JP2019121771A - プリント配線板 - Google Patents

Abstract

【課題】 高い信頼性を有するプリント配線板の提供【解決手段】 実施形態のプリント配線板１０は、コア基板３０の導体層３４Ｆ、３４Ｓと内側の導体層５８Ｆ、５８Ｓと最外の導体層２５８Ｆ、２５８Ｓを有する。そして、各導体層は金属箔とシード層と電解めっき膜で形成される。各金属箔は、マット面を有し、コア基板の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の大きさは内側の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の大きさより大きい。また、最外の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の大きさは内側の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の大きさより大きい。【選択図】 図２

Description

本発明は、コア基板とコア基板上に交互に積層されている導体層と樹脂絶縁層とから成るプリント配線板に関する。

特許文献１は図２Ａに多層プリント配線板を開示している。そのプリント配線板では、絶縁層と導体層が交互に積層されていて、隣接する導体層は絶縁層に形成されているバイアホールで接続されている。また、特許文献１は、図９Ａ〜９Ｅ、及び、図１０Ａ〜１０Ｅ、図１１、図１２Ａ〜１２Ｂに多層プリント配線板の製造方法を示している。特許文献１の図９Ｂによれば、銅箔に至るバイアホール形成用の開口が絶縁層に形成されている。その後、その開口内にバイアホールが形成されている。それから、図９Ｅに示されるように、絶縁層の両面に導体層が形成されている。そして、図９Ｅの回路基板の両面に絶縁層と導体層を交互に積層することで、特許文献１は、図１２Ａに示される多層プリント配線板を製造している。

特開２０１２−１５６５２５号公報

[特許文献１の課題]
特許文献１は、多層プリント配線板を開示している。特許文献１の図９Ａ〜９Ｅ、及び、図１０Ａ〜１０Ｅ、図１１、図１２Ａ〜１２Ｂに示されている製造方法によれば、特許文献１では、図９Ｅの回路基板はコア基板と考えられる。そして、そのコア基板は銅箔に至るバイアホールを有している。例えば、特許文献１の図１２Ａに示される多層プリント配線板はヒートサイクルでストレスを受けると、図９Ｅに示される回路基板（コア基板）が大きなストレスを受けると考えられる。特に、特許文献１の図９Ｅに示される回路基板（コア基板）に形成されているバイアホールの底面とその底面と接続している銅箔（導体回路）との界面に働くストレスが大きいと考えられる。そのストレスで図９Ｅに示される回路基板（コア基板）内のバイアホールの底面と銅箔（導体回路）との間の接続信頼性が低下すると予想される。

本発明に係るプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有するコア層と前記第１面から前記第２面に向かって細くなっている第１開口と前記第２面から前記第１面に向かって細くなっている第２開口で形成されるスルーホール導体用の貫通孔と前記貫通孔に形成されているスルーホール導体と前記第１面上に形成され前記スルーホール導体に直接繋がっている第１スルーホールランドと前記第２面上に形成され前記スルーホール導体に直接繋がっている第２スルーホールランドとを有するコア基板と、前記第１面と前記第１スルーホールランド上に形成されている第１樹脂絶縁層と、前記第２面と前記第２スルーホールランド上に形成されている第２樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層を貫通し、前記第１スルーホールランドに接続する第１ビア導体と、前記第２樹脂絶縁層を貫通し、前記第２スルーホールランドに接続する第２ビア導体と、前記第１樹脂絶縁層上に形成され前記第１ビア導体に直接繋がっている第１ビアランドと、前記第２樹脂絶縁層上に形成され前記第２ビア導体に直接繋がっている第２ビアランドと、前記第１樹脂絶縁層と前記第１ビアランド上に形成されている最外の第１樹脂絶縁層と、前記第２樹脂絶縁層と前記第２ビアランド上に形成されている最外の第２樹脂絶縁層と、前記最外の第１樹脂絶縁層上に形成されている最外の第１導体層と、前記最外の第２樹脂絶縁層上に形成されている最外の第２導体層と、前記最外の第１樹脂絶縁層を貫通し、前記第１ビア導体に電気的に繋がっている最外の第１ビア導体と、前記最外の第２樹脂絶縁層を貫通し、前記第２ビア導体に電気的に繋がっている最外の第２ビア導体、とからなる。そして、前記スルーホール導体と前記第１スルーホールランドと前記第２スルーホールランドでスルーホール構造が形成され、前記スルーホール導体は前記第１開口と前記第２開口との交差部に接合エリアを有し、前記第１スルーホールランドは第１金属箔と前記第１金属箔上の第１シード層と前記第１シード層上の第１電解めっき膜で形成され、前記第２スルーホールランドは第２金属箔と前記第２金属箔上の第２シード層と前記第２シード層上の第２電解めっき膜で形成され、前記第１ビアランドは内側の第１金属箔と前記内側の第１金属箔上の内側の第１シード層と前記内側の第１シード層上の内側の第１電解めっき膜で形成され、前記第２ビアランドは内側の第２金属箔と前記内側の第２金属箔上の内側の第２シード層と前記内側の第２シード層上の内側の第２電解めっき膜で形成され、前記最外の第１導体層は最外の第１金属箔と前記最外の第１金属箔上の最外の第１シード層と前記最外の第１シード層上の最外の第１電解めっき膜で形成され、前記最外の第２導体層は最外の第２金属箔と前記最外の第２金属箔上の最外の第２シード層と前記最外の第２シード層上の最外の第２電解めっき膜で形成され、前記第１金属箔は前記コア層の前記第１面と前記第１金属箔との間の界面に第１マット面を有し、前記第２金属箔は前記コア層の前記第２面と前記第２金属箔との間の界面に第２マット面を有し、前記内側の第１金属箔は前記第１樹脂絶縁層と前記内側の第１金属箔との間の界面に内側の第１マット面を有し、前記内側の第２金属箔は前記第２樹脂絶縁層と前記内側の第２金属箔との間の界面に内側の第２マット面を有し、前記最外の第１金属箔は前記最外の第１樹脂絶縁層と前記最外の第１金属箔との間の界面に最外の第１マット面を有し、前記最外の第２金属箔は前記最外の第２樹脂絶縁層と前記最外の第２金属箔との間の界面に最外の第２マット面を有し、前記内側の第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＩ１）は、前記第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（Ｒｚ１）、前記第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（Ｒｚ２）、前記最外の第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＯ１）と前記最外の第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＯ２）より小さく、前記内側の第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＩ２）は、前記第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（Ｒｚ１）、前記第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（Ｒｚ２）、前記最外の第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＯ１）と前記最外の第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＯ２）より小さく、前記コア層の厚みは、６０μｍ以上、８０μｍ以下である。

本発明の第２の観点に係るプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有するコア層と前記第１面上に形成されている第１導体層と前記第２面上に形成されている第２導体層とを有するコア基板と、前記第１面と前記第１導体層上に形成されている第１樹脂絶縁層と、前記第２面と前記第２導体層上に形成されている第２樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層上に形成されている内側の第１導体層と、前記第２樹脂絶縁層上に形成されている内側の第２導体層と、前記第１樹脂絶縁層と前記内側の第１導体層上に形成されている最外の第１樹脂絶縁層と、前記第２樹脂絶縁層と前記内側の第２導体層上に形成されている最外の第２樹脂絶縁層と、前記最外の第１樹脂絶縁層上に形成されている最外の第１導体層と、前記最外の第２樹脂絶縁層上に形成されている最外の第２導体層とを有する。そして、前記第１導体層は第１金属箔と前記第１金属箔上の第１シード層と前記第１シード層上の第１電解めっき膜で形成され、前記第２導体層は第２金属箔と前記第２金属箔上の第２シード層と前記第２シード層上の第２電解めっき膜で形成され、前記内側の第１導体層は内側の第１金属箔と前記内側の第１金属箔上の内側の第１シード層と前記内側の第１シード層上の内側の第１電解めっき膜で形成され、前記内側の第２導体層は内側の第２金属箔と前記内側の第２金属箔上の内側の第２シード層と前記内側の第２シード層上の内側の第２電解めっき膜で形成され、前記最外の第１導体層は最外の第１金属箔と前記最外の第１金属箔上の最外の第１シード層と前記最外の第１シード層上の最外の第１電解めっき膜で形成され、前記最外の第２導体層は最外の第２金属箔と前記最外の第２金属箔上の最外の第２シード層と前記最外の第２シード層上の最外の第２電解めっき膜で形成され、前記第１金属箔は前記コア層の前記第１面と前記第１金属箔との間の界面に第１マット面を有し、前記第２金属箔は前記コア層の前記第２面と前記第２金属箔との間の界面に第２マット面を有し、前記内側の第１金属箔は前記第１樹脂絶縁層と前記内側の第１金属箔との間の界面に内側の第１マット面を有し、前記内側の第２金属箔は前記第２樹脂絶縁層と前記内側の第２金属箔との間の界面に内側の第２マット面を有し、前記最外の第１金属箔は前記最外の第１樹脂絶縁層と前記最外の第１金属箔との間の界面に最外の第１マット面を有し、前記最外の第２金属箔は前記最外の第２樹脂絶縁層と前記最外の第２金属箔との間の界面に最外の第２マット面を有し、前記内側の第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＩ１）は、前記第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（Ｒｚ１）、前記第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（Ｒｚ２）、前記最外の第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＯ１）と前記最外の第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＯ２）より小さく、前記内側の第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＩ２）は、前記第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（Ｒｚ１）、前記第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（Ｒｚ２）、前記最外の第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＯ１）と前記最外の第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＯ２）より小さく、前記コア層の厚みは、６０μｍ以上、８０μｍ以下である。

[実施形態の効果]
本発明の実施形態によれば、第１金属箔の第１マット面の凹凸（粗さ）の大きさ(深さ)は、内側の第１金属箔の内側の第１マット面の凹凸（粗さ）の大きさ(深さ)より大きい。そのため、第１ビアランドを形成する内側の第１金属箔の内側の第１マット面を第１樹脂絶縁層に形成することで発生する応力が第１スルーホールランドを形成する第１金属箔とコア層との間の界面に伝わっても、その応力は、第１スルーホールランドとコア層との間の接着強度より小さいと考えられる。そのため、スルーホール導体がコア層から剥がれないと考えられる。

残留応力が解放されると、例えば、スルーホール導体とビア導体を介し、最外の導体層に応力が伝達する。その応力により、最外の導体層と最外の樹脂絶縁層との間で剥離が発生すると考えられる。しかしながら、実施形態のプリント配線板では、最外の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸は内側の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸より大きい。そのため、その剥離が発生しがたい。

本発明の実施形態によれば、コア層の厚みが６０μｍ以上、８０μｍ以下である。そのため、スルーホール導体内にボイドが含まれ難い。プリント配線板が製造される時、搬送に起因するストレスがプリント配線板内に蓄積され難い。高い信頼性を有するプリント配線板を提供することができる。

本発明の実施形態に係るプリント配線板と半田バンプを有するプリント配線板の断面図 図２（Ａ）は実施形態のプリント配線板の拡大図であり、図２（Ｂ）はスルーホール導体用の貫通孔の説明図で有る。 実施形態のプリント配線板の製造工程図 実施形態のプリント配線板の製造工程図 実施形態のプリント配線板の製造工程図 実施形態のプリント配線板の製造工程図 実施形態のプリント配線板の製造工程図 実施形態のプリント配線板の説明図

