JP2019110271A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】より簡単な製造プロセスにより、ある画素が発光する際に隣の画素が意図せず発光する現象を抑制すること。【解決手段】表示装置は、複数の画素電極と、前記複数の画素電極の上に順に設けられる第1キャリアの注入層、第1キャリアの輸送層、発光層、第2キャリアの輸送層および第2キャリアの注入層と、前記第2キャリアの注入層の上に設けられる対向電極と、を含む。前記第2キャリアは、前記第1キャリアと反対の極性を有する。前記対向電極は、前記第1キャリアの輸送層および前記第1キャリアの注入層の一方と、平面視で隣り合う前記画素電極の間において、前記一方と前記対向電極との間に位置する層を貫通して接続される。または、平面視で隣り合う前記画素電極の間に位置する中間電極の上面が前記第1のキャリアの注入層と接続される。【選択図】図2
Description
本発明は、表示装置に関する。
近年は、有機EL表示装置を用いたスマートフォン等の機器が増加している。有機EL表示装置は、画素ごとに設けられる下部電極、有機EL層、複数の画素で共通の上部電極、を有する。有機EL層は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層がある。有機EL表示装置において、複数の画素を覆う有機EL層を設ける場合に、ある画素の画素電極から隣の画素の発光層へ電流がリークし、隣の画素が発光してしまう現象が起きることがある。この現象が起きると、例えば、表示色が意図した色と異なってしまう(混色、電気混色と呼ばれることもある)問題が生じる。
特許文献1には、上記現象の発生を抑制するため、バンク上にリーク電流を吸収するための電極を配置することが提案されている。
特許文献1ではリーク電流を吸収するために、下部電極や上部電極と異なる層の電極と、その電極を下部電極や上部電極から絶縁するための絶縁層との両方を設ける必要があり、製造プロセスの複雑化を招いていた。
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであって、その目的は、より簡単な製造プロセスにより、ある画素が発光する際に隣の画素が意図せず発光する現象を抑制することのできる表示装置を提供することにある。
本発明に係る表示装置は、基板と、基板の上方に設けられる複数の画素電極と、前記複数の画素電極の上に順に設けられる第1キャリアの注入層および第1キャリアの輸送層と、前記複数の画素電極の上方かつ前記第1キャリアの輸送層の上に設けられる発光層と、前記発光層の上に順に設けられる第2キャリアの輸送層および第2キャリアの注入層と、前記複数の画素電極の上方かつ前記第2キャリアの注入層の上に設けられる対向電極と、を含む。前記第2キャリアは、前記第1キャリアと反対の極性を有する。前記第1キャリアの輸送層および前記第1キャリアの注入層の一方は、前記複数の画素電極のうち平面視で隣り合う2つの画素電極の間に、前記一方と前記対向電極との間に位置する層から露出される接続領域を有し、前記対向電極は、前記接続領域で前記一方と接続される。
本発明に係る他の表示装置は、基板と、基板の上方に設けられる複数の画素電極と、前記複数の画素電極のうち互いに隣り合う2つの画素電極の間に設けられる中間電極と、前記複数の画素電極および前記中間電極の上に順に設けられる第1キャリアの注入層および第1キャリアの輸送層と、前記複数の画素電極の上方かつ前記第1キャリアの輸送層の上に設けられる発光層と、前記発光層の上に順に設けられる第2キャリアの輸送層および第2キャリアの注入層と、前記複数の画素電極の上方かつ前記第2キャリアの注入層の上に設けられる対向電極と、を含む。前記中間電極は、前記第1キャリアの注入層と接続される接続領域を有する。
本発明によれば、より簡単な製造プロセスにより、ある画素が発光した際に隣の画素が意図せず発光する現象を抑制することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態に係る有機EL(Electroluminescence)表示装置の平面図である。有機EL表示装置は、基板10と、フレキシブルプリント基板12と、フレキシブルプリント基板12上に配置される集積回路パッケージ14とを含む。この実施形態における有機EL表示装置は、屈曲が可能なシートディスプレイまたはフレキシブルディスプレイであるが、屈曲しないディスプレイであってもよい。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る有機EL(Electroluminescence)表示装置の平面図である。有機EL表示装置は、基板10と、フレキシブルプリント基板12と、フレキシブルプリント基板12上に配置される集積回路パッケージ14とを含む。この実施形態における有機EL表示装置は、屈曲が可能なシートディスプレイまたはフレキシブルディスプレイであるが、屈曲しないディスプレイであってもよい。
