JP2020029532A - 耐放射線性ハイドロゲル材およびその製造方法 - Google Patents
耐放射線性ハイドロゲル材およびその製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
参考文献:瀬口忠男、田村清俊、渡士克己、鈴木雅秀、島田明彦、杉本雅樹、出崎亮、吉川正人、大島武、工藤久明、原子力発電所用ケーブルの経年劣化メカニズムの研究(受託研究)、JAEA−Research 2012−029
従って、P−DNゲルにおいてもラジカル起点の連鎖反応が起きたと推測する。この推測が正しければ、発生したラジカルを即座に(反応する前に)失活させるような処理ができれば連鎖反応を食い止めることができるため、γ線によるP−DNゲルの劣化速度を遅くできる可能性がある。C−H結合やO−H結合の切断によって発生したラジカルを失活させるためには、発生したラジカルに対して水素原子を供給することで失活(安定化)させるラジカル捕捉剤を添加する手法が考えられる。
(1)第1のゲルの合成
モノマーにNaAMPS(2−acrylamido−2methylpropanesulfonic acid, sodium salt,50mass% solution in water, シグマアルドリッチ社製)、架橋剤にMBAA(N,N’−methylenebis−acrylamide,和光純薬工業株式会社製)、開始剤にα−keto(α−keto glutaric acid,和光純薬工業株式会社製)および溶媒に精製水を用いて第1のゲル溶液を調整した。試薬は全て未精製で使用した。各濃度は、NaAMPS:1M、MBAAは4mol%、α−keto:0.1mol%(MBAAおよびα−ketoの濃度はモノマー比)とし、混合して撹拌後に窒素ガスでバブリングした上で紫外線を照射し、ゲル化させた。乾燥機で1日乾燥させた後、ダンシングミルで約100μmの微粒子粉末とし、目開き100μmのふるいにより大きい粒子を除去した。
モノマーにDMAAm(N,N−dimethylacrylamide, 東京化成工業株式会社製)、架橋剤にMBAA、開始剤にα−ketoおよび溶媒に精製水を用いて第2のゲル溶液を調製した。試薬は全て未精製で使用した。各濃度は,DMAAm:2M,MBAA:0.1mol%,α−keto:0.1mol%(MBAAおよびα−ketoの濃度はモノマー比)で一定とした。
第2のゲルの前駆体溶液を調製後、第1のゲル微粒子を添加し、撹拌した後、型に入れて紫外線を照射してP−DNゲルを合成した。第1のゲルと第2のゲルの混合比は、第1のゲルの粉末と第2のゲルの前駆体溶液の質量で1:30とした。
P−DNゲルの合成後、ラジカル捕捉剤としてヒドロキノンを溶かした水溶液にてP−DNゲルを膨潤させることでラジカル捕捉剤を含むハイドロゲル材を作製した。ラジカル捕捉剤の添加量は、0mass%、1mass%、3mass%および5mass%とした。膨潤時間は48時間とした。ヒドロキノンの水に対する溶解度が70g/L(20℃)であり、5mass%より大きくするとヒドロキノンが析出してしまうおそれがあったことから、ヒドロキノンが析出しないよう最大濃度は5mass%とした。
全ての試験片について圧縮試験及び含水率測定を行った。圧縮試験は、卓上型材料試験機(株式会社エー・アンド・デイ製、型式:STA−1150)を用いて行った。また、含水率は加熱乾燥式水分計(株式会社エー・アンド・デイ製、型式:MS−70)で測定した。
Claims (14)
- ゲルと、ラジカル捕捉剤とを含むことを特徴とする耐放射線性ハイドロゲル材。
- 前記ラジカル捕捉剤は、前記ゲルに放射線が照射されて生じるラジカルに水素原子を供給可能な物質であることを特徴とする請求項1に記載の耐放射線性ハイドロゲル材。
- 前記ラジカル捕捉剤は、フェノール性水酸基を有することを特徴とする請求項2に記載の耐放射線性ハイドロゲル材。
- 前記ラジカル捕捉剤は、ヒドロキノンであることを特徴とする請求項3に記載の耐放射線性ハイドロゲル材。
- 前記ラジカル捕捉剤の添加量は、1質量%以上5質量%未満であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の耐放射線性ハイドロゲル材。
- 前記ラジカル捕捉剤の添加量は、1質量%以上3質量%以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の耐放射線性ハイドロゲル材。
- 前記ゲルが、複合網目構造または機能性架橋剤を含むことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の耐放射線性ハイドロゲル材。
- ハイドロゲルを得る工程と、前記ハイドロゲルにラジカル捕捉剤を含む水を含ませる工程とを有することを特徴とする耐放射線性ハイドロゲル材の製造方法。
- 前記ラジカル捕捉剤は、前記ハイドロゲルに放射線が照射されて生じるラジカルに水素原子を供給可能な物質であることを特徴とする請求項8に記載の耐放射線性ハイドロゲル材の製造方法。
- 前記ラジカル捕捉剤は、フェノール性水酸基を有することを特徴とする請求項9に記載の耐放射線性ハイドロゲル材の製造方法。
- 前記ラジカル捕捉剤は、ヒドロキノンであることを特徴とする請求項10に記載の耐放射線性ハイドロゲル材の製造方法。
- 前記ラジカル捕捉剤の添加量は、1質量%以上5質量%未満であることを特徴とする請求項8から11のいずれか1項に記載の耐放射線性ハイドロゲル材の製造方法。
- 前記ラジカル捕捉剤の添加量は、1質量%以上3質量%以下であることを特徴とする請求項8から11のいずれか1項に記載の耐放射線性ハイドロゲル材の製造方法。
- 前記ハイドロゲルが、複合網目構造または機能性架橋剤を含むことを特徴とする請求項8から11のいずれか1項に記載の耐放射線性ハイドロゲル材の製造方法。
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