウェハ加工異常検出装置11が設けられている。ウェハ加工異常検出装置11の具体的構成については、後述する。
平面加工システム1は、1次洗浄ユニット12と、2次洗浄ユニット13と、を備えている。1次洗浄ユニット12は、第3の搬送アーム14によってチャック3から搬送された研削、研磨後のウェハWの裏面(非加工面)を洗浄する。
2次洗浄ユニット13は、第3の搬送アーム14によって1次洗浄ユニット12から搬送された1次洗浄後のウェハWの表面(加工面)及び裏面を洗浄する。2次洗浄ユニット13は、例えば、ウェハの周縁を3本又は4本のコマで支持しながら、ウェハWの表面及び裏面に純水とミストから成る2流体ミストを吹き付けることにより洗浄を行う。2次洗浄後のウェハWは、第2の搬送アーム6によってロードポート7に格納させる。
平面加工システム1の動作は、制御装置15によって制御される。制御装置15は、平面加工システム1を構成する構成要素をそれぞれ制御するものである。制御装置15は、例えば、CPU、メモリ等により構成される。なお、制御装置15の機能は、ソフトウェアを用いて制御することにより実現されても良く、ハードウェアを用いて動作することにより実現されても良い。
次に、ウェハ加工異常検出装置(以下、「検出装置」という)16の構成について、図2に基づいて説明する。検出装置16は、カメラ17と、図示しない判定部と、を備えている。なお、検出装置16では、制御装置15が、判定手段として機能する。
カメラ17は、例えば、CCDやCMOS等の撮像素子とレンズ等の光学素子とを組み合わせデジタルカメラである。カメラ17は、水平方向に延設された梁状部材18を介してプラットフォームステージST1と粗研削ステージST2とを仕切る仕切壁19に接続されており、カメラ17がチャック3の上方に配置されている。カメラ17は、プラットフォームステージST1内でチャック3に吸着保持された研削、研磨(以下、総称して「平面加工」という)後のウェハWを撮像した撮像画像を制御装置15に出力する。なお、カメラ17が撮影する撮像画像は、静止画像に限らず動画であっても構わない。
次に、検出装置16が加工異常を検出する手順について説明する。
粗研削ステージST2、精研削ステージST3及び研磨ステージST4を経て平面加工を終えたウェハWがプラットフォームステージST1に移送されると、カメラ17は、平面加工後のウェハWを撮像する。そして、その撮像画像(比較対象画像)は、制御装置15に送られる。
制御装置15には、正常に平面加工されたウェハWの被加工面の画像(基準画像)が予め記憶されている。そして、制御装置15は、基準画像とカメラ17が撮像した比較対象画像とを比較して、ウェハWに対する平面加工が正常に行われたか否かを判定する。
具体的には、制御装置15は、基準画像及び比較対象画像について画像解析を行い、ウェハ加工状態の異常に起因する特徴的な差異が比較対象画像に表れる場合には、ウェハWに対する平面加工が正常に行われていないと判定する。
上述した特徴的な差異とは、例えば、基準画像には、ウェハWの向きを示すノッチがウェハWの周縁に形成されているところ、一方、比較対象画像には、ウェハWの周縁にノッチ以外の切れ込みが存在する場合には、ウェハWに対する平面加工が正常に行われていないと判定する。このような判定は、例えば、粗研削砥石、精研削砥石又は研磨パッドの加工条件の悪化に起因するチッピング等の検出に好適である。
また、基準画像内の被加工面と比較対象画像内の被加工面とを比較して、比較対象画像にのみ割れや欠けが存在する場合には、ウェハWに対する平面加工が正常に行われていないと判定するようにしても構わない。このような判定は、例えば、粗研削砥石、精研削砥石又は研磨パッドの加工条件の悪化に起因する面焼け等の検出に好適である。
また、基準画像及び比較対象画像の各被加工面の色を同じ閾値で白黒に2値化する。このとき、閾値は、基準画像内の被加工面の色が下回るように設定される。そして、比較対象画像が閾値を超えている場合には、ウェハWに対する平面加工が正常に行われていないと判定するようにしても構わない。このような判定は、例えば、粗研削砥石、精研削砥石又は研磨パッドの加工条件の悪化に起因する面焼け等の検出に好適である。
上述した平面加工の異常は、粗研削砥石、精研削砥石又は研磨パッドの加工条件が悪化したことに起因する。そこで、検出装置16は、制御装置15がウェハWに対する平面加工が正常に行われていないと判定した場合に、その旨をオペレータに通知する通知部を備えていても構わない。これにより、オペレータに対して、粗研削砥石、精研削砥石又は研磨パッドの摩耗状況の確認、部材の交換等を促すことができる。
