JP5260885B2 - 光ファイバの漏洩光処理構造 - Google Patents

Description

本発明は、光ファイバの漏洩光処理構造および光ファイバレーザに関するものである。

従来、光ファイバ通信システムなどに用いられる光学デバイスは、複数の光ファイバを接続した構造を有する。この接続は、たとえば光ファイバ同士を融着接続することによって実現したり、２つの光ファイバの間にレンズなどの光学系を配置し、この光学系によって２つの光ファイバを光学結合することによって実現する。たとえば、特許文献１に開示される光ファイバレーザは、複数の光学デバイスからなるが、一般に各光学デバイスの入出力ポートである光ファイバ同士を融着接続して構成される。

しかしながら、光ファイバを接続する際に、一方の光ファイバのコアを所定の伝搬モードで伝搬してきた光を、接続光ファイバのコアに１００％結合させることは通常できないので、接続点においてたとえば０．０１〜０．１ｄＢ程度のわずかな割合で未結合の光が発生する。この未結合の光は、接続光ファイバのクラッドに漏洩し、このクラッドをいわゆるクラッドモードで伝搬する場合がある。このクラッドモードで伝搬する漏洩光は、たとえば光ファイバの曲げなどによって強度が不安定に変動する。一方、たとえば光ファイバ増幅器における残留励起光も、クラッドモードで伝搬する漏洩光となる。

ここで、この漏洩光は、たとえば接続光ファイバのコアに再結合したり、そのままクラッドを伝搬して測定器などに入射したりすることによって、ノイズの発生原因となる。そこで、これを解決するために、たとえば漏洩光を除去する技術が開示されている（特許文献２参照）。

特許第３３５６６９２号公報 特開２００４−２７２０２６号公報

上述したように、接続点における漏洩光の発生割合は通常は小さい。しかしながら、近年光ファイバ通信システムにおいて伝送容量が増加するにつれて、光学デバイスにおいて取り扱う光の強度はきわめて高くなってきている。したがって、漏洩光の発生割合は小さくても、発生する漏洩光の強度はきわめて高くなる。そのため、より効果的な漏洩光の除去方法が求められていた。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、光ファイバを伝搬する漏洩光を効果的に除去することができる光ファイバの漏洩光処理構造および光ファイバレーザを提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る光ファイバの漏洩光処理構造は、コア部と、前記コア部の外周に形成され該コア部よりも屈折率が低いクラッド部とを備えた光ファイバと、前記クラッド部と同一またはそれ以上の屈折率を有し、前記クラッド部の外径と同一の内径を有する筒状に形成され、前記光ファイバを挿通して該光ファイバの外周に密着するように固定した漏洩光ガイド部材と、を備えたことを特徴とする。

また、本発明に係る光ファイバの漏洩光処理構造は、上記発明において、前記光ファイバは、少なくとも前記漏洩光ガイド部材が固定された部分以外の前記クラッド部の外周に形成され、前記クラッド部よりも屈折率が低い外側クラッド部を備えたことを特徴とする。

また、本発明に係る光ファイバの漏洩光処理構造は、上記発明において、前記光ファイバは、２つの光ファイバを接続して形成したものであり、前記漏洩光ガイド部材は、前記２つの光ファイバの接続部に対して、光入力側とは反対側に固定されていることを特徴とする。

また、本発明に係る光ファイバの漏洩光処理構造は、上記発明において、前記漏洩光ガイド部材は、前記２つの光ファイバの接続部を覆うように延設していることを特徴とする。

また、本発明に係る光ファイバの漏洩光処理構造は、上記発明において、前記漏洩光ガイド部材は、前記光ファイバの光入力側とは反対方向に向かって内径が拡大している拡径部を備えることを特徴とする。

また、本発明に係る光ファイバの漏洩光処理構造は、上記発明において、前記漏洩光ガイド部材の外周を支持するように設けた放熱部材を備えたことを特徴とする。

また、本発明に係る光ファイバの漏洩光処理構造は、上記発明において、前記漏洩光ガイド部材は樹脂部材によって前記放熱部材に固着していることを特徴とする。

また、本発明に係る光ファイバの漏洩光処理構造は、上記発明において、前記漏洩光ガイド部材の外周および前端面は粗面処理されていることを特徴とする。

また、本発明に係る光ファイバレーザは、前側光反射手段と、後側光反射手段と、前記前側光反射手段と前記後側光反射手段との間に配置した希土類元素添加光ファイバと、前記希土類元素添加光ファイバに励起光を供給する励起光源と、前記希土類元素添加光ファイバと前記前側光反射手段との間に配置した請求項１〜８のいずれか１つに記載の光ファイバの漏洩光処理構造と、を備え、前記前側および後側光反射手段によって光共振器を構成するとともに、前記励起光源が前記希土類元素光ファイバに励起光を供給することによって、前記前側光反射手段側から所定の発振波長を有するレーザ光を出力することを特徴とする。

