JP2020055091A

JP2020055091A - 被加工物の研削方法

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Publication number: JP2020055091A
Application number: JP2018188984A
Authority: JP
Inventors: 祐哉松岡; Yuya Matsuoka
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2018-10-04
Filing date: 2018-10-04
Publication date: 2020-04-09

Abstract

【課題】ウェーハ等の被加工物に研削加工を施す場合に、保護部材に研削屑が固着することを防ぐ。【解決手段】被加工物Ｗの表面Ｗａを保護部材Ｔで覆うステップと、表面保護ステップにて貼着された保護部材Ｔを加熱し、保護部材Ｔの表面Ｔａを溶融させるステップと、保護部材溶融ステップ後の保護部材Ｔの表面Ｔａにプラズマ処理を施すステップと、被加工物Ｗの保護部材Ｔをチャックテーブル３０の保持面３００ａで保持し、保持面３００ａと直交する回転軸３１０で回転する研削砥石３１３ａで被加工物Ｗの裏面Ｗｂを研削し、被加工物Ｗを所望の仕上げ厚さまで薄化するステップと、を備え、保護部材溶融ステップと保護部材プラズマ処理ステップとを実施することで、保護部材Ｔの表面Ｔａが平坦化、且つ親水化することにより、裏面研削ステップにおいて保護部材Ｔの表面Ｔａへの研削屑の付着を抑制することが可能となる被加工物の研削方法。【選択図】図３

Description

本発明は、被加工物を研削砥石で研削する研削方法に関する。

半導体ウェーハ等の被加工物を薄化する薄化加工を可能とする装置として、ウェーハのデバイスが形成されている表面に対して反対側となる裏面を研削砥石で研削する研削装置が知られている。

このような研削装置では、研削によって研削屑が大量に発生し、ウェーハの被研削面である裏面のみならず、保持テーブルで吸着されているウェーハの下面（表面）に貼着され下面を保護する保護部材の周縁部にも研削屑が付着し、後のデバイス不良に繋がる可能性がある。

そのため、このような研削装置による薄化加工の次工程では、ウェーハの保護部材が貼着されている下面側の洗浄が実施される。そして、薄化加工の次工程でウェーハの下面側を洗浄する装置として、ウェーハの上面（裏面）に異物が付着することを防ぐためにウェーハの上面を押圧せず、ウェーハの自重によって洗浄ブラシにウェーハの下面側を接触させる洗浄装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特許５９５５６３５号公報

しかしながら、一度保護部材に固着した研削屑は、後に上記特許文献１に記載されているような装置を用いて洗浄しても十分に除去することができない。
よって、ウェーハに研削加工を施す場合には、ウェーハを保護する保護部材に研削屑が固着することを防ぐという課題がある。

上記課題を解決するための本発明は、格子状に形成された複数の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物の裏面を、研削砥石で研削する被加工物の研削方法であって、該被加工物の表面を保護部材で覆う表面保護ステップと、該表面保護ステップにて貼着された該保護部材を加熱し、該保護部材の表面を溶融させる保護部材溶融ステップと、該保護部材溶融ステップ後の該保護部材の表面にプラズマ処理を施す保護部材プラズマ処理ステップと、該被加工物の該保護部材をチャックテーブルの保持面で保持し、該保持面と直交する回転軸で回転する研削砥石で該裏面を研削し、被加工物を所望の仕上げ厚さまで薄化する裏面研削ステップと、を備え、該保護部材溶融ステップと該保護部材プラズマ処理ステップとを実施することで、該保護部材の表面が平坦化、且つ親水化することにより、該裏面研削ステップにおいて該保護部材の表面への研削屑の付着を抑制することが可能となる被加工物の研削方法である。