また、検出装置16が検出した特徴的な差異が軽微なものであれば、ウェハWを再研削、再研磨しても構わない。また、検出装置16による判定が、ウェハWがチャック3に保持されたまま実施されるため、再加工に際してウェハWのアライメント作業等を行うことなく、スムーズに再研削、再研磨を行うことができる。
一方、制御装置15は、基準画像及び比較対象画像について画像解析を行い、上述したような特徴的な差異が存在しない場合には、ウェハWに対する平面加工が正常に行われていると判定する。
このようにして、検出装置16は、比較対象画像と基準画像とを比較して、ウェハ加工状態の異常に伴う特徴的な差異が比較対象画像に含まれているか否かの判定を介して平面加工の異常を早期に検出するこができる。
また、ウェハWがチャック3に吸着保持された状態で加工異常の判定を行うことにより、従来のような目視や抗折強度の測定を介して検査を行う場合と比べて、加工異常を加工直後に検出でき、歩留まりの悪化を抑制することができる。
次に、本発明の第2の実施形態に係る検出装置16について、図3に基づいて説明する。以下に説明する構成以外の構成は、上述した実施形態と同様である。
本実施形態に係る検出装置16は、粗さ測定器20と、支持アーム21と、図示しない判定手段と、を備えている。なお、検出装置16では、制御装置15が、判定手段として機能する。
粗さ測定器20は、ウェハWの被加工面の表面粗さを非接触で測定する。粗さ測定器20は、例えば、分光干渉式センサである。粗さ測定器20は、ウェハWに向けて光を照射し、ウェハWの上面及び下面で反射した光が干渉した反射光を受光する。反射光は、分光器によって分光され、制御装置15が、ウェハWの上面で反射した光とウェハWの下面で反射した光との光路差に基づいてウェハWの高さを算出する。
支持アーム21は、先端に粗さ測定器20を取り付けている。支持アーム21は、基端側の図示しない駆動軸を支点としてウェハWの半径方向に搖動可能である。
このようにして、支持アーム21をウェハWの半径方向に搖動することにより、粗さ測定器20が、ウェハW上の多数の地点においてウェハWの高さを測定することにより、ウェハWの表面粗さを非接触で測定することができる。
次に、検出装置16が加工異常を検出する手順について説明する。
粗研削ステージST2、精研削ステージST3及び研磨ステージST4を経て平面加工を終えたウェハWがプラットフォームステージST1に移送されると、支持アーム21がウェハWの上方で粗さ測定器20を搖動させる。なお、チャック3に吸着保持されたウェハWが中心回りに自転することにより、粗さ測定器20の測定地点は、ウェハW上の広範囲に亘る。
制御装置15には、正常に平面加工されたウェハWの被加工面の表面粗さRaの目標範囲が予め記憶されている。また、制御装置15は、粗さ測定器20の測定結果に基づいて平面加工後のウェハWの表面粗さRaを算出する。
そして、制御装置15は、平面加工後のウェハWの被加工面における表面粗さRaが目標範囲内に収まっている場合には、ウェハWに対する平面加工が正常に行われたと判定する。一方、制御装置15は、平面加工後のウェハWの表面粗さが表面粗さの目標範囲を外れている場合には、ウェハWに対する平面加工が正常に行われていないと判定する。
これにより、平面加工された被加工面の表面粗さが、予め記憶された正常に加工された場合の被加工面の表面粗さの目標範囲内を外れているか否かを介して平面加工の異常を加工直後に検出するこができる。
なお、加工異常の検出の基準となる粗さは、算術平均粗さRaに限らず、例えば、最大高さRz、表面粗さRms等であっても構わない。
また、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り、上記以外にも種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。
1 ・・・平面加工システム
2 ・・・インデックステーブル
3 ・・・チャック
4 ・・・ウェハアライメントユニット
5 ・・・第1の搬送アーム
6 ・・・第2の搬送アーム
7 ・・・ロードポート
8 ・・・粗研削砥石送り機構
9 ・・・精研削砥石送り機構
10 ・・・研磨ヘッド送り機構
11 ・・・ウェハ加工異常検出装置
12 ・・・1次洗浄ユニット
13 ・・・2次洗浄ユニット
14 ・・・第3の搬送アーム
15 ・・・制御装置
16 ・・・検出装置
17 ・・・カメラ(撮像手段)
20 ・・・測定器
21 ・・・支持アーム
W ・・・ウェハ

