JP2020119923A - Member for conveying semiconductor substrate and manufacturing apparatus of semiconductor device having the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体基板搬送用部材及びそれを有する半導体素子製造装置に関し、さらにより具体的には、耐薬品性、クリーン性、耐久性、除電性等により優れる半導体基板搬送用部材及びそれを有する半導体素子製造装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor substrate carrying member and a semiconductor element manufacturing apparatus having the same, and more specifically, it has a semiconductor substrate carrying member having excellent chemical resistance, cleanliness, durability, charge erasing property, and the like. The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus.
半導体素子製造装置では、シリコン基板等の半導体基板の加工、運搬、貯蔵等のさいに、半導体基板搬送用部材（例えば、ウエハキャリア、ウエハチャック、アーム、ピンセット等）で半導体基板を取り扱う。１チップ上の集積度が増大するにつれて、半導体基板搬送用部材の、耐薬品性、クリーン性、耐久性、帯電防止性等が要求される。 In a semiconductor device manufacturing apparatus, a semiconductor substrate is handled by a semiconductor substrate transfer member (for example, a wafer carrier, a wafer chuck, an arm, tweezers) when processing, transporting, storing, etc. a semiconductor substrate such as a silicon substrate. As the degree of integration on one chip increases, the chemical resistance, cleanliness, durability, antistatic properties, etc. of the semiconductor substrate carrying member are required.
特許文献１は、ポリエーテルエーテルケトン樹脂７０〜９７重量％、及び導電性カーボンブラック３〜３０重量％からなる樹脂組成物を成形することによって得られ、耐摩耗性に優れる、帯電防止ウエハキャリアを開示する。
特許文献２は、非導電性樹脂で成形され、半導体ウエハを保持する面側の表面が導電性被覆に覆われているウエハキャリアを開示する。 Patent Document 2 discloses a wafer carrier formed of a non-conductive resin and having a surface for holding a semiconductor wafer covered with a conductive coating.
半導体基板搬送用部材の耐薬品性、クリーン性、耐久性、帯電防止性について、様々な検討がなされているが、必ずしも十分とは言えない。
特許文献１に記載のウエハキャリアは、３〜３０重量％の導電性カーボンブラックを含むので、耐薬品性及びクリーン性（金属溶出が少ないこと、有機炭素溶出が少ないこと）が不十分であるという課題がある。
特許文献２に記載のウエハキャリアは、導電性被覆が無電界メッキによって施されているので、耐薬品性、クリーン性（金属溶出が少ないこと）、耐久性が不十分であるという課題がある。
Various studies have been made on the chemical resistance, cleanliness, durability, and antistatic property of the semiconductor substrate carrying member, but it cannot be said to be sufficient.
Since the wafer carrier described in
Since the electroconductive coating is applied to the wafer carrier described in Patent Document 2 by electroless plating, there is a problem that chemical resistance, cleanliness (less metal elution), and durability are insufficient.
半導体素子の製造の際、より効率的に静電気を除去すること、及び不純物の混入をより防止できることが求められる。更に、半導体ウエハの種々の処理に腐食性の薬液が使用される場合もあるので、耐薬品性により優れることが求められ、より耐久性が高いことも必要である。
従って、本発明は、効率的な静電気除去効果を有し、クリーン性に優れ、耐薬品性に優れ、耐久性の良い、半導体基板搬送用部材を提供することを課題とする。
When manufacturing a semiconductor device, it is required to more effectively remove static electricity and prevent impurities from entering. Further, since a corrosive chemical solution may be used for various treatments of semiconductor wafers, it is required to have better chemical resistance and higher durability.
Therefore, an object of the present invention is to provide a member for transporting a semiconductor substrate, which has an efficient static electricity removing effect, excellent cleanliness, chemical resistance, and durability.
本発明者等は、鋭意検討を重ねた結果、特定の樹脂とカーボンナノチューブを含む樹脂組成物を用いると、新たな半導体基板搬送用部材を製造することができることを見出した。更に、そのような半導体基板搬送用部材は、より効率的な静電気除去効果を有し、クリーン性により優れ、耐薬品性により優れ、耐久性により優れることを見出して、本発明を完成させるに至った。 As a result of intensive studies, the present inventors have found that a new semiconductor substrate carrying member can be manufactured by using a resin composition containing a specific resin and carbon nanotubes. Further, such a semiconductor substrate carrying member has a more efficient static electricity removing effect, is superior in cleanability, is superior in chemical resistance, and is superior in durability, and has completed the present invention. It was
本明細書は、下記の態様を含む。
１．
半導体基板に接する、半導体基板搬送用部材であって、
搬送用部材は、少なくとも１種のフッ素樹脂及びポリオレフィン樹脂から選択される樹脂とカーボンナノチューブを含む複合樹脂組成物を含む、半導体基板搬送用部材。
２．
搬送用部材は、半導体基板を収納するキャリア、半導体基板を挟持する搬送チャック、半導体基板を支えて搬送するアームから選択される、上記１に記載の半導体基板搬送用部材。
３．
複合樹脂組成物は、複合樹脂組成物の総量に基づいて０．０１〜２．０質量％のカーボンナノチューブを含有する、上記１又は２に記載の半導体基板搬送用部材。
４．
フッ素樹脂は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、変性ポリテトラフルオロエチレン（変性ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン／パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、エチレン／クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）およびポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）からなる群から選択される、上記１〜３のいずれか１に記載の半導体基板搬送用部材。
５．
複合樹脂組成物の成形体は１．０×１０８Ω・ｃｍ以下の体積抵抗率を有する、上記１〜４のいずれか１に記載の半導体基板搬送用部材。
６．
カーボンナノチューブの平均の長さは、５０〜１０００μｍである、上記１〜５のいずれか１に記載の半導体基板搬送用部材。
７．
複合樹脂材料の成形体は、１００〜３０００ＭＰａの弾性率を有する、上記１〜６のいずれか１に記載の半導体基板搬送用部材。
８．
複合樹脂組成物の成形体は、１０〜１００ＭＰａの強度を有する、上記１〜７のいずれか１に記載の半導体基板搬送用部材。
９．
複合樹脂組成物の成形体は、２〜１０００％の伸びを有する、上記１〜８のいずれか１に記載の半導体基板搬送用部材。
１０．
複合樹脂組成物の成形体は、電荷半減期が１０秒以下である、上記１〜９のいずれか１に記載の半導体基板搬送用部材。
１１．
上記１〜１０のいずれか１に記載の半導体基板搬送用部材を有する、半導体素子製造装置。
１２．
半導体素子製造装置は、熱処理装置、不純物導入装置、薄膜形成装置、リソグラフィー装置、洗浄装置、平坦化装置から選択される、上記１１に記載の装置。
１３．
上記１〜１０のいずれか１に記載の半導体基板搬送用部材を含む、半導体基板を搬送する搬送部を有する、上記１１又は１２に記載の装置。
１４．
上記１〜１０のいずれか１に記載の半導体基板搬送用部材を用いて、半導体基板を搬送することを含む、半導体素子の製造方法。
This specification includes the following aspects.
