JP2020088104A - 半導体装置、半導体装置の製造方法、電源装置及び増幅器 - Google Patents
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Abstract
Description
最初に、窒化物半導体を用いた半導体装置として、窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタについて説明する。図1に示される電界効果トランジスタは、HEMTであり、基板910の上に、不図示の核形成層、バッファ層911、電子走行層921、電子供給層922が順に積層して形成されている。電子供給層922の上には、ゲート電極941、ソース電極942、ドレイン電極943が形成されており、電子供給層922の露出している部分は、保護膜となる絶縁膜931が形成され覆われている。更に、絶縁膜931及びゲート電極941の上には、絶縁膜933が形成されている。
次に、第1の実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置100は、図7に示されるように、HEMTであり、基板10の上に、不図示の核形成層、バッファ層11、電子走行層21、電子供給層22が順に積層して形成されている。電子供給層22の上には、ゲート電極41、ソース電極42、ドレイン電極43が形成されている。電子供給層22の上には、ゲート電極41とソース電極42の間及び、ゲート電極41とドレイン電極43との間のゲート電極41側に、第1の絶縁膜31が形成されている。ゲート電極41とドレイン電極43との間のドレイン電極43側に、第2の絶縁膜32が形成されている。ゲート電極41は、ゲート電極41と電子供給層22とが接触している領域の近傍の第1の絶縁膜31の上に、ゲート電極41の一部41aが乗り上げるように形成されている。更に、第1の絶縁膜31、第2の絶縁膜32及びゲート電極41の上には、第3の絶縁膜33が形成されている。
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法について、図13Aから図17Bに基づき説明する。尚、基板10の上に形成される窒化物半導体層は、MOVPE(Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy)によるエピタキシャル成長により形成されている。窒化物半導体層をMOVPEにより成長する際には、Alの原料ガスにはTMA(トリメチルアルミニウム)が用いられ、Gaの原料ガスにはTMG(トリメチルガリウム)が用いられ、Nの原料ガスにはNH3(アンモニア)が用いられる。また、Feをドープする際には、原料ガスとしてシクロペンタンジエニル鉄(CP2Fe)を供給する。尚、窒化物半導体層は、MBE(Molecular Beam Epitaxy:分子線エピタキシー)により形成してもよい。
次に、第2の実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置は、図18に示されるように、第2の絶縁膜32のゲート電極41側の端部32bが、基板10面の法線方向に対して傾斜している構造のものである。具体的には、第2の絶縁膜32のゲート電極41側の端部32bは、基板10面とのなす角が、鋭角となるように傾斜している。このように、第2の絶縁膜32のゲート電極41側の端部32bを基板10面の法線方向に対して傾斜させることにより、電界集中が緩和され、電界集中を抑制することができる。
次に、第3の実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置は、図19に示されるように、電子供給層22の上において、ゲート電極41よりもソース電極42側には第1の絶縁膜31が形成されており、ドレイン電極43側には第2の絶縁膜32が形成されている。ゲート電極41は、電子供給層22と接触している領域及びこの領域の近傍の第1の絶縁膜31及び第2の絶縁膜32の上に形成されている。よって、ゲート電極41は、電子供給層22と接触している領域よりもソース電極42側では、第1の絶縁膜31の上に乗り上げるように形成されており、ドレイン電極43側では、第2の絶縁膜32の上に乗り上げるように形成されている。ゲート電極41が乗り上げている第1の絶縁膜31は形成されている領域は第2の絶縁膜32が形成されている領域よりも、深くまで空乏層が広がる。このため、ゲート電極41とドレイン電極43との間には、第1の絶縁膜31よりも第2の絶縁膜32を形成することにより、ゲート−ドレイン間における耐圧が向上する。
次に、第4の実施の形態について説明する。本実施の形態は、半導体デバイス、電源装置及び高周波増幅器である。
(付記1)
基板の上に、窒化物半導体により形成された第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上に、窒化物半導体により形成された第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、
前記第2の半導体層の上の前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間において、前記ゲート電極側に形成された第1の絶縁膜と、前記ドレイン電極側に形成された第2の絶縁膜と、
を有し、
前記ゲート電極の一部は、前記第1の絶縁膜の上にも形成されており、
前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜は窒化シリコンにより形成されており、
前記第1の絶縁膜は前記第2の絶縁膜よりもSi−H結合の密度が高く、
前記第2の絶縁膜は前記第1の絶縁膜よりもN−H結合の密度が高いことを特徴とする半導体装置。
(付記2)
前記第1の絶縁膜におけるSi−H結合の密度は1.0×1022/cm3以上であり、
前記第2の絶縁膜におけるSi−H結合の密度は1.0×1022/cm3未満であり、
前記第1の絶縁膜におけるN−H結合の密度は1.0×1022/cm3未満であり、
前記第2の絶縁膜におけるN−H結合の密度は1.0×1022/cm3以上であることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
(付記3)
前記第2の絶縁膜の前記ゲート電極側の上には、前記第1の絶縁膜の一部が形成されていることを特徴とする付記1または2に記載の半導体装置。
(付記4)
