JP2019022920A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
ウエーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019022920A JP2019022920A JP2017142909A JP2017142909A JP2019022920A JP 2019022920 A JP2019022920 A JP 2019022920A JP 2017142909 A JP2017142909 A JP 2017142909A JP 2017142909 A JP2017142909 A JP 2017142909A JP 2019022920 A JP2019022920 A JP 2019022920A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- wafer
- processing
- inclination
- grinding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 277
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 192
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 45
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 31
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Description
本発明の実施形態1に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るウエーハの加工方法の加工対象のウエーハの斜視図である。図2は、図1に示すウエーハの表面に保護部材が貼着された状態の斜視図である。
本発明の実施形態2に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図12は、実施形態2に係るウエーハの加工方法の初期加工時の回転軸の傾きを説明する図である。
本発明の実施形態1及び実施形態2の変形例に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図13は、実施形態1及び実施形態2の変形例に係るウエーハの加工方法で用いられる研磨装置の構成例の斜視図である。なお、図13は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
(付記1)
ウエーハを保持するチャックテーブルと、
該チャックテーブルに保持された該ウエーハを研磨する研磨パッドと、該研磨パッドが装着されるスピンドル及び該スピンドルを回転駆動するモータとを含む研磨手段と、
該研磨手段を加工送りする加工送り手段と、
各構成要素を制御する制御装置と、を備えた研磨装置であって、
該チャックテーブルは、該ウエーハを保持する保持面の中心を通る回転軸の傾きを調整する傾き調整手段を備え、
該制御装置は、研磨手段を駆動させるアイドリングステップの実施後に、該チャックテーブルに保持されたウエーハを該研磨パッドで研磨する研磨ステップの一枚目のウエーハを研磨する際の該回転軸の鉛直方向に対する傾きを、二枚目以降のウエーハを研磨する際の該回転軸の鉛直方向に対する傾きよりも小さくすることを特徴とする研磨装置。
1−1 研磨装置
7 チャックテーブル
5 研磨ユニット(研磨手段)
12 加工送りユニット(加工送り手段)
51 研磨パッド
52 スピンドル
53 モータ
561 一部分(加工点)
71 保持面
72 回転軸
73 傾き調整機構(傾き調整手段)
711 中心
712 外周部
713 一部分(加工点)
200 ウエーハ
θ 回転軸の傾き
θ1 初期加工時の回転軸の傾き(初期加工条件)
θ2 連続加工時の回転軸の傾き(連続加工条件)
θ3 角度
ST1 アイドリングステップ
ST2 研削研摩ステップ(研磨ステップ)
Claims (2)
- ウエーハを保持するチャックテーブルと、
該チャックテーブルに保持された該ウエーハを研磨する研磨パッドと、該研磨パッドが装着されるスピンドル及び該スピンドルを回転駆動するモータとを含む研磨手段と、
該研磨手段を加工送りする加工送り手段と、を備えた研磨装置を用いるウエーハの加工方法であって、
該研磨手段を駆動させるアイドリングステップと、
該アイドリングステップの実施後に、該チャックテーブルに保持されたウエーハを該研磨パッドで研磨する研磨ステップと、
を少なくとも備え、
該研磨ステップにおける研磨条件は、
一枚目のウエーハを研磨する初期加工条件と、
二枚目以降のウエーハを研磨する連続加工条件との二種類が設定され、
該初期加工条件は、
該初期加工条件で一枚目のウエーハを研磨した際の研磨レートと、
該連続加工条件で二枚目以降のウエーハを研磨した際の研磨レートと、が同一になるように設定されることを特徴とするウエーハの加工方法。 - 該チャックテーブルは、
外周部が中心に比べて僅かに低い円錐状の保持面と、
該保持面の中心を通る回転軸と、
該回転軸の傾きを調整する傾き調整手段と、を少なくとも備え、
該初期加工条件は、
加工点において該研磨パッドと該チャックテーブルとの成す角度が該連続加工条件より大きくなるように該回転軸の傾きが設定されていることを特徴とする、
請求項1に記載のウエーハの加工方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017142909A JP6938262B2 (ja) | 2017-07-24 | 2017-07-24 | ウエーハの加工方法 |
CN201810762788.8A CN109290941B (zh) | 2017-07-24 | 2018-07-12 | 晶片的加工方法 |
TW107125037A TWI762680B (zh) | 2017-07-24 | 2018-07-19 | 晶圓加工方法 |
KR1020180084173A KR102506342B1 (ko) | 2017-07-24 | 2018-07-19 | 웨이퍼의 가공 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017142909A JP6938262B2 (ja) | 2017-07-24 | 2017-07-24 | ウエーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019022920A true JP2019022920A (ja) | 2019-02-14 |
JP6938262B2 JP6938262B2 (ja) | 2021-09-22 |
Family
ID=65172514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017142909A Active JP6938262B2 (ja) | 2017-07-24 | 2017-07-24 | ウエーハの加工方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6938262B2 (ja) |
KR (1) | KR102506342B1 (ja) |
CN (1) | CN109290941B (ja) |
TW (1) | TWI762680B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020151828A (ja) * | 2019-03-22 | 2020-09-24 | 株式会社ディスコ | 研削装置のアイドリング方法 |
JP2020168701A (ja) * | 2019-04-05 | 2020-10-15 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH023354U (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-10 | ||
JP2000301440A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-10-31 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 平面研削装置およびこれを用いた半導体ウェーハの研削方法 |
US6514861B1 (en) * | 2002-06-20 | 2003-02-04 | Promos Technologies Inc. | Manufacturing a semiconductor wafer according to the process time by process tool |
JP2009241233A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Jtekt Corp | ポストプロセス定寸制御装置 |
JP2009302577A (ja) * | 2009-09-28 | 2009-12-24 | Ebara Corp | 基板研磨装置および基板研磨方法 |
JP2013119123A (ja) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Disco Corp | 研削装置 |
JP2013193156A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Disco Corp | 研削装置、及び、研削方法 |
JP2017019067A (ja) * | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 株式会社ディスコ | 研削装置のアイドリング方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1071560A (ja) * | 1996-08-27 | 1998-03-17 | Speedfam Co Ltd | ウエハ加圧装置 |
