JP2019029618A - 電子部品及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体素子の動作の安定化を図る。【解決手段】電子部品１３０は、撮像素子１４１と、撮像素子１４１を支持する絶縁基板部１７１と、撮像素子１４１と絶縁基板部１７１とに跨って配置されたループ導体１８１と、を備える。更に、電子部品１３０は、絶縁基板部１７１に設けられたループ導体１８２を備える。ループ導体１８２は、撮像素子１４１の受光面１４２と平行なＸ方向から見て、ループ導体１８１の一部又は全部を囲む位置に配置されている。【選択図】図３

Description

本発明は、半導体素子を有する電子部品、及び電子部品を有する電子機器に関する。

近年、半導体素子の高感度化に伴い、微弱な磁界ノイズであっても半導体素子において生成される信号へ与える影響が問題となっている。例えば、電子機器の一例であるデジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラにおいては、ＩＳＯ（International Organization for Standardization）の高感度化が求められる。そのため、半導体素子の一例である撮像素子では、入射する磁界ノイズが微弱であっても、生成される画像に乱れが発生する問題があった。磁界ノイズの発生源としては、例えば交換レンズの内部に配置されたレンズ駆動用のモータが挙げられる。

特許文献１には、撮像素子の主面である受光面に入射する磁界ノイズを低減させるために、撮像素子を囲繞するループ導体を設ける技術が記載されている。

特開平１１−２８４１６３号公報

特許文献１に記載されている技術は、半導体素子の主面に対して垂直に入射する磁界ノイズを低減するものであり、半導体素子の主面に対して平行な方向に入射する磁界ノイズについては記載されていない。一方、磁界ノイズの周波数が低いほど、導体を透過する磁束は多くなる傾向にある。したがって、半導体素子の主面に対して平行な方向に入射する低周波（例えば５００［ｋＨｚ］以下）の磁界ノイズについては、半導体素子の外周に導体が存在しても、導体によるシールド効果が低く、導体を通過してしまう問題があった。また、半導体素子と絶縁基板との間には、構造上、ループ導体が形成される。例えば半導体素子には、複数の電源端子が存在しており、各電源端子を絶縁基板に配置された同じ導体パターンに接続すると、ループ導体が形成される。半導体素子を囲繞する導体を通過した磁界ノイズが、半導体素子と絶縁基板との間に形成されたループ導体を鎖交すると、ループ導体にノイズ電流が誘起される。ループ導体に誘起されたノイズ電流が半導体素子に流入すると、半導体素子の動作が不安定となる。半導体素子が例えば撮像素子の場合には生成される画像に乱れが生じる。

そこで、本発明は、半導体素子の動作の安定化を図ることを目的とする。

本発明の電子部品は、半導体素子と、前記半導体素子を支持する絶縁基板部と、前記半導体素子と前記絶縁基板部とに跨って配置された第１ループ導体と、前記絶縁基板部に設けられ、前記半導体素子の主面と平行な方向から見て、前記第１ループ導体の一部又は全部を囲む位置に配置された第２ループ導体と、を備える、ことを特徴とする。

本発明によれば、半導体素子の動作が安定する。

第１実施形態に係る電子機器の一例である撮像装置を示す説明図である。 第１実施形態における電子部品の平面図である。 （ａ）は、図２のＩＩＩＡ−ＩＩＩＡ線に沿う電子部品の断面図である。（ｂ）は、図２のＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線に沿う電子部品の断面図である。 （ａ）は、第１実施形態に係る電子部品を模式的に示す斜視図である。（ｂ）は、第１ループ導体を示す斜視図である。（ｃ）は、第２ループ導体を示す斜視図である。 （ａ）及び（ｂ）は、第１実施形態の変形例を示す電子部品の平面図である。 磁界ノイズ源のモデルを示す説明図である。 実施例１及び比較例１の電磁界シミュレーション結果を示すグラフである。 第２実施形態に係る電子部品の断面図である。 実施例２及び実施例１の電磁界シミュレーション結果を示すグラフである。 第３実施形態に係る電子部品の断面図である。 実施例２及び実施例３の電磁界シミュレーション結果を示すグラフである。 （ａ）は、第４実施形態に係る電子部品を模式的に示す斜視図である。（ｂ）は、第４実施形態に係る電子部品の平面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、実施例４及び実施例５の電磁界シミュレーション結果を示すグラフである。 （ａ）は、第５実施形態に係る電子部品を模式的に示す斜視図である。（ｂ）は、第５実施形態に係る電子部品の平面図である。 実施例６及び実施例７の電磁界シミュレーション結果を示すグラフである。 （ａ）は、第６実施形態に係る電子部品の平面図である。（ｂ）は、第６実施形態に係る電子部品の断面図である。 実施例８及び比較例２の電磁界シミュレーション結果を示すグラフである。

以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る電子機器の一例である撮像装置１００を示す説明図である。撮像装置１００は、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ等のデジタルカメラであり、図１の例では、デジタル一眼レフカメラである。撮像装置１００は、本体１０１と、本体１０１に着脱可能なレンズ装置である交換レンズ１０２と、を備えている。本体１０１は、第１筐体である筐体１１０と、筐体１１０の内部に配置された電子部品１３０と、を備えている。交換レンズ１０２は、筐体１１０に着脱可能な第２筐体である筐体１２０と、筐体１２０の内部に配置されたレンズ１２１と、筐体１２０の内部に配置された、磁界発生源の一例である、レンズ１２１を駆動するモータ１２２と、を備えている。なお、モータ１２２は、筐体１１０の内部に配置されていてもよい。

電子部品１３０は、プリント回路板であり、半導体パッケージ１４０及びプリント配線板１６０を有している。半導体パッケージ１４０は、プリント配線板１６０に実装されている。具体的には、半導体パッケージ１４０は、はんだ等の導電性の接続材で機械的及び電気的にプリント配線板１６０に接続され、プリント配線板１６０に支持されている。なお、プリント配線板１６０には、半導体パッケージ１４０と電気的に接続された不図示の回路部品が実装されている。

図２は、第１実施形態における電子部品１３０の平面図である。図３（ａ）は、図２のＩＩＩＡ−ＩＩＩＡ線に沿う電子部品１３０の断面図である。図３（ｂ）は、図２のＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線に沿う電子部品１３０の断面図である。

半導体パッケージ１４０の構造は、ＬＣＣ（Leadless Chip Carrier）である。半導体パッケージ１４０は、パッケージ基板１５０、半導体素子の一例である撮像素子１４１、及び蓋体１４５を有している。

撮像素子１４１は、固体撮像素子、例えばＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサやＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサである。撮像素子１４１は、主面である受光面１４２を有し、受光面１４２で受けた光を電気信号に変換して画像信号として出力する。

パッケージ基板１５０は、第１絶縁基板である絶縁基板１５１と、絶縁基板１５１に設けられた、導体パターンやヴィア導体からなる導体１５２とで構成された多層基板である。導体１５２の導体パターンは、平板状の導体であり、導体１５２のヴィア導体は、絶縁基板１５１のヴィアに配置された導体である。絶縁基板１５１は、例えばセラミックで構成され、導体１５２は、例えばタングステンで構成されている。絶縁基板１５１は、凸部１５３と、凸部１５３で囲われた凹部１５４を有しており、凹部１５４に撮像素子１４１が収容されている。撮像素子１４１は、受光面１４２を凹部１５４の開口側に向けて凹部１５４の底に固定（実装）されている。

蓋体１４５は、ガラス等の透明板であり、撮像素子１４１の受光面１４２を覆うように、即ち凹部１５４を塞ぐように、絶縁基板１５１の凸部１５３に接着剤等で固定されている。これにより、撮像素子１４１を収容した凹部１５４が蓋体１４５により封止されている。なお、半導体パッケージ１４０は、以上の構成に限定するものではなく、種々の構成を採用することができる。

