JP2019016633A - ダイシングテープ、ダイシングダイボンドフィルム、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】常温エキスパンド時及びその後において、ダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きが起こりにくいダイシングテープ及び該ダイシングテープを用いたダイシングダイボンドフィルムを提供する。【解決手段】基材と、前記基材上に積層された粘着剤層とを有し、少なくとも一方向の、２３℃の温度条件で３０％延伸してから１０００秒後の応力緩和率が４５％以上であり、前記少なくとも一方向の、２３℃の温度条件で３０％延伸してから１０００秒後の応力値が４ＭＰａ以下である、ダイシングテープ。【選択図】図１

Description

本発明は、ダイシングテープ、ダイシングダイボンドフィルム、及び半導体装置の製造方法に関する。より詳細には、本発明は、ダイシングテープ、該ダイシングテープを用いたダイシングダイボンドフィルム、及び該ダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法に関する。

従来、半導体装置の製造において、ダイシングテープやダイシングダイボンドフィルムが使用される場合がある。ダイシングテープは、基材上に粘着剤層が設けられた形態をしており、粘着剤層上に半導体ウエハを配置し、半導体ウエハのダイシング（切削）時に個片化した半導体チップが飛び散らないように固定する用途に用いられる（例えば、特許文献１参照）。

ダイシングダイボンドフィルムは、ダイシングテープの粘着剤層上にダイボンドフィルムを剥離可能に設けたものである。半導体装置の製造においては、ダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルム上に半導体ウエハを保持して、半導体ウエハをダイシングして個々の半導体チップとする。その後、半導体チップをダイボンドフィルムと共にダイシングテープから剥離し、ダイボンドフィルムを介して半導体チップをリードフレーム等の被着体に固着させる。

ダイシングテープ上にダイボンドフィルムが積層されたダイシングダイボンドフィルムを使用し、半導体ウエハをダイボンドフィルムの保持下でダイシングする場合、ダイボンドフィルムを半導体ウエハと同時に切断する必要がある。ところが、ダイヤモンドブレードを用いた一般的なダイシング方法においては、ダイシング時に発生する熱の影響によるダイボンドフィルムとダイシングテープとの癒着、切削屑の発生による半導体チップ同士の固着、半導体チップ側面への切削屑の付着等が懸念されるため、切断速度を遅くする必要があり、コストの上昇を招いていた。

そこで、近年、半導体ウエハの表面に溝を形成し、その後裏面研削を行うことにより、個々の半導体チップを得る方法（「ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）」と称する場合がある）（例えば、特許文献２参照）や、半導体ウエハにおける分割予定ラインにレーザー光を照射して改質領域を形成することにより、半導体ウエハを分割予定ラインにて容易に分割可能とした後、この半導体ウエハをダイシングダイボンドフィルムに貼り付け、その後、ダイシングテープを低温下（例えば、−２５〜０℃）にてエキスパンド（以下、「クールエキスパンド」と称する場合がある）することにより、半導体ウエハとダイボンドフィルムを共に割断させて、個々の半導体チップ（ダイボンドフィルム付き半導体チップ）を得る方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。これは、いわゆる、ステルスダイシング（登録商標）と呼ばれる方法である。また、ＤＢＧにおいても、得られた個々の半導体チップをダイシングダイボンドフィルムに貼り付け、その後、ダイシングテープをクールエキスパンドすることによりダイボンドフィルムを割断させて、個々のダイボンドフィルム付き半導体チップを得る方法も知られている。

特開２０１１−２１６５６３号公報 特開２００３−００７６４９号公報 特開２００９−１６４５５６号公報

ＤＢＧやステルスダイシング等において、ダイボンドフィルムを割断した後は、ダイシングダイボンドフィルムを常温付近でエキスパンド（以下、「常温エキスパンド」と称する場合がある）して隣接する個々のダイボンドフィルム付き半導体チップ同士の間隔を広げ、その後半導体チップの外周部分を熱収縮（以下、「ヒートシュリンク」と称する場合がある）させて半導体チップ同士の間隔を広げたまま固定することにより、得られた個々のダイボンドフィルム付き半導体チップのピックアップを容易に行うことができる。

近年、半導体の高容量化のニーズにより回路層の多層化や、シリコン層の薄層化が進んでいる。しかし、回路層の多層化により回路層の厚さ（総厚み）が増加することで、回路層に含まれる樹脂の割合が増加する傾向があり、これによって、多層化された回路層と、薄層化されたシリコン層との線膨張率の差が顕著になり、半導体チップが反りやすくなる。このため、特に、ダイシング後に得られる、ダイボンドフィルム付きの回路層が多層化された半導体チップは、ダイシングテープの粘着剤層とダイボンドフィルムとの界面で、常温エキスパンド時及びその後（例えば、ピックアップするまでの間等）に浮き（剥離）が発生しやすかった。

本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、常温エキスパンド時及びその後において、ダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きが起こりにくいダイシングテープ、該ダイシングテープを用いたダイシングダイボンドフィルム、及び該ダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。

本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、常温において３０％延伸してから経時後の応力緩和率が特定値以上であり、且つ上記経時後の応力値が特定値以下であるダイシングテープを用いると、常温エキスパンド時及びその後において、回路層が多層化された半導体チップを用いた場合であっても浮きが起こりにくいことを見出した。本発明は、これらの知見に基づいて完成されたものである。

すなわち、本発明は、基材と、上記基材上に積層された粘着剤層とを有し、少なくとも一方向の、２３℃の温度条件で３０％延伸してから１０００秒後の応力緩和率が４５％以上であり、上記少なくとも一方向の、２３℃の温度条件で３０％延伸してから１０００秒後の応力値が４ＭＰａ以下である、ダイシングテープを提供する。

ダイシングテープを常温エキスパンドする際、ダイシングテープに応力が発生する。発生した応力は、その後拡散し消失するが、通常、消失までには長時間かかるため、ダイシングテープ中に長時間残存する。本発明者らは、このように発生及び残存した応力がダイシングテープ上の個片化したダイボンドフィルム付き半導体チップの底面（特に、その端部）にかかることにより、常温エキスパンド時やその後にダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きが発生するものとの知見を得た。特に、回路層が多層化された半導体チップの場合には、上述のように反りやすいため、回路層の割合が多いほどダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きが発生しやすい。

しかしながら、本発明のダイシングテープは、少なくとも一方向の、２３℃の温度条件で３０％延伸してから１０００秒後の応力緩和率が４５％以上であり、且つ上記少なくとも一方向の、２３℃の温度条件で３０％延伸してから１０００秒後の応力値が４ＭＰａ以下であることにより、常温エキスパンドした際に発生した応力が十分に低い値まで早期に減少するため、常温エキスパンド時及びその後においてダイボンドフィルム付き半導体チップの底面にかかる応力を極力抑えることができる。これにより、多層化されていない半導体チップはもちろん、回路層が多層化された半導体チップを用いた場合であっても、常温エキスパンド時及びその後に浮きが発生しにくい。

また、本発明のダイシングテープにおいて、上記基材の厚さは４０〜１５０μｍであることが好ましい。ダイシングテープの応力緩和率及び３０％延伸１０００秒後の応力値が特定の範囲内であることに加えて、基材の厚さが上記範囲内であることにより、常温エキスパンド時に応力がダイボンドフィルム付き半導体チップに均一にかかりやすく、応力が偏って発生及び残存しにくくなるため、常温エキスパンド時及びその後にダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きがよりいっそう発生しにくくなる。

また、本発明のダイシングテープは、上記ダイシングテープにおける上記粘着剤層上に積層されるダイボンドフィルムの初期弾性率が高い場合、上記少なくとも一方向の、２３℃の温度条件で３０％延伸した時の応力値が、５ＭＰａ以上であることが好ましい。この場合、クールエキスパンド時に半導体ウエハやダイボンドフィルムの割断がより容易となる。

また、本発明のダイシングテープは、上記ダイシングテープにおける上記粘着剤層上に積層されるダイボンドフィルムの初期弾性率が高い場合、上記少なくとも一方向の、２３℃の温度条件で３０％延伸した時の応力値と、上記少なくとも一方向の、２３℃の温度条件で３０％延伸してから１０００秒後の応力値との差が、５ＭＰａ以上であることが好ましい。この場合、常温エキスパンドした際に発生した応力が早期に減少するため、常温エキスパンド時及びその後においてダイボンドフィルム付き半導体チップの底面にかかる応力を極力抑えることができ、回路層が多層化された半導体チップを用いた場合であっても、常温エキスパンド時及びその後に浮きがよりいっそう発生しにくい。

また、本発明は、上記ダイシングテープと、上記ダイシングテープにおける上記粘着剤層上に積層されたダイボンドフィルムとを有し、上記ダイボンドフィルムが引張応力を加えることにより割断して使用されるダイシングダイボンドフィルムを提供する。このような本発明のダイシングダイボンドフィルムは、クールエキスパンドによってダイボンドフィルムを割断でき、且つ常温エキスパンドした際に発生した応力が十分に低い値まで早期に減少するため、常温エキスパンド時及びその後においてダイボンドフィルム付き半導体チップの底面にかかる応力を極力抑えることができる。これにより、クールエキスパンドによってダイボンドフィルムを割断できるダイシングダイボンドフィルムでありながら、且つ多層化されていない半導体チップはもちろん、回路層が多層化された半導体チップを用いた場合であっても、常温エキスパンド時及びその後に浮きが発生しにくい。

また、本発明は、上記ダイシングダイボンドフィルムにおける上記ダイボンドフィルム側に、複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハを貼り付ける工程Ａと、比較的低温の条件下で、上記ダイシングダイボンドフィルムにおける上記ダイシングテープをエキスパンドして、少なくとも上記ダイボンドフィルムを割断してダイボンドフィルム付き半導体チップを得る工程Ｂと、比較的高温の条件下で、上記ダイシングテープをエキスパンドして、上記ダイボンドフィルム付き半導体チップ同士の間隔を広げる工程Ｃと、上記ダイボンドフィルム付き半導体チップをピックアップする工程Ｄとを含む、半導体装置の製造方法を提供する。このような本発明の半導体装置の製造方法によれば、常温エキスパンドした際に発生した応力が十分に低い値まで早期に減少するため、常温エキスパンド時及びその後においてダイボンドフィルム付き半導体チップ底面にかかる応力を極力抑えることができる。このため、クールエキスパンドによってダイボンドフィルムを割断できつつ、且つ多層化されていない半導体チップはもちろん、回路層が多層化された半導体チップを用いた場合であっても、常温エキスパンド時及びその後に浮きが発生しにくい半導体装置の製造方法を提供できる。

本発明のダイシングテープは、常温エキスパンド時及びその後において、ダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きを起こしにくい。特に、回路層が多層化された半導体チップを用いた場合にも浮きを発生させにくい。また、本発明のダイシングテープを用いたダイシングダイボンドフィルムは、常温エキスパンド時及びその後において、半導体チップが積層されたダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きを発生させにくい。

本発明のダイシングテープの一実施形態を示す断面模式図である。 本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態を示す断面模式図である。 本発明のダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法における一部の工程を表す。 本発明のダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法における一部の工程を表す。 本発明のダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法における一部の工程を表す。 本発明のダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法における一部の工程を表す。 本発明のダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法における一部の工程を表す。 本発明のダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法における一部の工程を表す。 本発明のダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法の変形例における一部の工程を表す。 本発明のダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法の変形例における一部の工程を表す。 本発明のダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法の変形例における一部の工程を表す。 本発明のダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法の変形例における一部の工程を表す。

［ダイシングテープ］
本発明のダイシングテープは、基材と、上記基材上に積層された粘着剤層とを有する。本発明のダイシングテープ（ダイシングシート）の一実施形態について、以下に説明する。図１は、本発明のダイシングテープの一実施形態を示す断面模式図である。

