JP2020085860A

JP2020085860A - 電流検出装置

Info

Publication number: JP2020085860A
Application number: JP2018225746A
Authority: JP
Inventors: 佳劉; Jia Liu
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
Priority date: 2018-11-30
Filing date: 2018-11-30
Publication date: 2020-06-04
Anticipated expiration: 2038-11-30
Also published as: US11181554B2; CN111257615A; US20200174043A1; JP7258526B2; CN111257615B

Abstract

【課題】シールド層を設けた構造であっても、ホール素子により検出される磁界を高めることができる電流検出装置を提供する。【解決手段】実施形態の電流検出装置は、コイルパターンと、磁界検出素子と、シールド層とを備える。コイルパターンは、円弧形状の平面コイルと、円弧形状の平面コイルの端部から延出する互いに平行な直線部とによって構成される。磁界検出素子は、平面コイルの平面に対して直交する方向においてコイルパターンから離間して配置され、コイルパターンが発生する第１の方向の磁界を受けるように配設されている。シールド層は、コイルパターンと磁界検出素子との間に設けられ、スリット部を備える。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、電流検出装置に関する。

電流検出装置は、検出すべき電流をコイルに流し、そのコイルから発生した磁界を検出することによって電流を検出する。発生した磁界は、例えばホール素子により検出される。電流検出装置を高性能かつ安定的に動作させるために、コイルとホール素子との間にシールド層（シールドシート）を設ける構造は一般的に知られている。

シールド層を設けた構造の場合、シールド層上に渦電流が発生し、コイルから発生した磁界とは逆方向の磁界が発生する。そのため、コイルから発生した有効な磁界が、渦電流により発生した逆方向の磁界によって打ち消されるため、ホール素子で検出される磁界が不足となり、ホール素子の駆動回路からの出力電圧が低くなってしまう。そのため、従来の電流検出装置では、ホール素子の駆動回路からの出力電圧を増幅回路により増幅して、電流の検出が行われる。

しかし、増幅回路の増幅率には限界があると共に、増幅回路の増幅率を大きくし過ぎると、ノイズもホール素子の駆動回路に混入し、電流検出装置の性能が低下する虞がある。

特開平５−１０９７９号公報

そこで、実施形態は、シールド層を設けた構造であっても、ホール素子により検出される磁界を高めることができる電流検出装置を提供することを目的とする。

実施形態の電流検出装置は、コイルパターンと、磁界検出素子と、シールド層とを備える。コイルパターンは、円弧形状の平面コイルと、円弧形状の平面コイルの端部から延出する互いに平行な直線部とによって構成される。磁界検出素子は、平面コイルの平面に対して直交する方向においてコイルパターンから離間して配置され、コイルパターンが発生する第１の方向の磁界を受けるように配設されている。シールド層は、コイルパターンと磁界検出素子との間に設けられ、スリット部を備える。

本実施形態に係る電流検出装置の全体構成図である。本実施形態に係る電流検出装置の側面図である。コイルパターンとシールド層の配置を説明するための正面図である。シールド層に発生する渦電流の一例を説明するための図である。２つのコイルパターン１６ａ、１６ｂに流れる交流電流の周波数と、発生する磁界の磁束密度の関係を示すグラフである。スリット部の他の構成を説明するための図である。スリット部の他の構成を説明するための図である。２つのコイルパターン１６ａ、１６ｂに流れる交流電流の周波数と、発生する磁界の磁束密度の関係を示すグラフである。

以下、図面を参照して実施形態について詳細に説明する。
まず、図１及び図２に基づき、本実施形態に係る電流検出装置の構成を説明する。
図１は、本実施形態に係る電流検出装置の全体構成図である。図２は、本実施形態に係る電流検出装置の側面図である。

電流検出装置１は、配線Ｌ１に流れる電流Ｉを検出する。検出する電流は、直流又は交流である。電流検出装置１は、積層することによって形成された１枚の基板１１により構成されている。本実施形態の電流検出装置１は、ＡＣ／ＤＣアダプタ、汎用インバータやモーター可変速機器での制御装置、パワーモジュールの過電流保護等に用いられる。

なお、本実施形態では、積層することで１枚の基板１１である電流検出装置１を形成するが、例えば、２枚の基板あるいは３枚以上の基板を貼り合わせることで本実施形態の電流検出装置１を形成するようにしてもよい。

