JP2019033272A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
Description
たは半導体素子を含むものをいい、このような半導体素子として、例えばトランジスタが
挙げられる。液晶表示装置などの表示装置も半導体装置に含まれる。
置に含まれるトランジスタは、基板上に膜を形成し、該膜をエッチングなどにより所望の
形状に加工することで作製される。
の導電膜を覆って絶縁膜を形成し、該絶縁膜に前記第1の導電膜と重畳する開口部を形成
し、該開口部を介して前記第1の導電膜と接続する第2の導電膜を形成すればよい。この
ようにして、異なる導電膜により設けられた複数の配線を縦横に配して、複数の素子がマ
トリクス状に設けられた素子基板を作製することができる。
ング条件に左右される。例えば、開口部にエッチング残渣が存在する場合も多い。このよ
うなエッチング残渣が開口部に存在すると、複数の導電膜の接続を阻害することがある。
このような開口部の残渣を除去することができる方法として、逆スパッタリングが挙げら
れる(例えば、特許文献1)。
れている。酸化物半導体は、トランジスタに適用することができる(特許文献2及び特許
文献3)。
成領域に用いた半導体装置よりも非常に高い電界効果移動度を有するなどの良好な電気的
特性を有する。しかし、現在のところ、信頼性の面において課題がある。信頼性を低下さ
せる要因の一つとして、酸化物半導体膜に含まれる水及び水素が挙げられる。従って、酸
化物半導体膜における水及び水素の含有量は、極力少なくする必要がある。
素欠損の存在する領域が低抵抗化し、ソースとドレインの間にリーク電流を生じさせる原
因となる。従って、酸化物半導体膜中の酸素欠損は少ないほうがよく、酸素欠損を少なく
するためには外部から十分な酸素を供給するとよい。
、酸化物半導体膜に接して下地膜が設けられた状態で行う加熱処理が挙げられる。下地膜
中の水及び水素を少なくし、酸素を多くして加熱処理すると、酸化物半導体膜への水及び
水素の混入を抑制しつつ、酸化物半導体膜に酸素を供給することができる。
法などにより形成した後酸化物半導体膜を形成する前に加熱処理を行えばよい。しかし、
加熱処理を行うと、水及び水素とともに酸素も脱離してしまう。
膜が設けられているとよい。しかし、酸化アルミニウムは化学的な反応性に乏しいため、
エッチングに時間がかかる。そのため、開口部が形成される絶縁膜が例えば多層膜である
場合に、一部の層が酸化アルミニウムにより形成されていると、開口部の形成に時間がか
かり、開口部には多くのエッチング残渣が生じることになる。このようなエッチング残渣
は、開口部がコンタクトホールである場合には、コンタクト抵抗を上昇させる要因となる
。
コンタクト抵抗が小さい半導体装置とその作製方法を提供することを課題とする。
成し、前記トランジスタの電極膜上に前記酸化物半導体膜に接して設けられた第1の絶縁
膜及び第2の絶縁膜をこの順に積層して形成し、前記第2の絶縁膜上に開口部を有するエ
ッチングマスクを形成し、前記エッチングマスクの前記開口部と重畳する部分の前記第1
の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜をエッチングして前記電極膜を露出する開口部を形成し、
前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜の前記開口部をアルゴンプラズマに曝し、前記エ
ッチングマスクを除去し、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜の前記開口部に導電膜
を形成し、前記第1の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、前記第2
の絶縁膜は前記第1の絶縁膜よりもエッチングされにくく、前記第1の絶縁膜よりもガス
バリア性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
成し、前記トランジスタの電極膜上に前記酸化物半導体膜に接して設けられた第1の絶縁
膜及び第2の絶縁膜をこの順に積層して形成し、前記第2の絶縁膜上に開口部を有するエ
ッチングマスクを形成し、前記エッチングマスクの前記開口部と重畳する部分の前記第1
の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜をエッチングして前記電極膜を露出する開口部を形成し、
前記エッチングマスクを除去し、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜の前記開口部に
逆スパッタリングを行い、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜の前記開口部に導電膜
をスパッタリング法により形成し、前記第1の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する
絶縁膜であり、前記第2の絶縁膜は前記第1の絶縁膜よりもエッチングされにくく、前記
第1の絶縁膜よりもガスバリア性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
化酸化シリコン膜であり、前記第2の絶縁膜が酸化アルミニウム膜であることが好ましい