プリント配線板１６０は、第２絶縁基板である絶縁基板１６１と、絶縁基板１６１に設けられた、導体パターン及びヴィア導体からなる導体１６２とで構成された多層基板である。導体１６２の導体パターンは、平板状の導体であり、導体１６２のヴィア導体は、絶縁基板１６１のヴィアに配置された導体である。絶縁基板１６１は、例えばエポキシ樹脂で構成され、導体１６２は、例えば銅で構成されている。

絶縁基板１６１は、はんだ等の導電性の接続材１８４を介して絶縁基板１５１を支持している。絶縁基板１５１と絶縁基板１６１とで、撮像素子１４１を支持する絶縁基板部１７１が構成されている。撮像素子１４１は、ボンディングワイヤで絶縁基板１５１の表面に設けられた導体パッドに電気的に接続されている。表面の導体パッドは、絶縁基板１５１の内部に配置された導体パターン及びヴィア導体を介して、絶縁基板１５１の下部に配置された導体パッドに電気的に接続されている。絶縁基板１６１の表面には導体パッドが配置されている。絶縁基板１６１の表面に配置された導体パッドは、絶縁基板１５１の下部に配置された導体パッドとはんだ等の接続材１８４で電気的及び機械的に接続されている。

図４（ａ）は、第１実施形態に係る電子部品１３０を模式的に示す斜視図である。電子部品１３０は、撮像素子１４１と絶縁基板部１７１とに跨って配置された電源ライン１８０を有している。電源ライン１８０を介して撮像素子１４１に電力が供給される。電源ライン１８０は、撮像素子１４１と絶縁基板１５１とに跨って配置されたループ導体（第１ループ導体）１８１を含んでいる。図２においてループ導体１８１の図示は省略するが、ループ導体１８１は、撮像素子１４１の受光面１４２と垂直なＺ方向から見て、撮像素子１４１の複数（４つ）の辺１４１１，１４１２，１４１３，１４１４のうち、辺１４１１に沿うように配置されている。なお、４つの辺１４１１，１４１２，１４１３，１４１４のうち、辺１４１１，１４１３は長辺であり、辺１４１２，１４１４は短辺である。

図４（ｂ）は、ループ導体１８１を示す斜視図である。ループ導体１８１は、導体パターン１８１１、導体パターン１８１２、２つのヴィア導体１８１３，１８１４、２つの導体パッド１８１５，１８１６、及び２つのボンディングワイヤ１８１７，１８１８を含む。

導体パターン１８１１は、撮像素子１４１に配置されている。導体パターン１８１２、ヴィア導体１８１３，１８１４及び導体パッド１８１５，１８１６は、導体１５２（図３（ａ））の一部であり、絶縁基板１５１に配置されている。導体パッド１８１５，１８１６は、絶縁基板１５１の表面に配置され、導体パターン１８１２は絶縁基板１５１の内部又は裏面に配置されている。導体パターン１８１２と導体パッド１８１５，１８１６とはヴィア導体１８１３，１８１４で電気的に接続されている。導体パッド１８１５，１８１６と導体パターン１８１１とはボンディングワイヤ１８１７，１８１８で電気的に接続されている。

これにより、ループ導体１８１は、撮像素子１４１の受光面１４２と平行なＸ方向から見て、ループ状となっている。即ち、図３（ｂ）に示すように、ループ導体１８１は、ループＬ１を形成している。ループ導体１８１にモータ１２２から漏れ出た磁界ノイズの磁束が鎖交すると、ループ導体１８１にノイズ電流が誘起される。詳述すると、図３（ａ）に示すように、パッケージ基板１５０の絶縁基板１５１に磁界ノイズＨが入射すると、パッケージ基板１５０の導体層に配置された導体パターンよって、撮像素子１４１の受光面１４２に平行なＸ方向成分の磁界ノイズＨ１が支配的になる。プリント配線板１６０の絶縁基板１６１に対しても同様にＸ方向成分の磁界ノイズＨ１が支配的となる。ループ導体１８１に磁界ノイズＨ１の磁束が鎖交すると起電力が発生し誘導電流が流れる。

第１実施形態では、電子部品１３０は、第２ループ導体であるループ導体１８２を備える。ループ導体１８２は、撮像素子１４１の受光面１４２と平行なＸ方向から見て、ループ導体１８１の一部又は全部、好ましくは全部を囲む位置に配置されている。ループ導体１８２は、絶縁基板部１７１、第１実施形態では絶縁基板１５１に設けられている。即ち、ループ導体１８２は、導体１５２（図３（ａ））の一部であり、パッケージ基板１５０に含まれている。

ループ導体１８２に磁界ノイズＨ１の磁束が鎖交すると起電力が発生し誘導電流が流れる。この誘導電流は磁界ノイズＨ１を打ち消す方向に反磁界を発生させる。これにより、ループ導体１８１における磁界ノイズＨ１が低減される。よって、撮像素子１４１の動作が安定し、画像に乱れが生じるのが抑制される。

図４（ｃ）は、ループ導体１８２を示す斜視図である。ループ導体１８２は、撮像素子１４１の受光面１４２と垂直な方向であってＸ方向に直交するＺ方向に互いに間隔をあけて配置された２つの導体パターン１８２１，１８２２を有する。また、ループ導体１８２は、撮像素子１４１の受光面１４２と平行な方向であって、Ｘ方向に直交するＹ方向に互いに間隔をあけて配置された２つのヴィア導体１８２３，１８２４を有する。ヴィア導体１８２３，１８２４は、導体パターン１８２１と導体パターン１８２２との間に配置され、導体パターン１８２１と導体パターン１８２２とを電気的に接続している。このように、ループ導体１８２は、絶縁基板１５１に設けられた導体、即ち導体パターン１８２１，１８２２及びヴィア導体１８２３，１８２４で図３（ｂ）に示すループＬ２を形成している。

また、ループ導体１８２は、図２に示すように、パッケージ基板１５０の絶縁基板１５１において、Ｚ方向から見て、撮像素子１４１の外側、即ち図３（ａ）に示す絶縁基板１５１の凸部１５３が位置する外周部に配置されている。そして、ループ導体１８２の一部、具体的には、導体パターン１８２１の全部及びヴィア導体１８２３，１８２４の一部が、絶縁基板１５１の凸部１５３の内部に位置している。これにより、Ｘ方向から見て、ループ導体１８２で囲まれる面積を大きくすることができ、ループ導体１８１の全部をループ導体１８２で囲うことができる。よって、ループ導体１８１における磁界ノイズＨ１をより効果的に低減することができる。また、ループ導体１８２において磁束が鎖交する面積が大きくなるので、反磁界をより大きく発生させることができる。したがって、ループ導体１８１における磁界ノイズをより効果的に低減することができる。

ループ導体１８２は、図２に示すように、Ｚ方向から見て、撮像素子１４１の複数の辺、即ち４辺１４１１，１４１２，１４１３，１４１４のうち、辺１４１１に沿うように配置されている。ループ導体１８１も辺１４１１に沿って配置されているため、ループ導体１８２をループ導体１８１に近接して配置していることとなり、ループ導体１８１における磁界ノイズＨ１をより効果的に低減することができる。

また、ループ導体１８２は、ループ導体１８１と非接続となるように配置されており、ループ導体１８２に発生した誘導電流がループ導体１８１に流れ込まないようになっている。なお、ループ導体１８２は、パッケージ基板１５０における他の導体、例えば電源ラインや信号ライン、グラウンドラインと非接続であるのが好ましいが、グラウンドラインに電気的に接続されていてもよい。