本発明に係る被加工物の研削方法において、例えば、前記保護部材は、表面に梨地加工がされ微細な起伏を有する粘着テープである。

本発明に係る被加工物の研削方法においては、被加工物の表面を保護部材で覆う表面保護ステップと、表面保護ステップにて貼着された保護部材を加熱し、保護部材の表面を溶融させる保護部材溶融ステップと、保護部材溶融ステップ後の保護部材の表面にプラズマ処理を施す保護部材プラズマ処理ステップと、被加工物の保護部材をチャックテーブルの保持面で保持し、保持面と直交する回転軸で回転する研削砥石で裏面を研削し、被加工物を所望の仕上げ厚さまで薄化する裏面研削ステップと、を備えており、保護部材溶融ステップと保護部材プラズマ処理ステップとを実施することで、保護部材の表面が平坦化、且つ親水化することにより、裏面研削ステップにおいて保護部材の表面への研削屑の付着を抑制することが可能となる。そのため、研削後の被加工物を洗浄する際に、たとえ研削屑が保護部材（特に表面の周縁部）に付着していたとしても、洗浄によって容易に保護部材から研削屑を洗浄除去できる。これは、平坦化及び親水化によって、保護部材の表面では研削水が接触している状態が維持されることにより、研削屑が付着したとしても保護部材の表面が乾燥しにくいので研削屑が固着することが抑制されるためである。

被加工物の表面を保護部材で覆っている状態を説明する斜視図である。被加工物に貼着された保護部材を加熱し、保護部材の表面を溶融させている状態を説明する断面図である。被加工物に貼着された保護部材の表面にプラズマ処理を施している状態を模式的に説明する断面図である。研削装置の一例を示す斜視図である。被加工物の裏面を粗研削手段により研削している状態を説明する断面図である。

以下に、本発明に係る被加工物の研削方法の各ステップについて説明する。
（１）表面保護ステップ
図１に示す被加工物Ｗは、例えば、シリコンを母材とする外形が円形板状の半導体ウェーハであり、図１において上側を向いている表面Ｗａには、直交差する複数の分割予定ラインＳが形成されており、分割予定ラインＳによって格子状に区画された各領域にはＩＣ等のデバイスＤがそれぞれ形成されている。被加工物Ｗの表面Ｗａと反対側の裏面Ｗｂは、研削加工が施される被研削面となる。なお、被加工物Ｗはシリコン以外にガリウムヒ素、サファイア、窒化ガリウム又はシリコンカーバイド等で構成されていてもよいし、その外形も円形状ではなく、例えば、矩形状に形成されていてもよい。

まず、被加工物Ｗの表面Ｗａには、例えば、被加工物Ｗと略同径の円形の保護部材Ｔが貼着されて、表面Ｗａは保護部材Ｔで覆われ保護された状態になる。保護部材Ｔは、例えば、ある程度の柔軟性を有した樹脂（例えば、ポリオレフィン又は塩化ビニル等）からなる基材層と基材層上の粘着層とを備える粘着テープである。本実施形態においては、例えば、基材層の露出面、即ち保護部材Ｔの表面Ｔａは梨地加工がされており微細な起伏を備えているが、梨地加工がされていないもの（例えば、ポリエチレンテレフタラートからなる保護部材）であってもよい。なお、保護部材Ｔの表面Ｔａの梨地加工は、例えば、保護部材Ｔが流通する段階において保護部材Ｔ同士がくっつかないようにするために、一般的に形成されているものである。

（２）保護部材溶融ステップ
次いで、図２に示すように、表面保護ステップにて貼着された保護部材Ｔを例えばヒートガン２０を用いて加熱（例えば、約１００度以上の熱風を吹きつけて加熱）し、例えば保護部材Ｔの表面Ｔａ全面を溶融させる。これによって、保護部材Ｔの表面Ｔａの微細な起伏が溶融して表面Ｔａの平坦度が高まる。例えば、保護部材Ｔがリンテック株式会社製の商品名Ｅ−６１４２Ｓである場合には、熱処理前の表面Ｔａの算術平均粗さは０．５６０μｍであり、起伏の最大高さは３．５４７μｍであった。そして、熱処理後の表面Ｔａの算術平均粗さは０．０５１μｍとなり、起伏の最大高さは０．２０５μｍとなり、平坦度が高まった。
保護部材Ｔの溶融は、例えば、ヒータやキセノンフラッシュランプを用いた加熱によって行われてもよい。又は、所定温度に加熱されたホットプレート上に保護部材Ｔが貼着された被加工物Ｗを載置して保護部材Ｔの溶融を行ってもよい。

（３）保護部材プラズマ処理ステップ
次いで、保護部材溶融ステップ後の保護部材Ｔの表面Ｔａにプラズマ処理を施す。該プラズマ処理は、本実施形態においては、真空雰囲気を実現するための真空チャンバーが不要である所謂大気圧プラズマにより行う。