[実施形態]
図１（Ａ）は、実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
プリント配線板１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有するコア基板３０とコア基板３０の第１面Ｆ上に形成されている第１ビルドアップ層Ｂｕ１とコア基板３０の第２面Ｓ上に形成されている第２ビルドアップ層Ｂｕ２と第１ビルドアップ層Ｂｕ１上に形成されている第１ソルダーレジスト層７０Ｆと第２ビルドアップ層Ｂｕ２上に形成されている第２ソルダーレジスト層７０Ｓとを有する。
コア基板３０はコア層２０とコア層２０の第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３４Ｆとコア層２０の第２面Ｓ上に形成されている第２導体層３４Ｓを有する。コア基板は、さらに、コア層２０を貫通する貫通孔２８に形成されているスルーホール導体３６を有する。コア層２０は、エポキシなどの樹脂とガラスクロス等の補強材で形成されている。コア層は、さらに、シリカ等の無機粒子を有しても良い。第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓはスルーホール導体３６を介して接続されている。スルーホール導体３６は貫通孔２８に電解めっき膜を充填することで形成されている。
コア層２０の厚みＤは６０μｍ以上、８０μｍ以下である。コア層の厚みＤが８０μｍ以下なので、貫通孔２８をめっきで充填することが出来る。スルーホール導体３６内にボイドが発生しがたい。コア層の厚みＤが６０μｍ以上なので、プリント配線板が所定の強度を有することができる。そのため、もし、スルーホール導体３６内にボイドが含まれたとしても、搬送や熱衝撃に起因するストレスにより、スルーホール導体３６を介する接続信頼性を確保することができる。
第１ビルドアップ層Ｂｕ１は、コア基板３０の第１面Ｆと第１導体層３４Ｆ上に形成されている第１樹脂絶縁層５０Ｆと、第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成されている内側の第１導体層５８Ｆと、第１樹脂絶縁層５０Ｆと内側の第１導体層５８Ｆ上に形成されている第３樹脂絶縁層１５０Ｆと、第３樹脂絶縁層１５０Ｆ上に形成されている内側の第３導体層１５８Ｆと、第３樹脂絶縁層１５０Ｆと内側の第３導体層１５８Ｆ上に形成されている最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆと、最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆ上に形成されている最外の第１導体層２５８Ｆとを有する。第１ビルドアップ層は、さらに、各樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆを貫通するビア導体６０Ｆ、１６０Ｆ、２６０Ｆを有する。
第１導体層３４Ｆと内側の第１導体層５８Ｆは、第１樹脂絶縁層５０Ｆを貫通する第１ビア導体６０Ｆを介して接続されている。内側の第１導体層５８Ｆと内側の第３導体層１５８Ｆは第３樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通する第３ビア導体１６０Ｆを介して接続される。内側の第３導体層１５８Ｆと最外の第１導体層２５８Ｆは最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆを貫通する最外の第１ビア導体２６０Ｆを介して接続されている。最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆと最外の第１導体層２５８Ｆ上に第１開口７１Ｆを有する第１ソルダーレジスト層７０Ｆが形成されている。第１開口７１Ｆから露出する最外の第１導体層２５８Ｆは、電子部品を実装するための第１パッド７３Ｆを形成する。

第２ビルドアップ層Ｂｕ２は、コア基板３０の第２面Ｓと第２導体層３４Ｓ上に形成されている第２樹脂絶縁層５０Ｓと、第２樹脂絶縁層５０Ｓ上形成されている内側の第２導体層５８Ｓと、第２樹脂絶縁層５０Ｓと内側の第２導体層５８Ｓ上に形成されている第４樹脂絶縁層１５０Ｓと、第４樹脂絶縁層１５０Ｓ上に形成されている内側の第４導体層１５８Ｓと、第４樹脂絶縁層１５０Ｓと内側の第４導体層１５８Ｓ上に形成されている最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓと、最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓ上に形成されている最外の第２導体層２５８Ｓとを有する。第２ビルドアップ層Ｂｕ２は、さらに、各樹脂絶縁層５０Ｓ、１５０Ｓ、２５０Ｓを貫通するビア導体６０Ｓ、１６０Ｓ、２６０Ｓを有する。第２導体層３４Ｓと内側の第２導体層５８Ｓは、第２樹脂絶縁層５０Ｓを貫通する第２ビア導体６０Ｓを介して接続されている。内側の第２導体層５８Ｓと内側の第４導体層１５８Ｓは第４樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通する第４ビア導体１６０Ｓを介して接続される。内側の第４導体層１５８Ｓと最外の第２導体層２５８Ｓは最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓを貫通する最外の第２ビア導体２６０Ｓを介して接続されている。最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓと最外の第２導体層２５８Ｓ上に第２開口７１Ｓを有する第２ソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。第２開口７１Ｓから露出する最外の第２導体層２５８Ｓは、マザーボード、または、電子部品と接続するための第２パッド７３Ｓを形成する。
第１樹脂絶縁層５０Ｆと第２樹脂絶縁層５０Ｓ、第３樹脂絶縁層１５０Ｆ、第４樹脂絶縁層１５０Ｓ、最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆ、最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓは、エポキシ等の樹脂とガラスクロス等の補強材とシリカ等の無機粒子で形成されている。

コア基板３０の貫通孔２８は、第１面Ｆから第２面Ｓに向かって細くなっている第１開口２８Ｆと第２面Ｓから第１面Ｆに向かって細くなっている第２開口２８Ｓで形成されている。第１開口２８Ｆと第２開口２８Ｓはコア層２０内で繋がっている。貫通孔２８やスルーホール導体３６は、第１開口２８Ｆと第２開口２８Ｓとの接合箇所に接合エリア２８Ｐを有する。接合エリア２８Ｐは、図２（Ｂ）に示されている。図２（Ｂ）では、接合エリア２８Ｐに斜線が描かれている。接合エリア２８Ｐの外周はネック部２８Ｃと称される。実施形態では、貫通孔２８の略中央部分に接合エリア２８Ｐが形成されている。そのため、貫通孔２８内にめっきでスルーホール導体３６が形成される時、貫通孔２８の中央部分にボイドが残り難い。スルーホール導体３６を介する接続信頼性を高くすることができる。

第１導体層３４Ｆは、スルーホール導体３６の直上に形成されている第１スルーホールランド３６Ｆを有する。第１スルーホールランド３６Ｆは、スルーホール導体３６と一体的に形成されている。さらに、第１スルーホールランド３６Ｆはコア層２０の第１面Ｆ上に延びていて、スルーホール導体３６を囲んでいる。
第２導体層３４Ｓは、スルーホール導体３６の直上に形成されている第２スルーホールランド３６Ｓを有する。第２スルーホールランド３６Ｓは、スルーホール導体３６と一体的に形成されている。さらに、第２スルーホールランド３６Ｆはコア層２０の第２面Ｓ上に延びていて、スルーホール導体３６を囲んでいる。第１スルーホールランド３６Ｆと第２スルーホールランド３６Ｓはスルーホール導体３６から直接延びている。スルーホール導体３６と第１スルーホールランド３６Ｆと第２スルーホールランド３６Ｓでスルーホール構造が形成される。
スルーホール導体３６とスルーホールランド３６Ｆ、３６Ｓが一体的に形成されているので、スルーホール導体３６と第１導体層３４Ｆ間の接続信頼性やスルーホール導体３６と第２導体層３４Ｓ間の接続信頼性を高くすることができる。
コア基板３０の第１面Ｆとコア層２０の第１面Ｆは同じ面であり、コア基板３０の第２面Ｓとコア層２０の第２面Ｓは同じ面である。

各導体層３４Ｆ、５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆ、３４Ｓ、５８Ｓ、１５８Ｓ、２５８Ｓは、金属箔と金属箔上のシード層とシード層上の電解めっき膜で形成されている。金属箔の例は銅箔であり、シード層の例は無電解銅めっき膜であり、電解めっき膜の例は電解銅めっき膜である。金属箔はコア層２０と導体層３４Ｆ、３４Ｓとの間にマット面を有する。マット面を介してコア層２０と導体層３４Ｆ、３４Ｓが接着されている。また、金属箔は樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆ、５０Ｓ、１５０Ｓ、２５０Ｓと導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆ、５８Ｓ、１５８Ｓ、２５８Ｓとの間にマット面を有する。マット面を介して樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆ、２５０Ｆ、５０Ｓ、１５０Ｓ、２５０Ｓと導体層５８Ｆ、１５８Ｆ、２５８Ｆ、５８Ｓ、１５８Ｓ、２５８Ｓが接着されている。

図２（Ａ）は、図１（Ａ）に示されているプリント配線板の拡大図であり、図１（Ａ）のプリント配線板の一部を示している。
第１導体層３４Ｆは、コア層２０の第１面Ｆ上に形成されている第１金属箔３２ｔｆと第１金属箔３２ｔｆ上の第１シード層４２ｔｆと第１シード層４２ｔｆ上の第１電解めっき膜４４ｔｆで形成されている。第１金属箔３２ｔｆは、コア層２０の第１面Ｆと第１金属箔３２ｔｆとの間の界面に第１マット面３２ｔｆｍを有する。第１マット面３２ｔｆｍの凹凸の十点平均粗さＲｚ１は３．０μｍ以上、５．０μｍ以下である。
第２導体層３４Ｓは、コア層２０の第２面Ｓ上に形成されている第２金属箔３２ｔｓと第２金属箔３２ｔｓ上の第２シード層４２ｔｓと第２シード層４２ｔｓ上の第２電解めっき膜４４ｔｓで形成されている。第２金属箔３２ｔｓは、コア層２０の第２面Ｓと第２金属箔３２ｔｓとの間の界面に第２マット面３２ｔｓｍを有する。第２マット面３２ｔｓｍの凹凸の十点平均粗さＲｚ２は３．０μｍ以上、５．０μｍ以下である。
内側の第１導体層５８Ｆは、第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成されている内側の第１金属箔３２ｓｆと内側の第１金属箔３２ｓｆ上の内側の第１シード層４２ｓｆと内側の第１シード層４２ｓｆ上の内側の第１電解めっき膜４４ｓｆで形成されている。内側の第１金属箔３２ｓｆは、第１樹脂絶縁層５０Ｆと内側の第１金属箔３２ｓｆとの間の界面に内側の第１マット面３２ｓｆｍを有する。例えば、内側の第１マット面３２ｓｆｍの凹凸の十点平均粗さＲｚＩ１は１．５μｍ以上、２．５μｍ以下である。
内側の第２導体層５８Ｓは、第２樹脂絶縁層５０Ｓ上に形成されている内側の第２金属箔３２ｓｓと内側の第２金属箔３２ｓｓ上の内側の第２シード層４２ｓｓと内側の第２シード層４２ｓｓ上の内側の第２電解めっき膜４４ｓｓで形成されている。内側の第２金属箔３２ｓｓは、第２樹脂絶縁層５０Ｓと内側の第２金属箔３２ｓｓとの間の界面に内側の第２マット面３２ｓｓｍを有する。例えば、内側の第２マット面３２ｓｓｍの凹凸の十点平均粗さＲｚＩ２は１．５μｍ以上、２．５μｍ以下である。
内側の第３導体層１５８Ｆは、第３樹脂絶縁層１５０Ｆ上に形成されている内側の第３金属箔３２ｇｆと第３金属箔３２ｇｆ上の内側の第３シード層４２ｇｆと内側の第３シード層４２ｇｆ上の内側の第３電解めっき膜４４ｇｆで形成されている。内側の第３金属箔３２ｇｆは、第３樹脂絶縁層１５０Ｆと内側の第３金属箔３２ｇｆとの間の界面に内側の第３マット面３２ｇｆｍを有する。例えば、内側の第３マット面３２ｇｆｍの凹凸の十点平均粗さＲｚＵＩ１は３．０μｍ以上、５．０μｍ以下である。
内側の第４導体層１５８Ｓは、第４樹脂絶縁層１５０Ｓ上に形成されている内側の第４金属箔３２ｇｓと内側の第４金属箔３２ｇｓ上の内側の第４シード層４２ｇｓと内側の第４シード層４２ｇｓ上の内側の第４電解めっき膜４４ｇｓで形成されている。内側の第４金属箔３２ｇｓは、第４樹脂絶縁層１５０Ｓと内側の第４金属箔３２ｇｓとの間の界面に内側の第４マット面３２ｇｓｍを有する。例えば、内側の第４マット面３２ｇｓｍの凹凸の十点平均粗さＲｚＵＩ２は３．０μｍ以上、５．０μｍ以下である。
最外の第１導体層２５８Ｆは、最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆ上に形成されている最外の第１金属箔３２ｕｆと最外の第１金属箔３２ｕｆ上の最外の第１シード層４２ｕｆと最外の第１シード層４２ｕｆ上の最外の第１電解めっき膜４４ｕｆで形成されている。最外の第１金属箔３２ｕｆは、最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆと最外の第１金属箔３２ｕｆとの間の界面に最外の第１マット面３２ｕｆｍを有する。例えば、最外の第１マット面３２ｕｆｍの凹凸の十点平均粗さＲｚＯ１は３．０μｍ以上、５．０μｍ以下である。
最外の第２導体層２５８Ｓは、最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓ上に形成されている最外の第２金属箔３２ｕｓと最外の第２金属箔３２ｕｓ上の最外の第２シード層４２ｕｓと最外の第２シード層４２ｕｓ上の最外の第２電解めっき膜４４ｕｓで形成されている。最外の第２金属箔３２ｕｓは、最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓと最外の第２金属箔３２ｕｓとの間の界面に最外の第２マット面３２ｕｓｍを有する。例えば、最外の第２マット面３２ｕｓｍの凹凸の十点平均粗さＲｚＯ２は、３．０μｍ以上、５．０μｍ以下である。
この明細書内で、十点平均粗さを粗さと呼ぶことができる。