ループ導体１８１とループ導体１８２とは、離間距離が短いほどよく、第１実施形態では、ループ導体１８１の一部が、導体パターン１８２１，１８２２の間に位置している。即ち、Ｚ方向から見て、ループ導体１８１の一部が、導体パターン１８２１，１８２２と重なっている。

また、絶縁基板１５１にループ導体１８２が配置されているので、パッケージ基板１５０とは別の部材を追加する必要がなく、省スペース化やコストダウンすることができる。

なお、ループ導体１８１及びループ導体１８２が１つの場合について説明したが、複数の場合であってもよい。図５（ａ）及び図５（ｂ）は、第１実施形態の変形例を示す電子部品の平面図である。例えば、図５（ａ）に示すように、撮像素子１４１の短辺である辺１４１２側にもループ導体１８１及びループ導体１８２が配置されていてもよい。また、例えば、図５（ｂ）に示すように、撮像素子１４１の長辺である辺１４１３側及び短辺である辺１４１２，１４１４側にもループ導体１８１及びループ導体１８２が配置されていてもよい。なお、図５（ａ）及び図５（ｂ）において、ループ導体１８１の図示は省略している。

（実施例１）
第１実施形態の電子部品１３０に対応する実施例１として、電子部品１３０における鎖交磁束を検証する磁界解析を行った。解析ツールとしては、電磁界シミュレータであるＡＮＳＹＳ社のＭａｘｗｅｌｌ ３Ｄを使用した。

ループ導体１８２における導体パターン１８２１，１８２２のサイズは、４０［ｍｍ］×４［ｍｍ］×０．０１［ｍｍ］とした。導体パターン１８２１，１８２２の材質はタングステンとし、導電率σ＝１．８２×１０^７［Ｓ／ｍ］とした。導体パターン１８２１と導体パターン１８２２とは、Ｚ方向に４［ｍｍ］間隔をあけて配置した。ヴィア導体１８２３，１８２４のサイズは、直径０．２［ｍｍ］、長さ４［ｍｍ］とした。ヴィア導体１８２３，１８２４の材質は、導体パターン１８２１，１８２２と同一のタングステンとした。ヴィア導体１８２３，１８２４の中心間の距離を３８［ｍｍ］とし、導体パターン１８２１，１８２２の中心から１９［ｍｍ］の距離に配置した。

図６は、磁界ノイズ源のモデルを示す説明図である。図６に示すように、磁界ノイズ源として、ヘルムホルツコイル９００のモデルとした。このヘルムホルツコイル９００のモデルにおいて、電子部品１３０にＸ方向に一様に磁界ノイズＨ１が入射する場合を想定した。ヘルムホルツコイル９００のサイズは、コイル半径を２００［ｍｍ］、コイルを構成する銅配線の太さを２０［ｍｍ］とし、導電率σ＝５．８×１０^７［Ｓ／ｍ］とした。ヘルムホルツコイル９００には、磁界ノイズ源の周波数として１００［ｋＨｚ］の正弦波の交流電流１［Ａ］を流した。

評価ポイントは、被害を受ける回路を成すループ導体１８１で囲われた内側の領域である、図４（ｂ）において破線で示す領域Ｒ１とした。評価量は、領域Ｒ１を鎖交する磁束とした。鎖交磁束は、領域Ｒ１を３６．５［ｍｍ］×３．５［ｍｍ］として、下記の式（１）から算出した。
Φ＝Ｂ・Ｓ ・・・（１）
Φは鎖交磁束［Ｗｂ］、Ｂは磁束密度［Ｔ］、Ｓは領域Ｒ１の面積１．２７７５×１０^−４［ｍ^２］である。

比較例１として、ループ導体１８２のヴィア導体１８２３，１８２４を省略して導体パターン１８２１，１８２２のみを絶縁基板１５１に配置した電子部品をモデルとした。導体パターン１８２１，１８２２の条件は実施例１と同一とした。

図７は、実施例１及び比較例１の電磁界シミュレーション結果を示すグラフである。図７に示すように、実施例１における鎖交磁束は５０６．１×１０^−１２［Ｗｂ］となり、比較例１における鎖交磁束５１４．４×１０^−１２［Ｗｂ］よりも１．５％低減した。

［第２実施形態］
次に、第２実施形態に係る電子機器の一例である撮像装置の電子部品について説明する。図８は、第２実施形態に係る電子部品２３０の断面図である。なお、図８に示す第２実施形態の電子部品２３０において、第１実施形態の電子部品１３０と同様の構成については同一符号を付し、その説明は省略する。

電子部品２３０は、プリント回路板であり、半導体パッケージ２４０及びプリント配線板２６０を有している。半導体パッケージ２４０は、プリント配線板２６０に実装されている。具体的には、半導体パッケージ２４０は、はんだ等の導電性の接続材で機械的及び電気的にプリント配線板２６０に接続され、プリント配線板２６０に支持されている。なお、プリント配線板２６０には、半導体パッケージ２４０と電気的に接続された不図示の回路部品が実装されている。

半導体パッケージ２４０の構造は、第１実施形態と同様、ＬＣＣである。半導体パッケージ２４０は、パッケージ基板２５０、撮像素子１４１、及び蓋体１４５を有している。パッケージ基板２５０は、絶縁基板１５１と、絶縁基板１５１に設けられた、導体パターンやヴィア導体からなる導体とで構成された多層基板である。

プリント配線板２６０は、絶縁基板１６１と、絶縁基板１６１に設けられた、導体パターン及びヴィア導体からなる導体とで構成された多層基板である。絶縁基板１５１と絶縁基板１６１とで、撮像素子１４１を支持する絶縁基板部１７１が構成されている。

第２実施形態の電子部品２３０は、第１実施形態と同様の構成の第１ループ導体であるループ導体１８１と、第１実施形態のループ導体１８２とは異なる構成の第２ループ導体であるループ導体２８２と、を有する。ループ導体２８２は、Ｘ方向から見て、ループ導体１８１の一部又は全部、好ましくは全部を囲む位置に配置されている。Ｚ方向から見たループ導体２８２の配置位置は、第１実施形態のループ導体１８２と同様である。

ループ導体２８２に磁界ノイズの磁束が鎖交すると起電力が発生し誘導電流が流れる。この誘導電流は磁界ノイズを打ち消す方向に反磁界を発生させる。これにより、ループ導体１８１における磁界ノイズが低減される。よって、撮像素子１４１の動作が安定し、画像に乱れが生じるのが抑制される。

第２実施形態では、ループ導体２８２は、絶縁基板部１７１、具体的には絶縁基板１５１と絶縁基板１６１とに跨って配置されている。以下、ループ導体２８２の構成について具体的に説明する。

ループ導体２８２は、絶縁基板１５１に配置された導体パターン２８２１を有する。また、ループ導体２８２は、絶縁基板１５１においてＹ方向に互いに間隔をあけて配置され、導体パターン２８２１に電気的に接続された２つのヴィア導体２８２３，２８２４を有する。また、ループ導体２８２は、絶縁基板１６１に配置された導体パターン２８２２を有する。また、ループ導体２８２は、絶縁基板１６１においてＹ方向に互いに間隔をあけて配置され、導体パターン２８２２に電気的に接続された２つのヴィア導体２８２５，２８２６を有する。更に、ループ導体２８２は、ヴィア導体２８２３とヴィア導体２８２５とを電気的に接続する、はんだ等の導電性の接続材２８２７と、ヴィア導体２８２４とヴィア導体２８２６とを電気的に接続する、はんだ等の導電性の接続材２８２８とを有する。接続材２８２７，２８２８は、半導体パッケージ２４０とプリント配線板２６０との機械的な接続も兼ねている。以上の構成でループ導体２８２は、図８に示すループＬ２を形成している。