例えば、図３に示すように、被加工物Ｗに貼着された保護部材Ｔの上方に平行平板型の大気圧プラズマ源４が位置付けられる。大気圧プラズマ源４は、図３に示すように、互いに相対する一対の電極４１、４２と、該一対の電極４１、４２の少なくとも一方の対向面に設けられた図示しない固体誘電体と、一対の電極４１、４２間に設けられた放電空間４３中に大気圧近傍の圧力で、処理ガス（例えば、ヘリウムガス、ネオンガス等の希ガス）を供給するガス供給部４４と、一対の電極４１、４２間に高周波電圧を印加する高周波電源４５などを含んで構成されている。一方の電極４１は接地され、他方の電極４２は高周波電源４５に接続されている。

大気圧プラズマ源４は、高周波電源４５により高周波電圧が印加される一対の電極４１、４２間の放電空間４３に、ガス供給部４４から処理ガスを導入し、放電空間４３で放電を起こさせて得られる放電プラズマを噴出口４６から放電空間４３外に位置する被加工物Ｗに貼着された保護部材Ｔの表面Ｔａに照射する。大気圧プラズマ源４の放電プラズマを照射する噴出口４６は、被加工物Ｗに貼着された保護部材Ｔの表面Ｔａに相対して配設されている。なお、大気圧プラズマ源４は、処理ガスを用いず大気中の気体を用いてプラズマを発生させてもよい。

保護部材プラズマ処理ステップでは、例えば、移動する大気圧プラズマ源４が図３に示す保護部材Ｔの表面Ｔａ全面にプラズマ照射を行う。その結果、保護部材Ｔの表面Ｔａ全面がプラズマ処理される。即ち、発生したプラズマの電子、イオン、又はラジカルが保護部材Ｔの表面Ｔａに接触することで、保護部材Ｔの表面Ｔａ自体や表面Ｔａ上の有機汚濁等の分子間結合及び原子間結合を切断して励起状態にする。さらに、保護部材Ｔの表面Ｔａ上にある炭素や水素等と結合して、ヒドロキシル基、アルデヒド基、及びカルボキシル基等の極性の大きな親水基を表面Ｔａ上に形成していく。その結果、保護部材Ｔの表面Ｔａが親水化して、保護部材Ｔの表面Ｔａにおいて研削水等が水滴になりにくくなり、保護部材Ｔの表面Ｔａの全体に研削水等が水膜状に広がりやすくなる（ぬれ性が向上する）。
なお、保護部材プラズマ処理ステップでは、保護部材Ｔの表面Ｔａに加えて、保護部材Ｔの外側面もプラズマ処理によって親水化されるものとすると好ましい。

例えば、保護部材Ｔに対するプラズマ処理が施された被加工物Ｗは、図示しないウェーハカセットに棚状に収容され、後述する図４に示す研削装置３に搬送される。

なお、保護部材プラズマ処理ステップは、誘電コイルにプラズマ発生用の高周波電力を印加し、誘電コイルに形成された磁場との相互作用により真空雰囲気としたチャンバー内の処理ガスをプラズマ化する誘導結合型プラズマ方式（ＩＣＰ）、所定波長のマイクロ波の組み合わせで電子がサイクロトン共振することを利用してプラズマを発生させるＥＣＲ、又は、チャンバー内に上部電極、下部電極を対向させ、両電極間に高周波電圧を印加して処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマ中のイオンを下部電極に印加したバイアスにより下部電極上の保護部材Ｔが貼着された被加工物Ｗに引き込んで、保護部材Ｔをプラズマ処理する容量結合型プラズマ方式（ＣＣＰ）等で行われてもよい。

（４）裏面研削ステップ
被加工物Ｗは、図４に示す研削装置３に搬送される。研削装置３は、チャックテーブル３０によって吸引保持された被加工物Ｗに研削加工を施す装置である。
研削装置３のベース３Ａ上の前方（−Ｙ方向側）は、被加工物Ｗを搬送可能なロボット３３０によってチャックテーブル３０に対して被加工物Ｗの着脱が行われる領域となっており、ベース３Ａ上の後方（＋Ｙ方向側）は、被加工物Ｗに対して粗研削を施す粗研削手段３１又は被加工物Ｗに対して仕上げ研削を施す仕上げ研削手段３２によってチャックテーブル３０上に保持された被加工物Ｗの研削が行われる領域となっている。
なお、研削装置３は、研削手段が一軸の研削装置であってもよい。

