JP2020113939A - 弾性波装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】圧電体層の破損及び剥離を効果的に抑制することができる、弾性波装置を提供する。【解決手段】弾性波装置１は、中央領域Ａと、中央領域Ａの周囲に位置する周囲領域Ｂとを有する支持基板２と、支持基板２上における中央領域Ａに直接的または間接的に設けられており、側面５ｃを有する酸化ケイ素膜５と、酸化ケイ素膜５上に設けられており、対向し合う第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂを有する圧電体層６と、圧電体層６の第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂのうち少なくとも一方に設けられている励振電極と、酸化ケイ素膜５の側面５ｃの全面を覆うように設けられた被覆膜１４と、支持基板２上における周囲領域Ｂに設けられており、酸化ケイ素膜５の側面５ｃを、被覆膜１４の上から覆うように設けられている樹脂層１５と、励振電極に電気的に接続されており、圧電体層６上から樹脂層１５上に至っている配線電極１３とを備える。【選択図】図２
Description
本発明は、弾性波装置に関する。
従来、弾性波装置は携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、弾性波装置の一例が開示されている。この弾性波装置においては、支持基板上の一部の領域に、高音速膜、低音速膜及び圧電膜がこの順序で積層された積層体が設けられている。低音速膜は酸化ケイ素からなる。圧電膜上にはＩＤＴ電極（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）が設けられている。支持基板上における上記積層体の周囲には、樹脂からなる絶縁層が設けられている。絶縁層は低音速膜の側面に至っている。絶縁層上には、ＩＤＴ電極に電気的に接続されている電極パッドが設けられている。特許文献１には、圧電膜上に位置しない電極パッド上に金属バンプを設けることにより、金属バンプを設ける際の応力が圧電膜に加わり難い旨記載されている。
しかしながら、特許文献１に記載された弾性波装置においては、空気中の水分や、樹脂からなる絶縁層中の水分が、酸化ケイ素からなる低音速膜に侵入するおそれがある。低音速膜が水分を含んだ状態において、弾性波装置を実装し、または樹脂モールドした場合などには、熱により低音速膜から水分が失われることとなる。このとき、低音速膜から圧電膜に応力が加わり、圧電膜に割れや欠けが生じる場合や、圧電膜の剥離が生じる場合がある。
本発明の目的は、圧電体層の破損及び剥離を効果的に抑制することができる、弾性波装置を提供することにある。
本発明に係る弾性波装置は、平面視において、中央領域と、前記中央領域の周囲に位置する周囲領域と、を有する支持基板と、前記支持基板上における前記中央領域に直接的または間接的に設けられており、側面を有する酸化ケイ素膜と、前記酸化ケイ素膜上に設けられており、対向し合う第１の主面及び第２の主面を有する圧電体層と、前記圧電体層の前記第１の主面及び前記第２の主面のうち少なくとも一方に設けられている励振電極と、前記酸化ケイ素膜の前記側面の全面を覆うように設けられた被覆膜と、前記支持基板上における前記周囲領域に設けられており、前記酸化ケイ素膜の前記側面を、前記被覆膜の上から覆うように設けられている樹脂層と、前記励振電極に電気的に接続されており、前記圧電体層上から前記樹脂層上に至っている配線電極とを備える。
本発明に係る弾性波装置によれば、圧電体層の破損及び剥離を効果的に抑制することができる。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。図２は、図１中のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。なお、図１においては、後述する被覆膜をハッチングにより示す。
図１に示すように、弾性波装置１は支持基板２を有する。支持基板２は、平面視における中央領域Ａと、中央領域Ａの周囲に位置する周囲領域Ｂとを有する。支持基板２上における中央領域Ａには積層膜３が設けられている。図２に示すように、積層膜３においては、高音速膜４、酸化ケイ素膜５及び圧電体層６がこの順序で積層されている。