以上、ループ導体２８２が絶縁基板１５１と絶縁基板１６１とに跨って配置されるので、Ｘ方向から見たときにループ導体２８２で囲まれる領域の面積を、第１実施形態で説明したループ導体１８２で囲まれる領域の面積よりも大きくことができる。即ち、ループ導体２８２において磁束が鎖交する面積が大きくなるので、反磁界をより大きく発生させることができる。したがって、ループ導体１８１における磁界ノイズをより効果的に低減することができる。

また、ループ導体２８２は、ループ導体１８１と非接続となるように配置されており、ループ導体２８２に発生した誘導電流がループ導体１８１に流れ込まないようになっている。なお、ループ導体２８２は、パッケージ基板２５０及びプリント配線板２６０における他の導体、例えば電源ラインや信号ライン、グラウンドラインと非接続であるのが好ましいが、グラウンドラインに電気的に接続されていてもよい。

ループ導体１８１とループ導体２８２とは、離間距離が短いほどよく、第２実施形態では、ループ導体１８１の一部が、導体パターン２８２１，２８２２の間に位置している。即ち、Ｚ方向から見て、ループ導体１８１の一部が、導体パターン２８２１，２８２２と重なっている。

また、絶縁基板１５１及び絶縁基板１６１に跨ってループ導体２８２が配置されているので、パッケージ基板２５０、プリント配線板２６０及び接続材２８２７，２８２８とは別の部材を追加する必要がなく、省スペース化やコストダウンすることができる。

なお、ループ導体１８１及びループ導体２８２がそれぞれ１つの場合について説明したが、例えば図５（ａ）や図５（ｂ）のように、複数の場合であってもよい。この場合、複数のループ導体２８２を互いに接続してもよい。

（実施例２）
第２実施形態の電子部品２３０に対応する実施例２として、電子部品２３０における鎖交磁束を検証する磁界解析を行った。解析ツールとしては、電磁界シミュレータであるＡＮＳＹＳ社のＭａｘｗｅｌｌ ３Ｄを使用した。

絶縁基板１５１に配置される導体パターン２８２１のサイズは、４０［ｍｍ］×４［ｍｍ］×０．０１［ｍｍ］とした。導体パターン２８２１の材質はタングステンとし、導電率σ＝１．８２×１０^７［Ｓ／ｍ］とした。

絶縁基板１６１に配置される導体パターン２８２２は、導体パターン２８２１から４．８［ｍｍ］離れた位置に配置し、サイズは、導体パターン２８２１と同一とした。導体パターン２８２２の材質は銅とし、導電率σ＝５．８×１０^７［Ｓ／ｍ］とした。

絶縁基板１５１に配置されるヴィア導体２８２３，２８２４は、直径０．２［ｍｍ］、長さ４［ｍｍ］とした。ヴィア導体２８２３，２８２４の材質は、導体パターン２８２１と同一のタングステンとした。ヴィア導体２８２３，２８２４は中心間の距離を３８［ｍｍ］とし、導体パターン２８２１の中心から１９［ｍｍ］の距離に配置した。

絶縁基板１６１に配置されるヴィア導体２８２５，２８２６は、直径０．２［ｍｍ］、長さ０．５８［ｍｍ］とした。ヴィア導体２８２５，２８２６の材質は、導体パターン２８２２と同一の銅とした。ヴィア導体２８２５，２８２６は中心間の距離を３８［ｍｍ］とし、導体パターン２８２２の中心から１９［ｍｍ］の距離に配置した。

接続材２８２７，２８２８のサイズは、直径０．２［ｍｍ］、高さ０．２［ｍｍ］の円柱モデルとした。接続材２８２７，２８２８の材質ははんだとし、導電率σ＝０．７×１０^７［Ｓ／ｍ］とした。

実施例２では、磁界ノイズ源として、実施例１と同様、図６に示すヘルムホルツコイル９００のモデルとし、評価量及び評価ポイントも、実施例１と同一とした。

図９は、実施例２及び実施例１の電磁界シミュレーション結果を示すグラフである。実施例２における鎖交磁束は４９５．５×１０^−１２［Ｗｂ］となり、実施例１における鎖交磁束５０６．１×１０^−１２［Ｗｂ］よりも２．１％低減した。

［第３実施形態］
次に、第３実施形態に係る電子機器の一例である撮像装置の電子部品について説明する。図１０は、第３実施形態に係る電子部品３３０の断面図である。なお、図１０に示す第３実施形態の電子部品３３０において、第１実施形態の電子部品１３０、第２実施形態の電子部品２３０と同様の構成については同一符号を付し、その説明は省略する。

電子部品３３０は、プリント回路板であり、半導体パッケージ３４０及びプリント配線板３６０を有している。半導体パッケージ３４０は、プリント配線板３６０に実装されている。具体的には、半導体パッケージ３４０は、はんだ等の導電性の接続材で機械的及び電気的にプリント配線板３６０に接続され、プリント配線板３６０に支持されている。なお、プリント配線板３６０には、半導体パッケージ３４０と電気的に接続された不図示の回路部品が実装されている。

半導体パッケージ３４０の構造は、第１実施形態と同様、ＬＣＣである。半導体パッケージ３４０は、パッケージ基板３５０、撮像素子１４１、及び蓋体１４５を有している。パッケージ基板３５０は、絶縁基板１５１と、絶縁基板１５１に設けられた、導体パターンやヴィア導体からなる導体とで構成された多層基板である。

プリント配線板３６０は、絶縁基板１６１と、絶縁基板１６１に設けられた、導体パターン及びヴィア導体からなる導体とで構成された多層基板である。絶縁基板１５１と絶縁基板１６１とで、撮像素子１４１を支持する絶縁基板部１７１が構成されている。

第３実施形態の電子部品３３０は、第１ループ導体であるループ導体３８１と、第１実施形態と同様の構成の第２ループ導体であるループ導体１８２と、第３ループ導体であるループ導体３８３と、を有する。ループ導体３８１は、絶縁基板１５１と絶縁基板１６１とに跨って配置され、ループＬ１を形成している。ループ導体３８３は、絶縁基板１６１に設けられている。ループ導体３８３は、Ｘ方向から見て、ループ導体１８２とＺ方向で隣り合うように配置されている。

ループ導体３８３は、Ｚ方向に互いに間隔をあけて配置された２つの導体パターン３８３１，３８３２を有する。また、ループ導体３８３は、Ｙ方向に互いに間隔をあけて配置された２つのヴィア導体３８３３，３８３４を有する。ヴィア導体３８３３，３８３４は、導体パターン３８３１と導体パターン３８３２との間に配置され、導体パターン３８３１と導体パターン３８３２とを電気的に接続している。このように、ループ導体３８３は、絶縁基板１６１に設けられた導体、即ち導体パターン３８３１，３８３２及びヴィア導体３８３３，３８３４でループＬ３を形成している。

ループ導体１８２とループ導体３８３とは、電気的に接続されていなくてもよいが、電気的に接続されているのが好ましい。具体的に説明すると、絶縁基板１５１に配置されたヴィア導体１８２３と絶縁基板１６１に配置されたヴィア導体３８３３とが、はんだ等の導電性の接続材３８４１で電気的に接続されている。また、絶縁基板１５１に配置されたヴィア導体１８２４と絶縁基板１６１に配置されたヴィア導体３８３４とが、はんだ等の導電性の接続材３８４２で電気的に接続されている。