ベース３Ａ上の前方側には、研削前の被加工物Ｗを収容する第一のカセット３３１及び研削済みの被加工物Ｗを収容する第二のカセット３３２が配設されている。第一のカセット３３１及び第二のカセット３３２の近傍には、第一のカセット３３１から研削前の被加工物Ｗを搬出すると共に、研削済みの被加工物Ｗを第二のカセット３３２に搬入する機能を有するロボット３３０が配設されている。

ロボット３３０の可動域には、研削前の被加工物Ｗを所定の位置に位置合わせする位置合わせ手段３３３及び研削済みの被加工物Ｗを洗浄する洗浄手段３３４が配設されている。洗浄手段３３４は、例えば、枚葉式のスピンナー洗浄装置であり、研削済みの被加工物Ｗを吸引保持するスピンナーテーブルを備えている。

位置合わせ手段３３３の近傍には第一の搬送手段３３５が配設され、洗浄手段３３４の近傍には第二の搬送手段３３６が配設されている。第一の搬送手段３３５は、位置合わせ手段３３３に載置された研削前の被加工物Ｗを図１に示すいずれかのチャックテーブル３０に搬送する機能を有し、第二の搬送手段３３６は、いずれかのチャックテーブル３０に保持された研削済みの被加工物Ｗを洗浄手段３３４に搬送する機能を有する。

ベース３Ａ上の第一の搬送手段３３５の後方側（＋Ｙ方向側）には、ターンテーブル３４が配設されており、ターンテーブル３４の上面には、例えば３つのチャックテーブル３０が周方向に等間隔を空けて配設されている。ターンテーブル３４の中心には、ターンテーブル３４を自転させるための図示しない回転軸が配設されており、回転軸を中心としてターンテーブル３４をベース３Ａ上で自転させることができる。そして、ターンテーブル３４の回転によって、いずれかのチャックテーブル３０が第一の搬送手段３３５及び第二の搬送手段３３６の近傍に位置付けされる構成となっている。

チャックテーブル３０は、ターンテーブル３４によって公転可能に支持されている。また、チャックテーブル３０はターンテーブル３４上で鉛直方向（Ｚ軸方向）の回転軸周りに回転可能となっている。チャックテーブル３０は、例えば、その外形が円形状となっており、ポーラス部材等からなり被加工物Ｗを吸着保持する吸着部３００と、吸着部３００を支持する枠体３０１とを備える。吸着部３００は図示しない吸引源に連通し、吸引源が吸引することで生み出された吸引力が、吸着部３００の露出面である保持面３００ａに伝達されることで、チャックテーブル３０は保持面３００ａ上で被加工物Ｗを吸引保持する。

ベース３Ａ上の後方側には、コラム３Ｂ及びコラム３Ｃが並べて立設されており、コラム３Ｂの前面には、粗研削手段３１をチャックテーブル３０によって保持された被加工物Ｗに対して研削送りする第一の研削送り手段３５が配設されており、コラム３Ｃの前面には、仕上げ研削手段３２をチャックテーブル３０によって保持された被加工物Ｗに対して研削送りする第二の研削送り手段３６が配設されている。

第一の研削送り手段３５は、鉛直方向の軸心を有するボールネジ３５０と、ボールネジ３５０と平行に配設された一対のガイドレール３５１と、ボールネジ３５０に連結されボールネジ３５０を回動させるモータ３５２と、内部のナットがボールネジ３５０に螺合すると共に側部がガイドレール３５１に摺接する昇降部３５３とから構成され、モータ３５２がボールネジ３５０を回転させることに伴い昇降部３５３がガイドレール３５１にガイドされて昇降する構成となっている。昇降部３５３は粗研削手段３１を支持しており、昇降部３５３の昇降によって粗研削手段３１も昇降する。