基板１１は、矩形の形状を有し、表側の平らな面１１ａと、裏側の平らな面１１ｂとを有している。なお、基板１１の形状は、矩形の形状に限定されることなく、例えば円形の形状等、他の形状であってもよい。

面１１ａ上には、後述するホール素子１９で検出された電圧信号を増幅する増幅回路１２と、ホール素子１９を駆動する駆動回路１３とが配設されている。

また、面１１ａ上には、２つの配線Ｌ１を接続するためのパッド１４ａ及び１４ｂと、パッド１４ａ及び１４ｂから延出する配線パターン１５ａ及び１５ｂと、円弧形状の平面コイル及び平面コイルの端部から延出する互いに平行な直線部を有するコイルパターン１６ａとが形成されている。

コイルパターン１６ａは、一端部１６ａ１と、他端部１６ａ２を有し、一端部１６ａ１が配線パターン１５ａに接続されている。これにより、配線Ｌ１から入力された電流Ｉがコイルパターン１６ａの一端部１６ａ１から他端部１６ａ２に流れる。

また、面１１ｂには、円弧形状の平面コイル及び平面コイルの端部から延出する互いに平行な直線部を有するコイルパターン１６ｂが形成されている。コイルパターン１６ｂは、一端部１６ｂ１と、他端部１６ｂ２とを有する。コイルパターン１６ｂの一端部１６ｂ１は、コイルパターン１６ａの他端部１６ａ２に電気的に接続される。また、コイルパターン１６ｂの他端部１６ｂ２は、配線パターン１５ｂに電気的に接続されている。

具体的には、コイルパターン１６ｂの一端部１６ｂ１は、複数の配線パターン２０及び複数のコンタクトホール（すなわちビアホール）内に配設された複数の導体２１を介して、コイルパターン１６ａの他端部１６ａ２に電気的に接続されている。また、コイルパターン１６ｂの他端部１６ｂ２は、複数の配線パターン２２及び複数のコンタクトホール内に配設された複数の導体２３を介して、配線パターン１５ｂに電気的に接続されている。

これにより、コイルパターン１６ａの他端部１６ａ２から入力された電流Ｉが、コイルパターン１６ｂの一端部１６ｂ１から他端部１６ｂ２に流れる。その結果、コイルパターン１６ａにより発生する磁界の方向と、コイルパターン１６ｂにより発生する磁界の方向は、同じとなる。以下の説明では、コイルパターン１６ａ及び１６ｂにより発生する磁界の方向を第１の方向と呼ぶ。

コイルパターン１６ａとホール素子１９との間には、ホール素子１９或いはホール素子１９の駆動回路への電磁ノイズが入ることを遮蔽するためのシールド層１７ａが設けられている。同様に、コイルパターン１６ｂとホール素子１９との間には、ホール素子１９或いはホール素子１９の駆動回路への電磁ノイズが入ることを遮蔽するためのシールド層１７ｂが設けられている。シールド層１７ａ及び１７ｂは、銅、アルミニウムなどの導電材料のシート部材である。

シールド層１７ａ及び１７ｂは、それぞれスリット部１８ａ及び１８ｂを備える。シールド１７ａ及び１７ｂには、コイルパターン１６ａ及び１６ｂによって第１の方向の磁界が発生した場合に渦電流が発生する。シールド層１７ａ及び１７ｂに発生した渦電流によって、第１の方向の磁界とは逆向きの第２の方向の磁界が発生する。シールド層１７ａ及び１７ｂに設けられたスリット部１８ａ及び１８ｂは、渦電流によって発生する第２の方向の磁界を小さくするための機能を有している。

基板１１内には、磁気センサとしてのホール素子１９が配設されている。ホール素子１９は、２つのコイルパターン１６ａと１６ｂの間に位置するように配置される。より具体的には、ホール素子１９は、シールド層１７ａと１７ｂの間に位置するように配置される。磁界検出素子であるホール素子１９は、磁束密度に比例した起電力を発生し、起電力に応じた電圧信号を出力する。