。
成し、前記トランジスタの電極膜上に前記酸化物半導体膜に接して設けられた第1の絶縁
膜、第2の絶縁膜及び第3の絶縁膜をこの順に積層して形成し、前記第3の絶縁膜上に開
口部を有するエッチングマスクを形成し、前記エッチングマスクの前記開口部と重畳する
部分の前記第1の絶縁膜、前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜をエッチングして前記
電極膜を露出する開口部を形成し、前記第1の絶縁膜、前記第2の絶縁膜及び前記第3の
絶縁膜の前記開口部をアルゴンプラズマに曝し、前記エッチングマスクを除去し、前記第
1の絶縁膜、前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜の前記開口部に導電膜を形成し、前
記第1の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、前記第2の絶縁膜は前
記第1の絶縁膜よりもエッチングされにくく、前記第1の絶縁膜よりもガスバリア性が高
いことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
成し、前記トランジスタの電極膜上に前記酸化物半導体膜に接して設けられた第1の絶縁
膜、第2の絶縁膜及び第3の絶縁膜をこの順に積層して形成し、前記第3の絶縁膜上に開
口部を有するエッチングマスクを形成し、前記エッチングマスクの前記開口部と重畳する
部分の前記第1の絶縁膜、前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜をエッチングして前記
電極膜を露出する開口部を形成し、前記エッチングマスクを除去し、前記第1の絶縁膜、
前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜の前記開口部に逆スパッタリングを行い、前記第
1の絶縁膜、前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜の前記開口部に導電膜をスパッタリ
ング法により形成し、前記第1の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり
、前記第2の絶縁膜は前記第1の絶縁膜よりもエッチングされにくく、前記第1の絶縁膜
よりもガスバリア性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜であり、前記第2の絶縁膜が酸化アルミニウム
膜であることが好ましい。
電極のいずれかとなる導電膜を総括したものをいう。すなわち、「電極膜」と記載する場
合には、ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極のいずれかとして機能する導電膜で
あって、その機能は問わない。
あり、「ガスバリア性が高い」場合には酸素ガスの透過性が低く、「ガスバリア性が低い
」場合には酸素ガスの透過性が高いものとなる。
された膜がエッチングされることを防止するために形成されるマスクをいう。エッチング
マスクとしては、例えばレジストマスクが挙げられる。
くく、コンタクト抵抗が小さい半導体装置を得ることができる。
は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及
び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発
明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置の作製方法について説明する。本
実施の形態では、開口部が形成される積層絶縁膜が2層構造である。
104上に第1のエッチングマスク106を形成する(図1(A))。
及び耐薬品性を有するものであればよい。基板100としては、ガラス基板、石英基板、
セラミック基板またはプラスチック基板などを例示列挙することができる。プラスチック
基板の材料としては、屈折率異方性の小さいプラスチック材料を用いることが好ましい。
屈折率異方性の小さいプラスチック材料としては、ポリエーテルサルフォン、ポリイミド
、ポリエチレンナフタレート、ポリビニルフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、アクリル樹脂、またはプリプレグなどを例示列挙することができる。
従って、下地絶縁膜102は、化学量論比よりも多くの酸素を含み、酸素の一部が加熱処
理により脱離する絶縁性酸化物により形成すればよい。このような絶縁性酸化物として、
例えば、SiOxにおいてx>2である酸化シリコンが挙げられる。
ン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化
ハフニウムまたは酸化イットリウムなどであってもよい。
のをいい、「酸化窒化シリコン」とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い
ものをいう。
ってもよい。複数の層が積層された構造としては、例えば、窒化シリコン膜上に酸化シリ
コン膜が設けられた積層構造が挙げられる。
とするとよい。特に、前記範囲内で厚くすると、加熱処理により酸化物半導体膜に多くの
酸素を拡散させることができ、下地絶縁膜102と酸化物半導体膜の界面における欠陥(