本発明によれば、前記クラッド部の屈折率と同一またはそれ以上の屈折率を有し、前記クラッド部の外径と同一の内径を有する筒状に形成され、前記光ファイバを挿通して該光ファイバの外周に密着するように固定した漏洩光ガイド部材を備えるので、光ファイバを伝搬する漏洩光は漏洩光ガイド部材によって光ファイバの外部に導光されて放出されるため、漏洩光を効果的に除去できるという効果を奏する。

以下に、図面を参照して本発明に係る光ファイバの漏洩光処理構造および光ファイバレーザの実施の形態を詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る光ファイバの漏洩光処理構造を模式的に表した斜視概略図であり、図２は、図１に示す光ファイバの漏洩光処理構造の光ファイバの軸方向に沿った断面概略図である。

図１に示すように、この光ファイバの漏洩光処理構造１は、光ファイバ１１と、漏洩光ガイド部材１２とを備える。また、図２に示すように、光ファイバ１１は、石英系ガラスからなるコア部１１ａと、コア部１１ａの外周に形成された、コア部１１ａよりも屈折率が低い石英系ガラスからなるクラッド部１１ｂとを備える。また、漏洩光ガイド部材１２は、クラッド部１１ｂの屈折率とほぼ同一の屈折率を有し、クラッド部１１ｂの外径と同一の内径を有する筒状に形成され、光ファイバ１１を挿通し、その内周１２ａにおいて光ファイバ１１の外周１１ｃに密着するように固定している。

つぎに、図３を用いて、図２に示す光ファイバ１１に光が入力した場合について説明する。なお、図３において、光ファイバ１１は紙面左方において同種の接続光ファイバと接続点において接続し、接続光ファイバから光ファイバ１１へ所定の波長の信号光Ｌ１を結合させるものとする。まず、光ファイバ１１は、コア部１１ａにおいて所定の波長の信号光Ｌ１をシングルモードで伝搬させる。

一方、光ファイバ１１は、接続点において光Ｌ１から発生した漏洩光Ｌ２ａ、Ｌ２ｂを、クラッド部１１ｂにおいてクラッドモードで伝搬させる。ここで、漏洩光Ｌ２ａ、Ｌ２ｂが、漏洩光ガイド部材１２と光ファイバ１１とが密着している部分に到達すると、漏洩光ガイド部材１２は、これらの漏洩光Ｌ２ａ、Ｌ２ｂを光ファイバ１１の外部に導光し、さらに、この導光された光Ｌ３ａ、Ｌ３ｂをその外周１２ｂや前端面１２ｃから放出する。その結果、この光ファイバの漏洩光処理構造１は、光ファイバ１１を伝搬する漏洩光Ｌ２ａ、Ｌ２ｂを効果的に除去できる。

なお、漏洩光ガイド部材１２として、クラッド部１１ｂよりも高い屈折率を有するものを用いれば、漏洩光Ｌ２ａ、Ｌ２ｂが光ファイバ１１の外部に導光されやすくなるのでより好ましい。

また、この光ファイバの漏洩光処理構造１は、光ファイバ１１を接続光ファイバと接続する前に、所定の形状に成型した漏洩光ガイド部材１２に光ファイバ１１を挿通し、漏洩光ガイド部材１２と光ファイバ１１とをガスバーナなどで加熱して密着固定することによって製造できる。

以上説明したように、本実施の形態１に係る光ファイバの漏洩光処理構造１は、漏洩光ガイド部材１２が漏洩光Ｌ２ａ、Ｌ２ｂを光ファイバ１１の外部に導光して放出するため、光ファイバ１１を伝搬する漏洩光Ｌ２ａ、Ｌ２ｂを効果的に除去できる。

