JP2019140171A - パターン形成方法及びウェーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】フォトリソグラフィに比べて工程が簡単で経済性に優れるパターン形成方法を提供する。【解決手段】ウェーハの表面側又は裏面側に凹凸を有するパターンを形成するパターン形成方法であって、外的刺激によって硬化する樹脂でウェーハの表面側又は裏面側を被覆する被覆ステップと、被覆ステップを実施した後、パターンに対して凹凸が反転した反転パターンを外周面に有する円筒状のドラムの位置とウェーハの位置とを合わせ、ウェーハを被覆する樹脂に対してドラムを押し当てながら回転させるとともに、樹脂に外的刺激を付与することで、ウェーハの表面側又は裏面側に樹脂でなるパターンを形成するパターン形成ステップと、を含む。【選択図】図4
Description
本発明は、ウェーハに凹凸を有するパターンを形成するパターン形成方法、及びこのパターン形成方法を利用するウェーハの加工方法に関する。
各種の電子機器に組み込まれるデバイスチップを製造する際には、まず、複数の分割予定ライン(ストリート)によって区画されたウェーハの各領域にIC(Integrated Circuit)等のデバイスを形成する。このウェーハを、例えば、切削装置やレーザー加工装置等を用いて分割予定ラインに沿って切断することで、各デバイスに対応する複数のデバイスチップが得られる。
ところで、上述した切削装置を用いる加工方法では、回転させた切削ブレードでウェーハを粉砕しながら切断するので、デバイスチップに欠け(チッピング)等の破損が発生し易く、抗折強度も低下しがちである。また、複数の分割予定ラインのそれぞれに切削ブレードを切り込ませなくてはならないので、加工の完了までに長い時間を要してしまう。
これに対して、レーザー加工装置を用いる加工方法では、ウェーハを機械的に削り取ることなく切断するので、欠け等の発生を抑制し、抗折強度を高め、切断に要する幅(切り代)も小さく(狭く)できる。しかし、この加工方法では、隣接するデバイスチップの間隔も狭くなるので、搬送等の際にデバイスチップ同士が接触し、欠け等の破損を発生させてしまうことがあった。
近年では、プラズマエッチングを利用してウェーハを分割する加工方法も提案されている(例えば、特許文献1参照)。この加工方法では、プラズマエッチングによってウェーハの全体を一度に加工するので、ウェーハの径が大きくなったり、デバイス(デバイスチップ)のサイズが小さくなったりしても、加工に要する時間は延びずに済む。また、ウェーハを機械的に削り取るわけではないないので、欠け等の発生を抑制し、抗折強度の低下を防ぐことも可能である。
ところで、上述したプラズマエッチングを利用してウェーハを分割する加工方法では、デバイスチップをプラズマから保護するためのマスクとなるパターンをウェーハの表面側又は裏面側に形成する必要がある。このマスクとなるパターンは、通常、フォトリソグラフィによって形成される。しかしながら、フォトリソグラフィは、様々な設備を要し工程が煩雑であるため、パターンの形成にコストが掛かり易い。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、フォトリソグラフィに比べて工程が簡単で経済性に優れるパターン形成方法、及びこのパターン形成方法を利用するウェーハの加工方法を提供することである。
本発明の一態様によれば、ウェーハの表面側又は裏面側に凹凸を有するパターンを形成するパターン形成方法であって、外的刺激によって硬化する樹脂で該ウェーハの該表面側又は該裏面側を被覆する被覆ステップと、該被覆ステップを実施した後、該パターンに対して凹凸が反転した反転パターンを外周面に有する円筒状のドラムの位置と該ウェーハの位置とを合わせ、該ウェーハを被覆する該樹脂に対して該ドラムを押し当てながら回転させるとともに、該樹脂に該外的刺激を付与することで、該ウェーハの該表面側又は該裏面側に樹脂でなる該パターンを形成するパターン形成ステップと、を含むパターン形成方法が提供される。
本発明の一態様において、該ドラムの外周の長さは、該ウェーハの直径より大きく、該ドラムの外周面には、該反転パターンを表面に備え屈曲できる程度に薄いシリコンウェーハが設けられていても良い。
本発明の別の一態様によれば、交差する複数の分割予定ラインによって区画された表面側の各領域にそれぞれデバイスを有するウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、外的刺激によって硬化する樹脂で該ウェーハの表面側又は裏面側を被覆する被覆ステップと、該被覆ステップを実施した後、該分割予定ラインに対応する凸部が形成されたパターンを外周面に有する円筒状のドラムの位置と該ウェーハの位置とを合わせ、該ウェーハを被覆する該樹脂に対して該ドラムを押し当てながら回転させるとともに、該樹脂に該外的刺激を付与することで、該ウェーハの該表面側又は該裏面側に該分割予定ラインに沿って凹部を有するマスクを形成するマスク形成ステップと、該マスク形成ステップを実施した後、該マスクを介して該ウェーハにプラズマエッチングを施すプラズマエッチングステップと、を含むウェーハの加工方法が提供される。
