JP2019161177A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】一つの実施形態は、メモリセルに格納された情報を適正に読み出すことができる半導体装置及び制御方法を提供することを目的とする。【解決手段】一つの実施形態によれば、第1の半導体領域3aと積層体と半導体チャネル41、4aとゲート絶縁膜5と制御回路とを有する半導体装置が提供される。積層体は、導電膜と絶縁膜とが繰り返し積層方向に配置されている。半導体チャネルは、積層方向に積層体を貫通する。半導体チャネルは、一端が第1の半導体領域に電気的に接続されている。ゲート絶縁膜は、積層体と半導体チャネルとの間に配置される。制御回路は、導電膜と半導体チャネルとが交差する位置に構成されるメモリセルからの情報の読み出し時に、積層体における第1の半導体領域に最も近い導電膜6−1に第1の電圧を供給し、第1の半導体領域に第2の電圧を供給する。第2の電圧は、第1の電圧より高い電圧である。【選択図】図6
Description
本実施形態は、半導体装置に関する。
3次元構造を有する半導体装置では、導電膜と絶縁膜とが交互に積層された積層体が半導体柱で貫通され、導電膜と半導体柱とが交差する位置に3次元的なメモリセルの配列が構成され得る。このとき、メモリセルに格納された情報を適正に読み出すことが望まれる。
一つの実施形態は、メモリセルに格納された情報を適正に読み出すことができる半導体装置を提供することを目的とする。
一つの実施形態によれば、第1の半導体領域と積層体と半導体チャネルとゲート絶縁膜と制御回路とを有する半導体装置が提供される。積層体は、導電膜と絶縁膜とが繰り返し積層方向に配置されている。半導体チャネルは、積層方向に積層体を貫通する。半導体チャネルは、一端が第1の半導体領域に電気的に接続されている。ゲート絶縁膜は、積層体と半導体チャネルとの間に配置される。制御回路は、導電膜と半導体チャネルとが交差する位置に構成されるメモリセルからの情報の読み出し時に、積層体における第1の半導体領域に最も近い導電膜に第1の電圧を供給し、第1の半導体領域に第2の電圧を供給する。第2の電圧は、第1の電圧より高い電圧である。
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体装置を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
(実施形態)
半導体装置では、導電膜と絶縁膜とが交互に積層された積層体が柱状の半導体柱で貫通されて3次元的なメモリセルの配列(メモリセルアレイ)が構成されることがある。この半導体装置は、積層数を増やすことによって記憶容量の増加が可能なため、より高度なパターニング技術を利用する必要性を低減でき、ビット当たりのコストを容易に削減できる。
半導体装置では、導電膜と絶縁膜とが交互に積層された積層体が柱状の半導体柱で貫通されて3次元的なメモリセルの配列(メモリセルアレイ)が構成されることがある。この半導体装置は、積層数を増やすことによって記憶容量の増加が可能なため、より高度なパターニング技術を利用する必要性を低減でき、ビット当たりのコストを容易に削減できる。
半導体装置が3次元的な半導体メモリである場合、導電膜と半導体柱とが交差する部分がメモリセルとして機能するように構成され、複数のメモリセルが3次元的に配列されたメモリセルアレイが構成される。導電膜における半導体柱と交差する部分がメモリセルにおけるコントロールゲートとして機能し、導電膜における残りの部分がコントロールゲートへ信号を伝達するワードラインとして機能し得る。メモリセルのオン・オフ制御は、配線層からコンタクトを経由して導電膜における引き出された部分(階段状に加工された部分)へ伝達された制御信号が導電膜における半導体柱と交差する部分(コントロールゲート)へ伝達されることで行われ得る。
メモリセルからの情報の読み出し処理は、メモリセルのコントロールゲートへ印加される読み出し電圧を変化させ、メモリセルのオン・オフが変化する境界の読み出し電圧として閾値電圧を検知することで行われる。このとき、メモリセルのオン状態では、半導体柱を垂直方向に電荷が移動することでセル電流が流れ、メモリセルのオフ状態では、半導体柱でオン状態より小さいセル電流が流れるか実質的にセル電流が流れない。このオン状態とオフ状態とでセル電流のレベルが違うことを利用してメモリセルアレイの周辺に配置されたセンスアンプ回路で閾値電圧を検知し、その検知結果に応じてメモリセルに格納された情報が復元され得る。そのため、メモリセルのオン状態におけるセル電流をオフ状態のセル電流に比べて大きく確保することが望まれる。