（実施の形態２）
つぎに、本発明の実施の形態２について説明する。本実施の形態２に係る光ファイバの漏洩光処理構造は、実施の形態１に係る光ファイバの漏洩光処理構造と同様の構造を有するが、光ファイバがダブルクラッド型光ファイバである点が異なる。

図４は、本実施の形態２に係る光ファイバの漏洩光処理構造の光ファイバの軸方向に沿った概略断面および光ファイバに光が入力した場合について説明する図である。図４に示すように、この光ファイバの漏洩光処理構造２は、光ファイバ２１と、実施の形態１と同様の漏洩光ガイド部材１２とを備える。

光ファイバ２１は、石英系ガラスからなるコア部２１ａと、コア部２１ａの外周に形成された、コア部２１ａよりも屈折率が低い石英系ガラスからなる内側クラッド部２１ｂとを備え、さらに、領域Ａ１においては、内側クラッド部２１ｂの外周に形成され、内側クラッド部２１ｂよりも屈折率が低い樹脂性の外側クラッド部２１ｃを備える。一方、領域Ａ２においては、他の接続光ファイバと接続するために、外側クラッド部２１ｃは除去されている。また、漏洩光ガイド部材１２は、内側クラッド部２１ｂの屈折率とほぼ同一の屈折率を有し、内側クラッド部２１ｂの外径と同一の内径を有する筒状に形成され、領域Ａ２において光ファイバ２１の内側クラッド部２１ｂの外周に挿通固定している。

ここで、図４において、光ファイバ２１は、紙面左において、たとえば特許文献１に開示されたような光ファイバレーザに接続し、この光ファイバレーザから発振したレーザ光Ｌ３と残留励起光Ｌ４とが入力するものとする。なお、残留励起光とは、光励起方式のレーザ装置において、レーザ発振に用いられずに放出される励起光のことである。

このとき、光ファイバ２１は、コア部２１ａにおいてレーザ光Ｌ３をシングルモードで伝搬させる。

一方、光ファイバ２１は、領域Ａ１においては、外側クラッド部２１ｃが存在するので、内側クラッド部２１ｂにおいて残留励起光Ｌ４をマルチモードで伝搬させるが、領域Ａ２においては、外側クラッド部２１ｃが存在しないので、残留励起光Ｌ４をマルチモードで伝搬させることができない。その結果、残留励起光Ｌ４は、領域Ａ２においては、内側クラッド部２１ｂをクラッドモードで伝搬する漏洩光となる。

ここで、ダブルクラッド型光ファイバレーザの場合、残留励起光Ｌ３は１Ｗ以上となる場合があるので、残留励起光Ｌ３がクラッドモードで伝搬し続けると、他の光学デバイス等を破損させるおそれがある。しかしながら、この光ファイバの漏洩光処理構造２においては、実施の形態１と同様に、漏洩光ガイド部材１２が、残留励起光Ｌ４を光ファイバ２１の外部に導光し、導光した光Ｌ５を放出する。その結果、この光ファイバの漏洩光処理構造２は、残留励起光Ｌ４を効果的に除去でき、他の光学デバイス等の破損を防止できる。

（実施の形態３）
つぎに、本発明の実施の形態３について説明する。本実施の形態３に係る光ファイバの漏洩光処理構造は、実施の形態１に係る光ファイバの漏洩光処理構造と同様の構造を有するが、光ファイバが、２つの光ファイバを融着接続して形成したものであり、漏洩光ガイド部材が、この２つの光ファイバの接続部に対して、光入力側とは反対側に固定されている点が異なる。

図５は、本実施の形態３に係る光ファイバの漏洩光処理構造の光ファイバの軸方向に沿った概略断面および光ファイバに光が入力した場合について説明する図である。図４に示すように、この光ファイバの漏洩光処理構造３は、２つの光ファイバ３１、３２と、実施の形態１と同様の漏洩光ガイド部材１２とを備える。

光ファイバ３１、３２は、それぞれ石英系ガラスからなるコア部３１ａ、３２ａおよびクラッド部３１ｂ、３２ｂとを備え、接続点Ｃ１において融着接続している。ここで、図５に示すように、光ファイバ３１、３２のコア部３１ａ、３２ａはコア径が異なる。その結果、同種の光ファイバ同士を接続する場合よりも、接続点Ｃ１の接続損失は大きくなる。したがって、光ファイバ３１のコア部３１ａに信号光Ｌ６を伝搬させた場合に、接続点Ｃ１において発生する漏洩光Ｌ７の強度も大きくなる。