基板10は、表示領域16及び表示領域16を囲む周辺領域17を含む。周辺領域17は表示領域16の外側にある。表示領域16内には複数の画素19が配置されている。有機EL表示装置は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素(サブピクセル)を組み合わせて、フルカラーの画素19を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。基板10のうち一方向の端には、フレキシブルプリント基板12が接続されている。集積回路パッケージ14には、単位画素に含まれる画素回路を駆動する駆動回路のうち一部が搭載される。また、基板10上の周辺領域17にも駆動回路の一部が配置される。
図2は、画素19の構成の一例を模式的に示す部分平面図である。画素19は、発光領域55rを有する赤の単位画素と、発光領域55gを有する緑の単位画素と、発光領域55bを有する青の単位画素とを有する。発光領域55r、発光領域55g、発光領域55bのそれぞれは、平面視で画素電極41と重畳している。平面視で、発光領域55bは、発光領域55r,55gより大きい。なお、画素19は、4以上の単位画素や、2つの単位画素により構成されてもよい。
図2に示される互いに隣り合う赤の発光領域55rと、緑の発光領域55gと、青の発光領域55bとは、1つの画素19を構成している。発光領域55r,55g,55bのうち隣り合う2つの間には、接続領域53が存在する。図2の例では、さらに、画素19は、接続領域53により囲まれ、発光領域55r,55g,55gのそれぞれも接続領域53により囲まれている。接続領域53は発光領域55r,55g,55gのいずれかを発光させた際に隣接するものが光らないようにするために設けられる領域であるが、その詳細については後述する。
図3は、図2に示す有機EL表示装置のIII−III切断線における断面図である。基板10(アレイ基板)は可撓性を有する。基板10の材料はポリイミドであるが、シートディスプレイ又はフレキシブルディスプレイを構成するために十分な可撓性を有する基材であれば他の樹脂材料を用いても良い。また、シートディスプレイ又はフレキシブルディスプレイでない表示装置の場合は、基板10の材料がガラスであってもよい。
基板10上に、酸化シリコンおよび窒化シリコンを含む下地層20が設けられている。下地層は、第1の下地層、第2の下地層、第3の下地層からなる三層積層構造であってもよい。例えば、第1の下地層は、基板10との密着性を向上させる酸化シリコンの層であり、第2の下地層は、外部からの水分及び不純物をブロックする窒化シリコンの層であり、第3の下地層は、第2の下地層中に含有する水素原子が上部にある薄膜トランジスタ側に拡散しないようにブロックする。
下地層20の上には複数の薄膜トランジスタが形成されている。薄膜トランジスタのそれぞれは、ゲート電極401と、半導体膜403と、ソース電極405と、ドレイン電極407とを含む。半導体膜403は下地層20の上に設けられる。半導体膜403はポリシリコンであってもよいし、透明酸化物半導体(TAOS: Transparent Amorphous Oxide Semiconductor)であってもよい。半導体膜403の上には、酸化シリコンを含むゲート絶縁層22が設けられ、ゲート絶縁層22の上には、平面視で半導体膜403と重畳するゲート電極401を含む第1の導電層が設けられている。第1の導電層は、例えばMoWにより形成される。ゲート電極401の上には、窒化シリコンおよび酸化シリコンを含む層間絶縁層24が設けられる。ゲート絶縁層22および層間絶縁層24は、他の絶縁性のある材質により構成されてもよい。
層間絶縁層24の上には、ソース電極405およびドレイン電極407を含む第2の導電層が設けられる。ソース電極405およびドレイン電極407は、画素回路を構成する配線(例えば画素電極41)に接続される。第2の導電層は、例えば、Ti、Al及びTiの三層積層構造である。
平坦化層30は、ソース電極405およびドレイン電極407を覆うように設けられる。平坦化層30としては、CVD(Chemical Vapor Deposition)等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れることから、感光性アクリル等の有機材料が多く用いられる。