酸素欠損)を低減することができるため、好ましい。
理により脱離しやすい。酸素の一部が加熱処理により脱離しやすいときのTDS分析によ
る酸素の脱離量(酸素原子に換算した値)は、1.0×1018atoms/cm3以上
、好ましくは1.0×1020atoms/cm3以上、より好ましくは3.0×102
0atoms/cm3以上であるとよい。
会社製の昇温脱離分析装置EMD−WA1000S/Wを用いて測定し、標準試料として
1×1016atoms/cm3の水素原子を含むシリコンウェハを用いて算出した場合
の値である。
度の時間積分値に比例する。このため、気体の脱離量は、絶縁性酸化物におけるイオン強
度の時間積分値と標準試料の基準値から計算することができる。標準試料の基準値は、あ
る特定の原子を含む試料(標準試料)におけるスペクトルの積分値に対する原子密度の割
合である。
シリコンウェハにおけるイオン強度から、絶縁性酸化物の酸素分子(O2)の脱離量(N
O2)は、以下の式(1)で求めることができる。
NO2=NH2/SH2×SO2×α (1)
は、標準試料の水素分子(H2)のイオン強度の時間積分値である。すなわち、NH2/
SH2を標準試料の基準値とする。SO2は、絶縁性酸化物の酸素分子(O2)のイオン
強度の時間積分値である。αは、イオン強度に影響する係数である。式(1)の詳細に関
しては、特開平06−275697号公報を参照されたい。
原子の比率は、酸素分子のイオン化率から算出することができる。なお、前記係数αは酸
素分子のイオン化率を含んでいるため、酸素分子の放出量を評価することで酸素原子の放
出量も算出することができる。
量は、酸素分子(O2)の脱離量の2倍である。
CVD法を用いる場合には、下地絶縁膜102を形成した後に加熱処理により水素などを
脱離させて除去するとよい。
ターゲットとして石英(好ましくは合成石英)ターゲット、スパッタリングガスとしてア
ルゴンガスを用いればよい。または、ターゲットとしてシリコンターゲット、スパッタリ
ングガスとして酸素を含むガスを用いてもよい。なお、酸素を含むガスとしては、酸素ガ
スのみを用いてもよいし、アルゴンガスと酸素ガスの混合ガスを用いてもよい。
は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、マンガ
ン、マグネシウム、ベリリウム若しくはジルコニウムなどの金属、または前記金属の一種
若しくは複数種を成分として含む合金を例示列挙することができる。なお、第1の導電膜
104は、単層構造でもよいし、積層構造であってもよい。
る配線を低抵抗にすることができるため好ましい。ここで、第1の導電膜104が積層構
造である場合には、少なくとも一層が銅により形成されていればよい。
ウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウ
ム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物または酸化シリ
コンを添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料により形成してもよ
い。
して形成してもよい。
えばよい。
に限定されず、第1の導電膜104の加工時にマスクとして機能するものであればよい。
2に含まれる水素を除去する加熱処理を行うとよい。または、第1の導電膜104の形成
後、第1のエッチングマスク106の形成前に、下地絶縁膜102に含まれる水素を除去
する加熱処理を行ってもよい。
1の導電膜108を形成する(図1(B))。
に用いるエッチングガスとしては、塩素ガス、または三塩化ホウ素ガスと塩素ガスの混合
ガスを例示列挙することができる。ただし、これに限定されず、ウエットエッチングを用
いてもよいし、他の手段を用いてもよい。
8上に接して酸化物半導体膜110を形成する(図1(C))。
下地絶縁膜102に含まれる水素を除去する加熱処理を行ってもよい。
料により形成されている場合には、酸素プラズマを用いたアッシングにより行えばよい。
または、レジスト剥離液を用いてもよい。または、これらの双方を用いてもよい。
とが好ましい。特にInとZnの双方を含むことが好ましい。
タビライザーとして、それらに加えてガリウム(Ga)、スズ(Sn)、ハフニウム(H
f)及びアルミニウム(Al)のいずれか一種または複数種を有することが好ましい。
(Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウ
ム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホ
ルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、
ルテチウム(Lu)のいずれか一種または複数種を有していてもよい。
化物であるIn−Zn系酸化物、Sn−Zn系酸化物、Al−Zn系酸化物、Zn−Mg
系酸化物、Sn−Mg系酸化物、In−Mg系酸化物、In−Ga系酸化物、三元系金属
の酸化物であるIn−Ga−Zn系酸化物(IGZOとも表記する)、In−Al−Zn
系酸化物、In−Sn−Zn系酸化物、Sn−Ga−Zn系酸化物、Al−Ga−Zn系
酸化物、Sn−Al−Zn系酸化物、In−Hf−Zn系酸化物、In−La−Zn系酸