図１に示すように、ダイシングテープ１は、基材１１及び基材１１上に積層された粘着剤層１２を備える。

ダイシングテープ１は、上述のように、少なくとも一方向の、２３℃の温度条件で３０％延伸してから１０００秒後の応力緩和率が４５％以上であり、好ましくは５０％以上、より好ましくは５５％以上、さらに好ましくは６０％以上である。上記応力緩和率が４５％以上であることにより、常温エキスパンドした際に発生した応力が早期に減少するため、常温エキスパンド時及びその後において、ダイボンドフィルム付き半導体チップの底面にかかる応力を極力抑えることができる。このため、回路層が多層化された半導体チップを用いた場合であっても、常温エキスパンド時及びその後に浮きが発生しにくい。上記応力緩和率の上限は、特に限定されず、大きいほど残存応力が早期に減少するため、ダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きが起こりにくくなり、好ましい。なお、本明細書において、上記「少なくとも一方向の、２３℃の温度条件で３０％延伸してから１０００秒後の応力緩和率」を、単に「応力緩和率」と称する場合がある。

上記応力緩和率は、少なくとも一方向の、２３℃の温度条件で３０％延伸した時点の応力値に対する、３０％延伸時から１０００秒後の応力値までの減少量の割合である。上記応力緩和率は、下記の応力緩和率の算出方法により求められる。

＜応力緩和率の算出方法＞
ダイシングテープ１から、基材１１の少なくとも一方向を長さ方向とし、長さ１４０ｍｍ×幅２０ｍｍに切り出して短冊状試験片を得る。この短冊状試験片を、２３℃、５０％ＲＨの雰囲気下で、初期チャック間距離１００ｍｍとし、引張速度１００ｍｍ／分で引張試験機にて伸び率３０％まで延伸（伸長）させて停止し、停止から１０００秒後までを含む範囲の応力値を測定する。そして、３０％延伸時の応力値（延伸停止時の応力値）をＡ、延伸停止から１０００秒後の応力値をＢとし、下記式により求める。
応力緩和率（％）＝（Ａ−Ｂ）／Ａ×１００

ダイシングテープ１は、上述のように、上記少なくとも一方向（すなわち、上記応力緩和率が４５％以上である方向）の、２３℃の温度条件で３０％延伸してから１０００秒後の応力値が４ＭＰａ以下であり、好ましくは３．８ＭＰａ以下、より好ましくは３．５ＭＰａ以下である。上記応力値の下限は０ＭＰａであり、低いほど残存応力が小さいこととなりダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きがより起こりにくくなるため好ましい。上記応力値は、上記応力緩和率を算出する過程で得られる。なお、本明細書において、少なくとも一方向の、２３℃の温度条件で３０％延伸してから１０００秒後の応力値を、「３０％延伸１０００秒後の応力値」と称する場合がある。

なお、上記応力緩和率及び上記３０％延伸１０００秒後の応力値は、ダイシングテープ１の少なくとも一方向においてそれぞれ上記範囲内であればよい。また、上記応力緩和率が上記範囲内である一方向と、上記３０％延伸１０００秒後の応力値が上記範囲内である一方向とは、同一の方向である。上記少なくとも一方向は、ＭＤ方向であることが好ましい。なお、ダイシングテープ１のＭＤ方向は、基材１１のＭＤ方向と同一の方向である。

後述のダイボンドフィルム２の初期弾性率が高い場合、ダイシングテープ１は、特に限定されないが、上記少なくとも一方向（すなわち、上記応力緩和率が４５％以上である方向）の、２３℃の温度条件で３０％延伸した時の応力値（上記３０％延伸時の応力値）が、５ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは６．５ＭＰａ以上、さらに好ましくは８ＭＰａ以上である。上記応力値の上限は、例えば３０ＭＰａであり、好ましくは２０ＭＰａ、より好ましくは１５ＭＰａである。上記応力値が５ＭＰａ以上であると、クールエキスパンド時に半導体ウエハやダイボンドフィルムの割断がより容易となる。上記応力値は、上記応力緩和率を算出する過程で得られる。なお、ダイボンドフィルム２の初期弾性率が低い場合、上記３０％延伸時の応力値は、５ＭＰａ未満であってもよい。

後述のダイボンドフィルム２の初期弾性率が高い場合、ダイシングテープ１は、特に限定されないが、上記少なくとも一方向（すなわち、上記応力緩和率が４５％以上である方向）の、上記３０％延伸時の応力値と上記３０％延伸１０００秒後の応力値の差［（３０％延伸時の応力値）−（３０％延伸１０００秒後の応力値）］が、５ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは５．５ＭＰａ以上、さらに好ましくは６ＭＰａ以上である。上記応力値の差が５ＭＰａ以上であると、常温エキスパンドした際に発生した応力が早期に減少するため、常温エキスパンド時及びその後においてダイボンドフィルム付き半導体チップ底面にかかる応力を極力抑えることができ、回路層が多層化された半導体チップを用いた場合であっても、常温エキスパンド時及びその後に浮きがより発生しにくい。上記応力値の差の上限は、特に限定されず、大きいほど残存応力が早期に減少するため、ダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きが起こりにくくなり好ましいが、例えば２０ＭＰａ、１５ＭＰａ、１０ＭＰａであってもよい。なお、ダイボンドフィルム２の初期弾性率が低い場合、上記応力値の差は、５ＭＰａ未満であってもよい。

ダイシングテープ１は、特に限定されないが、少なくとも一方向（好ましくは、上記応力緩和率が４５％以上である方向）の、０℃以下の少なくとも１点の温度条件で１００％延伸したときの引張強度が、１０Ｎ／１０ｍｍ以上であることが好ましく、より好ましくは１２Ｎ／１０ｍｍ以上である。上記引張強度が１０Ｎ／１０ｍｍ以上であると、クールエキスパンド時にかかる応力が半導体ウエハの改質領域やダイボンドフィルムの割断される部分に効果的に伝達され、割断面がより均一となりやすく、且つ、常温エキスパンド時及びその後にダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きをより発生しにくくすることができる。

ダイシングテープ１は、特に限定されないが、少なくとも一方向（好ましくは、上記応力緩和率が４５％以上である方向）に熱収縮性を有することが好ましい。ダイシングテープ１が熱収縮性を有する場合、常温エキスパンド時に半導体ウエハの外周部分をヒートシュリンクさせることが可能となり、これにより、個片化したダイボンドフィルム付きの半導体チップ同士の間隔を広げた状態で固定できるため、半導体チップのピックアップを容易に行うことができる。

（基材）
基材１１は、ダイシングテープ１や後述のダイシングダイボンドフィルム３において支持体として機能する要素である。上記基材１１は、ダイシングテープ１の上記応力緩和率及び上記３０％延伸１０００秒後の応力値が特定の範囲内となる限り特に限定されない。上記基材１１としては、例えば、プラスチック基材（特にプラスチックフィルム）が挙げられる。上記基材１１は、単層であってもよいし、同種又は異種の基材の積層体であってもよい。

上記プラスチック基材を構成する樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体等のポリオレフィン樹脂；ポリウレタン；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル；ポリカーボネート；ポリイミド；ポリエーテルエーテルケトン；ポリエーテルイミド；アラミド、全芳香族ポリアミド等のポリアミド；ポリフェニルスルフィド；フッ素樹脂；ポリ塩化ビニル；ポリ塩化ビニリデン；セルロース樹脂；シリコーン樹脂等が挙げられる。上記樹脂は、一種のみを使用されていてもよいし、二種以上を使用されていてもよい。粘着剤層１２が後述のように放射線硬化型である場合、基材１１は放射線透過性を有することが好ましい。

基材１１がプラスチックフィルムである場合、上記プラスチックフィルムは、無配向であってもよく、少なくとも一方向（一軸方向、二軸方向等）に配向していてもよい。少なくとも一方向に配向している場合、プラスチックフィルムは当該少なくとも一方向に熱収縮可能となる。熱収縮性を有していると、ダイシングテープ１の、半導体ウエハの外周部分をヒートシュリンクさせることが可能となり、これにより個片化したダイボンドフィルム付きの半導体チップ同士の間隔を広げた状態で固定できるため、半導体チップのピックアップを容易に行うことができる。基材１１及びダイシングテープ１が等方的な熱収縮性を有するためには、基材１１は二軸配向フィルムであることが好ましい。なお、上記少なくとも一方向に配向したプラスチックフィルムは、無延伸のプラスチックフィルムを当該少なくとも一方向に延伸（一軸延伸、二軸延伸等）することにより得ることができる。基材１１及びダイシングテープ１は、加熱温度１００℃及び加熱時間処理６０秒の条件で行われる加熱処理試験における熱収縮率が、１〜３０％であることが好ましく、より好ましくは２〜２５％、さらに好ましくは３〜２０％、特に好ましくは５〜２０％である。上記熱収縮率は、ＭＤ方向及びＴＤ方向の少なくとも一方向の熱収縮率であることが好ましい。

基材１１の粘着剤層１２側表面は、粘着剤層１２との密着性、保持性等を高める目的で、例えば、コロナ放電処理、プラズマ処理、サンドマット加工処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理等の物理的処理；クロム酸処理等の化学的処理；コーティング剤（下塗り剤）による易接着処理等の表面処理が施されていてもよい。また、帯電防止能を付与するため、金属、合金、これらの酸化物等を含む導電性の蒸着層を基材１１表面に設けてもよい。

基材１１は、特に限定されないが、上記少なくとも一方向（すなわち、ダイシングテープ１の応力緩和率が４５％以上である方向）の、２３℃の温度条件で３０％延伸してから１０００秒後の応力緩和率が、４５％以上であることが好ましく、より好ましくは５０％以上、さらに好ましくは５５％以上、特に好ましくは６０％以上である。上記基材１１の応力緩和率が４５％以上であると、ダイシングテープ１の応力緩和率を４５％以上とすることが容易となり、常温エキスパンド時及びその後のダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きがより発生しにくくなる。上記基材１１の応力緩和率の上限は、特に限定されず、大きいほどダイシングテープ１の残存応力が早期に減少しやすいため、ダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きがより起こりにくくなり、好ましい。なお、上記基材１１の応力緩和率は、上述のダイシングテープ１の応力緩和率と同様にして、ダイシングテープ１の代わりに基材１１を用いて応力値を測定して算出することができる。

基材１１は、特に限定されないが、上記少なくとも一方向（すなわち、ダイシングテープ１の応力緩和率が４５％以上である方向）の、２３℃の温度条件で３０％延伸してから１０００秒後の応力値が、４ＭＰａ以下であることが好ましく、より好ましくは３．８ＭＰａ以下、さらに好ましくは３．５ＭＰａ以下である。上記応力値が４ＭＰａ以下であると、ダイシングテープ１の３０％延伸後の応力値を４ＭＰａ以下とすることが容易となり、常温エキスパンド時及びその後のダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きがより発生しにくくなる。上記応力値の下限は０ＭＰａであり、低いほどダイシングテープ１の残存応力が小さいこととなりダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きが起こりにくくなるため好ましい。上記応力値は、上記基材１１の応力緩和率を算出する過程で得られる。

後述のダイボンドフィルム２の初期弾性率が高い場合、基材１１は、特に限定されないが、上記少なくとも一方向（すなわち、ダイシングテープ１の応力緩和率が４５％以上である方向）の、２３℃の温度条件で３０％延伸した時の応力値（３０％延伸時の応力値）が、５ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは６．５ＭＰａ以上、さらに好ましくは８ＭＰａ以上である。上記応力値の上限は、例えば３０ＭＰａであり、好ましくは２０ＭＰａ、より好ましくは１５ＭＰａである。上記応力値が５ＭＰａ以上であると、ダイシングテープ１の３０％延伸時の応力値を５ＭＰａ以上とすることが容易となり、クールエキスパンド時に半導体ウエハやダイボンドフィルムの割断がより容易となる。上記応力値は、上記基材１１の応力緩和率を算出する過程で得られる。なお、ダイボンドフィルム２の初期弾性率が低い場合、上記応力値は、５ＭＰａ未満であってもよい。