図１に戻り、圧電体層６上には、複数のＩＤＴ電極７が設けられている。ＩＤＴ電極７に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。圧電体層６上における各ＩＤＴ電極７の弾性波伝搬方向両側には、反射器８及び反射器９が設けられている。これにより、複数の弾性波共振子が構成されている。本実施形態の弾性波装置１は、複数の弾性波共振子を有する弾性波フィルタ装置である。もっとも、本発明に係る弾性波装置は弾性波フィルタ装置には限定されず、１つのＩＤＴ電極７を有する弾性波共振子などであってもよい。
図２に示すように、圧電体層６は、対向し合う第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂを有する。第１の主面６ａ上に複数のＩＤＴ電極７が設けられている。第２の主面６ｂが酸化ケイ素膜５に接している面である。なお、本明細書においては、圧電体層６の第１の主面６ａ上を単に圧電体層６上と記載することがある。
圧電体層６は、本実施形態では、５０°Ｙ−Ｘタンタル酸リチウム層である。なお、カット角は上記に限定されず、例えば、圧電体層６は４２°Ｙ−Ｘタンタル酸リチウム層であってもよい。圧電体層６の材料はタンタル酸リチウムには限定されず、例えば、ニオブ酸リチウムなどであってもよい。
高音速膜４は相対的に高音速な膜である。より具体的には、高音速膜４を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層６を伝搬する弾性波の音速よりも高い。本実施形態では、高音速膜４は窒化ケイ素膜である。なお、高音速膜４の材料は窒化ケイ素には限定されず、例えば、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコン、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜またはダイヤモンドなど、上記材料を主成分とする媒質を用いることができる。
酸化ケイ素膜５は、本実施形態では低音速膜である。低音速膜は相対的に低音速な膜である。より具体的には、低音速膜を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層６を伝搬するバルク波の音速よりも低い。酸化ケイ素膜５を構成する酸化ケイ素はＳｉＯｘにより表される。ｘは任意の正数である。本実施形態においては、酸化ケイ素膜５を構成する酸化ケイ素はＳｉＯ２である。
酸化ケイ素膜５は、支持基板２側の主面及び圧電体層６側の主面とを結ぶ側面５ｃを有する。同様に、高音速膜４は側面４ｃを有し、圧電体層６は側面６ｃを有する。積層膜３の各層の側面４ｃ、側面５ｃ及び側面６ｃは、積層膜３の積層方向に対して傾斜して延びている。もっとも、側面４ｃ、側面５ｃ及び側面６ｃは、積層方向に平行に延びていてもよい。
本実施形態においては、高音速膜４の厚みは２００ｎｍ以上、９００ｎｍ以下の範囲内である。酸化ケイ素膜５の厚みは６７３ｎｍ上、７３５ｎｍ以下の範囲内である。圧電体層６の厚みは６００ｎｍである。なお、積層膜３の各層の厚みは上記に限定されない。
弾性波装置１は、高音速膜４、低音速膜としての酸化ケイ素膜５及び圧電体層６がこの順序で積層された積層構造を有するため、弾性波のエネルギーを圧電体層６側に効果的に閉じ込めることができる。
支持基板２は、本実施形態ではシリコン支持基板である。なお、支持基板２の材料はシリコンには限定されず、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、サファイア、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、窒化ガリウムなどの半導体または樹脂などを用いることができる。
図１に示すように、ＩＤＴ電極７は、対向し合う第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７を有する。ＩＤＴ電極７は、第１のバスバー１６にそれぞれ一端が接続されている複数の第１の電極指１８を有する。さらに、ＩＤＴ電極７は、第２のバスバー１７にそれぞれ一端が接続されている複数の第２の電極指１９を有する。複数の第１の電極指１８と複数の第２の電極指１９とは互いに間挿し合っている。