1.
A semiconductor substrate transporting member that is in contact with a semiconductor substrate,
The transport member is a semiconductor substrate transport member containing a composite resin composition containing a carbon nanotube and a resin selected from at least one type of fluororesin and polyolefin resin.
2.
2. The semiconductor substrate transfer member according to 1 above, wherein the transfer member is selected from a carrier that houses the semiconductor substrate, a transfer chuck that holds the semiconductor substrate, and an arm that supports and transfers the semiconductor substrate.
3.
The composite substrate composition according to
4.
The fluororesin is polytetrafluoroethylene (PTFE), modified polytetrafluoroethylene (modified PTFE), tetrafluoroethylene/perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), tetrafluoroethylene/hexafluoropropylene copolymer (FEP). , Ethylene/tetrafluoroethylene copolymer (ETFE), ethylene/chlorotrifluoroethylene copolymer (ECTFE), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), polyvinylidene fluoride (PVDF) and polyvinyl fluoride (PVF) The member for carrying a semiconductor substrate according to any one of 1 to 3 above, which is selected from the group.
5.
The member for transporting a semiconductor substrate according to any one of 1 to 4 above, wherein the molded body of the composite resin composition has a volume resistivity of 1.0×10 8 Ω·cm or less.
6.
The semiconductor substrate transporting member according to any one of 1 to 5 above, wherein the average length of the carbon nanotubes is 50 to 1000 μm.
7.
7. The semiconductor substrate transporting member according to any one of 1 to 6 above, wherein the molded body of the composite resin material has an elastic modulus of 100 to 3000 MPa.
8.
The molded body of the composite resin composition is the member for transporting a semiconductor substrate according to any one of 1 to 7 above, which has a strength of 10 to 100 MPa.
9.
The molded article of the composite resin composition is the member for transporting a semiconductor substrate according to any one of 1 to 8 above, which has an elongation of 2 to 1000%.
10.
The molded article of the composite resin composition is the semiconductor substrate transporting member according to any one of 1 to 9 above, which has a charge half-life of 10 seconds or less.
11.
11. A semiconductor element manufacturing apparatus having the semiconductor substrate transporting member according to any one of 1 to 10 above.
12.
12. The semiconductor device manufacturing apparatus as described in 11 above, which is selected from a heat treatment apparatus, an impurity introduction apparatus, a thin film forming apparatus, a lithography apparatus, a cleaning apparatus, and a planarization apparatus.
13.
13. The apparatus according to 11 or 12 above, which includes a semiconductor substrate carrying member according to any one of 1 to 10 above, and has a carrying section that carries a semiconductor substrate.
14.
11. A method of manufacturing a semiconductor element, which comprises transporting a semiconductor substrate using the semiconductor substrate transporting member according to any one of 1 to 10 above.
本発明の実施形態の半導体基板搬送用部材は、より効率的な静電気除去効果を有し、クリーン性により優れ、耐薬品性により優れ、耐久性により優れる。よって、本発明の実施形態の半導体基板搬送用部材は、半導体素子を製造するために好適に使用することができる。 The semiconductor substrate transporting member of the embodiment of the present invention has a more efficient static electricity removing effect, is superior in cleanliness, is superior in chemical resistance, and is superior in durability. Therefore, the semiconductor substrate carrying member according to the embodiment of the present invention can be preferably used for manufacturing a semiconductor element.
以下、本発明の実施形態について、添付した図面を参照しながら、詳細に説明する。
本発明の実施形態の半導体基板搬送用部材は、
半導体基板に接し、
少なくとも１種のフッ素樹脂及びポリオレフィン樹脂から選択される樹脂とカーボンナノチューブを含む複合樹脂組成物を含む。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
The semiconductor substrate carrying member of the embodiment of the present invention,
Touching the semiconductor substrate,
A composite resin composition containing a carbon nanotube and a resin selected from at least one fluororesin and a polyolefin resin is included.
本明細書において、半導体基板搬送用部材とは、半導体素子を製造するために使用される半導体基板を搬送するために使用される部材であり、半導体基板に接する部材であれば、特に制限されることはない。
そのような部材は、例えば、半導体基板を収納するキャリア（ウェハキャリア）、半導体基板を挟持する搬送チャック、半導体基板を支えて搬送するアーム、半導体基板をつかむピンセットから選択することができる。
In the present specification, the semiconductor substrate carrying member is a member used for carrying a semiconductor substrate used for manufacturing a semiconductor element, and is not particularly limited as long as it is a member in contact with the semiconductor substrate. There is no such thing.
Such a member can be selected from, for example, a carrier (wafer carrier) that stores a semiconductor substrate, a transfer chuck that holds the semiconductor substrate, an arm that supports and transfers the semiconductor substrate, and tweezers that holds the semiconductor substrate.