後述のダイボンドフィルム２の初期弾性率が高い場合、基材１１は、特に限定されないが、上記少なくとも一方向（すなわち、ダイシングテープ１の応力緩和率が４５％以上である方向）の、上記基材１１の３０％延伸時の応力値と上記基材１１の３０％延伸１０００秒後の応力値の差［（３０％延伸時の応力値）−（３０％延伸１０００秒後の応力値）］が、５ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは５．５ＭＰａ以上、さらに好ましくは６ＭＰａ以上である。上記応力値の差が５ＭＰａ以上であると、ダイシングテープ１の上記応力値の差を５ＭＰａ以上とすることが容易となり、常温エキスパンドした際に発生した応力が早期に減少するため、常温エキスパンド時及びその後においてダイボンドフィルム付き半導体チップ底面にかかる応力を極力抑えることができ、回路層が多層化された半導体チップを用いた場合であっても、常温エキスパンド時及びその後に浮きがより発生しにくい。上記応力値の差の上限は、特に限定されず、大きいほど残存応力が早期に減少するため、ダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きが起こりにくくなり好ましいが、例えば２０ＭＰａ、１５ＭＰａ、１０ＭＰａであってもよい。なお、ダイボンドフィルム２の初期弾性率が低い場合、上記応力値の差は、５ＭＰａ未満であってもよい。

基材１１の厚さは、特に限定されないが、例えば５μｍ以上、好ましくは４０μｍ以上、より好ましくは５０μｍ以上、さらに好ましくは５５μｍ以上、特に好ましくは６０μｍ以上である。上記厚さの上限は、例えば２００μｍ、好ましくは１８０μｍ、より好ましくは１５０μｍである。ダイシングテープ１の上記応力緩和率及び上記３０％延伸１０００秒後の応力値が特定の範囲内であることに加えて、基材１１の厚さが上記範囲内であると、常温エキスパンド時に応力がダイボンドフィルム付き半導体チップに均一にかかりやすく、応力が偏って発生及び残存しにくくなるため、常温エキスパンド時及びその後にダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きがより発生しにくい。

（粘着剤層）
粘着剤層１２は、ダイシングテープ１の上記応力緩和率及び上記３０％延伸１０００秒後の応力値が特定の範囲内となる限り特に限定されず、公知乃至慣用の粘着剤層を用いることができる。

粘着剤層１２は、特に限定されないが、２３℃の温度条件での引張貯蔵弾性率（「引張貯蔵弾性率（２３℃）」と称する場合がある）が、１〜１００ＭＰａであることが好ましく、より好ましくは２〜３０ＭＰａである。上記引張貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上であると、ピックアップ時においてダイボンドフィルム付き半導体チップをより容易にピックアップすることができる。上記引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以下であると、クールエキスパンドの後ピックアップまでの間に、ダイシングテープ１からのダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きをより発生しにくくすることができる。

粘着剤層１２は、特に限定されないが、−１５℃の温度条件での引張貯蔵弾性率（「引張貯蔵弾性率（−１５℃）」と称する場合がある）が、５〜５００ＭＰａであることが好ましく、より好ましくは１０〜２００ＭＰａである。上記引張貯蔵弾性率が５ＭＰａ以上であると、半導体ウエハやダイボンドフィルムの割断時に応力をダイボンドフィルムにより効率的に伝えることができる。上記引張貯蔵弾性率が５００ＭＰａ以下であると、クールエキスパンド時においてダイシングテープ１からのダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きをより発生しにくくすることができる。

粘着剤層１２の上記引張貯蔵弾性率（２３℃）と上記引張貯蔵弾性率（−１５℃）の比［（引張貯蔵弾性率（−１５℃））／（引張貯蔵弾性率（２３℃））］は、特に限定されないが、２以上が好ましく、より好ましくは４以上である。上記比が２以上であると、クールエキスパンド時においてダイボンドフィルムがダイシングテープ１から浮くことをより抑制でき、且つ、ピックアップ時においてダイシングテープ１からダイボンドフィルム付き半導体チップをより容易に剥離することが可能となる。また、上記比は、大きいほどが好ましいが、ピックアップと割断の容易さのバランスの観点から、例えば１００以下である。

上記引張貯蔵弾性率（２３℃）及び上記引張貯蔵弾性率（−１５℃）は、下記の引張貯蔵弾性率の測定方法により測定して得られる。
＜引張貯蔵弾性率の測定方法＞
厚さ２００μｍ、長さ４０ｍｍ（測定長さ）、幅１０ｍｍの粘着剤層を試験片とし、固体粘弾性測定装置を用いて、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分、初期チャック間距離２２．５ｍｍの条件で、２３℃及び−１５℃を含む温度範囲で引張貯蔵弾性率を測定する。その際の２３℃及び−１５℃での値を読み取り、それぞれ、引張貯蔵弾性率（２３℃）、引張貯蔵弾性率（−１５℃）とする。

粘着剤層１２を形成する粘着剤としては、放射線照射や加熱等外部からの作用によって意図的に粘着力を低減させることが可能な粘着剤（粘着力低減型粘着剤）であってもよいし、外部からの作用によっては粘着力がほとんど又は全く低減しない粘着剤（粘着力非低減型粘着剤）であってもよく、ダイシングダイボンドフィルム３を使用して個片化される半導体ウエハの個片化の手法や条件等に応じて適宜に選択することができる。

上記粘着剤として粘着力低減型粘着剤を用いる場合、ダイシングダイボンドフィルム３の製造過程や使用過程において、粘着剤層１２が相対的に高い粘着力を示す状態と相対的に低い粘着力を示す状態とを使い分けることが可能となる。例えば、ダイシングダイボンドフィルム３の製造過程でダイシングテープ１の粘着剤層１２にダイボンドフィルム２を貼り合わせる時や、ダイシングダイボンドフィルム３がダイシング工程に使用される時には、粘着剤層１２が相対的に高い粘着力を示す状態を利用して粘着剤層１２からダイボンドフィルム２等の被着体の浮きを抑制・防止することが可能となる一方で、その後、ダイシングダイボンドフィルム３のダイシングテープ１からダイボンドフィルム付き半導体チップをピックアップするためのピックアップ工程では、粘着剤層１２の粘着力を低減させることで、ピックアップを容易に行うことができる。

このような粘着力低減型粘着剤としては、例えば、放射線硬化型粘着剤（放射線硬化性を有する粘着剤）、加熱発泡型粘着剤等が挙げられる。粘着剤層１２を形成する粘着剤としては、一種の粘着力低減型粘着剤を用いてもよいし、二種以上の粘着力低減型粘着剤を用いてもよい。また、粘着剤層１２の全体が粘着力低減型粘着剤から形成されていてもよいし、一部が粘着力低減型粘着剤から形成されていてもよい。例えば、粘着剤層１２が単層構造を有する場合、粘着剤層１２の全体が粘着力低減型粘着剤から形成されていてもよいし、粘着剤層１２における所定の部位（例えば、半導体ウエハの貼着対象領域である中央領域）が粘着力低減型粘着剤から形成され、他の部位（例えば、ウエハリングの貼着対象領域であって、中央領域の外側にある領域）が粘着力非低減型粘着剤から形成されていてもよい。

上記放射線硬化型粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、又はＸ線の照射により硬化するタイプの粘着剤を用いることができ、紫外線照射によって硬化するタイプの粘着剤（紫外線硬化型粘着剤）を特に好ましく用いることができる。

上記放射線硬化型粘着剤としては、例えば、アクリル系ポリマー等のベースポリマーと、放射線重合性の炭素−炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分とを含有する添加型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。

上記アクリル系ポリマーは、ポリマーのモノマーユニットとして、アクリル系モノマー（分子中に（メタ）アクリロイル基を有するモノマー成分）に由来するモノマーユニットを含むポリマーである。上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多い主たるモノマーユニットとして含むポリマーであることが好ましい。なお、アクリル系ポリマーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。また、本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、「アクリル」及び／又は「メタクリル」（「アクリル」及び「メタクリル」のうち、いずれか一方又は両方）を表し、他も同様である。

上記（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸アリールエステル等の炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸のメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等が挙げられる。上記（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸のシクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等が挙げられる。上記（メタ）アクリル酸アリールエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸のフェニルエステル、ベンジルエステルが挙げられる。アクリル系ポリマーのための主モノマーとしての（メタ）アクリル酸エステルは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。（メタ）アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層１２において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における主モノマーとしての（メタ）アクリル酸エステルの割合は、４０質量％以上が好ましく、より好ましくは６０質量％以上である。

上記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、上記（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマー成分に由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。上記他のモノマー成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリルニトリル等の官能基含有モノマー等が挙げられる。上記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等が挙げられる。上記酸無水物モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸等が挙げられる。上記ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記グリシジル基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸メチルグリシジル等が挙げられる。上記スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等が挙げられる。上記リン酸基含有モノマーとしては、例えば、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等が挙げられる。上記他のモノマー成分は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。（メタ）アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層１２において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における上記他のモノマー成分の割合は、６０質量％以下が好ましく、より好ましくは４０質量％以下である。

上記アクリル系ポリマーは、そのポリマー骨格中に架橋構造を形成するために、主モノマーとしての（メタ）アクリル酸エステル等のモノマー成分と共重合可能な多官能性モノマーに由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。上記多官能性モノマーとしては、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート（例えば、ポリグリシジル（メタ）アクリレート）、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等の分子内に（メタ）アクリロイル基と他の反応性官能基を有するモノマー等が挙げられる。上記多官能性モノマーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。（メタ）アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層１２において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における上記多官能性モノマーの割合は、４０質量％以下が好ましく、より好ましくは３０質量％以下である。

上記アクリル系ポリマーは、アクリル系モノマーを含む一種以上のモノマー成分を重合に付すことにより得られる。重合方法としては、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等が挙げられる。

粘着剤層１２中の上記アクリル系ポリマーの数平均分子量は、１０万以上が好ましく、より好ましくは２０万〜３００万である。数平均分子量が１０万以上であると、粘着剤層中の低分子量物質が少ない傾向にあり、ダイボンドフィルムや半導体ウエハ等への汚染をより抑制することができる。

上記放射線硬化型粘着剤は、架橋剤を含有していてもよい。例えば、ベースポリマーとしてアクリル系ポリマーを用いる場合、アクリル系ポリマーを架橋させ、粘着剤層１２中の低分子量物質をより低減させることができる。上記架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物（ポリフェノール系化合物等）、アジリジン化合物、メラミン化合物等が挙げられる。架橋剤を使用する場合、その使用量は、ベースポリマー１００質量部に対して、５質量部程度以下が好ましく、より好ましくは０．１〜５質量部である。

上記放射線重合性のモノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等挙げられる。上記放射線重合性のオリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等の種々のオリゴマーが挙げられ、分子量が１００〜３００００程度のものが好ましい。粘着剤層１２を形成する放射線硬化型粘着剤中の上記放射線硬化性のモノマー成分及びオリゴマー成分の含有量は、上記ベースポリマー１００質量部に対して、例えば５〜５００質量部、好ましくは４０〜１５０質量部程度である。また、添加型の放射線硬化型粘着剤としては、例えば特開昭６０−１９６９５６号公報に開示のものを用いてもよい。

上記放射線硬化型粘着剤としては、放射線重合性の炭素−炭素二重結合等の官能基をポリマー側鎖や、ポリマー主鎖中、ポリマー主鎖末端に有するベースポリマーを含有する内在型の放射線硬化型粘着剤も挙げられる。このような内在型の放射線硬化型粘着剤を用いると、形成された粘着剤層１２内での低分子量成分の移動に起因する粘着特性の意図しない経時的変化を抑制することができる傾向がある。

