JP2020072447A - 電力増幅回路 - Google Patents
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Links
- 239000010754 BS 2869 Class F Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 48
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 30
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 241001125929 Trisopterus luscus Species 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/217—Class D power amplifiers; Switching amplifiers
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
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- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
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- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
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- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
- H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/391—Indexing scheme relating to amplifiers the output circuit of an amplifying stage comprising an LC-network
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/411—Indexing scheme relating to amplifiers the output amplifying stage of an amplifier comprising two power stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/516—Some amplifier stages of an amplifier use supply voltages of different value
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Abstract
【課題】複数の増幅器を備える構成において高い効率で電力を増幅する電力増幅回路を提供する。【解決手段】電力増幅回路10は、第1信号RF1を増幅する第1増幅器20と、第1増幅器より後段に設けられ、第1増幅器の出力信号に応じた第2信号RF2を増幅する第2増幅器21と、を備える。第1増幅器は、逆F級動作し、第2増幅器はF級動作する。【選択図】図1
Description
本発明は、電力増幅回路に関する。
携帯電話等の移動体通信機に搭載される電力増幅回路においては、送信信号の電力を高い効率で増大させることが求められる。このような高い効率を実現する方法として、電力を増幅するトランジスタにおける電圧波形と電流波形の時間的な重なりを減らすことにより消費電力を抑制する、いわゆるF級動作が知られている。例えば、下記特許文献1には、トランジスタのコレクタと出力端との間、及びエミッタと接地との間の少なくとも一方に設けられたLC並列共振器により送信信号の2次高調波を制御し、これによってトランジスタをF級動作させる高周波増幅回路が開示されている。
他方、電力増幅回路では、送信信号に要求される電力レベルを満たすため、複数のトランジスタが直列に接続され、複数段階にわたって送信信号の電力を増幅する構成が用いられることがある。この点、上記特許文献1では、1段のトランジスタが想定されており、複数のトランジスタが直列に接続された構成において高い効率で電力を増幅させる方法については十分に検討されていない。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、複数の増幅器を備える構成において高い効率で電力を増幅する電力増幅回路を提供することを目的とする。
かかる目的を達成するため、本発明の一側面に係る電力増幅回路は、第1信号を増幅する第1増幅器と、第1増幅器より後段に設けられ、第1増幅器の出力信号に応じた第2信号を増幅する第2増幅器と、を備え、第1増幅器は逆F級動作し、第2増幅器はF級動作する。
