JP2019121690A - 炭化珪素半導体基板および炭化珪素半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
し、(000−1)C面でも良いし、それ以外の面でも良い。また、上述した発明においてエピタキシャル成長を行う炭化珪素半導体基板のオフ角度は、0度以上10度以下の範囲内なら、何度でも良い。また、上述した発明において製造されるエピ基板の直径は、25mm以上200mm以下の範囲内なら何mmでも良い。
図1は、実施の形態にかかる炭化珪素半導体基板の構成を示す断面図である。図1に示すように、実施の形態にかかる炭化珪素半導体基板は、n型炭化珪素基板(単結晶炭化珪素基板)1の第1主面(おもて面)、例えば(0001)面(Si面)に、n型バッファ層2が堆積されている。なお、n型バッファ層2は成膜しても良いし、しなくても良い。また、n型バッファ層2の膜厚は、n-型ドリフト層より薄くても良いし、厚くても良い。
次に、実施の形態にかかる炭化珪素半導体基板の製造方法について説明する。図2は、実施の形態にかかる炭化珪素半導体基板の形成工程のフローチャートである。また、図3は、実施の形態にかかる炭化珪素半導体基板におけるドーパント時のドーパントガスの流量とエピタキシャル層のキャリア濃度との対応関係を示すグラフである。図3において、縦軸は、炭化珪素半導体基板上に形成されたエピタキシャル層の窒素の濃度であり、単位は/cm3であり、横軸は、ドーパントガス内の窒素の流量であり、単位はsccm(standard cubic centimeter per minute)またはslm(standard liter per minute)である。
。また、上述した発明においてエピタキシャル成長を行う炭化珪素半導体基板のオフ角度は、0°以上10°以下の範囲内なら、何度の角度でも良い。また、上述した発明において製造されるエピ基板の直径は、25mm以上200mm以下の範囲内なら何mmでも良い。
2 n型バッファ層
3 n-型エピタキシャル層
6 エピタキシャル成長装置
61 サセプタ
62 多結晶SiCコート層
63 高純度カーボン材
64 断熱材
65 半導体基板
66 ガス導入口
67 ガス排出口
Claims (8)
- キャリア濃度が、1×1014/cm3以上1×1015/cm3以下であり、導電型を決定する不純物と異なる導電型の不純物成分の各々、または合計の濃度が、1×1014/cm3未満であるエピタキシャル層を、
備えることを特徴とする炭化珪素半導体基板。 - 前記エピタキシャル層のキャリア濃度が、1×1014/cm3以上5×1014/cm3以下であることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体基板。
- 前記導電型を決定する不純物は窒素であり、前記導電型を決定する不純物と異なる導電型の不純物成分はホウ素、ないしアルミニウム、ないしホウ素とアルミニウムの両方であることを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素半導体基板。
- 主面は、(0001)Si面、ないし(000−1)C面であり、オフ角度は、0°以
上10°以下であり、直径は25mm以上200mm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体基板。 - エピタキシャル成長装置内に、水素を含むガスを供給して、前記エピタキシャル成長装置内を所定時間、加熱する工程と、
前記エピタキシャル成長装置内に、単結晶炭化珪素基板を搬入し、原料ガスとキャリアガスと導電型を決定する不純物を含むドーパントガスを供給して前記単結晶炭化珪素基板に単結晶炭化珪素の膜をエピタキシャル成長により形成する工程と、
を含むことを特徴とする炭化珪素半導体基板の製造方法。 - 前記所定時間、加熱する工程は、前記エピタキシャル成長装置内を少なくとも温度1600℃以上、ガス圧力1000Pa以上、10分以上、好ましくは温度1725℃、ガス圧力2500Paで3.5時間加熱することを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。
- 前記導電型を決定する不純物は窒素であることを特徴とする請求項5または6に記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。
- 前記単結晶炭化珪素基板の主面は、(0001)Si面、ないし(000−1)C面で
あり、オフ角度は、0°以上10°以下であり、直径は25mm以上200mm以下であることを特徴とする請求項5〜7のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。
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