JP2019108220A - 保管設備 - Google Patents

保管設備 Download PDF

Info

Publication number
JP2019108220A
JP2019108220A JP2017244087A JP2017244087A JP2019108220A JP 2019108220 A JP2019108220 A JP 2019108220A JP 2017244087 A JP2017244087 A JP 2017244087A JP 2017244087 A JP2017244087 A JP 2017244087A JP 2019108220 A JP2019108220 A JP 2019108220A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flow rate
inert gas
branch
flow
pipes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017244087A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6856015B2 (ja
Inventor
健史 安部
Takeshi Abe
健史 安部
忠浩 吉本
Tadahiro Yoshimoto
忠浩 吉本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daifuku Co Ltd
Original Assignee
Daifuku Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daifuku Co Ltd filed Critical Daifuku Co Ltd
Priority to JP2017244087A priority Critical patent/JP6856015B2/ja
Priority to US16/219,043 priority patent/US10658213B2/en
Publication of JP2019108220A publication Critical patent/JP2019108220A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6856015B2 publication Critical patent/JP6856015B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735Closed carriers
    • H01L21/67389Closed carriers characterised by atmosphere control
    • H01L21/67393Closed carriers characterised by atmosphere control characterised by the presence of atmosphere modifying elements inside or attached to the closed carrierl
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735Closed carriers
    • H01L21/67389Closed carriers characterised by atmosphere control
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769Storage means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65BMACHINES, APPARATUS OR DEVICES FOR, OR METHODS OF, PACKAGING ARTICLES OR MATERIALS; UNPACKING
    • B65B31/00Packaging articles or materials under special atmospheric or gaseous conditions; Adding propellants to aerosol containers
    • B65B31/04Evacuating, pressurising or gasifying filled containers or wrappers by means of nozzles through which air or other gas, e.g. an inert gas, is withdrawn or supplied

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Warehouses Or Storage Devices (AREA)
  • Flow Control (AREA)

Abstract

【課題】保管設備において、各収納部に対する不活性ガスの供給量を適切に制御できると共に、流量制御装置の設置数を収納部の数よりも少なくする。【解決手段】保管設備1は、N個(N:自然数)の収納部21と、不活性ガスが通流するM本(M:2≦M<Nである自然数)の主配管MPと、M個の流量制御装置Cと、M組の分岐配管群BGと、複数の切換弁Vと、を備えている。分岐配管群BGのそれぞれは、N本の分岐配管BPを含み、切換弁Vは、少なくとも(M−1)組の分岐配管群BGに含まれる分岐配管BPのそれぞれに設けられている。流量制御装置Cは、当該流量制御装置Cが接続された主配管MPに対応する分岐配管群BGのN本の分岐配管BPのうち、切換弁Vによって不活性ガスの通流が遮断されていない分岐配管BPの数である通流管数X、Yに応じて、主配管MPを通流する不活性ガスの流量を制御する。【選択図】図2

