JP2018522238A - 多層構造体の層間のオーバレイを測定する技法 - Google Patents
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Abstract
Description
本特許出願は、最新の多層半導体構造体の検査の分野からの例を使用した上述の技法を説明する。
関心の最新の多層半導体構造体は、光学顕微鏡によって必要な正確さおよび分解能で構造体を検査することができないスケールまで(現時点では約7〜10nmのノードスケールまで)小型化が進んでいる。光学顕微鏡によって検査することができないのは、光学顕微鏡によって提供される情報が視覚像の処理の結果であるためである。このような最新の構造体に対しては、視覚的測定によって得られたデータを処理するモデルベースの複雑な解析法を適用する理論上の選択肢もある。
より実際的な代替の選択肢は、光学顕微鏡の分解能よりも高い分解能を有するツールを含む技術を利用することである。
説明を続けるために、いくつかの包括的な定義を以下に示す。これらの定義は、後述する課題および例示的な解決手段を理解する上で重要である。
SEM − 3D ICを1次電子ビームにさらし、3D ICの多数の層からの応答電子ビームまたは散乱電子に関するデータを集めるため、さらには、集めたデータにコンピュータ処理を適用することによって、それらの多数の層の結合(combined)SEM画像を再構成するために使用される走査電子顕微鏡。
使用可能画像または所与画像(given image) − 実際の多層構造体を表す画像。SEM画像 − 使用可能画像/所与画像の例。
CD SEM − 限界寸法走査電子顕微鏡。この走査電子顕微鏡は、約3000nmから約7nmの寸法を有する広範囲のノードに対して適用可能である。CD−SEMは、より高性能の電子光学部品および先進の画像処理を利用することにより、高い分解能、高いスループット、高い感度および高い再現性を達成する。
結合予想画像 − 多層構造体の層の予想画像を、それらの層およびそれらの層の要素の可視性を考慮して結合することによって得られた画像。
オーバレイ(OVL) − 多層構造体の1つの層のパターンとその多層構造体の別の1つの層のパターンとの整列(alignment)を特徴づけるベクトル。
位置合せ(registration) − 2つ以上の画像の相互位置を認識することによって、それらの画像を最大限に可能な範囲で整列させること。位置合せは例えば、画像間の可能な最大の重なり(overlapping)を達成することによって実行することができる。さまざまな位置合せ技術が存在する。この説明では、先進の半導体ノード向けにカスタマイズされた位置合せのバージョン(version)が提案される。
N層多層構造体の層のマップ − それぞれの画像が所与画像のサイズを有するN個の2値画像からなる一組の2値画像である。
特定の1つの層のマップは、所与画像上で(したがってセグメント化画像上で)可視であるその層の特徴だけを含む2値画像であり、それらの特徴は、その特定の層のラベルでラベル付けされたピクセルのエリア(セグメント)によってマップ上に表示される。これは、以下のように書くことができる。
マップ(x,y){j}={Segm(x,y)=jならば1;Segm(x,y)≠jならば0,1≦j≦N,Nは層数}
用語「ピクセルのエリア」および「セグメント」は、この説明の中で断続的に使用される。
多層構造体内のオーバレイ、例えば最新の超小型の多層半導体構造体内のオーバレイを効果的かつ正確に推定する解決手段が長く求められている。
本発明のより具体的な目的は、多層半導体構造体内のオーバレイを測定する効果的で正確な技法を提供することである。本発明者は、この目的を、最新の半導体多層構造体内のオーバレイの集中化された大域的な測定(centralized,global measurement)に対する長い間のニーズと認識している。
本発明の第1の態様によれば、多層構造体の層間のオーバレイを決定する方法であって、
− 多層構造体を表す画像(いわゆる所与画像または使用可能画像)を提供すること、
− 多層構造体の対応するそれぞれの層の予想画像を得ること、
− 多層構造体の結合予想画像を(層の順序と互いに対する層の配置に起因する可視性/予想される閉塞(occlusion)とを考慮した前記層の予想画像の結合体(combination)として)提供すること、
− 結合予想画像に対する所与画像の位置合せを実行すること、