第二の研削送り手段３６は、鉛直方向の軸心を有するボールネジ３６０と、ボールネジ３６０と平行に配設された一対のガイドレール３６１と、ボールネジ３６０に連結されボールネジ３６０を回動させるモータ３６２と、内部のナットがボールネジ３６０に螺合すると共に側部がガイドレール３６１に摺接する昇降部３６３とから構成され、モータ３６２がボールネジ３６０を回転させることに伴い昇降部３６３がガイドレール３６１にガイドされて昇降する構成となっている。昇降部３６３は仕上げ研削手段３２を支持しており、昇降部３６３の昇降によって仕上げ研削手段３２も昇降する。

粗研削手段３１は、軸方向がチャックテーブル３０の保持面３００ａに直交する鉛直方向（Ｚ軸方向）である回転軸３１０と、回転軸３１０を回転可能に支持するハウジング３１１と、回転軸３１０を回転駆動するモータ３１２と、回転軸３１０の下端に取り付けられたマウント３１４と、マウント３１４に着脱可能に接続された研削ホイール３１３とを備える。研削ホイール３１３の底面には、略直方体形状の複数の粗研削砥石３１３ａが環状に配設されている。粗研削砥石３１３ａは、例えば、ビトリファイドボンド等でダイヤモンド砥粒等が固着されて成形されている。粗研削砥石３１３ａは、例えば、粗研削に用いられる砥石であり、砥石中に含まれる砥粒が比較的大きな砥石である。

例えば、回転軸３１０の内部には、研削水供給源に連通し研削水の通り道となる流路３１０ａが、回転軸３１０の軸方向（Ｚ軸方向）に貫通して形成されており、流路３１０ａは研削ホイール３１３の底面において粗研削砥石３１３ａに向かって研削水を噴出できるように開口している。

仕上げ研削手段３２は、粗研削によって仕上げ厚さ程度まで薄化された被加工物Ｗに対して、平坦性を高める仕上げ研削を行うことができる。すなわち、仕上げ研削手段３２は、仕上げ研削砥石３２３ａを備え回転可能に装着した研削ホイール３１３で、粗研削手段３１が研削した被加工物Ｗの裏面Ｗｂをさらに研削する。仕上げ研削砥石３２３ａ中に含まれる砥粒は、粗研削手段３１の粗研削砥石３１３ａに含まれる砥粒よりも粒径の小さい砥粒である。仕上げ研削手段３２の仕上げ研削砥石３２３ａ以外の構成については、粗研削手段３１の構成と同様となっている。

研削位置まで降下した状態の粗研削手段３１及び仕上げ研削手段３２にそれぞれ隣接する位置には、例えば、被加工物Ｗの厚みを接触式にて測定する第１の厚み測定手段３８Ａと第２の厚み測定手段３８Ｂとがそれぞれ配設されている。

裏面研削ステップにおいては、まず、図４に示すターンテーブル３４が、＋Ｚ軸方向から見て時計回り方向に自転（なお、反時計回り方向に自転でも可）し、チャックテーブル３０が第一の搬送手段３３５の近傍まで移動する。ロボット３３０が第一のカセット３３１から保護部材Ｔが貼着された一枚の被加工物Ｗを引き出し、被加工物Ｗを位置合わせ手段３３３に移動させる。位置合わせ手段３３３において被加工物Ｗが所定の位置に位置決めされた後、第一の搬送手段３３５が、位置合わせ手段３３３上の被加工物Ｗをチャックテーブル３０の保持面３００ａ上に裏面Ｗｂが上側になるように搬送する。そして、図示しない吸引源により生み出された吸引力が保持面３００ａに伝達されることで、チャックテーブル３０が被加工物Ｗを保護部材Ｔを介して吸引保持する。

チャックテーブル３０が被加工物Ｗを吸引保持した後、図４に示すターンテーブル３４が＋Ｚ方向から見て時計回り方向に自転（なお、反時計回り方向に自転でも可）する。そして、被加工物Ｗを保持したチャックテーブル３０が公転し、粗研削手段３１の粗研削砥石３１３ａの回転中心が被加工物Ｗの回転中心に対して所定距離だけ水平方向にずれ、粗研削砥石３１３ａの回転軌跡が被加工物Ｗの回転中心を通るように被加工物Ｗが位置付けられる。即ち、粗研削砥石３１３ａは、被加工物Ｗからオーバーハングした状態になる。