しかし、半導体装置が3次元的な半導体メモリである場合、チャネル領域として機能し得る半導体柱が例えばポリシリコンを主成分とする膜で構成され半導体柱とゲート絶縁膜との界面付近に欠陥が発生しやすい。そして、半導体柱の中心側がコア絶縁膜で貫通されて構成される場合、読み出し処理では、半導体柱が電位的にフローティング状態にあるため、半導体柱とゲート絶縁膜との界面付近に電子電流が流れたときに欠陥による電子トラップが発生することがあり、これにより、セル電流が減衰しやすい。セル電流が減衰すると、ノイズや固定電荷量の変化の影響が出やすく、メモリセルに格納された情報を適正に読み出すことが困難になる。
そこで、本実施形態では、半導体装置において、メモリセルからの情報の読み出し動作時に電子用の電圧印加に加えて正孔用の電圧印加を行い、半導体柱とゲート絶縁膜との界面付近に電子電流を流しながら半導体柱とコア絶縁膜の界面付近に正孔電流を流すことで、セル電流の増加を図る。
具体的には、半導体装置1は、図1及び図2に示すように構成される。図1は、半導体装置1の構成を示す斜視図である。図2は、半導体装置1の構成を示すブロック図である。
半導体装置1は、3次元的な半導体メモリであり、例えば、NAND型フラッシュメモリである。半導体装置1は、メモリセルアレイ2、制御回路10、インタフェース20、ワードラインWL、選択ゲートラインSGSL、選択ゲートラインSGDL、ビットラインBL、及びソースラインSL(図3参照)を有している。制御回路10は、WL制御回路11、SGSL制御回路12、SGDL制御回路13、ウェル制御回路14、SL制御回路15、及びセンスアンプ回路16を含む。なお、以下では、ビットラインBLの延在方向をY方向とし、メモリセルトランジスタの積層方向をZ方向とし、Y方向およびZ方向に垂直な方向をX方向とする。
図1に示すメモリセルアレイ2は、Z方向に1以上のメモリセルトランジスタ(以下、単にメモリセルともいう)が配列されたメモリセル列と、メモリセル列の上端および下端にそれぞれ設けられるドレイン側選択トランジスタDTおよびソース側選択トランジスタSTとを有するメモリストリングMSが基板3(図5参照)上に複数配置された構成を有する。複数のメモリセルMT0〜MT7、および選択トランジスタDT,STは、導電膜(SGSL,WL,SGDL)と絶縁膜とが繰り返しZ方向に配置された積層体SST(図5参照)を柱状体4が貫通する構造における導電膜(SGSL,WL,SGDL)と柱状体4とが交差する位置に構成される。メモリセルMT0〜MT7では、板状の導電膜(ワードラインWL)における柱状体4と交差する部分がコントロールゲートとして機能する。ドレイン側選択トランジスタDTでは、板状の導電膜(選択ゲートラインSGDL)における柱状体4と交差する部分がコントロールゲートとして機能する。ソース側選択トランジスタSTでは、板状の導電膜(選択ゲートラインSGSL)における柱状体4と交差する部分がコントロールゲートとして機能する。ここでは、1つのメモリストリングMSに4層のメモリセルが設けられている場合を例示している。
ワードラインWLは、所定の範囲に存在するメモリストリングMSの同じ高さのメモリセルのコントロールゲート間を接続している。また、選択ゲートラインSGSLは、所定の範囲に存在するメモリストリングMSのソース側選択トランジスタSTのコントロールゲート間を接続し、選択ゲートラインSGDLは、所定の範囲に存在するメモリストリングMSのドレイン側選択トランジスタDTのコントロールゲート間を接続している。さらに、ビットラインBLは、Y方向に沿って延び、各メモリストリングMSの上部に接続される。