化物、In−Ce−Zn系酸化物、In−Pr−Zn系酸化物、In−Nd−Zn系酸化
物、In−Sm−Zn系酸化物、In−Eu−Zn系酸化物、In−Gd−Zn系酸化物
、In−Tb−Zn系酸化物、In−Dy−Zn系酸化物、In−Ho−Zn系酸化物、
In−Er−Zn系酸化物、In−Tm−Zn系酸化物、In−Yb−Zn系酸化物、I
n−Lu−Zn系酸化物、四元系金属の酸化物であるIn−Sn−Ga−Zn系酸化物、
In−Hf−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Ga−Zn系酸化物、In−Sn−Al
−Zn系酸化物、In−Sn−Hf−Zn系酸化物、In−Hf−Al−Zn系酸化物を
用いることができる。
酸化物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、In、Ga及びZ
n以外の金属元素が含まれていてもよい。
Ga:Zn=2:2:1(=2/5:2/5:1/5)の原子比のIn−Ga−Zn系酸
化物やその組成の近傍の酸化物を用いることができる。または、In:Sn:Zn=1:
1:1(=1/3:1/3:1/3)、In:Sn:Zn=2:1:3(=1/3:1/
6:1/2)若しくはIn:Sn:Zn=2:1:5(=1/4:1/8:5/8)の原
子比のIn−Sn−Zn系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いるとよい。
)に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とする半導体特性を得るために
、キャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間結合距離ま
たは密度などを適切なものとすることが好ましい。
、アモルファスでもよいし、多結晶でもよい。または、アモルファス中に結晶性を有する
部分を含む構造でもよいし、非アモルファスでもよい。
110の好ましい形態の一は、c軸配向し、かつab面、表面または界面の方向から見て
三角形状または六角形状の原子配列を有し、c軸においては金属原子が層状または金属原
子と酸素原子とが層状に配列しており、ab面においてはa軸またはb軸の向きが異なる
(c軸を中心に回転した)結晶(CAAC:C Axis Aligned Cryst
al)を含む酸化物である。以下、このような酸化物を単にCAACと呼ぶこととする。
正三角形または正六角形の原子配列を有し、かつc軸方向に垂直な方向から見て、金属原
子が層状、または金属原子と酸素原子が層状に配列した相を含む。
AACは結晶化した部分(結晶部分)を含むが、1つの結晶部分と他の結晶部分の境界を
明確に判別できないこともある。
AACを構成する個々の結晶部分のc軸は一定の方向(例えば、CAACが形成される基
板面、CAACの表面などに垂直な方向)に揃っていてもよい。または、CAACを構成
する個々の結晶部分のab面の法線は一定の方向(例えば、CAACが形成される基板面
、CAACの表面などに垂直な方向)を向いていてもよい。
。また、可視光に対して透明であってもよいし、不透明であってもよい。
直な方向から観察すると三角形または六角形の原子配列が認められ、かつその膜断面を観
察すると金属原子または金属原子と酸素原子(または窒素原子)の層状配列が認められる
酸化物が挙げられる。
上方向をc軸方向とし、c軸方向と直交する面をab面とする。なお、単に上半分、下半
分という場合には、ab面を境とする。また、図6において、丸で囲まれたOは4配位の
Oを示し、二重丸で囲まれたOは3配位のOを示す。
配位のO)と、を有する構造を示す。ここでは、金属原子1個に対して、近接する酸素原
子のみ示した構造を小グループと呼ぶ。図6(A)の構造は、八面体構造をとるが、簡単
のため平面構造で示している。なお、図6(A)の上半分及び下半分には、それぞれ3個
ずつ4配位のOがある。図6(A)に示す小グループの電荷は0である。
配位のO)と、Gaに近接する2個の4配位のOと、を有する構造を示す。3配位のOは
、いずれもab面に存在する。図6(B)の上半分及び下半分には、それぞれ1個ずつ4
配位のOがある。また、Inも5配位をとるため、図6(B)に示す構造をとりうる。図
6(B)に示す小グループの電荷は0である。
る構造を示す。図6(C)の上半分には1個の4配位のOがあり、下半分には3個の4配
位のOがある。または、図6(C)の上半分に3個の4配位のOがあり、下半分に1個の
4配位のOがあってもよい。図6(C)に示す小グループの電荷は0である。
る構造を示す。図6(D)の上半分には3個の4配位のOがあり、下半分には3個の4配
位のOがある。図6(D)に示す小グループの電荷は+1である。
4配位のOがあり、下半分には1個の4配位のOがある。図6(E)に示す小グループは
電荷が−1となる。
を大グループ(ユニットセルともいう。)と呼ぶ。
6配位のInの上半分の3個のOは下方向にそれぞれ3個の近接するInを有し、下半分
の3個のOは上方向にそれぞれ3個の近接するInを有する。図6(B)に示す5配位の
Gaの上半分の1個のOは下方向に1個の近接するGaを有し、下半分の1個のOは上方
向に1個の近接するGaを有する。図6(C)に示す4配位のZnの上半分の1個のOは
下方向に1個の近接するZnを有し、下半分の3個のOは上方向にそれぞれ3個の近接す
