JP2020035964A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 垂直共振型面発光レーザであって、
   ＩＩＩ族構成元素としてインジウムを含むＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を備える一又は複数の井戸層を有する量子井戸構造を備える活性層と、
   炭素ドーパントを含む上部積層領域と、
   前記活性層及び前記上部積層領域を含むポストを搭載する基板と、
   を備え、
   前記活性層は、前記上部積層領域と前記基板との間に設けられ、
   前記量子井戸構造は、２×１０^１６ｃｍ^−３以下の炭素濃度を有し、
   前記上部積層領域は、前記活性層から離れた位置にインジウムのパイルアップ層を含む、垂直共振型面発光レーザ。
2. 前記基板上に設けられた下部積層領域を更に備え、
   前記下部積層領域は、分布ブラッグ反射器のための下部積層体と、前記下部積層体と前記活性層との間に設けられた下部スペーサ層とを含み、
   前記下部積層領域は、ＩＩＩ族構成元素としてアルミニウム及びガリウムの少なくともいずれかを含みインジウムを含まないＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を備え、
   前記上部積層領域は、分布ブラッグ反射器のための上部積層体と、前記上部積層体と前記活性層との間に設けられた上部スペーサ層とを含む、請求項１に記載された垂直共振型面発光レーザ。
3. 前記量子井戸構造は、ＡｌＧａＩｎＡｓ井戸層及びＡｌＧａＡｓ障壁層を含む、請求項１又は請求項２に記載された垂直共振型面発光レーザ。
4. 垂直共振型面発光レーザを作製する方法であって、
   構成元素としてＧａ及びＡｓを含むＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を備える基板を成長炉に配置する工程と、
   ＩＩＩ族原料及びＶ族原料を前記成長炉に供給して、第１半導体を成長する工程と、
   前記第１半導体を成長した後に前記ＩＩＩ族原料を前記成長炉に供給することなく半導体の成長を中断する工程と、
   前記半導体の成長を中断した後に、炭素ドーパント、ＩＩＩ族原料及びＶ族原料を前記成長炉に供給して、第２半導体を成長する工程と、
   を備え、
   第１半導体を成長する前記工程は、前記ＩＩＩ族原料からのインジウムをＩＩＩ族構成元素として含む第１化合物半導体層を有する活性層を前記基板上に成長し、
   第２半導体を成長する前記工程は、炭素ドーパントを含む第２化合物半導体層を有する上部半導体積層を前記基板上に形成する、
   垂直共振型面発光レーザを作製する方法。
5. 前記第１半導体は、第１基板温度で成長され、
   前記第２半導体は、第２基板温度で成長され、
   前記第２基板温度は、前記第１基板温度より高く、
   半導体の成長を中断する前記工程は、前記第１基板温度から前記第２基板温度へ温度の変更を行う、請求項４に記載された垂直共振型面発光レーザを作製する方法。
6. 前記活性層は、２×１０^１６ｃｍ^−３以下の炭素濃度を有する、請求項４又は請求項５に記載された垂直共振型面発光レーザを作製する方法。