本発明によれば、複数の増幅器を備える構成において高い効率で電力を増幅する電力増幅回路を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る電力増幅回路の構成例を示す図である。電力増幅回路10は、例えば、携帯電話等の移動体通信機に搭載され、基地局に送信される無線周波数(RF:Radio−Frequency)信号の電力を増幅するために用いられる。電力増幅回路10は、例えば、2G(第2世代移動通信システム)、3G(第3世代移動通信システム)、4G(第4世代移動通信システム)、5G(第5世代移動通信システム)、LTE(Long Term Evolution)−FDD(Frequency Division Duplex)、LTE−TDD(Time Division Duplex)、LTE−Advanced、及びLTE−Advanced Pro等の通信規格の送信信号を増幅する。RF信号の周波数は、例えば数百MHz〜数十GHz程度である。なお、電力増幅回路10が増幅する信号の通信規格及び周波数はこれらに限られない。
図1に示されるように、電力増幅回路10は、例えば、増幅器20,21、バイアス回路30,31、整合回路40〜42、高調波制御回路50,51、及びキャパシタC1,C2を備える。
増幅器20,21は、それぞれ、入力されるRF信号の電力を増幅して出力する。初段(ドライバ段)の増幅器20(第1増幅器)は、入力端子から整合回路40を経由して入力されるRF信号RF1(第1信号)を増幅して、RF信号RF2を出力する。後段(パワー段)の増幅器21(第2増幅器)は、整合回路41を経由して入力されるRF信号RF2(第2信号)を増幅して、RF信号RF3を出力する。このように、電力増幅回路10は、2段階にわたって送信信号の電力を増幅する。増幅器20,21は、それぞれ、例えばヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT:Heterojunction Bipolar Transistor)等のバイポーラトランジスタにより構成される。なお、増幅器20,21は、HBTに替えてMOSFET(Metal−oxide−semiconductor Field−Effect Transistor)等の電界効果トランジスタにより構成されてもよい。この場合、以下に述べるコレクタ、ベース、エミッタを、それぞれ、ドレイン、ゲート、ソースに読み替えればよい。
バイアス回路30,31は、それぞれ、増幅器20,21にバイアス電流又はバイアス電圧を供給する。バイアス回路30,31は、バイアス電流又はバイアス電圧を調整することにより、増幅器20,21の利得を制御する。
キャパシタC1,C2は、それぞれ、増幅器20,21の入力側に設けられる。キャパシタC1,C2は、RF信号に含まれる直流成分を遮断し、交流成分を通過させる。
整合回路40(MN:Matching Network)は、前段に設けられる回路(不図示)と増幅器20のインピーダンスを整合させる。整合回路41は、増幅器20と増幅器21のインピーダンスを整合させる。整合回路42は、増幅器21と後段に設けられる回路(不図示)とのインピーダンスを整合させる。整合回路40〜42は、例えば、キャパシタ及びインダクタ等により構成される。なお、電力増幅回路10は、他の構成要素が整合回路40〜42のいずれか又は全ての機能を兼ね備えることにより、整合回路40〜42のいずれか又は全てを備えていなくてもよい。
高調波制御回路50,51は、電力増幅回路10が増幅する送信信号を基本波とした場合に、当該基本波の整数倍の高調波を制御する回路である。具体的に、高調波制御回路50は、前段の増幅器20の出力端と後段の増幅器21の入力端との間に直列に接続される。高調波制御回路50は、前段の増幅器20の出力信号に含まれる偶数次高調波(例えば、2次高調波2f0)を開放する周波数特性を有する。高調波制御回路51は、後段の増幅器21の出力端と接地端子との間に直列に接続される。高調波制御回路51は、後段の増幅器21の出力信号に含まれる偶数次高調波(例えば、2次高調波2f0)を接地電位に短絡する周波数特性を有する。このような高調波の制御により、前段の増幅器20は逆F級動作(Class Inverse F)をするように制御され、後段の増幅器21はF級動作(Class F)をするように制御される。
図2Aは、トランジスタをF級動作させた場合におけるトランジスタのコレクタ電圧Vc(実線)及びコレクタ電流Ic(破線)の波形のイメージを示す図である。図2Bは、トランジスタを逆F級動作させた場合におけるトランジスタのコレクタ電圧Vc(実線)及びコレクタ電流Ic(破線)の波形のイメージを示す図である。
F級動作は、出力信号のうち基本波の偶数次高調波(例えば、2次高調波等)を接地電位に短絡し、奇数次高調波(例えば、3次高調波等)を開放するように制御することにより実現される。これにより、F級動作では、図2Aに示されるように、コレクタ電圧Vcの波形が矩形波に近付き、コレクタ電流Icの波形が半波整流波に近付くため、コレクタ電圧Vcの波形とコレクタ電流Icの波形の山が重ならないように位相が調整される。他方、逆F級動作は、出力信号のうち基本波の偶数次高調波(例えば、2次高調波等)を開放し、奇数次高調波(例えば、3次高調波等)を接地電位に短絡するように制御することにより実現される。これにより、逆F級動作では、図2Bに示されるように、コレクタ電圧Vcの波形が半波整流波に近付き、コレクタ電流Icの波形が矩形波に近付くため、コレクタ電圧Vcの波形とコレクタ電流Icの波形の山が重ならないように位相が調整される。このような位相の調整により、F級動作及び逆F級動作ではいずれもコレクタ電圧Vcとコレクタ電流Icの波形が重なる時間が短くなるため、増幅器の消費電力(=コレクタ電流Ic×コレクタ電圧Vc)が理想的には0Wとなる。従って、F級動作及び逆F級動作では、電力増幅回路の電力付加効率が向上する。