平坦化層30は、ソース電極405を露出させる開口30aを有する。また、この開口30aを介してソース電極405に導通する画素電極41が設けられている。画素電極41は、例えば、IZO(Indium Zinc Oxide)膜、Ag膜、IZO膜の三層積層構造であってよい。画素電極41は、開口30aの上端から側方に拡がっている。なお、ソース電極405の代わりにドレイン電極407が画素電極41に接続してもよい。
平坦化層30や画素電極41の層の上層には、バンク32が形成されている。バンク32は、開口30aを覆っている。バンク32は平坦化層30と同じく絶縁性のある感光性アクリル等により形成される。バンク32は互いに隣接する単位画素の間に設けられており、単位画素に対応する開口32aを有する、開口32aの側面はテーパ形状を有し、開口32aの底では画素電極41がバンク32から露出している。
画素電極41の上にはホール注入層43、ホール輸送層44、発光層45、電子輸送層46、電子注入層47が順に設けられている。ホール輸送層44と発光層45との間に電子ブロック層が設けられてもよい。発光層45と電子輸送層46との間にホールブロック層が設けられてもよい。これらの層は、蒸着によって形成されても良いし、塗布によって形成されてもよい。ここで、発光層45は、開口32aの内側に配置され、ホール注入層43、ホール輸送層44、電子輸送層46、電子注入層47は、バンク32の開口32aの内側からバンク32の上方へ、換言すればバンク32の側面とバンク32の上面とへ、連続的に形成されている。発光層45は、開口32aの内側とバンク32の斜面とバンク32の上面の一部とに配置されてもよい。
発光層45は、キャリアとしての電子およびホールが注入されて発光する。見方を変えると、発光層45は、画素電極41と対向電極49との間を流れる電流により発光する。開口32a内の画素電極41の上に形成される発光層45は、その画素電極41および開口32aに対応する発光領域55r,55g,55bを構成する。
ホール注入層43およびホール輸送層44は、キャリアとしてのホールを発光層45へ注入することを促す層である。電子注入層47および電子輸送層46は、キャリアとしての電子を発光層45へ注入することを促す層である。
ホール注入層43、ホール輸送層44、発光層45、電子輸送層46、電子注入層47は、それぞれの材料の蒸着により形成されてよい。ここで、発光層45について、材料をマスクを用いて開口32aの内部に蒸着し、さらに、電子輸送層46、電子注入層47、ホール輸送層44についてマスクを用いてそれらの層の開口を形成してよい。また、蒸着の代わりに塗布を用いてこれらの層を形成してもよい。
電子注入層47の上には、対向電極49が設けられている。対向電極49は、例えば、有機EL層からの出射光が透過する程度の薄膜として形成されるMg層及びAg層であってもよいし、ITOで形成されてもよい。対向電極49はバンク32の上にも設けられている。対向電極49は接地電位を供給する配線と電気的に接続されている。
ここで、バンク32の上方には、電子注入層47、電子輸送層46、ホール輸送層44のそれぞれが開口を有し、平面視でその開口の位置は重なっている。ホール注入層43の接続領域53は、その開口において電子注入層47、電子輸送層46、ホール輸送層44から露出している。また、図3の例では、対向電極49は、接続領域53において、ホール注入層43と接している。
対向電極49の上には、封止層34が設けられている。封止層34は、外部からの水分が有機EL層に侵入することを防止する。封止層34は、例えば、シリコン窒化膜、有機樹脂層及びシリコン窒化膜の積層構造である。
なお、封止層34上にカバーガラスやタッチパネル基板等が設けられても良い。この場合、封止層34とカバーガラスやタッチパネル基板との間に、樹脂等の充填材が充填されてもよい。また、ポリイミド等の可撓性を有する基材を用いた対向基板が封止層34の上に配置されてもよい。
図4は、キャリアの移動を説明する図であり、図3に対応する図である。図4に示されるように、ホール注入層43の画素電極41近傍で発生するキャリアであるホール61の一部は、ホール注入層43の内部に生じた電界によって、画素電極41からバンク32の上へ向けて移動する。そして、そのホール61は、接続領域53において対向電極49から供給される電子と結合して消滅する。バンク32上にあるホール61は接続領域53の近傍で消滅するため、ホール61が接続領域53の向こう側にある発光領域55bの発光層45に達することはない。