るZnを有する。この様に、金属原子の上方向の4配位のOの数と、そのOの下方向にあ
る近接する金属原子の数は等しく、同様に金属原子の下方向の4配位のOの数と、そのO
の上方向にある近接する金属原子の数は等しい。Oは4配位なので、下方向にある近接す
る金属原子の数と、上方向にある近接する金属原子の数の和は4になる。従って、金属原
子の上方向にある4配位のOの数と、別の金属原子の下方向にある4配位のOの数との和
が4個のとき、金属原子を有する二種の小グループ同士は結合することができる。例えば
、6配位の金属原子(InまたはSn)が下半分の4配位のOを介して結合する場合には
、4配位のOが3個であるため、5配位の金属原子(GaまたはIn)、または4配位の
金属原子(Zn)のいずれかと結合することになる。
。また、このほかにも、層構造の合計の電荷が0となるように複数の小グループが結合し
て中グループを構成する。
を示す。図7(B)には、3つの中グループで構成される大グループを示す。なお、図7
(C)には、図7(B)の層構造をc軸方向から観察した場合の原子配列を示す。
ている。例えば、Snの上半分及び下半分にはそれぞれ3個ずつ4配位のOがあることを
丸枠の3で示している。同様に、Inの上半分及び下半分にはそれぞれ1個ずつ4配位の
Oがあり、丸枠の1で示している。同様に、下半分に1個の4配位のOがあり、上半分に
3個の4配位のOがあるZnと、上半分に1個の4配位のOがあり、下半分に3個の4配
位のOがあるZnと、を示している。
上から順に4配位のOが3個ずつ上半分及び下半分にあるSnが、4配位のOが1個ずつ
上半分及び下半分にあるInと結合し、そのInが、上半分に3個の4配位のOがあるZ
nと結合し、そのZnが、Znの下半分の1個の4配位のOを介して4配位のOが3個ず
つ上半分及び下半分にあるInと結合し、そのInが、上半分に1個の4配位のOがある
Zn2個からなる小グループと結合し、この小グループの下半分の1個の4配位のOを介
して4配位のOが3個ずつ上半分及び下半分にあるSnと結合している。この中グループ
が複数結合して大グループを構成する。
7、−0.5と考えることができる。例えば、In(6配位または5配位)、Zn(4配
位)、Sn(5配位または6配位)の電荷は、それぞれ+3、+2、+4である。従って
、Snを含む小グループの電荷は+1である。そのため、Snを含む層構造を形成するた
めには、電荷+1を打ち消す電荷−1をとる構造が必要となる。電荷−1をとる構造とし
て、図6(E)に示すように、2個のZnを含む小グループが挙げられる。例えば、Sn
を含む小グループが1個に対し、2個のZnを含む小グループが1個あれば、電荷が打ち
消されるため、層構造の合計の電荷を0とすることができる。
酸化物の結晶(In2SnZn3O8)を得ることができる。なお、得られるIn−Sn
−Zn系酸化物の層構造は、In2SnZn2O7(ZnO)m(mは0または自然数。
)の組成式で表すことができる。
物であるIn−Ga−Zn系酸化物(IGZOとも表記する。)、In−Al−Zn系酸
化物、Sn−Ga−Zn系酸化物、Al−Ga−Zn系酸化物、Sn−Al−Zn系酸化
物、In−Hf−Zn系酸化物、In−La−Zn系酸化物、In−Ce−Zn系酸化物
、In−Pr−Zn系酸化物、In−Nd−Zn系酸化物、In−Sm−Zn系酸化物、
In−Eu−Zn系酸化物、In−Gd−Zn系酸化物、In−Tb−Zn系酸化物、I
n−Dy−Zn系酸化物、In−Ho−Zn系酸化物、In−Er−Zn系酸化物、In
−Tm−Zn系酸化物、In−Yb−Zn系酸化物、In−Lu−Zn系酸化物、二元系
金属の酸化物であるIn−Zn系酸化物、Sn−Zn系酸化物、Al−Zn系酸化物、Z
n−Mg系酸化物、Sn−Mg系酸化物、In−Mg系酸化物、In−Ga系酸化物、な
どを用いた場合も同様である。
プのモデル図を示す。
上から順に4配位のOが3個ずつ上半分及び下半分にあるInが、1個の4配位のOが上
半分にあるZnと結合し、そのZnが、Znの下半分の3個の4配位のOを介して、4配
位のOが1個ずつ上半分及び下半分にあるGaと結合し、そのGaが、Gaの下半分の1
個の4配位のOを介して、4配位のOが3個ずつ上半分及び下半分にあるInと結合して
いる。この中グループが複数結合して大グループを構成する。
には、図8(B)の層構造をc軸方向から観察した場合の原子配列を示している。
れぞれ+3、+2、+3であるため、In、Zn及びGaのいずれかを含む小グループは
、電荷が0となる。そのため、これらの小グループの組み合わせであれば中グループの合
計の電荷は常に0となる。
た中グループに限定されない。In、Ga、Znの配列が異なる複数の中グループが組み
合わせられた大グループも取りうる。
例えば1:2:2、2:1:3、1:1:1、または20:45:35の組成比の酸化物
ターゲットを用いればよい。
))。
ている場合には、酸化物半導体膜110の形成後、第2のエッチングマスク112の形成
前に、酸化物半導体膜110に酸素を供給する加熱処理を行ってもよい。
に限定されず、酸化物半導体膜110の加工時にマスクとして機能するものであればよい
。
半導体膜114を形成する(図2(B))。
グに用いるエッチングガスとしては、塩素ガス、または三塩化ホウ素ガスと塩素ガスの混
合ガスを例示列挙することができる。ただし、これに限定されず、ウエットエッチングを