なお、F級動作は、電流波形が半波整流波であるため、トランジスタの寄生抵抗成分により電力増幅の特性に影響を及ぼし得るが、電圧波形が矩形波であるため、トランジスタの耐圧を超えるリスクを抑えることができるという利点がある。他方、逆F級動作は、電圧波形が半波整流波であるため、トランジスタの耐圧を超えるリスクがあるが、電流波形が矩形波であるため、寄生抵抗成分に起因する電力増幅の特性への影響が小さいという利点がある。
また、偶数次高調波及び奇数次高調波の双方が制御される構成に代えて、以下に示す各実施形態のように、これらのいずれか一方が制御される構成であっても増幅器をF級動作又は逆F級動作させることができる。次に、高調波を制御する具体的な構成について説明する。
図3は、本発明の第1実施形態に係る電力増幅回路の回路構成を示す図である。
図3に示されるように、電力増幅回路10Aは、図1に示される電力増幅回路10のうち、増幅器20,21、高調波制御回路50,51及び整合回路41の具体的な構成例を示すものである。なお、電力増幅回路10Aにおいては、バイアス回路30,31及び整合回路40,42の図示が省略されている。
増幅器20は、トランジスタQ1により構成される。トランジスタQ1は、コレクタにインダクタL1及びインダクタL4を経由して電源電圧Vcc(第1電源電圧)が供給され、エミッタが接地に接続され、ベースにキャパシタC1を経由してRF信号RF1が供給される。トランジスタQ1は、コレクタからRF信号RF1を増幅したRF信号RF2を出力する。
増幅器21は、トランジスタQ2により構成される。トランジスタQ2は、コレクタにインダクタL2を経由して電源電圧Vccが供給され、エミッタが接地に接続され、ベースに高調波制御回路50A及び整合回路41Aを経由してRF信号RF2が供給される。トランジスタQ2は、コレクタからRF信号RF2を増幅したRF信号RF3を出力する。
なお、図3では、トランジスタQ1,Q2がそれぞれ一つの回路記号により示されているが、これらのトランジスタQ1,Q2は、複数の単位トランジスタが並列接続された構成であってもよい。本明細書において「単位トランジスタ」とは、トランジスタとしての機能を発揮する最小限の構成のことである。
インダクタL1は、一端に電源電圧Vccが供給され、他端がトランジスタQ1のコレクタに接続される。インダクタL2は、一端に電源電圧Vccが供給され、他端がトランジスタQ2のコレクタに接続される。キャパシタC3及びキャパシタC4は、一端に電源電圧Vccが供給され、他端が接地に接続される。インダクタL1,L2及びキャパシタC3,C4は、RF信号の電源回路(不図示)側への漏出を抑制するために設けられている。
整合回路41Aは、キャパシタC5,C6及びインダクタL3を備える。キャパシタC5及びキャパシタC6は、互いに直列に接続される。インダクタL3は、一端がキャパシタC5とキャパシタC6の接続点に接続され、他端が接地に接続される。すなわち整合回路41Aは、いわゆるC−L−CのT型回路により構成される。なお、整合回路41は当該T型回路に限定されず、例えばπ型回路により構成されてもよい。また、キャパシタC5及びキャパシタC6が、図1におけるキャパシタC2に相当する機能を有していてもよい。
高調波制御回路50Aは、例えば、トランジスタQ1のコレクタ(出力端)と整合回路41Aの入力端(すなわち、キャパシタC5の一端)の間に直列に接続される。高調波制御回路50Aは、互いに並列接続されたキャパシタC7(第1キャパシタ)及びインダクタL4(第1インダクタ)を含む並列共振回路により構成される。並列共振回路は、その共振周波数において他の周波数に比べてインピーダンスが顕著に高くなるという周波数特性を有する。本実施形態における高調波制御回路50Aは、その共振周波数が2次高調波の周波数帯域に含まれるか、又は近傍となるように設定されることにより、2次高調波を開放する。なお、本明細書において「開放する」とは、インピーダンスが厳密に無限大であることに限られず、他の周波数に対して当該周波数のインピーダンスが顕著に高くなる状態を含むものとする。
高調波制御回路50Aにおいて、キャパシタC7は、インダクタL4と共に並列共振回路を構成する。キャパシタC7のキャパシタンス値は、例えば直流成分を遮断するために設けられたキャパシタC5のキャパシタンス値より小さい。また、インダクタL4は、キャパシタC7と共に並列共振回路を構成するとともに、前段の増幅器と後段の増幅器のインピーダンスを整合する。インダクタL4のインダクタンス値は、例えば信号を遮断するために設けられたインダクタL1のインダクタンス値より小さい。インダクタL4は、例えばトランジスタQ1,Q2等が形成された半導体チップと同じ半導体チップにおいて、所定のパターンで引き回された配線により形成されてもよい。