しかしながら、この光ファイバの漏洩光処理構造３においては、漏洩光ガイド部材１２が、接続部Ｃ１に対して、光入力側とは反対側に固定されている。その結果、実施の形態１と同様に、漏洩光ガイド部材１２が、漏洩光Ｌ７を光ファイバ２１の外部に導光し、導光した光Ｌ８を放出するので、漏洩光Ｌ７を効果的に除去できる。

（変形例）
なお、実施の形態３において、接続する一方の光ファイバを実施の形態２のようなダブルクラッド型の光ファイバとし、接続点を挟むように漏洩光ガイド部材を２つ設ける構成としてもよい。

図６は、実施の形態３の変形例に係る光ファイバの漏洩光処理構造の光ファイバの軸方向に沿った概略断面および光ファイバに光が入力した場合について説明する図である。

この光ファイバの漏洩光処理構造４においては、実施の形態２と同様のダブルクラッド型の光ファイバ２１と、実施の形態３と同様の光ファイバ３２とが、接続点Ｃ２において融着接続している。また、２つの漏洩光ガイド部材１２１、１２２が、接続点Ｃ２を挟むように設けられている。この漏洩光ガイド部材１２１、１２２は、実施の形態１の漏洩光ガイド部材１２と同様のものである。

そして、この光ファイバの漏洩光処理構造４においては、漏洩光ガイド部材１２１が、残留励起光Ｌ４を光ファイバ２１の外部に導光し、導光した光Ｌ５を放出する。さらに、漏洩光ガイド部材１２２が、接続点Ｃ２においてレーザ光Ｌ３から発生する漏洩光Ｌ９を光ファイバ３２の外部に導光し、導光した光Ｌ１０を放出する。さらに、漏洩光ガイド部材１２１によって放出できなかった残留励起光が、光ファイバ３２のクラッド部３２ｂを伝搬してきたとしても、漏洩光ガイド部材１２２がこの残留励起光を光ファイバ３２の外部に放出する。その結果、この光ファイバの漏洩光処理構造４は、残留励起光Ｌ４および漏洩光Ｌ９をより効果的に除去できる。

（実施の形態４）
つぎに、本発明の実施の形態４について説明する。本実施の形態４に係る光ファイバの漏洩光処理構造は、実施の形態１に係る光ファイバの漏洩光処理構造と同様の構造を有するが、漏洩光ガイド部材が、光ファイバの光入力側とは反対方向に向かって内径が拡大している拡径部を備える点が異なる。

図７は、実施の形態４に係る光ファイバの漏洩光処理構造の光ファイバの軸方向に沿った概略断面および光ファイバに光が入力した場合について説明する図である。

図７に示すように、この光ファイバの漏洩光処理構造５は、漏洩光ガイド部材５２が、筒状部５２ａと、拡径部５２ｂとを備える。筒状部５２ａは、光ファイバ１１のクラッド部１１ｂの外径と同一の内径を有するように形成され、拡径部５２ｂは、光ファイバ１１の光入力側とは反対方向に向かって内径が連続的に拡大するように形成されている。

この光ファイバの漏洩光処理構造５においては、漏洩光ガイド部材５２の筒状部５２ａが、光ファイバ１１をクラッドモードで伝搬する漏洩光Ｌ２ａを光ファイバ１１の外部へ導光するとともに、拡径部５２ｂが、導光した光Ｌ３ａを光ファイバ１１から遠ざかるように導光し、放出する。その結果、この光ファイバの漏洩光処理構造５は、漏洩光Ｌ２ａを効果的に除去でき、かつ放出した光Ｌ３ａが光ファイバ１１に再結合することを効果的に防止できる。なお、拡径部５２ｂは、内径が連続的に拡大しているが、段階的に拡大するように形成してもよい。

（実施の形態５）
つぎに、本発明の実施の形態５について説明する。本実施の形態５に係る光ファイバの漏洩光処理構造は、漏洩光ガイド部材の外周を支持するように設けた放熱部材を備える。