US8092707B2 (en) * | 1997-04-30 | 2012-01-10 | 3M Innovative Properties Company | Compositions and methods for modifying a surface suited for semiconductor fabrication |
JP4513145B2 (ja) * | 1999-09-07 | 2010-07-28 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法および研磨方法 |
JP4487353B2 (ja) * | 1999-11-26 | 2010-06-23 | ソニー株式会社 | 研磨装置および研磨方法 |
US6623333B1 (en) * | 1999-12-14 | 2003-09-23 | Texas Instruments Incorporated | System and method for controlling a wafer polishing process |
DE60127269D1 (de) * | 2000-07-31 | 2007-04-26 | Asml Us Inc | Verfahren und vorrichtung zum chemisch-mechanischen polieren von substraten |
CN1655906A (zh) * | 2000-08-22 | 2005-08-17 | 兰姆研究有限公司 | 控制作为抛光头和半导体衬底之间的重叠面积的函数的抛光压力的抛光设备和方法 |
US6585572B1 (en) * | 2000-08-22 | 2003-07-01 | Lam Research Corporation | Subaperture chemical mechanical polishing system |
JP4336085B2 (ja) * | 2002-08-28 | 2009-09-30 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
JP4177052B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2008-11-05 | 日産自動車株式会社 | ホーニング加工方法および加工装置 |
JP4757580B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2011-08-24 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法及び研磨装置、並びに研磨装置制御用プログラム |
JP5983422B2 (ja) * | 2013-01-21 | 2016-08-31 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板の研磨方法及び製造方法 |
TWM488983U (en) * | 2014-07-08 | 2014-11-01 | Chiun Der Enterprise Co Ltd | Protective garment for positioning hip bone |
-
2017
- 2017-07-24 JP JP2017142909A patent/JP6938262B2/ja active Active
-
2018
- 2018-07-12 CN CN201810762788.8A patent/CN109290941B/zh active Active
- 2018-07-19 KR KR1020180084173A patent/KR102506342B1/ko active IP Right Grant
- 2018-07-19 TW TW107125037A patent/TWI762680B/zh active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH023354U (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-10 | ||
JP2000301440A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-10-31 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 平面研削装置およびこれを用いた半導体ウェーハの研削方法 |
US6514861B1 (en) * | 2002-06-20 | 2003-02-04 | Promos Technologies Inc. | Manufacturing a semiconductor wafer according to the process time by process tool |
JP2009241233A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Jtekt Corp | ポストプロセス定寸制御装置 |
JP2009302577A (ja) * | 2009-09-28 | 2009-12-24 | Ebara Corp | 基板研磨装置および基板研磨方法 |
JP2013119123A (ja) * | 2011-12-06 | 2013-06-17 | Disco Corp | 研削装置 |
JP2013193156A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Disco Corp | 研削装置、及び、研削方法 |
JP2017019067A (ja) * | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 株式会社ディスコ | 研削装置のアイドリング方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020151828A (ja) * | 2019-03-22 | 2020-09-24 | 株式会社ディスコ | 研削装置のアイドリング方法 |
JP7184686B2 (ja) | 2019-03-22 | 2022-12-06 | 株式会社ディスコ | 研削装置のアイドリング方法 |
JP2020168701A (ja) * | 2019-04-05 | 2020-10-15 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP7417362B2 (ja) | 2019-04-05 | 2024-01-18 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102506342B1 (ko) | 2023-03-03 |
CN109290941B (zh) | 2021-11-02 |
TWI762680B (zh) | 2022-05-01 |
JP6938262B2 (ja) | 2021-09-22 |
KR20190011209A (ko) | 2019-02-01 |
CN109290941A (zh) | 2019-02-01 |
TW201908060A (zh) | 2019-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5276823B2 (ja) | ウェーハの研削加工装置 | |
TWI774805B (zh) | 晶圓加工方法 | |
TWI748069B (zh) | 晶圓研磨方法及研磨裝置 | |
JP7046573B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
TWI762680B (zh) | 晶圓加工方法 | |
JP7357567B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP7382840B2 (ja) | 研削装置 | |
JP2018085411A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
US20220134509A1 (en) | Grinding method of workpiece | |
JP2018027588A (ja) | 研削装置のアイドリング方法 | |
JP6969944B2 (ja) | 板状物の切削方法及び切削措置 | |
JP7477330B2 (ja) | 研削装置及び被加工物の研削方法 | |
JP6832738B2 (ja) | ウエーハの研磨方法、研磨パッド及び研磨装置 | |
JP7503938B2 (ja) | 保持面の検査方法 | |
JP2024066327A (ja) | ウエーハの研磨方法 | |
JP7378314B2 (ja) | 切削装置及び切削ブレードの装着方法 | |
JP2018183828A (ja) | 研削砥石のドレッシング方法 | |
JP6938160B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
JP6858081B2 (ja) | ウエーハの研削方法 | |
JP6749202B2 (ja) | デバイスチップの製造方法 | |
JP2019145583A (ja) | 切削装置及び切削方法 | |
JP2023082509A (ja) | 加工方法及び加工装置 | |
JP2012124370A (ja) | 切削方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200515 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210525 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210715 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210810 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210901 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6938262 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |