JP2020046692A5 - - Google Patents
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Claims (11)
- 全方向高彩度赤色構造色顔料の製造方法であって、
反射性コア層を乾式堆積すること；
反射性コア層にわたって延在する半導体吸収体層を乾式堆積すること；及び
前記半導体吸収体層にわたって延在する高屈折率誘電体層を湿式堆積すること；
によって多層積層体を製造することを含み、
前記高屈折率誘電体層が、関係式０．１ＱＷ＜Ｄ≦４ＱＷに従う厚さＤを有し、ＱＷは、対象波長に対する四分の一波長厚さであり、前記対象波長は、ａ*ｂ*Ｌａｂカラーマップ上で０〜４０°の範囲内の既定の色相を有し、
前記多層積層体が、前記ａ*ｂ*Ｌａｂカラーマップ上で０〜４０°の間の前記既定の色相を有する可視光の単一帯域を反射し、前記可視光の単一帯域は、前記多層積層体の外側面に対する垂直方向０〜４５°の間のすべての角度から見た場合に、前記ａ*ｂ*Ｌａｂカラーマップ上で前記既定の色相の範囲内で０〜４０°の色相シフトを有する、
全方向高彩度赤色構造色顔料の製造方法。 - 前記ａ*ｂ*Ｌａｂカラーマップ上で、色相が、１０〜３０°の間であり、及び前記色相シフトが、前記１０〜３０°の範囲内である、請求項１に記載の方法。
- 前記反射性コア層が、５０〜２００ナノメートルの間の厚さを有する、請求項１又は２に記載の方法。
- 前記反射性コア層が、反射性金属及び有色の金属のうちの少なくとも１つから作られる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
- 前記反射性金属が、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｃｒ、及びこれらの組み合わせのうちの少なくとも１つである、請求項４に記載の方法。
- 前記有色の金属が、Ａｕ、Ｃｕ、真鍮、青銅、及びこれらの組み合わせのうちの少なくとも１つである、請求項４に記載の方法。
- 前記半導体吸収体層が、５〜５００ナノメートルの間の厚さを有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
- 前記半導体吸収体層が、アモルファスＳｉ、Ｇｅ、及びこれらの組み合わせのうちの少なくとも１つから作られる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
- 前記高屈折率誘電体層が、ＺｎＳ、ＴｉＯ2、ＨｆＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、及びこれらの組み合わせから成る群より選択される誘電性材料から作られる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
- 前記反射性コア層の両側に、１対の半導体吸収体層を乾式堆積することをさらに含み、前記反射性コア層が、乾式堆積された前記１対の半導体吸収体層の間に挟まれている、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
- １対の高屈折率誘電体層を湿式堆積することをさらに含み、乾式堆積された前記１対の半導体吸収体層が、湿式堆積された前記１対の高屈折率誘電体層の間に挟まれている、請求項１０に記載の方法。
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