本実施形態では、電源電圧Vccが、インダクタL4のうちトランジスタQ2側の一端(すなわち、インダクタL4とキャパシタC5との接続点)に供給される。電源電圧Vccの供給線路より増幅器20側(すなわち、入力側)に並列共振回路が配置されるため、並列共振回路を構成するキャパシタC7及びインダクタL4の定数の設計において、電源電圧Vcc側のインピーダンスを考慮する必要がない。従って、電源電圧VccがインダクタL4のトランジスタQ1側の一端に供給される構成に比べて、キャパシタC7及びインダクタL4の設計が容易となる。なお、電源電圧VccがインダクタL4を経由してトランジスタQ1に供給される構成では、インダクタL4に比較的多くの電流が流れることとなる。しかしながら、後段の増幅器に比べると前段の増幅器における当該電流は少ないため、後段に本構成を採用する場合に比べてインダクタL4に大電流が流れる影響は小さい。
高調波制御回路51Aは、例えば、トランジスタQ2のコレクタ(出力端)と接地端子との間に直列に接続される。高調波制御回路51Aは、互いに直列接続されたキャパシタC8及びインダクタL5を含む直列共振回路により構成される。直列共振回路は、その共振周波数において他の周波数に比べてインピーダンスが顕著に低くなるという周波数特性を有する。本実施形態における高調波制御回路51Aは、その共振周波数が2次高調波の周波数帯域に含まれるか、又は近傍となるように設定されることにより、2次高調波を接地電位に短絡する。なお、本明細書において「短絡する」とは、インピーダンスが厳密にゼロであることに限られず、他の周波数に対して当該周波数のインピーダンスが顕著に低くなる状態を含むものとする。
このような構成により、初段の増幅器20(トランジスタQ1)では、2次高調波が開放されることにより逆F級動作をするように制御され、後段の増幅器21(トランジスタQ2)では、2次高調波が接地電位に短絡されることによりF級動作をするように制御される。これにより、複数の増幅器を備える構成において、高い効率で電力を増幅することができる。
なお、本実施形態では、2段の増幅器を備える構成が示されているが、増幅器の段数はこれに限られず、3段以上であってもよい。電力増幅回路が3段以上の増幅器を備える場合、これらの増幅器のうちいずれかの増幅器が逆F級動作をするように制御され、当該増幅器より後段に設けられたいずれかの増幅器がF級動作をするように制御されていればよい。
図4は、電力増幅回路10A及び比較例における前段のトランジスタのコレクタ電圧及びコレクタ電流の波形のシミュレーション結果を示すグラフである。比較例とは、図3に示される電力増幅回路10Aのうち、キャパシタC7を備えない(すなわち、並列共振回路が構成されない)ものである。図4における縦軸はコレクタ電圧Vc(V)及びコレクタ電流Ic(A)を示し、横軸は時間(psec)を示す。また、本シミュレーションは、基本波の周波数を3.5GHzとした場合の結果である。
図4に示されるように、電力増幅回路10Aでは、比較例に比べてコレクタ電圧Vcが高いときにコレクタ電流Icがより少なくなり、コレクタ電流Icが少ないときにコレクタ電圧Vcが上昇している。従って、電力増幅回路10Aによると、コレクタ電圧Vcとコレクタ電流Icの波形が重なる領域が小さくなることにより電力損失が低減されるため、比較例に比べて効率が向上すると言える。
図5Aは、電力増幅回路10A及び比較例における前段のトランジスタの利得のシミュレーション結果を示すグラフである。図5Bは、電力増幅回路10A及び比較例における前段のトランジスタの電力付加効率のシミュレーション結果を示すグラフである。図5Aにおける縦軸は利得(dB)を示し、横軸は出力電力Pout(dBm)を示す。図5Bにおける縦軸は電力付加効率(%)を示し、横軸は出力電力Pout(dBm)を示す。また、本シミュレーションは、基本波の周波数を3.5GHzとした場合の結果である。
図5Aに示されるように、電力増幅回路10Aでは、比較例に比べて出力電力の増大に伴う利得の低下が抑制され、利得の線形性が向上している。また、図5Bに示されるように、電力増幅回路10Aでは、比較例に比べて出力電力の増大に伴う電力付加効率が向上している。
図6Aは、電力増幅回路10A及び比較例における前段のトランジスタから見た整合回路41A側の反射特性(SパラメータS11)を示すスミスチャートである。すなわち、トランジスタQ1から見て、高調波制御回路50Aを含む場合及び含まない場合における出力側の反射特性を示している。図6Aにおけるf0は、電力増幅回路10A及び比較例における基本波の周波数を示し、2つの2f0はそれぞれ、電力増幅回路10A及び比較例における2次高調波の周波数を示す。
図6Bは、電力増幅回路10A及び比較例における前段のトランジスタの通過特性(SパラメータS21)のシミュレーション結果を示すグラフである。図6Bにおける縦軸は前段のトランジスタのSパラメータS21(dB)を示し、横軸は周波数(GHz)を示す。図6A及び図6Bに示すシミュレーションは、信号の周波数を100MHz〜15GHzに変化させた場合の結果である。
図6Aに示されるように、例えば基本波の周波数を3.5GHzと想定すると、2次高調波の周波数である7.0GHz付近において、電力増幅回路10Aでは比較例に比べてインピーダンスがより高くなり、開放に近付いていることが分かる。また、図6Bに示されるように、電力増幅回路10Aでは、2次高調波の周波数の付近の信号が大きく減衰している一方、基本波の減衰量は比較例とほぼ変わらないことが分かる。すなわち、電力増幅回路10Aによると、基本波の損失を抑制しつつ、2次高調波を選択的に減衰させることができると言える。