図１は、ウェハキャリアの一例を模式的に示す。ウェハキャリア１は、対向する側面に、複数の凸部２を有する。凸部２と凸部２の間の凹部に、ウェハの両端部を挿入して、複数のウェハを相互に分離して立てかけることができる。
FIG. 1 schematically shows an example of a wafer carrier. The
図２は、ウェハキャリアの別の例を模式的に示す。ウェハキャリア１０は、複数（具体的には４本）の棒状体１４のウェハと接する側に、複数の凸部１２を有する。凸部と凸部の間の凹部に、ウェハ１６の端を挿入して、複数のウェハを相互に分離して立てかけることができる。図１のウェハキャリア１と比較すると、ウェハが、ウェハキャリアの表面と摩擦する機会を大きく低減することができる。
FIG. 2 schematically shows another example of the wafer carrier. The
図３は、半導体基板用の搬送アームの一例を模式的に示す。搬送アーム２０は、基板２６を支持するロボットハンド２１と、ロボットハンド２１と基台２５を接続する複数のアーム部（具体的には第１アーム部２２及び第２アーム部２３）を有する。ロボットハンド２１の上に、基板（ウェハ）２６を支持して、基板を移動することができる。ロボットハンド２１は、その黒色部に、複合樹脂組成物を含み、又は複合樹脂組成物の成形体を含み、優れた効果を奏する。
FIG. 3 schematically shows an example of a transfer arm for a semiconductor substrate. The
図４は、半導体基板用ピンセットの一例を示す。ピンセット３０は、基板３６の縁に沿って、基板をつかむことができる。
FIG. 4 shows an example of tweezers for a semiconductor substrate. The
半導体基板搬送用部材は、少なくとも１種のフッ素樹脂及びポリオレフィン樹脂から選択される樹脂とカーボンナノチューブを含む複合樹脂組成物を含む。半導体基板搬送用部材が半導体基板と接する箇所は、好ましくは、複合樹脂組成物で実質的にできており、複合樹脂組成物の成形品であることがより好ましい。 The semiconductor substrate carrying member includes a composite resin composition containing a carbon nanotube and a resin selected from at least one type of fluororesin and polyolefin resin. The portion where the semiconductor substrate transporting member contacts the semiconductor substrate is preferably substantially made of the composite resin composition, and more preferably a molded product of the composite resin composition.
本明細書において、カーボンナノチューブとは、通常カーボンナノチューブと理解される物質であって、本発明が目的とする半導体基板搬送用部材を得られる限り、特に制限されることはない。 In the present specification, carbon nanotubes are substances that are generally understood as carbon nanotubes, and are not particularly limited as long as the target member for transporting a semiconductor substrate of the present invention can be obtained.
そのようなカーボンナノチューブ（「ＣＮＴ」ともいう）として、例えば、単層のＣＮＴ、多層のＣＮＴ、２層のＣＮＴ等を例示できる。カーボンナノチューブとして市販品を使用することができ、例えば、大陽日酸社製のCNT-uni（商品名）シリーズを使用することができる。
ＣＮＴは、単独又は組み合わせて使用することができる。
Examples of such carbon nanotubes (also referred to as “CNT”) include single-layer CNT, multi-layer CNT, and double-layer CNT. A commercially available product can be used as the carbon nanotube, and for example, the CNT-uni (trade name) series manufactured by Taiyo Nippon Sanso Co., Ltd. can be used.
The CNTs can be used alone or in combination.
本発明の実施形態の半導体基板搬送用部材において、カーボンナノチューブは、例えば、５０〜１０００μｍの平均長さを有し、５０〜８００μｍの平均長さを有することが好ましく、７０〜６５０μｍの平均長さを有することがより好ましく、１００〜５００μｍの平均長さを有することが更により好ましく、１５０〜４００μｍの平均長さを有することが特に好ましい。
ＣＮＴは、５０μｍ以上の平均長さを有する場合、導電パスが繋がりやすいので、導電性がより向上し、好ましい。
In the semiconductor substrate carrying member according to the embodiment of the present invention, the carbon nanotubes have, for example, an average length of 50 to 1000 μm, preferably an average length of 50 to 800 μm, and an average length of 70 to 650 μm. Is more preferable, it is more preferable that the average length is 100 to 500 μm, and it is particularly preferable that the average length is 150 to 400 μm.
When the CNT has an average length of 50 μm or more, the conductive paths are easily connected to each other, and thus the conductivity is further improved, which is preferable.
本明細書において、ＣＮＴの平均長さ（又は平均繊維長）とは、実施例で詳細に記載するように、ＳＥＭで撮影した画像から得られる平均長さをいう。即ち、成形体の一部を、３００℃〜６００℃に加熱して、灰化し、残渣物（ＳＥＭ撮影用サンプル）を得る。その残渣物のＳＥＭ画像を撮影する。そのＳＥＭ画像に含まれる各カーボンナノチューブの長さを画像処理によって求める。その画像処理によって得た長さの平均値を計算によって求め、その平均値をＣＮＴの平均長さという。 In the present specification, the average length of CNT (or average fiber length) refers to the average length obtained from images taken by SEM, as described in detail in Examples. That is, a part of the molded body is heated to 300° C. to 600° C. and ashed to obtain a residue (sample for SEM photography). Take a SEM image of the residue. The length of each carbon nanotube included in the SEM image is obtained by image processing. The average value of the lengths obtained by the image processing is calculated, and the average value is referred to as the average length of CNT.
本発明の実施形態において、複合樹脂組成物は、複合樹脂組成物の総量に基づいて、カーボンナノチューブを、０．０１〜２．０重量％含み、０．０４〜１．５重量％含むことが好ましく、０．０５〜１．０重量％含むことがより好ましく、０．０５〜０．５重量％含むことが特に好ましい。
複合樹脂組成物が、カーボンナノチューブを、０．０１〜２．０重量％含む場合、導電パスを形成するために好ましい。複合樹脂組成物が、カーボンナノチューブを、０．０５〜１．０重量％含む場合、導電パスを形成するためにより十分な量なので、導電性がより向上し、より好ましい。
In an embodiment of the present invention, the composite resin composition may include 0.01 to 2.0 wt% and 0.04 to 1.5 wt% of carbon nanotubes based on the total amount of the composite resin composition. The content is preferably 0.05 to 1.0% by weight, more preferably 0.05 to 0.5% by weight.
When the composite resin composition contains 0.01 to 2.0 wt% of carbon nanotubes, it is preferable for forming a conductive path. When the composite resin composition contains the carbon nanotubes in an amount of 0.05 to 1.0% by weight, the amount is more sufficient to form a conductive path, and thus the conductivity is further improved, which is more preferable.
本発明の実施形態において、複合樹脂組成物は、少なくとも１種のフッ素樹脂及びポリオレフィン樹脂から選択される樹脂を含む。 In the embodiment of the present invention, the composite resin composition includes at least one resin selected from a fluororesin and a polyolefin resin.
