JP2019046947A - Method for manufacturing film for electromagnetic wave shield - Google Patents
Method for manufacturing film for electromagnetic wave shield Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019046947A JP2019046947A JP2017168059A JP2017168059A JP2019046947A JP 2019046947 A JP2019046947 A JP 2019046947A JP 2017168059 A JP2017168059 A JP 2017168059A JP 2017168059 A JP2017168059 A JP 2017168059A JP 2019046947 A JP2019046947 A JP 2019046947A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- noise suppression
- film
- electromagnetic wave
- electronic component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
Description
本発明は、電磁波シールド用フィルムの製造方法に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a film for electromagnetic wave shielding.
従来、携帯電話、医療機器のように電磁波の影響を受けやすい電子部品や、半導体素子等の半導体電子部品、さらにはコンデンサー、コイル等の各種電子部品、またはこれらの電子部品が回路基板に実装された電子装置は、電磁波によるノイズの影響を軽減するため、これら電子部品または電子装置を、アルミやＳＵＳのような金属カンシールドで封止するシールド方法が実施されてきた。 Conventionally, electronic components susceptible to electromagnetic waves such as mobile phones and medical devices, semiconductor electronic components such as semiconductor elements, various electronic components such as capacitors and coils, or electronic components thereof are mounted on a circuit board. In order to reduce the influence of noise due to electromagnetic waves, a shielding method has been practiced in which these electronic components or electronic devices are sealed with a metal can shield such as aluminum or SUS.
しかしながら、この金属カンシールドは、種類別に配置された部品集合体に対して施され、その影響で基板上の各部品の配置には制約があり、基板の設計自由度は、機能面からは必ずしも最良というわけではない。さらに、金属カンシールドにより部品集合体を封止することから、金属カンシールドと部品集合体との間に空間が生じるため、かかる部品集合体を備える電子機器の大型化を招くという問題があった。 However, this metal can shield is applied to a set of parts arranged according to type, and the arrangement restricts the arrangement of each part on the substrate, and the design freedom of the substrate is not necessarily from the functional aspect. It is not the best. Furthermore, since the assembly of parts is sealed by the metal can shield, a space is generated between the metal can shield and the assembly of parts, which causes a problem of increasing the size of the electronic device provided with the assembly of parts. .
そのため、かかる問題点を解消するために、基板上に配置された電子部品を封止材により封止された電子部品封止体の上面および側面を、金属薄膜層等で構成されるノイズ抑制層で被覆する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。 Therefore, in order to solve such a problem, the noise suppression layer in which the upper surface and the side surface of the electronic component sealing body in which the electronic component disposed on the substrate is sealed with a sealing material is formed of a metal thin film layer or the like. The method of coating with is proposed (for example, refer patent document 1).
しかしながら、電子部品封止体にノイズ抑制層を形成して電磁波によるノイズの影響を軽減する方法では、このノイズ抑制層が、主として、スパッタリング法を用いて製造されるが、この場合、スパッタリング法に用いる装置が、その操作が煩雑かつ高価であったり、生産性が低いと言った問題があった。 However, in the method of reducing the influence of noise due to electromagnetic waves by forming a noise suppression layer on the electronic component package, this noise suppression layer is mainly manufactured using the sputtering method, but in this case, the sputtering method There is a problem that the apparatus used is complicated and expensive in operation, and low in productivity.
また、導電性粒子を含有する金属ペーストを用いたり、メッキ法を用いることによりノイズ抑制層を形成することも考えられるが、これらの方法によっても、種々の問題を有しているのが実情であった。 Also, although it is conceivable to form a noise suppression layer by using a metal paste containing conductive particles or by using a plating method, there are also various problems by these methods. there were.
本発明の目的は、電子部品を備える電子部品封止体にノイズ抑制層を、比較的容易に、かつ、優れた生産性をもって形成することができる電磁波シールド用フィルムを製造することができる電磁波シールド用フィルムの製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an electromagnetic wave shielding film capable of manufacturing a film for electromagnetic wave shielding which can form a noise suppression layer relatively easily and with excellent productivity on an electronic component sealing body provided with electronic components. It is an object of the present invention to provide a method of producing a film.
このような目的は、下記（１）〜（９）に記載の本発明により達成される。
（１） 基板と、該基板上に配置された電子部品と、前記電子部品を封止する封止部とを有する電子部品封止体に、前記封止部の上面および側面を被覆するノイズ抑制層を形成するために用いられ、基材層と、該基材層の一方の面側に積層された前記ノイズ抑制層とを備える電磁波シールド用フィルムの製造方法であって、
前記基材層を用意し、前記ノイズ抑制層を形成するための液状材料を前記基材層上に供給する供給工程と、
供給された前記液状材料を乾燥させて前記基材層上に前記ノイズ抑制層を形成することで前記電磁波シールド用フィルムを得る乾燥工程とを有することを特徴とする電磁波シールド用フィルムの製造方法。
Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to (9).
(1) Noise suppression for covering an upper surface and a side surface of the sealing portion on an electronic component sealing body having a substrate, an electronic component disposed on the substrate, and a sealing portion for sealing the electronic component It is a manufacturing method of the film for electromagnetic wave shields which is used in order to form a layer, and is provided with the base material layer and the said noise suppression layer laminated | stacked on one surface side of this base material layer,
Supplying the liquid material for forming the base layer and forming the noise suppression layer on the base layer;
And d) drying the supplied liquid material to form the noise suppression layer on the base layer, thereby obtaining the film for shielding an electromagnetic wave.
（２） 前記液状材料は、粒子状をなす導電性材料と、バインダー樹脂と、溶媒とを含有する上記（１）に記載の電磁波シールド用フィルムの製造方法。 (2) The method for producing a film for electromagnetic wave shielding according to the above (1), wherein the liquid material contains a particulate conductive material, a binder resin, and a solvent.
（３） 前記導電性材料は、金属材料、金属酸化物材料、導電性高分子材料および導電性セラミックス材料のうちの少なくとも１種である上記（２）に記載の電磁波シールド用フィルムの製造方法。 (3) The method for producing a film for electromagnetic shielding according to (2), wherein the conductive material is at least one of a metal material, a metal oxide material, a conductive polymer material and a conductive ceramic material.
（４） 前記バインダー樹脂は、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、オレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂およびシリコン樹脂のうちの少なくとも１種である上記（２）または（３）に記載の電磁波シールド用フィルムの製造方法。 (4) The said binder resin is a manufacturing of the film for electromagnetic wave shield as described in said (2) or (3) which is at least 1 sort (s) among an epoxy resin, a urethane resin, an olefin resin, a polyester resin, a polyamide resin, and a silicone resin. Method.
（５） 前記溶媒は、メチルエチルケトン、トルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、テトラデカンおよびヘキサンのうちの少なくとも１種である上記（２）ないし（４）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルムの製造方法。 (5) The method according to any one of the above (2) to (4), wherein the solvent is at least one of methyl ethyl ketone, toluene, ethyl acetate, isopropyl alcohol, tetradecane and hexane.
（６） 前記供給工程において、前記基材層として、第１の層と、第２の層と、第３の層とがこの順で積層された３層構成をなす積層体を用意し、その後、前記第３の層に、前記液状材料を供給する上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルムの製造方法。 (6) In the supply step, a laminate having a three-layer structure in which the first layer, the second layer, and the third layer are stacked in this order is prepared as the base material layer, and then, The method according to any one of (1) to (5), wherein the liquid material is supplied to the third layer.
（７） 前記供給工程において、共押出法を用いて前記積層体で構成される前記基材層を得る上記（６）に記載の電磁波シールド用フィルムの製造方法。 (7) The manufacturing method of the film for electromagnetic wave shielding as described in said (6) which obtains the said base material layer comprised by the said laminated body using the co-extrusion method in the said supply process.
（８） 前記第１の層および前記第３の層は、それぞれ、１００℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋１１Ｐａ以下である上記（６）または（７）に記載の電磁波シールド用フィルムの製造方法。 (8) The film for electromagnetic wave shielding according to the above (6) or (7), wherein the first layer and the third layer each have a storage elastic modulus at 100 ° C. of 1.0E + 05 Pa or more and 1.0E + 11 Pa or less Manufacturing method.
（９） 前記第２の層は、１００℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０４Ｐａ以上１．０Ｅ＋１０Ｐａ以下である上記（６）ないし（８）のいずれかに記載の電磁波シールド用フィルムの製造方法。 (9) The manufacturing method of the film for electromagnetic wave shields in any one of said (6) thru | or (8) whose storage elastic modulus in 100 degreeC of the said 2nd layer is 1.0E + 04Pa or more and 1.0E + 10 Pa or less.
本発明によれば、電子部品封止体の上面側に、基材層と、この基材層に積層されたノイズ抑制層とを有する電磁波シールド用フィルムを貼付し、その後、ノイズ抑制層から基材層を剥離すると言う、比較的容易な方法で電子部品封止体にノイズ抑制層を設けることができる電磁波シールド用フィルムを確実に製造することができる。 According to the present invention, a film for electromagnetic wave shielding having a base material layer and a noise suppression layer laminated on the base material layer is attached to the upper surface side of the electronic component package, and then from the noise suppression layer to the base The film for electromagnetic wave shielding which can provide a noise suppression layer in an electronic component sealing body by a comparatively easy method which says that a material layer is exfoliated can be manufactured certainly.
さらに、本発明の電磁波シールド用フィルムの製造方法により得られた電磁波シールド用フィルムを用いることで、１つの電子部品封止連結体から複数の電子部品封止体を一括して製造することができるので、電子部品封止体および電子装置の生産性の向上が図られる。 Furthermore, by using the film for electromagnetic wave shielding obtained by the method for manufacturing a film for electromagnetic wave shielding of the present invention, a plurality of electronic component sealing bodies can be collectively manufactured from one electronic component sealing connection body. Therefore, the productivity of the electronic component package and the electronic device can be improved.
以下、本発明の電磁波シールド用フィルムの製造方法を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the method for producing an electromagnetic wave shielding film of the present invention will be described in detail based on the preferred embodiments shown in the attached drawings.
以下では、本発明の電磁波シールド用フィルムの製造方法を説明するのに先立って、まず、本発明の電磁波シールド用フィルムの製造方法により得られた電磁波シールド用フィルムを用いて製造された半導体装置について説明する。 In the following, prior to describing the method for producing a film for electromagnetic wave shielding of the present invention, first, a semiconductor device produced using the film for electromagnetic wave shielding obtained by the method for producing a film for electromagnetic wave shielding of the present invention explain.
＜半導体装置＞
図１は、本発明の電磁波シールド用フィルムの製造方法により得られた電磁波シールド用フィルムを用いて製造された半導体装置の実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
<Semiconductor device>
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of a semiconductor device manufactured using an electromagnetic wave shielding film obtained by the method of manufacturing an electromagnetic wave shielding film according to the present invention. In the following description, the upper side in FIG. 1 is referred to as “upper” and the lower side as “lower”.