すなわち、２つのコイルパターン１６ａと１６ｂの各々は、円弧形状の平面コイル及び平面コイルの端部から延出する互いに平行な直線部を有している。ホール素子１９は、２つのコイルパターン１６ａと１６ｂの平面に対して直交する方向において、各コイルパターン１６ａ、１６ｂから離間して配置され、２つのコイルパターン１６ａと１６ｂに電流が流れたときに各コイルパターン１６ａ、１６ｂが形成する磁界を受けるように配設されている。

より具体的には、コイルパターン１６ａが発生する磁束の中心軸と、コイルパターン１６ｂが発生する磁束の中心軸が同一軸上に位置し、ホール素子１９は、コイルパターン１６ａ、１６ｂの間であって、上記同一軸上に配設されている。

ホール素子１９の出力信号（電圧信号）は、基板１１上及び基板１１内に設けられた複数の配線パターン及び複数のコンタクトホール内に配設された複数の導体を介して、基板１１上に配置された増幅回路１２に入力され、増幅される。ホール素子１９は、コイルパターン１６ａ、１６ｂに入力された電流Ｉによって発生した磁束を検知することで電圧信号を出力するが、電圧の振幅が小さい。そのため、増幅回路１２によって電圧を増幅することで、コイルパターン１６ａ、１６ｂに入力された電流Ｉを観測することになる。

（コイルパターン及びシールド層の構成）
図３は、コイルパターンとシールド層の構成を説明するための正面図である。なお、図３では、コイルパターン１６ａ及びシールド層１７ａの構成について説明するが、コイルパターン１６ｂ及びシールド層１７ｂの構成は、それぞれコイルパターン１６ａ及びシールド層１７ａの構成と同様である。

図３に示すように、コイルパターン１６ａは、中心に孔を有する円弧形状の平面コイル１６ａ３と、円弧形状の平面コイル１６ａ３の端部から延出する互いに平行な直線部１６ａ４とによって構成されている。

シールド層１７ａは、渦電流によって発生する第２の方向の磁界を小さくするためのスリット部１８ａを備える。スリット部１８ａは、コイルパターン１６ａを平面視したときに円弧形状の平面コイル１６ａ３の中心の孔を含むように（貫通するように）設けられた矩形の形状の開口部１８ａ１と、開口部１８ａ１から延出する少なくとも２つ以上のスリット１８ａ２とを有して構成されている。少なくとも２つ以上のスリット１８ａ２は、矩形の形状の開口部１８ａ１の上下方向に対して対称に延出している。

図４は、シールド層に発生する渦電流の一例を説明するための図である。

シールド層１７ａに発生した渦電流は、スリット部１８ａの２つのスリット１８ａ２の間に流れ込み、開口部１８ａ１の縁によって反射する。このとき、２つのスリット１８ａ２に流れ込む渦電流と、２つのスリット１８ａ２の間から流れ出る渦電流とが打ち消し合うため、渦電流によって発生する第２の方向の磁界が小さくなる。特に、２つのスリット１８ａ２に流れ込む渦電流と、２つのスリット１８ａ２の間から流れ出る渦電流とが平行となるため、打ち消し効果が大きくなる。

本実施形態では、スリット部１８ａの各スリット１８ａ２の形状は、矩形の形状となっている。この場合、２つのスリット１８ａ２の間に流れ込む渦電流の方向と、２つのスリット１８ａ２の間から流れ出る渦電流の方向とが完全な逆方向（１８０°）になるため、打ち消し効果が最も大きくなる。

なお、スリット部１８ａの各スリット１８ａ２の形状は、矩形の形状に限定されることなく、他の形状であってもよい。この場合、２つのスリット１８ａ２の間に流れ込む渦電流の方向と、２つのスリット１８ａ２の間から流れ出る渦電流の方向とが完全な逆方向（１８０°）にならないこともあるが、流れ込む渦電流と流れ出る渦電流とを打ち消す効果は十分にある。

渦電流により発生する第２の方向の磁界は、コイルパターン１６ａによって発生する第１の方向の磁界とは逆向きである。そのため、ホール素子１９によって検出するコイルパターン１６ａによって発生する第１の方向の磁界が、渦電流により発生する第２の方向の磁界によって打ち消され、小さくなってしまう。