本明細書において、フッ素樹脂とは、一般的にフッ素樹脂として理解され、本発明が目的とする半導体基板搬送用部材が得られる限り、特に制限されることはない。 In the present specification, the fluororesin is generally understood as a fluororesin, and is not particularly limited as long as the semiconductor substrate carrying member intended by the present invention can be obtained.
そのようなフッ素樹脂として、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、変性ポリテトラフルオロエチレン（変性ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン／パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、エチレン／クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）およびポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）から選択される少なくとも１種を例示することができる。 Examples of such fluororesin include polytetrafluoroethylene (PTFE), modified polytetrafluoroethylene (modified PTFE), tetrafluoroethylene/perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), tetrafluoroethylene/hexafluoropropylene copolymer. Polymer (FEP), ethylene/tetrafluoroethylene copolymer (ETFE), ethylene/chlorotrifluoroethylene copolymer (ECTFE), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), polyvinylidene fluoride (PVDF) and polyvinyl fluoride. At least one selected from (PVF) can be exemplified.
フッ素樹脂として、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、変性ポリテトラフルオロエチレン（変性ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン／パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）及びポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）が好ましく、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、変性ポリテトラフルオロエチレン（変性ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン／パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）がより好ましい。 As the fluororesin, polytetrafluoroethylene (PTFE), modified polytetrafluoroethylene (modified PTFE), tetrafluoroethylene/perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), tetrafluoroethylene/hexafluoropropylene copolymer (FEP) , Ethylene/tetrafluoroethylene copolymer (ETFE), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) and polyvinylidene fluoride (PVDF) are preferable, and polytetrafluoroethylene (PTFE), modified polytetrafluoroethylene (modified PTFE), tetra Fluoroethylene/perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA) and polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) are more preferable.
本明細書において、ポリオレフィン樹脂とは、一般的にポリオレフィン樹脂として理解され、本発明が目的とする半導体基板搬送用部材が得られる限り、特に制限されることはない。 In the present specification, the polyolefin resin is generally understood as a polyolefin resin, and is not particularly limited as long as the semiconductor substrate carrying member intended by the present invention can be obtained.
そのようなポリオレフィン樹脂として、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンから選択される少なくとも１種を例示することができる。 As such a polyolefin resin, for example, at least one selected from polyethylene and polypropylene can be exemplified.
本発明は、複合樹脂組成物の成形体を含む半導体基板搬送用部材を提供することができる。
成形体は、本発明が目的とする半導体基板搬送用部材を得ることができる限り特に制限されることはない。半導体基板搬送用部材に対応する形状及び寸法を適宜選択することができる。
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can provide a semiconductor substrate carrying member including a molded product of a composite resin composition.
The molded product is not particularly limited as long as the semiconductor substrate carrying member intended by the present invention can be obtained. The shape and size corresponding to the semiconductor substrate carrying member can be appropriately selected.
本発明の実施形態の複合樹脂組成物の成形体は、体積抵抗率が、１×１０−１ 〜１×１０８Ω・ｃｍであることが好ましく、１×１００〜１×１０７Ωｃｍであることが好ましく、１×１０１〜１×１０６Ωｃｍであることがより好ましく、１×１０１〜１×１０５Ωｃｍであることが特に好ましい。
成形体の体積抵抗率が、１×１０−１ 〜１×１０８Ω・ｃｍである場合、成形体自体の帯電を防止しつつ、アースを取ることで除電効果を発揮できるという有利な効果を奏する。成形体の体積抵抗率は、ＪＩＳ Ｋ６９１１に従い測定することができる。
The molded product of the composite resin composition of the embodiment of the present invention preferably has a volume resistivity of 1×10 −1 to 1×10 8 Ω·cm, and 1×10 0 to 1×10 7 Ωcm. Is more preferable, 1×10 1 to 1×10 6 Ωcm is more preferable, and 1×10 1 to 1×10 5 Ωcm is particularly preferable.
When the volume resistivity of the molded body is 1×10 −1 to 1×10 8 Ω·cm, an advantageous effect that the static elimination effect can be exhibited by grounding while preventing the electrostatic charge of the molded body itself Play. The volume resistivity of the molded product can be measured according to JIS K6911.
本発明の実施形態の複合樹脂組成物の成形体は、弾性率が、例えば、１００〜３０００ＭＰａで有ってよく、２５０〜２１００ＭＰａあることが好ましく、２５０〜１８００ＭＰａあることがより好ましく、３００〜１２００ＭＰａあることが特に好ましい。
成形体の弾性率が、１００〜３０００ＭＰａである場合、成形体の成型加工がより容易である。成形体の弾性率は、実施例で例示するようにＪＩＳ Ｋ７１３７-２-Ａに従い測定することができる。
The molded product of the composite resin composition of the embodiment of the present invention may have an elastic modulus of, for example, 100 to 3000 MPa, preferably 250 to 2100 MPa, more preferably 250 to 1800 MPa, and more preferably 300 to 1200 MPa. It is particularly preferable that
When the elastic modulus of the molded body is 100 to 3000 MPa, the molding process of the molded body is easier. The elastic modulus of the molded body can be measured according to JIS K7137-2-A as exemplified in the examples.
本発明の実施形態の複合樹脂組成物の成形体は、強度が、例えば、１０〜１００ＭＰａであってよく、１５〜６０ＭＰａあることが好ましく、２０〜５０ＭＰａあることがより好ましく、２０〜４０ＭＰａあることが特に好ましい。
成形体の強度が、１０〜１００ＭＰａである場合、成形体の成型加工がより容易である。成形体の強度は、実施例で例示するようにＪＩＳ Ｋ７１３７-２-Ａに従い測定することができる。
The strength of the molded product of the composite resin composition of the embodiment of the present invention may be, for example, 10 to 100 MPa, preferably 15 to 60 MPa, more preferably 20 to 50 MPa, and further preferably 20 to 40 MPa. Is particularly preferable.
When the strength of the molded body is 10 to 100 MPa, the molding process of the molded body is easier. The strength of the molded product can be measured according to JIS K7137-2-A as exemplified in the examples.