ＩＤＴ電極７、反射器８及び反射器９は、複数の金属層が積層された積層金属膜からなっていてもよく、単層の金属膜からなっていてもよい。
図２に示すように、高音速膜４の側面４ｃ、酸化ケイ素膜５の側面５ｃ及び圧電体層６の側面６ｃを覆うように、被覆膜１４が設けられている。より具体的には、図１に示すように、被覆膜１４は、積層膜３の各層の側面４ｃ、側面５ｃ及び側面６ｃの全面を覆っている。被覆膜１４は、積層膜３の各層の側面４ｃ、側面５ｃ及び側面６ｃを経て、支持基板２上における周囲領域Ｂ及び圧電体層６の第１の主面６ａ上に至っている。なお、被覆膜１４は、酸化ケイ素膜５の側面５ｃの全面を覆うように設けられていればよい。本実施形態においては、被覆膜１４は金属膜である。なお、被覆膜１４は上記に限られず、シリコンを含む膜、例えば、アモルファスシリコン膜であってもよい。
図１に示すように、支持基板２上における周囲領域Ｂに、複数の樹脂層１５が設けられている。各樹脂層１５は、積層膜３の各層の側面４ｃ、側面５ｃ及び側面６ｃのそれぞれの一部を覆うように設けられている。図２に示すように、樹脂層１５は、高音速膜４の側面４ｃ、酸化ケイ素膜５の側面５ｃ及び圧電体層６の側面６ｃを、被覆膜１４の上から覆っている。樹脂層１５と酸化ケイ素膜５とは接していない。樹脂層１５は、圧電体層６の第１の主面６ａ上に至っている。樹脂層１５は、被覆膜１４の圧電体層６上に至っている部分を覆っている、樹脂被覆部１５ａを有する。
図１に示すように、圧電体層６の第１の主面６ａ上にはＩＤＴ電極７に電気的に接続されている配線電極１３が設けられている。配線電極１３は圧電体層６上から樹脂層１５上に至っている。配線電極１３は、樹脂層１５上に位置している端子部１３ａを有する。より具体的には、端子部１３ａは、平面視において、支持基板２の周囲領域Ｂに位置する。端子部１３ａには、バンプなどの、外部に電気的に接続される外部接続部がそれぞれ接合される。なお、弾性波装置１は、複数の配線電極１３を有し、それぞれの配線電極１３の端子部１３ａに外部接続部が接合される。各ＩＤＴ電極７は、それぞれの配線電極１３及び外部接続部を介して外部に電気的に接続される。
本実施形態の特徴は、酸化ケイ素膜５の側面５ｃの全面に被覆膜１４が設けられていることにある。それによって、空気中の水分や樹脂層１５中の水分が酸化ケイ素膜５に侵入することを抑制することができる。酸化ケイ素膜５中における水分の混入自体が抑制されるため、酸化ケイ素膜５中の水分の含有量の変動が生じ難い。これにより、弾性波装置１の実装などにおいて弾性波装置１に熱が加えられたとしても、酸化ケイ素膜５中の水分の減少が生じ難い。よって、酸化ケイ素膜５中における水分の含有量の変化に起因する、圧電体層６に対する応力の付加が生じ難い。従って、圧電体層６の破損及び剥離を効果的に抑制することができる。
本実施形態のように、被覆膜１４が、支持基板２上における周囲領域Ｂ及び圧電体層６上に至っていることが好ましい。弾性波装置１の主な熱源はＩＤＴ電極７である。被覆膜１４を上記のように配置することにより、ＩＤＴ電極７が設けられている圧電体層６から、被覆膜１４を介して支持基板２側に効果的に放熱することができる。よって、弾性波装置１が破損し難い。
配線電極１３は、支持基板２の中央領域Ａから周囲領域Ｂに至っている。被覆膜１４が圧電体層６上に至っている場合には、樹脂層１５が図２に示す上記樹脂被覆部１５ａを有することが好ましい。加えて、配線電極１３が中央領域Ａから樹脂被覆部１５ａ上を経て周囲領域Ｂに至っており、配線電極１３が被覆膜１４に接触していないことが好ましい。それによって、弾性波装置１のＩＲ特性の劣化を好適に抑制することができ、かつ上記のように放熱性を高めることができる。
被覆膜１４は、必ずしも圧電体層６上に至っていなくともよい。この例を下記の第１の変形例において示す。
図３は第１の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置の樹脂層及び被覆膜付近を示す断面図である。なお、図３は、配線電極を通らない断面を示す。
第１の実施形態の第１の変形例においては、被覆膜２４Ａは、酸化ケイ素膜５の側面５ｃを覆っており、高音速膜４の側面４ｃ及び圧電体層６の側面６ｃに至っている。被覆膜２４Ａは、圧電体層６の第１の主面６ａ上には至っていない。