本発明の一態様に係るパターン形成方法によれば、外的刺激によって硬化する樹脂でウェーハの表面側又は裏面側を被覆し、この樹脂に円筒状のドラムを押し当てながら回転させて外的刺激を付与するだけで、樹脂を硬化させて凹凸を有するパターンを形成できる。よって、本発明の一態様に係るパターン形成方法は、フォトリソグラフィに比べて工程が簡単で経済性にも優れている。
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係るパターン形成方法は、被覆ステップ(図2(A)及び図2(B)参照)と、パターン形成ステップ(図3(A)、及び図3(B)、図4(A)及び図4(B)参照)と、を含む。
被覆ステップでは、外的刺激によって硬化する樹脂でウェーハの表面側を被覆する。パターン形成ステップでは、ウェーハを被覆する樹脂に、形成したいパターンに対して凹凸が反転した反転パターンを外周面に有する円筒状のドラムを押し当てながら回転させて、この樹脂に外的刺激を付与する。以下、本実施形態に係るパターン形成方法について詳述する。
図1は、本実施形態のパターン形成方法で使用されるウェーハの構成例を模式的に示す斜視図である。図1に示すように、ウェーハ11は、例えば、シリコン等の半導体材料で円盤状に構成されている。このウェーハ11の表面11a側は、交差する複数の分割予定ライン(ストリート)13によって複数の領域に区画されており、各領域には、IC(Integrated Circuit)等のデバイス15が形成されている。
なお、本実施形態では、シリコン等の半導体材料でなる円盤状のウェーハ11を用いるが、ウェーハ11の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば、他の半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなるウェーハ11を用いることもできる。また、デバイス15の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。ウェーハ11には、デバイス15が形成されていなくても良い。
本実施形態に係るパターン形成方法では、まず、外的刺激によって硬化する樹脂でウェーハ11の表面11a側を被覆する被覆ステップを行う。図2(A)は、被覆ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図2(B)は、被覆ステップ後のウェーハ11等の状態を模式的に示す断面図である。本実施形態に係る被覆ステップは、例えば、図2(A)に示すスピン塗布装置2で実施される。
スピン塗布装置2は、ウェーハ11を保持するチャックテーブル4を備えている。チャックテーブル4は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。チャックテーブル4の上面は、ウェーハ11の裏面11b側を吸引、保持する保持面4aとなっている。
この保持面4aは、チャックテーブル4の内部に形成された吸引路(不図示)等を介して吸引源(不図示)に接続されている。吸引源の負圧を保持面4aに作用させることで、ウェーハ11をチャックテーブル4で保持できる。チャックテーブル4の上方には、パターンの原料となる液状の樹脂を滴下するノズル6が配置されている。
被覆ステップでは、まず、ウェーハ11の裏面11b側をチャックテーブル4の保持面4aに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ11は、表面11a側が上方に露出した状態でチャックテーブル4に保持される。次に、チャックテーブル4を回転させて、ノズル6から液状の樹脂21を滴下する。これにより、ウェーハ11の表面11a側に液状の樹脂21を塗布できる。
本実施形態では、紫外線等の外的刺激によって硬化する液状の樹脂21が使用される。ただし、この液状の樹脂21を用いて形成されるパターンをプラズマエッチング用のマスクとする場合には、硬化させた後にプラズマエッチングに対してある程度の耐性を持つ樹脂21を使用する必要がある。このような樹脂21としては、例えば、紫外線によって硬化するポリイミドやエポキシ等を挙げることができる。ウェーハ11の表面11a側が液状の樹脂21で被覆されると、被覆ステップは終了する。
なお、本実施形態では、スピン塗布装置2を用いるスピンコーティングによって液状の樹脂21を被覆しているが、スプレーコーティング、ディップコーティング等の他の方法を用いて樹脂21を被覆することもできる。また、本実施形態では、ウェーハ11の表面11a側を樹脂21で被覆しているが、ウェーハ11の裏面11b側を樹脂21で被覆しても良い。この場合には、ウェーハ11の裏面11b側にパターンが形成されることになる。
被覆ステップの後には、ウェーハ11を被覆する樹脂21に円筒状のドラムを押し当てながら外的刺激を付与することで、ウェーハ11の表面11aに凹凸のあるパターンを形成するパターン形成ステップを行う。図3(A)は、このパターン形成ステップで使用される円筒状のドラム12の外観を模式的に示す斜視図である。