− 所与画像のセグメント化を提供し、それによって
○セグメント化画像(セグメント化画像では、セグメント化画像のそれぞれのピクセルが、そのピクセルが関係する多層構造体の層を示すラベルに関連づけられており、それによって同一のラベルを有するピクセルのエリア/セグメントが形成されている)、および
○前記多層構造体の層のマップとも呼ばれるセグメント化マップ(このようなマップは一組の2値画像であり、特定の層のマップは、所与画像上で(したがってセグメント化画像上で)可視であるその層の特徴だけを含む2値画像であり、それらの特徴は、その特定の層のラベルでラベル付けされたセグメントによってマップ上に表示される)
を生成すること、
− 多層構造体の選択された任意の2つの層間のオーバレイを、前記選択された2つの層の予想画像とともに選択された2つの層のマップを処理することによって決定(測定)すること
を含む方法が提供される。
有利には、提案の方法が、残りのどの層に関しても、多層構造体のそれぞれの層のオーバレイを決定することを可能にする。実際に、構造体の全ての層のオーバレイを、任意の組合せで決定することができる。
層の予想画像および/または結合予想画像を、設計画像を実際の多層構造体の所与画像に似せるための(すなわち結合画像/製造後の層の実際の外観を模倣するための)シミュレーションを経た設計画像と理解することができることに留意すべきである。このような予想画像を、シミュレートされた設計画像と呼ぶ。
− 多層構造体が、3D ICなどの半導体構造体、例えばウエハであり、
− 所与画像が、3D ICのSEM画像であり、
− 予想画像が、シミュレートされた設計画像(例えば製造後の層の実際の外観を模倣するようにシミュレートされた層のCAD画像)であり、
− 結合予想画像(例えば結合CAD画像)が、層の順序および予想される閉塞を考慮して層の上述の設計画像を結合することによって形成され、
− セグメント化が、SEM画像セグメント化であり、それによって構造体のセグメント化画像(SEM画像)、さらに層の別個のマップ(SEMマップ)が生成され、
− 3D ICの任意の2つの層間のオーバレイが、前記2つの層の予想画像、好ましくはシミュレートされた予想画像とともに2つの層のマップを処理することによって(例えば、これらの層のSEMマップを、同じ層のシミュレートされたCAD画像を使用して処理することによって)決定される
方法である。
このセグメント化は、層の予想画像を参照することができること、すなわち、この方法は、セグメント化を実行している間に予想画像を考慮することを含むことができることに留意すべきである。
異なる層上に位置する特徴または同じ層上に位置する特徴をより正確に区別するように、所与画像(SEM画像)のピクセルごとに、セグメント化を繰返し強化することによって、この提案の技法を改良することができる。
層の予想画像を調整することによって、セグメント化の結果を補正することができる。これは、測定されたオーバレイに基づいて実行することができる。
したがって、測定されたオーバレイに関するフィードバックを使用することによって、セグメント化の結果を強化することができる。
オーバレイ測定の結果に基づいてセグメント化を繰返し強化することによって、オーバレイを測定し、セグメント化を使用することが意図された異なる技法を改良することもできることに留意すべきである。
その結果として、セグメント化結果を補正すると、オーバレイ測定の結果も改良される。
− 特定の層の予想画像を、その特定の層に対して測定されたオーバレイ値に基づいて(例えば予想画像の座標をシフト操作によって変化させることによって)補正し、
− 補正された予想画像を考慮することにより、例えば特定の層の補正された予想画像に基づいて前記特定の層の補正されたマップを得ることにより、セグメント化を補正する
ことによってセグメント化結果を補正することを含むことができる。
次いで、補正されたセグメント化に基づいてオーバレイを再び測定することができ、この方法を繰返し続けることができる。
この方法は、一組の既存の/所定の限界が許容する分だけの繰返しを含むことができる。この限界は、オーバレイ測定手順の時間、品質およびコスト、オーバレイ値などに関係することがある。別のいくつかの限界については、後に、この説明の中で言及する。
オーバレイ測定をより効果的にするため、この方法は、受入れ可能なオフセットの1つまたは複数の所定の限界内で生じうる追加の確からしい(probable)閉塞を考慮することを含むことができる。