図１に示す半導体装置２０は、厚さ方向に貫通して配置された導体ポスト（図示せず）を備えるインターポーザー（基板）２５と、インターポーザー２５上に配置された半導体素子２６ならびにコンデンサー、コイルのような電子素子２８と、半導体素子２６および電子素子２８を封止する封止部２７（モールド部）と、封止部２７およびインターポーザー２５を被覆するノイズ抑制層３と、導体ポストに電気的に接続された配線２３と、配線２３に電気的に接続されたバンプ２１（端子）と、配線２３を被覆し、かつバンプ２１を露出させるように設けられた被覆部２２とを有している。
The
インターポーザー２５は、半導体素子２６および電子素子２８を支持する基板であり、その平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。このインターポーザー２５には、その厚さ方向に貫通する複数の貫通孔（図示せず）が形成され、この貫通孔に対応して導体ポストが設けられている。
The
半導体素子２６および電子素子２８は、それぞれ、半導体素子２６および電子素子２８がその下面側に有する電極パッドが導体ポストに対応するように、インターポーザー２５上に、本実施形態では、半導体素子２６が１つ、電子素子２８が２つそれぞれ配置されている。なお、本実施形態では、これら半導体素子２６および電子素子２８が、半導体装置２０が備える電子部品を構成する。
In the present embodiment, the
かかる位置に半導体素子２６および電子素子２８が配置された状態で、封止部２７は、半導体素子２６、電子素子２８およびインターポーザー２５の上面側を覆うように形成される。
In a state where the
インターポーザー２５の貫通孔に対応して形成された導体ポストは、その上側の端部で、半導体素子２６または電子素子２８が備える電極パッド（端子）と電気的に接続される。
The conductor post formed correspondingly to the through hole of the
また、インターポーザー２５の下面には、所定形状に形成された配線２３が設けられ、その一部が導体ポストの下側の端部と電気的に接続される。
Further, on the lower surface of the
さらに、配線２３の下面には、球状体をなすバンプ２１が電気的に接続されており、これにより、半導体素子２６または電子素子２８とバンプ２１とが、電極パッド（端子）、導体ポストおよび配線２３を介して電気的に接続される。また、バンプ２１をその下側から露出させるための開口部２２１を備える被覆部２２が配線２３を被覆するように設けられている。
Furthermore, a
そして、ノイズ抑制層３は、封止部２７の上面、封止部２７の側面およびインターポーザー２５の側面を被覆して設けられている。このノイズ抑制層３により、インターポーザー２５上に設けられた半導体素子２６および電子素子２８と、ノイズ抑制層３を介して、半導体素子２６および電子素子２８の外側すなわち半導体装置２０の外側に位置する他の電子部品等とを、これらの少なくとも一方から生じる電磁波を遮断（シールド）して、電磁波によるノイズが抑制される。なお、このノイズ抑制層３は、インターポーザー２５の側面側において、図示しない配線を介して電気的に接地される。
The
なお、本実施形態では、電子部品を構成する半導体素子２６および電子素子２８を、それぞれ、１つおよび２つずつ半導体装置２０が備えるが、かかる構成に限定されず、半導体装置（電子装置）は、いずれか１つを備えるものであってもよく、上記以上の半導体素子２６および電子素子２８を備えるものであってもよいし、さらに、半導体素子２６および電子素子２８とは異なる電子部品を備えるものであってもよい。
In the present embodiment, the
（半導体装置２０の製造方法）
以上のような構成をなす半導体装置２０が、本発明の電磁波シールド用フィルムの製造方法により得られた電磁波シールド用フィルムを用いた、以下に示す半導体装置２０の製造方法により製造される。
(Method of Manufacturing Semiconductor Device 20)
The
本発明の電磁波シールド用フィルムの製造方法により得られた電磁波シールド用フィルムを用いた半導体装置２０の製造方法は、平板状をなすシート材を用意し、複数の電子部品をシート材上に配置する配置工程と、電子部品が配置されている上面側に、シート材と電子部品とを覆うように封止して封止部を形成することで電子部品封止連結体を得る封止部形成工程と、電子部品封止連結体の下面側に、基材と、基材に積層された粘着層とを有する粘着テープを、粘着層を電子部品封止連結体側にして貼付する第１貼付工程と、形成すべき電子部品封止体毎に対応するように、電子部品封止連結体を厚さ方向に切断して、凹部を形成することで、粘着テープに貼付された電子部品封止体を得る切断工程と、電子部品封止体の上面側に、剥離層と、剥離層に積層されたノイズ抑制層とを有する電磁波シールド用フィルムを、ノイズ抑制層を電子部品封止体側にして貼付して、凹部の形状に対応してノイズ抑制層を押し込むことで、ノイズ抑制層により電子部品封止体の上面および側面を被覆する第２貼付工程と、電磁波シールド用フィルムから、剥離層を剥離することで、粘着テープに貼付された状態で、ノイズ抑制層が設けられた電子部品封止体を得る第１剥離工程と、電子部品封止体から粘着テープを剥離することで、ノイズ抑制層が設けられた複数の電子部品封止体を一括して得る第２剥離工程と、インターポーザー（基板）の下面側に、配線を形成する配線形成工程と、インターポーザー（基板）の下面側に、配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、開口部で露出する配線に、バンプを電気的に接続するバンプ接続工程とを有する。
The method of manufacturing a
以下、これらの各工程について詳述する。
図２〜図３は、図１に示す半導体装置を製造する製造方法を説明するための縦断面図、図４は、本発明の電磁波シールド用フィルムの製造方法により製造された電磁波シールド用フィルムの縦断面図である。なお、以下の説明では、図２〜図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
Each of these steps will be described in detail below.
2 to 3 are longitudinal sectional views for explaining the manufacturing method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1, and FIG. 4 is a film for an electromagnetic wave shielding manufactured by the method for manufacturing an electromagnetic shielding film of the present invention. It is a longitudinal cross-sectional view. In the following description, the upper side in FIGS. 2 to 4 is referred to as “upper” and the lower side as “lower”.
［１］まず、図２（ａ）に示すような、平板状をなすシート材２５’を用意した後、このシート材２５’上に複数の半導体素子２６および電子素子２８を配置（載置）する（図２（ｂ）参照。；配置工程）。
[1] First, after preparing a flat sheet material 25 'as shown in FIG. 2A, a plurality of
なお、このシート材２５’は、予め形成された複数の貫通孔（図示せず）を備え、さらに、これら貫通孔に対応して埋設された導体ポスト（図示せず）を備えるものであり、この導体ポストは、半導体素子２６および電子素子２８をシート材２５’上に配置させた際に、半導体素子２６および電子素子２８が備える電極パッド（端子）が対応する位置に形成されている。すなわち、シート材２５’には、貫通孔に対応して設けられた導体ポストを、シート材２５’上に配置される複数の半導体素子２６および電子素子２８が備える電極パッド（端子）の総数と同じ数で形成されている。
The sheet material 25 'includes a plurality of through holes (not shown) formed in advance, and further includes conductor posts (not shown) embedded corresponding to the through holes, When the
また、シート材２５’は、その厚さ方向に切断して個片化することにより、半導体装置２０が有するインターポーザー２５（基板）となり、半導体素子２６および電子素子２８を支持する機能を発揮するものである。
Further, the sheet material 25 'is cut in the thickness direction to be separated into individual pieces, thereby becoming an interposer 25 (substrate) of the
このシート材２５’は、半導体素子２６および電子素子２８を支持し得る程度の硬度を有するものであればよく、特に限定されるものではないが、例えば、コア材で構成されるコア基板、ビルドアップ材で構成されるビルドアップ基板のようなリジット基板（硬性基板）またはフレキシブル基板（可撓性基板）の何れであってもよいが、これらの中でも、特に、ビルドアップ基板であるのが好ましい。ビルドアップ基板は、特に、加工性に優れることから好ましく用いられる。
The sheet material 25 'may be any material as long as it has a hardness enough to support the
ビルドアップ材料としては、特に限定されないが、例えば、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含有する樹脂組成物等の硬化物を主材料として構成されるものが挙げられる。 The buildup material is not particularly limited. For example, a cured resin composition containing a thermosetting resin such as phenol resin, urea resin, melamine resin, epoxy resin, a curing agent, and an inorganic filler, etc. What is comprised as a main material is a thing.
なお、コア基板としては、特に限定されないが、例えば、主として、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂のような熱硬化性樹脂等で構成されるものが挙げられる。 The core substrate is not particularly limited, and examples thereof include those mainly composed of thermosetting resins such as cyanate resin, epoxy resin, and bismaleimide-triazine resin.
さらに、フレキシブル基板としては、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリイミドベンゾオキサゾール（ＰＩＢＯ）、液晶ポリマーのような熱可塑性樹脂等で構成されるものが挙げられる。 Furthermore, as a flexible substrate, for example, polyimide, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyether sulfone (PES), polytetrafluoroethylene (PTFE), polyimide benzoxazole (PIBO), liquid crystal polymer, etc. Include those made of thermoplastic resins and the like.
また、シート材２５’上に半導体素子２６および電子素子２８を配置する際、半導体素子２６および電子素子２８は、シート材２５’が備える導体ポストの位置に、それぞれ、半導体素子２６および電子素子２８が有する電極パッドが対応する位置に配置される。そして、このような配置により、形成すべき半導体装置２０が備える半導体素子２６および電子素子２８が配置されるべき位置に、半導体素子２６および電子素子２８がシート材２５’上において配置されることとなる。
Further, when the
なお、半導体素子２６および電子素子２８（特に半導体素子２６）は、シート材２５’上に固定されていても固定されていなくてもよいが、エポキシ系接着剤等の接着剤（アンダーフィル材）により固定されているのが好ましい。これにより、次工程［３］において、半導体素子２６および電子素子２８を封止部２７で封止する際に、半導体素子２６および電子素子２８の位置ずれが生じてしまうのを効果的に防止することができる。
The
［２］次に、シート材２５’の上面側、すなわち半導体素子２６および電子素子２８が配置されている側の面を、シート材２５’、半導体素子２６および電子素子２８を覆うように封止部２７を形成する（図２（ｃ）参照。；封止部形成工程）。
[2] Next, the upper surface side of the
これにより、シート材２５’、半導体素子２６および電子素子２８がシート材２５’の上面側で封止部２７により封止された電子部品封止連結体２７０が得られる。
Thereby, the electronic component sealing and
封止部２７を形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、顆粒状のエポキシ樹脂組成物のような熱硬化性樹脂組成物を溶融させた状態で、シート材２５’、半導体素子２６および電子素子２８を覆うようにシート材２５’の上面に供給した後、この溶融状態の熱硬化性樹脂組成物を圧縮成形する方法が挙げられる。かかる方法によれば、半導体素子２６をシート材２５’上において容易かつ高密度に封止部２７で封止することができる。
The method for forming the sealing
［３］次に、基材４と、基材４に積層された粘着層２とを有する粘着テープ１００を用意し、図２（ｄ）に示すように、シート材２５’の半導体素子２６等が載置されていない面側（下面側）で、粘着テープ１００を、粘着層２を電子部品封止連結体２７０側にして、電子部品封止連結体２７０に積層（貼付）する（第１貼付工程）。
[3] Next, the
この電子部品封止連結体２７０への粘着テープ１００の貼付は、例えば、図示しないダイサーテーブルの上に、粘着テープ１００を設置し、シート材２５’の半導体素子２６等と反対側の面を、粘着層２の上に置き、軽く押圧することにより行うことができる。なお、粘着テープ１００に電子部品封止連結体２７０を予め貼着した後に、ダイサーテーブルに設置しても良い。
To attach the
粘着テープ１００（ダイシングテープ）は、粘着層２を介して基材４により電子部品封止連結体２７０を支持するとともに、粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の電子部品封止連結体２７０に対する粘着性が低下する機能を有するものである。
The adhesive tape 100 (dicing tape) supports the electronic
かかる構成の粘着テープ１００において、基材４は、主として樹脂材料から成り、粘着層２を介して基材４上に貼付された電子部品封止連結体２７０を支持し得る程度の硬度を有するものが用いられ、この樹脂材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリオレフィン系樹脂、アイオノマー、オレフィン系共重合体、ポリエステル系樹脂、ポリエーテルケトン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
In the pressure-sensitive
粘着層２は、次工程［４］において、電子部品封止連結体２７０をダイシングして個片化することで電子部品封止体２９０を得る際に、電子部品封止連結体２７０（電子部品封止体２９０）に粘着して支持する機能を有している。また、この粘着層２は、このものに対するエネルギーの付与により電子部品封止体２９０への粘着性が低下し、これにより、粘着層２と電子部品封止体２９０との間で容易に剥離を生じさせ得る状態となるものである。
When obtaining the electronic
かかる機能を備える粘着層２は、例えば、（１）粘着性を有するベース樹脂と、（２）粘着層２を硬化させる硬化性樹脂とを主材料として含有する樹脂組成物で構成される。
The
このようなベース樹脂（１）としては、例えば、アクリル系樹脂（粘着剤）、シリコーン系樹脂（粘着剤）、ポリエステル系樹脂（粘着剤）、ポリ酢酸ビニル系樹脂（粘着剤）、ポリビニルエーテル系樹脂（粘着剤）またはウレタン系樹脂（粘着剤）のような粘着層成分として用いられる公知のものが挙げられる。 As such a base resin (1), for example, acrylic resins (adhesives), silicone resins (adhesives), polyester resins (adhesives), polyvinyl acetate resins (adhesives), polyvinyl ether resins A well-known thing used as an adhesive layer component like resin (adhesive) or urethane type resin (adhesive) is mentioned.
また、硬化性樹脂（２）は、例えば、エネルギーの付与により硬化する硬化性を備えるものである。この硬化によってベース樹脂が硬化性樹脂の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層２の粘着力が低下する。
Moreover, curable resin (2) is provided with the hardenability hardened | cured by provision of energy, for example. As a result of the base resin being taken into the crosslinked structure of the curable resin by this curing, the adhesive strength of the
このような硬化性樹脂としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素−炭素二重結合を、官能基として少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。 As such a curable resin, for example, a low molecular weight having at least two or more polymerizable carbon-carbon double bonds which can be three-dimensionally cross-linked by irradiation of energy rays such as ultraviolet rays and electron beams in a molecule as a functional group Compounds are used.