図８は、実施の形態５に係る光ファイバの漏洩光処理構造の斜視概略図である。図８に示すように、この光ファイバの漏洩光処理構造６は、実施の形態２と同様のダブルクラッド型の光ファイバ２１と、実施の形態３と同様の漏洩光ガイド部材１２を固定した光ファイバ３２とが、接続点Ｃ３で融着接続しており、さらに、漏洩光ガイド部材１２を載置し、その外周を支持するように設けた放熱部材６３とを備える。また、漏洩光ガイド部材１２は、樹脂部材６４によって放熱部材６３に固着している。また、符号３２ｃは光ファイバ３２のクラッド部３２ｂの外周に形成した被覆部であるが、この光ファイバの漏洩光処理構造６においては、この被覆部３２ｃの一部と、光ファイバ２１の外側クラッド部２１ｃの一部とが放熱部材６３に載置されており、石英系ガラスからなる内側クラッド部２１ｂおよびクラッド部３２ｂの露出した部分を含めて、樹脂部材６４によって放熱部材６３に固着している。

この光ファイバの漏洩光処理構造６においては、漏洩光ガイド部材１２から放出された漏洩光が放熱部材６３に到達し、放熱部材６３はこの漏洩光を熱に変換し、放熱するので、漏洩光が高出力であっても安全に処理できる。また、樹脂部材６４が漏洩光を吸収して発熱した場合でも、放熱部材６３が樹脂部材６４の熱を放熱するので、漏洩光を安全に処理できるとともに、樹脂部材の６４の熱による劣化が防止される。また、樹脂部材６４は、漏洩光ガイド部材１２、内側クラッド部２１ｂおよびクラッド部３２ｂの露出した部分、および接続点Ｃ３が外部の部材と接触して破損しないように保護する機能も有する。

なお、放熱部材６３は、放熱性の良いアルミニウム、銅、鉄、およびニッケルの少なくとも一つを含む金属部材を用いて形成されることが好ましい。また、樹脂部材６４は、固着が容易な紫外線硬化型樹脂からなるものが好ましい。さらに、樹脂部材６４は、漏洩光ガイド部材１２から漏洩光を効果的に放出できるように、漏洩光ガイド部材１２の屈折率よりも高い屈折率を有するものが好ましい。

（実施の形態６）
つぎに、本発明の実施の形態６に係る光ファイバレーザについて説明する。本実施の形態６に係る光ファイバレーザは、ダブルクラッド型の光ファイバレーザであり、２つの光ファイバグレーティングデバイスの間に希土類元素添加光ファイバを配置するとともに、一方の光ファイバグレーティングデバイスと希土類元素添加光ファイバとの間に、実施の形態５に係る光ファイバの漏洩光処理構造と同様のものを配置したものである。

図９は、本実施の形態６に係る光ファイバレーザを模式的に表した概略図である。図９に示すように、この光ファイバレーザ７は、ｎを１以上の整数として、半導体レーザ素子７１₁〜７１_nを備えた励起光源７１と、半導体レーザ素子７１₁〜７１_nが出力する励起光を導波するマルチモード光ファイバ７２₁〜７２_nと、マルチモード光ファイバ７２₁〜７２_nが導波した励起光を結合し、ダブルクラッド光ファイバ７４から出力させるＴＦＢ（Tapered Fiber Bundle）７３と、ダブルクラッド光ファイバ７４と接続点Ｃ５において融着接続するダブルクラッド型の光ファイバグレーティングデバイス７５ａと、光ファイバグレーティングデバイス７５ａと接続点Ｃ６において融着接続するダブルクラッド型の希土類元素添加光ファイバ７６と、希土類元素添加光ファイバ７６と接続点Ｃ４において融着接続するダブルクラッド型の光ファイバグレーティングデバイス７５ｂと、光ファイバグレーティングデバイス７５ｂと接続点Ｃ７において融着接続するシングルモード光ファイバ７８を備えるコリメータ部品７９とを備える。

さらに、この光ファイバレーザ７は、実施の形態５と同様の光ファイバの漏洩光処理構造７７を備える。この光ファイバの漏洩光処理構造７７は、希土類元素添加光ファイバ７６と、実施の形態５と同様の漏洩光ガイド部材１２を挿通固定した光ファイバグレーティングデバイス７５ｂとが、接続点Ｃ４で融着接続しており、さらに、漏洩光ガイド部材１２を載置し、その外周を支持するように設けた放熱部材６３とを備える。また、漏洩光ガイド部材１２は樹脂部材６４によって放熱部材６３に固着している。また、実施の形態５と同様に、漏洩光ガイド部材１２および接続点Ｃ４の近傍においては、希土類元素添加光ファイバ７６の外側クラッド部と光ファイバグレーティングデバイス７５ｂの被覆部とは除去されている。また、これによって露出した希土類元素添加光ファイバ７６の内側クラッド部および光ファイバグレーティングデバイス７５ｂのクラッド部は、樹脂部材６４により保護されている。