前記基板面の法線方向において、前記第2の絶縁膜のゲート電極側の端部は、前記ゲート電極のドレイン電極側の端部と同じ位置であることを特徴とする付記3に記載の半導体装置。
(付記5)
前記第2の絶縁膜の前記ゲート電極側の端部は、前記基板面の法線方向に対し傾斜していることを特徴とする付記3に記載の半導体装置。
(付記6)
前記第1の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜と前記ゲート電極との間に形成されていることを特徴とする付記1から5のいずれかに記載の半導体装置。
(付記7)
前記第1の半導体層は、GaNを含む材料により形成されており、
前記第2の半導体層は、AlGaNまたはInAlNを含む材料により形成されていることを特徴とする付記1から6のいずれかに記載の半導体装置。
(付記8)
基板の上に、窒化物半導体により第1の半導体層を形成する工程と、
前記第1の半導体層の上に、第2の半導体層を形成する工程と、
前記第2の半導体層の上に、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記第2の半導体層の上の前記ドレイン電極側に、第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の半導体層の上の前記ソース電極側に、第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部における前記第2の半導体層の上及び前記開口部の周囲の前記第1の絶縁膜の上に、ゲート電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記9)
前記第1の半導体層は、GaNを含む材料により形成されており、
前記第2の半導体層は、AlGaNまたはInAlNを含む材料により形成されていることを特徴とする付記8に記載の半導体装置の製造方法。
(付記10)
付記1から7のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする電源装置。
(付記11)
付記1から7のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする増幅器。
11 バッファ層
21 電子走行層
21a 2DEG
22 電子供給層
31 第1の絶縁膜
32 第2の絶縁膜
33 第3の絶縁膜
41 ゲート電極
42 ソース電極
43 ドレイン電極
Claims (10)
- 基板の上に、窒化物半導体により形成された第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上に、窒化物半導体により形成された第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、
前記第2の半導体層の上の前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間において、前記ゲート電極側に形成された第1の絶縁膜と、前記ドレイン電極側に形成された第2の絶縁膜と、
を有し、
前記ゲート電極の一部は、前記第1の絶縁膜の上にも形成されており、
前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜は窒化シリコンにより形成されており、
前記第1の絶縁膜は前記第2の絶縁膜よりもSi−H結合の密度が高く、
前記第2の絶縁膜は前記第1の絶縁膜よりもN−H結合の密度が高いことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の絶縁膜におけるSi−H結合の密度は1.0×1022/cm3以上であり、
前記第2の絶縁膜におけるSi−H結合の密度は1.0×1022/cm3未満であり、
前記第1の絶縁膜におけるN−H結合の密度は1.0×1022/cm3未満であり、
前記第2の絶縁膜におけるN−H結合の密度は1.0×1022/cm3以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第2の絶縁膜の前記ゲート電極側の上には、前記第1の絶縁膜の一部が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記基板面の法線方向において、前記第2の絶縁膜のゲート電極側の端部は、前記ゲート電極のドレイン電極側の端部と同じ位置であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第2の絶縁膜の前記ゲート電極側の端部は、前記基板面の法線方向に対し傾斜していることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第1の半導体層は、GaNを含む材料により形成されており、
前記第2の半導体層は、AlGaNまたはInAlNを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置。 - 基板の上に、窒化物半導体により第1の半導体層を形成する工程と、
前記第1の半導体層の上に、第2の半導体層を形成する工程と、
前記第2の半導体層の上に、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記第2の半導体層の上の前記ドレイン電極側に、第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の半導体層の上の前記ソース電極側に、第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部における前記第2の半導体層の上及び前記開口部の周囲の前記第1の絶縁膜の上に、ゲート電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の半導体層は、GaNを含む材料により形成されており、
前記第2の半導体層は、AlGaNまたはInAlNを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。 - 請求項1から6のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする電源装置。
- 請求項1から6のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする増幅器。
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