また、粘着層２を構成する樹脂組成物には、上述した各成分（１）、（２）の他に他の成分として、光重合開始剤、架橋剤、帯電防止剤、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等のうちの少なくとも１種が含まれていてもよい。
Moreover, in the resin composition which comprises the
［４］次に、粘着テープ１００が貼付された電子部品封止連結体２７０を、例えば、ウエハリング等を用いて固定し、その後、ダイシングソー（ブレード）を用いて、形成すべき半導体装置２０（電子部品封止体２９０）毎に対応する位置、すなわち、半導体装置２０が備えるべき１つの半導体素子２６と２つの電子素子２８とが封止部２７で封止される領域毎に対応して、電子部品封止連結体２７０を厚さ方向に切断（ダイシング）して、凹部６２を形成する（切断工程（ダイシング工程）；図２（ｅ）参照）。
[4] Next, the electronic component sealing and
これにより、電子部品封止連結体２７０が、１つの半導体素子２６と２つの電子素子２８との組み合わせ毎に対応して個片化された電子部品封止体２９０が粘着テープ１００上に貼付された状態で得られる。
As a result, the electronic
この際、粘着テープ１００は、緩衝作用を有しており、電子部品封止連結体２７０を切断する際の割れ、欠け等を防止する機能を発揮する。
Under the present circumstances, the
また、ブレードを用いた電子部品封止連結体２７０の切断は、本実施形態では、図２（ｅ）に示すように、基材４の厚さ方向に、基材４の途中に到達するまで実施される。これにより、電子部品封止連結体２７０の個片化を確実に実施することができる。また、電子部品封止体２９０を粘着テープ１００上に貼付させた状態で、個片化により形成される電子部品封止体２９０の側面、すなわち封止部２７およびインターポーザー２５の側面を凹部６２において確実に露出させることができる。
Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 2E, the cutting of the electronic component sealing and
［５］次に、剥離層１（基材層）と、剥離層１に積層されたノイズ抑制層３とを有する電磁波シールド用フィルム３００を用意し、個片化で得られた電子部品封止体２９０の封止部２７が形成されている面側（上面側）で、電子部品封止体２９０に、電磁波シールド用フィルム３００を、ノイズ抑制層３を電子部品封止体２９０側にして、積層（貼付）する（第２貼付工程）。
[5] Next, a
この電子部品封止体２９０に電磁波シールド用フィルム３００を貼付する方法としては、特に限定されないが、例えば、真空圧空成形またはプレス成型法が挙げられる。
Although it does not specifically limit as method to affix the
真空圧空成形とは、例えば、真空加圧式ラミネーターを用いて、電磁波シールド用フィルム３００で、個片化で得られた電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆する方法であり、まず、図２（ｆ）に示すように、真空雰囲気下とし得る閉空間内に、電子部品封止体２９０の粘着テープ１００と反対側の面と、電磁波シールド用フィルム３００のノイズ抑制層３側の面とが対向するように、電子部品封止体２９０と電磁波シールド用フィルム３００とを重ね合わせた状態でセットし、その後、これらを加熱下において、電磁波シールド用フィルム３００側から均一に電磁波シールド用フィルム３００と電子部品封止体２９０とが互いに接近するように、前記閉空間を真空雰囲気下にし、その後加圧することにより実施される。
Vacuum pressure forming is a method of covering the upper surface and the side surface of the electronic
このように、電磁波シールド用フィルム３００側から均一に加圧しつつ、前記閉空間を真空雰囲気下とすることで、剥離層１が凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３を押し込み、この押し込みに併せて、剥離層１よりも電子部品封止体２９０側に位置する、ノイズ抑制層３が凹部６２の形状に対応して変形する。これにより、図３（ａ）に示すように、凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３が押し込まれた状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面が被覆される。
Thus, the
このような第２貼付工程において、貼付する温度は、特に限定されないが、１５℃以上２２０℃以下であることが好ましく、より好ましくは２０℃以上２１０℃以下、さらに好ましくは１５０℃以上２００℃以下である。 The temperature to be attached in such a second attaching step is not particularly limited, but is preferably 15 ° C. or more and 220 ° C. or less, more preferably 20 ° C. or more and 210 ° C. or less, still more preferably 150 ° C. or more and 200 ° C. or less It is.
また、貼付する圧力は、特に限定されないが、０．１ＭＰａ以上２０．０ＭＰａ以下であることが好ましく、より好ましくは０．５ＭＰａ以上１５．０ＭＰａ以下である。 The pressure to be attached is not particularly limited, but is preferably 0.1 MPa or more and 20.0 MPa or less, and more preferably 0.5 MPa or more and 15.0 MPa or less.
さらに、貼付する時間は、特に限定されないが、５秒以上９０分以下であることが好ましく、より好ましくは３０秒以上１０分以下である。 Furthermore, the time for sticking is not particularly limited, but is preferably 5 seconds to 90 minutes, and more preferably 30 seconds to 10 minutes.
第２貼付工程における条件を上記範囲内に設定することにより、隣接する電子部品封止体２９０同士間の凹部６２に対してノイズ抑制層３を押し込んだ状態で、このノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面を確実に被覆することができる。
By setting the conditions in the second pasting step within the above range, the
また、プレス成型法とは、例えば、粘着テープ１００上に貼付された電子部品封止体２９０上に電磁波シールド用フィルム３００を配置し、さらに、この電磁波シールド用フィルム３００上に、クッション材を配置した状態で、これらを、その上面側および下面側から、２つの平板で挾持し、その後、２つの平板を接近させて、加圧することにより実施される。
Moreover, with the press molding method, for example, the
このように、電磁波シールド用フィルム３００上に、クッション材を配置した状態で、電磁波シールド用フィルム３００と電子部品封止体２９０とを接近させることによっても、剥離層１が凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３を押し込み、この押し込みに併せて、剥離層１よりも電子部品封止体２９０側に位置する、ノイズ抑制層３を凹部６２の形状に対応して変形させることができる。そのため、図３（ａ）に示すように、凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３が押し込まれた状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆することができる。
Thus, the
ここで、本工程［５］において用いられる電磁波シールド用フィルム３００は、隣接する電子部品封止体２９０同士間の凹部６２に対してノイズ抑制層３を押し込んだ状態で、電子部品封止体２９０にノイズ抑制層３を被覆するために用いられるもの、すなわち電子部品封止体２９０に、封止部２７の上面および側面ならびにインターポーザー２５の側面を被覆する、ノイズ抑制層３を形成するためのものであり、剥離層１（基材層）と、剥離層１の一方の面側に積層されたノイズ抑制層３とを有し、ノイズ抑制層３を電子部品封止体２９０側にして配置される（図２（ｆ）、図４参照）。
Here, the
このような電磁波シールド用フィルム３００において、剥離層１は、凹部６２の形状に追従してノイズ抑制層３を押し込むことで、電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆する際に、押し込まれたノイズ抑制層３が破断するのを防止する保護（緩衝）材として機能するものである。また、次工程［６］において、ノイズ抑制層３から剥離されるものである。
In such a
また、剥離層１の１００℃における貯蔵弾性率は、１．０Ｅ＋０４Ｐａ以上１．０Ｅ＋１１Ｐａ以下であるのが好ましく、１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋１０Ｐａ以下であるのがより好ましく、１．０Ｅ＋０６Ｐａ以上５．０Ｅ＋０９以下であるのがさらに好ましい。このように、剥離層１の１００℃における貯蔵弾性率を、前記範囲内に設定することにより、剥離層１は可撓性を有するものであると言うことができ、電磁波シールド用フィルム３００を用いて、電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆する際に、ノイズ抑制層３に破断を生じさせることなくノイズ抑制層３を凹部６２の形状に対応した状態で押し込むことができる。これにより、凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３が押し込まれた状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面が被覆される。その結果、電子部品封止体２９０の上面および側面が、破断の発生が防止されたノイズ抑制層３をもって、被覆されるようになるため、このノイズ抑制層３による電磁波シールド（遮断）性が向上することとなる。
The storage elastic modulus at 100 ° C. of the
本実施形態では、剥離層１は、第３の層１３と、第２の層１２と、第１の層１１とで構成され、これらが剥離層１のノイズ抑制層３が積層されている面側から、この順で積層されたものであり、上述した剥離層１の特性が発揮されるように、これら各層１１〜１３の種類、および厚さ等が適宜組み合わされる（図４参照）。
In the present embodiment, the
以下、これら各層１１〜１３について、それぞれ、説明する。
第１の層１１は、第２貼付工程において、凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３を、例えば、真空加圧式ラミネーター等を用いて押し込む際に、真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部との離型性の機能を付与するためのものである。また、第２の層１２側に押圧部からの押圧力を伝播するためのものである。
Each of the
The
この第１の層（第１離型層）１１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーンのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、ポリメチルペンテンを用いることが好ましい。このように、ポリメチルペンテンを有するものを用いることにより、第１の層１１の装置との離型性、さらには耐熱性および形状追従性を優れたものとすることができる。
The constituent material of the first layer (first release layer) 11 is not particularly limited. For example, a resin such as syndiotactic polystyrene, polymethylpentene, polybutylene terephthalate, polypropylene, cyclic olefin polymer, and silicone Materials can be mentioned. Among these, it is preferable to use polymethylpentene. As described above, by using a material having polymethylpentene, the releasability of the
第１の層１１にポリメチルペンテンを用いる場合、その含有量は、特に限定されないが、６０重量％以上であることが好ましく、７０重量％以上９５重量％以下であることがより好ましい。ポリメチルペンテンの含有量が前記下限値未満である場合、第１の層１１の離型性が低下するおそれがある。また、ポリメチルペンテンの含有量が前記上限値を超える場合、第１の層１１の形状追従性が不足するおそれがある。
When polymethylpentene is used for the
なお、第１の層１１は、ポリメチルペンテンのみで構成されていても構わない。また、第１の層１１は、ポリメチルペンテンの他に、さらにスチレン系エラストマー、ポリエチレンまたはポリプロピレン等を含有していてもよい。
The
第１の層１１の平均厚さは、特に限定されないが、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上６５μｍ以下であることがより好ましい。第１の層１１の平均厚さが前記下限値未満である場合、第１の層１１が破断し、その離型性が低下するおそれがある。また、第１の層１１の平均厚さが前記上限値を超える場合、剥離層１の形状追従性が低下し、ノイズ抑制層３の形状追従性が低下するおそれがある。
The average thickness of the
また、第１の層１１の１００℃における貯蔵弾性率は、１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋１１Ｐａ以下であるのが好ましく、５．０Ｅ＋０６Ｐａ以上１．０Ｅ＋１０Ｐａ以下であるのがより好ましい。第１の層１１の貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム３００の加熱時において、第１の層１１は、優れた伸縮性を有するものとなるため、ノイズ抑制層３の凹部６２に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。また、剥離層１全体としての貯蔵弾性率を前述した範囲内に比較的容易に設定することができる。
The storage elastic modulus at 100 ° C. of the
さらに、第１の層１１の表面張力は、２０〜４０［ｍＮ／ｍ］であるのが好ましく、２５〜３５［ｍＮ／ｍ］であるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を有する第１の層１１を優れた離型性を備えるものと言うことができ、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、押圧部から第１の層１１を剥離させることができる。
Furthermore, the surface tension of the
第３の層１３は、第２貼付工程［５］において、凹部６２に対するノイズ抑制層３の押し込みを、真空加圧式ラミネーター等を用いて実施した後に、第１剥離工程［６］において、剥離層１をノイズ抑制層３から剥離する際に、剥離層１に剥離性の機能を付与するためのものである。また、凹部６２の形状に応じて、第３の層１３が追従する追従性の機能を有し、かつ、ノイズ抑制層３側に、押圧部からの押圧力を伝播する機能を併せ持つものである。
The third layer 13 is a peeling layer in the first peeling step [6] after the pressing of the
この第３の層（第２離型層）１３の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーンのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、ポリメチルペンテンを用いることが好ましい。このように、ポリメチルペンテンを用いることにより、第３の層１３のノイズ抑制層３との離型性、さらには耐熱性および形状追従性を優れたものとすることができる。
The constituent material of the third layer (second release layer) 13 is not particularly limited. For example, a resin such as syndiotactic polystyrene, polymethylpentene, polybutylene terephthalate, polypropylene, cyclic olefin polymer, silicone Materials can be mentioned. Among these, it is preferable to use polymethylpentene. As described above, by using polymethylpentene, the releasability of the third layer 13 from the
第３の層１３におけるポリメチルペンテンの含有量は、特に限定されないが、６０重量％以上であることが好ましく、７０重量％以上９５重量％以下であることがより好ましい。ポリメチルペンテンの含有量が前記下限値未満である場合、第３の層１３の離型性が低下するおそれがある。また、ポリメチルペンテンの含有量が前記上限値を超える場合、第３の層１３の形状追従性が不足するおそれがある。 The content of polymethylpentene in the third layer 13 is not particularly limited, but is preferably 60% by weight or more, and more preferably 70% by weight or more and 95% by weight or less. When the content of polymethylpentene is less than the lower limit value, the releasability of the third layer 13 may be reduced. Moreover, when content of polymethyl pentene exceeds the said upper limit, there exists a possibility that shape following property of the 3rd layer 13 may run short.