なお、半導体レーザ素子７１₁〜７１_nが出力する励起光の波長は９１５ｎｍ近傍である。また、光ファイバグレーティングデバイス７５ａは、中心波長が１０６４ｎｍであり、中心波長およびその周辺の約２ｎｍの幅の波長帯域における反射率が約１００％であり、波長９１５ｎｍの光はほとんど透過する光ファイバグレーティングが形成されている。また、光ファイバグレーティングデバイス７５ｂは、中心波長が１０６４ｎｍであり、中心波長における反射率が１０〜３０％程度であり、反射波長帯域の半値全幅が約０．１ｎｍであり、波長９１５ｎｍの光はほとんど透過する光ファイバグレーティングが形成されている。したがって、光ファイバグレーティングデバイス７５ａ、７５ｂは、波長１０６４ｎｍの光に対して光共振器を構成する。また、希土類元素添加光ファイバ７６は、コア部にイットリビウム（Ｙｂ）イオンが添加されている。

つぎに、この光ファイバレーザ７の動作について説明する。励起光源７１が備える半導体レーザ素子７１₁〜７１_nが、波長９１５ｎｍの励起光を出力すると、マルチモード光ファイバ７２₁〜７２_nが、各励起光を導波し、ＴＦＢ７３が、導波した各励起光を結合してダブルクラッド光ファイバ７４に出力する。ダブルクラッド光ファイバ７４は、結合した励起光をマルチモードで伝搬する。その後、光ファイバグレーティングデバイス７５ａが、ダブルクラッド光ファイバ７４を伝搬した励起光を透過して、希土類元素添加光ファイバ７６に到達させる。

希土類元素添加光ファイバ７６に到達した励起光は、希土類元素添加光ファイバ７６の内側クラッド内をマルチモードで伝搬しながら、希土類元素添加光ファイバ７６のコア部に添加したＹｂイオンに吸収されてＹｂイオンを光励起し、波長１０６４ｎｍを含む波長帯域を有する蛍光を発光させる。この蛍光は、光ファイバグレーティングデバイス７５ａ、７５ｂが構成する光共振器内をシングルモードで往復しながら、Ｙｂイオンの誘導放出作用により増幅され、発振波長１０６４ｎｍにおいてレーザ発振する。その結果、コリメータ部品７９から波長１０６４ｎｍのレーザ光Ｌ１１が出力する。

ここで、この光ファイバレーザ７においては、希土類元素添加光ファイバ７６において吸収されなかった残留励起光、および接続点Ｃ４においてレーザ光Ｌ１１から発生した漏洩光は、漏洩光ガイド部材１２から放出される。その結果、これらの残留励起光および漏洩光がレーザ光Ｌ１１とともにコリメータ部品７９から出力されることが防止される。

なお、上記実施の形態６では、希土類元素添加光ファイバのコア部にＹｂイオンを添加したが、エルビウム（Ｅｒ）イオンを添加したり、ＹｂイオンとＥｒイオンとを共添加したりしてもよい。この場合、励起光の波長はたとえば９８０ｎｍとする。また、レーザ発振波長については、１０６４ｎｍに限られず、各光ファイバグレーティングの中心波長を調整すれば発振波長を調整できる。

また、上記実施の形態６では、光ファイバグレーティングデバイスおよび希土類元素添加光ファイバとしてダブルクラッド型光ファイバを用いたが、適宜シングルモード光ファイバを用いてもよい。

また、上記実施の形態５、６において、放熱部材の表面にＶ字形状の溝を設け、この溝内に漏洩光ガイド部材を収容するようにしてもよい。

また、上記実施の形態３、５、６において、漏洩光ガイド部材を、２つの光ファイバの接続部を覆うように延設し、接続部を保護するようにしてもよい。

また、上記実施の形態３、５、６においては、２つの光ファイバの接続部は融着接続をしたものであったが、光学系を用いて２つの光ファイバを光学結合して実現してもよい。

また、上記実施の形態１〜６において、漏洩光ガイド部材の外周および前端面を祖面処理しておけば、光ファイバの外部に導光した光の漏洩光ガイド部材表面における再反射が防止され、漏洩光ガイド部材からより効果的に放出されるので好ましい。