上記内在型の放射線硬化型粘着剤に含有されるベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーが好ましい。内在型の放射線硬化型粘着剤に含有され得る上記アクリル系ポリマーとしては、上述の添加型の放射線硬化型粘着剤に含有されるアクリル系ポリマーとして説明されたアクリル系ポリマーを採用することができる。アクリル系ポリマーへの放射線重合性の炭素−炭素二重結合の導入方法としては、例えば、第１の官能基を有するモノマー成分を含む原料モノマーを重合（共重合）させてアクリル系ポリマーを得た後、上記第１の官能基と反応し得る第２の官能基及び放射線重合性の炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線重合性を維持したままアクリル系ポリマーに対して縮合反応又は付加反応させる方法が挙げられる。

上記第１の官能基と上記第２の官能基の組み合わせとしては、例えば、カルボキシ基とエポキシ基、エポキシ基とカルボキシ基、カルボキシ基とアジリジル基、アジリジル基とカルボキシ基、ヒドロキシ基とイソシアネート基、イソシアネート基とヒドロキシ基等が挙げられる。これらの中でも、反応追跡の容易さの観点から、ヒドロキシ基とイソシアネート基の組み合わせ、イソシアネート基とヒドロキシ基の組み合わせが好ましい。中でも、反応性の高いイソシアネート基を有するポリマーを作製することは技術的難易度が高く、一方でヒドロキシ基を有するアクリル系ポリマーの作製及び入手の容易性の観点から、上記第１の官能基がヒドロキシ基であり、上記第２の官能基がイソシアネート基である組み合わせが好ましい。この場合のイソシアネート基及び放射線重合性の炭素−炭素二重結合を有する化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、ヒドロキシ基を有するアクリル系ポリマーとしては、上述のヒドロキシ基含有モノマーや、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテル等のエーテル系化合物に由来するモノマーユニットを含むものが挙げられる。

上記放射線硬化型粘着剤は、光重合開始剤を含有することが好ましい。上記光重合開始剤としては、例えば、α−ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート等が挙げられる。上記α−ケトール系化合物としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等が挙げられる。上記アセトフェノン系化合物としては、例えば、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等が挙げられる。上記ベンゾインエーテル系化合物としては、例えば、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等が挙げられる。上記ケタール系化合物としては、例えば、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。上記芳香族スルホニルクロリド系化合物としては、例えば、２−ナフタレンスルホニルクロリド等が挙げられる。上記光活性オキシム系化合物としては、例えば、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等が挙げられる。上記ベンゾフェノン系化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等が挙げられる。上記チオキサントン系化合物としては、例えば、チオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−メチルチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２，４−ジクロロチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン等が挙げられる。放射線硬化型粘着剤中の光重合開始剤の含有量は、ベースポリマー１００質量部に対して、例えば０．０５〜２０質量部である。

上記加熱発泡型粘着剤は、加熱によって発泡や膨張をする成分（発泡剤、熱膨張性微小球等）を含有する粘着剤である。上記発泡剤としては、種々の無機系発泡剤や有機系発泡剤が挙げられる。上記無機系発泡剤としては、例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム、水素化ホウ素ナトリウム、アジド類等が挙げられる。上記有機系発泡剤としては、例えば、トリクロロモノフルオロメタン、ジクロロモノフルオロメタン等の塩フッ化アルカン；アゾビスイソブチロニトリル、アゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシレート等のアゾ系化合物；パラトルエンスルホニルヒドラジド、ジフェニルスルホン−３，３’−ジスルホニルヒドラジド、４，４’−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）、アリルビス（スルホニルヒドラジド）等のヒドラジン系化合物；ｐ−トルイレンスルホニルセミカルバジド、４，４’−オキシビス（ベンゼンスルホニルセミカルバジド）等のセミカルバジド系化合物；５−モルホリル−１，２，３，４−チアトリアゾール等のトリアゾール系化合物；Ｎ，Ｎ’−ジニトロソペンタメチレンテトラミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジニトロソテレフタルアミド等のＮ−ニトロソ系化合物等が挙げられる。上記熱膨張性微小球としては、例えば、加熱によって容易にガス化して膨張する物質が殻内に封入された構成の微小球が挙げられる。上記加熱によって容易にガス化して膨張する物質としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタン等が挙げられる。加熱によって容易にガス化して膨張する物質をコアセルべーション法や界面重合法等によって殻形成物質内に封入することによって、熱膨張性微小球を作製することができる。上記殻形成物質としては、熱溶融性を示す物質や、封入物質の熱膨張の作用によって破裂し得る物質を用いることができる。そのような物質としては、例えば、塩化ビニリデン・アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホン等が挙げられる。

上記粘着力非低減型粘着剤としては、例えば、粘着力低減型粘着剤に関して上述した放射線硬化型粘着剤を予め放射線照射によって硬化させた形態の粘着剤や、感圧型粘着剤等が挙げられる。粘着剤層１２を形成する粘着剤としては、一種の粘着力非低減型粘着剤を用いてもよいし、二種以上の粘着力非低減型粘着剤を用いてもよい。また、粘着剤層１２の全体が粘着力非低減型粘着剤から形成されていてもよいし、一部が粘着力非低減型粘着剤から形成されていてもよい。例えば、粘着剤層１２が単層構造を有する場合、粘着剤層１２の全体が粘着力非低減型粘着剤から形成されていてもよいし、粘着剤層１２における所定の部位（例えば、ウエハリングの貼着対象領域であって、中央領域の外側にある領域）が粘着力非低減型粘着剤から形成され、他の部位（例えば、半導体ウエハの貼着対象領域である中央領域）が粘着力低減型粘着剤から形成されていてもよい。また、粘着剤層１２が積層構造を有する場合、積層構造における全ての粘着剤層が粘着力非低減型粘着剤から形成されていてもよいし、積層構造中の一部の粘着層が粘着力非低減型粘着剤から形成されていてもよい。

放射線硬化型粘着剤を予め放射線照射によって硬化させた形態の粘着剤（放射線照射済放射線硬化型粘着剤）は、放射線照射によって粘着力が低減されているとしても、含有するポリマー成分に起因する粘着性を示し、ダイシング工程等においてダイシングテープの粘着剤層に最低限必要な粘着力を発揮することが可能である。放射線照射済放射線硬化型粘着剤を用いる場合、粘着剤層１２の面広がり方向において、粘着剤層１２の全体が放射線照射済放射線硬化型粘着剤から形成されていてもよく、粘着剤層１２の一部が放射線照射済放射線硬化型粘着剤から形成され且つ他の部分が放射線未照射の放射線硬化型粘着剤から形成されていてもよい。

上記感圧型粘着剤としては、公知乃至慣用の感圧型の粘着剤を用いることができ、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤やゴム系粘着剤を好ましく用いることができる。粘着剤層１２が感圧型粘着剤としてアクリル系ポリマーを含有する場合、当該アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多い主たるモノマーユニットとして含むポリマーであることが好ましい。上記アクリル系ポリマーとしては、例えば、上述の添加型の放射線硬化型粘着剤に含有されるアクリル系ポリマーとして説明されたアクリル系ポリマーを採用することができる。

粘着剤層１２又は粘着剤層１２を形成する粘着剤は、上述の各成分以外に、架橋促進剤、粘着付与剤、老化防止剤、着色剤（顔料、染料等）等の公知乃至慣用の粘着剤層に用いられる添加剤が配合されていてもよい。上記着色剤としては、例えば、放射線照射により着色する化合物が挙げられる。放射線照射により着色する化合物を含有する場合、放射線照射された部分のみを着色することができる。上記放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物であり、例えば、ロイコ染料等が挙げられる。上記放射線照射により着色する化合物の使用量は特に限定されず適宜選択することができる。

粘着剤層１２の厚さは、特に限定されないが、半導体チップ切断面の欠け防止とダイボンドフィルムの固定保持の両立性等の観点から、１〜５０μｍ程度が好ましく、より好ましくは２〜３０μｍ、さらに好ましくは５〜２５μｍである。

本発明のダイシングテープの一実施形態であるダイシングテープ１は、例えば、次の通りにして製造される。まず基材１１は、公知乃至慣用の製膜方法により製膜して得ることができる。上記製膜方法としては、例えば、カレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が挙げられる。

次に、基材１１上に、粘着剤層１２を形成する粘着剤及び溶媒等を含む、粘着剤層を形成する組成物（粘着剤組成物）を塗布して塗布膜を形成した後、必要に応じて脱溶媒や硬化等により該塗布膜を固化させ、粘着剤層１２を形成することができる。上記塗布の方法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等の公知乃至慣用の塗布方法が挙げられる。また、脱溶媒条件としては、例えば、温度８０〜１５０℃、時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、上記の脱溶媒条件で塗布膜を固化させて粘着剤層１２を形成してもよい。その後、基材１１上に粘着剤層１２をセパレータと共に貼り合わせる。

粘着剤層１２が上記放射線硬化型粘着剤により形成された粘着剤層（放射線硬化型粘着剤層）である場合、後述のダイボンドフィルム２を積層した後に、粘着剤層１２に紫外線等の放射線を照射してもよい。このように、放射線を照射することにより、粘着剤層１２に粘着力非低減型粘着剤（放射線硬化型粘着剤を予め放射線照射により硬化させた粘着剤）により形成された部分を設けることができる。

［ダイシングダイボンドフィルム］
本発明のダイシングテープにおける粘着剤層上にダイボンドフィルムを積層することにより、本発明のダイシングテープと、本発明のダイシングテープにおける粘着剤層上に積層されたダイボンドフィルムとを有するダイシングダイボンドフィルム（「本発明のダイシングダイボンドフィルム」と称する場合がある）を得ることができる。なお、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおけるダイボンドフィルムは、引張応力を加えることによる割断が可能であり、引張応力を加えることにより割断して使用されることが好ましい。

本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態について、以下に説明する。図２は、本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態を示す断面模式図である。

図２に示すように、ダイシングダイボンドフィルム３は、ダイシングテープ１と、ダイシングテープ１における粘着剤層１２上に積層されたダイボンドフィルム２とを備える。なお、図２に示す粘着剤層１２は、放射線硬化型粘着剤層である。粘着剤層１２の半導体ウエハ貼り付け部分に対応する部分１２ａは、粘着力非低減型粘着剤により形成されている領域（放射線照射により架橋度が増大しその粘着力が低下している領域）であり、他の部分１２ｂとの粘着力の差を設けられている。これにより、上記部分１２ｂによりダイボンドフィルム２を介してダイシング前の半導体ウエハを十分に密着固定でき、且つ、上記部分１２ａの密着力が低下しているためダイボンドフィルムの割断後はダイボンドフィルム付き半導体チップを容易にピックアップすることができる。

粘着剤層１２において、上記部分１２ｂは粘着力低減型粘着剤により形成されている領域であり、ダイボンドフィルム２と密着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。このように放射線硬化型粘着剤層は、半導体チップを基板等の被着体にダイボンドするためのダイボンドフィルム２を、密着と剥離の両方をバランスよくできるように支持することができる。図２に示すダイシングダイボンドフィルム３の粘着剤層１２においては、上記部分１２ｂにウエハリングを固定することができる。上記部分１２ａは、図２に示すようにダイボンドフィルム２よりもわずかに小さい面積に設けてもよいし、ダイボンドフィルム２と密着している全ての領域に設けてもよい。