一方、接続領域53がない場合には、発光領域55rの画素電極41で生じたホール61が隣接する発光領域55bの発光層45に達する場合がある。図5は、有機EL表示装置の比較例を示す断面図である。図5の例では、電子注入層47、電子輸送層46、発光層45、ホール輸送層44は、バンク32の上方に開口を有しておらず、バンク32上ではホール注入層43は対向電極49等の他の電極と接していない。
画素電極41に供給される正の電位により、ホール注入層43に生じるキャリアのうち多数のホール62は、発光層45にて電子と結合して消滅し、発光層45が発光する。一方、発光領域55rの画素電極41と、隣の画素電極41との間に生じうる電位差が生じる場合には、その電位差により、一部のホール63を移動させる電界を生じる。その一部のホール63は、その電界により、ホール注入層43内においてバンク32上を経て隣の発光領域55bの発光層45に達する。このため、ある発光領域55rを発光させると、隣の発光領域55bも微発光してしまう。これに対して、図3,4に示される構成では、隣の発光領域55bに達する前にバンク32上の接続領域53にてホール61が消滅するため、隣接する発光領域55bが意に反して微発光することを防ぐことができる。なお、他の互いに隣接する発光領域55r,55g,55bについても同様の効果を得ることができる。
さらに、図3に示される構成では、対向電極49が有機EL素子のカソードと、バンク32上のホールを消滅させるための電極とを兼ねるため、別の電極を形成する必要がなく、製造プロセスの増加を防ぐこともできる。
ここで、ホール注入層43と異なる層に対向電極49と接する接続領域53が存在してもよい。図6は、有機EL表示装置の変形例を示す断面図である。図6の例では、図3の例と異なり、ホール輸送層44上に対向電極49と接する接続領域53が存在する。図6の例では、ホール注入層43内で画素電極41近傍からバンク32上に移動したホール61は、接続領域53の近傍でホール輸送層44へ移動する。またそのホール61は対向電極49から供給される電子と結合して消滅する。このように、接続領域53がホール輸送層44に存在し、ホール注入層43と対向電極49とが直接的に接していなくても、同様の効果を得ることができる。
また、接続領域53は、単位画素の間の全てに設けられなくてもよい。図7は、画素19の構成の他の一例を示す部分平面図であり、図2に対応する図である。また、図7に示される画素19の上下左右にも画素19が配置されており、接続領域53は、画素19を囲むように配置され、かつ、画素19とその画素19に隣接する画素19との間に配置されている。また、ある画素19に配置される発光領域55r,55g,55bの間には配置されていない。これにより、ある画素19に属する単位画素の発光領域55r,55g,55bが発光した際に、それらに隣接する他の画素19の発光領域55r,55g,55bが微発光することを防ぐことができる。
図8は、接続領域53の配置の他の一例を示す平面図であり、縦に並ぶ2つの画素19における接続領域53の配置を示す図である。本実施形態では、平面視で、画素19は平均サイズより大きい(あるいはもっとも大きい)発光領域55bと、平均サイズより小さい(または発光領域55bより小さい)発光領域55r,55gとを含んでいる。図8の例では、サイズの小さい発光領域55r,55gと、隣接する発光領域55r,55g,55bとの間に接続領域53が配置されている。発光領域55r,55gは接続領域53により囲まれている。一方、サイズの大きい発光領域55bとその発光領域55bに隣接する他の発光領域55bとの間には、接続領域53は配置されていない。
発光領域55r,55g,55bは、その面積が小さいほど、面積に対するその周囲の長さの割合が大きくなる。それに起因して、面積が小さい発光領域55r,55gは、隣接する他の発光領域55r,55g,55bからリークされるキャリアによる発光量の変動割合が大きくなる、つまり影響を受けやすい。したがって、平均サイズより小さい発光領域55r,55gとその発光領域に隣接する発光領域55r,55g,55bとの間のみに接続領域53を設ける場合も、リークの影響を抑えることができる。なお、発光領域55r,55gのサイズに差がある場合には、発光領域55r,55gのうち小さい方を囲むように接続領域53が配置されてもよい。