Description

本発明は、物品を収納するための複数の収納部に不活性ガスを供給する保管設備に関する。
上記のような保管設備の一例が、特許文献1(特開2013−139319号公報)に開示されている。特許文献1の保管設備は、物品としてのFOUP〔50〕を収納するための収納部〔10S〕を複数備えている。FOUP〔50〕の内部には半導体ウェハ〔W〕が収容されている。特許文献1の保管設備では、収納部〔10S〕に収納されたFOUP〔50〕の内部に不活性ガスを供給することで、半導体ウェハ〔W〕の酸化を抑えると共にFOUP〔50〕の内部を清浄に保ち、FOUP〔50〕の内部に収容された半導体ウェハ〔W〕の保管状態を良好に保っている。
また、特許文献1の保管設備では、マスフローコントローラ等の流量制御装置〔40〕を複数の収納部〔10S〕のそれぞれに設け、これら各々の流量制御装置〔40〕によって、各収納部〔10S〕に供給される不活性ガスの流量を適切に制御している。
特開2013−139319号公報
ところで、上述のような保管設備では、収納部毎に不活性ガスの供給量を適切に制御することが容易である一方、収納部と同数の流量制御装置を設ける必要がある。そのため、収納部の数が多い大規模な保管設備においては、流量制御装置の数も多くなり、スペース効率の低下やコスト上昇の要因となっていた。
上記実情に鑑みて、保管設備において、各収納部に対する不活性ガスの供給量を適切に制御できると共に、流量制御装置の設置数を収納部の数よりも少なくすることができる技術の実現が求められている。
本開示に係る保管設備は、
物品を収納するための収納部をN個(N:自然数)備えて、N個の前記収納部のそれぞれに対して不活性ガスを供給する保管設備であって、
前記不活性ガスが通流するM本(M:2≦M<Nである自然数)の主配管と、
M本の前記主配管のそれぞれに接続されて、前記主配管を通流する前記不活性ガスの流量を制御するM個の流量制御装置と、
M本の前記主配管のそれぞれに対応して設けられたM組の分岐配管群と、
複数の切換弁と、を備え、
前記分岐配管群のそれぞれは、前記主配管から分岐してN個の前記収納部のそれぞれに連通するN本の分岐配管を含み、
前記切換弁は、少なくとも(M−1)組の前記分岐配管群に含まれる前記分岐配管のそれぞれに設けられ、前記分岐配管における前記不活性ガスの通流を選択的に遮断し、
前記流量制御装置は、当該流量制御装置が接続された前記主配管に対応する前記分岐配管群のN本の前記分岐配管のうち、前記切換弁によって前記不活性ガスの通流が遮断されていない前記分岐配管の数である通流管数に応じて、前記主配管を通流する前記不活性ガスの流量を制御する。
本構成によれば、流量制御装置が、分岐配管群における通流管数に応じて、当該分岐配管群が接続された主配管を通流する不活性ガスの流量を制御することで、切換弁による不活性ガスの通流の遮断状況に応じた適切な量の不活性ガスを主配管に供給できる。それにより、不活性ガスの通流が遮断されていない分岐配管のそれぞれ、ひいては、これらの分岐配管のそれぞれに連通する収納部に対して適切な量の不活性ガスを供給することができる。また、M個の流量制御装置により、当該M個より多いN個の収納部のそれぞれに対して不活性ガスを供給することができる。従って、流量制御装置の設置数を収納部の数よりも少なくすることができる。
本開示に係る技術のさらなる特徴と利点は、図面を参照して記述する以下の例示的かつ非限定的な実施形態の説明によってより明確になるであろう。
保管設備の縦断側面図 保管設備の概念図 保管設備の制御ブロック図 保管設備の制御手順を示すフローチャート 第1流量制御装置の制御手順を示すフローチャート 第2流量制御装置の制御手順を示すフローチャート 第2実施形態に係る保管設備の概念図 第2実施形態に係る保管設備の制御手順を示すフローチャート
1.第1実施形態
保管設備の第1実施形態について、図面を参照して説明する。図1に示すように、保管設備1は、物品9を収納するための収納部21をN個(N:自然数)備えている。保管設備1は、N個の収納部21のそれぞれに対して不活性ガスを供給するものである。
本実施形態では、収納部21に収納される物品9は、不活性ガスが内部に供給される容器である。例えば、物品9は、半導体ウェハが収容されるFOUP(Front Opening Unified Pod)である。但し、これに限定されることなく、物品9は、レチクルが収容されるレチクルポッドであっても良い。すなわち、収納部21には、FOUPやレチクルポッドのような容器から成る物品9が収納される。
物品9としてのFOUPに収容される半導体ウェハや、レチクルポッドに収容されるレチクルなどの酸化を抑制すると共に、FOUPの内部を清浄な状態に保つために、物品9の内部に不活性ガスを供給する処理が行われる。このような処理は、パージ処理と呼ばれる。パージ処理により、物品9の内部を保管に適切な環境下に保つことができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスが用いられる。
本実施形態では、N個の収納部21のそれぞれに供給する不活性ガスの流量として、物品9の内部に不活性ガスを充填する場合の流量である第1流量A1と、当該第1流量A1よりも低い流量であって物品9の内部に不活性ガスが充填された後に不活性ガスを継続的に供給する場合の流量である第2流量A2と、が設定されている。
ここでは、第1流量A1で物品9の内部に不活性ガスを供給することによって行うパージ処理を、第1パージ処理という。第1パージ処理は、比較的高い流量で物品9の内部に不活性ガスを供給することで、物品9の内部に早期に不活性ガスを充填するために行われる。これにより、物品9の内部が早期に望ましい状態にされる。また、ここでは、第2流量A2で物品9の内部に不活性ガスを供給することによって行うパージ処理を、第2パージ処理という。第2パージ処理は、第1パージ処理の後、第1流量A1よりも低い流量で物品9の内部へ継続的に不活性ガスを供給するために行われる。これにより、物品9の内部への外気や塵埃の侵入が抑制される。このような第1パージ処理はイニシャルパージと呼ばれることがあり、第2パージ処理はメンテナンスパージと呼ばれることがある。第1パージ処理の第1流量A1は、例えば、40〔l/min〕に設定され、第2パージ処理の第2流量A2は、例えば、5〔l/min〕に設定される。
保管設備1では、収納部21に収納された物品9にパージ処理を行うことで、物品9(容器)の内部の酸素濃度や湿度を低く抑えると共に塵埃の侵入を抑制して清浄な状態に保つことができる。これにより、例えば物品9に収容される半導体ウェハやレチクルなどを良好な状態で保管することが可能となっている。
本実施形態では、保管設備1は、N個の収納部21を有する収納部群21Gを複数組有する保管棚2と、物品9を保管棚2へ搬送する搬送装置Tと、を備えている。なお、搬送装置Tは、物品9を保管棚2へ搬送する(入庫する)ことの他、保管棚2から物品9を搬送する(出庫する)ことも行う。
保管棚2は、複数組の収納部群21Gを覆う壁体22を有している。複数組の収納部群21Gを構成する複数の収納部21は、上下方向および左右方向(水平方向)に沿って並んでいる。各収納部21には、物品9が、載置される状態で収納される。本例では、1個の収納部21に、1個の物品9が収納される。
搬送装置Tには、他の場所から保管棚2の外部近傍まで物品9を搬送する第1搬送装置T1と、保管棚2の外部近傍から保管棚2の内部に物品9を搬送する第2搬送装置T2と、保管棚2の内部において収納部21に物品9を搬送する第3搬送装置T3と、が含まれている。なお、これら第1搬送装置T1、第2搬送装置T2、及び第3搬送装置T3は、上記とは逆方向の搬送も行う。
第1搬送装置T1は、例えば、物品9を保持しながら天井に設けられたレールRに沿って走行する天井搬送車として構成されている。また、この第1搬送装置T1は、昇降機構を有し、物品9を昇降可能に構成されている。つまり、第1搬送装置T1は、他の場所から保管棚2の外部近傍まで物品9を搬送して、当該第1搬送装置T1よりも下方に配置された第2搬送装置T2に当該物品9を引き渡す。また、第1搬送装置T1は、第2搬送装置T2から物品9を受け取り、保管棚2の外部近傍から他の場所に物品9を搬送する。
第2搬送装置T2は、例えば、物品9をその底面を支持しながら搬送するコンベアとして構成されている。第2搬送装置T2としては、ベルトコンベア、ローラコンベア、又はチェーンコンベア等とすることができる。第2搬送装置T2は、保管棚2の外部と保管棚2の内部とに亘って設けられている。そして、第2搬送装置T2は、保管棚2の外部領域において第1搬送装置T1から物品9を受け取り、当該物品9を、保管棚2の内部領域に搬送すると共に当該内部領域において第3搬送装置T3に引き渡す。また、第2搬送装置T2は、保管棚2の内部領域において第3搬送装置T3から物品9を受け取り、当該物品9を、保管棚2の外部領域に搬送すると共に第1搬送装置T1に引き渡す。