図3(A)に示すように、ドラム12は、円筒状に構成された筒状体14を含む。この筒状体14は、中心軸に相当する回転軸14aの周りに回転できるように構成される。筒状体14の回転軸14aに沿う方向の長さと、外周の長さとは、いずれも、ウェーハ11の直径よりも長くなっている。また、筒状体14は、回転軸14aに対して垂直な方向に移動できるように、支持構造(不図示)によって支持されている。
筒状体14の外周面には、ウェーハ11の表面11aに形成されるパターンに対して凹凸を反転させた反転パターン16が設けられている。図3(B)は、反転パターン16の一部の領域Aを拡大した平面図である。なお、図3(B)では、反転パターン16の領域Aを、その表面側が上に向いた状態で示している。
図3(B)に示すように、反転パターン16は、基準面16aから外向き(図3では、上向き)に突出した凸状の構造体(凸部)16bを含む。この構造体16bは、例えば、ウェーハ11の分割予定ライン13に対応する位置に配置されている。すなわち、ウェーハ11のデバイス13に対応する領域には、基準面16aと構造体16bとによって区画される空間16cが存在している。
なお、反転パターン16を含むドラム12の形成方法に特段の制限はない。例えば、反転パターン16を表面に備え、屈曲できる程度に薄いシリコンウェーハを筒状体14の外周面に貼付する方法でドラム12を形成できる。この場合には、例えば、シリコンウェーハの表面をエッチング等の方法で加工して反転パターン16を形成すると良い。また、この場合には、筒状体14の外周面に合わせてウェーハを屈曲できる程度に研削等の方法であらかじめウェーハを薄くしておく。
図4(A)は、パターン形成ステップを模式的に示す斜視図であり、図4(B)は、パターン形成ステップを模式的に示す断面図である。パターン形成ステップでは、まず、ウェーハ11に対して、円筒状のドラム12の位置を合わせる。具体的には、ウェーハ11の分割予定ライン13に反転パターン16の構造体16bが重なるように、ドラム12の位置とウェーハ11の位置とを調整する。
次に、ウェーハ11を被覆する樹脂21に対してドラム12を押し当てながら回転させる。上述のように、ドラム12(筒状体14)の外周面には、構造体16bを含む反転パターン16が設けられている。よって、図4(A)及び図4(B)に示すように、樹脂21に対してドラム12を押し当てながら回転させると、樹脂21には、構造体16bに対応する凹部21aが形成される。
そのため、樹脂21に円筒状のドラムを押し当てながら、このドラム12が接触した領域に紫外線等の外的刺激を付与して、この領域の樹脂21を硬化させることで、硬化後の樹脂に凹凸を形成できる。図4(C)は、凹凸を有するパターン(マスク)23が形成されたウェーハ11を模式的に示す断面図である。図4(C)に示すように、樹脂21の全体が硬化され、分割予定ライン13に対応する領域に凹部23aを持つパターン23が形成されると、パターン形成ステップは終了する。
以上のように、本実施形態に係るパターン形成方法によれば、外的刺激によって硬化する樹脂21でウェーハ11の表面11a側を被覆し、この樹脂21に円筒状のドラム12を押し当てながら回転させて外的刺激を付与するだけで、樹脂21を硬化させて凹凸を有するパターン23を形成できる。よって、本実施形態に係るパターン形成方法は、フォトリソグラフィに比べて工程が簡単で経済性にも優れている。
なお、本発明は、上記実施形態等の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態に係るパターン形成方法を利用するウェーハの加工方法を用いれば、ウェーハ11を低コスト且つ簡単に加工できるようになる。具体的には、まず、上述したパターン形成方法によって、ウェーハ11の表面11a側(又は、裏面11b側)にマスクとして機能するパターン(マスク)23を形成する。
すなわち、外的刺激によって硬化する樹脂21でウェーハ11の表面11a側(又は、裏面11b側)を被覆する被覆ステップを行う。また、樹脂21に円筒状のドラム12を押し当てながら外的刺激を付与することで、ウェーハ11の表面11aにマスクとして機能するパターン23を形成するパターン形成ステップ(マスク形成ステップ)を行う。
パターン形成ステップ(マスク形成ステップ)の後には、形成されたパターン23を介してウェーハ11にプラズマエッチングを施すプラズマエッチングステップを行う。図5(A)は、プラズマエッチングステップを示す模式図である。プラズマエッチングステップは、例えば、図5(A)に示すプラズマエッチング装置22を用いて行われる。
プラズマエッチング装置22は、内部に処理用の空間が形成された真空チャンバ24を備えている。真空チャンバ24の側壁には、ウェーハ11を搬入、搬出するための開口24aが形成されている。開口24aの外部には、この開口24aを覆う大きさのゲート26が設けられている。
ゲート26には、開閉機構(不図示)が連結されており、この開閉機構によってゲート26は開閉される。ゲート26を開いて開口24aを露出させることで、開口24aを通じてウェーハ11を真空チャンバ24の内部の空間に搬入し、又は、ウェーハ11を真空チャンバ24の内部の空間から搬出できる。