なお、第３の層１３は、ポリメチルペンテンのみで構成されていても構わないが、前記ポリメチルペンテンの他に、さらにスチレン系エラストマー、ポリエチレンまたはポリプロピレン等を含有していてもよい。また、第３の層１３と、第１の層１１とを構成する樹脂は、同じであっても異なっていても構わない。
Although the third layer 13 may be made of only polymethylpentene, it may further contain styrene elastomer, polyethylene, polypropylene or the like in addition to the polymethylpentene. Moreover, the resin which comprises the 3rd layer 13 and the
第３の層１３の平均厚さは、特に限定されないが、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上６５μｍ以下であることがより好ましい。第３の層１３の平均厚さが前記下限値未満である場合、耐熱性が不足し、第２貼付工程［５］で基材層の耐熱性が不足し、変形が発生し、ノイズ抑制層３が変形するおそれがある。また、第３の層１３の平均厚さが前記上限値を超える場合、電磁波シールド用フィルム全体の総厚さが厚くなり、カット等の作業性が低下するおそれがあり、また、コスト面でも経済的ではない。
The average thickness of the third layer 13 is not particularly limited, but is preferably 5 μm or more and 100 μm or less, and more preferably 10 μm or more and 65 μm or less. When the average thickness of the third layer 13 is less than the lower limit, the heat resistance is insufficient, the heat resistance of the base material layer is insufficient in the second bonding step [5], and deformation occurs, and the
なお、第１の層１１と、第３の層１３の厚さは、同じであっても異なっていても構わない。
The thicknesses of the
また、第３の層１３の１００℃における貯蔵弾性率は、１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋１１Ｐａ以下であるのが好ましく、５．０Ｅ＋０６Ｐａ以上１．０Ｅ＋１０Ｐａ以下であるのがより好ましい。第３の層１３の貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム３００の加熱時において、第３の層１３は、優れた伸縮性を有するものとなるため、第３の層１３、さらにはノイズ抑制層３の凹部６２に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。
The storage elastic modulus at 100 ° C. of the third layer 13 is preferably 1.0E + 05 Pa or more and 1.0E + 11 Pa or less, and more preferably 5.0E + 06 Pa or more and 1.0E + 10 Pa or less. By setting the storage elastic modulus of the third layer 13 within such a range, the third layer 13 has excellent stretchability at the time of heating of the
さらに、第３の層１３の表面張力は、２０〜４０［ｍＮ／ｍ］であるのが好ましく、２５〜３５［ｍＮ／ｍ］であるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を有する第３の層１３を優れた離型性を備えるものと言うことができ、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、剥離層１をノイズ抑制層３から剥離する際に、第３の層１３とノイズ抑制層３との界面において、剥離層１を確実に剥離させることができる。
Furthermore, the surface tension of the third layer 13 is preferably 20 to 40 [mN / m], and more preferably 25 to 35 [mN / m]. The third layer 13 having a surface tension within this range can be said to have excellent releasability, and the
第２の層１２は、第２貼付工程［５］において、剥離層１を押し込み用の基材として用いて凹部６２に対してノイズ抑制層３を押し込む際に、第３の層１３を、凹部６２に対して押し込む（埋め込む）ためのクッション機能を有するものである。また、第２の層１２は、この押し込む力を、第３の層１３、さらには、この第３の層１３を介してノイズ抑制層３に、均一に作用させる機能を有しており、これにより、ノイズ抑制層３と凹部６２との間にボイドを発生させることなく、ノイズ抑制層３を凹部６２に対して優れた密閉性（追従性）をもって押し込むことができる。
The
この第２の層１２（クッション層）の構成材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロプレン等のαオレフィン系重合体、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、メチルペンテン等を共重合体成分として有するαオレフィン系共重合体、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド等のエンジニアリングプラスチックス系樹脂が挙げられ、これらを単独あるいは複数併用してもよい。これらの中でも、αオレフィン系共重合体を用いることが好ましい。具体的には、エチレン等のαオレフィンと、（メタ）アクリル酸エステルとの共重合体、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体、エチレンと（メタ）アクリル酸との共重合体（ＥＭＭＡ）、およびそれらの部分イオン架橋物等が挙げられる。αオレフィン系共重合体は、形状追従性に優れ、さらに、第１の層１１の構成材料と比較して柔軟性に優れることから、かかる構成材料で構成される第２の層１２に、第１の層１１を凹部６２に対して押し込む（埋め込む）ためのクッション機能を確実に付与することができる。
The constituent material of the second layer 12 (cushion layer) is, for example, an α-olefin polymer such as polyethylene or polypropylene, ethylene, propylene, butene, pentene, hexene, methylpentene or the like as a copolymer component Engineering plastics resin such as α-olefin copolymer, polyether sulfone and polyphenylene sulfide may be mentioned, and these may be used alone or in combination. Among these, it is preferable to use an α-olefin copolymer. Specifically, a copolymer of an α-olefin such as ethylene and a (meth) acrylic ester, a copolymer of ethylene and vinyl acetate, a copolymer of ethylene and (meth) acrylic acid (EMMA), And partial ion cross-linked products thereof. Since the α-olefin copolymer is excellent in shape followability and is further excellent in flexibility as compared with the constituent material of the
なお、第２の層１２は、前述した第１の層１１および第３の層１３で挙げた構成材料と、第２の層１２の構成材料とのブレンド体であってもよい。
The
第２の層１２の平均厚さは、特に限定されないが、２０μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以上４００μｍ以下であることがより好ましい。第２の層１２の平均厚さが前記下限値未満である場合、第２の層１２の形状追従性が不足し、第２貼付工程［５］で凹部６２への追従性が不足するというおそれがある。また、第２の層１２の平均厚さが前記上限値を超える場合、第２貼付工程［５］において、第２の層１２からの樹脂のシミ出しが多くなり、圧着装置の熱盤に付着し、作業性が低下するというおそれがある。
The average thickness of the
また、第２の層１２の１００℃における貯蔵弾性率は、１．０Ｅ＋０４Ｐａ以上１．０Ｅ＋１０Ｐａ以下であるのが好ましく、１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋０９Ｐａ以下であるのがより好ましい。第２の層１２の貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム３００の加熱時において、第２の層１２を、第１の層１１と比較してより優れた伸縮性を有するものと容易にすることができる。そのため、第２の層１２、さらには第３の層１３およびノイズ抑制層３の凹部６２に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。
The storage elastic modulus at 100 ° C. of the
なお、各層１１〜１３の貯蔵弾性率を、それぞれ、前述した範囲内において適宜設定することで、剥離層１の１００℃における貯蔵弾性率を１．０Ｅ＋０４Ｐａ以上１．０Ｅ＋１１Ｐａ以下の範囲内に容易に設定することができる。
In addition, the storage elastic modulus of each of the
剥離層１の全体の厚さは、特に限定されないが、２０μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、７０μｍ以上５００μｍ以下であることがより好ましい。剥離層１の全体の平均厚さが前記下限値未満である場合、第３の層１３が破断し、剥離層１の離型性が低下するというおそれがある。また、剥離層１の全体の平均厚さが前記上限値を超える場合、剥離層１の形状追従性が低下し、ノイズ抑制層３の凹部６２に対する形状追従性が低下するというおそれがある。
The total thickness of the
なお、この剥離層１の構成層数は、特に限定されず、上述したような３層構成のものを含む２層以上の多層構成であっても良いし、単層構成のものであっても良い。
The number of constituent layers of the
また、剥離層１を単層構成のものとする場合、この剥離層１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、無軸延伸ポリプロピレンおよび二軸延伸ポリプロピレン等のポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーン、スチレンエラストマー樹脂、スチレンブタジエンゴム、アクリルゴム、エポキシ樹脂、ポリフェノール、ポリウレタンのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、ポリメチルペンテンを用いることが好ましい。これにより、剥離層１のノイズ抑制層３に対する押込み性、さらには耐熱性を向上させることができ、かつ、後述する第１剥離工程［６］時にノイズ抑制層３から離型性よく剥離層１を剥がすことができる。
Moreover, when making the
さらに、この場合の剥離層１の厚さは、特に限定されないが、３μｍ以上２０００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上５００μｍ以下であることがより好ましい。剥離層１の平均厚さが前記下限値未満である場合、剥離層１ひいてはノイズ抑制層３が破断し、その電磁波シールド性が低下するおそれがある。また、剥離層１の平均厚さが前記上限値を超える場合、剥離層１からノイズ抑制層３に対する押し込む力が十分に伝達されず、ノイズ抑制層３の凹部６２に対する押し込み性が十分に得られないおそれがある。
Furthermore, the thickness of the
ノイズ抑制層３は、電子部品封止体２９０が備える半導体素子２６および電子素子２８と、このノイズ抑制層３を介して、電子部品封止体２９０と反対側に位置する他の電子部品等とを、これらの少なくとも一方から生じる電磁波を遮断（シールド）する機能を有する。
The
このノイズ抑制層３（電磁波遮断層）は、特に限定されず、如何なる形態で電磁波を遮断するものであってもよく、例えば、ノイズ抑制層３に入射した電磁波を反射させることにより遮断（遮蔽）する反射層と、ノイズ抑制層３に入射した電磁波を吸収することにより遮断（遮蔽）する吸収層とが挙げられる。
This noise suppression layer 3 (electromagnetic wave blocking layer) is not particularly limited, and may block electromagnetic waves in any form, for example, blocking (shielding) by reflecting the electromagnetic waves incident on the
これら反射層および吸収層は、ともに、粒子状をなす導電性材料と、バインダー樹脂とを含有する構成をなし、導電性材料として、金属材料、金属酸化物材料、導電性高分子材料および導電性セラミックス材料のうちの少なくとも１種を含有するものが好ましく用いられるが、以下、これら反射層および吸収層について、それぞれ、説明する。 The reflection layer and the absorption layer both comprise a particulate conductive material and a binder resin, and as the conductive material, metal materials, metal oxide materials, conductive polymer materials and conductive materials Although the thing containing at least 1 sort (s) of ceramic materials is used preferably, these reflecting layers and an absorption layer are each demonstrated below.
反射層は、反射層に入射した電磁波を反射させることにより遮断するものである。
この反射層としては、例えば、導電性接着剤層、金属薄膜層、金属メッシュ、ＩＴＯなどの導電性材料の表面処理等が挙げられる。これらを単独あるいは併用してもよい。これらの中でも、導電性接着剤層を用いることが好ましい。導電性接着剤層は、その膜厚（平均厚さ）を比較的薄く設定したとしても、優れた電磁波シールド性を発揮するため、反射層として好ましく用いられる。
The reflective layer blocks the electromagnetic wave incident on the reflective layer by reflecting it.
Examples of the reflective layer include a surface treatment of a conductive material such as a conductive adhesive layer, a metal thin film layer, a metal mesh, and ITO. These may be used alone or in combination. Among these, it is preferable to use a conductive adhesive layer. The conductive adhesive layer is preferably used as a reflective layer because it exhibits excellent electromagnetic wave shielding properties even when its film thickness (average thickness) is set relatively thin.
前記導電性接着剤層としては、金属粉（金属材料）とバインダー樹脂とを含んで構成され、金属粉は例えば、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられる。これらの中でも、電磁波シールド性に優れているという理由から、銀を用いることが好ましい。 The conductive adhesive layer includes metal powder (metal material) and a binder resin, and examples of the metal powder include gold, silver, copper or silver-coated copper, nickel and the like. Among these, silver is preferable because it is excellent in electromagnetic wave shielding properties.
前記導電性接着剤層における金属粉とバインダー樹脂との含有比率は、特に限定されないが、重量比で４０：６０〜９５：５であることが好ましく、５０：５０〜９０：１０であることがより好ましい。 The content ratio of the metal powder to the binder resin in the conductive adhesive layer is not particularly limited, but is preferably 40:60 to 95: 5 by weight ratio, and is 50:50 to 90:10. More preferable.
導電性接着剤層は、前記金属粉とバインダー樹脂との他に、さらに難燃剤、レベリング剤、粘度調整剤等を含有しても良い。 The conductive adhesive layer may further contain a flame retardant, a leveling agent, a viscosity modifier and the like in addition to the metal powder and the binder resin.
反射層の平均厚さ（Ｅ１）は、特に限定されないが、１００ｎｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上２０μｍ以下であることがより好ましい。 The average thickness (E1) of the reflective layer is not particularly limited, but is preferably 100 nm or more and 100 μm or less, and more preferably 1 μm or more and 20 μm or less.
吸収層は、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することにより遮断するものである。 The absorbing layer absorbs electromagnetic waves incident on the absorbing layer and shuts off by converting it into thermal energy.
この吸収層としては、例えば、金属粉（金属材料）および導電性高分子材料等の導電吸収材料を主材料として構成される導電吸収層、炭素系材料および導電性高分子材料等の誘電吸収材料を主材料として構成される誘電吸収層、軟磁性金属等の磁性吸収材料を主材料として構成される磁性吸収層等が挙げられ、これらを単独あるいは併用してもよい。なお、この吸収層は、前記主材料の他に、バインダー樹脂を含有することが好ましい。 As the absorption layer, for example, a conductive absorption layer mainly composed of a conductive absorption material such as metal powder (metal material) and a conductive polymer material, a dielectric absorption material such as a carbon-based material and a conductive polymer material And magnetic absorbing layers composed mainly of magnetic absorbing materials such as soft magnetic metals, etc., and these may be used alone or in combination. In addition to the main material, the absorbent layer preferably contains a binder resin.