第3搬送装置T3は、保管棚2の内部に配置され、例えば、上下方向の昇降機構および左右方向の走行機構を有するスタッカークレーンとして構成されている。第3搬送装置T3は、物品9を保持した状態で、上下方向および左右方向に移動し、上下方向および左右方向に並ぶ複数の収納部21のいずれかに物品9を搬送する。第3搬送装置T3は、保管棚2の内部領域において第2搬送装置T2から物品9を受け取り、当該物品9を収納部21に搬送する。また、第3搬送装置T3は、収納部21に収納されている物品9を搬送し、当該物品9を、保管棚2の内部領域において第2搬送装置T2に引き渡す。
次に、収納部21に不活性ガスを供給するための構成について説明する。図2は、N個の収納部21に不活性ガスを供給するための保管設備1の構成を概念的に示す図である。以下では、N個の収納部21を有する1組の収納部群21Gを基準に説明する。より具体的には、以下において説明される各構成要素の数は、N個の収納部21を有する1組の収納部群21Gを基準とするものである。
図2に示すように、保管設備1は、不活性ガスが通流するM本(M:2≦M<Nである自然数)の主配管MPを備えている。本実施形態では、「M」が「2」である例、すなわち、N個の収納部21に対して2本(M本)の主配管MPが備えられている例について説明する。また、上記「M」と、例えば収納部群21Gが有する収納部21の数である「N」と、の関係は、「M<N」である。上述のように本例では「M」が「2」であるため、「N」は、「2よりも大きな自然数」となる。従って、本実施形態においては、1組の収納部群21Gは、少なくとも3個以上の収納部21を有している。なお、本例では、2本の主配管MPのうち、一方を第1主配管MP1とし、他方を第2主配管MP2とする。
図2に示すように、保管設備1は、2本(M本)の主配管MPのそれぞれに対応して設けられた2組(M組)の分岐配管群BGを備えている。本例では、第1主配管MP1に対応して設けられた分岐配管群BGを第1分岐配管群BG1とし、第2主配管MP2に対応して設けられた分岐配管群BGを第2分岐配管群BG2とする。
2組(M組)の分岐配管群BGのそれぞれは、主配管MPから分岐してN個の収納部21のそれぞれに連通するN本の分岐配管BPを含んでいる。本例では、第1分岐配管群BG1は、第1主配管MP1から分岐するN本の第1分岐配管BP1を含んでいる。そして、第2分岐配管群BG2は、第2主配管MP2から分岐するN本の第2分岐配管BP2を含んでいる。第1主配管MP1から分岐する第1分岐配管BP1の数と、第2主配管MP2から分岐する第2分岐配管BP2の数とは、同じに設定されている。
本実施形態では、N個の収納部21のうち同じ収納部21に連通する2本(M本)の分岐配管BPが、合流して1つの供給配管SPに接続され、当該供給配管SPを介して当該収納部21に接続されている。本例では、同じ収納部21に連通する第1分岐配管BP1と第2分岐配管BP2とが合流して、1つの供給配管SPに接続されている。そして、供給配管SPは、N個の収納部21及びN本の分岐配管BPに対応して、N本設けられている。
図示の例では、不活性ガスから不純物を除去するフィルタFが、不活性ガスの通流方向を基準として、収納部21の上流側に設けられている。これにより、不純物が除去された後の不活性ガスを収納部21に供給することが可能となる。本実施形態では、フィルタFは、供給配管SPに設けられており、供給配管SPを通流する不活性ガスから不純物を除去する。これにより、各分岐配管BPにフィルタを設ける場合に比べてフィルタFの数を少なくすることができると共に、切換弁V等で発生したパーティクルが収納部21に到達することを抑制することが可能となる。
図2に示すように、保管設備1は、2本(M本)の主配管MPのそれぞれに接続されて、主配管MPを通流する不活性ガスの流量を制御する2個(M個)の流量制御装置Cを備えている。換言すれば、保管設備1は、収納部21の数よりも少ない数の流量制御装置Cを備えており、本実施形態では、3個以上の収納部21に対して2個の流量制御装置Cを備えている。図示の例では、2個(M個)の流量制御装置Cには、第1流量制御装置C1と第2流量制御装置C2とが含まれている。そして、第1主配管MP1に第1流量制御装置C1が接続されており、第2主配管MP2に第2流量制御装置C2が接続されている。
流量制御装置Cは、不活性ガスの流量を制御して、設定流量の不活性ガスを主配管MPに供給するように構成されている。流量制御装置Cは、例えば、マスフローコントローラとして構成されている。但し、これに限定されず、流量制御装置Cは、不活性ガスの流量の制御と、当該不活性ガスの供給と、を行えるものであれば、体積流量を制御するもの等、他の形式の流量制御装置であっても良い。
図2に示すように、保管設備1は、複数の切換弁Vを備えている。切換弁Vは、少なくとも(M−1)組の分岐配管群BGに含まれるN本の分岐配管BPのそれぞれに設けられ、分岐配管BPにおける不活性ガスの通流を選択的に遮断するように構成されている。本実施形態では、切換弁Vは、2組(M組)の分岐配管群BGに含まれる全ての分岐配管BPのそれぞれに設けられている。本例では、第1分岐配管BP1に設けられている切換弁Vを、第1切換弁V1とする。また、第2分岐配管BP2に設けられている切換弁Vを、第2切換弁V2とする。
切換弁Vは、開閉可能に構成されており、開状態において分岐配管BPにおける不活性ガスの通流を許容し、閉状態において分岐配管BPにおける不活性ガスの通流を遮断する。本実施形態では、切換弁Vは、駆動部ACによって駆動されて、開閉するように構成されている。本例では、第1切換弁V1が第1駆動部AC1によって駆動され、第2切換弁V2が第2駆動部AC2によって駆動される。
駆動部ACは、例えば、ソレノイドを用いて構成されており、通電状態によって切換弁Vを開閉駆動する。この場合、駆動部ACと切換弁Vとを合わせて、ソレノイドバルブとして構成することもできる。
以上のように構成された保管設備1では、流量制御装置Cによって流量が調節された不活性ガスが主配管MPに供給される。そして、不活性ガスは、分岐配管BPに設けられている切換弁Vが開状態である場合には、主配管MPから当該分岐配管BPに通流する。その後、不活性ガスは、供給配管SPを通流し、フィルタFによって不純物を除去された後で収納部21へと供給される。
流量制御装置Cは、当該流量制御装置Cが接続された主配管MPに対応する分岐配管群BGのN本の分岐配管BPのうち、切換弁Vによって不活性ガスの通流が遮断されていない分岐配管BPの数である通流管数に応じて、主配管MPを通流する不活性ガスの流量(以下、主配管流量MAという。)を制御する。本例では、第1流量制御装置C1が、第1切換弁V1によって不活性ガスの通流が遮断されていない第1分岐配管BP1の数である通流管数に応じて、第1主配管MP1を通流する不活性ガスの流量(以下、第1主配管流量MA1という。)を制御する。そして、第2流量制御装置C2が、第2切換弁V2によって不活性ガスの通流が遮断されていない第2分岐配管BP2の数である通流管数に応じて、第2主配管MP2を通流する不活性ガスの流量(以下、第2主配管流量MA2という。)を制御する。
本実施形態では、流量制御装置Cは、当該流量制御装置Cが接続された主配管MPである対象主配管を通流する不活性ガスの流量(主配管流量MA)を、対象主配管から分岐する分岐配管BPのそれぞれについて予め設定された基準流量BSAに、対象主配管に対応する分岐配管群BGにおける通流管数を乗算した流量とするように制御する。ここでは、第1流量制御装置C1が接続された第1主配管MP1から分岐する第1分岐配管BP1のそれぞれについての基準流量BSAが第1基準流量BSA1であり、第2流量制御装置C2が接続された第2主配管MP2から分岐する第2分岐配管BP2のそれぞれについての基準流量BSAが第2基準流量BSA2である。
そして、第1流量制御装置C1は、第1基準流量BSA1に基づいて算出された第1主配管流量MA1の不活性ガスを、第1主配管MP1に供給する。また、第2流量制御装置C2は、第2基準流量BSA2に基づいて算出された第2主配管流量MA2の不活性ガスを、第2主配管MP2に供給する。
本実施形態では、第1基準流量BSA1と第2基準流量BSA2とが、異なる流量に設定されている。ここでは、第1基準流量BSA1が、上述の第1流量A1に対応し、第2基準流量BSA2が、上述の第2流量A2に対応している。換言すれば、第1基準流量BSA1は、第1パージ処理が行われる際の物品9に供給される第1流量A1に設定されている。また、第2基準流量BSA2は、第2パージ処理が行われる際の物品9に供給される第2流量A2(A2<A1)に設定されている。