第１マット面３２ｔｆｍの凹凸の粗さ（Ｒｚ１）と第２マット面３２ｔｓｍの凹凸の粗さ（Ｒｚ２）と最外の第１マット面３２ｕｆｍの凹凸の粗さ（ＲｚＯ１）と最外の第２マット面３２ｕｓｍの凹凸の粗さ（ＲｚＯ２）は略等しい。もしくは、粗さ（Ｒｚ１）と粗さ（Ｒｚ２）は、粗さ（ＲｚＯ１）より大きい。粗さ（Ｒｚ１）と粗さ（Ｒｚ２）は、粗さ（ＲｚＯ２）より大きい。そして、内側の第１マット面３２ｓｆｍの凹凸の粗さ（ＲｚＩ１）と内側の第３マット面３２ｇｆｍの凹凸の粗さ（ＲｚＵＩ１）の内、少なくとも一つは、最外の第１マット面３２ｕｆｍの凹凸の粗さ（ＲｚＯ１）より小さい。粗さ（ＲｚＩ１）と粗さ（ＲｚＵＩ１）の両方が、粗さ（ＲｚＯ１）より小さくても良い。この場合、粗さ（ＲｚＩ１）と粗さ（ＲｚＵＩ１）は略等しい。
粗さ（ＲｚＩ１）が、粗さ（ＲｚＵＩ１）と粗さ（ＲｚＯ１）より小さくても良い。この場合、粗さ（ＲｚＵＩ１）と粗さ（ＲｚＯ１）は略等しい。
粗さ（ＲｚＵＩ１）が、粗さ（ＲｚＩ１）と粗さ（ＲｚＯ１）より小さくても良い。この場合、粗さ（ＲｚＩ１）と粗さ（ＲｚＯ１）は略等しい。

第１マット面３２ｔｆｍの凹凸の粗さ（Ｒｚ１）と第２マット面３２ｔｓｍの凹凸の粗さ（Ｒｚ２）と最外の第１マット面３２ｕｆｍの凹凸の粗さ（ＲｚＯ１）と最外の第２マット面３２ｕｓｍの凹凸の粗さ（ＲｚＯ２）は略等しい。。もしくは、粗さ（Ｒｚ１）と粗さ（Ｒｚ２）は、粗さ（ＲｚＯ１）より大きい。粗さ（Ｒｚ１）と粗さ（Ｒｚ２）は、粗さ（ＲｚＯ２）より大きい。そして、内側の第２マット面３２ｓｓｍの凹凸の粗さ（ＲｚＩ２）と内側の第４マット面３２ｇｓｍの凹凸の粗さ（ＲｚＵＩ２）の内、少なくとも一つは、最外の第１マット面３２ｕｆｍの凹凸の粗さ（ＲｚＯ１）より小さい。
粗さ（ＲｚＩ２）と粗さ（ＲｚＵＩ２）の両方が、粗さ（ＲｚＯ１）より小さくても良い。この場合、粗さ（ＲｚＩ２）と粗さ（ＲｚＵＩ２）は略等しい。
粗さ（ＲｚＩ２）が、粗さ（ＲｚＵＩ２）と粗さ（ＲｚＯ１）より小さくても良い。この場合、粗さ（ＲｚＵＩ２）と粗さ（ＲｚＯ１）は略等しい。
粗さ（ＲｚＵＩ２）が、粗さ（ＲｚＩ２）と粗さ（ＲｚＯ１）より小さくても良い。この場合、粗さ（ＲｚＩ２）と粗さ（ＲｚＯ１）は略等しい。
Ｒｚ１／ＲｚＯ１とＲｚ１／ＲｚＯ２とＲｚ２／ＲｚＯ１とＲｚ２／ＲｚＯ２は０．９以上、１．１以下であることが望ましい。

図１（Ａ）では、第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の内側の導体層は、２層（内側の第１導体層５８Ｆ、内側の第３導体層１５８Ｆ）である。このように、第１ビルドアップ層Ｂｕ１は、複数の内側の導体層を有する。各内側の導体層は金属箔を有する。そして、内側の導体層を形成する金属箔は、大きな粗さを有するマット面、もしくは、小さな粗さを有するマット面を有する。大きな粗さを有するマット面の粗さは、小さな粗さを有するマット面の粗さより大きい。また、大きな粗さを有するマット面を持つ金属箔で形成される内側の導体層の数が複数である場合、それらの導体層を形成する各金属箔のマット面の粗さは略等しい。小さな粗さを有するマット面を持つ金属箔で形成される内側の導体層の数が複数である場合、それらの導体層を形成する各金属箔のマット面の粗さは略等しい。内側の導体層の数が複数である場合、少なくとも１つの内側の導体層は大きな粗さを有するマット面を持つ金属箔で形成され、少なくとも１つの内側の導体層は小さな粗さを有するマット面を持つ金属箔で形成される。大きな粗さを有するマット面を持つ金属箔の粗さは最外の第１金属箔のマット面の粗さと略等しい。
内側の導体層の数が３以上である時、２／３以上の内側の導体層は小さな粗さを有するマット面を持つ金属箔で形成される。

図１（Ａ）では、第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の内側の導体層は、２層（内側の第２導体層５８Ｓ、内側の第４導体層１５８Ｓ）である。このように、第２ビルドアップ層Ｂｕ２は、複数の内側の導体層を有する。各内側の導体層は金属箔を有する。そして、内側の導体層を形成する金属箔は、大きな粗さを有するマット面、もしくは、小さな粗さを有するマット面を有する。大きな粗さを有するマット面の粗さは、小さな粗さを有するマット面の粗さより大きい。また、大きな粗さを有するマット面を持つ金属箔で形成される内側の導体層の数が複数である場合、それらの導体層を形成する各金属箔のマット面の粗さは略等しい。小さな粗さを有するマット面を持つ金属箔で形成される内側の導体層の数が複数である場合、それらの導体層を形成する各金属箔のマット面の粗さは略等しい。内側の導体層の数が複数である場合、少なくとも１つの内側の導体層は大きな粗さを有するマット面を持つ金属箔で形成され、少なくとも１つの内側の導体層は小さな粗さを有するマット面を持つ金属箔で形成される。大きな粗さを有するマット面を持つ金属箔の粗さは最外の第１金属箔のマット面の粗さと略等しい。
内側の導体層の数が３以上である時、２／３以上の内側の導体層は小さな粗さを有するマット面を持つ金属箔で形成される。

第１ビルドアップ層Ｂｕ１に形成されている導体層の内、最外の導体層以外の導体層は内側の導体層である。同様に、第２ビルドアップ層Ｂｕ２に形成されている導体層の内、最外の導体層以外の導体層は内側の導体層である。

例えば、小さな粗さを有するマット面の大きさは１．５μｍ以上、２．５μｍ以下である。大きな粗さを有するマット面の大きさは３．０μｍ以上、５．０μｍ以下である。大きな粗さを有するマット面の大きさは３．５μｍ以上であることが好ましい。

実施形態のプリント配線板では、スルーホール構造は、ネック部２８Ｃを有するスルーホール導体３６とスルーホール導体３６に直接繋がっている第１スルーホールランド３６Ｆを有する。第１スルーホールランド３６Ｆは第１金属箔３２ｔｆを有し、第１金属箔３２ｔｆの第１マット面３２ｔｆｍの凹凸を介し第１スルーホールランド３６Ｆはコア層２０に接着されている。また、実施形態のプリント配線板は、スルーホール構造の直上に形成されている第１ビア構造６０Ｆｔを有する。その第１ビア構造６０Ｆｔは、第１ビア導体６０Ｆと第１ビア導体６０Ｆに直接繋がっている第１ビア導体の第１ビアランド６０ＦＲで形成されている。第１ビアランド６０ＦＲは内側の第１金属箔３２ｓｆを有している。そして、内側の第１金属箔３２ｓｆの内側の第１マット面３２ｓｆｍの凹凸を介し第１ビアランド６０ＦＲは第１樹脂絶縁層５０Ｆに接着されている。

第１金属箔３２ｔｆの第１マット面３２ｔｆｍの凹凸の大きさ(深さ)は内側の第１金属箔３２ｓｆの内側の第１マット面３２ｓｆｍの凹凸の大きさ(深さ)より大きい。内側の第１マット面３２ｓｆｍは小さな粗さを有するマット面であり、第１マット面３２ｔｆｍは大きな粗さを有するマット面である。そのため、例えば、第１スルーホールランド３６Ｆとコア層２０との間の密着強度は第１ビアランド６０ＦＲと第１樹脂絶縁層５０との間の密着強度より高い。実施形態のプリント配線板が製造される時、スルーホール導体３６を有するコア基板３０上に第１樹脂絶縁層５０Ｆや第２樹脂絶縁層５０Ｓが積層される。製造時、圧力等の外力がプリント配線板に働く。樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓ内に金属箔３２ｓｆ、３２ｓｓのマット面３２ｓｆｍ、３２ｓｓｍが形成される。マット面３２ｓｆｍ、３２ｓｓｍが樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓ内に押し込まれる。そのため、プリント配線板はプリント配線板の内部に残留応力を有すると考えられる。例えば、金属箔のマット面の凹凸の深さ(大きさ)が大きいほど、プリント配線板内に蓄積される応力は大きいと予想される。また、スルーホール構造の直上にビア導体６０Ｆ、６０Ｓが形成されると、プリント配線板内の応力はビア導体６０Ｆ、６０Ｓを介してスルーホール構造に伝わると推察される。ビア導体６０Ｆ、６０Ｓを介してスルーホール構造に伝わるストレスにより、スルーホール導体がコア層から剥がれると推察される。ネック部２８Ｃからスルーホール導体３６の信頼性が低下すると推察される。
しかしながら、実施形態のプリント配線板では、第１ビアランド６０ＦＲのマット面３２ｓｆｍの凹凸が小さいので、残留応力を小さくすることができると考えられる。例えば、実施形態のプリント配線板では、スルーホール構造の直上に位置する第１ビア構造６０Ｆｔのビアランド６０ＦＲを形成する内側の第１金属箔３２ｓｆの内側の第１マット面３２ｓｆｍの凹凸の深さ(大きさ)がスルーホール構造の第１スルーホールランド３６Ｆを形成する第１金属箔３２ｔｆの第１マット面３２ｔｆｍの凹凸の深さ(大きさ)より小さい。ビアランドを形成する金属箔のマット面の凹凸の深さ(大きさ)が小さいと、スルーホール構造に伝わるストレスの大きさが小さくなると考えられる。そして、第１スルーホールランド３６Ｆを形成する第１金属箔３２ｔｆの第１マット面３２ｔｆｍの凹凸の深さ(大きさ)が大きいので、第１ビア構造６０Ｆｔを介しスルーホール導体３６にストレスが伝わっても、スルーホール導体３６はコア層２０から剥がれがたいと考えられる。従って、接続信頼性の低下や導体層の剥がれ等の不具合が発生しがたい。

実施形態では、第１金属箔３２ｔｆの第１マット面３２ｔｆｍの凹凸の大きさ(深さ)は、内側の第１金属箔３２ｓｆの内側の第１マット面３２ｓｆｍの凹凸の大きさ(深さ)より大きい。そのため、第１ビアランド６０ＦＲを形成する内側の第１金属箔３２ｓｆの内側の第１マット面３２ｓｆｍを第１樹脂絶縁層５０Ｆに形成することで発生する応力が第１スルーホールランド３６Ｆを形成する第１金属箔３２ｔｆとコア層２０との間の界面に伝わっても、その応力は、第１スルーホールランド３６Ｆとコア層２０との間の接着強度より小さいと考えられる。そのため、スルーホール構造がコア層２０から剥がれないと考えられる。

実施形態のスルーホール導体３６はネック部２８Ｃを有する。また、また、スルーホール導体３６はプリント配線板の厚み方向の略中心に位置する。そのため、応力がスルーホール導体に集中すると考えられる。そして、その応力は熱等で解放されると考えられる。応力の集中や応力の開放により、スルーホール導体３６がコア層から剥がれやすくなると予想される。ネック部２８Ｃからスルーホール導体の信頼性が低下しやすいと推察される。しかしながら、比較的大きな凹凸を有するマット面３２ｔｆｍ、３２ｔｓｍを介し、スルーホール導体３６に直接繋がっているスルーホールランド３６Ｆ、３６Ｓがコア層２０に接着している。そのため、実施形態のスルーホール導体はコア層２０から剥がれ難い。また、スルーホール導体を介する接続信頼性が低下し難い。