なお、本実施形態では、ダイシングテープ１には、ダイボンドフィルム２に覆われていない上記部分１２ｂが存在する場合について説明するが、本発明のダイシングダイボンドフィルムは、この例に限定されず、ダイシングテープ全体を覆うようにダイボンドフィルムがダイシングテープに積層されていてもよい。また、ダイシングダイボンドフィルム３における粘着剤層１２には、放射線照射された上記部分１２ａ及び放射線照射されていない上記部分１２ｂが設けられているが、本発明のダイシングダイボンドフィルムは、この例に限定されず、粘着剤層は放射線照射されていなくてもよく、あるいは粘着剤層の全領域が放射線照射されていてもよい。粘着剤層１２に放射線照射を行う場合、放射線照射は、ダイボンドフィルム２の積層前に行ってもよく、積層後に行ってもよい。ダイシングダイボンドフィルム３において粘着剤層１２が放射線照射されている場合、半導体ウエハのダイシング後にダイボンドフィルム付き半導体チップをピックアップする際に放射線照射を行う必要がなく、半導体チップ製造時に放射線照射する工程を削減することができる。

（ダイボンドフィルム）
ダイボンドフィルム２は、ダイボンディング用の熱硬化性を示す接着剤として機能し得る構成を有する。本実施形態において、ダイボンドフィルム２及びダイボンドフィルム２を構成する接着剤は、熱硬化性樹脂と例えばバインダー成分としての熱可塑性樹脂とを含んでいてもよいし、硬化剤と反応して結合を生じ得る熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。ダイボンドフィルム２を構成する接着剤が、熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含む場合、当該粘着剤は熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂等）を含む必要はない。ダイボンドフィルム２は、単層構造を有していてもよいし、多層構造を有していてもよい。

ダイボンドフィルム２が、熱硬化性樹脂を熱可塑性樹脂とともに含む場合、当該熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂は、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。ダイボンディング対象の半導体チップの腐食原因となり得るイオン性不純物等の含有量の少ない傾向にあるという理由から、上記熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。

上記エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、グリシジルアミン型のエポキシ樹脂等が挙げられる。中でも、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み且つ耐熱性に優れることから、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が好ましい。

エポキシ樹脂の硬化剤として作用し得るフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ-ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等が挙げられる。上記フェノール樹脂は、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。中でも、ダイボンディング用接着剤としてのエポキシ樹脂の硬化剤として用いられる場合に当該接着剤の接続信頼性を向上させる傾向にある観点から、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が好ましい。

ダイボンドフィルム２において、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との硬化反応を十分に進行させるという観点からは、フェノール樹脂は、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たり、当該フェノール樹脂中の水酸基が好ましくは０．５〜２．０当量、より好ましくは０．８〜１．２当量となる量で含まれる。

ダイボンドフィルム２が熱硬化性樹脂を含む場合、上記熱硬化性樹脂の含有割合は、ダイボンドフィルム２において熱硬化型接着剤としての機能を適切に発現させるという観点から、ダイボンドフィルム２の総質量に対して、５〜６０質量％が好ましく、より好ましくは１０〜５０質量％である。

上記熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。上記熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく且つ耐熱性が高いためにダイボンドフィルム２による接合信頼性を確保しやすいという理由から、アクリル樹脂が好ましい。

上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多い主たるモノマーユニットとして含むポリマーであることが好ましい。当該（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、上述の添加型の放射線硬化型粘着剤に含有され得るアクリル系ポリマーを形成する（メタ）アクリル酸エステルとして例示された（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマー成分に由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。上記他のモノマー成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリロニトリル等の官能基含有モノマーや、各種の多官能性モノマー等が挙げられ、具体的には、上述の粘着剤層１２形成用の放射線硬化型粘着剤に含まれ得るアクリル系ポリマーを構成する他のモノマー成分として例示されたものを使用することができる。ダイボンドフィルム２において高い凝集力を実現するという観点からは、上記アクリル樹脂は、好ましくは、（メタ）アクリル酸エステル（特に、アルキル基の炭素数が４以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステル）と、カルボキシ基含有モノマーと、窒素原子含有モノマーと、多官能性モノマー（特にポリグリシジル系多官能モノマー）との共重合体であり、より好ましくは、アクリル酸エチルと、アクリル酸ブチルと、アクリル酸と、アクリロニトリルと、ポリグリシジル(メタ)アクリレートとの共重合体である。

ダイボンドフィルム２が熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含む場合、当該熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂を用いることができる。この熱硬化性官能基含有アクリル樹脂におけるアクリル樹脂は、好ましくは、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多い主たるモノマーユニットとして含む。当該（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、上述の添加型の放射線硬化型粘着剤に含有され得るアクリル系ポリマーを形成する（メタ）アクリル酸エステルとして例示された（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。一方、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基としては、例えば、グリシジル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。中でも、グリシジル基、カルボキシ基が好ましい。すなわち、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂としては、グリシジル基含有アクリル樹脂、カルボキシ基含有アクリル樹脂が特に好ましい。また、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂とともに硬化剤を含むことが好ましく、当該硬化剤としては、例えば、上述の粘着剤層１２形成用の放射線硬化型粘着剤に含まれ得る架橋剤として例示されたものが挙げられる。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基がグリシジル基である場合には、硬化剤としてポリフェノール系化合物を用いることが好ましく、例えば上述の各種フェノール樹脂を用いることができる。

ダイボンディングのために硬化される前のダイボンドフィルム２について、ある程度の架橋度を実現するためには、例えば、ダイボンドフィルム２に含まれ得る上述の樹脂の分子鎖末端の官能基等と反応して結合し得る多官能性化合物を架橋成分としてダイボンドフィルム形成用樹脂組成物に配合しておくのが好ましい。このような構成は、ダイボンドフィルム２について、高温下での接着特性を向上させる観点で、また、耐熱性の改善を図る観点で好ましい。上記架橋成分としては、例えばポリイソシアネート化合物が挙げられる。ポリイソシアネート化合物としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等が挙げられる。ダイボンドフィルム形成用樹脂組成物における架橋成分の含有量は、当該架橋成分と反応して結合し得る上記官能基を有する樹脂１００質量部に対し、形成されるダイボンドフィルム２の凝集力向上の観点からは０．０５質量部以上が好ましく、形成されるダイボンドフィルム２の接着力向上の観点からは７質量部以下が好ましい。また、上記架橋成分としては、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物をポリイソシアネート化合物と併用してもよい。

ダイボンドフィルム２は、フィラーを含有していてもよい。ダイボンドフィルム２へのフィラーの配合により、ダイボンドフィルム２の導電性や、熱伝導性、弾性率等の物性を調整することができる。フィラーとしては、無機フィラー及び有機フィラーが挙げられ、特に無機フィラーが好ましい。無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウムウィスカ、窒化ホウ素、結晶質シリカ、非晶質シリカの他、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル等の金属単体や、合金、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。フィラーは、球状、針状、フレーク状等の各種形状を有していてもよい。上記フィラーとしては、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。

上記フィラーの平均粒径は、０．００５〜１０μｍが好ましく、より好ましくは０．００５〜１μｍである。上記平均粒径が０．００５μｍ以上であると、半導体ウエハ等の被着体への濡れ性、接着性がより向上する。上記平均粒径が１０μｍ以下であると、上記各特性の付与のために加えたフィラーの効果を十分なものとすることができると共に、耐熱性を確保することができる。なお、フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（例えば、商品名「ＬＡ−９１０」、（株）堀場製作所製）を用いて求めることができる。

ダイボンドフィルム２は、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。上記他の成分としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤等が挙げられる。上記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。上記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。上記イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、含水酸化アンチモン（例えば東亜合成（株）製の「ＩＸＥ?３００」）、特定構造のリン酸ジルコニウム（例えば東亜合成（株）製の「ＩＸＥ?１００」）、ケイ酸マグネシウム（例えば協和化学工業（株）製の「キョーワード６００」）、ケイ酸アルミニウム（例えば協和化学工業（株）製の「キョーワード７００」）等が挙げられる。金属イオンとの間で錯体を形成し得る化合物もイオントラップ剤として使用することができる。そのような化合物としては、例えば、トリアゾール系化合物、テトラゾール系化合物、ビピリジル系化合物が挙げられる。これらのうち、金属イオンとの間で形成される錯体の安定性の観点からはトリアゾール系化合物が好ましい。そのようなトリアゾール系化合物としては、例えば、１，２，３−ベンゾトリアゾール、１−｛Ｎ，Ｎ−ビス（２−エチルヘキシル）アミノメチル｝ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、６−（２−ベンゾトリアゾリル）−４−ｔ−オクチル−６’−ｔ−ブチル−４’−メチル−２，２’−メチレンビスフェノール、１−（２’，３’−ヒドロキシプロピル）ベンゾトリアゾール、１−（１，２−ジカルボキシジエチル）ベンゾトリアゾール、１−（２−エチルヘキシルアミノメチル）ベンゾトリアゾール、２，４−ジ−ｔ−ペンチル−６−｛（Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イル）メチル｝フェノール、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、Ｃ７−Ｃ９−アルキル−３−［３−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−５−（１，１−ジメチルエチル）−４−ヒドロキシフェニル］プロピオンエーテル、オクチル−３−［３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル］プロピオネート、２−エチルヘキシル−３−［３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル］プロピオネート、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−６−（１−メチル−１−フェニルエチル）−４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４−ｔ−ブチルフェノール、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔ−オクチルフェニル）−ベンゾトリアゾール、２−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−５−クロロ−ベンゾトリアゾール、２−［２−ヒドロキシ−３，５−ジ（１，１−ジメチルベンジル）フェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２，２’−メチレンビス［６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノール］、２−［２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、メチル−３?［３−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−５−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル］プロピオネート等が挙げられる。また、キノール化合物や、ヒドロキシアントラキノン化合物、ポリフェノール化合物等の所定の水酸基含有化合物も、イオントラップ剤として使用することができる。そのような水酸基含有化合物としては、具体的には、１，２−ベンゼンジオール、アリザリン、アントラルフィン、タンニン、没食子酸、没食子酸メチル、ピロガロール等が挙げられる。上記他の添加剤は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。

ダイボンドフィルム２の厚さ（積層体の場合は、総厚み）は、特に限定されないが、例えば１〜２００μｍである。上限は、１００μｍが好ましく、より好ましくは８０μｍである。下限は、３μｍが好ましく、より好ましくは５μｍである。

ダイボンドフィルム２は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が０℃以上であることが好ましく、より好ましくは１０℃以上である。上記ガラス転移温度が０℃以上であると、クールエキスパンドによってダイボンドフィルム２を容易に割断することができる。ダイボンドフィルム２のガラス転移温度の上限は、例えば１００℃である。

ダイボンドフィルム２は、特に限定されないが、引張貯蔵弾性率（２３℃）が、５〜３０００ＭＰａであることが好ましく、より好ましくは１０〜１０００ＭＰａである。上記引張貯蔵弾性率が５ＭＰａ以上であると、ピックアップ時にダイボンドフィルム２付き半導体チップをより容易にピックアップすることができる。上記引張貯蔵弾性率が３０００ＭＰａ以下であると、クールエキスパンドの後ピックアップまでの間に、ダイシングテープ１からのダイボンドフィルム２の浮きをより発生しにくくすることができる。

ダイボンドフィルム２は、特に限定されないが、引張貯蔵弾性率（−１５℃）が、１〜１０ＧＰａであることが好ましく、より好ましくは２〜５ＧＰａである。上記引張貯蔵弾性率が１ＧＰａ以上であると、クールエキスパンドによってダイボンドフィルム２をより容易に割断することができる。上記引張貯蔵弾性率が１０ＧＰａ以下であると、クールエキスパンド時においてダイシングテープ１からのダイボンドフィルム２の浮きをより発生しにくくすることができる。

ダイボンドフィルム２の上記引張貯蔵弾性率（２３℃）と上記引張貯蔵弾性率（−１５℃）の比［（引張貯蔵弾性率（−１５℃））／（引張貯蔵弾性率（２３℃））］は、特に限定されないが、２以上が好ましく、より好ましくは３０以上である。上記比が２以上であると、クールエキスパンド時においてダイボンドフィルム２がダイシングテープ１から浮くことをより抑制でき、且つ、ピックアップ時にダイシングテープ１からダイボンドフィルム２付き半導体チップをより容易に剥離することが可能となる。また、上記比は、大きいほどが好ましいが、ピックアップと割断の容易さのバランスの観点から、例えば３００以下である。