セーフエリアを参照するセグメント化結果の使用は、より効果的である/より信頼性が高いと考えられる。
多層構造体の任意の2つの層間のオーバレイを決定(測定)するステップは、例えば以下の2つのバージョンのうちの1つのバージョンに従って実行することができる。
− 選択された2つの層のそれぞれの層について、その特定の層のマップ(SEMマップ)とその同じ特定の層の予想画像(設計画像/CAD画像)との間の層ごとの位置合せ(per−layer registration)を、セーフエリアを参照することによって実行すること、
− 選択された2つの層のそれぞれの層について、その特定の層のマップ(SEMマップ)をその同じ特定の層の予想画像(設計画像/CAD画像)と比較することによって、その特定の層のシフト(または位置合せベクトル)を測定し、それによって選択された2つの層の対応するそれぞれの2つのシフトを得ること、
前記選択された2つの層間のオーバレイを、前記2つのシフトの差として得ること
を含むことができる。
例えば、
軸Xに沿った層「i」のシフトのX成分は、式1によって近似することができる。
ΔXi=XSEMi−XCADi [1]
層「j」に対する層「i」のオーバレイのX成分は、式2によって近似することができる。
ΔXi−ΔXj=XSEMi−XSEMj+(XCADj−XCADi)=XSEMi−XSEMj+オフセット [2]
上式で、(XCADj−XCADi)=オフセット=一定である。
同様の操作を軸Yについて実行して、オーバレイのY成分を得る。
位置合せが上述のセーフエリアに基づく場合には、前記層ごとの位置合せをより効果的に実行することができることに留意すべきである。
− 選択された2つの層の選択された2つのマップの中にそれぞれ現れる2つのセーフエリア(MSA)を選択すること、
− 選択された2つの層の2つの予想画像の中にそれぞれ現れる2つのセグメント(ESA)であり、前記2つのセーフエリアMSAにそれぞれ対応する2つのセグメントESAを割り当てること、
− 選択された2つのセーフエリアMSAのオーバレイのベクトルV1(オーバレイベクトルSimg)を、選択された2つのセーフエリアMSAの重心(Center of Gravity:COG)の差を計算することによって決定すること、
− 2つのセグメントESAのベクトルV2(オーバレイベクトルSexp)を、2つのセグメントESAの重心(COG)の差を計算することによって決定すること、
− 選択された2つの層間のオーバレイを、V1とV2の差を計算することによって決定すること
を含むことができる。
半導体構造体の検査に関して、V1は、SEM画像上で推定されることが好ましく、V2は、CAD画像上で推定されることが好ましい。
繰返しになるが、この方法は、追加的に選択された任意の数の代替の層対に対して、言い換えると多層構造体の全ての層に対してオーバレイ測定を実行するように適合されているため、有利である。
多層構造体の層間のオーバレイの決定を実行する方法であって、
− 多層構造体を表す所与画像を得ること、
− 多層構造体の対応するそれぞれの層の予想画像および多層構造体の結合予想画像を得ること、
− 結合予想画像に対する所与画像の位置合せを実行すること、
− 所与画像のセグメント化を実行すること、
− 多層構造体の選択された任意の2つの層間のオーバレイを決定すること、
− 決定されたオーバレイに関するフィードバックを使用してセグメント化の結果を補正すること
を含む方法。
この方法はさらに、補正されたセグメント化結果を使用してオーバレイを再決定することを含むことができる。
多層構造体の層間のオーバレイを決定する方法であって、
− 多層構造体を表す所与画像を得ること、
− 多層構造体の対応するそれぞれの層の予想画像および多層構造体の結合予想画像を得ること、
− 結合予想画像に対する所与画像の位置合せを実行すること、
− 所与画像のセグメント化を提供し、それによって
○セグメント化画像、および
○前記多層構造体の層のマップ
を生成すること、
− 予想画像上のセーフエリアおよび層のマップ上のセーフエリアであり、所定のオフセットによって閉塞されえない特定の層上の要素のセグメントを表すセーフエリアを決定すること、
− 選択された2つの層の予想画像とともに前記選択された2つの層のマップを、決定されたセーフエリアを利用して処理することによって、多層構造体の選択された任意の2つの層間のオーバレイを決定すること