図7は、並列共振回路を構成するキャパシタC7とインダクタL4の定数を変化させた場合における前段のトランジスタの通過特性(SパラメータS21)のシミュレーション結果を示すグラフである。本シミュレーションでは、キャパシタのキャパシタンス値C及びインダクタのインダクタンス値Lの組み合わせを、それぞれ、C=0.2pF及びL=2.2nH、C=0.35pF及びL=1.2nH、C=1.0pF及びL=0.35nHとした場合の通過特性を示す。図7における縦軸は前段のトランジスタのSパラメータS21(dB)を示し、横軸は周波数(GHz)を示す。
図7に示されるように、キャパシタC7のキャパシタンス値が大きいほど2次高調波の減衰量は多くなるが、これに伴い基本波の減衰量も多くなる。従って、キャパシタC7のキャパシタンス値とインダクタL4のインダクタンス値の組み合わせは、基本波の損失量、電力効率の要求レベル、及び各整合回路の整合条件等に応じて適宜設計することが好ましい。
図8は、本発明の第1実施形態の変形例に係る電力増幅回路の回路構成を示す図である。なお、本変形例以降では、第1実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
同図に示されるように、電力増幅回路10Bは、電力増幅回路10Aに比べて、前段の増幅器の電源電圧が供給される位置が異なる。具体的に、電力増幅回路10Bでは、インダクタL1の他端がトランジスタQ1と高調波制御回路50Aとの接続点に接続される。このように、電源電圧Vccは、並列共振回路を経由せずにトランジスタQ1に供給されてもよい。この場合、上述の電力増幅回路10Aに比べて、並列共振回路に含まれるインダクタL4の抵抗成分に起因する電圧降下の発生を回避することができる。
図9は、本発明の第1実施形態の他の変形例に係る電力増幅回路の回路構成を示す図である。
同図に示されるように、電力増幅回路10Cは、上述の電力増幅回路10Aと回路構成は同様であるが、並列共振回路に含まれるインダクタL4の形成方法が異なる。本実施形態におけるインダクタL4は、トランジスタQ1,Q2等が形成される半導体チップの外部に形成される。具体的には、例えば、インダクタL4はインダクタンス素子により構成されてもよく、半導体チップが実装される基板と半導体チップとを電気的に接続するボンディングワイヤ又はバンプにより構成されてもよく、あるいは当該基板に形成された配線により構成されてもよい。このように、インダクタL4の形成方法は特に限定されない。
インダクタL4が半導体チップの外部に設けられる構成では、半導体チップに配線により設けられる構成に比べて、インダクタL4の配線幅を広くしやすいため、並列共振回路のQ値を向上させることができる。従って、このような構成によると、インダクタL4を半導体チップ内に設ける構成に比べて、基本波の損失を抑制することができる。
なお、電力増幅回路10Cにおいても、上述の電力増幅回路10Bと同様に、電源電圧VccがインダクタL4を経由せずにトランジスタQ1に供給されてもよい。
図10は、本発明の第2実施形態に係る電力増幅回路の回路構成を示す図である。
同図に示されるように、電力増幅回路10Dは、後段の増幅器21の構成が上述の各実施形態と異なる。具体的に、電力増幅回路10Dは、電力増幅回路10Aに比べて、トランジスタQ3、バイアス回路32、調整回路60、キャパシタC9、及びインダクタL6,L7を備える。なお、図10においては、図3におけるキャパシタC3,C4に相当するキャパシタの図示が省略されている。
トランジスタQ2(下段トランジスタ)は、上述の各実施形態と同様に、コレクタ(第1端子)にインダクタL2を経由して電源電圧Vcc(第2電源電圧)が供給され、エミッタ(第2端子)が接地に接続され、ベース(第3端子)にキャパシタC2を経由してRF信号RF2(第2信号)が供給される。
トランジスタQ3(上段トランジスタ)は、コレクタ(第1端子)にインダクタL6を経由して電源電圧Vcc(第3電源電圧)が供給され、エミッタ(第2端子)がインダクタL7を経由して接地に接続され、ベース(第3端子)にバイアス回路32から出力されるバイアス電流又はバイアス電圧が調整回路60を経由して供給される。また、トランジスタQ3のエミッタは、キャパシタC9を経由してトランジスタQ2のコレクタに接続される。これにより、トランジスタQ3は、コレクタから、RF信号RF2を増幅させた信号を出力する。
キャパシタC9(第2キャパシタ)は、上段のトランジスタQ3のエミッタと、下段のトランジスタQ2のコレクタとの間を接続する。キャパシタC9は、上段のトランジスタQ3と下段のトランジスタQ2を直流においては分離させ、交流においては接続する機能を有する。
インダクタL7(第2インダクタ)は、一端が上段のトランジスタQ3のエミッタに接続され、他端が接地される。インダクタL7は、上段のトランジスタQ3のエミッタを直流において接地に接続させる機能を有する。
バイアス回路32は、バイアス電流又はバイアス電圧を生成し、調整回路60を経由して上段のトランジスタQ3のベースに供給する。
調整回路60は、バイアス回路32と上段のトランジスタQ3のベースとの間に設けられる。調整回路60は、トランジスタQ3のベース端子から見込んだインピーダンスを調整することにより、トランジスタQ3のベースに供給される電圧(駆動電圧)の振幅動作がバイアス回路32によって制限されることを阻止する。すなわち、上段のトランジスタQ3がオンとなるためには、当該トランジスタQ3のベース・エミッタ間電圧が所定の電圧以上である必要がある。言い換えると、トランジスタQ3のベース電圧は、当該トランジスタQ3のエミッタ電圧の変動に伴って変動する必要がある。この点、調整回路60は、トランジスタQ3のベース電圧を交流において変動させるように機能する。なお、調整回路60は、例えば直列接続されたインダクタ及びキャパシタを含んで構成されてもよい。