なお、導電吸収層は、電界を印加した際に材料内部に流れる電流により、電磁エネルギーを熱エネルギーに変換することで、電磁波を吸収し、誘電吸収層は、電磁波を誘電損失により熱エネルギーに変換することで、電磁波を吸収し、磁性吸収層は、過電流損、ヒステレス損、磁気共鳴等の磁性損失により、電波のエネルギーを熱に変換して消費することで、電磁波を吸収する。 Note that the conductive absorption layer absorbs electromagnetic waves by converting electromagnetic energy into heat energy by the current flowing inside the material when an electric field is applied, and the dielectric absorption layer converts the electromagnetic waves into heat energy by dielectric loss. By absorbing the electromagnetic wave, the magnetic absorption layer absorbs the electromagnetic wave by converting the energy of the radio wave into heat and consuming it by the magnetic loss such as the overcurrent loss, the hysteresis loss, and the magnetic resonance.
これらの中でも、誘電吸収層、導電吸収層を用いることが好ましい。誘電吸収層および導電吸収層は、その膜厚（平均厚さ）を比較的薄く設定したとしても、特に優れた電磁波シールド性を発揮するため、吸収層として好ましく用いられる。また、その層中に含まれる材料の粒子径が小さいことやその添加量も少なくできることから、その膜厚を比較的容易に薄く設定することができ、また軽量化も可能である。 Among these, it is preferable to use a dielectric absorption layer and a conductive absorption layer. The dielectric absorption layer and the conductive absorption layer are preferably used as an absorption layer because they exhibit excellent electromagnetic wave shielding properties even when the film thickness (average thickness) is set relatively thin. In addition, since the particle diameter of the material contained in the layer is small and the amount of addition thereof can be reduced, the film thickness can be set relatively easily and weight reduction is also possible.
なお、導電吸収材料としては、例えば、導電性高分子材料、ＡＴＯ等の金属酸化物材料、導電性セラミックス材料が挙げられる。 Examples of the conductive absorption material include conductive polymer materials, metal oxide materials such as ATO, and conductive ceramic materials.
また、導電性高分子としては、例えば、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。 Moreover, as the conductive polymer, for example, polyacetylene, polypyrrole, PEDOT (poly-ethylenedioxythiophene), PEDOT / PSS, polythiophene, polyaniline, poly (p-phenylene), polyfluorene, polycarbazole, polysilane or derivatives thereof, etc. These may be used alone or in combination of two or more.
誘電吸収材料としては、炭素系材料、導電性高分子、セラミック材料等が挙げられる。
また、炭素系材料としては、例えば、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢＣＮナノチューブ、ＢＣＮナノファイバー、グラフェンや、カーボンマイクロコイル、カーボンナノコイル、カーボンナノホーン、カーボンナノウォールのような炭素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
Examples of the dielectric material include carbon-based materials, conductive polymers, ceramic materials and the like.
Further, as the carbon-based material, for example, single-walled carbon nanotubes, carbon nanotubes such as multi-walled carbon nanotubes, carbon nanofibers, CN nanotubes, CN nanotubes, CN nanofibers, BCN nanotubes, BCN nanofibers, graphene, carbon microcoils, carbon Nanocoils, carbon nanohorns, carbon such as carbon nanowalls, etc. may be mentioned, and one or more of these may be used in combination.
セラミック材料としては、チタン酸バリウム、ペロブスカイト型チタン酸ジルコン酸バリウムカルシウム結晶粒子、チタニア、アルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素および窒化アルミニウム等が挙げられこれらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。 The ceramic material may, for example, be barium titanate, perovskite type barium calcium zirconate titanate crystalline particles, titania, alumina, zirconia, silicon carbide or aluminum nitride, and one or more of them may be used in combination. Can.
さらに、磁性吸収材料としては、例えば、鉄、ケイ素鋼、磁性ステンレス（Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ合金）、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、ケイ素銅（Ｆｅ−Ｃｕ−Ｓｉ合金）、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ（−Ｃｕ−Ｎｂ）合金のような軟磁性金属、フェライト等が挙げられる。 Furthermore, as the magnetic absorption material, for example, iron, silicon steel, magnetic stainless steel (Fe-Cr-Al-Si alloy), sendust (Fe-Si-Al alloy), permalloy (Fe-Ni alloy), silicon copper (Fe Soft magnetic metals such as -Cu-Si alloy), Fe-Si alloy, Fe-Si-B (-Cu-Nb) alloy, ferrite and the like.
吸収層の平均厚さ（Ｅ２）は、特に限定されないが、１μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上１００μｍ以下であることがより好ましい。 The average thickness (E2) of the absorbing layer is not particularly limited, but is preferably 1 μm to 300 μm, and more preferably 2 μm to 100 μm.
なお、バインダー樹脂としては、反射層および吸収層ともに、各種樹脂材料を用いることができ、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、熱硬化性エラストマー等の熱硬化性樹脂、オレフィン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、シリコン樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマーのような熱可塑性エラストマー等の熱可塑性樹脂が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、中でも、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、オレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂およびシリコン樹脂のうちの少なくとも１種であることが好ましい。これにより、反射層および吸収層中において、導電性材料を優れた分散性をもって分散させることができる。 As the binder resin, various resin materials can be used for both the reflection layer and the absorption layer. For example, thermosetting resin such as epoxy resin, urethane resin, phenol resin, amino resin, thermosetting elastomer, olefin resin And thermoplastic resins such as thermoplastic elastomers such as acrylic resins, polyester resins, polyamide resins, silicone resins, vinyl chloride resins, styrene resins, styrene thermoplastic elastomers, and olefin thermoplastic elastomers. Although 1 type or 2 types or more can be used in combination, it is preferable that it is especially at least 1 type in an epoxy resin, a urethane resin, an olefin resin, a polyester resin, a polyamide resin, and a silicone resin. Thus, the conductive material can be dispersed with excellent dispersibility in the reflective layer and the absorbing layer.
また、上述した構成をなすノイズ抑制層３（反射層および吸収層）は、ＪＩＳ Ｇ ３４６９に準拠して、エポキシ樹脂を主材料として含有し、板状をなす封止部２７上に、幅２５ｍｍのノイズ抑制層３を１００℃にて貼付し、次いで、ノイズ抑制層３の一端を持ち、２５℃において９０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度をＡ［Ｎ／ｍｍ］とし、ＪＩＳ Ｇ ３４６９に準拠して、ポリメチルペンテンを主材料として含有し、板状をなす剥離層１（基材層）上に、幅２５ｍｍのノイズ抑制層３を１００℃にて貼付し、次いで、ノイズ抑制層３の一端を持ち、２５℃において９０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度をＢ［Ｎ／ｍｍ］としたとき、１＜Ａ／Ｂなる関係を満足することが好ましく、１．５＜Ａ／Ｂなる関係を満足するのがより好ましく、２＜Ａ／Ｂなる関係を満足するのがさらに好ましい。これにより、次工程［６］において、電磁波シールド用フィルム３００から、剥離層１を、確実に剥離させることができ、かつ、本工程［５］において、凹部６２に対してノイズ抑制層３を押し込む際に、第３の層１３とノイズ抑制層３との間で位置ずれが生じるのを的確に抑制または防止することができる。
Further, the noise suppression layer 3 (reflection layer and absorption layer) having the above-described configuration contains an epoxy resin as a main material in accordance with JIS G 3469, and has a width of 25 mm on the plate-
ピール強度Ａ、Ｂが１＜Ａ／Ｂなる関係を満足するために、ノイズ抑制層３の構成材料、および厚さ等が適宜組み合わされる他、後述する、本発明の電磁波シールド用フィルムの製造方法が適用される。
In order to satisfy the relationship that peel strengths A and B satisfy 1 <A / B, the material of the
なお、ピール強度Ａ［Ｎ／ｍｍ］およびピール強度Ｂ［Ｎ／ｍｍ］は、それぞれ、例えば、引張試験機（エー・アンド・デイ社製、「ＴＥＮＳＩＬＯＮ ＲＴＧ−１３１０」）を用いて測定することができる。 The peel strength A [N / mm] and the peel strength B [N / mm] should be measured using, for example, a tensile tester (manufactured by A & D Co., "TENSILON RTG-1310"). Can.
［６］次に、図３（ｂ）に示すように、電子部品封止体２９０に貼付された電磁波シールド用フィルム３００から、剥離層１を剥離する（第１剥離工程）。
[6] Next, as shown in FIG. 3B, the
この第１剥離工程により、電磁波シールド用フィルム３００における剥離層１とノイズ抑制層３との界面において、剥離が生じ、その結果、ノイズ抑制層３から剥離層１が剥離される。これにより、ノイズ抑制層３から剥離層１を剥離した状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面が被覆される。
In the first peeling step, peeling occurs at the interface between the
すなわち、粘着テープ１００上に貼付された状態で、ノイズ抑制層３が上面および側面に設けられた電子部品封止体２９０が一括して複数形成される。
That is, in a state of being attached onto the
また、剥離層１を剥離する方法としては、特に限定されないが、例えば、手作業による剥離が挙げられる。
Moreover, it does not specifically limit as a method to peel the
この手作業による剥離では、例えば、まず、剥離層１の一方の端部を把持し、この把持した端部から剥離層１をノイズ抑制層３から引き剥がし、次いで、この端部から中央部へさらには他方の端部へと順次剥離層１を引き剥がすことにより、ノイズ抑制層３から剥離層１が剥離される。
In this manual peeling, for example, first, one end of the
この剥離層１の剥離の際に、前述の通り、ピール強度Ａとピール強度Ｂとが１＜Ａ／Ｂなる関係を満足することが好ましい。これにより、本工程において、剥離層１にノイズ抑制層３を残存させることなく、比較的容易に剥離層１をノイズ抑制層３から剥離させることができる。すなわち、剥離層１から電子部品封止体２９０（封止部２７）の上面および側面に、ノイズ抑制層３を転写することができる。
At the time of peeling of the
なお、剥離する温度は、１８０℃以下であることが好ましく、より好ましくは１６５℃以下、さらに好ましくは２０℃以上１５０℃以下である。 The peeling temperature is preferably 180 ° C. or less, more preferably 165 ° C. or less, and still more preferably 20 ° C. or more and 150 ° C. or less.
以上のような工程を経ることにより、ノイズ抑制層３から剥離層１を剥離した状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆することができる。
By passing through the steps as described above, the upper surface and the side surface of the electronic
このような工程によれば、電子部品封止体２９０にスパッタリング法を用いてノイズ抑制層３を形成する場合のように、用いる装置の操作が煩雑となったり、装置が高価となることなく、電子部品封止体２９０側に、剥離層１とノイズ抑制層３とを有する電磁波シールド用フィルム３００を貼付した後に、剥離層１を剥離すると言う、比較的容易な方法で電子部品封止体２９０にノイズ抑制層３を設けることができる。
According to such a process, as in the case where the
［７］次に、図３（ｃ）に示すように、電子部品封止体２９０から粘着テープ１００を剥離する（第２剥離工程）。
[7] Next, as shown in FIG. 3C, the
この第２剥離工程では、粘着テープ１００が備える粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の電子部品封止体２９０に対する粘着性を低下させて、粘着層２と電子部品封止体２９０との間で剥離が生じる状態とした後、電子部品封止体２９０から粘着テープ１００を剥離する。
In this second peeling step, energy is applied to the
これにより、ノイズ抑制層３により上面および側面が被覆された電子部品封止体２９０を一括して複数形成することができることから、電子部品封止体２９０の生産性の向上が図られる。
As a result, a plurality of electronic
粘着層２にエネルギーを付与する方法としては、特に限定されないが、例えば、粘着層２にエネルギー線を照射する方法、粘着層２を加熱する方法等が挙げられるが、中でも、粘着層２にエネルギー線を粘着テープ１００の基材４側から照射する方法を用いるのが好ましい。
The method for applying energy to the
かかる方法は、半導体素子２６および電子素子２８が不要な熱履歴を経る必要がなく、また、粘着層２に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。
Such a method does not require the
また、エネルギー線としては、例えば、紫外線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。これらの中でも、特に、紫外線を用いるのが好ましい。紫外線によれば、粘着層２の電子部品封止体２９０に対する粘着性を効率よく低下させることができる。
Further, as the energy ray, for example, ultraviolet rays, an electron beam, a particle beam such as an ion beam, or a combination of two or more of these energy rays may be mentioned. Among these, it is particularly preferable to use ultraviolet light. According to the ultraviolet light, the adhesiveness of the
［８］次に、図３（ｄ）に示すように、電子部品封止体２９０のインターポーザー２５側、すなわちインターポーザー２５の半導体素子２６および電子素子２８とは反対の面側（下面側）に、導体ポストに電気的に接続するように、所定形状にパターニングされた配線２３を形成する（配線形成工程）。
[8] Next, as shown in FIG. 3D, the
この配線２３を形成する方法としては、特に限定されず、例えば、Ｉ：電解メッキ法、無電解メッキ法のようなメッキ法を用いて配線２３を形成する方法、II：導電性材料を含有する液状材料を電子部品封止体２９０のインターポーザー２５側の面に供給し乾燥・固化することにより配線２３を形成する方法等が挙げられるが、Ｉの方法、特に電解メッキ法を用いて配線２３を形成するのが好ましい。電解メッキ法によれば、導体ポストに対して、優れた密着性を発揮する配線２３を容易かつ確実に形成することができる。
The method of forming the
［９］次に、図３（ｅ）に示すように、電子部品封止体２９０のインターポーザー２５側、すなわちインターポーザー２５の半導体素子２６および電子素子２８とは反対の面側（下面側）に、配線２３の一部が露出するように、開口部２２１を備える被覆部２２を形成する（被覆部形成工程）。
[9] Next, as shown in FIG. 3 (e), the
なお、この開口部２２１は、次工程［７］において、バンプ２１を形成する位置に対応するように形成される。
The
このような、被覆層は、通常、主としてＮｉで構成される下層上に、主としてＡｕで構成される上層を積層した積層体で構成され、例えば、無電解メッキ法を用いて形成される。 Such a covering layer is usually formed of a laminate in which an upper layer mainly composed of Au is laminated on a lower layer mainly composed of Ni, and is formed, for example, using an electroless plating method.