例えば、1つの収納部21に着目して、当該収納部21に収納された物品9に対してパージ処理を行う場合を考える。この場合、第1パージ処理では、第2駆動部AC2によって第2切換弁V2を閉状態として第2分岐配管BP2における不活性ガスの通流を遮断すると共に、第1駆動部AC1によって第1切換弁V1を開状態として、第1基準流量BSA1で第1分岐配管BP1に不活性ガスを通流させる。これにより、第1基準流量BSA1(=第1流量A1)の不活性ガスが、供給配管SP及びこれに設けられたフィルタFを通過して、収納部21に供給される。
そして、第1パージ処理が終了した後、同じ収納部21に収納された物品9に対して第2パージ処理を行う。この場合、第2パージ処理では、第1駆動部AC1によって第1切換弁V1を閉状態として第1分岐配管BP1における不活性ガスの通流を遮断すると共に、第2駆動部AC2によって第2切換弁V2を開状態として、第2基準流量BSA2で第2分岐配管BP2に不活性ガスを通流させる。これにより、第2基準流量BSA2(=第2流量A2)の不活性ガスが、供給配管SP及びこれに設けられたフィルタFを通過して、収納部21に供給される。
このようにして、1つの収納部21に対して第1パージ処理および第2パージ処理が行われる。ここで、上述のように、流量制御装置Cは、分岐配管群BGにおける通流管数に応じた流量、より詳細には、基準流量BSAに通流管数を乗算した流量を主配管MPに供給する。そのため、保管設備1は、通流管数に等しい数の収納部21のそれぞれに対して、第1パージ処理および第2パージ処理のそれぞれにおいて設定された基準流量に近い流量の不活性ガスを供給することができる。
次に、保管設備1の制御構成について説明する。図3は、保管設備1の制御構成を示すブロック図である。
図3に示すように、保管設備1は、設備全体の制御を行う統括制御装置Hを備えている。統括制御装置Hは、例えば、マイクロコンピュータ等のプロセッサ、メモリ等の周辺回路等を備えている。そして、これらのハードウェアと、コンピュータ等のプロセッサ上で実行されるプログラムと、の協働により、統括制御装置Hが有する各機能が実現される。
統括制御装置Hは、各収納部21に設けられたセンサ21S(図2も参照)からの信号を受信可能に構成されている。ここで、センサ21Sは、収納部21に収納された物品9を検出するためのものである。換言すれば、センサ21Sは、収納部21における在荷の有無を検出する。センサ21Sとしては、例えば、物品9による光の遮断に基づいて在荷の有無を検出する光学式センサであっても良いし、物品9による接触や押下に基づいて在荷の有無を検出する接触式センサであっても良い。その他の公知の検出手段を用いてセンサ21Sが構成されても良い。
統括制御装置Hは、複数の第1駆動部AC1及び複数の第2駆動部AC2のそれぞれとの間で、信号の送受信が可能に構成されている。統括制御装置Hは、複数の第1駆動部AC1及び複数の第2駆動部AC2のそれぞれに指令することで、複数の第1切換弁V1及び複数の第2切換弁V2(図2も参照)のそれぞれの開閉状態を制御する。また、統括制御装置Hは、自身による複数の第1切換弁V1及び複数の第2切換弁V2のそれぞれの制御状態或いは制御指令に基づいて、開状態である第1切換弁V1の数、閉状態である第1切換弁V1の数、及び、開状態である第2切換弁V2の数、閉状態である第2切換弁V2の数を把握可能である。
そして、統括制御装置Hは、開状態となっている第1切換弁V1の数に基づいて、不活性ガスの通流が遮断されていない第1分岐配管BP1の数である第1通流管数を取得する。ここでは、開状態となっている第1切換弁V1の数が第1通流管数である。また、統括制御装置Hは、開状態となっている第2切換弁V2の数に基づいて、不活性ガスの通流が遮断されていない第2分岐配管BP2の数である第2通流管数を取得する。ここでは、開状態となっている第2切換弁V2の数が第2通流管数である。そして、統括制御装置Hは、第1基準流量BSA1に第1通流管数を乗算して第1主配管流量MA1を算出する。また、統括制御装置Hは、第2基準流量BSA2に第2通流管数を乗算して第2主配管流量MA2を算出する。
更に、統括制御装置Hは、第1流量制御装置C1及び第2流量制御装置C2のそれぞれとの間で、信号の送受信が可能に構成されている。そして、統括制御装置Hは、第1パージ処理を行う場合には、全ての第2切換弁V2を閉状態とすると共に必要数の第1切換弁V1を開状態とする。そして、開状態となっている第1切換弁V1の数に基づいて算出した第1主配管流量MA1の指令を第1流量制御装置C1に送信する。これに応じて、第1流量制御装置C1は、第1主配管MP1に供給する不活性ガスの流量を第1主配管流量MA1とする制御を行う。以上により、各収納部21において、第1パージ処理が行われる。また、統括制御装置Hは、第1パージ処理の後、第2パージ処理を行う場合には、全ての第1切換弁V1を閉状態とすると共に必要数の第2切換弁V2を開状態とする。そして、開状態となっている第2切換弁V2の数に基づいて算出した第2主配管流量MA2の指令を第2流量制御装置C2に送信する。これに応じて、第2流量制御装置C2は、第2主配管MP2に供給する不活性ガスの流量を第2主配管流量MA2とする制御を行う。以上により、各収納部21において、第2パージ処理が行われる。
ここで、統括制御装置Hは、上述のように、第1パージ処理によって物品9の内部に不活性ガスを充填した後、適切な時期に第1パージ処理を終了して第2パージ処理を開始する。そのため、本実施形態では、統括制御装置Hは、タイマーTMを備えている。統括制御装置Hは、タイマーTMによって、第1パージ処理の開始からの経過時間を計測する。本例では、統括制御装置Hは、第1パージ処理が開始されている収納部21に関して、第1パージ処理の開始から設定時間経過後に、第1パージ処理を終了すると共に、第2パージ処理を実行する。より詳細には、統括制御装置Hは、物品9が収納されていなかった収納部21に物品9が収納された場合、まず、第1パージ処理を開始するため、当該収納部21に接続された第1切換弁V1を開状態とするように、対応する第1駆動部AC1に指令を出す。その後、統括制御装置Hは、設定時間経過が経過するまで第1パージ処理を継続する。そして、設定時間経過が経過したら、統括制御装置Hは、第1パージ処理を終了して第2パージ処理を開始するため、同じ収納部21に接続された第1切換弁V1を閉状態とするように第1駆動部AC1に指令を出すと共に、第2切換弁V2を開状態とするように、対応する第2駆動部AC2に指令を出す。そして、統括制御装置Hは、第1パージ処理及び第2パージ処理のそれぞれにおいて、上述したような、第1流量制御装置C1及び第2流量制御装置C2に対する流量の指令を出す。これにより、第1パージ処理と第2パージ処理とが順次実行される。なお、このような統括制御装置Hによる制御は、複数の収納部21のそれぞれに対して個別に実行される。
次に、保管設備1において行われる制御の手順について説明する。図4は、保管設備1の全体において行われる制御の手順を示すフローチャートである。
図4に示すように、まず、統括制御装置Hは、収納部21に設けられたセンサ21Sによる在荷検出の情報を取得する(#1)。収納部21に物品9が収納された場合には、センサ21Sにより在荷が検出される。在荷の検出があった場合(#1:Yes)、統括制御装置Hは、第1パージ処理を開始する(#2)。統括制御装置Hは、1つの収納部21における第1パージ処理の開始によって、収納部群21Gにおいて行われている第1パージ処理の総数である第1パージ処理数Xに、「1」を加算する(#3)。例えば、第1パージ処理数Xが「2」である状態で、他の空の収納部21に物品9が収納されることにより、当該他の収納部21において新たに第1パージ処理が開始された場合、第1パージ処理数Xは、「1」が加算されて「3」となる。
次に、統括制御装置Hは、第1パージ処理の開始から設定時間が経過したか否かを判断する(#4)。統括制御装置Hは、設定時間が経過したと判断した場合(#4:Yes)、第1パージ処理を終了し(#5)、第1パージ処理を終了する前における第1パージ処理数Xから「1」を減算する(#6)。そして、統括制御装置Hは、第2パージ処理を開始する(#7)。統括制御装置Hは、1つの収納部21における第2パージ処理の開始によって、収納部群21Gにおいて行われている第2パージ処理の総数である第2パージ処理数Yに「1」を加算する(#8)。例えば、第2パージ処理数Yが「4」である状態で、第1パージ処理が継続されている他の収納部21において、当該第1パージ処理が終了すると共に新たに第2パージ処理が開始された場合、第2パージ処理数Yは、「1」が加算されて「5」となる。
その後、統括制御装置Hは、第2パージ処理が実行されている収納部21において、センサ21Sによる在荷検出の情報を継続的に取得する(#9)。そして、在荷の検出がなくなった場合(#9:No)、統括制御装置Hは、第2パージ処理を終了し(#10)、第2パージ処理を終了する前における第2パージ処理数Yから「1」を減算する(#11)。
次に、統括制御装置Hによる第1流量制御装置C1に対する制御の手順について、図5を参照して説明する。統括制御装置Hは、第1分岐配管群BG1における第1パージ処理数Xを取得する(#10)。ここで、第1パージ処理は、対象となる収納部21に連通する第1分岐配管BP1に設けられた第1切換弁V1を開状態とすることによって行われる。従って、第1分岐配管群BG1における第1パージ処理数Xは第1通流管数と等しくなる。統括制御装置Hは、第1パージ処理数X(第1通流管数)の取得後、第1基準流量BSA1に第1パージ処理数Xを乗算することで、第1主配管流量MA1を演算する(#11)。そして、演算された第1主配管流量MA1の指令を第1流量制御装置C1に対して出力し、第1流量制御装置C1により第1主配管MP1を通流する不活性ガスの流量を第1主配管流量MA1とするように制御する(#12)。これにより、第1パージ処理数Xに対応した数の第1分岐配管BP1のそれぞれに、第1基準流量BSA1の不活性ガスが通流し、対象の収納部21に、第1流量A1(=第1基準流量BSA1)の不活性ガスが供給される(#13)。
次に、統括制御装置Hによる第2流量制御装置C2に対する制御の手順について、図6を参照して説明する。統括制御装置Hは、第2分岐配管群BG2における第2パージ処理数Yを取得する(#20)。ここで、第2パージ処理は、対象となる収納部21に連通する第2分岐配管BP2に設けられた第2切換弁V2を開状態とすることによって行われる。従って、第2分岐配管群BG2における第2パージ処理数Yは第2通流管数と等しくなる。統括制御装置Hは、第2パージ処理数Y(第2通流管数)の取得後、第2基準流量BSA2に第2パージ処理数Yを乗算することで、第2主配管流量MA2を演算する(#21)。そして、演算された第2主配管流量MA2の指令を第2流量制御装置C2に対して出力し、第2流量制御装置C2により第2主配管MP2を通流する不活性ガスの流量を第2主配管流量MA2とするように制御する(#22)。これにより、第2パージ処理数Yに対応した数の第2分岐配管BP2のそれぞれに、第2基準流量BSA2の不活性ガスが通流し、対象の収納部21に、第2流量A2(=第2基準流量BSA2)の不活性ガスが供給される(#23)。
以上の構成では、第1流量制御装置C1及び第2流量制御装置C2による制御の他、第1切換弁V1及び第2切換弁V2のいずれか一方のみを開状態とするように制御することによって、第1流量A1及び第2流量A2を制御していた。但し、このような構成に限定されることなく、例えば、第1切換弁V1及び第2切換弁V2を共に開状態とすることで、収納部21に対して、第1基準流量BSA1と第2基準流量BSA2との和に相当する流量(例えば、第3流量A3:BSA1+BSA2)で不活性ガスを供給することもできる。この場合、用途に応じて、第1流量A1、第2流量A2、及び第3流量A3を使い分けると良い。
2.第2実施形態
次に、保管設備1の第2実施形態について説明する。以下では、上記の第1実施形態と異なる点を主として説明する。特に説明しない点については、第1実施形態と同様である。
図7に示すように、本実施形態では、切換弁Vが、(M−1)組、ここでは、1組の分岐配管群BGに含まれるN本の分岐配管BPのそれぞれに設けられている。図示の例では、第1分岐配管群BG1におけるN本の第1分岐配管BP1のそれぞれについて第1切換弁V1(切換弁V)が設けられ、第2分岐配管群BG2におけるN本の第2分岐配管BP2には切換弁Vが設けられていない。そのため、本実施形態では、N本の第1分岐配管BP1のそれぞれを通流する不活性ガスを選択的に遮断可能に構成されているが、N本の第2分岐配管BP2のそれぞれを通流する不活性ガスは常時通流する構成となっている。
本実施形態では、第1分岐配管BP1のそれぞれについての基準流量BSAである第1基準流量BSA1´と第2分岐配管BP2のそれぞれについての基準流量BSAである第2基準流量BSA2との合計が、物品9の内部に不活性ガスを充填する場合の流量である第1流量A1(例えば、40〔l/min〕)に対応する流量となるように設定されている。そして、第2基準流量BSA2が、物品9の内部に不活性ガスが充填された後に不活性ガスを継続的に供給する場合の流量である第2流量A2(例えば、5〔l/min〕)に対応する流量となるように設定されている。本実施形態では、収納部21に対して第1分岐配管BP1からの不活性ガスと第2分岐配管BP2からの不活性ガスとを合せて供給することで、収納部21に第1流量A1(第1基準流量BSA1´+第2基準流量BSA2)の不活性ガスを供給する第1パージ処理が行われる。また、収納部21に対して第2分岐配管BP2からの不活性ガスを供給することで、収納部21に第2流量A2(第2基準流量BSA2)の不活性ガスを供給する第2パージ処理が行われる。
例えば、1つの収納部21に着目して、当該収納部21に収納された物品9に対してパージ処理を行う場合を考える。この場合、第1パージ処理では、第1駆動部AC1によって第1切換弁V1を開状態として、第1基準流量BSA1´で第1分岐配管BP1に不活性ガスを通流させる。この際、第2分岐配管BP2においては、常に第2基準流量BSA2で不活性ガスが通流している。これにより、供給配管SPにおいて、第1基準流量BSA1´と第2基準流量BSA2との和に相当する流量(第1流量A1)で不活性ガスが通流する。従って、第1流量A1の不活性ガスが、供給配管SP及びこれに設けられたフィルタFを通過して、収納部21に供給される。
そして、第1パージ処理が終了した後、同じ収納部21に収納された物品9に対して第2パージ処理を行う。この場合、第2パージ処理では、第1駆動部AC1によって第1切換弁V1を閉状態として第1分岐配管BP1における不活性ガスの通流を遮断する。この際、第2分岐配管BP2においては、常に第2基準流量BSA2で不活性ガスが通流している。これにより、供給配管SPにおいて、第2基準流量BSA2に相当する流量(第2流量A2)で不活性ガスが通流する。従って、第2流量A2の不活性ガスが、供給配管SP及びこれに設けられたフィルタFを通過して、収納部21に供給される。
次に、第2実施形態に係る保管設備1において行われる制御の手順について説明する。図8は、保管設備1の全体において行われる制御の手順を示すフローチャートである。
本実施形態では、第2分岐配管BP2には切換弁Vは設けられていないため、第2分岐配管BP2及びこれに連通する収納部21には、常に第2基準流量BSA2の不活性ガスが供給されている(#30)。統括制御装置Hは、収納部21に設けられたセンサ21Sによる在荷検出の情報を取得する(#31)。在荷の検出があった場合(#31:Yes)、統括制御装置Hは、第1パージ処理を開始する(#32)。統括制御装置Hは、1つの収納部21における第1パージ処理の開始によって、第1パージ処理数Xに、「1」を加算する(#33)。そして、第1分岐配管BP1において第1切換弁V1が開状態に駆動され、第1分岐配管BP1に、第1基準流量BSA1´で不活性ガスが供給される。これにより、第1基準流量BSA1´と第2基準流量BSA2との和に相当する第1流量A1の不活性ガスが、収納部21に供給される(#34)。
次に、統括制御装置Hは、第1パージ処理の開始から設定時間が経過したか否かを判断する(#35)。統括制御装置Hは、設定時間が経過したと判断した場合(#35:Yes)、第1パージ処理を終了して、第2パージ処理を開始する(#36)。そして、統括制御装置Hは、第1パージ処理の終了前の第1パージ処理数Xから「1」を減算すると共に、第2パージ処理の開始前の第2パージ処理数Yに「1」を加算する(#37)。これにより、第1分岐配管BP1において第1切換弁V1が閉状態に駆動され、第1基準流量BSA1´に相当する流量の不活性ガスの供給が停止され、第2基準流量BSA2に相当する第2流量A2の不活性ガスが、収納部21に供給される(#38)。
その後、統括制御装置Hは、第2パージ処理が実行されている収納部21において、センサ21Sによる在荷検出の情報を継続的に取得する(#39)。そして、在荷の検出がなくなった場合(#39:No)、統括制御装置Hは、第2パージ処理を終了し(#40)、第2パージ処理を終了する前における第2パージ処理数Yから「1」を減算する(#41)。
3.その他の実施形態
次に、保管設備のその他の実施形態について説明する。
(1)上記の実施形態では、2本(M本)の主配管MPが備えられ、2個(M本)の流量制御装置Cが設けられている例について説明した。しかし、このような例に限定されることなく、3本以上の主配管MPが備えられ、当該主配管MPと同数の流量制御装置Cと、当該主配管MPと同数組の分岐配管群BGが備えられていても良い。例えば、第1〜第3主配管MP1〜MP3と、これらの主配管MPに対応して、第1〜第3流量制御装置C1〜C3と、第1〜第3分岐配管BP1〜BP3と、が備えられている場合には、第3分岐配管BP3を通流する不活性ガスの流量として、第1基準流量BSA1又は第2基準流量BSA2と同じ又は異なる流量の第3基準流量BSA3が設定される。この場合、収納部21に供給される不活性ガスの流量を、第1基準流量BSA1、第2基準流量BSA2、及び第3基準流量BSA3のそれぞれ、及びこれらの組み合わせによって実現可能な複数の流量の不活性ガスを、収納部21に供給することができる。従って、不活性ガスの供給流量の段階を多くしたい場合に、このような構成は有効である。
(2)上記の実施形態では、同じ収納部21に連通する2本(M本)の分岐配管BPが、合流して1つの供給配管SPに接続され、当該供給配管SPを介して当該収納部21に接続されている例について説明した。しかし、このような例に限定されることなく、同じ収納部21に連通するM本の分岐配管BPは、供給配管SPを介することなく、直接的に収納部21に接続されていても良い。また、上記の実施形態では、供給配管SPにフィルタFが設けられている例について説明したが、供給配管SPの有無に関わらず、フィルタFをM本の分岐配管BPのそれぞれに設けても良い。また、フィルタFは切換弁Vよりも下流側に配置することが好ましいが、フィルタFを切換弁Vよりも上流側に配置することも排除されない。
(3)上記の実施形態では、第1基準流量BSA1と第2基準流量BSA2とが、異なる流量に設定されている例について説明した。しかし、このような例に限定されることなく、第1基準流量BSA1と第2基準流量BSA2とは、等しい流量に設定されていても良い。このような場合、例えば、第1基準流量BSA1と第2基準流量BSA2との合計が、第1パージ処理を行う場合の第1流量A1に相当する流量となるように設定しても良い(BSA1+BSA2=A1)。そして、第1基準流量BSA1及び第2基準流量BSA2が、第2パージ処理を行う場合の第2流量A2に相当する流量となるように設定しても良い(A2=BSA1又はBSA2)。このように、第1基準流量BSA1と第2基準流量BSA2とが等しい場合であっても、第1流量A1と第2流量A2とを異なる流量に設定することが可能である。
(4)なお、上述した各実施形態で開示された構成は、矛盾が生じない限り、他の実施形態で開示された構成と組み合わせて適用することも可能である。その他の構成に関しても、本明細書において開示された実施形態は全ての点で単なる例示に過ぎない。従って、本開示の趣旨を逸脱しない範囲内で、適宜、種々の改変を行うことが可能である。
4.上記実施形態の概要
以下、上記において説明した保管設備の概要について説明する。
物品を収納するための収納部をN個(N:自然数)備えて、N個の前記収納部のそれぞれに対して不活性ガスを供給する保管設備であって、
前記不活性ガスが通流するM本(M:2≦M<Nである自然数)の主配管と、
M本の前記主配管のそれぞれに接続されて、前記主配管を通流する前記不活性ガスの流量を制御するM個の流量制御装置と、
M本の前記主配管のそれぞれに対応して設けられたM組の分岐配管群と、
複数の切換弁と、を備え、
前記分岐配管群のそれぞれは、前記主配管から分岐してN個の前記収納部のそれぞれに連通するN本の分岐配管を含み、
前記切換弁は、少なくとも(M−1)組の前記分岐配管群に含まれる前記分岐配管のそれぞれに設けられ、前記分岐配管における前記不活性ガスの通流を選択的に遮断し、
前記流量制御装置は、当該流量制御装置が接続された前記主配管に対応する前記分岐配管群のN本の前記分岐配管のうち、前記切換弁によって前記不活性ガスの通流が遮断されていない前記分岐配管の数である通流管数に応じて、前記主配管を通流する前記不活性ガスの流量を制御する。
本構成によれば、流量制御装置が、分岐配管群における通流管数に応じて、当該分岐配管群が接続された主配管を通流する不活性ガスの流量を制御することで、切換弁による不活性ガスの通流の遮断状況に応じた適切な量の不活性ガスを主配管に供給できる。それにより、不活性ガスの通流が遮断されていない分岐配管のそれぞれ、ひいては、これらの分岐配管のそれぞれに連通する収納部に対して適切な量の不活性ガスを供給することができる。また、M個の流量制御装置により、当該M個より多いN個の収納部のそれぞれに対して不活性ガスを供給することができる。従って、流量制御装置の設置数を収納部の数よりも少なくすることができる。
ここで、
前記切換弁は、M組の前記分岐配管群に含まれる全ての前記分岐配管のそれぞれに設けられていると好適である。
本構成によれば、M組の分岐配管群に含まれる全ての分岐配管のそれぞれについて、不活性ガスの通流が遮断された状態と遮断されていない状態とを切り換えることができる。従って、不必要な不活性ガスの通流を抑制して不活性ガスを効率的に用いることが可能となる。
また、
前記流量制御装置は、当該流量制御装置が接続された前記主配管である対象主配管を通流する前記不活性ガスの流量を、前記対象主配管から分岐する前記分岐配管のそれぞれについて予め設定された基準流量に、前記対象主配管に対応する前記分岐配管群における前記通流管数を乗算した流量とするように制御すると好適である。
本構成によれば、対象主配管に接続された流量制御装置によって、当該対象主配管から分岐するN本の分岐配管のうち不活性ガスの通流が遮断されていない分岐配管のそれぞれに対して、基準流量に近い流量の不活性ガスを通流させることができる。
また、
M個の前記流量制御装置には、第1流量制御装置と第2流量制御装置とが含まれ、
前記第1流量制御装置が接続された前記主配管から分岐する前記分岐配管のそれぞれについての前記基準流量が第1基準流量であり、
前記第2流量制御装置が接続された前記主配管から分岐する前記分岐配管のそれぞれについての前記基準流量が第2基準流量であり、
前記第1基準流量と前記第2基準流量とが、異なる流量に設定されていると好適である。
本構成によれば、収納部に対して、複数の異なる流量の不活性ガスを供給することが容易となる。これにより、収納部に供給される不活性ガスの流量を、用途に応じて切り換えることが可能となる。
また、
前記収納部に収納される物品は、前記不活性ガスが内部に供給される容器であり、
N個の前記収納部のそれぞれに供給する前記不活性ガスの流量として、前記容器の内部に前記不活性ガスを充填する場合の流量である第1流量と、当該第1流量よりも低い流量であって前記容器の内部に前記不活性ガスが充填された後に前記不活性ガスを継続的に供給する場合の流量である第2流量と、が設定され、
前記第1基準流量が、前記第1流量に対応し、
前記第2基準流量が、前記第2流量に対応していると好適である。
本構成によれば、第1流量制御装置によって、各収納部に対して第1流量で不活性ガスを供給することができると共に、第2流量制御装置によって、各収納部に対して第2流量で不活性ガスを供給することができる。従って、本構成によれば、容器の内部に不活性ガスを充填する場合と、容器の内部に不活性ガスが充填された後に不活性ガスを継続的に供給する場合とのそれぞれにおいて、適切な流量の不活性ガスを各収納部に供給することができる。
また、
同じ前記収納部に連通するM本の前記分岐配管が、合流して1つの供給配管に接続され、当該供給配管を介して前記収納部に接続され、
前記供給配管を通流する前記不活性ガスから不純物を除去するフィルタが、当該供給配管に設けられていると好適である。
本構成によれば、フィルタによって不純物が除去された後の不活性ガスを収納部に供給することができる。また、このようなフィルタを、M本の分岐配管が合流した1つの供給配管に設けることで、設備内に設けられるフィルタの数を少なく抑えることができる。
本開示に係る技術は、物品を収納するための複数の収納部に不活性ガスを供給する保管設備に利用することができる。
1 :保管設備
9 :物品
21 :収納部
A1 :第1流量
A2 :第2流量
BG :分岐配管群
BG1 :第1分岐配管群
BG2 :第2分岐配管群
BP :分岐配管
BP1 :第1分岐配管
BP2 :第2分岐配管
BSA :基準流量
BSA1 :第1基準流量
BSA2 :第2基準流量
C :流量制御装置
C1 :第1流量制御装置
C2 :第2流量制御装置
F :フィルタ
MA :主配管流量
MA1 :第1主配管流量
MA2 :第2主配管流量
MP :主配管
MP1 :第1主配管
MP2 :第2主配管
SP :供給配管
V :切換弁
V1 :第1切換弁
V2 :第2切換弁
X :第1パージ処理数(第1通流管数)
Y :第2パージ処理数(第2通流管数)

Claims (6)

  1. 物品を収納するための収納部をN個(N:自然数)備えて、N個の前記収納部のそれぞれに対して不活性ガスを供給する保管設備であって、
    前記不活性ガスが通流するM本(M:2≦M<Nである自然数)の主配管と、
    M本の前記主配管のそれぞれに接続されて、前記主配管を通流する前記不活性ガスの流量を制御するM個の流量制御装置と、
    M本の前記主配管のそれぞれに対応して設けられたM組の分岐配管群と、
    複数の切換弁と、を備え、
    前記分岐配管群のそれぞれは、前記主配管から分岐してN個の前記収納部のそれぞれに連通するN本の分岐配管を含み、
    前記切換弁は、少なくとも(M−1)組の前記分岐配管群に含まれる前記分岐配管のそれぞれに設けられ、前記分岐配管における前記不活性ガスの通流を選択的に遮断し、
    前記流量制御装置は、当該流量制御装置が接続された前記主配管に対応する前記分岐配管群のN本の前記分岐配管のうち、前記切換弁によって前記不活性ガスの通流が遮断されていない前記分岐配管の数である通流管数に応じて、前記主配管を通流する前記不活性ガスの流量を制御する、保管設備。
  2. 前記切換弁は、M組の前記分岐配管群に含まれる全ての前記分岐配管のそれぞれに設けられている、請求項1に記載の保管設備。
  3. 前記流量制御装置は、当該流量制御装置が接続された前記主配管である対象主配管を通流する前記不活性ガスの流量を、前記対象主配管から分岐する前記分岐配管のそれぞれについて予め設定された基準流量に、前記対象主配管に対応する前記分岐配管群における前記通流管数を乗算した流量とするように制御する、請求項1又は2に記載の保管設備。
  4. M個の前記流量制御装置には、第1流量制御装置と第2流量制御装置とが含まれ、
    前記第1流量制御装置が接続された前記主配管から分岐する前記分岐配管のそれぞれについての前記基準流量が第1基準流量であり、
    前記第2流量制御装置が接続された前記主配管から分岐する前記分岐配管のそれぞれについての前記基準流量が第2基準流量であり、
    前記第1基準流量と前記第2基準流量とが、異なる流量に設定されている請求項3に記載の保管設備。
  5. 前記収納部に収納される物品は、前記不活性ガスが内部に供給される容器であり、
    N個の前記収納部のそれぞれに供給する前記不活性ガスの流量として、前記容器の内部に前記不活性ガスを充填する場合の流量である第1流量と、当該第1流量よりも低い流量であって前記容器の内部に前記不活性ガスが充填された後に前記不活性ガスを継続的に供給する場合の流量である第2流量と、が設定され、
    前記第1基準流量が、前記第1流量に対応し、
    前記第2基準流量が、前記第2流量に対応している請求項4に記載の保管設備。
  6. 同じ前記収納部に連通するM本の前記分岐配管が、合流して1つの供給配管に接続され、当該供給配管を介して前記収納部に接続され、
    前記供給配管を通流する前記不活性ガスから不純物を除去するフィルタが、当該供給配管に設けられている請求項1から5のいずれか一項に記載の保管設備。
JP2017244087A 2017-12-20 2017-12-20 保管設備 Active JP6856015B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017244087A JP6856015B2 (ja) 2017-12-20 2017-12-20 保管設備
US16/219,043 US10658213B2 (en) 2017-12-20 2018-12-13 Storage facility