図9は、接続領域53の配置の他の一例を示す平面図であり、縦に並ぶ2つの画素19における接続領域53の配置を示す図である。本実施形態では、平面視で、接続領域53は、互いに隣接し間隔が基準距離(例えば平均距離)より小さい発光領域55bと発光領域55rまたは55gとの間に設けられ、互いに隣接し間隔が基準距離より大きい2つの発光領域の間(発光領域55rと発光領域55gとの間、隣接する発光領域55bの間)には設けられない。発光領域の間の距離が小さいほどキャリアのリークが起きやすい。したがって、リークの起きやすい個所に接続領域53を設けることにより、発光領域55r,55g,55bの間の全てに接続領域53が配置されなくても、リークの影響を抑えることができる。
ここで、画素電極41の上に順に、電子注入層47、電子輸送層46、発光層45、ホール輸送層44、ホール注入層43が順に設けられ、画素電極41がキャリアとして電子を供給してもよい。この場合でも、電子注入層47または電子輸送層46の上に接続領域53を設けることで、ある発光領域で生じたキャリアである電子が隣の発光領域の発光層45を発光させることを防ぐことができる。また製造プロセスの増加も防ぐことができる。
[第2の実施形態]
第2の実施形態は、バンク32上で対向電極49がキャリアの消滅の役割を負っていない点が異なる。以下では、主に第1の実施形態との相違点について説明する。
第2の実施形態は、バンク32上で対向電極49がキャリアの消滅の役割を負っていない点が異なる。以下では、主に第1の実施形態との相違点について説明する。
図10は、第2の実施形態にかかる有機EL表示装置の断面図であり、図3に対応する図である。図10の例では、平坦化層30の上には、画素電極41と、隣り合う画素電極41の間にある中間電極51とが形成されている。画素電極41と中間電極51とは、同層に形成されており、金属層を形成した後にパターニングすることで、同じ工程で形成される。なお、画素電極41と中間電極51とは、互いに異なる金属層がパターニングされたものであってもよい。
バンク32は、平坦化層30と、画素電極41および中間電極51の層との上層に形成されている。バンク32は互いに隣接する単位画素の間に設けられており、単位画素に対応する開口32aを有する、さらに、バンク32は、隣り合う開口32aの間に開口32bを有する。開口32bの底では、中間電極51がバンク32から露出している。
画素電極41の上にはホール注入層43、ホール輸送層44、発光層45、電子輸送層46、電子注入層47が順に設けられている。これらの層は、蒸着によって形成されても良いし、塗布によって形成されてもよい。ここで、発光層45は、開口32aの内側に配置され、ホール注入層43、ホール輸送層44、電子輸送層46、電子注入層47は、バンク32の開口32aの内側からバンク32の上方、また開口32bを覆うように連続的に形成されている。ホール輸送層44の下面は、接続領域54において、中間電極51と接している。
中間電極51は、所定の電位を供給する配線と接続されている。所定の電位は、画素電極41に供給される電位より小さく、対向電極49に供給される電位と同じであってもよい。
電子注入層47の上には、対向電極49が設けられ、対向電極49の上には、封止層34が設けられている。
図11は、キャリアの移動を説明する図であり、図10に対応する図である。図11に示されるように、ホール注入層43の画素電極41近傍で発生するキャリアであるホール61は、ホール注入層43の内部に生じた電界によって、画素電極41からバンク32の上へ向けて移動する。そして、そのホール61は、接続領域54において中間電極51から供給される電子と結合して消滅する。バンク32上にあるホール61は中間電極51条で消滅するため、ホール61が接続領域54の向こう側にある発光領域55bの発光層45に達することはない。
図10および11に示される構成でも、ある発光領域に隣接する他の発光領域が意に反して微発光することを防ぐことができる。また、画素電極41と中間電極51とが同層に形成されるため、製造プロセスの増加を防ぐこともできる。
ここで、画素電極41の上に順に、電子注入層47、電子輸送層46、発光層45、ホール輸送層44、ホール注入層43が順に設けられ、画素電極41がキャリアとして電子を供給してもよい。この場合、例えば、中間電極51に接続される配線に供給される所定の電位は、画素電極41に供給される電位より大きく、対向電極49に供給される電位と同じであってもよい。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
10 基板、12 フレキシブルプリント基板、14 集積回路パッケージ、16 表示領域、17 周辺領域、19 画素、20 下地層、22 ゲート絶縁層、24 層間絶縁層、30 平坦化層、30a 開口、32 バンク、32a,32b 開口、34 封止層、41 画素電極、43 ホール注入層、44 ホール輸送層、45 発光層、46 電子輸送層、47 電子注入層、49 対向電極、51 中間電極、53,54 接続領域、55r,55g,55b 発光領域、61,62,63 ホール、401 ゲート電極、403 半導体膜、405 ソース電極、407 ドレイン電極。