用いてもよいし、他の手段を用いてもよい。
って第1の絶縁膜116を形成する(図2(C))。
料により形成されている場合には、酸素プラズマを用いたアッシングにより行えばよい。
または、レジスト剥離液を用いてもよい。または、これらの双方を用いてもよい。
ば、酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンにより形成すればよい。
m以下とすればよい。
れている。そのため、第1の絶縁膜116の形成後に、酸化物半導体膜114に酸素を供
給する加熱処理を行うことが好ましい。酸化物半導体膜114に酸素を供給する加熱処理
を行うことで、酸素欠陥の数を少なくすることができる。
い。
)。
に限定されず、第2の導電膜120の加工時にマスクとして機能するものであればよい。
電膜124を形成する(図3(C))。
に用いるエッチングガスとしては、塩素ガス、または三塩化ホウ素ガスと塩素ガスの混合
ガスを例示列挙することができる。ただし、これに限定されず、ウエットエッチングを用
いてもよいし、他の手段を用いてもよい。
いて酸化物半導体膜114にドーパントを添加し、ソース領域及びドレイン領域を有する
酸化物半導体膜126を形成する(図4(A))。酸化物半導体膜126は、ソース領域
及びドレイン領域の一方である領域126Aと、チャネル形成領域である領域126Bと
、ソース領域及びドレイン領域の他方である領域126Cと、を有する。
料により形成されている場合には、酸素プラズマを用いたアッシングにより行えばよい。
または、レジスト剥離液を用いてもよい。または、これらの双方を用いてもよい。
イオンドーピング法により行えばよい。または、ドーパントを含むガス雰囲気中でのプラ
ズマ処理により行ってもよい。また、添加するドーパントとしては、リンまたはヒ素など
を用いればよい。
もよい。または、ドーパントの添加は、後述する第2の絶縁膜118を形成した後に行っ
てもよい。
開口部を形成する部分以外の第2の絶縁膜118上に第4のエッチングマスク128を形
成する(図4(B))。
る。このような材料として、酸化アルミニウムが挙げられる。
に限定されず、第1の絶縁膜116及び第2の絶縁膜118の加工時にマスクとして機能
するものであればよい。
第1の絶縁膜116を加工して開口部130を形成する(図4(C))。ここで、第2の
絶縁膜118はエッチングされにくい材料により形成されているため、開口部130にお
いて第1の絶縁膜116の側面の基板面に対する傾斜角と第2の絶縁膜118の側面の基
板面に対する傾斜角は、第2の絶縁膜118の側面の基板面に対する傾斜角のほうが小さ
い。
よい。ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素ガス、または三塩化ホウ
素ガスと塩素ガスの混合ガスを例示列挙することができる。ただし、これに限定されず、
ウエットエッチングを用いてもよいし、他の手段を用いてもよい。
。なお、アルゴンに代えてヘリウムなど他の希ガス(ヘリウム、クリプトン、キセノンな
ど)を用いてもよい。アルゴンプラズマ処理により開口部130の表面の凹凸が除去され
て平坦性が向上する。
料により形成されている場合には、酸素プラズマを用いたアッシングにより行えばよい。
または、レジスト剥離液を用いてもよい。または、これらの双方を用いてもよい。
ように第3の導電膜132を形成し、第3の導電膜132上に第5のエッチングマスク1
34を形成する(図5(B))。
方法により形成すればよい。ただし、半導体装置が表示装置である場合には、インジウム
錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウ
ム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化
物、インジウム亜鉛酸化物または酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物などの透光
性を有する導電性材料により形成する。
などを生じずに第3の導電膜132を形成することができる。
に限定されず、第3の導電膜132の加工時にマスクとして機能するものであればよい。
0に逆スパッタリングを行うとよい(第2の態様)。逆スパッタリングはスパッタリング
装置内で行うことが可能であるため、スループットを低下させることなく開口部130に
存在するエッチング残渣などを除去することができるためである。なお、逆スパッタリン
グを行う場合には、図5(A)の状態で行えばよい。第4のエッチングマスク128を除
去する前に逆スパッタリングを行うと、逆スパッタリングを行った後に再度スパッタリン
グ装置内に基板100を搬入しなければならず、スループットが低下するためである。
を生じることなく第3の導電膜132を形成することができる。
3の導電膜136を形成する。その後、第5のエッチングマスク134を除去する(図5
(C))。
ばよい。
料により形成されている場合には、酸素プラズマを用いたアッシングにより行えばよい。
または、レジスト剥離液を用いてもよい。または、これらの双方を用いてもよい。
このとき、第1の絶縁膜116はエッチングされにくい材料により形成されるため、開口
部130において第2の絶縁膜118の側面の基板面に対する傾斜角と第1の絶縁膜11