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017244087A JP6856015B2 (ja) 2017-12-20 2017-12-20 保管設備

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019108220A true JP2019108220A (ja) 2019-07-04
JP6856015B2 JP6856015B2 (ja) 2021-04-14

Family

ID=66816359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017244087A Active JP6856015B2 (ja) 2017-12-20 2017-12-20 保管設備

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10658213B2 (ja)
JP (1) JP6856015B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021176865A1 (ja) * 2020-03-05 2021-09-10 村田機械株式会社 保管棚
WO2023067947A1 (ja) * 2021-10-21 2023-04-27 村田機械株式会社 パージシステム

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010072624A (ja) * 2008-08-18 2010-04-02 Nec Electronics Corp レチクル収納装置およびレチクル保管方法
WO2015194255A1 (ja) * 2014-06-16 2015-12-23 村田機械株式会社 パージ装置、パージシステム、パージ方法及びパージシステムにおける制御方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7216656B2 (en) * 2000-12-28 2007-05-15 Yoshiharu Yamamoto Semiconductor substrate cleansing apparatus
JP3999059B2 (ja) * 2002-06-26 2007-10-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
JP4093462B2 (ja) * 2002-10-09 2008-06-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
US6954585B2 (en) * 2002-12-03 2005-10-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and apparatus
JP5598729B2 (ja) * 2011-12-26 2014-10-01 株式会社ダイフク 物品保管設備
JP5709011B2 (ja) * 2011-12-26 2015-04-30 株式会社ダイフク 物品保管設備
JP5716968B2 (ja) 2012-01-04 2015-05-13 株式会社ダイフク 物品保管設備
JP6044467B2 (ja) * 2013-06-26 2016-12-14 株式会社ダイフク 保管システム
JP5884780B2 (ja) * 2013-06-26 2016-03-15 株式会社ダイフク 保管設備
JP5892113B2 (ja) * 2013-06-26 2016-03-23 株式会社ダイフク 物品保管設備
JP5874691B2 (ja) * 2013-06-26 2016-03-02 株式会社ダイフク 不活性気体供給設備

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010072624A (ja) * 2008-08-18 2010-04-02 Nec Electronics Corp レチクル収納装置およびレチクル保管方法
WO2015194255A1 (ja) * 2014-06-16 2015-12-23 村田機械株式会社 パージ装置、パージシステム、パージ方法及びパージシステムにおける制御方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021176865A1 (ja) * 2020-03-05 2021-09-10 村田機械株式会社 保管棚
JPWO2021176865A1 (ja) * 2020-03-05 2021-09-10
JP7231106B2 (ja) 2020-03-05 2023-03-01 村田機械株式会社 保管棚
WO2023067947A1 (ja) * 2021-10-21 2023-04-27 村田機械株式会社 パージシステム

Also Published As

Publication number Publication date
US10658213B2 (en) 2020-05-19
US20190189486A1 (en) 2019-06-20
JP6856015B2 (ja) 2021-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI647017B (zh) Purification device, purification system, purification method and control method of purification system
KR101865091B1 (ko) 퍼지 스토커 및 퍼지 방법
US9064918B2 (en) Article storage facility and article storage method
US10325794B2 (en) Purge device and purge method
JP5557061B2 (ja) 物品保管設備
TWI667437B (zh) Purification device and purification method
US9524893B2 (en) Inactive gas introducing facility and inactive gas introducing method
KR102179872B1 (ko) 물품 보관 설비
KR20140055393A (ko) 웨이퍼 퍼지 가능한 천장 보관 장치
JP2015009913A (ja) 保管設備
KR102486892B1 (ko) 용기 반송 설비
JP2019108220A (ja) 保管設備
JP2018041922A (ja) 容器保管設備
TW201812962A (zh) 容器收納設備
JP6425132B2 (ja) パージ機能を備えた装置前自動倉庫とパージ方法
JP7327425B2 (ja) 搬送設備
JP2023064543A (ja) パージ装置及びパージ装置を備えた容器収容設備

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191209

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201009

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201013

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201201

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210216

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210301

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6856015

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250