真空チャンバ24の底壁には、排気口24bが形成されている。この排気口24bは、真空ポンプ等の排気ユニット28に接続されている。真空チャンバ24の空間内には、下部電極30が配置されている。下部電極30は、導電性の材料を用いて円盤状に形成されており、真空チャンバ24の外部において高周波電源32に接続されている。
下部電極30の上面には、静電チャック34が配置されている。静電チャック34は、例えば、互いに絶縁された複数の電極36a,36bを備え、各電極36a,36bと被加工物11との間に発生する電気的な力によってウェーハ11を吸着、保持する。なお、本実施形態の静電チャック34は、電極36aに直流電源38aの正極を接続でき、電極36bに直流電源38bの負極を接続できるように構成されている。
真空チャンバ24の天井壁には、導電性の材料を用いて円盤状に形成された上部電極40が絶縁材を介して取り付けられている。上部電極40の下面側には、複数のガス噴出孔40aが形成されており、このガス噴出孔40aは、上部電極40の上面側に設けられたガス供給孔40b等を介してガス供給源42に接続されている。これにより、プラズマエッチング用のガスを真空チャンバ24の空間内に供給できる。この上部電極40も、真空チャンバ24の外部において高周波電源44に接続されている。
プラズマエッチングステップでは、まず、開閉機構によってゲート26を下降させる。次に、開口24aを通じてウェーハ11を真空チャンバ24の空間内に搬入し、静電チャック34に載せる。具体的には、ウェーハ11の裏面11b側を静電チャック34の上面に接触させる。その後、静電チャック34を作動させれば、被加工物11は、表面11a側のパターン23が上方に露出した状態で静電チャック34に吸着、保持される。
静電チャック34でウェーハ11を吸着、保持した後には、パターン23を介してウェーハ11にプラズマエッチングを施すことで、分割予定ライン13に沿ってウェーハ11を分割する。具体的には、まず、開閉機構によってゲート26を上昇させて、真空チャンバ24の空間を密閉する。
また、排気ユニット28を作動させて、空間内を減圧する。この状態で、ガス供給源42からプラズマエッチング用のガスを所定の流量で供給しつつ、高周波電源32,44で下部電極30及び上部電極40に適切な高周波電力を供給すると、下部電極30と上部電極40との間にラジカルやイオン等を含むプラズマが発生する。
これにより、パターン23で覆われていないウェーハ11の表面11a側(すなわち、分割予定ライン13)をプラズマに曝し、ウェーハ11を加工できる。なお、ガス供給源42から供給されるプラズマエッチング用のガスは、ウェーハ11の材質等に応じて適切に選択される。プラズマエッチングは、例えば、分割予定ライン13に沿って被加工物11が完全に分割されるまで続けられる。
図5(B)は、プラズマエッチングステップで分割されたウェーハ11を模式的に示す断面図である。図5(B)に示すように、ウェーハ11が完全に分割され、複数のデバイスチップ17が形成されると、プラズマエッチングステップは終了する。このプラズマエッチングステップでは、全ての分割予定ライン13に沿って被加工物11を一度に加工できるので、分割予定ライン13の数が多い被加工物11を分割する場合等には、加工の品質を維持しながら1本の分割予定ライン13当たりの加工に要する時間を短縮できる。
なお、上記実施形態のパターン形成方法で形成されるパターン23の凹部23aの底には、必ずしも、ウェーハ11の表面11aが露出していなくて良い。上述したウェーハの加工方法に係るプラズマエッチングステップのように、パターン23にプラズマを曝すことで、凹部23aの底に残るパターン23を除去し、ウェーハ11の表面11aを露出させることができるからである。
また、上記実施形態のパターン形成方法で形成されるパターン23を、デバイス15を形成する際のパターニング等に用いても良い。
その他、上記実施形態及び変形例に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
11 ウェーハ
11a 表面
11b 裏面
13 分割予定ライン(ストリート)
15 デバイス
17 デバイスチップ
21 樹脂
21a 凹部
23 パターン(マスク)
23a 凹部
2 スピン塗布装置
4 チャックテーブル
4a 保持面
6 ノズル
12 ドラム
14 筒状体
14a 回転軸
16 反転パターン
16a 基準面
16b 構造体(凸部)
16c 空間
22 プラズマエッチング装置
24 真空チャンバ
24a 開口
24b 排気口
26 ゲート
28 排気ユニット
30 下部電極
32 高周波電源
34 静電チャック
36a,36b 電極
38a,38b 直流電源
40 上部電極
40a ガス噴出孔
40b ガス供給孔
42 ガス供給源
44 高周波電源
A 領域
11a 表面
11b 裏面
13 分割予定ライン(ストリート)
15 デバイス
17 デバイスチップ
21 樹脂
21a 凹部
