JP6038630B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、活性層へのドーパントの拡散を防止することで高い発光効率を長期間維持可能であり、また発光ムラが少ない等、高性能な発光素子を提供することを目的とする。
以下に、上述した発光素子10を製造する方法について、図3(a)−(c)を用いて説明する。図3(a)−(c)は、発光素子10の製造工程を断面で示した図である。なお、図3(a)−(c)においては、明解さのために1つの発光素子の断面を示しているが、実際の製造時は、多数の発光素子が配列されたシート状態で製造されてもよい。
11 成長基板
13 バッファ層
15 下地層
17 n型クラッド層
19 n型半導体層
20 n電極
21 下地改善層
23 不純物遮蔽層
25 表面改善層
27 拡散防止層
29 歪み緩和層
31 活性層
33 ブロック層
35 p型半導体層
37 p電極
39 補助層
Claims (6)
- n型ドーパントがドーピングされている第1の半導体層、活性層、p型ドーパントがドーピングされている第2の半導体層がこの順に積層されてなる半導体構造層を有する半導体素子であって、
前記第1の半導体層と前記活性層との間には拡散防止層が形成されており、前記拡散防止層は、前記第1の半導体層に近い方からアンドープ層である第1の緩衝層、n型ドーパント及びp型ドーパントの両方がドーピングされているコドープ層である中間層及び前記中間層よりもn型ドーパントのドーパント濃度が低い第2の緩衝層が順に積層された層を含み、
前記第2の緩衝層は、前記中間層側から前記活性層側にかけてドーパント濃度が低下していることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第2の緩衝層は、アンドープ層と前記n型ドーパントがドーピングされている層とからなる超格子構造を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記第1の緩衝層と前記第1の半導体層との間には、補助層が形成されており、前記補助層は、アンドープ層とコドープ層とがこの順に積層されてなる層を含んでいることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記補助層及び前記第1の緩衝層が、アンドープ層とコドープ層とからなる超格子構造を形成していることを特徴とする請求項3に記載の半導体発光素子。
- 前記第1の緩衝層と前記第1の半導体層との間には、補助層が形成されており、前記補助層は、アンドープ層と前記n型ドーパントがドーピングされている層とがこの順に積層されてなる層を含んでいることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記補助層及び前記第1の緩衝層が、アンドープ層と前記n型ドーパントがドーピングされている層とからなる超格子構造を有することを特徴とする請求項5に記載の半導体発光素子。
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