を含む方法。
このスキャナは、それぞれの軸に沿った高次補正、例えば(a+bx+cx2+dx3)を処理することができる。この式で、xは、特定の2つの層間のオーバレイである。CD−SEMオーバレイ結果およびあるオーバレイ数学モデルを使用して、ユーザ/顧客は、それらの係数a、b、c、dを見つけることができ、それらの係数をスキャナで使用して、収差を固定することができる。
総称的(generic)であり、すなわち、検査する層の幾何形状に依存せず、
大域的であり、すなわち層間の測定を実行することは可能にするが、同じ層内の要素間の測定は可能にせず、
構造体の全ての層に対して同時に(並行して)情報が得られ、その情報が、任意の層対のオーバレイの計算を可能にするため、包括的(comprehensive)/万能(universal)であり、
使用可能画像のセグメント化を繰返し改良することによって正確さを向上させるフィードバックを可能にし、
雑音または低信号対雑音(SNR)比に対して安定であるためロバスト(robust)であり、
1nm未満の正確さを有する測定を提供することにより正確(accurate)である
ことによる。
結合予想画像(任意選択で設計画像を予めシミュレーションにかけた結合予想画像)を生成し、
所与画像を結合予想画像とともに処理して、所与画像と結合予想画像との間の位置合せを実行し、
構造体の対応する多数の層のマップへの所与画像のセグメント化を実行し、
構造体の任意の2つの層間のオーバレイ測定を、前記2つの層のマップおよび適当な予想画像に基づいて実行する
ように構成された処理装置を備える。
本発明は、以下の説明の中でさらに説明される。
次に、以下の非限定的な図面の助けを借りて本発明をより詳細に説明する。
システムSは、処理装置(図示せず)と記憶装置とを含むコンピュータCを備える。記憶装置は、外部ブロックMとして概略的に示されている。オペレータが検査プロセスを制御および調整することができるように、コンピュータはさらに、ディスプレイDおよびキーボードKを備える。コンピュータCは、線Lを介して走査電子顕微鏡SEMと通信する。走査電子顕微鏡SEMは、3次元多層構造体(半導体ウエハWが示されている)の画像を生成するように適合されている。
SEMで得られたSEM画像はコンピュータCに送られ、コンピュータCで処理され、記憶装置Mに記憶される。
コンピュータCの記憶装置Mはさらに、ウエハWの層の予め作成された一組の予想画像を記憶することができる。
システムSの動作は、所与画像(SEM画像)および予想画像の処理に基づいてウエハの層間のオーバレイを測定することに重点が置かれている。
予想画像は、層に関して設計されたCAD画像とすることができる。あるいは、予想画像が、関心の実際の構造体の層上の実際のパターンに最大限に似て見えるようにするため、シミュレーションにかけた設計画像から予想画像を形成することもできる。
図2は、提案の方法の一バージョンの流れ図を示す。バージョン10は、この方法のいくつかの変更のための根本法の役目を果たすことがある。
ブロック12:実際の多層構造体の所与画像を得る。本出願に記載された特定の例では、所与画像が、走査電子顕微鏡によって生成されたSEM画像である。
− ボックス14.1は、例示的な層「i」を含む構造体の多数の層に対して作成された複数の設計画像を示す。
− ブロック14は、以下のような設計画像のシミュレーションを含むことができる。
− ボックス14.2は、設計画像をシミュレーションにかけて、多数の層の対応するそれぞれの予想画像を形成することができることを示している。
− ボックス14.3は、それらの層のシミュレートされた画像から結合予想画像を得ることができることを示している。
予想画像は例えば、CAD画像またはシミュレートされたCAD画像とすることができる。
上述のさまざまな形態の予想画像は、コンピュータの記憶装置に記憶される。
さらに、以下の操作を使用して、所与画像を予想画像と比較することができる。
ブロック16は、所与画像(SEM画像)を結合予想画像に対して位置合せすることを示している。
ブロック18は、所与画像のセグメント化を担う。
ボックス18.2は、次いで、セグメント化画像から、(例示的な層「i」のマップを含む)複数の層マップを形成し、それらの層マップを記憶装置に記憶することを示している。本発明者の特定の例では、これらのマップが、対応するそれぞれの層のSEMマップである。
任意選択で、ブロック14で受け取った適当な予想画像を考慮することによって、ボックス18.1および18.2で実行されるセグメント化プロセスを支援し、容易にすることができる(任意選択のこれらの矢印は図2には示されていない)。
流れ図10に定義された概念のいくつかの特定の実施態様および結合を、以下の図面を参照して説明する。
図3は、どのようにして、追加の特徴、すなわちいわゆるセーフエリアを決定し、図2に示された方法と結合するのかを示す、流れ図の一部分を示す。
しかしながら、セーフエリアの概念は、この特許出願に記載されたオーバレイ測定法で使用することができるだけでなく、半導体構造体を検査する他の方法で使用することもできることに留意すべきである。
セーフエリアは、新たなブロック15で画定される。
(図7および8がさらに、セーフエリアの意味を説明するいくつかの絵図を提供する。)
任意選択で、画定されたセーフエリアESAを含む層の予想画像を使用して、結合予想画像を得(ブロック14.3、図3には示されていない)、次いで、ボックス16で適切な位置合せを実行することができる。
それぞれのMSAは、特定のESAを関心の層のマップと比較することによって画定することができる。
次いで、予想画像上および層のマップ上で決定されたセーフエリア(ESAおよびMSA)を使用して、選択された2つの層間のオーバレイを正確に測定する。そのため、図3では、汎用ブロック20が変更され、符号20Aで示されている(これは、OVL測定がセーフエリアに基づくためである)。
セーフエリアを使用してオーバレイを測定する例が、図6の流れ図および図8の絵図に示されている。
図4は、測定結果に基づくフィードバックを含む、変更されたオーバレイ測定法の流れ図を示す。フィードバックを含むこのような方法は例えば、図2を参照して説明した流れ図10から始めることができる。
図4の例では、流れ図10が部分的に示されており、ブロック18および20だけが示されている。
OVL限界を超えていない場合、それを実行するのに使用可能な資源があるならば、OVLを改良することができる(これは、正確さを改良するための追加のラウンドには、追加の時間、エネルギー、材料などがかかるためである。ブロック24)。OVL限界を超えていない場合には、オーバレイを調べた2つの層のうちの一方または両方の層の予想(設計)画像を調整することによって(ブロック26)オーバレイを改良することを本発明者は提案する。例えば、予想画像のシミュレーションを調整することができ、かつ/または予想画像(CAD画像)を互いに対してシフトさせることができる、などである。
ブロック26からのこのような更新された情報は、OVLの測定を担うブロック20にも送られる。それにより、次の製造ラウンドで、その特定の層の補正された予想画像を参照してオーバヘッドが再計算される。
このプロセスの特定の段階において、ブロック24で、OVLをさらに改良しても無駄である、またはOVLをさらに改良するコストが高すぎるとの判断を下すことができる。
図5は、OVL計算の特定の流れ図を概略的に示す。この流れ図は以下のものを含む。
ボックス20.1。層間のOVLを測定する任意の2つの層(層1および層2と呼ぶ)を選択する。
ボックス20.4は、層の予想画像からの層のマップのシフト(x/yベクトル)を測定することを含む。層1について測定されたベクトルを「シフト1」と呼ぶ。層2についてこのようなベクトルを測定して、「シフト2」を得る。
ボックス20.6は、ボックス20.4で得た2つのシフト間の差としてオーバレイ(OVL)を計算することを含む。
ボックス20.1 − OVLを測定する2つの層を選択する(これは図5の場合と同じである)。
ボックス20.3 − コンピュータ記憶装置から、選択された2つの層のマップ(すなわち層のセグメント化マップ)を呼び出し、それらのマップが、(構造体内の)実際の相互位置に配置されていることを保証する。
ボックス20.5 − 層マップ上でセーフエリアを識別する。例えば、層1の層マップ上でセーフエリア1(MSA1)を識別し、層2のマップ上でセーフエリア2(MSA2)を識別する。
ボックス20.9で、コンピュータ記憶装置から、層1、2の2つの予想画像を得、それらの予想画像を、それらの設計された相互位置に置く。
20.11 − 層1および2の予想画像上で、対応するそれぞれの層マップのセーフエリアMSA1、MSA2に対応するセグメントを識別する。これらのセグメントは実際に、予想画像のセーフエリアESA1、ESA2である。
