JP2019119086A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 少なくとも一方が透明基板である一対の基板の両方又はいずれか一方の接合表面に金属酸化物の薄膜を形成することと、
   前記金属酸化物の薄膜を介して、前記一対の基板の接合面を互いに接触させることを備え、
   金属酸化物の薄膜を基板の接合表面に形成することは、金属をターゲットとし、実質的に不活性ガスと酸素とからなる混合ガスで行うスパッタ法により成膜することを含む、基板の接合方法。
2. 前記金属酸化物の薄膜を基板の接合表面に形成することは、金属をターゲットとし、実質的に不活性ガスと酸素とからなる混合ガスで行うイオンビームスパッタ法により成膜することを含む、請求項1に記載の基板の接合方法。
3. 前記接合表面に金属酸化物の薄膜を形成することは、ＡＬＤ法による、請求項１又は２に記載の基板の接合方法。
4. 接合表面に金属酸化物の薄膜を形成することの前に、前記基板の接合表面に対して、エネルギー粒子を照射することを更に備える、請求項１から３のいずれか一項に記載の基板の接合方法。
5. 前記金属酸化物の薄膜の表面に対して、エネルギー粒子を照射することを更に備える、請求項１から４のいずれか一項に記載の基板の接合方法。
6. 前記金属酸化物の薄膜の表面に対して、エネルギー粒子を照射することとは、実質的に不活性ガスと酸素ガスとからなる混合ガスのエネルギー粒子を照射することを含む、請求項４に記載の基板の接合方法。
7. 少なくとも、前記金属酸化物の薄膜を形成することから、接合面を接触させることまでを真空中で行う、請求項１から６のいずれか一項に記載の基板の接合方法。
8. 前記基板を貼り合わせることの後に、加熱処理を行うことを更に備える、請求項１から７のいずれか一項に記載の基板の接合方法。
9. 加熱処理は２００℃以下で行う、請求項８に記載の基板の接合方法。
10. 貼り合わされる基板の両方又はいずれか一方は透明なガラス基板である、請求項１から９のいずれか一項に記載の基板の接合方法。
11. 貼り合わされる基板の一方の基板は透明なガラス基板であり、他方の基板は光学素子を含む基板である、請求項１から９のいずれか一項に記載の基板の接合方法。
12. 前記接合される基板の少なくとも一方の接合面が実質的に高分子材料からなる請求項１から９のいずれか一項に記載の基板の接合方法。
13. 請求項１から１２のいずれか一項に記載の基板の接合方法により形成された基板積層体を備えるデバイス。