Claims (12)
- 基板と、
基板の上方に設けられる複数の画素電極と、
前記複数の画素電極の上に順に設けられる第1キャリアの注入層および第1キャリアの輸送層と、
前記複数の画素電極の上方かつ前記第1キャリアの輸送層の上に設けられる発光層と、
前記発光層の上に順に設けられる第2キャリアの輸送層および第2キャリアの注入層と、
前記複数の画素電極の上方かつ前記第2キャリアの注入層の上に設けられる対向電極と、
を含み、
前記第2キャリアは、前記第1キャリアと反対の極性を有し、
前記第1キャリアの輸送層および前記第1キャリアの注入層の一方は、前記複数の画素電極のうち平面視で隣り合う2つの画素電極の間に、前記一方と前記対向電極との間に位置する層から露出される接続領域を有し、
前記対向電極は、前記接続領域で前記一方と接続される、
表示装置。 - 請求項1に記載の表示装置において、
前記一方は、前記第1キャリアの注入層であり、
前記第1キャリアの輸送層は、前記接続領域を露出する、
表示装置。 - 請求項1に記載の表示装置において、
前記一方は、前記第1キャリアの輸送層であり、
前記接続領域の前記対向電極とは反対の側には、前記第1キャリアの注入層が位置する、
表示装置。 - 請求項1から3のいずれかに記載の表示装置において、
前記複数の画素電極の上に位置し、前記複数の画素電極のそれぞれの一部を露出する開口を有するバンクをさらに含み、
前記発光層の少なくとも一部は、前記開口の内側に設けられ、
前記一方は、前記バンクの上方に前記接続領域を有する、
表示装置。 - 基板と、
基板の上方に設けられる複数の画素電極と、
前記複数の画素電極のうち互いに隣り合う2つの画素電極の間に設けられる中間電極と、
前記複数の画素電極および前記中間電極の上に順に設けられる第1キャリアの注入層および第1キャリアの輸送層と、
前記複数の画素電極の上方かつ前記第1キャリアの輸送層の上に設けられる発光層と、
前記発光層の上に順に設けられる第2キャリアの輸送層および第2キャリアの注入層と、
前記複数の画素電極の上方かつ前記第2キャリアの注入層の上に設けられる対向電極と、
を含み、
前記中間電極は、前記第1キャリアの注入層と接続される接続領域を有する、
表示装置。 - 請求項5に記載の表示装置において、
前記複数の画素電極の上に位置し、前記複数の画素電極の各々の一部を露出する開口を有するバンクをさらに含み、
前記発光層の少なくとも一部は、前記開口の内側に設けられ、
前記バンクは前記接続領域を露出する、
表示装置。 - 請求項5又は6に記載の表示装置において、
前記中間電極には、前記対向電極と同じ電位が供給される、
表示装置。 - 請求項5又は6に記載の表示装置において、
第1キャリアの注入層は、ホール注入層であり、
前記中間電極には、前記複数の画素電極のそれぞれに印加される電位よりも小さい電位在が供給される、
表示装置。 - 請求項1から8のいずれかに記載の表示装置において、
前記複数の画素電極のそれぞれの上には、複数の発光領域のそれぞれが位置し、
前記複数の発光領域は、第1の大きさを有する複数の第1の発光領域と、前記第1の大きさよりも大きい第2の大きさを有する複数の第2の発光領域と、を含み、
前記接続領域は、平面視で前記複数の第1の発光領域のそれぞれを囲み、前記複数の第2の発光領域を囲まない、
表示装置。 - 請求項1から8のいずれかに記載の表示装置において、
前記複数の画素電極のそれぞれの上には、複数の発光領域のそれぞれが位置し、
前記複数の発光領域のうち隣接する発光領域の間隔は、第1の間隔と、前記第1の間隔よりも大きい第2の間隔と、を含み、
前記接続領域は、前記第1の間隔を有する前記隣接する発光領域の間に位置し、前記第2の間隔を有する前記隣接する発光領域の間に配置しない、
表示装置。 - 請求項1から8のいずれかに記載の表示装置において、
前記複数の画素電極のうち2以上の画素電極を含む、画素をさらに有し、
平面視で、前記接続領域は、前記画素を囲み、前記2以上の画素電極の間に設けられない、
表示装置。 - 請求項1から8のいずれかに記載の表示装置において、
前記複数の画素電極のうち2以上の画素電極を含む、画素をさらに有し、
平面視で、前記接続領域は、前記画素を囲み、かつ前記2以上の画素電極の間に設けられる、
表示装置。
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