23 パターン(マスク)
23a 凹部
2 スピン塗布装置
4 チャックテーブル
4a 保持面
6 ノズル
12 ドラム
14 筒状体
14a 回転軸
16 反転パターン
16a 基準面
16b 構造体(凸部)
16c 空間
22 プラズマエッチング装置
24 真空チャンバ
24a 開口
24b 排気口
26 ゲート
28 排気ユニット
30 下部電極
32 高周波電源
34 静電チャック
36a,36b 電極
38a,38b 直流電源
40 上部電極
40a ガス噴出孔
40b ガス供給孔
42 ガス供給源
44 高周波電源
A 領域
Claims (3)
- ウェーハの表面側又は裏面側に凹凸を有するパターンを形成するパターン形成方法であって、
外的刺激によって硬化する樹脂で該ウェーハの該表面側又は該裏面側を被覆する被覆ステップと、
該被覆ステップを実施した後、該パターンに対して凹凸が反転した反転パターンを外周面に有する円筒状のドラムの位置と該ウェーハの位置とを合わせ、該ウェーハを被覆する該樹脂に対して該ドラムを押し当てながら回転させるとともに、該樹脂に該外的刺激を付与することで、該ウェーハの該表面側又は該裏面側に樹脂でなる該パターンを形成するパターン形成ステップと、を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 該ドラムの外周の長さは、該ウェーハの直径より大きく、
該ドラムの外周面には、該反転パターンを表面に備え屈曲できる程度に薄いシリコンウェーハが設けられていることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。 - 交差する複数の分割予定ラインによって区画された表面側の各領域にそれぞれデバイスを有するウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、
外的刺激によって硬化する樹脂で該ウェーハの表面側又は裏面側を被覆する被覆ステップと、
該被覆ステップを実施した後、該分割予定ラインに対応する凸部が形成されたパターンを外周面に有する円筒状のドラムの位置と該ウェーハの位置とを合わせ、該ウェーハを被覆する該樹脂に対して該ドラムを押し当てながら回転させるとともに、該樹脂に該外的刺激を付与することで、該ウェーハの該表面側又は該裏面側に該分割予定ラインに沿って凹部を有するマスクを形成するマスク形成ステップと、
該マスク形成ステップを実施した後、該マスクを介して該ウェーハにプラズマエッチングを施すプラズマエッチングステップと、を含むことを特徴とするウェーハの加工方法。
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---|---|---|---|---|
JP2005005284A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Canon Inc | 微細加工装置およびこれを用いたデバイス |
JP2005012040A (ja) * | 2003-06-20 | 2005-01-13 | Canon Inc | 加工装置及び方法 |
JP2006108428A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの分割方法 |
JP2008073902A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Dainippon Printing Co Ltd | モールド及びモールドの製造方法 |
JP2010137358A (ja) * | 2007-04-12 | 2010-06-24 | Kyowa Hakko Chemical Co Ltd | パターン形成方法およびパターン形成装置 |
-
2018
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005005284A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Canon Inc | 微細加工装置およびこれを用いたデバイス |
JP2005012040A (ja) * | 2003-06-20 | 2005-01-13 | Canon Inc | 加工装置及び方法 |
JP2006108428A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの分割方法 |
JP2008073902A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Dainippon Printing Co Ltd | モールド及びモールドの製造方法 |
JP2010137358A (ja) * | 2007-04-12 | 2010-06-24 | Kyowa Hakko Chemical Co Ltd | パターン形成方法およびパターン形成装置 |
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