なお、樹脂層１５は、必ずしも圧電体層６上に至っていなくともよい。もっとも、図２に示す第１の実施形態のように、樹脂層１５は圧電体層６上に至っていることが好ましい。この場合には、配線電極１３を、圧電体層６の第１の主面６ａ上から、側面６ｃを経ずに樹脂層１５上に至らせることができる。それによって、配線電極１３に形成される段差を緩和することができ、配線電極１３が断線し難い。加えて、樹脂層１５が積層膜３の各層の側面４ｃ、側面５ｃ及び側面６ｃを覆い、かつ圧電体層６上に至っていることにより、圧電体層６がより一層剥離し難い。
第１の実施形態では複数の樹脂層１５が設けられている。もっとも、枠状の１つの樹脂層が、酸化ケイ素膜５の側面５ｃを、被覆膜１４の上から覆うように設けられていてもよい。
図４は、第１の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の樹脂層及び被覆膜付近を示す断面図である。
第２の変形例は、被覆膜２４Ｂがシリコンを含む膜である点において、第１の実施形態と異なる。本変形例においても、酸化ケイ素膜５の側面５ｃの全面が被覆膜２４Ｂにより覆われている。これにより、空気中の水分や樹脂層１５中の水分が酸化ケイ素膜５に侵入することを抑制することができる。よって、第１の実施形態と同様に、圧電体層６の破損及び剥離を効果的に抑制することができる。
図２に示すように、弾性波装置１の積層膜３においては、高音速膜４、酸化ケイ素膜５及び圧電体層６がこの順序で積層されている。酸化ケイ素膜５は、支持基板２上に高音速膜４を介して間接的に設けられている。もっとも、積層膜の構成は上記に限定されない。以下において、積層膜の構成のみが第１の実施形態と異なる、第１の実施形態の第３の変形例を示す。
図５に示す第３の変形例においては、積層膜２３は酸化ケイ素膜５と、酸化ケイ素膜５上に積層された圧電体層６とを含み、高音速膜４は含まない。他方、本変形例の支持基板は、相対的に高音速な基板である、高音速支持基板２２である。より具体的には、高音速支持基板２２を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層６を伝搬する弾性波の音速よりも高い。高音速支持基板２２上に、直接的に酸化ケイ素膜５が設けられている。
高音速支持基板２２の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコン、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ膜またはダイヤモンドなど、上記材料を主成分とする媒質を用いることができる。
本変形例においては、高音速支持基板２２、低音速膜としての酸化ケイ素膜５及び圧電体層６がこの順序で積層された積層構造を有するため、第１の実施形態と同様に、弾性波のエネルギーを圧電体層６側に閉じ込めることができる。
さらに、第１の実施形態と同様に、酸化ケイ素膜５の側面５ｃの全面が被覆膜１４により覆われていることにより、圧電体層６の破損及び剥離を効果的に抑制することができる。
図６は、第２の実施形態に係る弾性波装置の樹脂層及び被覆膜付近を示す断面図である。なお、図６は、図１中のＩ−Ｉ線に沿う断面に相当する部分を示す。
本実施形態においては、積層膜３３が、圧電体層６と支持基板２との間に設けられている音響反射膜３５を含む点において、第１の実施形態と異なる。音響反射膜３５は酸化ケイ素膜を含む。
音響反射膜３５は、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層３６及び低音響インピーダンス層３８と、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層３７及び高音響インピーダンス層３９とを有する。本実施形態においては、低音響インピーダンス層３６及び低音響インピーダンス層３８が酸化ケイ素膜である。音響反射膜３５において、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層は交互に積層されている。なお、低音響インピーダンス層３６が音響反射膜３５において最も圧電体層６側に位置する層である。