これにより、ループＬ２とループＬ３とを合わせた大きなループと、ループＬ２やループＬ３の個別のループが形成される。ループＬ２，Ｌ３の各々を鎖交する磁界ノイズの磁束により反磁界が発生し、ループ導体３８１における磁界ノイズが低減される。また、ループＬ２とループＬ３とを合わせた大きなループにより、全体として鎖交磁束が増加し、誘導電流が増加する。したがって、反磁界をより大きく発生させることができ、ループ導体３８１における磁界ノイズをより効果的に低減することができる。ループＬ２とループＬ３とを合わせた大きなループは、Ｘ方向から見て、ループＬ１よりも面積が大きく、かつループＬ１全体を囲むように形成されるのが好ましい。

また、ループ導体３８３は、ループ導体１８２と同様、Ｚ方向から見て、撮像素子１４１の外側に配置されている。そして、ループ導体１８２の一部、具体的には、導体パターン１８２１の全部及びヴィア導体１８２３，１８２４の一部が、絶縁基板１５１の凸部１５３の内部に位置している。これにより、Ｘ方向から見て、ループ導体１８２とループ導体３８３とを合わせたループで囲まれる面積を大きくすることができ、ループ導体３８１の全部をループ導体１８２とループ導体３８３とで囲うことができる。よって、ループ導体３８１における磁界ノイズをより効果的に低減することができる。また、ループ導体１８２とループ導体３８３とを合わせたループにおいて磁束が鎖交する面積が大きくなるので、反磁界をより大きく発生させることができる。したがって、ループ導体３８１における磁界ノイズをより効果的に低減することができる。

また、絶縁基板１５１にループ導体１８２が配置され、絶縁基板１６１にループ導体３８３が配置されている。したがって、パッケージ基板３５０、プリント配線板３６０及び接続材３８４１，３８４２とは別の部材を追加する必要がなく、省スペース化やコストダウンすることができる。

また、パッケージ基板３５０の導体とプリント配線板３６０の導体とが異なる材質で構成されていても、磁界ノイズを効果的に低減できる。

なお、ループ導体３８１、ループ導体１８２及びループ導体３８３がそれぞれ１つの場合について説明したが、例えば図５（ａ）や図５（ｂ）のように、複数の場合であってもよい。この場合、複数のループ導体１８２を互いに接続してもよいし、複数のループ導体３８３を互いに接続してもよい。

（実施例３）
第３実施形態の電子部品３３０に対応する実施例３として、電子部品３３０における鎖交磁束を検証する磁界解析を行った。解析ツールとしては、電磁界シミュレータであるＡＮＳＹＳ社のＭａｘｗｅｌｌ ３Ｄを使用した。

ループ導体１８２については、実施例１と同じ条件とした。ループ導体３８３の条件について説明する。導体パターン３８３１，３８３２のサイズは、ループ導体１８２の導体パターン１８２１，１８２２のサイズと同一とした。導体パターン３８３１，３８３２の材質は銅とし、導電率σ＝５．８×１０^７［Ｓ／ｍ］とした。絶縁基板１５１に配置した導体パターン１８２２と絶縁基板１６１に配置した導体パターン３８３１とは、Ｚ方向に０．２［ｍｍ］間隔をあけて配置した。

ヴィア導体３８３３，３８３４のサイズは、直径０．２［ｍｍ］、長さ０．５８［ｍｍ］とした。ヴィア導体３８３３，３８３４の材質は、導体パターン３８３１，３８３２と同一の銅とした。ヴィア導体３８３３，３８３４は中心間の距離を３８［ｍｍ］とし、ヴィア導体３８３３，３８３４の中心から１９［ｍｍ］の距離に配置した。

接続材３８４１，３８４２のサイズは、直径０．２［ｍｍ］、高さ０．２［ｍｍ］の円柱モデルとした。接続材３８４１，３８４２の材質は、はんだとし、導電率σ＝０．７×１０^７［Ｓ／ｍ］とした。

実施例３では、磁界ノイズ源として、実施例１，２と同様、図６に示すヘルムホルツコイル９００のモデルとし、評価量及び評価ポイントも、実施例１，２と同一とした。

図１１は、実施例２及び実施例３の電磁界シミュレーション結果を示すグラフである。実施例３における鎖交磁束は４８９．１×１０^−１２［Ｗｂ］となり、実施例２における鎖交磁束４９５．５×１０^−１２［Ｗｂ］よりも１．３％低減した。

［第４実施形態］
次に、第４実施形態に係る電子機器の一例である撮像装置の電子部品について説明する。図１２（ａ）は、第４実施形態に係る電子部品４３０を模式的に示す斜視図である。図１２（ｂ）は、第４実施形態に係る電子部品４３０の平面図である。なお、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示す第４実施形態の電子部品４３０において、第１実施形態の電子部品１３０と同様の構成については同一符号を付し、その説明は省略する。

電子部品４３０は、プリント回路板であり、半導体パッケージ４４０及びプリント配線板１６０を有している。半導体パッケージ４４０は、プリント配線板１６０に実装されている。具体的には、半導体パッケージ４４０は、はんだ等の導電性の接続材で機械的及び電気的にプリント配線板１６０に接続され、プリント配線板１６０に支持されている。なお、プリント配線板１６０には、半導体パッケージ４４０と電気的に接続された不図示の回路部品が実装されている。

半導体パッケージ４４０の構造は、第１実施形態と同様、ＬＣＣである。半導体パッケージ４４０は、パッケージ基板４５０及び撮像素子１４１を有している。パッケージ基板４５０は、絶縁基板１５１と、絶縁基板１５１に設けられた、導体パターンやヴィア導体からなる導体とで構成された多層基板である。

電子部品４３０は、第１実施形態と同様の構成の第１ループ導体であるループ導体１８１と、第１実施形態と同様の構成の第２ループ導体であるループ導体１８２とを有している。

ループ導体１８１は、Ｚ方向から見て、撮像素子１４１の複数の辺１４１１，１４１２，１４１３，１４１４のうち、２つの辺１４１１，１４１２のそれぞれに沿うように複数配置されている。なお、図１２（ａ）では、撮像素子１４１の辺１４１１に沿って配置されたループ導体１８１のみ図示し、辺１４１２に沿って配置されたループ導体１８１については図示を省略している。

ループ導体１８２は、Ｚ方向から見て、撮像素子１４１の複数（２つ）の辺１４１１，１４１２のそれぞれに沿うように複数配置されている。そして、２つのループ導体１８２が互いに接続されて、Ｚ方向から見て、撮像素子１４１の隣り合う２辺１４１１，１４１２に沿うようにＬ字形状となっている。

２つのループ導体１８２からなる構造体は、Ｚ方向に互いに間隔をあけて配置された、Ｚ方向から見てＬ字形状の導体パターン４８２１，４８２２を有する。また、２つのループ導体１８２からなる構造体は、導体パターン４８２１と導体パターン４８２２とを電気的に接続する３つのヴィア導体４８２３，４８２４，４８２５を有する。

導体パターン４８２１，４８２２と、ヴィア導体４８２３，４８２４とで、Ｘ方向から見て、１つのループＬ２１が形成されている。導体パターン４８２１，４８２２と、ヴィア導体４８２４，４８２５とで、Ｙ方向から見て、１つのループＬ２２が形成されている。

ループＬ２１で構成されるループ導体１８２は、Ｘ方向から見て、辺１４１１に沿って配置されたループ導体１８１の一部又は全部、好ましくは全部を囲むように配置されている。ループＬ２２で構成されるループ導体１８２は、Ｙ方向から見て、辺１４１２に沿って配置されたループ導体１８１の一部又は全部、好ましくは全部を囲むように配置されている。なお、各ループ導体１８２は、各ループ導体１８１に対して、第１実施形態と同様の配置関係にあるため、説明を省略する。

第４実施形態によれば、磁界ノイズがＸ，Ｙ方向から撮像素子１４１に入射する場合であっても、ループＬ２１，Ｌ２２に起電力が発生し、誘導電流が流れる。誘導電流は磁界ノイズを打ち消す反磁界を発生させる。よって、各ループ導体１８１に鎖交する磁束が低減され、撮像素子１４１の動作が安定し、画像に乱れが生じるのが抑制される。

