JP2020042181A - 光ファイバアッセンブリ、光ケーブル、及びレーザシステム - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の第1の実施形態に係る光ファイバアッセンブリ10について、図1及び図2を参照して説明する。図1の(a)は、光ファイバアッセンブリ10の一部区間の斜視図である。図1の(b)は、光ファイバアッセンブリ10の横断面図である。図2は、光ファイバアッセンブリ10の除去区間10aの斜視図である。より詳しくは、図2の(a)は、引き裂き紐13をほどいた状態の除去区間10aを示し、図2の(b)は、検知線12a,12bをほどいた状態の除去区間10aを示し、図2の(c)は、検知線12a,12bにサーミスタ15を接続した状態の除去区間10aを示す。
光ファイバ心線11は、ベアファイバ11aと、樹脂層11bとにより構成されている。光ファイバ心線11及び樹脂層11bの各々は、それぞれ、特許請求の範囲に記載の光ファイバ及び第2の樹脂層の一例である。図1において、ベアファイバ11aが備えているコア及びクラッドは、図示を省略している。なお、ベアファイバ11aとしては、如何なる態様の光ファイバを採用することもできる。例えば、クラッドの層数に着目すれば、ベアファイバ11aは、シングルクラッドファイバでもよいし、ダブルクラッドファイバでもよいし、トリプルクラッドファイバでもよい。例えば、ベアファイバ11aが伝搬する光のモード数に着目すれば、ベアファイバ11aは、シングルモードファイバでもよいし、フューモードファイバを含むマルチモードファイバでもよい。
検知線12a,12bの各々は、特許請求の範囲に記載の1又は複数の検知線の一例である。本実施形態においては、検知線12aが第1の検知線であり、検知線12bが第2の検知線であるものとして説明する。本実施形態において、検知線12a,12bの各々は、何れも金属製(本実施形態においては銅製)である。しかし、検知線12a,12bを構成する金属は、銅に限定されるものではなく、適宜選択することができる。また、検知線12a,12bの表面は、樹脂層により被覆されていてもよい。
図1の(a)及び(b)に示すように、樹脂層14は、ベアファイバ11aの少なくとも一部区間において、検知線12a,12bと、引き裂き紐13と、光ファイバ心線11の外側面とを被覆している。樹脂層14は、特許請求の範囲に記載の第1の樹脂層の一例である。
上述したように、光ファイバアッセンブリ10においては、引っ張り強度が高い繊維からなる引き裂き紐13を採用することが好ましい。この場合、図2の(a)に示すように、その任意の一部区間において引き裂き紐13を引っ張ることにより、引き裂き紐13を光ファイバ心線11からほどくことができる。図2の(a)に示した例では、光ファイバアッセンブリ10の一方の端部から凡そ2ターン分の区間に亘って、光ファイバ心線11をほどいている。以下においては、図2の(a)に示した光ファイバ心線11をほどいた区間を除去区間10aと呼ぶ。
光ファイバアッセンブリ10は、光ファイバ心線11と、光ファイバ心線11の外側面に沿って配置された検知線12a,12b及び引き裂き紐13であって、光ファイバ心線11の少なくとも一部区間において、互いに交差せずに各々がらせん状に巻き付けられた検知線12a,12b及び引き裂き紐13と、上記少なくとも一部区間において、検知線12a,12b及び引き裂き紐13を被覆している樹脂層14と、を備えている。
本発明の第2の実施形態に係る光ケーブル100について、図3を参照して説明する。図3は、光ケーブル100の横断面図である。なお、第1の実施形態にて説明した光ファイバアッセンブリ10(図1及び図2参照)に関する説明は、本実施形態において省略する。
本発明の第3の実施形態に係るファイバレーザシステムFLSついて、図4を参照して説明する。図4は、ファイバレーザシステムFLSの構成図である。
ファイバレーザシステムFLSが備えるファイバレーザユニットFLU1の構成について、引き続き図4を参照して説明する。なお、ファイバレーザユニットFLU2〜FLUnも、ファイバレーザユニットFLU1と同様に構成されている。
1/W])を増幅用ファイバAFとして用いている。高反射ファイバブラッググレーティングFBG−HRを透過した励起光は、この希土類元素を反転分布状態に維持するために用いられる。増幅用ファイバAFの出力端は、低反射ファイバブラッググレーティングFBG−LRを介してレーザデリバリファイバLDF1の入力端に接続されている。高反射ファイバブラッググレーティングFBG−HRは、ある波長λ(例えば、1060nm)においてミラーとして機能し(反射率が例えば99%となり)、低反射ファイバブラッググレーティングFBG−LRは、その波長λにおいてハーフミラーとして機能する(反射率が例えば10%となる)。このため、増幅用ファイバAFは、高反射ファイバブラッググレーティングFBG−HR及び低反射ファイバブラッググレーティングFBG−LRと共に、波長λのレーザ光を発振する共振器を構成する。増幅用ファイバAFにて生成されたレーザ光のうち、この低反射ファイバブラッググレーティングFBG−LRを透過したレーザ光は、レーザデリバリファイバLDF1に入力される。
本発明の第4の実施形態に係るファイバレーザ装置FLAについて、図5を参照して説明する。図5は、ファイバレーザ装置FLAの構成図である。
11 光ファイバ心線(光ファイバ)
11a ベアファイバ
11b 樹脂層(第2の樹脂層)
11b1 内側層
11b2 外側層
12a 検知線(第1の検知線)
12b 検知線(第2の検知線)
13 引き裂き紐
14 樹脂層(第1の樹脂層)
15 サーミスタ
20 インナーチューブ
30 アウターチューブ
31 ベローズ
32 保護層
100 光ケーブル
LU レーザユニット
OH 出力ヘッド
LS レーザシステム
Claims (7)
- 光ファイバと、
該光ファイバの外側面に沿って配置された1又は複数の検知線及び1又は複数の引き裂き紐であって、該光ファイバの少なくとも一部区間において、互いに交差せずに各々がらせん状に巻き付けられた1又は複数の検知線及び1又は複数の引き裂き紐と、
上記少なくとも一部区間において、上記1又は複数の検知線、上記1又は複数の引き裂き紐、及び上記外側面を被覆している第1の樹脂層と、を備えている、
ことを特徴とする光ファイバアッセンブリ。 - 上記1又は複数の検知線は、複数の検知線である、
ことを特徴とする請求項1に記載の光ファイバアッセンブリ。 - 上記複数の検知線のうち2本の検知線を第1の検知線及び第2の検知線として、
上記第1の検知線及び上記第2の検知線の一方の端部同士は、サーミスタを介して導通している、
ことを特徴とする請求項2に記載の光ファイバアッセンブリ。 - 上記第1の樹脂層は、上記光ファイバの全区間のうち1ピッチ以上の区間に亘って設けられている、
ことを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の光ファイバアッセンブリ。 - 上記光ファイバは、ベアファイバと、該ベアファイバを被覆する第2の樹脂層と、を含み、
上記第2の樹脂層の表層を構成する樹脂の融点は、上記第1の樹脂層を構成する樹脂の融点より高い、
ことを特徴とする請求項4に記載の光ファイバアッセンブリ。 - 請求項1〜5の何れか1項に記載の光ファイバアッセンブリと、
上記光ファイバアッセンブリを収容する1又は複数のチューブと、を備えている、
ことを特徴とする光ケーブル。 - 請求項6に記載の光ケーブルと、
上記光ケーブルの一方の端部に対して光学的に結合されたレーザユニットと、
上記光ケーブルの他方の端部に対して光学的に結合された出力ヘッドと、を備えている、
ことを特徴とするレーザシステム。
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