［１０］次に、図３（ｆ）に示すように、開口部２２１から露出する配線２３に電気的に接続するようにバンプ２１を形成する（バンプ接続工程）。
[10] Next, as shown in FIG. 3F, the
ここで、本実施形態のように、導体ポストとバンプ２１との接続を、配線２３を介して行う構成とすることにより、バンプ２１を、インターポーザー２５の面方向において、導体ポストとは異なる位置に配置することができる。換言すれば、バンプ２１と導体ポストとの中心部が重ならないように、これらを配置することができる。したがって、得られる半導体装置２０における下面の所望の位置にバンプ２１を形成することができる。
Here, as in the present embodiment, the connection between the conductor post and the
このバンプ２１を配線２３に接合する方法としては、特に限定されないが、例えば、バンプ２１と配線２３との間に、粘性を有するフラックスを介在させることにより行われる。
The method of bonding the
また、バンプ２１の構成材料としては、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材等が挙げられる。
以上のような工程を経て、半導体装置２０が製造される。
Moreover, as a constituent material of the
The
このような半導体装置２０の製造方法によれば、電子部品封止体２９０にスパッタリング法を用いてノイズ抑制層３を形成する場合のように、用いる装置の操作が煩雑となったり、装置が高価となることなく、前記工程［５］において、電子部品封止体２９０側に、剥離層１とノイズ抑制層３とを有する電磁波シールド用フィルム３００を貼付した後に、前記工程［６］において、剥離層１を剥離すると言う、比較的容易な方法で電子部品封止体２９０にノイズ抑制層３を設けることができる。
According to such a method of manufacturing the
さらに、前記工程［２］において得られた１つの電子部品封止連結体２７０から、前記工程［３］〜［７］を経ることで、複数の電子部品封止体２９０を一括して製造することができるので、電子部品封止体２９０ひいては、この電子部品封止体２９０から得られる半導体装置２０の生産性の向上が図られる。
Furthermore, a plurality of electronic component sealed
なお、本実施形態では、電子部品封止体２９０が備える封止部２７の上面、封止部２７の側面およびインターポーザー２５の側面に、ノイズ抑制層３を設ける場合について、説明したが、少なくとも封止部２７の上面および封止部２７の側面に形成されていればよく、インターポーザー２５の側面への形成を省略することもできる。
In the present embodiment, the
（電磁波シールド用フィルムの製造方法）
以上のような半導体装置２０の製造方法に用いられる電磁波シールド用フィルム３００は、本発明の電磁波シールド用フィルムの製造方法を適用して、以下のようにして製造される。
(Method of manufacturing film for electromagnetic shielding)
The electromagnetic
なお、以下では、電磁波シールド用フィルムを製造する際に用意する剥離層１（基材層）を、押出法を用いて製造する場合を一例に説明する。 In addition, below, the case where the peeling layer 1 (base material layer) prepared when manufacturing the film for electromagnetic wave shields is manufactured using an extrusion method is demonstrated to an example.
まず、押出法が適用された本実施形態の電磁波シールド用フィルム製造装置について説明する。 First, the film manufacturing apparatus for an electromagnetic wave shield of the present embodiment to which the extrusion method is applied will be described.
図５は、本発明の電磁波シールド用フィルムの製造方法が適用された電磁波シールド用フィルム製造装置の側面図である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 5: is a side view of the film manufacturing apparatus for electromagnetic shielding to which the manufacturing method of the film for electromagnetic shielding of this invention was applied. In the following description, the upper side in FIG. 5 is referred to as “upper” and the lower side as “lower”.
図５に示す電磁波シールド用フィルム製造装置５００は、シート供給部７００とシート成形部８００とを有する剥離層形成部７８０と、液状材料供給手段（ディスペンサー９５０）と乾燥手段（熱風供給部９６０）とを備えるノイズ抑制層形成部９００とを有している。
A
剥離層形成部７８０が備えるシート供給部７００は、押出機４１０、４２０、４３０と、各押出機４１０、４２０、４３０の溶融樹脂吐出部４１１、４２１、４３１に配管４１２を介して接続された３種３層分配型の分配機４４０と、分配機４４０に配管４１２を介して接続されたＴダイ６００とで構成され、このＴダイ６００により、溶融状態または軟化状態の帯状の溶融シート（シート）１５０がシート成形部８００に供給される。
The
押出機４１０、４２０、４３０には、それぞれ、前述した第１の層１１、第２の層１２、第３の層１３の構成材料が収納され、これら押出機４１０、４２０、４３０は、溶融状態または軟化状態とされた各構成材料を、３種３層分配型の分配機４４０に供給する。そして、分配機４４０は、第１の層１１、第２の層１２、第３の層１３の構成材料がこの順で積層されるように分配した状態でＴダイ６００に供給し、その後、Ｔダイ６００は、分配機４４０から供給され充填された第１の層１１、第２の層１２、第３の層１３の構成材料を、この順で積層された溶融状態または軟化状態の溶融シート（シート）１５０として、開口部６０１から押し出すことで、シート成形部８００に供給する。
The
また、シート成形部８００は、タッチロール１１０と、冷却ロール１２０と、後段冷却ロール１３０とを有している。これらのロールは、それぞれ図示しないモータ（駆動手段）により、それぞれ単独回転するように構成されており、これらのロールの回転により、溶融シート１５０が冷却されることで、第１の層１１と第２の層１２と第３の層１３とが積層された剥離層１が連続的に送り出されるようになっている。このシート成形部８００に、溶融または軟化された溶融シート１５０を連続的に送り込むことにより、溶融シート１５０の第１面６１５および第２面６１３が平坦化されるとともに、溶融シート１５０が所望の厚さに設定される。
The
また、冷却ロール１２０と、タッチロール１１０との間を通過した溶融シート１５０を、さらに、冷却ロール１２０と後段冷却ロール１３０との間に供給することにより、溶融シート１５０が冷却され、その結果、剥離層１が形成される。
Further, the
冷却ロール１２０は、外周面が平滑性を有するロールであり、Ｔダイ６００から供給される溶融状態とされた溶融シート１５０を冷却する冷却手段を備える。このような冷却ロール１２０に対して、溶融シート１５０を押し当てることにより、その第１面６１５が平坦化されるとともに、溶融シート１５０が冷却される。
The
タッチロール１１０は、外周面が平滑性を有するロールであり、冷却ロール１２０に対向配置されている。このようなタッチロール１１０と冷却ロール１２０との間に、溶融シート１５０を供給することにより、溶融シート１５０の第２面６１３が平坦化される。
The
後段冷却ロール１３０は、外周面が平滑性を有するロールであり、溶融シート１５０を冷却する冷却手段を備え、タッチロール１１０および冷却ロール１２０の後段に配置されている。このような後段冷却ロール１３０に、溶融シート１５０を供給することにより、溶融シート１５０をより確実に冷却して、剥離層１を得ることができる。
The
なお、本実施形態では、冷却ロール１２０が冷却手段を有し、タッチロール１１０が冷却手段を有しない場合について説明したが、かかる場合に限定されず、冷却ロール１２０およびタッチロール１１０のうちの少なくとも一方が冷却手段を有していればよく、タッチロール１１０が冷却手段を有し、冷却ロール１２０が冷却手段を有していなくてもよいし、冷却ロール１２０とタッチロール１１０との双方が冷却手段を有していてもよい。
In the present embodiment, the case where the
また、本実施形態では、シート成形部８００は、タッチロール１１０と、冷却ロール１２０と、後段冷却ロール１３０とを有する場合について説明したが、これに限定されず、例えば、シート成形部８００は、エアナイフを備え、高圧・高速のエアーを噴射することで、溶融シート１５０の第１面６１５および第２面６１３を平坦化するとともに、溶融シート１５０を所望の厚さに設定するようにしてもよい。
Further, in the present embodiment, although the case where the
ノイズ抑制層形成部９００は、液状材料供給手段として、本実施形態では、ディスペンサー９５０を有している。このディスペンサー９５０は、シート成形部８００（後段冷却ロール１３０）の下流側に位置するノイズ抑制層形成部９００の最上流側の位置に、剥離層１に対向して、その上側に配置されている。そして、このディスペンサー９５０から、液状をなすノイズ抑制層形成材料（液状材料）が液滴３２として、剥離層１に滴下（供給）され、これにより、剥離層１上に液状被膜３１が形成される。
The noise suppression
ノイズ抑制層形成材料（液状材料）としては、例えば、上述したノイズ抑制層３の構成材料を、溶媒に溶解したものが挙げられる。すなわち、粒子状をなす導電性材料と、バインダー樹脂と、溶媒とを含有するものが挙げられる。
As a noise suppression layer formation material (liquid material), what melt | dissolved the constituent material of the
また、溶媒としては、特に限定されないが、例えば、メシチレン、デカリン、ミネラルスピリット、トルエン、キシレン、テトラデカン、ヘキサン類等の炭化水素類、イソプロピルアルコール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のエーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸Ｎ−ブチル、乳酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル／ラクトン類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド／ラクタム類が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、中でも、メチルエチルケトン、トルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、テトラデカンおよびヘキサンのうちの少なくとも１種であることが好ましい。 The solvent is not particularly limited, but, for example, mesitylene, decalin, mineral spirits, hydrocarbons such as toluene, xylene, tetradecane and hexanes, alcohols such as isopropyl alcohol, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol methyl Ether, Ethers such as diethylene glycol monoethyl ether, ethylene carbonate, ethyl acetate, N-butyl acetate, ethyl lactate, ethyl 3-ethoxypropionate, propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene carbonate, γ-butyrolactone Esters / lactones, cyclopentanone, cyclohexanone, methyl isobutyl ketone, methyl ethyl ketone, 2-heptanone etc. And amides / lactams such as N-methyl-2-pyrrolidone, and one or more of them may be used in combination, among which methyl ethyl ketone, toluene, ethyl acetate, isopropyl alcohol and the like. It is preferable that it is at least one of tetradecane and hexane.