第１ビア構造６０Ｆｔの第１ビアランド６０ＦＲを形成している内側の第１金属箔３２ｓｆの内側の第１マット面３２ｓｆｍの凹凸（粗さ）が小さい(浅い)と、スルーホール構造から解放されるストレスが第１ビア構造６０Ｆｔの第１ビアランド６０ＦＲに伝わっても、そのストレスが第１樹脂絶縁層５０Ｆの深い部分まで到達し難い。そのため、第１樹脂絶縁層５０Ｆにクラックが発生しがたい。例えば、第１ビアランド６０ＦＲを形成している内側の第１金属箔３２ｓｆの内側の第１マット面３２ｓｆｍの粗さがスルーホールランド３６Ｆを形成している第１金属箔３２ｔｆの第１マット面３２ｔｆｍの粗さより小さいと、クラックの発生を効果的に防止することができる。内側の導体層に含まれるビアランドを形成する金属箔のマット面の粗さがスルーホールランドを形成する金属箔のマット面の粗さより小さいと、同様な効果を期待することができる。また、内側の導体層に含まれるビアランドを形成する金属箔のマット面の粗さが最外の導体層を形成する金属箔のマット面の粗さより小さいと、同様な効果を期待することができる。

コア基板３０はプリント配線板の厚み方向の中央に位置する。そのため、コア基板にストレスが集中すると考えられる。もし、第１ビアランド６０ＦＲを形成する内側の第１金属箔３２ｓｆの内側の第１マット面３２ｓｆｍの凹凸の大きさが第１スルーホールランド３６Ｆを形成する第１金属箔３２ｔｆの第１マット面３２ｔｆｍの凹凸の大きさより大きいと、第１ビアランド６０ＦＲを形成する内側の第１金属箔３２ｓｆの内側の第１マット面を第１樹脂絶縁層５０Ｆに形成することで発生するストレスの大きさが第１スルーホールランドとコア層との間の密着強度を越えると予想される。その場合、スルーホールランドがコア層から剥がれると予想される。

残留応力が解放されると、例えば、スルーホール導体とビア導体を介し、最外の導体層２５８Ｆ、２５８Ｓに応力が伝わる。その応力により、最外の導体層２５８Ｆ、２５８Ｓと最外の樹脂絶縁層２５０Ｆ、２５０Ｓとの間で剥離が発生すると考えられる。しかしながら、実施形態のプリント配線板では、最外の第１導体層２５８Ｆを形成する最外の第１金属箔３２ｕｆの最外の第１マット面３２ｕｆｍの凹凸の大きさは内側の第１導体層５８Ｆを形成する内側の第１金属箔３２ｓｆの内側の第１マット面３２ｓｆｍの凹凸の大きさより大きい。そのため、最外の第１導体層と最外の第１樹脂絶縁層との間で剥離が発生しがたい。第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の少なくとも１つの内側の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の大きさが、最外の第１導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の大きさより小さいと、同様な効果が得られると考えられる。同様に、第２ビルドアップ層内の少なくとも１つの内側の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の大きさが、最外の第２導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の大きさより小さいと、同様な効果が得られると考えられる。

第１導体層３４Ｆを形成する第１金属箔３２ｔｆの第１マット面３２ｔｆｍの粗さ(Ｒｚ１)と最外の第１導体層２５８Ｆを形成する最外の第１金属箔３２ｕｆの最外の第１マット面３２ｕｆｍの粗さ(ＲｚＯ１)は略等しい。例えば、比Ｒ１（Ｒｚ１／ＲｚＯ１）は０．９以上、１．１以下である。その場合、最外の第１導体層２５８Ｆを形成する最外の第１金属箔３２ｕｆの最外の第１マット面３２ｕｆｍから最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆにクラックが発生しがたい。
第２導体層３４Ｓを形成する第２金属箔３２ｔｓの第２マット面３２ｔｓｍの粗さ(Ｒｚ２)と最外の第２導体層２５８Ｓを形成する最外の第２金属箔３２ｕｓの最外の第２マット面３２ｕｓｍの粗さ(ＲｚＯ２)は略等しい。例えば、比Ｒ２（Ｒｚ２／ＲｚＯ２）は０．９以上、１．１以下である。その場合、最外の第２導体層２５８Ｓを形成する最外の第２金属箔３２ｕｓの最外の第２マット面３２ｕｓｍから最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓにクラックが発生しがたい。

第１導体層３４Ｆは厚みＴｆを有する。第２導体層３４Ｓは厚みＴｓを有する。内側の第１導体層５８Ｆは厚みＳｆを有する。内側の第２導体層５８Ｓは厚みＳｓを有する。内側の第３導体層１５８Ｆは厚みＧｆを有する。内側の第４導体層１５８Ｓは厚みＧｓを有する。最外の第１導体層２５８Ｆは厚みＵｆを有する。最外の第２導体層２５８Ｓは厚みＵｓを有する。

導体層の厚みはマット面の粗さに関連していることが好ましい。マット面の粗さ（凹凸）が大きいと、導体層の厚みは大きい。逆に、マット面の粗さ（凹凸）が小さいと、導体層の厚みは小さい。大きな粗さを有するマット面を持つ金属箔で形成される導体層の厚みは、小さな粗さを有するマット面を持つ金属箔で形成される導体層の厚みより大きい。これにより、例えば、高速伝送が可能になる。マット面の粗さが小さいと、表皮効果による抵抗が小さい。そのため、導体層の厚みが小さくても高速伝送が可能になる。マット面の粗さが大きいと、表皮効果による抵抗が大きい。しかしながら、導体層の厚みが大きいと、導体層の抵抗が小さい。そのため、高速伝送が可能になる。厚い厚みを有する導体層により伝達されるデータの速度と薄い厚みを有する導体層により伝達されるデータの速度との差を小さくすることができる。プリント配線板が厚い厚みを有する導体層を有すると、プリント配線板の強度を高くすることができる。プリント配線板の反りを小さくすることができる。
例えば、第１マット面３２ｔｆｍの粗さの大きさと第２マット面３２ｔｓｍの粗さの大きさと最外の第１マット面３２ｕｆｍの粗さの大きさと最外の第２マット面３２ｕｓｍの粗さの大きさが略等しい。そして、内側の第１マット面３２ｓｆｍの粗さの大きさが、第１マット面３２ｔｆｍの粗さの大きさより小さい場合、厚みＳｆは、厚みＴｆより小さい。厚みＴｆと厚みＴｓと厚みＵｆと厚みＵｓは略等しい。さらに、内側の第２マット面３２ｓｓｍの粗さの大きさが第１マット面３２ｔｆｍの粗さの大きさより小さいと、厚みＳｓは、厚みＴｆより小さい。そして、例えば、内側の第１マット面３２ｓｆｍの粗さの大きさと内側の第２マット面３２ｓｓｍの粗さの大きさは略等しい。厚みＳｆと厚みＳｓは略等しい。さらに、内側の第３マット面３２ｇｆｍの粗さの大きさと内側の第１マット面３２ｓｆｍの粗さの大きさが略等しいと、厚みＧｆは厚みＴｆより小さい。そして、厚みＧｆと厚みＳｆは略等しい。さらに、内側の第４マット面３２ｇｓｍの粗さの大きさと内側の第２マット面３２ｓｓｍの粗さの大きさが略等しいと、厚みＧｓは厚みＴｆより小さい。そして、厚みＧｓと厚みＳｓは略等しい。
もし、内側の第３マット面３２ｇｆｍの粗さの大きさが内側の第１マット面３２ｓｆｍの粗さの大きさより大きいと、厚みＧｆは厚みＳｆより大きい。さらに、厚みＧｆと厚みＴｆは略等しい。この場合、内側の第３マット面３２ｇｆｍの粗さの大きさは、第１マット面３２ｔｆｍの粗さ大きさと略等しい。
もし、内側の第４マット面３２ｇｓｍの粗さの大きさが内側の第２マット面３２ｓｓｍの粗さの大きさより大きいと、厚みＧｓは厚みＳｓより大きい。さらに、厚みＧｓと厚みＴｆは略等しい。この場合、内側の第４マット面３２ｇｓｍの粗さの大きさは、第１マット面３２ｔｆｍの粗さの大きさと略等しい。
このように、相対的に小さな粗さを有するマット面を持つ導体層の厚みは、相対的に大きな粗さを有するマット面を持つ導体層の厚みより小さい。第１ビルドアップ層Ｂｕ１が複数の内側の導体層を含む場合、相対的に小さな粗さを有するマット面を持つ導体層と相対的に大きな粗さを有するマット面を持つ導体層で形成される。同様に、第２ビルドアップ層Ｂｕ２が複数の内側の導体層を含む場合、相対的に小さな粗さを有するマット面を持つ導体層と相対的に大きな粗さを有するマット面を持つ導体層で形成される。

導体層を形成する金属箔の厚みはマット面の粗さの大きさに関連していることが好ましい。マット面の粗さの大きさが大きいと、金属箔の厚みは大きい。逆に、マット面の粗さの大きさが小さいと、金属箔の厚みは小さい。大きな粗さを有するマット面を持つ金属箔の厚みは小さな粗さを有するマット面を持つ金属箔の厚みより大きい。これにより、例えば、高速伝送が可能になる。マット面の粗さが小さいと、表皮効果による抵抗が小さい。そのため、金属箔の厚みが小さくても高速伝送が可能になる。マット面の粗さが大きいと、表皮効果による抵抗が大きい。しかしながら、金属箔の厚みが大きいので、高速伝送が可能になる。プリント配線板が厚い厚みを有する金属箔を有すると、プリント配線板の強度を高くすることができる。プリント配線板の反りを小さくすることができる。
相対的に小さな粗さを有するマット面を持つ金属箔の厚みは、相対的に大きな粗さを有するマット面を持つ金属箔の厚みより小さい。第１ビルドアップ層Ｂｕ１が複数の内側の導体層を含む場合、相対的に小さな粗さを有するマット面を持つ金属箔を含む導体層と相対的に大きな粗さを有するマット面を持つ金属箔を含む導体層で形成される。同様に、第２ビルドアップ層Ｂｕ２が複数の内側の導体層を含む場合、相対的に小さな粗さを有するマット面を持つ金属箔を含む導体層と相対的に大きな粗さを有するマット面を持つ金属箔を含む導体層で形成される。

導体層を形成する電解めっき膜の厚みはマット面の粗さの大きさに関連している。マット面の粗さの大きさが大きいと、電解めっき膜の厚みは小さい。逆に、マット面の粗さの大きさが小さいと、電解めっき膜の厚みは大きい。大きな粗さを有するマット面を持つ金属箔上に形成される電解めっき膜の厚みは、小さな粗さを有するマット面を持つ金属箔上に形成される電解めっき膜の厚みより小さい。

第１導体層３４Ｆを形成する第１電解めっき膜４４ｔｆの厚みは厚みｔ１で、第２導体層３４Ｓを形成する第２電解めっき膜４４ｔｓの厚みは厚みｔ２である。内側の第１導体層５８Ｆを形成する内側の第１電解めっき膜４４ｓｆの厚みは厚みｓ１で、内側の第２導体層５８Ｓを形成する内側の第２電解めっき膜４４ｓｓの厚みは厚みｓ２である。内側の第３導体層１５８Ｆを形成する内側の第３電解めっき膜４４ｇｆの厚みは厚みｇ１で、内側の第４導体層１５８Ｓを形成する内側の第４電解めっき膜４４ｇｓの厚みは厚みｇ２である。最外の第１導体層２５８Ｆを形成する最外の第１電解めっき膜４４ｕｆの厚みは厚みｕ１で、最外の第２導体層２５８Ｓを形成する最外の第２電解めっき膜４４ｕｓの厚みは厚みｕ２である。
コア基板の導体層３４Ｆ、３４Ｓと最外の導体層２５８Ｆ、２５８Ｓでは、比（電解めっき膜の厚み／金属箔の厚み）は１より小さい。
第１ビルドアップ層Ｂｕ１に形成されている内側の導体層の内、少なくとも１つの内側の導体層では、比（電解めっき膜の厚み／金属箔の厚み）は１より大きい。第１ビルドアップ層Ｂｕ１に形成されている内側の導体層の内、少なくとも１つの内側の導体層では、比（電解めっき膜の厚み／金属箔の厚み）は１より小さい。
第２ビルドアップ層Ｂｕ２に形成されている内側の導体層の内、少なくとも１つの内側の導体層では、比（電解めっき膜の厚み／金属箔の厚み）は１より大きい。第２ビルドアップ層Ｂｕ２に形成されている内側の導体層の内、少なくとも１つの内側の導体層では、比（電解めっき膜の厚み／金属箔の厚み）は１より小さい。

例えば、第１電解めっき膜４４ｔｆの厚みｔ１と第１金属箔３２ｔｆの厚みＴ１との比（ｔ１／Ｔ１）は１より小さい。第２電解めっき膜４４ｔｓの厚みｔ２と第２金属箔３２ｔｓの厚みＴ２との比（ｔ２／Ｔ２）は１より小さい。最外の第１電解めっき膜４４ｕｆの厚みｕ１と最外の第１金属箔３２ｕｆの厚みＵ１との比（ｕ１／Ｕ１）は１より小さい。最外の第２電解めっき膜４４ｕｓの厚みｕ２と最外の第２金属箔３２ｕｓの厚みＵ２との比（ｕ２／Ｕ２）は１より小さい。内側の第１電解めっき膜４４ｓｆの厚みｓ１と内側の第１金属箔３２ｓｆの厚みＳ１との比（ｓ１／Ｓ１）は１より大きい。内側の第２電解めっき膜４４ｓｓの厚みｓ２と内側の第２金属箔３２ｓｓの厚みＳ２との比（ｓ２／Ｓ２）は１より大きい。

実施形態のプリント配線板１０は、相対的に小さな粗さを有するマット面を持つ金属箔を含む導体層と相対的に大きな粗さを有するマット面を持つ金属箔を含む導体層を含む。そして、各導体層は、コア層、もしくは、樹脂絶縁層上の金属箔と金属箔上の電解めっき膜を含む。相対的に小さな粗さを有するマット面を持つ金属箔を含む導体層では、電解めっき膜の厚みと金属箔の厚みとの比（電解めっき膜の厚み／金属箔の厚み）は１より大きい。また、相対的に大きな粗さを有するマット面を持つ金属箔を含む導体層では、電解めっき膜の厚みと金属箔の厚みとの比（電解めっき膜の厚み／金属箔の厚み）は１より小さい。

例えば、図２（Ａ）に示されるプリント配線板では、内側の第１金属箔３２ｓｆと内側の第２金属箔３２ｓｓが相対的に小さな粗さを有するマット面を有し、それら以外の金属箔３２ｔｆ、３２ｔｓ、３２ｇｆ、３２ｇｓ、３２ｕｆ、３２ｕｓが相対的に大きな粗さを有するマット面を有する。その場合、内側の第１金属箔３２ｓｆの厚みＳ１と内側の第２金属箔３２ｓｓの厚みＳ２は略等しい。さらに、厚みＳ１と厚みＳ２は、それら以外の金属箔３２ｔｆ、３２ｔｓ、３２ｇｆ、３２ｇｓ、３２ｕｆ、３２ｕｓの厚みＴ１、Ｔ２、Ｇ１、Ｇ２、Ｕ１、Ｕ２より小さい。

例えば、図２（Ａ）に示されるプリント配線板では、内側の第１金属箔３２ｓｆと内側の第２金属箔３２ｓｓ、内側の第３金属箔３２ｇｆと内側の第４金属箔３２ｇｓが相対的に小さな粗さを有するマット面を有し、それら以外の金属箔３２ｔｆ、３２ｔｓ、３２ｕｆ、３２ｕｓが相対的に大きな粗さを有するマット面を有する。その場合、厚みＳ１と厚みＳ２と厚みＧ１と厚みＧ２は略等しい。さらに、厚みＳ１と厚みＳ２、厚みＧ１、厚みＧ２は、それら以外の金属箔３２ｔｆ、３２ｔｓ、３２ｕｆ、３２ｕｓの厚みＴ１、Ｔ２、Ｕ１、Ｕ２より小さい。

実施形態のプリント配線板では、最外の第１導体層２５８Ｆの厚みＵｆと最外の第２導体層２５８Ｓの厚みＵｓが厚いので、最外の第１導体層２５８Ｆを形成する最外の第１金属箔３２ｕｆの厚みＵ１と最外の第２導体層２５８Ｓを形成する最外の第２金属箔３２ｕｓの厚みＵ２を厚くすることができる。これにより、最外の第１金属箔３２ｕｆのマット面の粗さの大きさと最外の第２金属箔３２ｕｓのマット面の粗さの大きさを大きくすることができる。そのため、最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆと最外の第１金属箔３２ｕｆとの間の密着強度や最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓと最外の第２金属箔３２ｕｓとの間の密着強度を高くすることができる。従って、最外の第１導体層２５８Ｆ、もしくは、最外の第２導体層２５８Ｓに実装される電子部品の実装信頼性を高くすることが出来る。
更に、第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の少なくとも１つの内側の導体層の厚みがコア基板の導体層の厚みや最外の導体層の厚みより薄い。また、第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の少なくとも１つの内側の導体層の厚みがコア基板の導体層の厚みや最外の導体層の厚みより薄い。例えば、内側の第１導体層５８Ｆの厚みと内側の第２導体層５８Ｓの厚み、内側の第３導体層１５８Ｆの厚み、内側の第４導体層１５８Ｓの厚みがコア基板の導体層の厚みや最外の導体層の厚みより薄い。そのため、内側の第１導体層５８Ｆと内側の第２導体層５８Ｓ、内側の第３導体層１５８Ｆ、内側の第４導体層１５８Ｓに微細な配線を形成することができる。高い配線密度を有するプリント配線板を提供することができる。小さなプリント配線板を提供することができる。

厚み方向でコア基板３０はプリント配線板１０の中央に位置する。そのため、コア基板を形成する導体層に大きな熱ストレスが働くと考えられる。従って、ヒートサイクルでコア層から第１導体層３４Ｆや第２導体層３４Ｓが剥がれやすい。ところが、実施形態のプリント配線板では、第１導体層３４Ｆの厚みＴｆと第２導体層３４Ｓの厚みＴｓが厚い。そのため、第１導体層３４Ｆを形成する第１金属箔３２ｔｆの厚みＴ１と第２導体層３４Ｓを形成する第２金属箔３２ｔｓの厚みＴ２を厚くすることができる。第１金属箔３２ｔｆのマット面の粗さと第２金属箔３２ｔｓの粗さを大きくすることができる。これにより、コア層２０と第１導体層３４Ｆとの間の密着強度を高くすることが出来る。コア層２０と第２導体層３４Ｓとの間の密着強度を高くすることが出来る。プリント配線板１０がヒートサイクルを受けても、第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓがコア層から剥離し難い。

実施形態のプリント配線板１０は、相対的に厚い厚みを有する導体層と相対的に薄い厚みを有する導体層を有する。導体層は、相対的に厚い厚みを有する導体層と相対的に薄い厚みを有する導体層に分類される。例えば、相対的に厚い厚みを有する導体層に属する各導体層の厚みは略等しい。例えば、相対的に薄い厚みを有する導体層に属する各導体層の厚みは略等しい。

実施形態のプリント配線板１０の導体層は、第１タイプの金属箔を有する導体層と第２タイプの金属箔を有する導体層を含む。第１タイプの金属箔のマット面を形成する凹凸の大きさは、第２タイプの金属箔のマット面を形成する凹凸の大きさより大きい。第１タイプの金属箔は相対的に大きな粗さを有するマット面を持つ。第２タイプの金属箔は相対的に小さな粗さを有するマット面を持つ。例えば、実施形態のプリント配線板１０では、各導体層を形成する金属箔は第１タイプの金属箔、もしくは、第２タイプの金属箔に分類される。実施形態のプリント配線板１０は、相対的に大きな粗さを有するマット面を持つ金属箔を含む導体層と相対的に小さな粗さを有するマット面を持つ金属箔を含む導体層を有する。第１タイプの金属箔を含む導体層の厚みはそれぞれ略等しい。第２タイプの金属箔を含む導体層の厚みはそれぞれ略等しい。第１タイプの金属箔のマット面の凹凸の大きさは３．０μｍ以上、５．０μｍ以下である。第２タイプの金属箔のマット面の凹凸の大きさは１．０μｍ以上、２．５μｍ以下である。

例えば、第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓ、最外の第１導体層２５８Ｆ、最外の第２導体層２５８Ｓは、相対的に厚い厚みを有する導体層に属する。第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の内側の導体層の内、少なくとも１つは相対的に薄い厚みを有する導体層に属する。また、第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の内側の導体層の内、少なくとも１つは相対的に薄い厚みを有する導体層に属する。相対的に厚い厚みを有する導体層の厚みと相対的に薄い厚みを有する導体層の厚みとの比ＲＴＴは、１．２以上、３以下である。比ＲＴＴが１．２未満であると、密着強度が大きく改善されない。比ＲＴＴが３を超えると、密着強度の変化が小さくなる。
例えば、図２（Ａ）に示されるプリント配線板１０では、内側の第１導体層５８Ｆと内側の第２導体層５８Ｓ、内側の第３導体層１５８Ｆ、内側の第４導体層１５８Ｓは、相対的に薄い厚みを有する導体層に属する。この例では、比ＲＴＴは１．２以上、１．８以下である。

実施形態では、最外の第１導体層２５８Ｆの厚みＵｆと最外の第２導体層２５８Ｓの厚みＵｓが厚い。そのため、それらでプリント配線板１０が補強される。プリント配線板は、最も外に位置する導体層で補強される。そのため、プリント配線板の反りを低減することができる。スルーホール導体３６を介する第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓ間の接続信頼性を高くすることができる。

第１導体層３４Ｆの厚みＴｆと第２導体層３４Ｓの厚みＴｓが厚いので、コア基板３０の強度を高くすることができる。そのため、スルーホール導体３６に働くストレスを小さくすることができる。スルーホール導体３６を介する第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓ間の接続信頼性を高くすることができる。

例えば、内側の第１導体層５８Ｆの厚みＳｆと内側の第２導体層５８Ｓの厚みＳｓ、内側の第３導体層１５８Ｆの厚みＧｆ、内側の第４導体層１５８Ｓの厚みＧｓが薄い。あるいは、例えば、内側の第１導体層５８Ｆの厚みＳｆと内側の第２導体層５８Ｓの厚みＳｓが相対的に薄く、内側の第３導体層１５８Ｆの厚みＧｆと内側の第４導体層１５８Ｓの厚みＧｓが相対的に厚い。あるいは、例えば、内側の第１導体層５８Ｆの厚みＳｆと内側の第２導体層５８Ｓの厚みＳｓが相対的に厚く、内側の第３導体層１５８Ｆの厚みＧｆと内側の第４導体層１５８Ｓの厚みＧｓが相対的に薄い。内側の導体層が相対的に薄い厚みを有する導体層を含むと、内側の導体層に微細な導体回路を形成することができる。導体層の数と樹脂絶縁層の数を少なくすることができる。スルーホール導体３６の直上に積層されるビア導体の数を少なくすることができる。そのため、スルーホール導体３６に働くストレスを小さくすることができる。スルーホール導体３６を介する第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓ間の接続信頼性を高くすることができる。

相対的に厚い厚みを有する導体層では、導体層を形成する金属箔の厚みが電解めっき膜の厚みより大きい。相対的に大きな粗さを有するマット面を持つ金属箔を含む導体層では、導体層を形成する金属箔の厚みが電解めっき膜の厚みより大きい。
例えば、第１導体層３４Ｆや第２導体層３４Ｓ、最外の第１導体層２５８Ｆ、最外の第２導体層２５８Ｓでは、導体層を形成する金属箔の厚みが電解めっき膜の厚みより大きい。そのため、これらの導体層の厚みのバラツキを小さくすることができる。これらの導体層の厚みを均一にすることができる。なぜなら、金属箔の厚みのバラツキは電解めっき膜の厚みのバラツキより小さいからである。最外の導体層の厚みのバラツキが小さいので、例えば、電子部品を実装する面や他の回路基板と接続するための面の平坦度を高くすることができる。従って、実施形態のプリント配線板と電子部品との間の接続信頼性や実施形態のプリント配線板と他の回路基板との間の接続信頼性を高くすることが出来る。

コア基板３０を形成している第１導体層３４Ｆの厚みのバラツキや第２導体層３４Ｓの厚みのバラツキが小さいので、例えば、コア基板の平坦度を高くすることができる。実施形態のプリント配線板では、コア基板上にビルドアップ層が積層される。そのため、コア基板の平坦度を高くすることで、例えば、電子部品を実装する面や他の回路基板と接続するための面の平坦度を高くすることができる。