6の側面の基板面に対する傾斜角は、第2の絶縁膜118の側面の基板面に対する傾斜角
のほうが大きくなる。
実施の形態1では開口部が2層の積層絶縁膜に形成される場合について説明したが、開
口部が形成される積層絶縁膜は3層であってもよい。本実施の形態では、開口部が形成さ
れる積層絶縁膜が3層である形態について説明する。すなわち、開口部形成前にパッシベ
ーション膜が形成され、該パッシバーション膜にも開口部が形成されてもよい。
202上に第1の導電膜204を形成し、第1の導電膜204に接して酸化物半導体膜2
06を形成し、酸化物半導体膜206を覆って第1の絶縁膜208を形成し、第1の絶縁
膜208上に第2の導電膜212を形成し、第1の絶縁膜208上及び第2の導電膜21
2を覆って第2の絶縁膜210及び第3の絶縁膜214を形成する。そして、開口部を形
成する部分以外の第3の絶縁膜214上に第1のエッチングマスク216を形成する(図
9(A))。
Aと、チャネル形成領域である領域206Bと、ソース領域及びドレイン領域の他方であ
る領域206Cと、を有する。
の絶縁膜208は、酸素供給源として機能する絶縁性酸化物(例えば、酸化シリコン、酸
化窒化シリコンまたは窒化酸化シリコン)を用いてスパッタリング法により形成する。
れている。そのため、第1の絶縁膜208の形成後に、酸化物半導体膜206に酸素を供
給する加熱処理を行うことが好ましい。
スバリア性が高く、第1の絶縁膜208及び第3の絶縁膜214よりもエッチングされに
くい材料により形成する。
3の絶縁膜214は、パッシベーション膜として機能するものである。第3の絶縁膜21
4の厚さは特に限定されないが、100nm以上とすればよい。
当する。
2の絶縁膜210及び第1の絶縁膜208を加工して開口部218を形成する(図9(B
))。ここで、第2の絶縁膜210はエッチングされにくい材料により形成されているた
め、開口部218において第1の絶縁膜208及び第3の絶縁膜214の側面の基板面に
対する傾斜角と、第2の絶縁膜210の側面の基板面に対する傾斜角は、第1の絶縁膜2
08及び第3の絶縁膜214の側面の基板面に対する傾斜角のほうが大きい。
るエッチングガスとしては、塩素ガス、または三塩化ホウ素ガスと塩素ガスの混合ガスを
例示列挙することができる。ただし、これに限定されず、ウエットエッチングを用いても
よいし、他の手段を用いてもよい。
。なお、アルゴンに代えてヘリウムなど他の希ガス(ヘリウム、クリプトン、キセノンな
ど)を用いてもよい。アルゴンプラズマ処理により開口部218の表面の凹凸が除去され
て平坦性が向上する。
において第1の導電膜204と接続されるように第3の導電膜220を形成し、第3の導
電膜220上に第2のエッチングマスク222を形成する(図9(C))。
スパッタリングを行うとよい(第2の態様)。逆スパッタリングはスパッタリング装置内
で行うことが可能であるため、スループットを低下させることなく開口部218に存在す
るエッチング残渣などを除去することができるためである。なお、逆スパッタリングを行
う場合には、第1のエッチングマスク216の除去後、第3の導電膜220の形成前に行
えばよい。第1のエッチングマスク216を除去する前に逆スパッタリングを行うと、逆
スパッタリングを行った後に再度スパッタリング装置内に基板200を搬入しなければな
らず、スループットが低下するためである。
、第2のエッチングマスク222を除去する(図示しない)。
至第3の絶縁膜の厚さによって開口部の形状が異なる。
形状を示す。被形成面300上に設けられた第1の絶縁膜302、第2の絶縁膜304及
び第3の絶縁膜306には開口部308が形成され、開口部308における第2の絶縁膜
304の側面の被形成面300に対する傾斜角は、開口部308における第1の絶縁膜3
02及び第3の絶縁膜306の側面の被形成面300に対する傾斜角よりも小さい。
。被形成面310上に設けられた第1の絶縁膜312、第2の絶縁膜314及び第3の絶
縁膜316には開口部318が形成され、開口部318における第2の絶縁膜314の側
面の被形成面310に対する傾斜角は、開口部318における第1の絶縁膜312及び第
3の絶縁膜316の側面の被形成面310に対する傾斜角よりも小さい。
。被形成面320上に設けられた第1の絶縁膜322、第2の絶縁膜324及び第3の絶
縁膜326には開口部328が形成され、開口部328における第2の絶縁膜324の側
面の被形成面320に対する傾斜角は、開口部328における第1の絶縁膜322及び第
3の絶縁膜326の側面の被形成面320に対する傾斜角よりも小さい。
れているため、第2の絶縁膜のエッチングは第1の絶縁膜及び第3の絶縁膜のエッチング
よりも長時間を要する。そのため、第2の絶縁膜がエッチングされる際に開口部の露出部
分が広いほど、エッチングにより生じたパーティクルなどが開口部に再付着する現象(リ
デポ)が顕著になる。図10(B)では、エッチングされにくい第2の絶縁膜のエッチン
グに際して開口部の広範囲にリデポが生じる。
は、第1の絶縁膜が第3の絶縁膜よりも薄い場合に行うと、特に顕著なものとなる。従っ
て、本発明の半導体装置では、第1の絶縁膜が第3の絶縁膜よりも薄いことが好ましい。
縁膜が同程度の厚さであってもよいし、第1の絶縁膜が第3の絶縁膜よりも厚くてもよい
。
示して説明しているが、本発明はこれに限定されず、トップゲートトップコンタクト型で