なお、ダイボンドフィルム２の上記引張貯蔵弾性率（２３℃）及び上記引張貯蔵弾性率（−１５℃）は、例えば、粘着剤層の代わりにダイボンドフィルムを用いること以外は上述の粘着剤層１２の引張貯蔵弾性率（２３℃）及び引張貯蔵弾性率（−１５℃）と同様にして測定することができる。

ダイボンドフィルム２は、図２に示すように、単層のダイボンドフィルムからなるものが挙げられる。なお、本明細書において、単層とは、同一の組成からなる層をいい、同一の組成からなる層が複数積層された形態のものを含む。但し、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおけるダイボンドフィルムは、この例に限定されず、例えば、組成の異なる二種以上の接着フィルムが積層された形態の多層構造であってもよい。

ダイシングダイボンドフィルム３は、特に限定されないが、粘着剤層１２とダイボンドフィルム２との間の０℃における剥離力が、０．１５〜５Ｎ／１００ｍｍであることが好ましく、より好ましくは０．２０〜１Ｎ／１００ｍｍである。上記剥離力が０．１５Ｎ／１００ｍｍ以上であると、クールエキスパンド時のダイボンドフィルム２と粘着剤層１２との界面での剥離をより生じにくくし、結果として割断不良や、割断した半導体素子が飛散するという不具合の発生をより抑制することができる。上記剥離力が５Ｎ／１００ｍｍ以下であると、剥離力が高すぎることによる割断不良の発生をより抑制することができる。なお、粘着剤層１２が放射線硬化型粘着剤層である場合、放射線照射後（すなわち粘着力非低減型粘着剤により形成された領域）の上記剥離力（例えば、上記部分１２ａにおける粘着剤層１２とダイボンドフィルム２との間の０℃における剥離力）が上記範囲内であることが好ましい。

ダイシングダイボンドフィルム３は、特に限定されないが、粘着剤層１２とダイボンドフィルム２との間の２３℃における剥離力が、０．０５〜２．５Ｎ／１００ｍｍであることが好ましく、より好ましくは０．１０〜１Ｎ／１００ｍｍである。上記剥離力が０．０５Ｎ／１００ｍｍ以上であると、搬送時のダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きをより起こりにくくすることができる。上記剥離力が２．５Ｎ／１００ｍｍ以下であると、近年の薄型化された半導体チップは割れやすくなっているため、このような半導体ウエハであっても良好な軽剥離性を発揮し容易にピックアップすることができる。なお、粘着剤層１２が放射線硬化型粘着剤層である場合、放射線照射後（すなわち粘着力非低減型粘着剤により形成された領域）の上記剥離力（例えば、上記部分１２ａにおける粘着剤層１２とダイボンドフィルム２との間の２３℃における剥離力）が上記範囲内であることが好ましい。

本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態であるダイシングダイボンドフィルム３は、例えば、次の通りにして製造される。まず、樹脂、架橋剤、フィラー、溶媒等を含む、ダイボンドフィルム２を形成する組成物（接着剤組成物）を作製する。

次に、接着剤組成物をセパレータ上に塗布して塗布膜を形成した後、必要に応じて脱溶媒や硬化等により該塗布膜を固化させ、ダイボンドフィルム２を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等の公知乃至慣用の塗布方法が挙げられる。また、脱溶媒条件としては、例えば、温度７０〜１６０℃、時間１〜５分間の範囲内で行われる。

続いて、ダイシングテープ１及びダイボンドフィルム２からそれぞれセパレータを剥離し、ダイボンドフィルム２と粘着剤層１２とが貼り合わせ面となるようにして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば、３０〜５０℃が好ましく、より好ましくは３５〜４５℃である。また、線圧は特に限定されず、例えば、０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、より好ましくは１〜１０ｋｇｆ／ｃｍである。

上述のように、粘着剤層１２が放射線硬化型粘着剤層である場合にダイボンドフィルム２の貼り合わせより後に粘着剤層１２に紫外線等の放射線を照射する時には、例えば基材１１の側から粘着剤層１２に放射線照射を行い、その照射量は、例えば５０〜５００ｍＪであり、好ましくは１００〜３００ｍＪである。

放射線照射は、通常、上記部分１２ａに相当する粘着剤層１２の部分に行う。部分的に放射線照射して上記部分１２ａを形成する場合、上記部分１２ｂに対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に放射線を照射して上記部分１２ａを形成する方法も挙げられる。

以上のようにして、例えば図２に示すダイシングダイボンドフィルム３を作製することができる。ダイシングダイボンドフィルム３には、ダイボンドフィルム２側に、少なくともダイボンドフィルム２を被覆する形態でセパレータ（図示略）が設けられていてもよい。ダイシングテープ１の粘着剤層１２よりもダイボンドフィルム２が小サイズで粘着剤層１２においてダイボンドフィルム２の貼り合わされていない領域がある場合には例えば、セパレータは、ダイボンドフィルム２及び粘着剤層１２を少なくとも被覆する形態で設けられていてもよい。セパレータは、少なくともダイボンドフィルム２（例えば、ダイボンドフィルム２及び粘着剤層１２）が露出しないように保護するための要素であり、ダイシングダイボンドフィルム３を使用する際には当該フィルムから剥がされる。セパレータとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、フッ素系剥離剤や長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙類等が、挙げられる。

［半導体装置の製造方法］
本発明のダイシングダイボンドフィルムを用いて、半導体装置を製造することができる。具体的には、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおける上記ダイボンドフィルム側に、複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハを貼り付ける工程（「工程Ａ」と称する場合がある）と、相対的に低温の条件下で、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおける本発明のダイシングテープをエキスパンドして、少なくとも上記ダイボンドフィルムを割断してダイボンドフィルム付き半導体チップを得る工程（「工程Ｂ」と称する場合がある）と、相対的に高温の条件下で、上記ダイシングテープをエキスパンドして、上記ダイボンドフィルム付き半導体チップ同士の間隔を広げる工程（「工程Ｃ」と称する場合がある）と、上記ダイボンドフィルム付き半導体チップをピックアップする工程（「工程Ｄ」と称する場合がある）とを含む製造方法により、半導体装置を製造することができる。なお、上記工程Ａ〜Ｄを含む半導体装置の製造方法を、「本発明の製造方法」と称する場合がある。

（工程Ａ）
工程Ａでは、ダイシングダイボンドフィルム３におけるダイボンドフィルム２側に、複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハを貼り付ける。工程Ａで用いる上記複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体は、例えば、半導体ウエハの表面（回路層形成面又はその回路層非形成面）に溝を形成し、その後溝が裏面に現れるまで裏面研削（バックグラインド）を行って得ることができる。

工程Ａにおける一実施形態で用いる上記複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハは、以下のようにして得ることができる。まず、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、半導体ウエハＷに分割溝３０ａを形成する（分割溝形成工程）。半導体ウエハＷは、第１面Ｗａ及び第２面Ｗｂを有する。半導体ウエハＷにおける第１面Ｗａの側には各種の半導体素子（図示略）が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等（図示略）が第１面Ｗａ上に既に形成されている。そして、粘着面Ｔ１ａを有するウエハ加工用テープＴ１を半導体ウエハＷの第２面Ｗｂ側に貼り合わせた後、ウエハ加工用テープＴ１に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に所定深さの分割溝３０ａをダイシング装置等の回転ブレードを使用して形成する。分割溝３０ａは、半導体ウエハＷを半導体チップ単位に分離させるための空隙である（図３〜５では分割溝３０ａを模式的に太線で表す）。

次に、図３（ｃ）に示すように、粘着面Ｔ２ａを有するウエハ加工用テープＴ２の、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側への貼り合わせと、半導体ウエハＷからのウエハ加工用テープＴ１の剥離とを行う。

次に、図３（ｄ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ２に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化する（ウエハ薄化工程）。研削加工は、研削砥石を備える研削加工装置を使用して行うことができる。このウエハ薄化工程によって、本実施形態では、複数の半導体チップ３１に個片化可能な半導体ウエハ３０Ａが形成される。半導体ウエハ３０Ａは、具体的には、当該ウエハにおいて複数の半導体チップ３１へと個片化されることとなる部位を第２面Ｗｂ側で連結する部位（連結部）を有する。半導体ウエハ３０Ａにおける連結部の厚さ、即ち、半導体ウエハ３０Ａの第２面Ｗｂと分割溝３０ａの第２面Ｗｂ側先端との間の距離は、例えば１〜３０μｍであり、好ましくは３〜２０μｍである。

次に、図４（ａ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ２に保持された半導体ウエハ３０Ａをダイシングダイボンドフィルム３のダイボンドフィルム２に対して貼り合わせる。この後、図４（ｂ）に示すように、半導体ウエハ３０Ａからウエハ加工用テープＴ２を剥がす。ダイシングダイボンドフィルム３における粘着剤層１２が放射線硬化型粘着剤層である場合には、ダイシングダイボンドフィルム３の製造過程での上述の放射線照射に代えて、半導体ウエハ３０Ａのダイボンドフィルム２への貼り合わせの後に、基材１１の側から粘着剤層１２に対して紫外線等の放射線を照射してもよい。照射量は、例えば５０〜５００ｍＪであり、好ましくは１００〜３００ｍＪである。ダイシングダイボンドフィルム３において粘着剤層１２の粘着力低減措置としての照射が行われる領域（図１に示す部分１２ａ）は、例えば、粘着剤層１２におけるダイボンドフィルム２貼り合わせ領域内のその周縁部を除く領域である。

（工程Ｂ）
工程Ｂでは、相対的に低温の条件下で、ダイシングダイボンドフィルム３におけるダイシングテープ１をエキスパンドして、少なくともダイボンドフィルム２を割断してダイボンドフィルム付き半導体チップを得る。

工程Ｂにおける一実施形態では、まず、ダイシングダイボンドフィルム３におけるダイシングテープ１の粘着剤層１２上にリングフレーム４１を貼り付けた後、図５（ａ）に示すように、半導体ウエハ３０Ａを伴う当該ダイシングダイボンドフィルム３をエキスパンド装置の保持具４２に固定する。

次に、相対的に低温の条件下での第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を、図５（ｂ）に示すように行い、半導体ウエハ３０Ａを複数の半導体チップ３１へと個片化するとともに、ダイシングダイボンドフィルム３のダイボンドフィルム２を小片のダイボンドフィルム２１に割断して、ダイボンドフィルム付き半導体チップ３１を得る。クールエキスパンド工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３を、ダイシングダイボンドフィルム３の図中下側においてダイシングテープ１に当接させて上昇させ、半導体ウエハ３０Ａの貼り合わされたダイシングダイボンドフィルム３のダイシングテープ１を、半導体ウエハ３０Ａの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばすようにエキスパンドする。このエキスパンドは、ダイシングテープ１において１５〜３２ＭＰａ、好ましくは２０〜３２ＭＰａの範囲内の引張応力が生じる条件で行う。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは−２０〜−５℃、より好ましくは−１５〜−５℃、より好ましくは−１５℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３を上昇させる速度）は、好ましくは０．１〜１００ｍｍ／秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、好ましくは３〜１６ｍｍである。

工程Ｂでは、複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハ３０Ａを用いた場合、半導体ウエハ３０Ａにおいて薄肉で割れやすい部位に割断が生じて半導体チップ３１への個片化が生じる。これとともに、工程Ｂでは、エキスパンドされるダイシングテープ１の粘着剤層１２に密着しているダイボンドフィルム２において各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ３１間の分割溝の図中垂直方向に位置する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１に生じる引張応力が作用する。その結果、ダイボンドフィルム２において半導体チップ３１間の分割溝の垂直方向に位置する箇所が割断されることとなる。エキスパンドによる割断の後、図５（ｃ）に示すように、突き上げ部材４３を下降させて、ダイシングテープ１におけるエキスパンド状態を解除する。