また、絶縁基板１５１にループ導体１８２が配置されているので、パッケージ基板４５０とは別の部材を追加する必要がなく、省スペース化やコストダウンすることができる。

なお、ループ導体１８２を撮像素子１４１の２辺に配置する場合について説明したが、３辺以上に配置してもよい。

（実施例４）
第４実施形態の電子部品４３０に対応する実施例４として、電子部品４３０における鎖交磁束を検証する磁界解析を行った。解析ツールとしては、電磁界シミュレータであるＡＮＳＹＳ社のＭａｘｗｅｌｌ ３Ｄを使用した。

Ｌ字形状の導体パターン４８２１，４８２２のサイズは、外側の長辺（Ｘ方向から見たときに臨む辺）が４０［ｍｍ］、外側の短辺（Ｙ方向から見たときに臨む辺）が３５［ｍｍ］、幅４［ｍｍ］、厚み０．０１［ｍｍ］とした。導体パターン４８２１，４８２２の材質はタングステンとし、導電率σ＝１．８２×１０^７［Ｓ／ｍ］とした。導体パターン４８２１と導体パターン４８２２とは、Ｚ方向に４［ｍｍ］間隔をあけて配置した。

ヴィア導体４８２３，４８２４，４８２５のサイズは、直径０．２［ｍｍ］、長さ４［ｍｍ］とした。ヴィア導体４８２３，４８２４，４８２５の材質は、導体パターン４８２１，４８２２と同一のタングステンとした。ヴィア導体４８２３，４８２４は、中心間の距離を３８［ｍｍ］とし、導体パターン４８２１，４８２２の長辺の中心から１９［ｍｍ］の距離に配置した。ヴィア導体４８２４，４８２５は、中心間の距離を３３［ｍｍ］とし、導体パターン４８２１，４８２２の短辺の中心から１６．５［ｍｍ］の距離に配置した。

ここで、磁界ノイズ源のモデルについて説明する。磁界ノイズ源として、実施例１と同様、ヘルムホルツコイル９００のモデルとした。実施例４では、ヘルムホルツコイル９００のモデルの配置を、Ｘ方向に磁界を発生させる配置と、Ｙ方向に磁界を発生させる配置の２パターンでそれぞれシミュレーションを行った。

Ｘ方向に磁界を発生させる配置の場合、評価量および評価ポイントは、実施例１と同一とした。Ｙ方向に磁界を発生させる配置の場合、評価量は、実施例１と同一とし、評価ポイント、即ち図４（ｂ）に示す領域Ｒ１は、３１［ｍｍ］×３．５［ｍｍ］とした。即ち、領域Ｒ１の面積を１．０８５×１０^−４［ｍ^２］とした。

（実施例５）
実施例１では、ループ導体１８１，１８２を長辺である辺１４１１（図２参照）に配置したが、実施例５では、実施例１の構成に加えて、更に短辺である辺１４１２（図５（ａ）参照）にも、ループ導体１８１，１８２を配置した場合をシミュレーションした。

辺１４１２側に配置したループ導体１８２における導体パターン１８２１，１８２２のサイズは、３５［ｍｍ］×４［ｍｍ］×０．０１［ｍｍ］とした。導体パターン１８２１，１８２２の材質はタングステンとし、導電率σ＝１．８２×１０^７［Ｓ／ｍ］とした。導体パターン１８２１と導体パターン１８２２とは、Ｚ方向に４［ｍｍ］間隔をあけて配置した。ヴィア導体１８２３，１８２４のサイズは、直径０．２［ｍｍ］、長さ４［ｍｍ］とした。ヴィア導体１８２３，１８２４の材質は、導体パターン１８２１，１８２２と同一のタングステンとした。ヴィア導体１８２３，１８２４は中心間の距離を３３［ｍｍ］とし、導体パターン１８２１，１８２２の中心から１６．５［ｍｍ］の距離に配置した。

ここで、磁界ノイズ源のモデルについて説明する。磁界ノイズ源として、実施例１と同様、ヘルムホルツコイル９００のモデルとした。実施例５では、ヘルムホルツコイル９００のモデルの配置を、Ｘ方向に磁界を発生させる配置と、Ｙ方向に磁界を発生させる配置の２パターンでそれぞれシミュレーションを行った。

図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、実施例４及び実施例５の電磁界シミュレーション結果を示すグラフである。図１３（ａ）には、実施例４及び実施例５においてＸ方向に磁界を発生させた場合、図１３（ｂ）には、実施例４及び実施例５においてＹ方向に磁界を発生させた場合を図示している。

図１３（ａ）に示すように、実施例４における鎖交磁束は、５０４．６×１０^−１２［Ｗｂ］となり、実施例５における鎖交磁束５０６．１×１０^−１２［Ｗｂ］よりも０．３％低減した。

また、図１３（ｂ）に示すように、実施例４における鎖交磁束は４２６．５×１０^−１２［Ｗｂ］となり、実施例５における鎖交磁束４２７．２×１０^−１２［Ｗｂ］よりも０．１７％低減した。

以上の構成により、実施例４では、実施例５のように独立した環状構造とする場合よりも、各ループ導体１８１における磁界ノイズを低減させることができる。これは、２つのループ導体１８２をＬ字形状に電気的に接続したことで、電気抵抗値が減少し、ループＬ２１，Ｌ２２に発生する誘導電流が増えるためである。誘導電流は各ループ導体１８１における磁界ノイズを打ち消すより大きな反磁界を発生し、各ループ導体１８１における鎖交磁束を低減させることができる。

［第５実施形態］
次に、第５実施形態に係る電子機器の一例である撮像装置の電子部品について説明する。図１４（ａ）は、第５実施形態に係る電子部品５３０を模式的に示す斜視図である。図１４（ｂ）は、第５実施形態に係る電子部品５３０の平面図である。なお、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示す第５実施形態の電子部品５３０において、第１実施形態の電子部品１３０と同様の構成については同一符号を付し、その説明は省略する。

電子部品５３０は、プリント回路板であり、半導体パッケージ５４０及びプリント配線板１６０を有している。半導体パッケージ５４０は、プリント配線板１６０に実装されている。具体的には、半導体パッケージ５４０は、はんだ等の導電性の接続材で機械的及び電気的にプリント配線板１６０に接続され、プリント配線板１６０に支持されている。なお、プリント配線板１６０には、半導体パッケージ５４０と電気的に接続された不図示の回路部品が実装されている。

半導体パッケージ５４０の構造は、第１実施形態と同様、ＬＣＣである。半導体パッケージ５４０は、パッケージ基板５５０及び撮像素子１４１を有している。パッケージ基板５５０は、絶縁基板１５１と、絶縁基板１５１に設けられた、導体パターンやヴィア導体からなる導体とで構成された多層基板である。

電子部品５３０は、第１実施形態と同様の構成の第１ループ導体であるループ導体１８１と、第１実施形態と同様の構成の第２ループ導体であるループ導体１８２とを有している。

ループ導体１８１は、Ｚ方向から見て、撮像素子１４１の複数（４つ）の辺１４１１，１４１２，１４１３，１４１４のそれぞれに沿うように複数配置されている。なお、図１４（ａ）では、撮像素子１４１の辺１４１１に沿って配置されたループ導体１８１のみ図示し、辺１４１２、辺１４１３、辺１４１４に沿って配置されたループ導体１８１については図示を省略している。