本実施形態では、シールド層１７ａに設けられたスリット部１８ａによって、渦電流により発生する第２の方向の磁界を小さくすることができる。そのため、コイルパターン１６ａによって発生する第１の方向の磁界と、渦電流によって発生する、コイルパターン１６ａによって発生する第１の方向の磁界とは逆向きの第２の方向の磁界との打ち消し効果が小さくなる。この結果、電流検出装置１は、ホール素子１９によって検知できる磁界を高めることができる。

同様に、シールド層１７ｂのスリット部１８ｂにおいても、渦電流により発生する第２の方向の磁界を小さくすることができる。これにより、コイルパターン１６ｂによって発生する第１の方向の磁界と、渦電流によって発生する第２の方向の磁界との打ち消し効果が小さくなり、ホール素子１９によって検知できる磁界を高めることができる。

図５は、２つのコイルパターン１６ａ、１６ｂに流れる交流電流の周波数と、発生する磁界の磁束密度の関係を示すグラフである。図５には、シールド層１７ａ、１７ｂの材料と、スリット部１８ａ、１８ｂの有無とに応じた磁束密度の変化が示されている。

折れ線３１は、シールド層１７ａ、１７ｂの材料がアルミニウムであり、スリット部１８ａ、１８ｂがある場合の磁束密度の変化を示している。また、折れ線３２は、シールド層１７ａ、１７ｂの材料が銅であり、スリット部１８ａ、１８ｂがある場合の磁束密度の変化を示している。

一方、折れ線３３は、シールド層１７ａ、１７ｂの材料がアルミニウムであり、スリット部１８ａ、１８ｂがない場合の磁束密度の変化を示している。また、折れ線３４は、シールド層１７ａ、１７ｂの材料が銅であり、スリット部１８ａ、１８ｂがない場合の磁束密度の変化を示している。

図５に示すように、検出する電流の周波数が低いときは、２つのコイルパターン１６ａ、１６ｂにより生じる磁束密度は、シールド層１７ａ、１７ｂの材料、スリット部１８ａ、１８ｂの有無によって変化はない。

しかし、検出する電流の周波数が高くなると、２つのコイルパターン１６ａ、１６ｂにより生じる磁束密度は、スリット部１８ａ、１８ｂがある場合とない場合とで大きく違っている。例えば、周波数が１Ｍ（１．Ｅ＋０６）Ｈｚ以上の場合、スリット部１８ａ、１８ｂがある場合と、スリット部１８ａ、１８ｂがない場合とで磁束密度が大きく違っている。

具体的には、シールド層１７ａ、１７ｂの材料がアルミニウムであり、スリット部１８ａ、１８ｂがある場合（折れ線３１）、シールド層１７ａ、１７ｂの材料がアルミニウムであり、スリット部１８ａ、１８ｂがない場合（折れ線３３）に比べて、磁束密度が２倍以上大きくなっている。

このように、ノイズ低減用のシールド層１７ａ、１７ｂにスリット部１８ａ、１８ｂを設けることで、渦電流によって発生する第２の方向の磁界を低減させることができる。渦電流によって発生する第２の方向の磁界は、平面コイル１６ａ３によって発生する第１の方向の磁界とは逆向きとなっている。

また、渦電流によって発生する第２の方向の磁界は、平面コイル１６ａ３によって発生する第１の方向の磁界を弱めるものである。本実施形態では、渦電流によって発生する第２の方向の磁界を小さくすることができるため、第１の方向の磁界を打ち消す効果を小さくなり、ホール素子１９によって高い磁界を検知することができる。

従って、上述した実施形態の電流検出装置によれば、ホール素子により検出される磁界を高めることができる。

本実施形態のシールド層１７ａ、１７ｂの役割は、ホール素子１９或いはホール素子１９の駆動回路への電磁ノイズが入ることを遮蔽するためのものであるため、シールド層１７ａ、１７ｂを電流検出装置１から完全に取り除く、或いは、ホール素子１９の近辺のシールド層１７ａ、１７ｂに大きな開口を設けることができない。しかし、コイルパターン１６ａとホール素子１９との間、及び、コイルパターン１６ｂとホール素子１９との間にシールド層１７ａ、１７ｂを設けると、ホール素子１９によって検出される磁束が低減してしまう。

これに対して、本実施形態の電流検出装置１は、シールド層１７ａ、１７ｂに上述したスリット部１８ａ、１８ｂを設けることで、ホール素子１９或いはホール素子１９の駆動回路への電磁ノイズが入ることを遮蔽することができるとともに、図５に示すように、ホール素子１９によって検出される磁束を高くすることができる。すなわち、本実施形態の電流検出装置１は、ホール素子１９或いはホール素子１９の駆動回路へ入る電磁ノイズを低減させること、及び、ホール素子１９によって検出される磁束を増大させるという効果を両立させることができる。

なお、２つのコイルパターン１６ａ、１６ｂは、それぞれ中心に孔を有する円弧形状の平面コイルと、円弧形状の平面コイルの端部から延出する互いに平行な直線部とによって構成されているが、２つのコイルパターン１６ａ、１６ｂの形状はこれらの形状に限定されるものではない。例えば、２つのコイルパターン１６ａ、１６ｂの円弧形状の平面コイルは、複数の巻き数を有する渦巻き形状の平面コイルであってもよい。また、２つのコイルパターン１６ａ、１６ｂの円弧形状の平面コイルは、四角形状の平面コイルまたは三角形状の平面コイルであってもよい。さらにまた、２つのコイルパターン１６ａ、１６ｂの円弧形状の平面コイルの端部から延出する直線部は、互いに平行となっているが、これに限定されることなく、互いに平行になっていなくてもよい。

また、上述した実施形態では、２つのコイルパターン１６ａ、１６ｂがホール素子１９を挟むように設けられているが、コイルパターンは、１つでもよい。さらに、上述した実施形態では、２つのシールド層１７ａ、１７ｂがホール素子１９を挟むように設けられているが、シールド層は、１つでもよい。例えば、１つのコイルパターン及び１つのシールド層が電流検出装置１に設けられている場合、１つのコイルパターンとホール素子１９との間に、１つのシールド層を配置すればよい。

（変形例１）
なお、上述した実施形態では、スリット部１８ａは、矩形の形状の開口部１８ａ１と、開口部１８ａ１の上下方向に対して対称に延出する少なくとも２つ以上のスリット１８ａ２とを有して構成されているが、これに限定されることなく、スリット部１８ａは、図６及び図７に示す構成であってもよい。

図６は、スリット部の他の構成を説明するための図である。図６に示すシールド層４１は、上述した実施形態と同様に、渦電流によって発生する第２の方向の磁界を小さくするためのスリット部４２を備える。

スリット部４２は、コイルパターン１６ａを平面視したときに円弧形状の平面コイル１６ａ３の中心の孔を含むように（貫通するように）設けられた円形の形状の開口部４３と、少なくとも２つ以上のスリット４４とを有して構成されている。さらに、スリット部４２は、少なくとも２つ以上のスリット４４のうち、隣り合うスリット４４の一端部または他端部を連結する連結部４５を有して構成されている。

図７は、スリット部の他の構成を説明するための図である。なお、図７において、図６と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。図７に示すシールド層４１ａは、上述した実施形態と同様に、渦電流によって発生する第２の方向の磁界を小さくするためのスリット部４２ａを備える。スリット部４２ａは、少なくとも２つ以上のスリット４４のうち、隣り合うスリット４４を所定の位置で連結する連結部４５ａを有して構成されている。

（変形例２）
上述した実施形態の図５では、シールド層１７ａ、１７ｂの材料と、スリット部１８ａ、１８ｂの有無とに応じた磁束密度の変化について説明したが、変形例２では、シールド層１７ａ、１７ｂの厚みと、スリット部１８ａ、１８ｂの有無とに応じた磁束密度の変化について説明する。

図８は、２つのコイルパターン１６ａ、１６ｂに流れる交流電流の周波数と、発生する磁界の磁束密度の関係を示すグラフである。図８には、シールド層１７ａ、１７ｂの厚みと、スリット部１８ａ、１８ｂの有無とに応じた磁束密度の変化が示されている。なお、シールド層１７ａ、１７ｂの材料はアルミニウムである。

折れ線５１は、シールド層１７ａ、１７ｂの厚みが５ｕｍであり、スリット部１８ａ、１８ｂがある場合の磁束密度の変化を示している。また、折れ線５２は、シールド層１７ａ、１７ｂの厚みが１１ｕｍであり、スリット部１８ａ、１８ｂがある場合の磁束密度の変化を示している。