本発明の実施形態の複合樹脂組成物の成形体は、伸びが、例えば、２〜１０００％であってよく、５〜６５０％あることが好ましく、５〜６００％あることがより好ましく、１０〜５００％あることが特に好ましい。
成形体の伸びが、２〜１０００％である場合、成形体の成型加工がより容易である。成形体の伸びは、実施例で例示するようにＪＩＳ Ｋ７１３７-２-Ａに従い測定することができる。
The molded product of the composite resin composition of the embodiment of the present invention may have an elongation of, for example, 2 to 1000%, preferably 5 to 650%, more preferably 5 to 600%, and 10 to 10%. It is particularly preferably 500%.
When the elongation of the molded body is 2 to 1000%, the molding process of the molded body is easier. The elongation of the molded product can be measured according to JIS K7137-2-A as exemplified in the examples.
本発明の実施形態の複合樹脂組成物の成形体は、電荷半減期が、例えば、１０秒以下であってよく、５秒以下であることが好ましく、２秒以下であることがより好ましく、１秒以下であることが特に好ましい。
成形体の電荷半減期が１０秒以下である場合、速やかに除電され、速やかな帯電防止効果が得られる。電荷半減期は、実施例で示すように、ＪＩＳ Ｌ１０９４−１９８０に準拠して、測定することができる。
The molded product of the composite resin composition of the embodiment of the present invention has a charge half-life of, for example, 10 seconds or less, preferably 5 seconds or less, more preferably 2 seconds or less, 1 Particularly preferably, it is not more than seconds.
When the charge half-life of the molded product is 10 seconds or less, the charge is rapidly eliminated and a rapid antistatic effect is obtained. The charge half-life can be measured according to JIS L1094-1980, as shown in the examples.
本発明の実施形態の半導体基板搬送用部材の製造方法は、目的とする半導体基板搬送用部材を製造することができる限り、特に制限されることはない。製造条件も適宜選択することができる。半導体基板搬送用部材の製造方法として、例えば、複合樹脂組成物を成形することを含む製造方法を例示することができる。複合樹脂組成物の成形方法として、例えば、ラム押出、圧縮成形、自動圧縮成形、アイソスタティック成形、押出成形、射出成形、トランスファー成形から選択される。 The method for manufacturing the semiconductor substrate carrying member according to the embodiment of the present invention is not particularly limited as long as the intended semiconductor substrate carrying member can be manufactured. Manufacturing conditions can also be appropriately selected. As a method for manufacturing the semiconductor substrate carrying member, for example, a manufacturing method including molding a composite resin composition can be exemplified. The method for molding the composite resin composition is selected from, for example, ram extrusion, compression molding, automatic compression molding, isostatic molding, extrusion molding, injection molding and transfer molding.
更に、本発明は、本発明の実施形態の半導体基板搬送用部材を有する、半導体素子製造装置を提供することができる。
半導体素子製造装置は、本発明の実施形態の半導体基板搬送用部材を使用できる限り、特に制限されることはないが、例えば、熱処理装置、不純物導入装置、薄膜形成装置、リソグラフィー装置、洗浄装置、平坦化装置から選択されることができる。
Further, the present invention can provide a semiconductor element manufacturing apparatus having the semiconductor substrate carrying member according to the embodiment of the present invention.
The semiconductor element manufacturing apparatus is not particularly limited as long as the semiconductor substrate transporting member of the embodiment of the present invention can be used. For example, a heat treatment apparatus, an impurity introducing apparatus, a thin film forming apparatus, a lithography apparatus, a cleaning apparatus, It can be selected from a planarizer.
また、本発明は、本発明の実施形態の半導体基板搬送用部材を含む、半導体基板を搬送する搬送部を有する、半導体素子製造装置を提供することができる。
本発明は、本発明の実施形態の半導体基板搬送用部材を用いて、半導体基板を搬送することを含む、半導体素子の製造方法を提供することができる。
Further, the present invention can provide a semiconductor element manufacturing apparatus including a semiconductor substrate transfer member according to an embodiment of the present invention and having a transfer section that transfers a semiconductor substrate.
The present invention can provide a method for manufacturing a semiconductor element, which includes transporting a semiconductor substrate using the semiconductor substrate transporting member of the embodiment of the present invention.
以下、本発明を実施例及び比較例により具体的かつ詳細に説明するが、これらの実施例は本発明の一態様にすぎず、本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではない。
尚、実施例の記載において、特に記載がない限り、溶媒を考慮しない部分を、重量部及び重量％の基準としている。
Hereinafter, the present invention will be described specifically and in detail with reference to Examples and Comparative Examples, but these Examples are merely one aspect of the present invention, and the present invention is not limited to these Examples.
In the description of the examples, unless otherwise specified, the parts that do not take the solvent into consideration are based on parts by weight and% by weight.
本実施例で使用した成分を以下に示す。
（Ａ）フッ素樹脂
（Ａ１）ポリクロロトリフルオロエチレン（平均粒子径：１０μｍ）（ダイキン工業株式会社製ネオフロン PCTFE（商品名））
（Ａ２）変性ポリテトラフルオロエチレン（ダイキン工業株式会社製ポリフロン PTFE M-112（商品名））
（Ａ３）ポリテトラフルオロエチレン（ダイキン工業株式会社製ポリフロン PTFE M-12（商品名））
The components used in this example are shown below.
(A) Fluorine resin (A1) Polychlorotrifluoroethylene (average particle diameter: 10 μm) (Neotron PCTFE (trade name) manufactured by Daikin Industries, Ltd.)
(A2) Modified polytetrafluoroethylene (Polyflon PTFE M-112 (trade name) manufactured by Daikin Industries, Ltd.)
(A3) Polytetrafluoroethylene (Polyflon PTFE M-12 (trade name) manufactured by Daikin Industries, Ltd.)
（Ｂ）カーボンナノチューブ
（Ｂ１）カーボンナノチューブ（平均繊維長＝約１５０μｍ、大陽日酸社製のCNT-uni（商品名））
（Ｂ２）カーボンナノチューブ（平均繊維長＝約６００μｍ、大陽日酸社製のCNT-uni（商品名））
（Ｂ’３）カーボンブラック（ダイキン工業株式会社製 ＭＧ-2030Ｆ（商品名））
（Ｃ１）導電性コーティング（プライマー：ダイキン工業株式会社製 ED-1939D21R（商品名）、トップコート：ダイキン工業株式会社製 ED-3239S1R（商品名））
(B) Carbon nanotube (B1) Carbon nanotube (average fiber length=about 150 μm, CNT-uni (trade name) manufactured by Taiyo Nippon Sanso Co., Ltd.)