実施の形態１に係る光ファイバの漏洩光処理構造を模式的に表した斜視概略図である。 図１に示す光ファイバの漏洩光処理構造の光ファイバの軸方向に沿った断面概略図である。 図２に示す光ファイバに光が入力した場合について説明する説明図である。 実施の形態２に係る光ファイバの漏洩光処理構造の光ファイバの軸方向に沿った概略断面および光ファイバに光が入力した場合について説明する図である。 実施の形態３に係る光ファイバの漏洩光処理構造の光ファイバの軸方向に沿った概略断面および光ファイバに光が入力した場合について説明する図である。 実施の形態３の変形例に係る光ファイバの漏洩光処理構造の光ファイバの軸方向に沿った概略断面および光ファイバに光が入力した場合について説明する図である。 実施の形態４に係る光ファイバの漏洩光処理構造の光ファイバの軸方向に沿った概略断面および光ファイバに光が入力した場合について説明する図である。 実施の形態５に係る光ファイバの漏洩光処理構造の斜視概略図である。 実施の形態６に係る光ファイバレーザを模式的に表した概略図である。

符号の説明

１〜６、７７ 漏洩光処理構造
１１ 光ファイバ
１１ａ コア部
１１ｂ クラッド部
１１ｃ 外周
１２、１２１、１２２、５２ 漏洩光ガイド部材
１２ａ 内周
１２ｂ 外周
１２ｃ 前端面
２１、３１、３２ 光ファイバ
２１ａ、３１ａ コア部
２１ｂ 内側クラッド部
２１ｃ 外側クラッド部
３１ｂ、３２ｂ クラッド部
３２ｃ 被覆部
５２ａ 筒状部
５２ｂ 拡径部
６３ 放熱部材
６４ 樹脂部材
７ 光ファイバレーザ
７１ 励起光源
７１₁〜７１_n 半導体レーザ素子
７２₁〜７２_n マルチモード光ファイバ
７３ ＴＦＢ
７４ ダブルクラッド光ファイバ
７５ａ、７５ｂ 光ファイバグレーティングデバイス
７６ 希土類元素添加光ファイバ
７８ シングルモード光ファイバ
７９ コリメータ部品
Ａ１、Ａ２ 領域
Ｃ１〜Ｃ７ 接続点
Ｌ１〜Ｌ１１ 光

Claims (5)

1. コア部と、前記コア部の外周に形成され該コア部よりも屈折率が低いクラッド部とを備えた光ファイバと、
   前記クラッド部と同一またはそれ以上の屈折率を有し、前記クラッド部の外径と同一の内径を有するように形成され、前記光ファイバを挿通して該光ファイバの外周に密着するように固定した漏洩光ガイド部材と、
   を備え、
   前記光ファイバは、前記漏洩光ガイド部材が固定された部分以外の前記クラッド部の外周に形成され、前記クラッド部よりも屈折率が低い外側クラッド部を備え、
   前記光ファイバは、２つの光ファイバを接続して形成したものであり、
   前記漏洩光ガイド部材は、前記２つの光ファイバの接続部に対して、光入力側とは反対側であって、前記２つの光ファイバの接続部以外に固定され、
   更に第二の漏洩光ガイド部材を備え、前記漏洩光ガイド部材と前記第二の漏洩光ガイド部材が、前記２つの光ファイバの接続部を挟むように固定されている
   ことを特徴とする光ファイバの漏洩光処理構造。
2. 前記漏洩光ガイド部材の外周を支持するように設けた放熱部材を備えたことを特徴とする請求項１に記載の光ファイバの漏洩光処理構造。
3. 前記漏洩光ガイド部材は樹脂部材によって前記放熱部材に固着していることを特徴とする請求項２に記載の光ファイバの漏洩光処理構造。
4. 前記漏洩光ガイド部材の外周および前端面は粗面処理されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の光ファイバの漏洩光処理構造。
5. 前記漏洩光ガイド部材は、筒状に形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の光ファイバの漏洩光処理構造。

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