図５に示すように、粗研削手段３１が第一の研削送り手段３５により−Ｚ方向へと送られ、回転する粗研削砥石３１３ａがチャックテーブル３０で保持された被加工物Ｗの裏面Ｗｂに当接することで粗研削が行われる。また、チャックテーブル３０が所定の回転速度で回転するのに伴い保持面３００ａ上の被加工物Ｗも回転するので、粗研削砥石３１３ａが被加工物Ｗの裏面Ｗｂ全面の粗研削加工を行う。研削中は、流路３１０ａを通して、粗研削砥石３１３ａと被加工物Ｗの裏面Ｗｂとの接触部位に研削水が供給され、接触部位が冷却・洗浄される。
なお、被加工物Ｗの研削時において粗研削砥石３１３ａは上記のように被加工物Ｗからオーバーハングした状態になるため、粗研削砥石３１３ａの内側面に対向して、研削水噴射ノズルを配設して、該研削水噴射ノズルから研削水を回転する粗研削砥石３１３ａの内側面側から粗研削砥石３１３ａと被加工物Ｗとの接触部位に向かって噴射し、接触部位を冷却しかつ研削により生じた研削屑を除去するものとしてもよい。

チャックテーブル３０に吸引保持される被加工物Ｗの外周縁は、研削中等において若干浮き上がりやばたつき等が発生しやすく、その結果、保護部材Ｔの表面Ｔａ（特に、表面Ｔａの周縁部）には研削水に混ざった研削屑が付着する場合がある。
しかし、保護部材Ｔの表面Ｔａは、先に実施した（２）保護部材溶融ステップにおいて溶融することで平坦度が高められており、且つ、（３）保護部材プラズマ処理ステップにおいてプラズマ処理が施されて親水化していることで、保護部材Ｔの表面Ｔａ（特に、表面Ｔａの周縁部）には水滴状ではなく膜状に研削水が接触している状態が長く維持されている。そのため、研削屑が付着したとしても保護部材Ｔの表面Ｔａが乾燥しにくいので研削屑が固着することが抑制される。

仕上げ厚さの手前まで被加工物Ｗが粗研削された後、図４に示す第一の研削送り手段３５が粗研削手段３１を上昇させ被加工物Ｗから離間させる。
次いで、ターンテーブル３４が＋Ｚ方向から見て時計回り方向に自転（なお、反時計回り方向に自転でも可）して、被加工物Ｗを吸引保持するチャックテーブル３０が仕上げ研削手段３２の下方まで移動する。仕上げ研削砥石３２３ａと被加工物Ｗとの位置合わせが行われた後、仕上げ研削手段３２が第二の研削送り手段３６により下方へと送られ、回転する仕上げ研削砥石３２３ａが被加工物Ｗの裏面Ｗｂに当接し、また、チャックテーブル３０が回転することに伴って、被加工物Ｗの裏面Ｗｂの全面が仕上げ研削される。研削中は、仕上げ研削砥石３２３ａと被加工物Ｗの裏面Ｗｂとの接触部位に研削水が供給され、接触部位を冷却・洗浄する。
ここで、保護部材Ｔの表面Ｔａは、既に平坦度が高められており、且つ、親水化していることで、保護部材Ｔの表面Ｔａには水滴状ではなく膜状に研削水が接触している状態が長く維持されている。そのため、研削屑が付着したとしても保護部材Ｔの表面Ｔａが乾燥しにくいので研削屑が固着することが抑制される。

仕上げ厚さまで研削され裏面Ｗｂの平坦性が高められた被加工物Ｗから仕上げ研削手段３２が離間した後、ターンテーブル３４が＋Ｚ方向から見て時計回り方向に自転（なお、反時計回り方向に自転でも可）することで、被加工物Ｗが第二の搬送手段３３６の近傍まで移動する。そして、第二の搬送手段３３６が、チャックテーブル３０上の被加工物Ｗを洗浄手段３３４に搬送する。この搬送中においても、保護部材Ｔの表面Ｔａは、既に平坦度が高められており、且つ、親水化していることで、保護部材Ｔの表面Ｔａには研削水が接触している状態が維持される。そのため、研削屑が付着したとしても保護部材Ｔの表面Ｔａが乾燥しにくいので研削屑が固着することが抑制される。