音響反射膜３５は、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層をそれぞれ２層ずつ有する。もっとも、音響反射膜３５は、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層をそれぞれ少なくとも１層ずつ有していればよい。低音響インピーダンス層のうち少なくとも１層が酸化ケイ素膜であればよい。図６に示すように、被覆膜１４は、音響反射膜３５の各層の側面の全体を覆っている。
このように、本実施形態においては、酸化ケイ素膜としての低音響インピーダンス層３６の側面３６ｃ及び低音響インピーダンス層３８の側面３８ｃの全面が被覆膜１４により覆われている。これにより、第１の実施形態と同様に、空気中の水分や樹脂層１５中の水分が酸化ケイ素膜に侵入することを抑制することができる。よって、圧電体層６の破損及び剥離を効果的に抑制することができる。
本実施形態においては、音響反射膜３５上に圧電体層６が積層されているため、弾性波のエネルギーを圧電体層６側に効果的に閉じ込めることができる。
図７は、第３の実施形態に係る弾性波装置の樹脂層及び被覆膜付近を示す断面図である。なお、図７は、図１中のＩ−Ｉ線に沿う断面に相当する部分を示す。
本実施形態は、配線電極１３の端子部１３ａに、外部接続端子としてのバンプ４８が接合されている点において、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置４１は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
弾性波装置４１の実装に際し、弾性波装置４１は、バンプ４８により実装基板などに接合される。各ＩＤＴ電極７は、それぞれの配線電極１３及びバンプ４８を介して外部に電気的に接続される。
平面視において、支持基板２の周囲領域Ｂにバンプ４８が位置している。よって、配線電極１３の端子部１３ａにバンプ４８を接合するときや弾性波装置４１を実装するときに、圧電体層６に応力が加わり難い。よって、圧電体層６の破損や剥離が生じ難い。
さらに、本実施形態においても、酸化ケイ素膜５の側面５ｃの全面が被覆膜１４により覆われている。これにより、空気中の水分や樹脂層１５中の水分が酸化ケイ素膜５に侵入することを抑制することができる。よって、第１の実施形態と同様に、酸化ケイ素膜５中における水分の含有量の変化に起因する、圧電体層６に対する応力の付加が生じ難い。従って、圧電体層６の破損及び剥離をより一層効果的に抑制することができる。
図８は、第４の実施形態に係る弾性波装置の樹脂層及び被覆膜付近を示す断面図である。なお、図８は、図１中のＩ−Ｉ線に沿う断面に相当する部分を示す。
本実施形態の弾性波装置５１は、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）構造である点において第１の実施形態の弾性波装置１と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置５１は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
支持基板２上における周囲領域Ｂには、積層膜３を囲むように、開口部を有する支持部材５５が設けられている。図８に示す断面においては、支持部材５５は、支持基板２上に樹脂層１５を介して間接的に設けられている。他方、図８に示す断面以外においては、支持部材５５は、支持基板２上に直接的に設けられている部分を有する。もっとも、樹脂層１５が枠状であり、支持部材５５の全部の部分が、支持基板２上に樹脂層１５を介して間接的に設けられていてもよい。支持部材５５は、配線電極１３の端子部１３ａを覆うように設けられている。支持部材５５は適宜の樹脂からなる。
支持部材５５の開口部を覆うように、支持部材５５上にカバー部材５６が設けられている。支持部材５５及びカバー部材５６を貫通するように、複数のビア電極５７が設けられている。複数のビア電極５７の一方端部は、それぞれ端子部１３ａに接合されている。複数のビア電極５７の他方端部には、それぞれバンプ４８が接合されている。本実施形態においては、外部接続部は、ビア電極５７及びバンプ４８を有する。