一方、折れ線５３は、シールド層１７ａ、１７ｂの厚みが５ｕｍであり、スリット部１８ａ、１８ｂがない場合の磁束密度の変化を示している。また、折れ線５４は、シールド層１７ａ、１７ｂの厚みが１１ｕｍであり、スリット部１８ａ、１８ｂがない場合の磁束密度の変化を示している。

図８に示すように、検出する電流の周波数が低いときは、２つのコイルパターン１６ａ、１６ｂにより生じる磁束密度は、シールド層１７ａ、１７ｂの厚み、スリット部１８ａ、１８ｂの有無によって変化はない。

さらに、スリット部１８ａ、１８ｂがない場合、シールド層１７ａ、１７ｂの厚みによっても、磁束密度が大きく違っている。すなわち、図８の折れ線５３、５４に示すように、シールド層１７ａ、１７ｂの厚みが厚くなるに従い、２つのコイルパターン１６ａ、１６ｂにより生じる磁束密度が大きく低下する。

一方、スリット部１８ａ、１８ｂがある場合、シールド層１７ａ、１７ｂの厚みによる磁束密度への依存性は低い。すなわち、図８の折れ線５１、５２に示すように、シールド層１７ａ、１７ｂの厚みが厚くなった場合でも、２つのコイルパターン１６ａ、１６ｂにより生じる磁束密度が大きく低下していない。

このように、シールド層１７ａ、１７ｂにスリット部１８ａ、１８ｂを設けることで、シールド層１７ａ、１７ｂの厚みに依存することなく、ホール素子１９によって高い磁界を検知することができる。

発明のいくつかの実施の形態を説明したが、これらの実施の形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施の形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…電流検出装置、１１…基板、１１ａ，１１ｂ…面、１２…増幅回路、１３…検出回路、１４ａ，１４ｂ…パッド、１５ａ，１５ｂ…配線パターン、１６ａ，１６ｂ…コイルパターン、１６ａ１…一端部、１６ａ２…他端部、１６ａ３…平面コイル、１６ａ４…部材、１７ａ，１７ｂ…シールド層、１８ａ、１８ｂ…スリット部、１８ａ１…開口部、１８ａ２…スリット、１９…ホール素子、２０，２２…配線パターン、２１，２３…導体、３１〜３４…折れ線。

Claims

円弧形状の平面コイルと、前記円弧形状の平面コイルの端部から延出する互いに平行な直線部とによって構成されるコイルパターンと、
前記平面コイルの平面に対して直交する方向において前記コイルパターンから離間して配置され、前記コイルパターンが発生する第１の方向の磁界を受けるように配設された磁界検出素子と、
前記コイルパターンと前記磁界検出素子との間に設けられ、スリット部を備えたシールド層と、
を有することを特徴とする電流検出装置。
前記スリット部は、前記コイルパターンを平面視したときに、前記平面コイルの中心に設けられた孔を含む開口部と、前記開口部から延出する少なくとも２つ以上のスリットとを有することを特徴とする請求項１に記載の電流検出装置。
前記スリット部は、前記少なくとも２つ以上のスリットのうち、隣り合うスリットの一端部または他端部を連結する連結部を有することを特徴とする請求項２に記載の電流検出装置。
前記スリット部は、前記前記少なくとも２つ以上のスリットのうち、隣り合うスリットを所定の位置で連結する連結部を有することを特徴とする請求項２に記載の電流検出装置。
前記コイルパターンは、第１及び第２のコイルパターンを含み、
前記第１のコイルパターンが発生する磁束の中心軸と、前記第２のコイルパターンが発生する磁束の中心軸は、同一軸上に位置し、
前記磁界検出素子は、前記第１及び第２のコイルパターンの間であって、前記同一軸上に配設されていることを特徴とする請求項１に記載の電流検出装置。
前記シールド層は、前記磁界検出素子或いは前記磁界検出素子の駆動回路へ入る電磁ノイズを遮蔽することを特徴とする請求項１に記載の電流検出装置。
前記磁界検出素子により検出された電圧信号を増幅する増幅回路と、
前記磁界検出素子を駆動する駆動回路と、を有することを特徴とする請求項１に記載の電流検出装置。