ビア導体用の開口に電解めっき膜を形成することで、ビア導体が形成される。従って、電解めっき膜の厚みが金属箔の厚みより厚いと、ビア導体用の開口を電解めっき膜で充填することが容易になる。ビアランドを形成する電解めっき膜の厚みがビアランドを形成する金属箔の厚みより厚いと、ビアランドの上面が平坦になりやすい。そのため、ビアランドの直上に別のビア導体を積層することができる。第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の内側の導体層の内、２／３以上の内側の導体層では、電解めっき膜の厚みが金属箔の厚みより厚い。同様に、第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の内側の導体層の内、２／３以上の内側の導体層では、電解めっき膜の厚みが金属箔の厚みより厚い。
例えば、実施形態のプリント配線板１０では、内側の第１導体層５８Ｆと内側の第２導体層５８Ｓ、内側の第３導体層１５８Ｆ、内側の第４導体層１５８Ｓでは、電解めっき膜の厚みが金属箔の厚みより厚い。この例では、全ての内側の導体層において、電解めっき膜の厚みが金属箔の厚みより厚い。そのため、第１ビア導体６０Ｆ上の第１ビアランドと第２ビア導体６０Ｓ上の第２ビアランド、第３ビア導体１６０Ｆ上の第３ビアランド、第４ビア導体１６０Ｓ上の第４ビアランドの上面の平坦度を高くすることができる。なぜなら、第１ビア導体６０Ｆと第２ビア導体６０Ｓ、第３ビア導体１６０Ｆ、第４ビア導体１６０Ｓは、主に電解めっき膜で形成されているからである。電解めっき膜の厚みが薄いと、ビア導体の開口を充填することが難しい。しかしながら、実施形態では、電解めっき膜の厚みが厚いので、ビア導体の開口を充填することができる。ビア導体上のビアランドの上面が平坦であると、ビア導体の直上にビア導体を形成することができる。高密度なプリント配線板を提供することができる。また、樹脂絶縁層や導体層の数を少なくすることが出来る。そのため、プリント配線板の反りを小さくすることができる。コア基板のスルーホール導体に働くストレスを小さくすることができる。

例えば、内側の第１金属箔３２ｓｆと内側の第２金属箔３２ｓｓ、内側の第３金属箔３２ｇｆ、内側の第４金属箔３２ｇｓは、相対的に小さな粗面を有するマット面を持つ。
あるいは、例えば、内側の第１金属箔３２ｓｆと内側の第２金属箔３２ｓｓが相対的に小さな粗面を有するマット面を持ち、内側の第３金属箔３２ｇｆと内側の第４金属箔３２ｇｓは相対的に大きな粗面を有するマット面を持つ。
あるいは、例えば、内側の第１金属箔３２ｓｆと内側の第２金属箔３２ｓｓが相対的に大きな粗面を有するマット面を持ち、内側の第３金属箔３２ｇｆと内側の第４金属箔３２ｇｓは相対的に小さな粗面を有するマット面を持つ。

[実施形態の製造方法]
実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図３〜図７に示される。
図３（Ａ）に示される出発基板２０ｚが準備される。出発基板２０ｚは、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有するコア層２０とコア層２０の第１面Ｆに積層されている第１金属箔３２ｔｆと第２面Ｓに積層されている第２金属箔３２ｔｓで形成されている。第１金属箔３２ｔｆは、コア層２０の第１面Ｆと第１金属箔３２ｔｆとの間の界面に第１マット面３２ｔｆｍを有する。第１マット面３２ｔｆｍの粗さＲｚ１は３．５μｍ以上、５．０μｍ以下である。第２金属箔３２ｔｓは、コア層２０の第２面Ｓと第２金属箔３２ｔｓとの間の界面に第２マット面３２ｔｓｍを有する。第２マット面３２ｔｓｍの粗さＲｚ２は３．５μｍ以上、５．０μｍ以下である。コア層２０の厚みＤは６０μｍ以上、８０μｍ以下である。コア層２０は樹脂と補強材で形成されている。コア層２０は無機粒子を有しても良い。コア層２０の樹脂の例は、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂である。コア層２０の補強材の例はガラスクロスやアラミド繊維である。コア層２０の無機粒子の例はシリカやアルミナである。

図３（Ｂ）に示されるように、第１金属箔３２ｔｆにＣＯ２レーザが照射される。絶縁基板の第１面Ｆ側に第１開口２８Ｆが形成される。第１開口２８Ｆは、第１面Ｆから第２面Ｓに向かって細くなっている。テーパーが形成されるように、レーザの条件が設定される。レーザの条件はショット数やパルス幅、出力等である。第２ショットの径を第１ショットの径より小さくすることが出来る。

図３（Ｃ）に示されるように、第２金属箔３２ｔｓにＣＯ２レーザが照射される。絶縁基板の第２面Ｓ側に第２開口２８Ｓが形成される。第２開口２８Ｓは、第２面Ｓから第１面Ｆに向かって細くなっている。テーパーが形成されるように、レーザの条件が設定される。レーザの条件はショット数やパルス幅、出力等である。第２ショットの径を第１ショットの径より小さくすることが出来る。第１開口２８Ｆと第２開口２８Ｓで貫通孔２８が形成される。第１開口２８Ｆと第２開口２８Ｓの接合箇所に接合エリア２８Ｐが形成される。接合エリア２８Ｐの外周がネック部２８Ｃを形成する。

第１金属箔３２ｔｆと第２金属箔３２ｔｓ、貫通孔２８の側壁上に無電解めっき処理により第１シード層４２ｔｆと第２シード層４２ｔｓが形成される（図３（Ｄ））。第１シード層４２ｔｆを用いて第１電解めっき膜４４ｔｆが形成され、第２シード層４２ｔｓを用いて第２電解めっき膜４４ｔｓが形成される（図４（Ａ））。第１電解めっき膜４４ｔｆ上に第１エッチングレジスト４８ｔｆが形成される。第２電解めっき膜４４ｔｓ上に第２エッチングレジスト４８ｔｓが形成される（図４（Ｂ））。第１エッチングレジストから露出する第１電解めっき膜４４ｔｆと第１シード層４２ｔｆ、第１金属箔３２ｔｆがエッチングで除去される。第２エッチングレジストから露出する第２電解めっき膜４４ｔｓと第２シード層４２ｔｓ、第２金属箔３２ｔｓがエッチングで除去される。エッチングレジストが除去され、コア基板３０が完成する（図４（Ｃ））。貫通孔２８にスルーホール導体３６が形成される。同時に第１スルーホールランド３６Ｆを含む第１導体層３４Ｆや第２スルーホールランド３６Ｓを含む第２導体層３４Ｓが形成される。第１導体層３４Ｆや第２導体層３４Ｓはサブトラクティブ法で形成される。
実施形態では、貫通孔２８の略中央部分に接合エリア２８Ｐやネック部２８Ｃが形成される。そのため、めっきでスルーホール導体３６が形成される時、スルーホール導体３６内にボイドが発生し難い。スルーホール導体３６の信頼性が高い。第１導体層３４Ｆは、第１金属箔３２ｔｆと第１金属箔３２ｔｆ上の第１シード層４２ｔｆと第１シード層４２ｔｆ上の第１電解めっき膜４４ｔｆから成る。第２導体層３４Ｓはと第２金属箔３２ｔｓと第２金属箔３２ｔｓ上の第２シード層４２ｔｓと第２シード層４２ｔｓ上の第２電解めっき膜４４ｔｓから成る。第１導体層３４Ｆの厚みＴｆは１５μｍ以上、３５μｍ以下であり、第２導体層３４Ｓの厚みＴｓは１５μｍ以上、３５μｍ以下であり、第１金属箔３２ｔｆの厚みＴ１は２μｍ以上、１５μｍ以下であり、第２金属箔３２ｔｓの厚みＴ２は２μｍ以上、１５μｍ以下である。第１電解めっき膜４４ｔｆの厚みｔ１は１μｍ以上、１２μｍ以下であり、第２電解めっき膜４４ｔｓの厚みｔ２は１μｍ以上、１２μｍ以下である。

コア基板３０の第１面Ｆ上に第１樹脂絶縁層５０Ｆと内側の第１金属箔３２ｓｆが順に積層される。第２面Ｓ上に第２樹脂絶縁層５０Ｓと内側の第２金属箔３２ｓｓが順に積層される（図４（Ｄ））。内側の第１金属箔３２ｓｆは、第１樹脂絶縁層５０Ｆと内側の第１金属箔３２ｓｆとの間の界面に内側の第１マット面３２ｓｆｍを有する。内側の第１マット面３２ｓｆｍの粗さＲｚＩ１は１．５μｍ以上、２．０μｍ以下である。内側の第２金属箔３２ｓｓは、第２樹脂絶縁層５０Ｓと内側の第２金属箔３２ｓｓとの間の界面に内側の第２マット面３２ｓｓｍを有する。内側の第２マット面３２ｓｓｍの粗さＲｚＩ２は１．５μｍ以上、２．０μｍ以下である。第１樹脂絶縁層５０Ｆと第２樹脂絶縁層５０Ｓは、ガラスクロス等の補強材とシリカ等の無機粒子とエポキシ等の樹脂で形成されている。ＣＯ２ガスレーザにて第１樹脂絶縁層５０Ｆと内側の第１金属箔３２ｓｆを貫通し第１導体層３４Ｆへ至る開口５１Ｆが形成される。第２樹脂絶縁層５０Ｓと内側の第２金属箔３２ｓｓを貫通し第２導体層３４Ｓに至る開口５１Ｓが形成される（図５（Ａ））。

内側の第１金属箔３２ｓｆと開口５１Ｆの内壁上に内側の第１シード層４２ｓｆが形成される。内側の第２金属箔３２ｓｓと開口５１Ｓの内壁上に内側の第２シード層４２ｓｓが形成される。内側の第１シード層４２ｓｆ上にめっきレジスト４８ｓｆが形成され、内側の第２シード層４２ｓｓ上にめっきレジスト４８ｓｓが形成される（図５（Ｂ））。めっきレジスト４８ｓｆから露出する内側の第１シード層４２ｓｆ上に内側の第１電解めっき膜４４ｓｆが形成される。めっきレジスト４８ｓｓから露出する内側の第２シード層４２ｓｓ上に内側の第２電解めっき膜４４ｓｓが形成される。この時、開口５１Ｆは内側の第１電解めっき膜４４ｓｆで充填される。開口５１Ｓは内側の第２電解めっき膜４４ｓｓで充填される。開口５１Ｆに第１導体層３４Ｆと接続する第１ビア導体６０Ｆが形成される。開口５１Ｓに第２導体層３４Ｓと接続する第２ビア導体６０Ｓが形成される（図５（Ｃ））。めっきレジスト４８ｓｆ、４８ｓｓが除去される。
内側の第１電解めっき膜４４ｓｆから露出する内側の第１シード層４２ｓｆと内側の第１金属箔３２ｓｆが除去される。内側の第２電解めっき膜４４ｓｓから露出する内側の第２シード層４２ｓｓと内側の第２金属箔３２ｓｓが除去される。内側の第１導体層５８Ｆと内側の第２導体層５８ＳがＭＳＡＰ（Modified Semi Additive Process）で形成される（図５（Ｄ））。内側の第１導体層５８Ｆは、内側の第１金属箔３２ｓｆと内側の第１金属箔３２ｓｆ上の内側の第１シード層４２ｓｆと内側の第１シード層４２ｓｆ上の内側の第１電解めっき膜４４ｓｆとから成る。内側の第２導体層５８Ｓは、内側の第２金属箔３２ｓｓと内側の第２金属箔３２ｓｓ上の内側の第２シード層４２ｓｓと内側の第２シード層４２ｓｓ上の内側の第２電解めっき膜４４ｓｓとから成る。内側の第１導体層５８Ｆの厚みＳｆは５μｍ以上、２５μｍ以下であり、内側の第２導体層５８Ｓの厚みＳｓは５μｍ以上、２５μｍ以下である。内側の第１金属箔３２ｓｆの厚みＳ１は２μｍ以上、５μｍ以下であり、内側の第１電解めっき膜４４ｓｆの厚みｓ１は５μｍ以上、２５μｍ以下である。内側の第２金属箔３２ｓｓの厚みＳ２は２μｍ以上、５μｍ以下であり、内側の第２電解めっき膜４４ｓｓの厚みｓ２は５μｍ以上、２５μｍ以下である。