本実施形態においても、平面視において、支持基板２の周囲領域Ｂにバンプ４８が位置している。さらに、酸化ケイ素膜５の側面５ｃの全面が被覆膜１４により覆われている。これにより、樹脂層１５中の水分が酸化ケイ素膜５に侵入することを抑制することができる。よって、第１の実施形態と同様に、酸化ケイ素膜５中における水分の含有量の変化に起因する、圧電体層６に対する応力の付加が生じ難い。従って、圧電体層６の破損及び剥離を効果的に抑制することができる。
上記において、第１〜第４の実施形態及び各変形例により示した弾性波装置の例は、励振電極がＩＤＴ電極であるＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）素子である。なお、本発明に係る弾性波装置はＢＡＷ（Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）素子であってもよい。この例を以下において示す。
図９は、第５の実施形態に係る弾性波装置における、支持基板の中央領域に位置する部分を示す正面断面図である。
本実施形態の弾性波装置６１は、複数のＢＡＷ共振子及び音響反射膜３５を有する、ＳＭＲ（Ｓｏｌｉｄｌｙ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）型ＢＡＷ素子である。本実施形態は、励振電極の構成及び配線の引き回しが第２の実施形態と異なる。上記以外の点においては、本実施形態の弾性波装置６１は第２の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。
より具体的には、本実施形態の励振電極は、圧電体層６の第１の主面６ａ上に設けられている第１の平板電極６７Ａ及び第２の主面６ｂ上に設けられている第２の平板電極６７Ｂである。第１の平板電極６７Ａ及び第２の平板電極６７Ｂは対向し合っており、かつ平面視において重なる部分を有する。第１の平板電極６７Ａは、第２の実施形態と同様の配線電極１３に直接的に接続されている。他方、第２の平板電極６７Ｂは配線電極１３に直接的には接続されていない。第２の平板電極６７Ｂは被覆膜１４に接触していない。本実施形態においては、圧電体層６の第１の主面６ａ上において配線が引き回されると共に、第２の主面６ｂ上においても配線が引き回されており、ＢＡＷ共振子同士が接続されている。
ここで、第２の平板電極６７Ｂが配線電極１３に直接的に接続される場合には、第２の平板電極６７Ｂまたは配線電極１３が被覆膜１４に接触することとなる。これに対して、本実施形態では、平面視において、第２の平板電極６７Ｂが圧電体層６の側面６ｃ及び低音響インピーダンス層３６の側面３６ｃの内側に設けられており、かつ配線電極１３に直接的に接続されていない。それによって、第２の平板電極６７Ｂ及び配線電極１３は被覆膜１４に接触していない。なお、上述したように、第１の平板電極６７Ａに配線電極１３が直接的に接続されている。
本実施形態においては、図６に示した第２の実施形態と同様に、酸化ケイ素膜としての低音響インピーダンス層３６の側面３６ｃ及び低音響インピーダンス層３８の側面３８ｃの全面が被覆膜１４により覆われている。これにより、空気中の水分や樹脂層１５中の水分が酸化ケイ素膜に侵入することを抑制することができる。よって、圧電体層６の破損及び剥離を効果的に抑制することができる。
１…弾性波装置
２…支持基板
３…積層膜
４…高音速膜
４ｃ…側面
５…酸化ケイ素膜
５ｃ…側面
６…圧電体層
６ａ，６ｂ…第１，第２の主面
６ｃ…側面
７…ＩＤＴ電極
８，９…反射器
１３…配線電極
１３ａ…端子部
１４…被覆膜
１５…樹脂層
１５ａ…樹脂被覆部
１６，１７…第１，第２のバスバー
１８，１９…第１，第２の電極指
２２…高音速支持基板
２３…積層膜
２４Ａ，２４Ｂ…被覆膜
３３…積層膜
３５…音響反射膜
３６…低音響インピーダンス層
３６ｃ…側面
３７…高音響インピーダンス層
３８…低音響インピーダンス層
３８ｃ…側面
３９…高音響インピーダンス層
４１…弾性波装置
４８…バンプ
５１…弾性波装置
５５…支持部材
５６…カバー部材
５７…ビア電極
６７Ａ，６７Ｂ…第１，第２の平板電極
２…支持基板
３…積層膜
４…高音速膜
４ｃ…側面
５…酸化ケイ素膜
５ｃ…側面
６…圧電体層
６ａ，６ｂ…第１，第２の主面
６ｃ…側面
７…ＩＤＴ電極
８，９…反射器
１３…配線電極