WL制御回路11は、ワードラインWLに印加する電圧を制御する回路であり、SGSL制御回路12は、選択ゲートラインSGSLに印加する電圧を制御する回路であり、SGDL制御回路13は、選択ゲートラインSGDLに印加する電圧を制御する回路である。ウェル制御回路14は、基板電圧ラインSUBLに印加する電圧を制御する回路である。SL制御回路15は、ソースラインSLに印加する電圧を制御する回路である。センスアンプ回路16は、選択されたメモリセルから読み出された信号に応じてメモリセルの閾値電圧を検知する回路である。
メモリセルアレイ2のワードラインWL、選択ゲートラインSGSL,SGDLと、WL制御回路11、SGSL制御回路12およびSGDL制御回路13とは、メモリセルアレイ2に設けられたワードラインコンタクト部WC(電極線コンタクト部)で、それぞれコンタクトを介して接続される。ワードラインコンタクト部WCは、メモリセルアレイ2のWL制御回路11側に設けられており、各高さのメモリセルと選択トランジスタに接続されるワードラインWLと選択ゲートラインSGSL,SGDLが階段状に加工された構造となっている。
図2に示す制御回路10は、インタフェース20経由で外部(例えば、メモリコントローラ)から入力された指示に基づいて、半導体装置1の動作を制御する。例えば、制御回路10は、書き込み指示を受けた場合、書き込みが指示されたデータをメモリセルアレイ2における指示されたアドレスのメモリセルへ書き込む。また、制御回路10は、読み出し指示を受けた場合、メモリセルアレイ2における指示されたアドレスのメモリセルからデータを読み出しインタフェース20経由で外部(メモリコントローラ)へ出力する。
次に、メモリセルアレイ2の回路構成について図3を用いて説明する。図3は、メモリセルアレイ2の回路構成を示す図であり、メモリセルアレイ2に含まれる複数のブロックB1〜Bnのうち1つのブロックB1について例示的に示すものであるが、他のブロックB2〜BnについてもブロックB1と同様である。
図3において、ブロックB1には、例えば8本のワードラインWL0〜WL7、選択ゲートラインSGDL,SGSLおよびソースラインSLが設けられている。また、ブロックB1〜Bnには、例えば12本のビットラインBL1〜BL12が共通に設けられている。なお、図2は、ワードラインが8本、ビットラインが12本の場合を例示的に示すものであり、ワードライン及びビットラインの本数はこの本数に限定されない。
そして、ブロックB1には、12個のメモリストリングMS1〜MS12がロウ方向に配列され、メモリストリングNS1〜NS12は、ビットラインBL1〜BL12にそれぞれ対応しており、対応するビットラインBL1〜BL12にそれぞれ接続されている。
メモリストリングMS1〜MS12には、カラム方向に沿ってメモリセルMT0〜MT7および選択トランジスタDT、STがそれぞれ設けられている。各メモリセルMT0〜MT7は、例えば、1個のトランジスタである。そして、メモリセルMT0〜MT7が直列に接続されている。
また、各選択トランジスタDT,STは、例えば、1個のトランジスタである。メモリセルMT0〜MT7のうち最もドレイン側であるメモリセルMT7にドレイン側選択トランジスタDTが直列に接続され、メモリセルMT0〜MT7のうち最もソース側であるメモリセルMT0にソース側選択トランジスタSTが直列に接続されることで各メモリストリングMS1〜MS12が構成されている。
そして、メモリストリングMS1〜MS12において、メモリセルMT0〜MT7のコントロールゲートには、ワードラインWL0〜WL7がそれぞれ接続されている。また、各メモリストリングMS1〜MS12の一端は、ドレイン側選択トランジスタDTを介してビットラインBL1〜BL12に接続され、各メモリストリングMS1〜MS12の他端は、ソース側選択トランジスタSTを介してソースラインSLに接続されている。
また、メモリストリングMS1〜MS12において、1つのメモリセルに1ビットを記憶する場合は、ワードラインWLk(例えば、k=0〜7)に接続された例えば12個のメモリセルMTk−1〜MTk−12にて1つのメモリグループMGを構成することができる。なお、例えば、ワードラインWL3とメモリストリングMS1につながるメモリセルをMT3−1と表記する。また、1メモリセルにpビット(pは2以上の整数)の多値を記憶する場合も、ワードラインWLkに接続された例えば12個のメモリセルMTk−1〜MTk−12にて最大p個分のメモリグループMGを構成することができる。