(B2) Carbon nanotubes (average fiber length=about 600 μm, CNT-uni (trade name) manufactured by Taiyo Nippon Sanso Co., Ltd.)
(B'3) carbon black (manufactured by Daikin Industries, Ltd. MG-2030F (trade name))
(C1) Conductive coating (primer: ED-1939D21R (trade name) manufactured by Daikin Industries, Ltd., top coat: ED-3239S1R (trade name) manufactured by Daikin Industries, Ltd.)
＜実施例１＞
水を溶媒とする（Ｂ１）カーボンナノチューブ分散液（分散剤＝０．１５質量％、（Ｂ１）カーボンナノチューブ＝０．０５質量％）５００ｇにエタノールを３，５００ｇ加えて希釈した。更に、上述の（Ａ１）ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）粒子１０００ｇを添加して混合スラリーを作製した。
混合スラリーを耐圧容器に供給し、耐圧容器内の混合スラリーに含まれる分散剤１ｍｇに対して０．０３ｇ／分の供給速度で液化二酸化炭素を供給し、耐圧容器内の圧力が２０ＭＰａ、温度が５０℃になるまで、昇圧及び昇温した。上記圧力および温度を３時間保持しながら、二酸化炭素中に溶け込んだ溶媒（水、エタノール）および分散剤と共に、二酸化炭素を耐圧容器から排出した。
耐圧容器内の圧力及び温度を、大気圧及び常温に各々下げて、耐圧容器内の二酸化炭素を除去して、（Ｂ１）カーボンナノチューブを０．０５質量％含む（Ａ１）ＰＣＴＦＥ組成物を得た。
<Example 1>
3,500 g of ethanol was added to 500 g of (B1) carbon nanotube dispersion liquid (dispersant=0.15% by mass, (B1) carbon nanotubes=0.05% by mass) using water as a solvent to dilute. Further, 1000 g of the above-mentioned (A1) polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) particles was added to prepare a mixed slurry.
The mixed slurry is supplied to a pressure container, and liquefied carbon dioxide is supplied at a supply rate of 0.03 g/min to 1 mg of the dispersant contained in the mixed slurry in the pressure container. The pressure was increased and the temperature was increased to 50°C. While maintaining the above pressure and temperature for 3 hours, carbon dioxide was discharged from the pressure resistant container together with the solvent (water, ethanol) dissolved in carbon dioxide and the dispersant.
The pressure and temperature in the pressure vessel were lowered to atmospheric pressure and room temperature to remove carbon dioxide in the pressure vessel to obtain (A1) PCTFE composition containing (B1) carbon nanotubes in an amount of 0.05% by mass. ..
（Ａ１）ＰＣＴＦＥ組成物を、金型に入れ、必要に応じて適切な前処理（予備乾燥等）を行った。その後、２００℃以上の温度で２時間以上、ＰＣＴＦＥ組成物を加熱後、５MＰａ以上の圧力で、ＰＣＴＦＥ組成物を圧縮しながら、常温まで冷却して実施例１のＰＣＴＦＥ成形体（板状）を得た。
実施例１のＰＣＴＦＥ成形体を切削加工して、実施例１のウエハキャリアを製造した。
The (A1) PCTFE composition was placed in a mold and subjected to appropriate pretreatment (preliminary drying, etc.) as necessary. Then, after heating the PCTFE composition at a temperature of 200° C. or higher for 2 hours or more, the PCTFE composition is compressed at a pressure of 5 MPa or more while being cooled to room temperature to obtain the PCTFE molded article (plate-like) of Example 1. Obtained.
The PCTFE molded body of Example 1 was cut to manufacture a wafer carrier of Example 1.
＜実施例２＞
（Ｂ１）カーボンナノチューブを０．１重量％含むように変更した以外は、実施例１に記載の方法と同様の方法を用いて、実施例２の組成物、成形体及びウエハキャリアを製造した。
<Example 2>
The composition, the molded body and the wafer carrier of Example 2 were produced by the same method as that described in Example 1 except that the carbon nanotube (B1) was changed to 0.1% by weight.
＜実施例３＞
（Ｂ１）カーボンナノチューブを０．０２５重量％含むように変更した以外は、実施例１に記載の方法と同様の方法を用いて、実施例３の組成物、成形体及びウエハキャリアを製造した。
<Example 3>
The composition, the molded body and the wafer carrier of Example 3 were produced by the same method as that described in Example 1 except that the carbon nanotube (B1) was changed to 0.025% by weight.
＜実施例４＞
（Ａ１）ポリクロロトリフルオロエチレンの代わりに（Ａ２）変性ポリテトラフルオロエチレン用いた以外は、実施例１に記載の方法と同様の方法を用いて、実施例４の（Ａ２）変性ＰＴＦＥ組成物を製造した。
<Example 4>
(A2) Modified PTFE composition of Example 4 was prepared in the same manner as in Example 1 except that (A2) modified polytetrafluoroethylene was used instead of (A1) polychlorotrifluoroethylene. Was manufactured.
（Ａ２）変性ＰＴＦＥ組成物を、必要に応じて前処理（予備乾燥等）後、変性ＰＴＦＥ組成物を金型に一定量、均一に充填した。変性ＰＴＦＥ組成物を１５ＭＰａで加圧し、一定時間保持することで、変性ＰＴＦＥ組成物を圧縮して、変性ＰＴＦＥ予備成形体を得た。変性ＰＴＦＥ予備成形体を金型から取り出して、３４５℃以上に設定した熱風循環式電気炉で２時間以上焼成し、徐冷後電気炉から取り出し、実施例４の板状成形体を得た。
実施例４の変性ＰＴＦＥ成形体（板状）を切削加工して、実施例４のウエハキャリアを製造した。
The modified PTFE composition (A2) was subjected to pretreatment (preliminary drying, etc.) as needed, and then the modified PTFE composition was uniformly filled in a fixed amount in a mold. The modified PTFE composition was compressed by pressurizing the modified PTFE composition at 15 MPa and holding it for a certain period of time to obtain a modified PTFE preform. The modified PTFE preform was taken out of the mold, fired in a hot-air circulation type electric furnace set at 345° C. or higher for 2 hours or more, slowly cooled, and then taken out of the electric furnace to obtain a plate-shaped body of Example 4.