トランジスタQ2,Q3、キャパシタC9及びインダクタL7が上述のように接続される効果について、電源電圧Vccがいずれも3Vであるものとして説明する。
下段のトランジスタQ2のコレクタ電圧は、直流においては電源電圧Vcc(DC3V)が供給されるため、DC3V±AC3Vの範囲において変動する。次に、上段のトランジスタQ3のエミッタ電圧は、直流においては接地され、交流においては下段のトランジスタQ2のコレクタと接続されるため、DC0V±AC3Vの範囲において変動する。トランジスタQ3のコレクタ電圧は、直流においては電源電圧Vcc(DC3V)が供給され、交流においてはトランジスタQ3のエミッタの信号振幅と合算されるため、DC3V±AC6Vの範囲において変動する。従って、上段のトランジスタQ3のコレクタ・エミッタ間の信号振幅は、下段のトランジスタQ2のコレクタ・エミッタ間の信号振幅と同じでありながら、上段のトランジスタQ3のコレクタの信号振幅は、コレクタ・エミッタ間の信号振幅の2倍となる。
信号の出力電力をP、コレクタ電圧をV、増幅器の負荷インピーダンスをRとすると、P=V2/Rの関係が成り立つ。このとき、電圧振幅が2倍になり、出力電力が2倍になるには、負荷インピーダンスが2倍になればよい。従って、電力増幅回路10Dによると、上述の各実施形態に比べて、電源電圧Vccを上昇させることなく負荷インピーダンスを2倍とすることができ、すなわち信号の最大出力電力を増大させることができる。
なお、縦に接続されるトランジスタの数は2つに限られず、3つ以上であってもよい。また、高調波制御回路51の一端は、上段のトランジスタQ3のコレクタに接続される構成に限られず、下段のトランジスタQ2のコレクタからキャパシタC9及びトランジスタQ3を経由して整合回路42に至る信号経路のいずれかに接続されていればよい。
図11A及び図11Bは、並列共振回路に含まれるインダクタL4を半導体チップに形成する場合における構成例を示す平面図である。具体的に、図11A及び図11Bは、インダクタL4が形成される半導体チップ100の主面を平面視した場合における平面図を示す。半導体チップ100の主面の平面視において、配線110が渦巻状になるように引き回されることにより、インダクタンス成分が構成される。具体的に、半導体チップ100は、第1層及び第2層を含む複数の層を有する。配線110は、半導体チップ100のうち、第1層に形成される第1部分111A,111Bと、第2層に形成される第2部分112A、112Bと、第1層及び第2層にわたって形成される第3部分113A,113Bと、を含む。半導体チップ100の平面視において、配線110の第3部分は交差せず、配線110の第1部分111A,111Bと第2部分112A,112Bとが交差することにより、インダクタL4が形成された領域から配線110の両端部が外部に引き出される。
ここで、配線110においては、図11Bに示されるように、第1部分111B及び第2部分112Bのうち、例えば層厚が薄い方(本実施形態では第1部分111B)の線幅が、配線が交差しない第3部分113Bの線幅より広いことが好ましい。これにより、第1部分111A及び第2部分112Bの線幅が第3部分113Aの線幅とほぼ等しい構成(図11A参照)に比べて、当該交差する部分に流れる電流の許容量を増加させることができる。従って、例えば比較的多くの電流が流れるインダクタL4には当該構成を適用することが好ましい。さらに、第1部分111Bの線幅が広いことにより、配線に含まれる抵抗成分を低減させることができる。従って、インダクタL4に当該構成を適用した場合に、電圧降下の程度を抑制することができる。
以上、本発明の例示的な実施形態について説明した。電力増幅回路10,10A〜10Dは、RF信号RF1を増幅する増幅器20と、増幅器20より後段に設けられ、増幅器20の出力信号に応じたRF信号RF2を増幅する増幅器21と、を備え、増幅器20は逆F級動作し、増幅器21はF級動作する。これにより、複数の増幅器を備える構成において高い効率で電力を増幅することができる。
また、電力増幅回路10A〜10Dは、増幅器20の出力端と増幅器21の入力端との間に直列に接続された並列共振回路と、増幅器21の出力端と接地端子との間に直列に接続された直列共振回路と、をさらに備え、並列共振回路は、増幅器20の出力信号に含まれる基本波の偶数次高調波を開放し、直列共振回路は、増幅器21の出力信号に含まれる基本波の偶数次高調波を接地電位に短絡させる。これにより、増幅器20を逆F級動作させ、増幅器21をF級動作させることができる。
また、電力増幅回路10A,10C,10Dにおいて、並列共振回路は、互いに並列接続されたキャパシタC7及びインダクタL4を含み、電源電圧は、インダクタL4の増幅器21側の一端から当該インダクタL4を経由して増幅器20に供給される。電源回路より増幅器20側に並列共振回路が配置されるため、並列共振回路のキャパシタC7及びインダクタL4の定数の設計において電源電圧Vcc側のインピーダンスを考慮する必要がなく、当該設計が容易となる。