例えば、図3に示すように、ブロックB1において、カラム方向に基板端子が1回配列され、ロウ方向に基板端子が4回繰り返し配列された場合に相当する、基板端子STM1〜STM4が配列されている。すなわち、図3に示す場合、カラム方向の基板端子の配列ピッチPrはカラム方向のブロックの配列ピッチと均等であり、カラム方向で見た場合、1ブロックにつき1回配列するものとなっている。また、ロウ方向の基板端子の配列ピッチはビットラインの配列ピッチの約3倍であり、ロウ方向で見た場合、ビットライン3本につき1回配列するものとなっている。
複数の基板電圧ラインSUBL1〜SUBL4は、列(カラム)方向にそれぞれ延びるとともに、行(ロウ)方向に配列されている。すなわち、各基板電圧ラインSUBL1〜SUBL4は、複数のブロックB1〜Bnに跨って複数のビットラインの間をビットラインに沿って延びて、対応する基板端子に接続されている。
例えば、基板電圧ラインSUBL1は、複数のブロックB1〜Bnに跨ってビットラインに沿って延び、基板端子STM1−1〜STM1−nに接続されている。例えば、基板電圧ラインSUBL2は、複数のブロックB1〜Bnに跨ってビットラインに沿って延び、基板端子STM2−1〜STM2−nに接続されている。例えば、基板電圧ラインSUBL3は、複数のブロックB1〜Bnに跨ってビットラインに沿って延び、基板端子STM3−1〜STM3−nに接続されている。例えば、基板電圧ラインSUBL4は、複数のブロックB1〜Bnに跨ってビットラインに沿って延び、基板端子STM4−1〜STM4−nに接続されている。
ブロックB1〜Bn内における基板電圧ラインSUBL1〜SUBL4の配置位置は、例えば、図3に示すようになっている。例えば、基板電圧ラインSUBL1は、ビットラインBL1及びビットラインBL2の間でビットラインBL1に沿って延び、ソースラインSLに交差する位置の近傍で基板端子STM1に接続されている。例えば、基板電圧ラインSUBL2は、ビットラインBL4及びビットラインBL5の間でビットラインBL4に沿って延び、ソースラインSLに交差する位置の近傍で基板端子STM2に接続されている。例えば、基板電圧ラインSUBL3は、ビットラインBL7及びビットラインBL8の間でビットラインBL7に沿って延び、ソースラインSLに交差する位置の近傍で基板端子STM3に接続されている。例えば、基板電圧ラインSUBL4は、ビットラインBL10及びビットラインBL11の間でビットラインBL10に沿って延び、ソースラインSLに交差する位置の近傍で基板端子STM4に接続されている。
次に、メモリセルアレイ2の具体的な構成について図4及び図5を用いて説明する。図4は、メモリセルアレイ2の平面構成を示す図であり、図1に示すメモリセルアレイ2をA−A’線に沿って平面方向(XY方向)に切った場合の断面(XY断面)を示す。図5は、メモリセルアレイ2の断面構成を示す図であり、図4に示すメモリセルアレイ2をB−B’線に沿って垂直方向(YZ方向)に切った場合の断面(YZ断面)を示す。
メモリセルアレイ2は、図4及び図5に示すように、基板3上において、柱状体4がXY方向に2次元的に配列されるとともに、積層体SSTが柱状体4で貫通されて3次元的なメモリセルの配列として構成される。
図5に示す基板3は、ウェル領域(第1の半導体領域)3a及び拡散領域(第2の半導体領域)3b,3cを有する。ウェル領域3aは、半導体(例えば、シリコン)を主成分とする材料で形成され、P型の不純物(例えば、ボロン又はアルミニウム)を第1の濃度で含む。拡散領域3b,3cは、それぞれ、半導体(例えば、シリコン)を主成分とする材料で形成され、N型の不純物(例えば、リン又はヒ素)を第1の濃度より濃い第2の濃度で含む。
なお、ウェル領域3aの電位は、図2に示すウェル制御回路14により、図3に示す基板電圧ラインSUBL1〜SUBL4及び基板端子STM1〜STM4を介して制御され得る。
また、基板3の上には、図4に示すように、複数の積層体SSTが配され得る。複数の積層体SSTは、分離部40を間にして互いにY方向にずれた位置に配され得る。分離部40は、少なくとも積層体SSTに接する面が絶縁物質で形成され、複数の積層体SSTを電気的に分離している。分離部40は、X方向およびZ方向に沿って延びた略フィン形状を有する。
