JP2020050548A - 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
12 ベース板
12a 柱状突起部
12b 凹部
14 回路パターン用金属板
20、30 鋳型
22、32 下側鋳型部材
22a、32a ベース板形成用凹部(ベース板形成部)
22b、32b 柱状突起形成用凹部(柱状突起形成部)
22c、32c 長手方向基板支持部
22d、32d 幅方向基板支持部
24、34 上側鋳型部材
24a、34a ベース板形成用凹部(ベース板形成部)
24b、34b 回路パターン形成用凹部(回路パターン用金属板形成部)
24c、34c 溶湯流路
34d 保持ピン
Claims (9)
- 鋳型内に略水平方向に延びるようにセラミックス基板を配置し、このセラミックス基板の表面に接触するようにアルミニウムまたはアルミニウム合金の溶湯を注湯した後に溶湯を冷却して固化させることにより、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板をセラミックス基板の上面の周縁部と側面および底面の略全面に形成してセラミックス基板に直接接合させるとともに、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路パターン用金属板をベース板から離間してセラミックス基板の上面に形成してセラミックス基板に直接接合させることを特徴とする、金属−セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記鋳型が上側鋳型部材と下側鋳型部材とからなり、上側鋳型部材に前記ベース板の上側部の外形と略同一の形状および大きさのベース板形成用凹部と前記回路パターン用金属板と略同一の形状および大きさの回路パターン形成用凹部が形成され、下側鋳型部材に前記ベース板の下側部の外形と略同一の形状および大きさのベース板形成用凹部が形成され、このベース板形成用凹部の底面の周縁部に互いに離間して複数のセラミックス基板支持部が突設され、これらのセラミックス基板支持部に前記セラミックス基板の底面の周縁部が支持されることを特徴とする、請求項1に記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記ベース板を形成して前記セラミックス基板に直接接合させる際に、前記ベース板の底面に、互いに離間して突出する多数の柱状突起部を前記ベース板と一体に形成することを特徴とする、請求項1または2に記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記上側鋳型部材のベース板形成用凹部と回路パターン形成用凹部との間との間にベース板形成用凹部および回路パターン形成用凹部より浅い凹部が溶湯流路として形成されていることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記回路パターン形成用凹部が複数形成され、これらの回路パターン形成用凹部が互いに離間して配置され、前記溶湯流路が、前記回路パターン形成用凹部の全周にわたって、前記ベース板形成用凹部と前記回路パターン用凹部との間と前記回路パターン同士の間に延びるように形成されていることを特徴とする、請求項4に記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記上側鋳型部材の前記溶湯流路に対応する部分に、前記鋳型内に配置されたセラミックス基板を保持する保持ピンが突設されていることを特徴とする、請求項5に記載の金属−セラミックス接合基板の製造方法。
- セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面の周縁部と側面および他方の面の略全面に直接接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板と、このベース板から離間してセラミックス基板の一方の面に直接接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路パターン用金属板とを備え、セラミックス基板の他方の面の周縁部の一部が外部に露出していることを特徴とする、金属−セラミックス接合基板。
- 前記セラミックス基板の側面の一部が外部に露出していることを特徴とする、請求項7に記載の金属−セラミックス接合基板。
- 前記ベース板の前記セラミックス基板の他方の面に直接接合した部分の前記セラミックス基板と反対側の面に、互いに離間して突出する複数の柱状突起部が、前記ベース板と一体に形成されていることを特徴とする、請求項7または8に記載の金属−セラミックス接合基板。
Priority Applications (1)
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JP (1) | JP7157609B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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