また、液状材料を剥離層１上に供給する方法としては、特に限定されず、上述したディスペンサー９５０を用いて液滴３２を供給する方法の他、各種塗布法を用いることができる。この塗布法としては、例えば、キャスティング法、コンマコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スロットダイ法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法等が挙げられる。
The method for supplying the liquid material onto the
また、ノイズ抑制層形成部９００は、乾燥手段として、一対の熱風供給部９６０を有している。これら熱風供給部９６０は、シート成形部８００（後段冷却ロール１３０）の下流側に位置するノイズ抑制層形成部９００の最下流側の位置に、剥離層１に対向して、その上方および下方に１つずつ配置されている。そして、各熱風供給部９６０は、電熱線で構成されたヒータ（図示せず）が内蔵されており、このヒータで加熱された熱風が、複数の熱風供給孔（図示ぜず）を介して、剥離層１上に形成された液状被膜３１に対して吹き付けられる。これにより、液状被膜３１（ノイズ抑制層形成材料）が乾燥して、剥離層１上にノイズ抑制層３が形成された電磁波シールド用フィルム３００が得られる。
The noise suppression
以上のような電磁波シールド用フィルム製造装置５００を用いた電磁波シールド用フィルムの製造方法より、電磁波シールド用フィルム３００が製造される。
The
本発明の電磁波シールド用フィルム３００の製造方法は、剥離層１（基材層）を用意し、ノイズ抑制層３を形成するための液状材料を剥離層１上に供給する供給工程と、供給された液状材料を乾燥させて剥離層１上にノイズ抑制層３を形成することで電磁波シールド用フィルム３００を得る乾燥工程とを有し、本実施形態では、剥離層１の用意が、帯状をなすシートとされた溶融状態または軟化状態の溶融シート１５０を押し出す押出工程と、溶融シート１５０の第１面６１５および第２面６１３を平坦化することで剥離層１を成形する成形工程と、成形された溶融状態または軟化状態の溶融シート１５０（剥離層１）を冷却する冷却工程とを経ることで行われる。
The method of manufacturing the
以下、電磁波シールド用フィルム３００を製造するための各工程について詳述する。
［Ａ］まず、帯状をなすシートとされた溶融状態または軟化状態の溶融シート１５０を押し出す（押出工程）。
Hereinafter, each process for manufacturing the
[A] First, the
この押出工程では、前述した剥離層１を構成する第１の層１１、第２の層１２、第３の層１３の構成材料が、それぞれ、押出機４１０、４２０、４３０に収納され、溶融状態または軟化状態とされた各構成材料が、分配機４４０および配管４１２を介して、Ｔダイ６００が有する開口部６０１から押し出される。これにより、第１の層１１と第２の層１２と第３の層１３との構成材料が、この順で積層された形態で、帯状をなすシートとされた溶融状態または軟化状態の溶融シート１５０が連続的に送り出される。
In this extrusion process, the constituent materials of the
［Ｂ］次に、溶融シート１５０の第１面６１５および第２面６１３を平坦化するとともに、溶融シート１５０を所定の厚さに設定することで溶融状態または軟化状態とされた剥離層１を成形する（成形工程）。
[B] Next, the
この成形工程は、タッチロール１１０と冷却ロール１２０との間に、溶融シート１５０を供給することにより行われる。
This forming process is performed by supplying the
この際、冷却ロール１２０の外周面およびタッチロール１１０の外周面は、それぞれ、平滑性を有するロール状をなしている。そのため、溶融シート１５０の第１面６１５および第２面６１３は、それぞれ、平滑性を有する外周面に押し当てられることにより、平坦化される。
Under the present circumstances, the outer peripheral surface of the
また、冷却ロール１２０の外周面とタッチロール１１０の外周面との離間距離は、形成すべき剥離層１の厚さに設定され、この離間距離を所定の大きさに適宜設定することで、所望の厚さの溶融シート１５０（剥離層１）を得ることができる。
Further, the separation distance between the outer peripheral surface of the
このように、本工程［Ｂ］において、冷却ロール１２０およびタッチロール１１０はそれぞれ、第１面６１５および第２面６１３を平坦化するため、ならびに、溶融シート１５０の厚さを設定するために用いられる。
Thus, in the present step [B], the
［Ｃ］次に、第１面６１５および第２面６１３が平坦化された、溶融状態または軟化状態の剥離層１（溶融シート１５０）を冷却する（冷却工程）。
[C] Next, the peeling layer 1 (molten sheet 150) in the molten or softened state in which the
これにより、第１の層１１と第２の層１２と第３の層１３とがこの順で積層された積層体で構成される剥離層１が形成される。
Thereby, the
この冷却工程は、溶融シート１５０を、冷却ロール１２０と後段冷却ロール１３０との間に供給することにより行われる。
This cooling process is performed by supplying the
ここで、本実施形態では、冷却ロール１２０および後段冷却ロール１３０のいずれもが冷却手段を備えているため、上記のような、溶融シート１５０の各ロール１２０、１３０との当接（接触）により、第１面６１５および第２面６１３が平坦化された溶融シート１５０が冷却される。その結果、第１面６１５および第２面６１３が平坦化され剥離層１が得られる。
以上のような工程を経ることで、剥離層１が用意される。
Here, in the present embodiment, since both of the
The
［Ｄ］次に、ノイズ抑制層３を形成するための液状材料を剥離層１上に供給する（供給工程）。
これにより、剥離層１上に、液状材料で構成される液状被膜３１を形成する。
[D] Next, a liquid material for forming the
Thereby, a
より具体的には、シート成形部８００の下流側に位置するノイズ抑制層形成部９００の最上流側に位置する、ディスペンサー９５０から、液状をなすノイズ抑制層形成材料を液滴３２として、シート成形部８００により形成された剥離層１に滴下（供給）することで、剥離層１上に液状被膜３１を形成する。
More specifically, a sheet of the noise suppression layer forming material in liquid form is formed as a
［Ｅ］次に、剥離層１上に供給された液状材料を乾燥させる（乾燥工程）。
これにより、ノイズ抑制層３を剥離層１上に形成して、電磁波シールド用フィルム３００を得る。
[E] Next, the liquid material supplied onto the
Thereby, the
より具体的には、シート成形部８００（後段冷却ロール１３０）の下流側に位置するノイズ抑制層形成部９００の最下流側に位置する熱風供給部９６０により、液状被膜３１（ノイズ抑制層形成材料）を乾燥させる。これにより、剥離層１上にノイズ抑制層３を形成して、電磁波シールド用フィルム３００を得る。
More specifically, the hot
液状被膜３１を乾燥させる際の液状被膜３１の温度は、２０℃以上１７０℃以下であることが好ましく、３０℃以上１５０℃以下であることがより好ましい。
The temperature of the
以上のような工程を経ることで、ノイズ抑制層３と剥離層１とが、この順で積層された電磁波シールド用フィルム３００を連続的に得ることができる。
Through the steps as described above, it is possible to continuously obtain an electromagnetic
上記のように、用意された剥離層１に、供給工程と乾燥工程とを有する液相成膜法を用いてノイズ抑制層３を形成する構成とすることで、ピール強度Ａ、Ｂを、容易に１＜Ａ／Ｂなる関係を満足するものとし得る。そのため、電子部品封止体２９０に対するノイズ抑制層３の被覆の後に、ノイズ抑制層３から剥離層１を容易に剥離させることができる。
As described above, the peeling strengths A and B can be easily formed by forming the
なお、本発明の電磁波シールド用フィルムの製造方法により製造された電磁波シールド用フィルムを適用して製造される半導体装置２０は、例えば、携帯電話、医療機器、デジタルカメラ、ビデオカメラ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ゲーム機、液晶テレビ、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プリンタ等に広く用いることができる。
The
以上、本発明の電磁波シールド用フィルムの製造方法について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。 As mentioned above, although the manufacturing method of the film for electromagnetic wave shields of this invention was demonstrated, this invention is not limited to these.
例えば、前記実施形態では、上述した構成の半導体装置２０の製造に、本発明の電磁波シールド用フィルムの製造方法により製造された電磁波シールド用フィルムを用いる場合について説明したが、かかる構成の装置の製造に適用されるばかりでなく、例えば、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置、コンデンサー、コイルのような電子部品を単独で備える電子装置等の製造に前記電磁波シールド用フィルムを用いることもできる。
For example, in the above embodiment, the case of using the electromagnetic wave shielding film manufactured by the method of manufacturing an electromagnetic wave shielding film of the present invention for manufacturing the
また、前記実施形態では、本発明の電磁波シールド用フィルム３００は、剥離層１（基材層）とノイズ抑制層３との積層体で構成される場合について説明したが、これに限定されず、電磁波シールド用フィルム３００は、剥離層１（基材層）およびノイズ抑制層３とは異なる他の層を備えるものであってもよい。
Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where the
さらに、前記実施形態では、ノイズ抑制層３は、インターポーザー２５の側面にも設けられるが、これに限定されず、少なくとも封止部２７の上面および封止部２７の側面に設けられていればよく、ノイズ抑制層３のインターポーザー２５の側面への形成は省略してもよい。
Furthermore, although the
さらに、電子部品封止体の製造方法および電子装置の製造方法には、任意の目的の工程が１または２以上追加されてもよい。 Furthermore, one or more steps for any purpose may be added to the method of manufacturing the electronic component package and the method of manufacturing the electronic device.
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in detail based on examples, but the present invention is not limited thereto.
１．電磁波シールド用フィルムの製造
（実施例１Ａ）
電磁波シールド用フィルムを得るために、第１の層を形成するための樹脂材料としてポリメチルペンテン（三井化学社製、商品名：ＴＰＸ ＤＸ２３１）を用意した。第３の層を形成するための樹脂材料として、ポリメチルペンテン（三井化学社製、商品名：ＴＰＸ ＤＸ２３１）を用意した。また、第２の層を形成するための樹脂材料として、エチレン−メチルアクリレート共重合体（三井・デュポンポリケミカル社製、商品名：ニュクレルＡＮ４２１４Ｃ）を３５ｗｔ％、ポリプロピレン（プライムポリマー社製、商品名：Ｅ−２０３ＧＰ）を３０ｗｔ％、ポリメチルペンテン（三井化学社製、商品名：ＴＰＸ ＤＸ２３１）を３５ｗｔ％含む混合物を用意した。
1. Production of film for electromagnetic shielding (Example 1A)
In order to obtain a film for electromagnetic wave shielding, polymethylpentene (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., trade name: TPX DX231) was prepared as a resin material for forming the first layer. As a resin material for forming the third layer, polymethylpentene (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., trade name: TPX DX231) was prepared. In addition, as a resin material for forming the second layer, 35 wt% of ethylene-methyl acrylate copolymer (Mitsui Dupont Polychemicals Co., Ltd., trade name: Nucrel AN4214C), polypropylene (Prime Polymer Co., Ltd., trade name) A mixture containing 30 wt% of E-203GP) and 35 wt% of polymethylpentene (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., trade name: TPX DX231) was prepared.
さらに、ノイズ抑制層を形成するための樹脂材料（液状材料）として、粒子状をなす金属材料として銀粒子（福田金属箔粉工業社製、商品名：Ａｇ−ＸＦ３０１）を含み、バインダー樹脂としてエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、商品名：ＥＰＩＣＲＯＮ Ｎ−６７０）を含み、さらに、溶媒としてメチルエチルケトンを含む樹脂材料を用意した。 Furthermore, as a resin material (liquid material) for forming a noise suppression layer, silver particles (manufactured by Fukuda Metal Foil & Powder Industry Co., Ltd., trade name: Ag-XF301) are included as metal material in particulate form, and epoxy as binder resin A resin material containing a resin (manufactured by DIC, trade name: EPICRON N-670) and further containing methyl ethyl ketone as a solvent was prepared.
次いで、上述した第１の層を形成するための樹脂材料と、第２の層を形成するための樹脂材料と、第３の層を形成するための樹脂材料とを用いて、電磁波シールド用フィルム製造装置５００が備える剥離層形成部７８０により、フィルム化された剥離層を得た。その後、ノイズ抑制層を形成するための樹脂材料（液状材料）を、電磁波シールド用フィルム製造装置５００が備えるノイズ抑制層形成部９００により、剥離層に塗布した後に乾燥させることでノイズ抑制層を形成して電磁波シールド用フィルムを作製した。
Then, using the resin material for forming the first layer described above, the resin material for forming the second layer, and the resin material for forming the third layer, an electromagnetic shielding film A release layer formed into a film was obtained by the release
なお、実施例１Ａの電磁波シールド用フィルムの全体の平均厚さは、２４０μｍであり、第１の層の平均厚さは２０μｍ、第３の層の平均厚さは２０μｍ、第２の層の平均厚さは１８０μｍ、ノイズ抑制層の平均厚さは２０μｍであった。 In addition, the average thickness of the whole film for electromagnetic wave shielding of Example 1A is 240 micrometers, the average thickness of a 1st layer is 20 micrometers, the average thickness of a 3rd layer is 20 micrometers, and the average of a 2nd layer The thickness was 180 μm, and the average thickness of the noise suppression layer was 20 μm.
また、実施例１Ａの電磁波シールド用フィルムにおける、第１の層、第２の層および第３の層の１００℃における貯蔵弾性率は、それぞれ、２．０Ｅ＋０８Ｐａ、５．０Ｅ＋０７Ｐａおよび２．０Ｅ＋０８Ｐａであった。 The storage elastic modulus at 100 ° C. of the first layer, the second layer and the third layer in the film for electromagnetic wave shielding of Example 1A is 2.0E + 08Pa, 5.0E + 07Pa and 2.0E + 08Pa, respectively. The
さらに、剥離層およびノイズ抑制層の１００℃における貯蔵弾性率は、それぞれ、１．０Ｅ＋０８Ｐａおよび１．０Ｅ＋０４Ｐａであった。 Furthermore, the storage elastic modulus at 100 ° C. of the release layer and the noise suppression layer was 1.0E + 08Pa and 1.0E + 04Pa, respectively.
２．評価
実施例１Ａで作製した電磁波シールド用フィルムについて、以下の評価を行った。
2. Evaluation The following evaluation was performed about the film for electromagnetic wave shields produced in Example 1A.