分離部40は、複数の積層体SSTの間に配され、複数の積層体SSTを電気的に分離している。分離部40は、絶縁部材43及び電極部材44を有する。電極部材44は、X方向およびZ方向に沿って延びた略フィン形状を有する。基板3の拡散領域3bには、電極部材44の−Z側の端部(底面)が接触している。電極部材44の主面における少なくとも積層体SSTに向く領域は、X方向およびZ方向に沿って延びた略フィン形状を有する絶縁部材43で覆われている。電極部材44は、ソースラインSLとして機能する。
なお、拡散領域3bの電位は、図2に示すSL制御回路15により、図3に示すソースラインSL(図5に示す電極部材44)を介して制御され得る。
柱状体4は、柱状下部4aと柱状上部4bとを有する。柱状下部4aは、基板3の上に配されている。柱状下部4aは、半導体(例えば、シリコン)を主成分とする材料で形成され、P型の不純物(例えば、ボロン又はアルミニウム)を第3の濃度で含む。第3の濃度は、第1の濃度と略等しい濃度とすることができる。
柱状上部4bは、柱状下部4a上に配される。柱状上部4bは、半導体柱41及びコア絶縁膜42を有する。コア絶縁膜42は、柱状体4の中心軸近傍に配され柱状体4の中心軸に沿って延びている。コア絶縁膜42は、絶縁物(例えば、シリコン酸化物)を主成分とする材料で形成され得る。コア絶縁膜42は、ZY断面視において略I字形状を有し、ZX断面視において略I字形状を有する。半導体柱41は、コア絶縁膜42を外側から囲むように配され柱状体4の中心軸に沿って延びている。半導体柱41は、底面が閉塞された略円筒状の形状を有する。半導体柱41は、ZY断面視において略I字形状を有し、ZX断面視において略I字形状を有する。
半導体柱41は、メモリストリングMSにおけるチャネル領域(アクティブ領域)を含み、実質的に不純物を含まない半導体(例えば、ポリシリコン)を主成分とする材料で形成することができる。
Z方向において、柱状下部4aは、柱状上部4b及び基板3の間に位置し、柱状上部4bの半導体柱41に接触しているとともに基板3のウェル領域3aに接触している。これにより、柱状下部4aは、半導体柱41とウェル領域3aとを電気的に接続することができ、半導体柱41とともにメモリストリングMSにおける半導体チャネルを形成する。
ゲート絶縁膜5は、積層体SSTと半導体柱41との間に配され、平面視において半導体柱41を囲っている(図4参照)。ゲート絶縁膜5は、半導体柱41の側面を覆っている。ゲート絶縁膜5は、電荷蓄積能力を有するように構成され、例えば、電荷蓄積膜が1対の絶縁膜(トンネル絶縁膜、ブロック絶縁膜)で挟まれたONO型の3層構造を有する。図4に示すように、ゲート絶縁膜5は、半導体柱41側から順に、絶縁層5a/絶縁層5b/絶縁層5cの3層構造で構成され得る。絶縁層5aは、酸化物(例えば、シリコン酸化物)を主成分とする材料で形成され得る。絶縁層5bは、窒化物(例えば、シリコン窒化物)を主成分とする材料で形成され得る。絶縁層5cは、酸化物(例えば、シリコン酸化物、金属酸化物またはそれらの積層)を主成分とする材料で形成され得る。
ゲート絶縁膜9は、導電膜6−1と柱状下部4aとの間に配されている。ゲート絶縁膜9は、酸化物(例えば、シリコン酸化物)を主成分とする材料で形成され得る。
積層体SSTでは、導電膜6と絶縁膜7とが交互に繰り返し積層されている。図5の場合、基板3の上に、絶縁膜7−1、導電膜6−1、絶縁膜7−2、導電膜6−2、絶縁膜7−3、導電膜6−3、絶縁膜7−4、導電膜6−4、絶縁膜7−5、導電膜6−5、絶縁膜7−6、導電膜6−6が順に積層されている。各導電膜6は、導電物(例えば、タングステンなどの金属)を主成分とする材料で形成され得る。各絶縁膜7は、絶縁物(例えば、シリコン酸化物などの半導体酸化物)を主成分とする材料で形成され得る。導電膜6−1は、選択ゲートラインSGSLとして機能する。導電膜6−2は、ワードラインWL0として機能する。導電膜6−3は、ワードラインWL1として機能する。導電膜6−4は、ワードラインWL2として機能する。導電膜6−5は、ワードラインWL3として機能する。導電膜6−6は、選択ゲートラインSGDLとして機能する。