また、電力増幅回路10A,10B,10Dにおいて、インダクタL4は、複数の層を有するチップ又は基板に形成された配線110により形成され、配線110は、複数の層のうち第1層に形成された第1部分111Bと、複数の層のうち第2層に形成され、チップ又は基板の平面視において第1部分111Bと交差する第2部分112Bとを有し、第1部分111B及び第2部分112Bのうち少なくとも一方の線幅は、配線110が交差しない第3部分113Bの線幅より広い。これにより、第1部分及び第2部分の線幅が第3部分の線幅とほぼ等しい構成に比べて、当該交差する部分に流れる電流の許容量を増加させることができる。また、配線に含まれる抵抗成分を低減させることができる。
また、電力増幅回路10Dにおいて、増幅器21は、電源電圧Vccが供給される第1端子と、接地電位が供給される第2端子と、RF信号RF2が供給される第3端子と、を有するトランジスタQ2と、キャパシタC9と、電源電圧Vccが供給されるとともにRF信号RF2を増幅させた信号を出力する第1端子と、キャパシタC9を経由してトランジスタQ2の第1端子と接続される第2端子と、駆動電圧が供給される第3端子と、を有するトランジスタQ3と、トランジスタQ3の第2端子を接地に接続するインダクタL7と、駆動電圧を調整する調整回路60と、を含む。これにより、電力増幅回路10Dによると、電力増幅回路10A〜10Cに比べて、電源電圧Vccを上昇させることなく信号の最大出力電力を増大させることができる。
以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更又は改良され得るとともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
10,10A〜10D…電力増幅回路、20,21…増幅器、30〜32…バイアス回路、40〜42,41A…整合回路、50,50A,51,51A…高調波制御回路、60…調整回路、100…半導体チップ、110…配線、111A,111B…第1部分、112A,112B…第2部分、113A,113B…第3部分、Q1〜Q3…トランジスタ、C1〜C9…キャパシタ、L1〜L7…インダクタ
Claims (5)
- 第1信号を増幅する第1増幅器と、
前記第1増幅器より後段に設けられ、前記第1増幅器の出力信号に応じた第2信号を増幅する第2増幅器と、を備え、
前記第1増幅器は逆F級動作し、前記第2増幅器はF級動作する、
電力増幅回路。 - 前記電力増幅回路は、
前記第1増幅器の出力端と前記第2増幅器の入力端との間に直列に接続された並列共振回路と、
前記第2増幅器の出力端と接地端子との間に直列に接続された直列共振回路と、をさらに備え、
前記並列共振回路は、前記第1増幅器の出力信号に含まれる基本波の偶数次高調波を開放し、
前記直列共振回路は、前記第2増幅器の出力信号に含まれる基本波の偶数次高調波を接地電位に短絡させる、
請求項1に記載の電力増幅回路。 - 前記並列共振回路は、互いに並列接続された第1キャパシタ及び第1インダクタを含み、
第1電源電圧は、前記第1インダクタの前記第2増幅器側の一端から当該第1インダクタを経由して前記第1増幅器に供給される、
請求項2に記載の電力増幅回路。 - 前記第1インダクタは、複数の層を有するチップ又は基板に形成された配線により形成され、
前記配線は、前記複数の層のうち第1層に形成された第1部分と、前記複数の層のうち第2層に形成され、前記チップ又は前記基板の平面視において前記第1部分と交差する第2部分とを有し、
前記第1部分及び前記第2部分のうち少なくとも一方の線幅は、前記配線が交差しない部分の線幅より広い、
請求項3に記載の電力増幅回路。 - 前記第2増幅器は、
第2電源電圧が供給される第1端子と、接地電位が供給される第2端子と、前記第2信号が供給される第3端子と、を有する下段トランジスタと、
第2キャパシタと、
第3電源電圧が供給されるとともに前記第2信号を増幅させた信号を出力する第1端子と、前記第2キャパシタを経由して前記下段トランジスタの前記第1端子と接続される第2端子と、駆動電圧が供給される第3端子と、を有する上段トランジスタと、
前記上段トランジスタの前記第2端子を接地に接続する第2インダクタと、
前記駆動電圧を調整する調整回路と、
を含む、
請求項1から4のいずれか一項に記載の電力増幅回路。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018207343A JP2020072447A (ja) | 2018-11-02 | 2018-11-02 | 電力増幅回路 |
CN201921759941.8U CN210405231U (zh) | 2018-11-02 | 2019-10-18 | 功率放大电路 |
KR1020190131583A KR102415532B1 (ko) | 2018-11-02 | 2019-10-22 | 전력 증폭 회로 |
US16/671,626 US11381204B2 (en) | 2018-11-02 | 2019-11-01 | Power amplifier circuit |