ループ導体１８２は、Ｚ方向から見て、撮像素子１４１の複数（４つ）の辺１４１１，１４１２，１４１３，１４１４のそれぞれに沿うように複数配置されている。そして、４つのループ導体１８２が互いに接続されて、Ｚ方向から見て、撮像素子１４１の隣り合う４辺１４１１，１４１２，１４１３，１４１４に沿うように四角のリング形状となっている。

４つのループ導体１８２からなる構造体は、Ｚ方向に互いに間隔をあけて配置された、Ｚ方向から見て四角のリング形状の導体パターン５８２１，５８２２を有する。また、４つのループ導体１８２からなる構造体は、導体パターン５８２１と導体パターン５８２２とを電気的に接続する４つのヴィア導体５８２３，５８２４，５８２５，５８２６を有する。以上の４つのループ導体１８２からなる構造体により、互いに電気的に接続された４つのループＬ２１，Ｌ２２，Ｌ２３，Ｌ２４が形成される。なお、各ループ導体１８２は、各ループ導体１８１に対して、第１実施形態と同様の配置関係にあるため、説明を省略する。

更に、第５実施形態では、Ｚ方向から見て、４つのループ導体１８２からなる構造体により、ループＬ２５が形成されている。第５実施形態によれば、４つのループＬ２１，Ｌ２２，Ｌ２３，Ｌ２４により、Ｘ，Ｙ方向のあらゆる方向からの磁界に対しても、磁界を打ち消す反磁界が発生し、ループ導体１８１における磁界ノイズを効果的に低減できる。更に、ループＬ２５により、Ｚ方向からの磁界に対しても、磁界を打ち消す反磁界が発生し、撮像素子１４１に入射する磁界ノイズを効果的に低減できる。よって、撮像素子１４１の動作が安定し、画像の乱れを効果的に抑制することができる。

また、絶縁基板１５１にループ導体１８２が配置されているので、パッケージ基板５５０とは別の部材を追加する必要がなく、省スペース化やコストダウンすることができる。

（実施例６）
第５実施形態の電子部品５３０に対応する実施例６として、電子部品５３０における鎖交磁束を検証する磁界解析を行った。解析ツールとしては、電磁界シミュレータであるＡＮＳＹＳ社のＭａｘｗｅｌｌ ３Ｄを使用した。

四角のリング形状の導体パターン５８２１，５８２２のサイズは、外側の長辺を４０［ｍｍ］、外側の短辺を３５［ｍｍ］、幅を４［ｍｍ］とし、厚みを０．０１［ｍｍ］とした。導体パターン５８２１，５８２２の材質はタングステンとし、導電率σ＝１．８２×１０^７［Ｓ／ｍ］とした。導体パターン５８２１と導体パターン５８２２とは、Ｚ方向に４［ｍｍ］間隔をあけて配置した。

ヴィア導体５８２３，５８２４，５８２５，５８２６のサイズは、直径０．２［ｍｍ］、長さ４［ｍｍ］とした。ヴィア導体５８２３，５８２４，５８２５，５８２６の材質は、導体パターン５８２１，５８２２と同一のタングステンとした。ヴィア導体５８２３とヴィア導体５８２４との中心間の距離、及びヴィア導体５８２５とヴィア導体５８２６との中心間の距離を３８［ｍｍ］とし、導体パターン５８２１，５８２２の長辺の中心から１９［ｍｍ］の距離に配置した。ヴィア導体５８２４とヴィア導体５８２５との中心間の距離、及びヴィア導体５８２６とヴィア導体５８２３との中心間の距離を３３［ｍｍ］とし、導体パターン５８２１，５８２２の短辺の中心から１６．５［ｍｍ］の距離に配置した。

ここで、磁界ノイズ源のモデルについて説明する。磁界ノイズ源として、実施例１と同様、ヘルムホルツコイル９００のモデルとした。実施例６では、ヘルムホルツコイル９００のモデルの配置を、Ｚ方向に磁界を発生させる配置でシミュレーションを行った。

評価量は、実施例１と同一とした。評価ポイントは、撮像素子１４１が被害を受ける回路とし、撮像素子１４１の上方の３６［ｍｍ］×３２［ｍｍ］の領域として、面積１１．５２×１０^−４［ｍ^２］とした。

（実施例７）
実施例７として、４つのループ導体１８２を互いに非接続とした場合（図５（ｂ）参照）についてシミュレーションした。図５（ｂ）に示すように、実施例５（図５（ａ））の残りの２辺（長辺、短辺）１４１３，１４１４にも、更に実施例５と同一サイズのループ導体１８２を設けた。

図１５は、実施例６及び実施例７の電磁界シミュレーション結果を示すグラフである。実施例６における鎖交磁束は８６０×１０^−１２［Ｗｂ］となり、実施例７における鎖交磁束６８０×１０^−１２［Ｗｂ］よりも２０．９％低減した。

［第６実施形態］
次に、第６実施形態に係る電子機器の一例である撮像装置の電子部品について説明する。図１６（ａ）は、第６実施形態に係る電子部品６３０の平面図である。図１６（ｂ）は、図１６（ａ）のＸＶＩＢ−ＸＶＩＢ線に沿う電子部品６３０の断面図である。なお、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示す第６実施形態の電子部品６３０において、第１実施形態の電子部品１３０と同様の構成については同一符号を付し、その説明は省略する。

第１〜第５実施形態では、撮像素子１４１がパッケージ基板に搭載される場合を例に説明したが、これに限定するものではない。以下、撮像素子１４１がプリント配線板６６０に直接搭載させる場合について説明する。

電子部品６３０は、撮像素子１４１と、撮像素子１４１が固定（実装）されるプリント配線板６６０と、を有する。また、電子部品６３０は、プリント配線板６６０に配置された、撮像素子１４１を囲う枠体６７１と、枠体６７１に固定された透明板である蓋体６７２と、を有する。

プリント配線板６６０は、絶縁基板６６１と、絶縁基板６６１に配置された導体パターン及びヴィア導体からなる導体と、で構成された多層基板である。撮像素子１４１は、例えば、ボンディングワイヤを介して、プリント配線板６６０の導体パッドに電気的に接続されている。

第６実施形態では、電子部品６３０は、電源ラインの一部であって第１ループ導体であるループ導体６８１を有する。ループ導体６８１は、撮像素子１４１と絶縁基板６６１とに跨って配置されている。第６実施形態では、絶縁基板６６１が絶縁基板部である。

更に、第６実施形態では、電子部品６３０は、絶縁基板６６１に設けられた、第２ループ導体であるループ導体６８２を有する。ループ導体６８２は、Ｘ方向から見て、ループ導体６８１の一部又は全部、第６実施形態では一部を囲む位置に配置されている。これにより、ループ導体６８１における磁界ノイズを低減することができる。

また、ループ導体６８２は、Ｚ方向から見て、撮像素子１４１の外側に配置されている。ループ導体６８２は、Ｚ方向に間隔をあけて配置された２つの導体パターン６８２１，６８２２と、Ｙ方向に間隔をあけて配置され、導体パターン６８２１，６８２２を電気的に接続する２つのヴィア導体６８２３，６８２４とを有する。このように、ループ導体６８２は、絶縁基板６５１に設けられた導体、即ち導体パターン６８２１，６８２２及びヴィア導体６８２３，６８２４でループＬ２を形成している。

また、ループ導体６８２は、ループ導体６８１と非接続となるように配置されており、ループ導体６８２に発生した誘導電流がループ導体６８１に流れ込まないようになっている。なお、ループ導体６８２は、プリント配線板６６０における他の導体、例えば電源ラインや信号ライン、グラウンドラインと非接続であるのが好ましいが、グラウンドラインに電気的に接続されていてもよい。

ループ導体６８１とループ導体６８２とは、離間距離が短いほどよく、第６実施形態では、ループ導体６８１の一部が、導体パターン６８２１，６８２２の間に位置している。即ち、Ｚ方向から見て、ループ導体６８１の一部が、導体パターン６８２１，６８２２と重なっている。