＜ピール強度Ａ＞
実施例１Ａの電磁波シールド用フィルムを作製する際に用意した、ノイズ抑制層を形成するための樹脂材料を用いて幅を２５ｍｍとしたノイズ抑制層を形成した。そして、これらノイズ抑制層を、それぞれ、エポキシ樹脂を主材料とするエポキシ樹脂組成物（住友ベークライト社製、「ＸＦ８６８０」）からなる、板状をなす封止部上に１００℃にて貼付し、次いで、ＪＩＳ Ｇ ３４６９に準拠して、ノイズ抑制層の一端を持ち、２５℃において９０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度Ａを、引張試験機（エー・アンド・デイ社製、「ＴＥＮＳＩＬＯＮ ＲＴＧ−１３１０」）を用いて測定した。その測定結果を、表１に示す。
<Peel strength A>
The noise suppression layer having a width of 25 mm was formed using the resin material for forming the noise suppression layer prepared when producing the film for electromagnetic wave shielding of Example 1A. Then, the noise suppression layer is attached at 100 ° C. on a plate-like sealing portion made of an epoxy resin composition ("SX B680" manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) mainly composed of an epoxy resin. Then, according to JIS G 3469, hold the end of the noise suppression layer, peel strength A measured when peeled at a speed of 300 mm / min in the direction of 90 ° at 25 ° C, tensile tester (A -It measured using and day company make and "TENSILON RTG-1310"). The measurement results are shown in Table 1.
＜ピール強度Ｂ＞
実施例１Ａの電磁波シールド用フィルムを作製する際に用意した、ノイズ抑制層を形成するための樹脂材料を用いて幅を２５ｍｍとしたノイズ抑制層を形成した。そして、これらノイズ抑制層を、それぞれ、ポリメチルペンテン（三井化学社製、「ＴＰＸ ＤＸ２３１」）からなる、板状をなす剥離層上に１００℃にて貼付し、次いで、ＪＩＳ Ｇ ３４６９に準拠して、ノイズ抑制層の一端を持ち、２５℃において９０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定されるピール強度Ｂを、引張試験機（エー・アンド・デイ社製、「ＴＥＮＳＩＬＯＮ ＲＴＧ−１３１０」）を用いて測定した。その測定結果を、表１に示す。
<Peel strength B>
The noise suppression layer having a width of 25 mm was formed using the resin material for forming the noise suppression layer prepared when producing the film for electromagnetic wave shielding of Example 1A. Then, these noise suppression layers are attached at 100 ° C. on a plate-like peeling layer made of polymethylpentene (“TPX DX 231”, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.), and then in accordance with JIS G 3469. Peel strength B, which is measured when peeled at a speed of 300 mm / min in the direction of 90 ° at 25 ° C., with one end of the noise suppression layer, using a tensile tester (A & D Inc., “ It measured using TENSILON RTG-1310 "). The measurement results are shown in Table 1.
＜半導体封止連結体からの剥離層の剥離性＞
半導体封止連結体からの剥離層の剥離性は、次のようにして評価した。
<Peelability of Peeling Layer from Semiconductor Encapsulated Coupling>
The releasability of the release layer from the semiconductor encapsulation assembly was evaluated as follows.
すなわち、まず、ＦＲ４基板（ガラス繊維の布をエポキシ樹脂の硬化物で封止して形成された基板）上に、縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚さ０．７ｍｍのＳｉ基板（擬似半導体素子）を搭載し、その後、Ｓｉ基板について１９０℃／１５０Ｎ／２０ｓｅｃの条件で加熱・圧縮処理を施した。 That is, first, on a FR4 substrate (a substrate formed by sealing a cloth of glass fiber with a cured product of epoxy resin), a Si substrate (pseudo semiconductor element) 10 mm long × 10 mm wide × 0.7 mm thick After mounting, the Si substrate was subjected to heating and compression treatment under the conditions of 190 ° C./150 N / 20 sec.
次に、Ｓｉ基板が搭載されたＦＲ４基板上に、顆粒状のエポキシ樹脂組成物（住友ベークライト社製、「ＸＦ８６８０」）を供給した後、圧縮成形することで、Ｓｉ基板が封止部により封止された半導体封止連結体を形成した。 Next, after supplying the granular epoxy resin composition (Sumitomo Bakelite Co., Ltd. “XF8680”) on the FR4 substrate on which the Si substrate is mounted, the Si substrate is sealed by the sealing portion by compression molding. A sealed semiconductor encapsulation was formed.
なお、圧縮成形する際の条件は、１７５℃／５ＭＰａ／５ｍｉｎとした。
そして、２２０℃／１ｈｒの条件で封止部を硬化させた後に、ダイシングソーを用いて、封止部に対して、溝幅０．２ｍｍ、溝間隔１０ｍｍ、溝深さ１．０ｍｍの溝を格子状に形成することで、溝が形成された半導体封止連結体を得た。
The condition for compression molding was 175 ° C./5 MPa / 5 min.
Then, after curing the sealing portion under the condition of 220 ° C./1 hr, using a dicing saw, a groove with a groove width of 0.2 mm, a groove interval of 10 mm, and a groove depth of 1.0 mm with the sealing portion By forming in the shape of a lattice, the semiconductor sealing connection body in which the groove was formed was obtained.
次に、実施例１Ａの電磁波シールド用フィルムを、それぞれ、溝が形成された半導体封止連結体上に配置し、その後、真空加圧式ラミネーターを用いて、真空雰囲気下において、電磁波シールド用フィルムと電子部品封止体とが互いに接近するように、圧力２ＭＰａ、温度１７０℃、時間２４０秒の条件で加圧することで、電磁波シールド用フィルムを半導体封止連結体に貼付した。 Next, the film for an electromagnetic wave shield of Example 1A is disposed on the semiconductor sealing connection in which a groove is formed, and then, using a vacuum pressure type laminator, the film for an electromagnetic wave shield in a vacuum atmosphere The electromagnetic shielding film was attached to the semiconductor sealing assembly by pressurizing under the conditions of a pressure of 2 MPa and a temperature of 170 ° C. for 240 seconds so that the electronic component sealing body approaches each other.
次に、半導体封止連結体に貼付された電磁波シールド用フィルムから剥離層を、剥離層の一端を持って剥離させ、この際の剥離層の剥がれ易さについて、下記に示す評価基準に基づいて評価した。その評価結果を表１に示す。 Next, the peeling layer is peeled from the film for an electromagnetic wave shield attached to the semiconductor sealing assembly by holding one end of the peeling layer, and the ease of peeling of the peeling layer in this case is based on the evaluation criteria shown below. evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.
［評価基準］
◎：剥離層にノイズ抑制層に由来する樹脂残りもなく、容易に剥離できる
○：剥離層にノイズ抑制層に由来する樹脂残りはないが、剥離が若干重い
×：剥離層にノイズ抑制層に由来する樹脂残りが発生している
[Evaluation criteria]
:: There is no resin residue derived from the noise suppression layer in the peeling layer and can be peeled off easily ○: There is no resin residue originating from the noise suppression layer in the peeling layer, but peeling is slightly heavy. ×: To the noise suppression layer in the peeling layer The resin residue that originates is generated
表１に示すように、実施例１Ａでは、ピール強度Ａ、Ｂが１＜Ａ／Ｂなる関係を満足しており、これにより、半導体封止連結体に貼付された電磁波シールド用フィルムから剥離層を、剥離層にノイズ抑制層に由来する樹脂残りを発生させることなく、容易に剥離させることができ、電子部品封止体にノイズ抑制層を形成することができた。 As shown in Table 1, in Example 1A, the peel strengths A and B satisfy the relationship of 1 <A / B, whereby the peeling film from the electromagnetic wave shielding film attached to the semiconductor sealing connection. The peeling layer can be easily peeled without generating the resin residue derived from the noise suppressing layer, and the noise suppressing layer can be formed on the electronic component package.
１ 剥離層
２ 粘着層
３ ノイズ抑制層
４ 基材
１１ 第１の層
１２ 第２の層
１３ 第３の層
２０ 半導体装置
２１ バンプ
２２ 被覆部
２３ 配線
２５ インターポーザー
２５’ シート材
２６ 半導体素子
２７ 封止部
２８ 電子素子
３１ 液状被膜
３２ 液滴
６２ 凹部
１００ 粘着テープ
１１０ タッチロール
１２０ 冷却ロール
１３０ 後段冷却ロール
１５０ 溶融シート
２２１ 開口部
２７０ 電子部品封止連結体
２９０ 電子部品封止体
３００ 電磁波シールド用フィルム
４１０ 押出機
４１１ 溶融樹脂吐出部
４１２ 配管
４２０ 押出機
４２１ 溶融樹脂吐出部
４３０ 押出機
４３１ 溶融樹脂吐出部
４４０ 分配機
５００ 電磁波シールド用フィルム製造装置
６００ Ｔダイ
６０１ 開口部
６１３ 第２面
６１５ 第１面
７００ シート供給部
７８０ 剥離層形成部
８００ シート成形部
９００ ノイズ抑制層形成部
９５０ ディスペンサー
９６０ 熱風供給部
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記基材層を用意し、前記ノイズ抑制層を形成するための液状材料を前記基材層上に供給する供給工程と、
供給された前記液状材料を乾燥させて前記基材層上に前記ノイズ抑制層を形成することで前記電磁波シールド用フィルムを得る乾燥工程とを有することを特徴とする電磁波シールド用フィルムの製造方法。 A noise suppression layer covering the upper surface and the side surface of the sealing portion is formed on an electronic component sealing body having a substrate, an electronic component disposed on the substrate, and a sealing portion sealing the electronic component. A method for producing an electromagnetic wave shielding film, comprising: a base layer; and the noise suppression layer laminated on one side of the base layer.
Supplying the liquid material for forming the base layer and forming the noise suppression layer on the base layer;
And d) drying the supplied liquid material to form the noise suppression layer on the base layer, thereby obtaining the film for shielding an electromagnetic wave.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017168059A JP2019046947A (en) | 2017-08-31 | 2017-08-31 | Method for manufacturing film for electromagnetic wave shield |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017168059A JP2019046947A (en) | 2017-08-31 | 2017-08-31 | Method for manufacturing film for electromagnetic wave shield |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019046947A true JP2019046947A (en) | 2019-03-22 |
Family
ID=65816570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017168059A Pending JP2019046947A (en) | 2017-08-31 | 2017-08-31 | Method for manufacturing film for electromagnetic wave shield |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2019046947A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116120608A (en) * | 2023-02-23 | 2023-05-16 | 河北海伟电子新材料科技股份有限公司 | Production process of high-energy-storage polypropylene capacitor film |
-
2017
- 2017-08-31 JP JP2017168059A patent/JP2019046947A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116120608A (en) * | 2023-02-23 | 2023-05-16 | 河北海伟电子新材料科技股份有限公司 | Production process of high-energy-storage polypropylene capacitor film |
| CN116120608B (en) * | 2023-02-23 | 2023-09-29 | 河北海伟电子新材料科技股份有限公司 | Production process of high-energy-storage polypropylene capacitor film |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI505416B (en) | Adhesive tape for resin-encapsulating and method of manufacture of resin-encapsulated semiconductor device | |
| JP2017143210A (en) | Method for manufacturing electronic component sealing body and method for manufacturing electronic device | |
| TWI807011B (en) | Electromagnetic wave shield sheet | |
| JP2012124466A (en) | Adhesive film for semiconductor device and semiconductor device | |
| JP6711423B2 (en) | Film for electromagnetic wave shielding | |
| EP3726571A1 (en) | Manufacturing method of mounting structure | |
| JP5548077B2 (en) | Resin-sealing adhesive tape and method for manufacturing resin-sealed semiconductor device | |
| KR102477543B1 (en) | Electromagnetic wave shielding sheet and board with electronic components | |
| JP4421204B2 (en) | Adhesive sheet for manufacturing semiconductor device, semiconductor device using the same, and manufacturing method | |
| TW201529796A (en) | Dicing die-bonding film, manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device | |
| JP2006318999A (en) | Adhesive film for manufacturing semiconductor device | |
| KR101763852B1 (en) | QFN semiconductor package, method of fabricating the same and mask sheet for manufacturing the same | |
| JP2019046947A (en) | Method for manufacturing film for electromagnetic wave shield | |
| JP5067927B2 (en) | Adhesive film for semiconductor device manufacturing | |
| KR102629865B1 (en) | Film adhesives, adhesive sheets, and semiconductor devices and methods for manufacturing the same | |
| JP2019029549A (en) | Film set | |
| JP2019029550A (en) | Manufacturing method of electronic component sealed body and manufacturing method of electronic device | |
| JP2019102498A (en) | Manufacturing method of electronic component encapsulation body, and manufacturing method of electronic device | |
| JP2019087638A (en) | Manufacturing method of electronic equipment | |
| KR20210123319A (en) | Film-like adhesives, adhesive sheets, and semiconductor devices | |
| JP2012248607A (en) | Die-bond dicing sheet and method for manufacturing semiconductor device using the same | |
| JP6451801B1 (en) | Electromagnetic shielding film used for manufacturing method of electromagnetic shielding electronic device and manufacturing method of electromagnetic shielding electronic device | |
| JP2019131746A (en) | Adhesive tape | |
| JP2020169278A (en) | Processing adhesive tape | |
| EP2636712A1 (en) | Pressure-sensitive adhesive tape for resin encapsulation and method for producing resin encapsulation type semiconductor device |