Claims (9)

  1. ウェハに対する平面加工の異常を検出するウェハ加工異常検出装置であって、
    前記ウェハの被加工面を撮像する撮像手段と、
    前記撮像手段が撮像した被加工面の画像である比較対象画像と予め記憶された正常な被加工面の画像である基準画像とを比較して、前記比較対象画像にウェハ加工状態の異常に伴う特徴的な差異が含まれているか否かの判定を介して平面加工が正常に行われたか否かを判定する判定手段と、
    を備えていることを特徴とするウェハ加工異常検出装置。
  2. 前記判定手段は、前記比較対象画像において、前記基準画像に表れていない切れ込みがウェハ周縁に存在する場合には、平面加工が正常に行われていないと判定することを特徴とする請求項1記載のウェハ加工異常検出装置。
  3. 前記判定手段は、前記比較対象画像において、前記基準画像に表れていない割れ又は欠けが被加工面に存在する場合には、平面加工が正常に行われていないと判定することを特徴とする請求項1記載のウェハ加工異常検出装置。
  4. 前記判定手段は、前記比較対象画像及び前記基準画像の色について同一の閾値を用いて白黒に2値化し、前記基準画像の色が前記閾値以下であり、前記比較対象画像の色が前記閾値を上回る場合には、平面加工が正常に行われていないと判定することを特徴とする請求項1記載のウェハ加工異常検出装置。
  5. ウェハに対する平面加工の異常を検出するウェハ加工異常検出装置であって、
    前記ウェハの被加工面の表面粗さを非接触測定する粗さ測定器と、
    前記粗さ測定器が測定した被加工面の表面粗さが、予め設定された表面粗さの目標範囲を超えた場合には、平面加工が正常に行われていないと判定する判定手段と、
    を備えていることを特徴とするウェハ加工異常検出装置。
  6. 請求項1から5の何れか1項記載のウェハ加工異常検出装置と、
    前記ウェハを平面加工する平面加工装置と、
    前記ウェハを吸着保持するチャックを備え、前記ウェハ加工異常検出装置と前記平面加工装置との間で前記ウェハを移送するインデックステーブルと、
    を備えていることを特徴とする平面加工システム。
  7. 前記判定手段は、前記ウェハが前記チャックに吸着保持された状態で平面加工が正常に行われたか否かを判定し、
    前記平面加工装置は、異常と判定された前記ウェハを再び平面加工することを特徴とする請求項6記載の平面加工システム。
  8. ウェハに対する平面加工の異常を検出するウェハ加工異常検出方法であって、
    前記ウェハの被加工面を撮像手段で撮像する工程と、
    前記撮像手段が撮像した被加工面の画像である比較対象画像と予め記憶された正常な被加工面の画像である基準画像とを比較して、前記比較対象画像にウェハ加工状態の異常に伴う特徴的な差異が含まれているか否かの判定を介して平面加工が正常に行われたか否かを判定する工程と、
    を含むことを特徴とするウェハ加工異常検出方法。
  9. ウェハに対する平面加工の異常を検出するウェハ加工異常検出方法であって、
    前記ウェハの被加工面の表面粗さを粗さ測定器で非接触測定する工程と、
    前記粗さ測定器が測定した被加工面の表面粗さが、予め設定された表面粗さの目標範囲を外れた場合には、平面加工が正常に行われていないと判定する工程と、
    を含むことを特徴とするウェハ加工異常検出方法。
JP2019028239A 2019-02-20 2019-02-20 ウェハ加工異常検出装置と方法及び平面加工システム Pending JP2020136498A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019028239A JP2020136498A (ja) 2019-02-20 2019-02-20 ウェハ加工異常検出装置と方法及び平面加工システム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019028239A JP2020136498A (ja) 2019-02-20 2019-02-20 ウェハ加工異常検出装置と方法及び平面加工システム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2020136498A true JP2020136498A (ja) 2020-08-31