（工程Ｃ）
工程Ｃでは、相対的に高温の条件下で、上記ダイシングテープ１をエキスパンドして、上記ダイボンドフィルム付き半導体チップ同士の間隔を広げる。

工程Ｃにおける一実施形態では、まず、相対的に高温の条件下での第２エキスパンド工程（常温エキスパンド工程）を、図６（ａ）に示すように行い、ダイボンドフィルム付き半導体チップ３１間の距離（離間距離）を広げる。工程Ｃでは、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３を再び上昇させ、ダイシングダイボンドフィルム３のダイシングテープ１をエキスパンドする。第２エキスパンド工程における温度条件は、例えば１０℃以上であり、好ましくは１５〜３０℃である。第２エキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３を上昇させる速度）は、例えば０．１〜１０ｍｍ／秒であり、好ましくは０．３〜１ｍｍ／秒である。また、第２エキスパンド工程におけるエキスパンド量は、例えば３〜１６ｍｍである。後述のピックアップ工程にてダイシングテープ１からダイボンドフィルム付き半導体チップ３１を適切にピックアップ可能な程度に、工程Ｃではダイボンドフィルム付き半導体チップ３１の離間距離を広げる。エキスパンドにより離間距離を広げた後、図６（ｂ）に示すように、突き上げ部材４３を下降させて、ダイシングテープ１におけるエキスパンド状態を解除する。エキスパンド状態解除後にダイシングテープ１上のダイボンドフィルム付き半導体チップ３１の離間距離が狭まることを抑制する観点では、エキスパンド状態を解除するより前に、ダイシングテープ１における半導体チップ３１保持領域より外側の部分を加熱して収縮させることが好ましい。

工程Ｃの後、ダイボンドフィルム付き半導体チップ３１を伴うダイシングテープ１における半導体チップ３１側を水等の洗浄液を使用して洗浄するクリーニング工程を必要に応じて有していてもよい。

（工程Ｄ）
工程Ｄ（ピックアップ工程）では、個片化したダイボンドフィルム付き半導体チップをピックアップする。工程Ｄにおける一実施形態では、必要に応じて上記クリーニング工程を経た後、図７に示すように、ダイボンドフィルム付き半導体チップ３１をダイシングテープ１からピックアップする。例えば、ピックアップ対象のダイボンドフィルム付き半導体チップ３１について、ダイシングテープ１の図中下側においてピックアップ機構のピン部材４４を上昇させてダイシングテープ１を介して突き上げた後、吸着治具４５によって吸着保持する。ピックアップ工程において、ピン部材４４の突き上げ速度は例えば１〜１００ｍｍ／秒であり、ピン部材４４の突き上げ量は例えば１００〜５００μｍである。

上記半導体装置の製造方法は、工程Ａ〜Ｄ以外の他の工程を含んでいてもよい。例えば、一実施形態においては、図８（ａ）に示すように、ピックアップしたダイボンドフィルム付き半導体チップ３１を、被着体５１に対してダイボンドフィルム２１を介して仮固着する（仮固着工程）。被着体５１としては、例えば、リードフレーム、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）フィルム、配線基板、別途作製した半導体チップ等が挙げられる。ダイボンドフィルム２１の仮固着時における２５℃での剪断接着力は、被着体５１に対して０．２ＭＰａ以上が好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。ダイボンドフィルム２１の上記剪断接着力が０．２ＭＰａ以上であるという構成は、後述のワイヤーボンディング工程において、超音波振動や加熱によってダイボンドフィルム２１と半導体チップ３１又は被着体５１との接着面でずり変形が生じるのを抑制して適切にワイヤーボンディングを行うことができる。また、ダイボンドフィルム２１の仮固着時における１７５℃での剪断接着力は、被着体５１に対して０．０１ＭＰａ以上が好ましく、より好ましくは０．０１〜５ＭＰａである。

次に、図８（ｂ）に示すように、半導体チップ３１の電極パッド（図示略）と被着体５１の有する端子部（図示略）とをボンディングワイヤー５２を介して電気的に接続する（ワイヤーボンディング工程）。半導体チップ３１の電極パッドや被着体５１の端子部とボンディングワイヤー５２との結線は、加熱を伴う超音波溶接によって実現でき、ダイボンドフィルム２１を熱硬化させないように行われる。ボンディングワイヤー５２としては、例えば金線、アルミニウム線、銅線等を用いることができる。ワイヤーボンディングにおけるワイヤー加熱温度は、例えば８０〜２５０℃であり、好ましくは８０〜２２０℃である。また、その加熱時間は数秒〜数分間である。

次に、図８（ｃ）に示すように、被着体５１上の半導体チップ３１やボンディングワイヤー５２を保護するための封止樹脂５３によって半導体チップ３１を封止する（封止工程）。封止工程では、ダイボンドフィルム２１の熱硬化が進行する。封止工程では、例えば、金型を使用して行うトランスファーモールド技術によって封止樹脂５３を形成する。封止樹脂５３の構成材料としては、例えばエポキシ系樹脂を用いることができる。封止工程において、封止樹脂５３を形成するための加熱温度は例えば１６５〜１８５℃であり、加熱時間は例えば６０秒〜数分間である。封止工程で封止樹脂５３の硬化が十分に進行しない場合には、封止工程の後に封止樹脂５３を完全に硬化させるための後硬化工程を行う。封止工程においてダイボンドフィルム２１が完全に熱硬化しない場合であっても、後硬化工程において封止樹脂５３と共にダイボンドフィルム２１の完全な熱硬化が可能となる。後硬化工程において、加熱温度は例えば１６５〜１８５℃であり、加熱時間は例えば０．５〜８時間である。

上記の実施形態では、上述のように、ダイボンドフィルム付き半導体チップ３１を被着体５１に仮固着させた後、ダイボンドフィルム２１を完全に熱硬化させることなくワイヤーボンディング工程が行われる。このような構成に代えて、上記半導体装置の製造方法では、ダイボンドフィルム付き半導体チップ３１を被着体５１に仮固着させた後、ダイボンドフィルム２１を熱硬化させてからワイヤーボンディング工程を行ってもよい。

上記半導体装置の製造方法おいては、他の実施形態として、図３（ｄ）を参照して上述したウエハ薄化工程に代えて、図９に示すウエハ薄化工程を行ってもよい。図３（ｃ）を参照して上述した過程を経た後、図９に示すウエハ薄化工程では、ウエハ加工用テープＴ２に半導体ウエハＷが保持された状態で、当該ウエハが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化させて、複数の半導体チップ３１を含んでウエハ加工用テープＴ２に保持された半導体ウエハ分割体３０Ｂを形成する。上記ウエハ薄化工程では、分割溝３０ａが第２面Ｗｂ側に露出するまでウエハを研削する手法（第１の手法）を採用してもよいし、第２面Ｗｂ側から分割溝３０ａに至るより前までウエハを研削し、その後、回転砥石からウエハへの押圧力の作用により分割溝３０ａと第２面Ｗｂとの間にクラックを生じさせて半導体ウエハ分割体３０Ｂを形成する手法（第２の手法）を採用してもよい。採用される手法に応じて、図３（ａ）及び図３（ｂ）を参照して上述したように形成する分割溝３０ａの、第１面Ｗａからの深さは、適宜に決定される。図９では、第１の手法を経た分割溝３０ａ、又は、第２の手法を経た分割溝３０ａ及びこれに連なるクラックについて、模式的に太線で表す。上記半導体装置の製造方法では、工程Ａにおいて、半導体ウエハ分割体としてこのようにして作製される半導体ウエハ分割体３０Ｂを半導体ウエハ３０Ａの代わりに用い、図４から図８を参照して上述した各工程を行ってもよい。

図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、当該実施形態における工程Ｂ、すなわち半導体ウエハ分割体３０Ｂをダイシングダイボンドフィルム３に貼り合わせた後に行う第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を表す。当該実施形態における工程Ｂでは、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３を、ダイシングダイボンドフィルム３の図中下側においてダイシングテープ１に当接させて上昇させ、半導体ウエハ分割体３０Ｂの貼り合わされたダイシングダイボンドフィルム３のダイシングテープ１を、半導体ウエハ分割体３０Ｂの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばすようにエキスパンドする。このエキスパンドは、ダイシングテープ１において１５〜３２ＭＰａ、好ましくは２０〜３２ＭＰａの範囲内の引張応力が生じる条件で行う。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは−２０〜−５℃、より好ましくは−１５〜−５℃、より好ましくは−１５℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３を上昇させる速度）は、好ましくは１〜４００ｍｍ／秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、好ましくは１〜３００ｍｍである。このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルム３のダイボンドフィルム２を小片のダイボンドフィルム２１に割断してダイボンドフィルム付き半導体チップ３１が得られる。具体的に、クールエキスパンド工程では、エキスパンドされるダイシングテープ１の粘着剤層１２に密着しているダイボンドフィルム２において、半導体ウエハ分割体３０Ｂの各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ３１間の分割溝３０ａの図中垂直方向に位置する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１に生じる引張応力が作用する。その結果、ダイボンドフィルム２において半導体チップ３１間の分割溝３０ａの図中垂直方向に位置する箇所が割断されることとなる。

上記半導体装置の製造方法おいては、さらなる他の実施形態として、工程Ａにおいて用いる半導体ウエハ３０Ａ又は半導体ウエハ分割体３０Ｂに代えて、以下のようにして作製される半導体ウエハ３０Ｃを用いてもよい。

当該実施形態では、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、まず、半導体ウエハＷに改質領域３０ｂを形成する。半導体ウエハＷは、第１面Ｗａ及び第２面Ｗｂを有する。半導体ウエハＷにおける第１面Ｗａの側には各種の半導体素子（図示略）が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等（図示略）が第１面Ｗａ上に既に形成されている。そして、粘着面Ｔ３ａを有するウエハ加工用テープＴ３を半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に貼り合わせた後、ウエハ加工用テープＴ３に半導体ウエハＷが保持された状態で、ウエハ内部に集光点の合わせられたレーザー光をウエハ加工用テープＴ３とは反対の側から半導体ウエハＷに対して分割予定ラインに沿って照射して、多光子吸収によるアブレーションに因って半導体ウエハＷ内に改質領域３０ｂを形成する。改質領域３０ｂは、半導体ウエハＷを半導体チップ単位に分離させるための脆弱化領域である。半導体ウエハにおいてレーザー光照射によって分割予定ライン上に改質領域３０ｂを形成する方法については、例えば特開２００２−１９２３７０号公報に詳述されているが、当該実施形態におけるレーザー光照射条件は、例えば以下の条件の範囲内で適宜に調整される。
＜レーザー光照射条件＞
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３．１４×１０^-8ｃｍ²
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ以下
パルス幅 １μｓ以下
出力 １ｍＪ以下
レーザー光品質 ＴＥＭ００
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 １００倍以下
ＮＡ ０．５５
レーザー光波長に対する透過率 １００％以下
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度 ２８０ｍｍ／秒以下
なお、レーザー光Ｌを照射して分割予定ライン上に改質領域４Ｌを形成する方法については、特開２００２−１９２３７０号公報等に詳述されているので、ここでの詳細な説明は省略することとする。

次に、図１１（ｃ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ３に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化させ、これによって複数の半導体チップ３１に個片化可能な半導体ウエハ３０Ｃを形成する（ウエハ薄化工程）。上記半導体装置の製造方法では、工程Ａにおいて、個片化可能は半導体ウエハとしてこのようにして作製される半導体ウエハ３０Ｃを半導体ウエハ３０Ａの代わりに用い、図４から図８を参照して上述した各工程を行ってもよい。