US17/806,524 US11824499B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-06-13 | Power amplifier circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018207343A JP2020072447A (ja) | 2018-11-02 | 2018-11-02 | 電力増幅回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020072447A true JP2020072447A (ja) | 2020-05-07 |
Family
ID=70342444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018207343A Pending JP2020072447A (ja) | 2018-11-02 | 2018-11-02 | 電力増幅回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11381204B2 (ja) |
JP (1) | JP2020072447A (ja) |
KR (1) | KR102415532B1 (ja) |
CN (1) | CN210405231U (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113572439B (zh) * | 2020-04-28 | 2024-02-09 | 株式会社村田制作所 | 功率放大电路 |
CN113659945A (zh) * | 2020-05-12 | 2021-11-16 | 株式会社村田制作所 | 匹配电路以及功率放大电路 |
JP2021180472A (ja) * | 2020-05-12 | 2021-11-18 | 株式会社村田製作所 | 整合回路、電力増幅回路 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002073794A2 (en) * | 2001-03-09 | 2002-09-19 | California Institute Of Technology | Switchless multi-resonant, multi-band power amplifier |
JP2006005643A (ja) | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Sharp Corp | 高周波増幅回路および半導体集積回路 |
WO2007091212A1 (en) * | 2006-02-10 | 2007-08-16 | Nxp B.V. | Power amplifier |
KR101088240B1 (ko) * | 2006-11-30 | 2011-11-30 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 고주파 증폭기 |
TWI478492B (zh) * | 2012-01-17 | 2015-03-21 | Richwave Technology Corp | 匹配電路系統 |
US9503025B2 (en) * | 2014-07-11 | 2016-11-22 | Skyworks Solutions, Inc. | Power amplifier with termination circuit and resonant circuit |
JP6336504B2 (ja) | 2015-03-31 | 2018-06-06 | スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. | 多重帯域電力増幅器 |
JP2018085689A (ja) | 2016-11-25 | 2018-05-31 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅回路 |
-
2018
- 2018-11-02 JP JP2018207343A patent/JP2020072447A/ja active Pending
-
2019
- 2019-10-18 CN CN201921759941.8U patent/CN210405231U/zh active Active
- 2019-10-22 KR KR1020190131583A patent/KR102415532B1/ko active IP Right Grant
- 2019-11-01 US US16/671,626 patent/US11381204B2/en active Active
-
2022
- 2022-06-13 US US17/806,524 patent/US11824499B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11824499B2 (en) | 2023-11-21 |
US11381204B2 (en) | 2022-07-05 |
CN210405231U (zh) | 2020-04-24 |
KR102415532B1 (ko) | 2022-07-01 |
US20200144965A1 (en) | 2020-05-07 |
KR20200050866A (ko) | 2020-05-12 |
US20220311385A1 (en) | 2022-09-29 |
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