図5に示すように、導電膜6−1が柱状下部4a及びゲート絶縁膜9と交差する位置には、ソース側選択トランジスタSTが構成される。導電膜6−2が半導体柱41及びゲート絶縁膜5と交差する位置には、メモリセルMT0が構成される。導電膜6−3が半導体柱41及びゲート絶縁膜5と交差する位置には、メモリセルMT1が構成される。導電膜6−4が半導体柱41及びゲート絶縁膜5と交差する位置には、メモリセルMT2が構成される。導電膜6−5が半導体柱41及びゲート絶縁膜5と交差する位置には、メモリセルMT3が構成される。導電膜6−6が半導体柱41及びゲート絶縁膜5と交差する位置には、ドレイン側選択トランジスタDTが構成される。
積層体SSTの上には、層間絶縁膜8が配されている。層間絶縁膜8は、絶縁物(例えば、シリコン酸化物などの半導体酸化物)を主成分とする材料で形成され得る。
層間絶縁膜8の上には、導電膜32が配されている。導電膜32は、ビットラインBLとして機能する。導電膜32は、導電物(例えば、タングステン、アルミニウムなどの金属)を主成分とする材料で形成され得る。
導電膜32と半導体柱41との間には、コンタクトプラグ31が配されている。コンタクトプラグ31は、上端で導電膜32に接触し、下端で半導体柱41に接触し、導電膜32及び半導体柱41を電気的に接続することができる。コンタクトプラグ31は、ビットラインコンタクトして機能する。コンタクトプラグ31は、導電物(例えば、タングステンなどの金属)を主成分とする材料で形成され得る。
半導体装置1では、制御回路10(図2参照)は、選択メモリセルからの情報の読み出し処理において、図6に示すような電圧印加を行う。図6は、読み出し処理の動作を示す図であり、図5のC部分を模式的に示しており、ワードラインWL2(導電膜6−4)が選択ワードラインでありメモリセルMT2が選択メモリセルである場合が例示されている。
制御回路10は、選択ビットラインBL(導電膜32)を介してコンタクトプラグ31の電位をグランド電位にしソースラインSLを介して拡散領域3bに正の電圧VLIを印加する。それとともに、制御回路10は、選択ゲートラインSGSL、ワードラインWL0、ワードラインWL1、ワードラインWL3、選択ゲートラインSGDLを介して、導電膜6−1,6−2,6−3,6−5,6−6にリード電圧Vrを印加し、選択ワードラインWL2を介して導電膜6−4に閾値検知用のスイープ電圧Vswを印加する。これにより、半導体柱41(ポリシリコン膜)におけるゲート絶縁膜5との界面近傍のチャネル領域を反転させ電子(e−)を流す。
また、制御回路10は、基板電圧ラインSUBLを介してウェル領域3aに正の電圧Vwを印加し、半導体柱41(ポリシリコン膜)におけるコア絶縁膜42との界面近傍の領域に正孔(h+)が流れている状態とする。
ここで、電子(e−)は、コンタクトプラグ31→半導体柱41におけるゲート絶縁膜5との界面近傍→柱状下部4aにおける導電膜6−1に近い側の領域→拡散領域3bの経路で流れるようにし、正孔(h+)は、ウェル領域3a→柱状下部4aにおける導電膜6−1から遠い側の領域→半導体柱41におけるコア絶縁膜42との界面近傍の領域→コンタクトプラグ31の経路で流れるようにする。
このため、制御回路10は、望ましくはVw≦VLIになるように制御する。仮に、Vw>>VLIになっていると、正孔(h+)がウェル領域3a→拡散領域3bの経路で流れてしまい、チャネル領域に所望の正孔電流を流すことが困難になる。
また、制御回路10は、Vw>導電膜6−1への印加電圧(=図6の場合のVr)になるように制御する。仮に、Vw≦導電膜6−1への印加電圧(=図6の場合のVr)になっていると、ウェル領域3aと半導体柱41との間に正孔(h+)に対するポテンシャル障壁が形成される。これにより、正孔(h+)がウェル領域3a→柱状下部4aにおける導電膜6−1から遠い側の領域へと流れにくくなり、チャネル領域に所望の正孔電流を流すことが困難になる。
なお、制御回路10は、ウェル領域3aへの電圧Vwの印加と拡散領域3bへの電圧VLIの印加とをほぼ同時に行ってもよい。あるいは、制御回路10は、拡散領域3bへの電圧VLIの印加を先に行い、その後、ウェル領域3aへの電圧Vwの印加を行ってもよい。
この読み出し処理時の電荷密度分布についてシミュレーションを行ったところ、図7に示す結果が得られた。図7は、読み出し処理時の電荷密度分布を示す図である。
図7(e)→図7(d)→図7(c)→図7(b)→図7(a)は、それぞれ、ウェル領域3aに電圧Vw=7.1Vを印加し拡散領域3bに電圧VLI=7.1Vを印加し導電膜6−3,6−5,6−6にリード電圧Vr=6.9Vを印加した状態で、導電膜6−4へ印加するスイープ電圧Vswを−5.5V→−2.5V→0.5V→3.5V→6.5Vと変化させた場合における半導体柱41の電位分布の変化を示している。スイープ電圧を3.5V以上にすると、半導体柱41におけるゲート絶縁膜5との界面近傍の領域の電位が反転していることが分かる。
この電位分布の変化に伴い、電子(e−)の密度分布は、図7(j)→図7(i)→図7(h)→図7(g)→図7(f)と変化することが示されている。すなわち、スイープ電圧を3.5V以上にすると、半導体柱41におけるゲート絶縁膜5との界面近傍の領域に電子(e−)が流れるようになることが分かる。
また、この電位分布の変化に伴い、正孔(h+)の密度分布は、図7(o)→図7(n)→図7(m)→図7(l)→図7(k)と変化することが示されている。すなわち、スイープ電圧を3.5V以上にすると、半導体柱41におけるコア絶縁膜42との界面近傍の領域に正孔(h+)が流れるようになることが分かる。
また、この読み出し処理時におけるメモリセルの電圧電流特性についてシミュレーションを行ったところ、図8に示す結果が得られた。図8は、メモリセルの電圧電流特性を示す図である。図8の場合、制御電圧をV1以上にすると、セル電流がI1からI2に急峻に立ち上がる電圧電流特性を示し、メモリセルのオン・オフを精度よく検知できることが確認された。すなわち、センスアンプ回路16(図2参照)におけるオン・オフの検知にもちいる電流レベルをI1とI2との間にすることで、メモリセルのオン・オフを精度よく検知できる。
以上のように、実施形態では、半導体装置1において、メモリセルからの情報の読み出し動作時に電子用の電圧印加に加えて正孔用の電圧印加を行う。すなわち、読み出し動作時に、積層体SSTにおける最下の導電膜6−1に印加する電圧より大きい電圧を選択メモリセルに対応したウェル領域3aに印加し、その電圧以上の電圧をソース側の拡散領域3b,3cに印加する。これにより、半導体柱41とゲート絶縁膜5との界面付近に電子電流を流しながら半導体柱41とコア絶縁膜42の界面付近に正孔電流を流すことができるので、セル電流を容易に増加でき、メモリセルに格納された情報を適正に読み出すことができる。
なお、本実施形態の考え方は、図9に示すメモリセルアレイ2iの構成に適用されてもよい。図9は、実施形態の変形例におけるメモリセルアレイ2iの構成を示す断面図である。図9に示す構成では、基板3と積層体SSTとの間に、導電膜33i、半導体膜34i、絶縁膜35i、及び半導体膜36iが順に積層されている。導電膜33iは、半導体膜34iの下面に接触しているとともに、分離部40を満たす絶縁部材43iの下面に接触している。導電膜33iは、導電物(例えば、タングステンなどの金属)を主成分とする材料で形成され得る。半導体膜34iは、半導体(例えば、ポリシリコン)を主成分とする材料で形成され、P型の不純物(例えば、ボロン又はアルミニウム)を第4の濃度で含む。絶縁膜35iは、絶縁物(例えば、シリコン酸化物などの半導体酸化物)を主成分とする材料で形成される。半導体膜36iは、半導体(例えば、ポリシリコン)を主成分とする材料で形成され、N型の不純物(例えば、リン又はヒ素)を第5の濃度で含む。第5の濃度は、第4の濃度より大きな濃度にすることができる。半導体膜36iは、ソースラインSLとして機能する。ゲート絶縁膜5iは、半導体柱41の側面を覆いながら積層体SSTをZ方向に貫通するが、半導体柱41と半導体膜36iとに挟まれた部分の一部に開口5i1が配されている。これにより、半導体膜36iは、開口5i1を介して半導体柱41の側面に電気的に接続されている。
このとき、制御回路10(図2参照)は、選択メモリセルからの情報の読み出し処理において、図10に示すような電圧印加を行う。図10は、実施形態の変形例における読み出し処理の動作を示す図であり、図9のD部分を模式的に示しており、ワードラインWL1(導電膜6−3)が選択ワードラインでありメモリセルMT1が選択メモリセルである場合が例示されている。
制御回路10は、選択ビットラインBL(導電膜32)を介してコンタクトプラグ31の電位をグランド電位にしソースラインSLを介して半導体膜36iに正の電圧VLIを印加する。それとともに、制御回路10は、選択ゲートラインSGSL、ワードラインWL0、選択ゲートラインSGDLを介して、導電膜6−1,6−2,6−4にリード電圧Vrを印加し、選択ワードラインWL1を介して導電膜6−3に閾値検知用のスイープ電圧Vswを印加する。これにより、半導体柱41(ポリシリコン膜)におけるゲート絶縁膜5iとの界面近傍のチャネル領域を反転させ電子(e−)を流す。
また、制御回路10は、基板電圧ラインSUBLを介して半導体膜34iに正の電圧Vwを印加し、半導体柱41(ポリシリコン膜)におけるコア絶縁膜42との界面近傍の領域に正孔(h+)が流れている状態とする。
ここで、電子(e−)は、コンタクトプラグ31→半導体柱41におけるゲート絶縁膜5iとの界面近傍→半導体膜36iの経路で流れるようにし、正孔(h+)は、半導体膜34i→半導体柱41におけるコア絶縁膜42との界面近傍の領域→コンタクトプラグ31の経路で流れるようにする。
このため、制御回路10は、望ましくはVw≦VLIになるように制御する。仮に、Vw>>VLIになっていると、正孔(h+)が半導体膜34i→半導体膜36iの経路で流れてしまい、チャネル領域に所望の正孔電流を流すことが困難になる。
また、制御回路10は、Vw>導電膜6−1への印加電圧(=図10の場合のVr)になるように制御する。仮に、Vw≦導電膜6−1への印加電圧(=図10の場合のVr)になっていると、半導体柱41における導電膜6−1と略同じ高さの領域に正孔(h+)に対するポテンシャル障壁が形成される。これにより、正孔(h+)が半導体膜34i→半導体柱41におけるコア絶縁膜42との界面近傍の領域へと流れにくくなり、チャネル領域に所望の正孔電流を流すことが困難になる。
なお、制御回路10は、半導体膜34iへの電圧Vwの印加と半導体膜36iへの電圧VLIの印加とをほぼ同時に行ってもよい。あるいは、制御回路10は、半導体膜36iへの電圧VLIの印加を先に行い、その後、半導体膜34iへの電圧Vwの印加を行ってもよい。
以上本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 半導体装置、4 柱状体、5,9 ゲート絶縁膜、10 制御回路、41 半導体柱、SST 積層体。
Claims (5)
- 第1の半導体領域と、
導電膜と絶縁膜とが繰り返し積層方向に配置された積層体と、
前記積層方向に前記積層体を貫通し、一端が前記第1の半導体領域に電気的に接続された半導体チャネルと、
前記積層体と前記半導体チャネルとの間に配置されたゲート絶縁膜と、
前記導電膜と前記半導体チャネルとが交差する位置に構成されるメモリセルからの情報の読み出し時に、前記積層体における前記第1の半導体領域に最も近い導電膜に第1の電圧を供給し、前記第1の半導体領域に前記第1の電圧より高い第2の電圧を供給する制御回路と、
を備えた半導体装置。 - 前記第1の半導体領域と前記最も近い導電膜との間に配され、前記半導体チャネルの前記一端に電気的に接続された第2の半導体領域をさらに備え、
前記制御回路は、前記読み出し時に、前記第2の半導体領域に前記第2の電圧と均等又は前記第2の電圧より高い第3の電圧を供給する
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1の半導体領域は、第1の導電型の不純物を含み、
前記第2の半導体領域は、前記第1の導電型と反対である第2の導電型の不純物を含む
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第1の半導体領域は、基板に配され、
前記第2の半導体領域は、前記基板における前記第1の半導体領域の内側に配され、
前記半導体チャネルの前記一端は、前記第1の半導体領域に接触しているとともに前記第1の半導体領域を介して前記第2の半導体領域に電気的に接続されている
請求項2又は3に記載の半導体装置。 - 前記第1の半導体領域は、前記半導体チャネルの前記一端に接触しており、
前記第2の半導体領域は、前記半導体チャネルの前記一端付近の側面に接触している
請求項2又は3に記載の半導体装置。
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