具体例として、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、当該実施形態における工程Ｂ、すなわち半導体ウエハ３０Ｃをダイシングダイボンドフィルム３に貼り合わせた後に行う第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を表す。クールエキスパンド工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３を、ダイシングダイボンドフィルム３の図中下側においてダイシングテープ１に当接させて上昇させ、半導体ウエハ３０Ｃの貼り合わされたダイシングダイボンドフィルム３のダイシングテープ１を、半導体ウエハ３０Ｃの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばすようにエキスパンドする。このエキスパンドは、ダイシングテープ１において５〜２８ＭＰａ、好ましくは８〜２５ＭＰａの範囲内の引張応力が生じる条件で行う。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは−２０〜−５℃、より好ましくは−１５〜−５℃、より好ましくは−１５℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３を上昇させる速度）は、好ましくは１〜４００ｍｍ／秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、好ましくは１〜３００ｍｍである。このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルム３のダイボンドフィルム２を小片のダイボンドフィルム２１に割断してダイボンドフィルム付き半導体チップ３１が得られる。具体的に、クールエキスパンド工程では、半導体ウエハ３０Ｃにおいて脆弱な改質領域３０ｂにクラックを形成されて半導体チップ３１への個片化が生じる。これとともに、クールエキスパンド工程では、エキスパンドされるダイシングテープ１の粘着剤層１２に密着しているダイボンドフィルム２において、半導体ウエハ３０Ｃの各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、ウエハのクラック形成箇所の図中垂直方向に位置する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１に生じる引張応力が作用する。その結果、ダイボンドフィルム２において半導体チップ３１間のクラック形成箇所の図中垂直方向に位置する箇所が割断されることとなる。

また、上記半導体装置の製造方法において、ダイシングダイボンドフィルム３は、上述のようにダイボンドフィルム付き半導体チップを得る用途に使用することができるが、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合におけるダイボンドフィルム付き半導体チップを得るための用途にも使用することができる。そのような３次元実装における半導体チップ３１間には、ダイボンドフィルム２１と共にスペーサが介在していてもよいし、スペーサが介在していなくてもよい。

以下に実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。

実施例１
（ダイシングテープの作製）
冷却管、窒素導入管、温度計、及び撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル（２ＥＨＡ）１００質量部、アクリル酸２−ヒドロキシエチル（ＨＥＡ）１９質量部、過酸化ベンゾイル０．４質量部、及びトルエン８０質量部を入れ、窒素気流中で６０℃にて１０時間重合を行い、アクリル系ポリマーＡを含む溶液を得た。
このアクリル系ポリマーＡを含む溶液に２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）１．２質量部を加え、空気気流中で５０℃にて６０時間、付加反応を行い、アクリル系ポリマーＡ’を含む溶液を得た。
次に、アクリル系ポリマーＡ’１００質量部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、東ソー（株）製）１．３質量部、及び光重合開始剤（商品名「イルガキュア１８４」、ＢＡＳＦ社製）３質量部を加えて、粘着剤組成物Ａを作製した。
得られた粘着剤組成物Ａを、ＰＥＴ系セパレータのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱固化し、厚さ１０μｍの粘着剤層Ａを形成した。次いで、粘着剤層Ａの露出面に、基材としてポリ塩化ビニルフィルム（商品名「Ｖ９Ｋ」、アキレス（株）製、厚さ１００μｍ）を貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存して、ダイシングテープＡを作製した。

（ダイボンドフィルムの作製）
下記（ａ）〜（ｅ）をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度２０質量％の接着剤組成物Ａを得た。
（ａ）アクリル樹脂（商品名「ＳＧ−７０Ｌ」、ナガセケムテックス（株）製、ガラス転移温度４℃）：１００質量部（固形分）
（ｂ）エポキシ樹脂（商品名「Ｎ−６５５−ＥＸＰ−Ｓ」、ＤＩＣ（株）製）：１３質量部
（ｃ）エポキシ樹脂（商品名「ＪＥＲ８２８」、三菱化学（株）製）：１３質量部
（ｄ）フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ−７８５１ｓｓ」、明和化成（株）製）：１１９質量部
（ｅ）球状シリカ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」、（株）アドマテックス製）：２２２質量部

得られた接着剤組成物Ａを、ＰＥＴ系セパレータのシリコーン処理を施した面上に塗布した後、１３０℃で２分間加熱固化し、厚さ（平均厚さ）１０μｍのダイボンドフィルムＡを作製した。

（ダイシングダイボンドフィルムの作製）
ダイシングテープＡからＰＥＴ系セパレータを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＡを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。次に、３００ｍＪの紫外線をダイシングテープ側から照射し、ダイシングダイボンドフィルムＡを作製した。

比較例１
（ダイシングテープの作製）
基材としてＥＶＡ系フィルム（商品名「ＮＥＤ＃１２５」、グンゼ（株）製、厚さ１２５μｍ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、ダイシングテープＢを得た。

（ダイシングダイボンドフィルムの作製）
ダイシングテープＡの代わりにダイシングテープＢを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、ダイシングダイボンドフィルムＢを作製した。

比較例２
（ダイシングテープの作製）
基材として、ポリエチレン／ポリプロピレン／ポリエチレンの３層構成を有するプラスチック基材（商品名「ＤＤＺ」、グンゼ（株）製、厚さ９０μｍ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、ダイシングテープＣを得た。

（ダイシングダイボンドフィルムの作製）
ダイシングテープＡの代わりにダイシングテープＣを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、ダイシングダイボンドフィルムＣを作製した。

比較例３
（ダイシングテープの作製）
基材としてＥＶＡ系フィルム（商品名「ＲＢ０１０４」、倉敷紡績（株）製、厚さ１３０μｍ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、ダイシングテープＤを得た。

（ダイシングダイボンドフィルムの作製）
ダイシングテープＡの代わりにダイシングテープＤを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、ダイシングダイボンドフィルムＤを作製した。

＜評価＞
実施例及び比較例で得られたダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムについて、以下の評価を行った。結果を表１に示す。

（ダイシングテープの引張応力及び応力緩和率）
実施例及び比較例で得られたダイシングテープから、基材のＭＤ方向を長さ方向として長さ１４０ｍｍ×幅２０ｍｍに切り出して短冊状試験片を得た。この短冊状試験片を、２３℃、５０％ＲＨの雰囲気下で、初期チャック間距離１００ｍｍとし、引張速度１００ｍｍ／分で引張試験機（商品名「ＡＦＸ−５０ＮＸ」、（株）島津製作所製）を用いて、伸び率３０％まで延伸（伸長）させて停止して、応力値を２０００秒間測定した。そして、延伸させて停止した際の応力値を「３０％延伸時の応力値」、延伸停止から１０００秒経過したときの応力値を「３０％延伸１０００秒後の応力値」として得た。そして、３０％延伸時の応力値をＡ、３０％延伸１０００秒後の応力値をＢとし、２３℃の温度条件で３０％延伸してから１０００秒後の応力緩和率を下記式により求めた。
応力緩和率（％）＝（Ａ−Ｂ）／Ａ×１００

（ダイボンドフィルム付き半導体チップの浮き）
レーザー加工装置として商品名「ＭＬ３００−Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ」（（株）東京精密製）を用いて、１２インチの半導体ウエハの内部に集光点を合わせ、格子状（１０ｍｍ×１０ｍｍ）の分割予定ラインに沿ってレーザー光を照射し、半導体ウエハの内部に改質領域を形成した。レーザー光の照射は、下記の条件で行った。
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３．１４×１０^-8ｃｍ²
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ
パルス幅 ３０ｎｓ
出力 ２０μＪ／パルス
レーザー光品質 ＴＥＭ００ ４０
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 ５０倍
ＮＡ ０．５５
レーザー光波長に対する透過率 ６０％
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度 １００ｍｍ／秒

半導体ウエハ内部に改質領域を形成した後、半導体ウエハの表面にバックグラインド用保護テープを貼り合わせ、バックグラインダー（商品名「ＤＧＰ８７６０」、（株）ディスコ製）を用いて半導体ウエハの厚さが３０μｍになるように裏面を研削した。

実施例及び比較例で得られたダイシングダイボンドフィルムに、改質領域が形成された半導体ウエハとダイシングリングを貼り合わせた。そして、ダイセパレーター（商品名「ＤＤＳ２３００」、（株）ディスコ製）を用いて、半導体ウエハ及びダイボンドフィルムの割断を行った。具体的には、まず、クールエキスパンダーユニットで、温度−１５℃、所定の速度、所定のエキスパンド量の条件でクールエキスパンドを行って半導体ウエハを割断させた。なお、クールエキスパンド時の速度（エキスパンド速度）は、実施例１は０．５ｍｍ／秒、比較例１〜３は１ｍｍ／秒であり、エキスパンド量は、実施例１は３ｍｍ、比較例１及び２は８ｍｍ、比較例３は４ｍｍである。なお、クールエキスパンドの好ましい条件（エキスパンド速度、エキスパンド量等）は、ダイシングテープの種類によって異なるため、実施例及び各比較例において最も好ましい条件でクールエキスパンドを行った。クールエキスパンド後は、割断及びダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きに問題が無いことを確認した。

半導体ウエハ及びダイボンドフィルムの割断後、上記クールエキスパンダーユニットをそのまま用いて、室温、エキスパンド速度０．３ｍｍ／秒、エキスパンド量８ｍｍの条件で常温エキスパンドを行った。そして、ダイボンドフィルムがダイシングテープから浮いている部分の面積（ダイボンドフィルム全体の面積を１００％としたときの浮いているダイボンドフィルム付き半導体チップの面積の割合）を顕微鏡で観察した。浮きが無い又は許容範囲内であれば○、浮きが目立って有る場合を×として評価した。結果を表１に示す。なお、常温エキスパンドの好ましい条件（エキスパンド速度、エキスパンド量等）は、ダイシングテープの種類によって異なるため、実施例及び各比較例において最も好ましい条件で常温エキスパンドを行い、評価を行った。

１ ダイシングテープ
１１ 基材
１２ 粘着剤層
２、２１ ダイボンドフィルム
３ ダイシングダイボンドフィルム
Ｗ、３０Ａ 半導体ウエハ
３０Ｂ 半導体ウエハ分割体
３０ａ 分割溝
３０ｂ 改質領域
３１ 半導体チップ

Claims (6)

1. 基材と、前記基材上に積層された粘着剤層とを有し、
   少なくとも一方向の、２３℃の温度条件で３０％延伸してから１０００秒後の応力緩和率が４５％以上であり、
   前記少なくとも一方向の、２３℃の温度条件で３０％延伸してから１０００秒後の応力値が４ＭＰａ以下である、ダイシングテープ。
2. 前記基材の厚さが４０〜１５０μｍである、請求項１に記載のダイシングテープ。
3. 前記少なくとも一方向の、２３℃の温度条件で３０％延伸した時の応力値が、５ＭＰａ以上である、請求項１又は２に記載のダイシングテープ。
4. 前記少なくとも一方向の、２３℃の温度条件で３０％延伸した時の応力値と、前記少なくとも一方向の、２３℃の温度条件で３０％延伸してから１０００秒後の応力値との差が、５ＭＰａ以上である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のダイシングテープ。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載のダイシングテープと、前記ダイシングテープにおける前記粘着剤層上に積層されたダイボンドフィルムとを有し、
   前記ダイボンドフィルムは、引張応力を加えることにより割断して使用される、ダイシングダイボンドフィルム。
6. 請求項５に記載のダイシングダイボンドフィルムにおける前記ダイボンドフィルム側に、複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハを貼り付ける工程Ａと、
   比較的低温の条件下で、前記ダイシングダイボンドフィルムにおける前記ダイシングテープをエキスパンドして、少なくとも前記ダイボンドフィルムを割断してダイボンドフィルム付き半導体チップを得る工程Ｂと、
   比較的高温の条件下で、前記ダイシングテープをエキスパンドして、前記ダイボンドフィルム付き半導体チップ同士の間隔を広げる工程Ｃと、
   前記ダイボンドフィルム付き半導体チップをピックアップする工程Ｄと
   を含む、半導体装置の製造方法。

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