The modified PTFE molded product (plate-like) of Example 4 was cut to manufacture the wafer carrier of Example 4.
＜実施例５＞
（Ａ２）変性ポリテトラフルオロエチレンの代わりに（Ａ３）ポリテトラフルオロエチレン用いた以外は、実施例４に記載の方法と同様の方法を用いて、実施例５の組成物、成形体及びウエハキャリアを製造した。
<Example 5>
The composition, the molded product and the wafer carrier of Example 5 were prepared in the same manner as in Example 4 except that (A3) polytetrafluoroethylene was used instead of (A2) modified polytetrafluoroethylene. Was manufactured.
＜実施例６＞
（Ｂ２）カーボンナノチューブを０．１重量％含むように変更した以外は、実施例１に記載の方法と同様の方法を用いて、実施例６の組成物、成形体及びウエハキャリアを製造した。
<Example 6>
The composition, the molded body and the wafer carrier of Example 6 were manufactured by the same method as that described in Example 1 except that the carbon nanotube (B2) was changed to 0.1% by weight.
＜比較例１＞
（Ａ３）ポリテトラフルオロエチレンに（Ｂ’３）カーボンブラックを１５質量％混合した樹脂組成物を、使用した以外は、実施例４に記載の方法と同様の方法を用いて、比較例１の組成物、成形体及びウエハキャリアを製造した。
<Comparative Example 1>
(A3) A resin composition obtained by mixing 15% by mass of (B′3) carbon black in polytetrafluoroethylene was used in the same manner as in Example 4 except that a resin composition was used. A composition, a molded body and a wafer carrier were manufactured.
＜比較例２＞
石英ガラス基材に（Ｃ１）導電性コーティング剤（プライマー）を２０μｍの厚みでスプレー塗装し、１００℃で３０分間乾燥させた。その後、（Ｃ１）導電性コーティング剤（トップコート）を３０μｍの厚みでスプレー塗装し、１００℃で３０分間乾燥し、３８０℃で３０分間焼成することで、比較例２のウエハキャリアを製造した。
<Comparative example 2>
A quartz glass substrate was spray-coated with a conductive coating agent (C1) (primer) with a thickness of 20 μm and dried at 100° C. for 30 minutes. Then, (C1) a conductive coating agent (top coat) was spray-coated to a thickness of 30 μm, dried at 100° C. for 30 minutes, and baked at 380° C. for 30 minutes to manufacture a wafer carrier of Comparative Example 2.
＜体積抵抗率＞
各々の実施例および比較例の成形体の体積抵抗率は、ＪＩＳ Ｋ６９１１に従い測定した。各々の成形体を切削加工して得た試験片（寸法は、φ１００×２ｍｍｔ）の体積抵抗率を、抵抗率計（例えば三菱化学アナリテック製「ロレスタ」または「ハイレスタ」）を使用して測定した。
<Volume resistivity>
The volume resistivity of the molded body of each of Examples and Comparative Examples was measured according to JIS K6911. The volume resistivity of a test piece (dimensions: φ100 x 2 mmt) obtained by cutting each molded body is measured using a resistivity meter (for example, "Loresta" or "Hiresta" manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech). did.
＜電荷半減期＞
電荷半減期は、ＪＩＳ Ｌ１０９４−１９８０に準拠し測定した。
各々の成形体を切削加工して得た試験片（寸法は、４０ｍｍ×４０ｍｍ×１０ｍｍｔ）の電荷半減期を測定した。
接地された金属板の上に試験片を乗せた。１ｋＶで試験片に連続に電圧を印加した。電圧を加えても試験片の電位が実質的に変わらず、平衡になる、試験片の表面電位を観察した。その後電圧の印加を停止して、試験片の表面電位の半減期を測定した。
<Charge half-life>
The charge half-life was measured according to JIS L1094-1980.
The charge half-life of a test piece (having a size of 40 mm×40 mm×10 mmt) obtained by cutting each molded body was measured.
The test piece was placed on a grounded metal plate. A voltage was continuously applied to the test piece at 1 kV. The surface potential of the test piece was observed such that the potential of the test piece did not substantially change even when a voltage was applied and the test piece was in equilibrium. After that, the voltage application was stopped and the half-life of the surface potential of the test piece was measured.
＜引張試験＞
成形体の引張試験（機械的強度：引張弾性率、引張強度、引張伸び（破断点））は、成形体から切削加工によりＪＩＳ Ｋ７１３７−２−Ａに従うダンベル試験片を作製して、測定試料とした。
成形体の引張弾性率、引張強度および引張伸び（破断点）の測定は、上記測定試料（ダンベル試験片）を用いて、ＪＩＳ Ｋ７１３７−２−Ａに従い、５ｋＮ荷重、１ｍｍ／ｍｉｎの速度にて、引張試験機（株式会社エー・アンド・デイ製「テンシロン万能材料試験機」）を用いて行った。
<Tensile test>
For the tensile test (mechanical strength: tensile elastic modulus, tensile strength, tensile elongation (break point)) of the molded body, a dumbbell test piece according to JIS K7137-2-A was produced from the molded body by cutting and used as a measurement sample. did.
The tensile modulus of elasticity, tensile strength and tensile elongation (break point) of the molded article were measured using the above measurement sample (dumbbell test piece) in accordance with JIS K7137-2-A at a load of 5 kN and a speed of 1 mm/min. , Tensile tester ("Tensilon universal material tester" manufactured by A&D Co., Ltd.).
＜耐久性＞
実施例１〜６と比較例１の成形体に、溝ピッチが１０ｍｍとなるように、切削加工によって溝を形成した。比較例２では、石英ガラス基材に、溝ピッチが１０ｍｍとなるように、コーティングを施した。
上記の加工品の耐久性はSPM（硫酸加水）への浸漬試験を行って調べた。ガラスビーカー中で９８％硫酸と３０％過酸化水素水を２：１の重量比で混合して硫酸加水を調製した。調整した硫酸加水の温度が最高温度に達したところに試験片を入れ、７日間浸漬させた。7日間浸漬した試験片を取出し、乾燥させ、目視による観察を行った。評価基準を、以下に示した。
○：変化なし。
×：表面欠け、塗膜剥がれ、フクレ、クラックなどが観察される。
<Durability>
Grooves were formed in the molded bodies of Examples 1 to 6 and Comparative Example 1 by cutting so that the groove pitch was 10 mm. In Comparative Example 2, the quartz glass substrate was coated so that the groove pitch was 10 mm.