図４（Ｄ）〜図５（Ｄ）の工程が繰り返される。
第３樹脂絶縁層１５０Ｆが第１樹脂絶縁層５０Ｆと内側の第１導体層５８Ｆ上に形成される。
第４樹脂絶縁層１５０Ｓが第２樹脂絶縁層５０Ｓと内側の第２導体層５８Ｓ上に形成される。
第３樹脂絶縁層１５０Ｆ上に内側の第３導体層１５８ＦがＭＳＡＰで形成される。同時に、第３樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通し、内側の第１導体層５８Ｆと内側の第３導体層１５８Ｆを接続する第３ビア導体１６０Ｆが形成される。内側の第３導体層１５８Ｆは、内側の第３金属箔３２ｇｆと内側の第３金属箔３２ｇｆ上の内側の第３シード層４２ｇｆと内側の第３シード層４２ｇｆ上の内側の第３電解めっき膜４４ｇｆとから成る。
内側の第３金属箔３２ｇｆは、第３樹脂絶縁層１５０Ｆと内側の第３金属箔３２ｇｆとの間の界面に内側の第３マット面３２ｇｆｍを有する。第３マット面３２ｇｆｍの粗さＲｚＵＩ１は１．５μｍ以上、２．０μｍ以下である。
内側の第３導体層１５８Ｆの厚みＧｆは５μｍ以上、２５μｍ以下である。第３金属箔３２ｇｆの厚みＧ１は２μｍ以上、５μｍ以下であり、内側の第３電解めっき膜４４ｇｆの厚みｇ１は５μｍ以上、２５μｍ以下である。
第４樹脂絶縁層１５０Ｓ上に内側の第４導体層１５８ＳがＭＳＡＰで形成される。同時に、第４樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通し、内側の第２導体層５８Ｓと内側の第４導体層１５８Ｓを接続する第４ビア導体１６０Ｓが形成される（図６（Ａ））。内側の第４導体層１５８Ｓは、内側の第４金属箔３２ｇｓと内側の第４金属箔３２ｇｓ上の内側の第４シード層４２ｇｓと第４シード層４２ｇｓ上の内側の第４電解めっき膜４４ｇｓとから成る。
内側の第４金属箔３２ｇｓは、第４樹脂絶縁層１５０Ｓと内側の第４金属箔３２ｇｓとの間の界面に第４マット面３２ｇｓｍを有する。第４マット面３２ｇｓｍの粗さＲｚＵＩ２は１．５μｍ以上、２．０μｍ以下である。
内側の第４導体層１５８Ｓの厚みＧｓは５μｍ以上、２５μｍ以下である。内側の第４金属箔３２ｇｓの厚みＧ２は２μｍ以上、５μｍ以下であり、内側の第４電解めっき膜４４ｇｓの厚みｇ２は５μｍ以上、２５μｍ以下である。

第３樹脂絶縁層１５０Ｆと内側の第３導体層１５８Ｆ上に最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆと最外の第１金属箔３２ｕｆが順に積層される。最外の第１金属箔３２ｕｆは、最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆと最外の第１金属箔３２ｕｆとの間の界面に最外の第１マット面３２ｕｆｍを有する。最外の第１マット面３２ｕｆｍの粗さＲｚＯ１は３．５μｍ以上、４．５μｍ以下である。粗さＲｚＯ１は粗さＲｚ１より小さい。
第４樹脂絶縁層１５０Ｓと内側の第４導体層１５８Ｓ上に最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓと最外の第２金属箔３２ｕｓが順に積層される。最外の第２金属箔３２ｕｓは、最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓと最外の第２金属箔３２ｕｓとの間の界面に最外の第２マット面３２ｕｓｍを有する。最外の第２マット面３２ｕｓｍの粗さＲｚＯ２は３．５μｍ以上、４．５μｍ以下である。粗さＲｚＯ２は粗さＲｚ１より小さい。
ＣＯ２ガスレーザが最外の第１金属箔３２ｕｆに照射される。最外の第１金属箔３２ｕｆと最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆを貫通し、内側の第３導体層１５８Ｆへ至る開口２５１Ｆが形成される。
ＣＯ２ガスレーザが最外の第２金属箔３２ｕｓに照射される。最外の第２金属箔３２ｕｓと最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓを貫通し、内側の第４導体層１５８Ｓに至る開口２５１Ｓが形成される（図６（Ｂ））。

無電解めっき処理により最外の第１金属箔３２ｕｆと開口２５１Ｆの内壁上に最外の第１シード層４２ｕｆが形成される。最外の第２金属箔３２ｕｓと開口２５１Ｓの内壁上に最外の第２シード層４２ｕｓが形成される。電解めっき処理により最外の第１シード層４２ｕｆ上に最外の第１電解めっき膜４４ｕｆが形成される。同時に、開口２５１Ｆ内に最外の第１ビア導体２６０Ｆが形成される。同時に、最外の第２シード層４２ｕｓ上に最外の第２電解めっき膜４４ｕｓが形成される。開口２５１Ｓ内に最外の第２ビア導体２６０Ｓが形成される。最外の第１電解めっき膜４４ｕｆ上にエッチングレジスト４８ｕｆが形成される。最外の第２電解めっき膜４４ｕｓ上にエッチングレジスト４８ｕｓが形成される（図７（Ａ））。エッチングレジスト４８ｕｆから露出する最外の第１電解めっき膜４４ｕｆと最外の第１シード層４２ｕｆ、最外の第１金属箔３２ｕｆがエッチングで除去される。最外の第１導体層２５８Ｆがサブトラクティブ法で形成される。エッチングレジスト４８ｕｓから露出する最外の第２電解めっき膜４４ｕｓと最外の第２シード層４２ｕＳ、最外の第２金属箔３２ｕｓがエッチングで除去される。最外の第２導体層２５８Ｓがサブトラクティブ法で形成される。エッチングレジスト４８ｕｆ、４８ｕｓが除去される（図７（Ｂ））。コア基板３０の第１面Ｆ上に第１ビルドアップ層Ｂｕ１が形成され、コア基板３０の第２面Ｓ上に第２ビルドアップ層Ｂｕ２が形成される。
最外の第１導体層２５８Ｆは、最外の第１金属箔３２ｕｆと最外の第１金属箔３２ｕｆ上の最外の第１シード層４２ｕｆと最外の第１シード層４２ｕｆ上の最外の第１電解めっき膜４４ｕｆとから成る。最外の第２導体層２５８Ｓは、最外の第２金属箔３２ｕｓと最外の第２金属箔３２ｕｓ上の最外の第２シード層４２ｕｓと最外の第２シード層４２ｕｓ上の最外の第２電解めっき膜４４ｕｓとから成る。
最外の第１導体層２５８Ｆの厚みＵｆは１５μｍ以上、３５μｍ以下である。最外の第１金属箔３２ｕｆの厚みＵ１は２μｍ以上、１５μｍ以下であり、最外の第１電解めっき膜４４ｕｆの厚みｕ１は１μｍ以上、１２μｍ以下である。
最外の第２導体層２５８Ｓの厚みＵｓは１５μｍ以上、３５μｍ以下である。最外の第２金属箔３２ｕｓの厚みＵ２は２μｍ以上、１５μｍ以下であり、最外の第２電解めっき膜４４ｕｓの厚みｕ２は１μｍ以上、１２μｍ以下である。

第１ビルドアップ層Ｂｕ１上に最外の第１導体層２５８Ｆに含まれる第１パッド７３Ｆを露出する第１開口７１Ｆを有する第１ソルダーレジスト層７０Ｆが形成される。第２ビルドアップ層Ｂｕ２上に最外の第２導体層２５８Ｓに含まれる第２パッド７３Ｓを露出する第２開口７１Ｓを有する第２ソルダーレジスト層７０Ｓが形成される（図１（Ａ））。第１開口７１Ｆから露出する第１パッド７３Ｆ上にリフローで第１半田バンプ７６Ｆが形成される。第２開口７１Ｓから露出する第２パッド７３Ｓ上にリフローで第２半田バンプ７６Ｓが形成される。半田バンプを有するプリント配線板１０が完成する（図１（Ｂ））。

第１ビルドアップ層Ｂｕ１が複数の内側の導体層を有し、第２ビルドアップ層Ｂｕ２が複数の内側の導体層を有する。内側の導体層は、ビルドアップ層に含まれる導体層の内、最外の導体層以外の導体層である。
第１ビルドアップ層Ｂｕ１は複数の内側の導体層を有する。内側の導体層は、小さな粗面を有するマット面を持つ金属箔で形成される導体層ＭＦＣと大きな粗面を有するマット面を持つ金属箔で形成される導体層ＭＢＣを有する。そして、第２ビルドアップ層Ｂｕ２は複数の内側の導体層を有する。内側の導体層は、小さな粗面を有するマット面を持つ金属箔で形成される導体層ＭＦＣと大きな粗面を有するマット面を持つ金属箔で形成される導体層ＭＢＣを有する。その場合、第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の小さな粗面を有するマット面を持つ金属箔で形成される内側の導体層と第２ビルドアップ層内の小さな粗面を有するマット面を持つ金属箔で形成される内側の導体層はコア基板に関して対称に形成される。その例が図８に示される。図８では各導体層に番号が順に付けられている。コア基板３０に最も近い内側の導体層に１が付与され、最外の導体層２５８Ｆ、２５８Ｓに最も近い内側の導体層に最も大きな数字が付与される。
図８に示されるように、第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の番号１で示される内側の導体層が小さな粗面を有するマット面を持つ金属箔で形成される導体層ＭＦＣであれば、第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の番号１で示される内側の導体層は小さな粗面を有するマット面を持つ金属箔で形成される導体層ＭＦＣである。それら以外の内側の導体層２、３は、大きな粗面を有するマット面を持つ金属箔で形成される導体層ＭＢＣである。そして、図８に示されるように、第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の番号２と番号３で示される内側の導体層が大きな粗面を有するマット面を持つ金属箔で形成される導体層ＭＢＣであれば、第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の番号２と番号３で示される内側の導体層は大きなマット面を有する金属箔で形成される導体層ＭＢＣである。もし、第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の番号３で示される内側の導体層が小さな粗面を有するマット面を持つ金属箔で形成される導体層ＭＦＣであれば、第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の番号３示される内側の導体層は小さな粗面を有するマット面を持つ金属箔で形成される導体層ＭＦＣである。

各シード層を無電解銅めっき膜で形成することが好ましい。各電解めっき膜を電解銅めっき膜で形成することが好ましい。

大きな凹凸を有するマット面の大きさと小さな凹凸を有するマット面の大きさとの比（大きな凹凸を有するマット面の大きさ／小さな凹凸を有するマット面の大きさ）は１．５以上、２．０以下である。高速伝送に適するプリント配線板を提供することができる。

厚い厚みを有する導体層の厚みと薄い厚みを有する導体層の厚みとの比ＲＴＴ（厚い厚みを有する導体層の厚み／薄い厚みを有する導体層の厚み）は、１．２以上、３以下であることが好ましい。比ＲＴＴが１より大きく、１．２未満であると、密着強度が大きく改善されない。比ＲＴＴが３を超えると、密着強度の変化が小さくなる。
例えば、比ＲＴＴが１．２未満であると、比較される２つの導体層の厚みは略等しい。例えば、比ＲＴＴが１．２以上であると、比較される２つの導体層は、薄い厚みを有する導体層と厚い厚みを有する導体層に分類される。

導体層の厚みと導体層を形成している金属箔の厚みは関連している。厚い厚みを有する導体層は厚い厚みを有する金属箔で形成され、薄い厚みを有する導体層は薄い厚みを有する金属箔で形成される。厚い厚みを有する金属箔の厚みは薄い厚みを有する金属箔の厚みより厚い。厚い厚みを有する金属箔の厚みと薄い厚みを有する金属箔の厚みとの比（厚い厚みを有する金属箔の厚み／薄い厚みを有する金属箔の厚み）は１．２以上であることが好ましい。

導体層の厚みと導体層を形成している電解めっき膜の厚みは関連している。厚い厚みを有する導体層は薄い厚みを有する電解めっき膜で形成され、薄い厚みを有する導体層は厚い厚みを有する電解めっき膜で形成される。厚い厚みを有する電解めっき膜の厚みは薄い厚みを有する電解めっき膜の厚みより厚い。厚い厚みを有する電解めっき膜の厚みと薄い厚みを有する電解めっき膜の厚みとの比（厚い厚みを有する電解めっき膜の厚み／薄い厚みを有する電解めっき膜の厚み）は１．２以上であることが好ましい。

導体層の厚みと導体層を形成している金属箔のマット面の凹凸の大きさは関連している。厚い厚みを有する導体層は大きな凹凸を有する金属箔で形成され、薄い厚みを有する導体層は小さな凹凸を有する金属箔で形成される。凹凸の大きさは、例えば、十点平均粗さで代表される。大きな凹凸の大きさは小さな凹凸の大きさより大きい。大きな凹凸の大きさと小さな凹凸の大きさとの比（大きな凹凸の大きさ／小さな凹凸の大きさ）は１．２以上であることが好ましい。

実施形態のプリント配線板１０では、コア基板の導体層と最外の導体層は厚い厚みを有する導体層に属する。各内側の導体層は薄い厚みを有する導体層と厚い厚みを有する導体層のいずれかに属する。厚い厚みを有する内側の導体層の厚みはコア基板の導体層の厚みと略等しい。

導体層を形成している金属箔の厚みと導体層を形成している電解めっき膜の厚みは関連している。金属箔の厚みが厚いと電解めっき膜の厚みは薄い。従って、薄い厚みを有する導体層では金属箔の厚みと電解めっき膜の厚みとの比（金属箔の厚み／電解めっき膜の厚み）は１より小さい。逆に厚い厚みを有する導体層では、比（金属箔の厚み／電解めっき膜の厚み）は１より大きい。