１３ａ…端子部
１４…被覆膜
１５…樹脂層
１５ａ…樹脂被覆部
１６，１７…第１，第２のバスバー
１８，１９…第１，第２の電極指
２２…高音速支持基板
２３…積層膜
２４Ａ，２４Ｂ…被覆膜
３３…積層膜
３５…音響反射膜
３６…低音響インピーダンス層
３６ｃ…側面
３７…高音響インピーダンス層
３８…低音響インピーダンス層
３８ｃ…側面
３９…高音響インピーダンス層
４１…弾性波装置
４８…バンプ
５１…弾性波装置
５５…支持部材
５６…カバー部材
５７…ビア電極
６７Ａ，６７Ｂ…第１，第２の平板電極
Claims (12)
- 平面視において、中央領域と、前記中央領域の周囲に位置する周囲領域と、を有する支持基板と、
前記支持基板上における前記中央領域に直接的または間接的に設けられており、側面を有する酸化ケイ素膜と、
前記酸化ケイ素膜上に設けられており、対向し合う第１の主面及び第２の主面を有する圧電体層と、
前記圧電体層の前記第１の主面及び前記第２の主面のうち少なくとも一方に設けられている励振電極と、
前記酸化ケイ素膜の前記側面の全面を覆うように設けられた被覆膜と、
前記支持基板上における前記周囲領域に設けられており、前記酸化ケイ素膜の前記側面を、前記被覆膜の上から覆うように設けられている樹脂層と、
前記励振電極に電気的に接続されており、前記圧電体層上から前記樹脂層上に至っている配線電極と、
を備える、弾性波装置。 - 前記被覆膜が、前記支持基板上における前記周囲領域及び前記圧電体層上に至っている、請求項１に記載の弾性波装置。
- 前記樹脂層が、前記圧電体層上に至っており、かつ前記被覆膜の前記圧電体層上に至っている部分を覆っている樹脂被覆部を有し、
前記配線電極が前記支持基板の前記中央領域から、前記樹脂被覆部上を経て前記周囲領域に至っている、請求項２に記載の弾性波装置。 - 前記樹脂層の前記樹脂被覆部が、前記被覆膜の前記圧電体層上に至っている部分の全体を覆っている、請求項３に記載の弾性波装置。
- 前記被覆膜が金属膜である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記被覆膜がシリコンを含む膜である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記励振電極が、前記圧電体層の前記第１の主面上に設けられているＩＤＴ電極である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記励振電極が、前記圧電体層の前記第１の主面上に設けられている第１の平板電極及び前記第２の主面上に設けられている第２の平板電極である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記酸化ケイ素膜が低音速膜であり、
前記低音速膜と前記支持基板との間に高音速膜が設けられており、
前記低音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低く、
前記高音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高い、請求項１〜８のいずれか１項に記載の弾性波装置。 - 前記圧電体層と前記支持基板との間に音響反射膜が設けられており、
前記音響反射膜が、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、を有し、前記低音響インピーダンス層及び前記高音響インピーダンス層が交互に積層されており、
前記低音響インピーダンス層のうち少なくとも一層が前記酸化ケイ素膜である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の弾性波装置。 - 前記配線電極における前記樹脂層上に位置する部分に接合されており、かつ外部に電気的に接続される外部接続部をさらに備える、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
- 前記支持基板がシリコン支持基板である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
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