また、絶縁基板６５１にループ導体６８２が配置されているので、プリント配線板６６０とは別の部材を追加する必要がなく、省スペース化やコストダウンすることができる。

なお、ループ導体６８１及びループ導体６８２がそれぞれ１つの場合について説明したが、例えば図５（ａ）や図５（ｂ）のように、複数の場合であってもよい。この場合、第４又は第５実施形態のように、複数のループ導体６８２を互いに接続してもよい。

（実施例８）
第６実施形態の電子部品６３０に対応する実施例８として、電子部品６３０における鎖交磁束を検証する磁界解析を行った。解析ツールとしては、電磁界シミュレータであるＡＮＳＹＳ社のＭａｘｗｅｌｌ ３Ｄを使用した。

導体パターン６８２１，６８２２のサイズは、４０［ｍｍ］×４［ｍｍ］×０．０２［ｍｍ］とした。導体パターン６８２１，６８２２の材質は銅とし、導電率σ＝５．８×１０^７［Ｓ／ｍ］とした。導体パターン６８２１と導体パターン６８２２とは、Ｚ方向に０．６［ｍｍ］間隔をあけて配置した。

ヴィア導体６８２３，６８２４のサイズは、直径０．２［ｍｍ］、長さ０．６［ｍｍ］とした。ヴィア導体６８２３，６８２４の材質は、導体パターン６８２１，６８２２と同一の銅とした。ヴィア導体６８２３，６８２４の中心間の距離を３８［ｍｍ］とし、導体パターン６８２１，６８２２の中心から１９［ｍｍ］の距離に配置した。

磁界ノイズ源のモデルについては実施例１と同一条件であるため省略する。評価量としては、ループ導体６８１の内側の領域を鎖交する磁束とした。ループ導体６８１の内側の領域を３６．５［ｍｍ］×０．４［ｍｍ］として、磁束を、上述した式（１）から算出した。ここで、式（１）中、Ｓはループ導体６８１の内側の領域の面積であり、０．１４６×１０^−４［ｍ^２］である。

（比較例２）
比較例２として、導体パターン６８２１，６８２２のみを配置した電子部品をモデル化した。導体パターン６８２１，６８２２の条件は実施例８と同一であるため省略する。

図１７は、実施例８及び比較例２の電磁界シミュレーション結果を示すグラフである。実施例８における鎖交磁束は５７．１×１０^−１２［Ｗｂ］となり、比較例２の鎖交磁束５８．７×１０^−１２［Ｗｂ］よりも２．７％低減した。

なお、本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。また、実施形態に記載された効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載されたものに限定されない。

上記第１〜第６実施形態では、半導体素子が撮像素子である場合を例に説明したが、これに限定するものではなく、種々の半導体素子について本発明は適用可能である。また、上記第１〜第６実施形態では、電子機器が撮像装置である場合について説明したが、これに限定するものではなく、種々の電子機器について本発明は適用可能である。

また、上記第１〜第６実施形態では、半導体パッケージの構造が、ＬＣＣの場合について説明をしたが、これに限定するものではなく、例えばＬＧＡ（Land Grid Array）の場合であってもよい。

また、上記第１〜第６実施形態では、第１ループ導体が電源ラインで形成される場合について説明したが、グラウンドラインで形成される場合であってもよい。この場合、第２ループ導体は、電源ライン、グラウンドライン及び信号ラインと非接続であるのが好ましい。

また、上記第１、第４及び第５実施形態では、ループ導体１８２が絶縁基板１５１に配置される場合について説明したが、これに限定するものではない。例えば、ループ導体１８２が絶縁基板１５１と絶縁基板１６１とに跨って配置される場合であってもよし、絶縁基板１６１にのみ配置される場合であってもよい。

また、上記第１、第４及び第５実施形態では、電子部品が、半導体パッケージ及びプリント配線板を有する場合について説明したが、半導体パッケージのみで構成されていてもよい。

また、上記第１〜第６実施形態では、パッケージ基板とプリント配線板との積層構造について説明したが、これに限定するものではなく、複数のパッケージ基板の積層構造、即ち積層型半導体パッケージについても本発明は適用可能である。

また、第１ループ導体、第２ループ導体、第３ループ導体の構成についても、上記第１〜第６実施形態に例示したものに限定するものではなく、種々の変形が可能である。

１００…撮像装置（電子機器）、１３０…電子部品、１４１…撮像素子（半導体素子）、１４２…受光面（主面）、１５１…絶縁基板（第１絶縁基板）、１６１…絶縁基板（第２絶縁基板）、１７１…絶縁基板部、１８１…ループ導体（第１ループ導体）、１８２…ループ導体（第２ループ導体）

Claims (15)

1. 半導体素子と、
   前記半導体素子を支持する絶縁基板部と、
   前記半導体素子と前記絶縁基板部とに跨って配置された第１ループ導体と、
   前記絶縁基板部に設けられ、前記半導体素子の主面と平行な方向から見て、前記第１ループ導体の一部又は全部を囲む位置に配置された第２ループ導体と、を備える、
   ことを特徴とする電子部品。
2. 前記第２ループ導体は、前記半導体素子の主面と垂直な方向から見て、前記半導体素子の外側に配置されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
3. 前記絶縁基板部は、前記半導体素子が実装される第１絶縁基板を有し、
   前記第２ループ導体は、前記第１絶縁基板に設けられた導体でループを形成している、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品。
4. 前記絶縁基板部は、前記第１絶縁基板を支持する第２絶縁基板を有し、
   前記第２絶縁基板に設けられ、前記半導体素子の主面と平行な方向から見て、前記第２ループ導体の隣に配置された第３ループ導体を有する、
   ことを特徴とする請求項３に記載の電子部品。
5. 前記第３ループ導体は、前記第２ループ導体に電気的に接続されている、
   ことを特徴とする請求項４に記載の電子部品。
6. 前記絶縁基板部は、
   前記半導体素子が実装される第１絶縁基板と、
   前記第１絶縁基板を支持する第２絶縁基板と、を有し、
   前記第２ループ導体は、前記第１絶縁基板と前記第２絶縁基板とに跨って配置されている、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品。
7. 前記第２ループ導体は、前記半導体素子の主面と垂直な方向から見て、前記半導体素子の辺に沿うように配置されている、
   ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子部品。
8. 前記第２ループ導体は、前記半導体素子の主面と垂直な方向から見て、前記半導体素子の複数の辺のそれぞれに沿うように複数配置されている、
   ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子部品。
9. 複数の前記第２ループ導体が互いに接続されている、
   ことを特徴とする請求項８に記載の電子部品。
10. 前記第１ループ導体は、電源ラインで形成されるループ導体、又はグラウンドラインで形成されるループ導体ある、
    ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子部品。
11. 前記第１ループ導体と前記第２ループ導体とは、非接続である、
    ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電子部品。
12. 前記半導体素子は、撮像素子である、
    ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の電子部品。
13. 磁界発生源と、
    前記磁界発生源と間隔をあけて配置された半導体素子と、
    前記半導体素子を支持する絶縁基板部と、
    前記半導体素子と前記絶縁基板部とに跨って配置された第１ループ導体と、
    前記絶縁基板部に設けられ、前記半導体素子の主面と平行な方向から見て、前記第１ループ導体の一部又は全部を囲む位置に配置された第２ループ導体と、を備える、
    ことを特徴とする電子機器。
14. 前記半導体素子は、撮像素子である、
    ことを特徴とする請求項１３に記載の電子機器。
15. 前記磁界発生源は、モータである、
    ことを特徴とする請求項１３又は１４に記載の電子機器。

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