コア基板３０を形成する導体層３４Ｆ、３４Ｓの厚みは１５μｍ以上、３５μｍ以下である。コア基板の導体層を形成する金属箔の厚みは２μｍ以上、１５μｍ以下である。コア基板の導体層を形成する電解めっき膜の厚みは１μｍ以上、１２μｍ以下である。コア基板の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の十点平均粗さＲｚは３．０μｍ以上、５．０μｍ以下である。

最外の導体層２５８Ｆ、２５８Ｓの厚みは１５μｍ以上、３５μｍ以下である。最外の導体層を形成する金属箔の厚みは２μｍ以上、１５μｍ以下である。最外の導体層を形成する電解めっき膜の厚みは１μｍ以上、１２μｍ以下である。最外の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の十点平均粗さＲｚは、３．０μｍ以上、５．０μｍ以下である。最外の導体層を形成する金属箔の厚みをコア基板の導体層を形成する金属箔の厚みより薄くすることができる。最外の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の十点平均粗さをコア基板の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の十点平均粗さより小さくすることができる。

薄い厚みを有する内側の導体層の例が以下に示される。
薄い厚みを有する内側の導体層の厚みは５μｍ以上、２５μｍ以下である。薄い厚みを有する内側の導体層を形成する金属箔の厚みは２μｍ以上、５μｍ以下である。薄い厚みを有する内側の導体層を形成する電解めっき膜の厚みは５μｍ以上、２５μｍ以下である。薄い厚みを有する内側の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の十点平均粗さＲｚは１．５μｍ以上、２．５μｍ以下である。

厚い厚みを有する内側の導体層の例が以下に示される。
厚い厚みを有する内側の導体層の厚みは１５μｍ以上、３５μｍ以下である。厚い厚みを有する内側の導体層を形成する金属箔の厚みは２μｍ以上、１５μｍ以下である。厚い厚みを有する内側の導体層を形成する電解めっき膜の厚みは１μｍ以上、１２μｍ以下である。厚い厚みを有する内側の導体層を形成する金属箔のマット面の凹凸の十点平均粗さＲｚは３．０μｍ以上、５．０μｍ以下である。

実施形態のプリント配線板１０によれば、厚い厚みを有する導体層で伝送されるデータの伝送速度と薄い厚みを有する導体層で伝送されるデータの伝送速度との差を小さくすることができる。例えば、電子部品の誤動作が防止される。

実施形態のプリント配線板１０によれば、大きな凹凸を有する金属箔で形成される導体層で伝送されるデータの伝送速度と小さな凹凸を有する金属箔で形成される導体層で伝送されるデータの伝送速度との差を小さくすることができる。例えば、電子部品の誤動作が防止される。

３０ コア基板
３２ｔｆ 第１金属箔
３２ｔｆｍ 第１マット面
３２ｓｆ 内側の第１金属箔
３２ｓｆｍ 内側の第１マット面
３２ｕｆ 最外の第１金属箔
３２ｕｆｍ 最外の第１マット面
３４Ｆ 第１導体層
３４Ｓ 第２導体層
３６ スルーホール導体
５０Ｆ 第１樹脂絶縁層
５０Ｓ 第２樹脂絶縁層
５８Ｆ 内側の第１導体層
５８Ｓ 内側の第２導体層
２５０Ｆ 最外の第１樹脂絶縁層
２５０Ｓ 最外の第２樹脂絶縁層
２５８Ｆ 最外の第１導体層
２５８Ｓ 最外の第２導体層

Claims (7)

1. 第１面と前記第１面と反対側の第２面を有するコア層と前記第１面から前記第２面に向かって細くなっている第１開口と前記第２面から前記第１面に向かって細くなっている第２開口で形成されるスルーホール導体用の貫通孔と前記貫通孔に形成されているスルーホール導体と前記第１面上に形成され前記スルーホール導体に直接繋がっている第１スルーホールランドと前記第２面上に形成され前記スルーホール導体に直接繋がっている第２スルーホールランドとを有するコア基板と、
   前記第１面と前記第１スルーホールランド上に形成されている第１樹脂絶縁層と、
   前記第２面と前記第２スルーホールランド上に形成されている第２樹脂絶縁層と、
   前記第１樹脂絶縁層を貫通し、前記第１スルーホールランドに接続する第１ビア導体と、
   前記第２樹脂絶縁層を貫通し、前記第２スルーホールランドに接続する第２ビア導体と、
   前記第１樹脂絶縁層上に形成され前記第１ビア導体に直接繋がっている第１ビアランドと、
   前記第２樹脂絶縁層上に形成され前記第２ビア導体に直接繋がっている第２ビアランドと、
   前記第１樹脂絶縁層と前記第１ビアランド上に形成されている最外の第１樹脂絶縁層と、前記第２樹脂絶縁層と前記第２ビアランド上に形成されている最外の第２樹脂絶縁層と、前記最外の第１樹脂絶縁層上に形成されている最外の第１導体層と、
   前記最外の第２樹脂絶縁層上に形成されている最外の第２導体層と、
   前記最外の第１樹脂絶縁層を貫通し、前記第１ビア導体に電気的に繋がっている最外の第１ビア導体と、
   前記最外の第２樹脂絶縁層を貫通し、前記第２ビア導体に電気的に繋がっている最外の第２ビア導体、とからなるプリント配線板であって、
   前記スルーホール導体と前記第１スルーホールランドと前記第２スルーホールランドでスルーホール構造が形成され、
   前記スルーホール導体は前記第１開口と前記第２開口との交差部に接合エリアを有し、前記第１スルーホールランドは第１金属箔と前記第１金属箔上の第１シード層と前記第１シード層上の第１電解めっき膜で形成され、前記第２スルーホールランドは第２金属箔と前記第２金属箔上の第２シード層と前記第２シード層上の第２電解めっき膜で形成され、前記第１ビアランドは内側の第１金属箔と前記内側の第１金属箔上の内側の第１シード層と前記内側の第１シード層上の内側の第１電解めっき膜で形成され、前記第２ビアランドは内側の第２金属箔と前記内側の第２金属箔上の内側の第２シード層と前記内側の第２シード層上の内側の第２電解めっき膜で形成され、前記最外の第１導体層は最外の第１金属箔と前記最外の第１金属箔上の最外の第１シード層と前記最外の第１シード層上の最外の第１電解めっき膜で形成され、前記最外の第２導体層は最外の第２金属箔と前記最外の第２金属箔上の最外の第２シード層と前記最外の第２シード層上の最外の第２電解めっき膜で形成され、前記第１金属箔は前記コア層の前記第１面と前記第１金属箔との間の界面に第１マット面を有し、前記第２金属箔は前記コア層の前記第２面と前記第２金属箔との間の界面に第２マット面を有し、前記内側の第１金属箔は前記第１樹脂絶縁層と前記内側の第１金属箔との間の界面に内側の第１マット面を有し、前記内側の第２金属箔は前記第２樹脂絶縁層と前記内側の第２金属箔との間の界面に内側の第２マット面を有し、前記最外の第１金属箔は前記最外の第１樹脂絶縁層と前記最外の第１金属箔との間の界面に最外の第１マット面を有し、前記最外の第２金属箔は前記最外の第２樹脂絶縁層と前記最外の第２金属箔との間の界面に最外の第２マット面を有し、前記内側の第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＩ１）は、前記第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（Ｒｚ１）、前記第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（Ｒｚ２）、前記最外の第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＯ１）と前記最外の第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＯ２）より小さく、前記内側の第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＩ２）は、前記第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（Ｒｚ１）、前記第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（Ｒｚ２）、前記最外の第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＯ１）と前記最外の第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＯ２）より小さく、前記コア層の厚みは、６０μｍ以上、８０μｍ以下である。
2. 請求項１のプリント配線板であって、前記第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（Ｒｚ１）、前記第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（Ｒｚ２）、前記最外の第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＯ１）と前記最外の第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＯ２）は略等しい。
3. 請求項２のプリント配線板であって、Ｒｚ１／ＲｚＯ１とＲｚ１／ＲｚＯ２とＲｚ２／ＲｚＯ１とＲｚ２／ＲｚＯ２は０．９以上、１．１以下である。
4. 第１面と前記第１面と反対側の第２面を有するコア層と前記第１面上に形成されている第１導体層と前記第２面上に形成されている第２導体層とを有するコア基板と、
   前記第１面と前記第１導体層上に形成されている第１樹脂絶縁層と、
   前記第２面と前記第２導体層上に形成されている第２樹脂絶縁層と、
   前記第１樹脂絶縁層上に形成されている内側の第１導体層と、
   前記第２樹脂絶縁層上に形成されている内側の第２導体層と、
   前記第１樹脂絶縁層と前記内側の第１導体層上に形成されている最外の第１樹脂絶縁層と、
   前記第２樹脂絶縁層と前記内側の第２導体層上に形成されている最外の第２樹脂絶縁層と、
   前記最外の第１樹脂絶縁層上に形成されている最外の第１導体層と、
   前記最外の第２樹脂絶縁層上に形成されている最外の第２導体層、とからなるプリント配線板であって、
   前記第１導体層は第１金属箔と前記第１金属箔上の第１シード層と前記第１シード層上の第１電解めっき膜で形成され、前記第２導体層は第２金属箔と前記第２金属箔上の第２シード層と前記第２シード層上の第２電解めっき膜で形成され、前記内側の第１導体層は内側の第１金属箔と前記内側の第１金属箔上の内側の第１シード層と前記内側の第１シード層上の内側の第１電解めっき膜で形成され、前記内側の第２導体層は内側の第２金属箔と前記内側の第２金属箔上の内側の第２シード層と前記内側の第２シード層上の内側の第２電解めっき膜で形成され、前記最外の第１導体層は最外の第１金属箔と前記最外の第１金属箔上の最外の第１シード層と前記最外の第１シード層上の最外の第１電解めっき膜で形成され、前記最外の第２導体層は最外の第２金属箔と前記最外の第２金属箔上の最外の第２シード層と前記最外の第２シード層上の最外の第２電解めっき膜で形成され、前記第１金属箔は前記コア層の前記第１面と前記第１金属箔との間の界面に第１マット面を有し、前記第２金属箔は前記コア層の前記第２面と前記第２金属箔との間の界面に第２マット面を有し、前記内側の第１金属箔は前記第１樹脂絶縁層と前記内側の第１金属箔との間の界面に内側の第１マット面を有し、前記内側の第２金属箔は前記第２樹脂絶縁層と前記内側の第２金属箔との間の界面に内側の第２マット面を有し、前記最外の第１金属箔は前記最外の第１樹脂絶縁層と前記最外の第１金属箔との間の界面に最外の第１マット面を有し、前記最外の第２金属箔は前記最外の第２樹脂絶縁層と前記最外の第２金属箔との間の界面に最外の第２マット面を有し、前記内側の第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＩ１）は、前記第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（Ｒｚ１）、前記第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（Ｒｚ２）、前記最外の第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＯ１）と前記最外の第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＯ２）より小さく、前記内側の第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＩ２）は、前記第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（Ｒｚ１）、前記第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（Ｒｚ２）、前記最外の第１マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＯ１）と前記最外の第２マット面の凹凸の十点平均粗さ（ＲｚＯ２）より小さく、前記コア層の厚みは、６０μｍ以上、８０μｍ以下である。
5. 請求項４のプリント配線板であって、
   前記第１導体層の厚み、前記第２導体層の厚み、前記最外の第１導体層の厚みと前記最外の第２導体層の厚みは略等しく、前記第１導体層の厚みと前記内側の第１導体層の厚みとの比（第１導体層の厚み／内側の第１導体層の厚み）は１．２以上、３以下であり、前記第１導体層の厚みと前記内側の第２導体層の厚みとの比（第１導体層の厚み／内側の第２導体層の厚み）は１．２以上、３以下である。
6. 請求項５のプリント配線板であって、前記第１金属箔の厚みと前記第２金属箔の厚みと前記最外の第１金属箔の厚みと前記最外の第２金属箔の厚みは略等しく、前記内側の第１金属箔の厚みは前記第１金属箔の厚みより薄く、前記内側の第２金属箔の厚みは前記第１金属箔の厚みより薄い。
7. 請求項４のプリント配線板であって、前記Ｒｚ１と前記Ｒｚ２は前記ＲｚＯ１より大きく、前記Ｒｚ１と前記Ｒｚ２は前記ＲｚＯ２より大きい。

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