あってもよいし、ボトムゲートボトムコンタクト型であってもよいし、ボトムゲートトッ
プコンタクト型であってもよい。
該開口部が露出された状態でアルゴンプラズマに曝された本発明の一態様である実施例と
、を比較して説明する。
用いて形成した。厚さは100nmとした。
法を用いて形成した。厚さは150nmとした。
CVD法を用いて形成した。厚さは30nmとした。
た。厚さは100nmとした。
た。厚さは300nmとした。
チングマスク216が形成された状態で第3の絶縁膜214、第2の絶縁膜210及び第
1の絶縁膜208にエッチングを行って開口部218を形成した。該エッチングは下記の
条件で行った。
トリフルオロメタン(CHF3)ガス流量=22.5sccm
ヘリウム(He)ガス流量=127.5sccm
メタン(CH4)ガス流量=5sccm
反応室内圧力=5.0Pa
ICP電力=475W
上部電極と下部電極の間のバイアス電力=300W
基板の温度=70℃
を行った。該プラズマ処理は下記の条件で行った。
アルゴン(Ar)ガス流量=100sccm
反応室内圧力=1.35Pa
ICP電力=500W
上部電極と下部電極の間のバイアス電力=100W
基板の温度=−10℃
タリング法により形成した。該積層導電膜は、チタン層、タングステン層、アルミニウム
層及びチタン層の積層構造とし、それぞれの膜の厚さは20nm、50nm、200nm
、50nmとした。
面STEM(scanning transmission electron mic
roscope)像を図11に示す。図11(A)は比較例サンプルであり、図11(B
)は実施例サンプルである。
開口部218表面の凹凸が除去されており平坦性が高い。そのため、積層導電膜が高い均
一性で良好に形成されている。
0.4μm及び0.5μmにおいて、比較例サンプルでは非常にばらつきが大きかったが
、実施例サンプルではばらつきが小さく、且つ比較例サンプルにおける最も低い抵抗値近
傍に収束する傾向が見られた。
102 下地絶縁膜
104 第1の導電膜
106 第1のエッチングマスク
108 第1の導電膜
110 酸化物半導体膜
112 第2のエッチングマスク
114 酸化物半導体膜
116 第1の絶縁膜
118 第2の絶縁膜
120 第2の導電膜
122 第3のエッチングマスク
124 第2の導電膜
126 酸化物半導体膜
126A 領域
126B 領域
126C 領域
128 第4のエッチングマスク
130 開口部
132 第3の導電膜
134 第5のエッチングマスク
136 第3の導電膜
200 基板
202 下地絶縁膜
204 第1の導電膜
206 酸化物半導体膜
206A 領域
206B 領域
206C 領域
208 第1の絶縁膜
210 第2の絶縁膜
212 第2の導電膜
214 第3の絶縁膜
216 第1のエッチングマスク
218 開口部
220 第3の導電膜
222 第2のエッチングマスク
300 被形成面
302 第1の絶縁膜
304 第2の絶縁膜
306 第3の絶縁膜
308 開口部
310 被形成面
312 第1の絶縁膜
314 第2の絶縁膜
316 第3の絶縁膜
318 開口部
320 被形成面
322 第1の絶縁膜
324 第2の絶縁膜
326 第3の絶縁膜
328 開口部
Claims (2)
- 酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に、第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に、第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に、第3の絶縁膜を形成し、
前記第3の絶縁膜上に、エッチングマスクを形成し、
前記エッチングマスクを用いて、前記第1の絶縁膜に第1の開口部を形成し、前記第2の絶縁膜に第2の開口部を形成し、かつ前記第3の絶縁膜に第3の開口部を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第2の開口部における前記第2の絶縁膜の傾斜角は、前記第1の開口部における前記第1の絶縁膜の傾斜角、又は前記第3の開口部における前記第3の絶縁膜の傾斜角より大きく、
前記酸化物半導体膜は、Inと、Gaと、Znと、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に、第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に、第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に、エッチングマスクを形成し、
前記エッチングマスクを用いて、前記第1の絶縁膜に第1の開口部を形成し、かつ前記第2の絶縁膜に第2の開口部を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第2の開口部における前記第2の絶縁膜の傾斜角は、前記第1の開口部における前記第1の絶縁膜の傾斜角より大きく、
前記酸化物半導体膜は、Inと、Gaと、Znと、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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