The durability of the above-mentioned processed products was examined by conducting an immersion test in SPM (hydrogenated sulfuric acid). Sulfuric acid was prepared by mixing 98% sulfuric acid and 30% hydrogen peroxide in a glass beaker at a weight ratio of 2:1. The test piece was put in the place where the adjusted temperature of sulfuric acid addition reached the maximum temperature, and it was immersed for 7 days. The test piece immersed for 7 days was taken out, dried, and visually observed. The evaluation criteria are shown below.
◯: No change.
X: Surface chipping, peeling of coating film, blistering, cracks, etc. are observed.
＜汚染防止性＞
成形体からの金属溶出量の測定
成形体からの金属汚染の程度を、ＩＣＰ質量分析装置（パーキンエルマー製「ＥＬＡＮ ＤＲＣＩＩ」）を用いて、成形体からの金属系１７元素（Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｄ及びＰｂ）の金属溶出量を測定することで、評価した。
各々の成形体から、１０ｍｍ×２０ｍｍ×５０ｍｍの試験片を切削取得した。試験片を、３．６％塩酸（関東化学製ＥＬ-ＵＭグレード）０．５Ｌに１時間程度浸漬後、超純水（比抵抗値：≧１８.０ＭΩ・ｃｍ）で掛け流し洗浄を行った。更に、３．６％塩酸０．１Ｌに、試験片全体を浸漬して、室温環境で２４時間及び１６８時間保存した。規定時間経過後に浸漬液を全量回収し（浸漬した塩酸を全量集めて）、浸漬液の金属不純物濃度を分析した。試験片を３つ準備して、その最大値を検出量とした。
評価基準は下記の通りである。
◎：全ての金属の検出量が、５ｐｐｂ未満である。
○：Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｋ及びＮａの検出量が、５ｐｐｂ未満である。
△：Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ及びＺｎの検出量が、５ｐｐｂ未満である。
×：Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ及びＺｎのいずれか１種の検出量が、５ｐｐｂ以上である。
結果は、表１に示した。
<Prevention of pollution>
Measurement of Elution Amount of Metals from Molded Body The degree of metal contamination from the molded body was measured by using an ICP mass spectrometer (“ELAN DRCII” manufactured by Perkin Elmer), and 17 metal elements (Li, Na, Mg) from the molded body were used. , Al, K, Ca, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ag, Cd and Pb) were measured by measuring the metal elution amount.
A test piece of 10 mm×20 mm×50 mm was cut and obtained from each molded body. The test piece was immersed in 0.5 L of 3.6% hydrochloric acid (EL-UM grade manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) for about 1 hour, and then washed by pouring it over with ultrapure water (specific resistance: ≧18.0 MΩ·cm). .. Further, the entire test piece was immersed in 0.1 L of 3.6% hydrochloric acid and stored in a room temperature environment for 24 hours and 168 hours. After the elapse of the specified time, the immersion liquid was collected in its entirety (all the immersed hydrochloric acid was collected) and the concentration of metal impurities in the immersion liquid was analyzed. Three test pieces were prepared and the maximum value was used as the detection amount.
The evaluation criteria are as follows.
A: The detected amount of all metals is less than 5 ppb.
Good: The detected amount of Al, Cr, Cu, Fe, Ni, Zn, Ca, K and Na is less than 5 ppb.
Δ: The detected amount of Al, Cr, Cu, Fe, Ni and Zn is less than 5 ppb.
X: The detected amount of any one of Al, Cr, Cu, Fe, Ni, and Zn is 5 ppb or more.
The results are shown in Table 1.
実施例１〜６のウェハキャリアは、体積抵抗率がいずれも１０５Ωcm以下であり、電荷半減期は、いずれも１秒未満であり、効率的な静電気除去効果を有する。更に、金属溶出、耐久性、弾性率などに優れるので、クリーン性により優れ、耐薬品性により優れ、耐久性により優れる。 The wafer carriers of Examples 1 to 6 all have a volume resistivity of 10 5 Ωcm or less, a charge half-life of less than 1 second, and an efficient static electricity removing effect. Furthermore, since it is excellent in metal elution, durability, elastic modulus, etc., it is superior in cleanliness, chemical resistance, and durability.
これに対し、比較例１のウェハキャリアは、金属溶出に劣る。比較例２のウェハキャリアは、電荷半減期が１４秒と長く、静電気除去効果に劣り、耐久性に劣る。 On the other hand, the wafer carrier of Comparative Example 1 is inferior in metal elution. The wafer carrier of Comparative Example 2 has a long charge half-life of 14 seconds, is inferior in static electricity removing effect, and is inferior in durability.
本発明の実施形態の半導体基板搬送用部材は、より効率的な静電気除去効果を有し、クリーン性により優れ、耐薬品性により優れ、耐久性により優れる。よって、本発明の実施形態の半導体基板搬送用部材は、半導体素子を製造するために好適に使用することができる。 The semiconductor substrate transporting member of the embodiment of the present invention has a more efficient static electricity removing effect, is superior in cleanliness, is superior in chemical resistance, and is superior in durability. Therefore, the semiconductor substrate carrying member according to the embodiment of the present invention can be preferably used for manufacturing a semiconductor element.
１ ウェハキャリア
２ 凸部
１０ ウェハキャリア
１２ 凸部
１４ 棒状体
１６ ウェハ
２０ 搬送アーム
２１ ロボットハンド
２２ 第１アーム部
２３ 第２アーム部
２５ 基板（ウェハ）
３０ ピンセット
３６ 基板
1 Wafer Carrier 2
30
Claims (14)
搬送用部材は、少なくとも１種のフッ素樹脂及びポリオレフィン樹脂から選択される樹脂とカーボンナノチューブを含む複合樹脂組成物を含む、半導体基板搬送用部材。 A semiconductor substrate transporting member that is in contact with a semiconductor substrate,
The transport member is a semiconductor substrate transport member containing a composite resin composition containing a carbon nanotube and a resin selected from at least one type of fluororesin and polyolefin resin.
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