Family

ID=72263567

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019028239A Pending JP2020136498A (ja) 2019-02-20 2019-02-20 ウェハ加工異常検出装置と方法及び平面加工システム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2020136498A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220039886A (ko) * 2020-09-21 2022-03-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02222534A (ja) * 1989-02-23 1990-09-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウェーハの面粗さ測定方法
JP2004009259A (ja) * 2002-06-10 2004-01-15 Nikon Corp 残膜モニタ装置、研磨装置、半導体デバイス製造方法及び半導体デバイス
JP2008155292A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Disco Abrasive Syst Ltd 基板の加工方法および加工装置
JP2008221416A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Okamoto Machine Tool Works Ltd 研磨加工ステージにおける半導体基板の監視機器および監視方法
JP2010030007A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置及びスクラッチ検出装置
JP2015022518A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 株式会社ディスコ 加工装置及び加工システム
JP2018074054A (ja) * 2016-11-01 2018-05-10 株式会社ディスコ スクラッチ検出方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02222534A (ja) * 1989-02-23 1990-09-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウェーハの面粗さ測定方法
JP2004009259A (ja) * 2002-06-10 2004-01-15 Nikon Corp 残膜モニタ装置、研磨装置、半導体デバイス製造方法及び半導体デバイス
JP2008155292A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Disco Abrasive Syst Ltd 基板の加工方法および加工装置
JP2008221416A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Okamoto Machine Tool Works Ltd 研磨加工ステージにおける半導体基板の監視機器および監視方法
JP2010030007A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置及びスクラッチ検出装置
JP2015022518A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 株式会社ディスコ 加工装置及び加工システム
JP2018074054A (ja) * 2016-11-01 2018-05-10 株式会社ディスコ スクラッチ検出方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220039886A (ko) * 2020-09-21 2022-03-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102635383B1 (ko) 2020-09-21 2024-02-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI393199B (zh) 基板處理裝置
JP5160993B2 (ja) 基板処理装置
TWI290080B (en) Polishing apparatus and method for detecting foreign matter on polishing surface
JP6113624B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI715566B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP6937370B2 (ja) 研削装置、研削方法及びコンピュータ記憶媒体
JP2009123790A (ja) 研削装置
US20200185241A1 (en) Cutting apparatus and wafer processing method using cutting apparatus
JP3845552B2 (ja) ドリル研磨システム及び塵埃除去装置
US20150017745A1 (en) Polishing method and polishing apparatus
US20190291239A1 (en) Grinding apparatus
KR102330017B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2007255957A (ja) ウェハチャックの検査方法
JP5037974B2 (ja) 研磨加工ステージにおける半導体基板の監視機器および監視方法
JP2020136498A (ja) ウェハ加工異常検出装置と方法及び平面加工システム
JP2018207032A (ja) ウエーハの加工方法及び加工装置
JP7164058B1 (ja) 端面部測定装置および端面部測定方法
JP2005259979A (ja) 化学機械研磨装置及び化学機械研磨方法
JP2023083014A (ja) ウェーハの製造方法および研削装置
TW202132046A (zh) 加工裝置
TW202042299A (zh) 基板處理裝置及基板處理裝置中應部分研磨區域之限定方法
WO2022201650A1 (ja) 加工システム
JP2024000153A (ja) 加工装置
KR101407708B1 (ko) 연삭 장치
JP2024020815A (ja) ウェハ搬送装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211215

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20221205

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230306

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20230502