洗浄手段３３４において被加工物Ｗが洗浄された後、ロボット３３０が被加工物Ｗを洗浄手段３３４から搬出して、第二のカセット３３２に被加工物Ｗを搬入する。

本発明に係る被加工物の研削方法においては、被加工物Ｗの表面Ｗａを保護部材Ｔで覆う表面保護ステップと、表面保護ステップにて貼着された保護部材Ｔを加熱し、保護部材Ｔの表面Ｔａを溶融させる保護部材溶融ステップと、保護部材溶融ステップ後の保護部材Ｔの表面Ｔａにプラズマ処理を施す保護部材プラズマ処理ステップと、被加工物Ｗの保護部材Ｔをチャックテーブル３０の保持面３００ａで保持し、保持面３００ａと直交する回転軸３１０で回転する粗研削砥石３１３ａ（仕上げ研削砥石３２３ａ）で被加工物Ｗの裏面Ｗｂを研削し、被加工物Ｗを所望の仕上げ厚さまで薄化する裏面研削ステップと、を備えており、保護部材溶融ステップと保護部材プラズマ処理ステップとを実施することで、保護部材Ｔの表面Ｔａが平坦化、且つ親水化することにより、裏面研削ステップにおいて保護部材Ｔの表面Ｔａへの研削屑の付着を抑制することが可能となる。そのため、研削後の被加工物Ｗを洗浄手段３３４によって洗浄する際に、たとえ研削屑が保護部材Ｔ（特に表面Ｔａの周縁部）に付着していたとしても、洗浄によって容易に保護部材Ｔから研削屑を洗浄除去できる。

なお、本発明に係る被加工物の研削方法は上記実施形態に限定されるものではなく、また、添付図面に図示されている研削装置３、大気圧プラズマ源４の構成等についても、これに限定されず、本発明の効果を発揮できる範囲内で適宜変更可能である。
研削装置３で被加工物Ｗに施す研削は、例えば、被加工物Ｗを１００μｍ以下となるように薄く研削し、さらに、被加工物Ｗの裏面Ｗｂの内、表面ＷａのデバイスＤが形成された領域に対応する領域のみを薄く研削するとともに、表面Ｗａのデバイス領域を囲繞する外周余剰領域に対応するリング状の補強部を裏面Ｗｂに残存させることで、薄くなった被加工物Ｗの取り扱いを容易にする研削（所謂、ＴＡＩＫＯ研削）であってもよい。

Ｗ：被加工物Ｗａ：被加工物の表面Ｄ：デバイスＳ：分割予定ラインＷｂ：被加工物の裏面
Ｔ：保護部材Ｔａ：保護部材の表面
２０：ヒートガン
４：大気圧プラズマ源４１、４２：一対の電極４３：放電空間４４：ガス供給部４５：高周波電源
３：研削装置３Ａ：ベース
３３０：ロボット３３１：第一のカセット３３２：第二のカセット３３４：洗浄手段
３３３：位置合わせ手段３３５：第一の搬送手段３３６：第二の搬送手段
３４：ターンテーブル
３０：チャックテーブル３００：吸着部３００ａ：保持面３０１：枠体
３Ｂ：コラム３１：粗研削手段３５：第一の研削送り手段
３Ｃ：コラム３２：仕上げ研削手段３６：第二の研削送り手段
３８Ａ：第１の厚み測定手段３８Ｂ：第２の厚み測定手段

Claims

格子状に形成された複数の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物の裏面を、研削砥石で研削する被加工物の研削方法であって、
該被加工物の表面を保護部材で覆う表面保護ステップと、
該表面保護ステップにて貼着された該保護部材を加熱し、該保護部材の表面を溶融させる保護部材溶融ステップと、
該保護部材溶融ステップ後の該保護部材の表面にプラズマ処理を施す保護部材プラズマ処理ステップと、
該被加工物の該保護部材をチャックテーブルの保持面で保持し、該保持面と直交する回転軸で回転する研削砥石で該裏面を研削し、被加工物を所望の仕上げ厚さまで薄化する裏面研削ステップと、を備え、
該保護部材溶融ステップと該保護部材プラズマ処理ステップとを実施することで、該保護部材の表面が平坦化、且つ親水化することにより、該裏面研削ステップにおいて該保護部材の表面への研削屑の付着を抑制することが可能となる被加工物の研削方法。
前記保護部材は、表面に梨地加工がされ微細な起伏を有する粘着テープであることを特徴とする請求項１記載の被加工物の研削方法。