20.13 − これらのセグメント(ESA1、ESA2)のCOGを見つけ、ESA1およびESA2のCOG間のベクトルV2を測定する。本発明者の例では、層のCAD画像である予想画像に対してV2を決定する。
20.15 − 層1と層2の間のオーバレイOVLを、ベクトルV1とV2の差として計算する。
図7は、6つの部分7a〜7fを含む。
部分7bは、実際の構造体の所与画像(この例ではSEM画像)の概略的な絵図を示す。次いで、部分7aの予想画像を参照することによって、所与画像のスポットをセグメント化することができる。
層3と層4の間のオーバレイの限界を概略的に示す矢印「OVL lim」も示されている。
部分7dは、部分7bの所与画像のセグメント化によって得られた層3のセグメント化マップを示す。層3のマップ(部分7d)は、所与画像上に見られる層3のセグメントだけを示している。オーバレイ、例えば層3と層4の間のオーバレイをさらに測定するため、層3のこのマップを使用して、層3の予想画像(部分7c)との位置合せを実行することができる。
部分7fは、層3のマップ上のセーフエリアMSAを概略的に示す。セーフエリアMSAは、最悪のケースでも、層3の予想画像上のセーフエリアESAに対応することができる。
図8は、セーフエリアの概念を使用して2つの例示的な層(層1および層2)間のオーバレイをどのように測定するのかを示す絵図である。関連アルゴリズムは、その全体が図6を参照して説明されている。
図8の左側の部分「A」は、互いに対する予想位置にある層1および2の2つの予想画像(CAD画像)を示す。右側の部分「B」は、互いに対する実際の位置にある層1および2の2つのセグメント化マップを示す。
特定の層において閉塞されていないエリアは、その層のセーフエリアとみなされることに留意すべきである。
次に、全てのセーフエリアの重心(COG)を決定する。
次いで、「B」(層1、2のSEGMマップ)について、ベクトルV1を、2つの異なる層1および2に位置する2つのセーフエリアMSAのCOG間の差として決定する。
同様に、「A」(層1、2のCAD画像)について、ベクトルV2を、2つの異なる層1および2に位置する2つのセーフエリアESAのCOG間の差として決定する。
最後に、層1と層2の間のオーバレイを、ベクトルV1とV2の差として計算する:OVL=V1−V2。
Claims (15)
- 多層構造体の層間のオーバレイを決定する方法であって、
− 前記多層構造体を表す所与画像を得ること、
− 前記多層構造体の層の予想画像を得ること、
− 前記層の前記予想画像の結合体として、前記多層構造体の結合予想画像を提供すること、
− 前記結合予想画像に対する前記所与画像の位置合せを実行すること、
− 前記所与画像のセグメント化を提供し、それによって
セグメント化画像、および
前記多層構造体の前記層のマップ
を生成すること、
− 前記多層構造体の選択された任意の2つの層間のオーバレイを、前記選択された2つの層の前記予想画像とともに前記選択された2つの層の前記マップを処理することによって決定すること
を含む方法。 - 前記層の前記予想画像および/または前記結合予想画像が、シミュレーションを経た設計画像である、請求項1に記載の方法。
- − 前記多層構造体が半導体構造体3D ICであり、
− 前記所与画像が、実際の前記3D ICのSEM画像であり、
− 前記予想画像が、前記層のシミュレートされた設計画像であり、
− 前記結合予想画像が、前記層の順序および予想される閉塞を考慮して、前記層の前記シミュレートされた設計画像を結合することによって形成され、
− 前記セグメント化が、前記SEM画像のセグメント化であり、それによって前記層のSEMマップが生成され、
− 前記3D ICの任意の2つの層間の前記オーバレイが、前記2つの層の前記予想画像を使用して前記2つの層の前記SEMマップを処理することによって決定される、
請求項1または2に記載の方法。 - 前記セグメント化が、前記層の前記予想画像を考慮する、請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記予想画像のうちの少なくとも1つの予想画像を調整することによって前記セグメント化を強化することを含む、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記予想画像上と前記層の前記マップ上の両方のセーフエリアを、確からしい閉塞および前記予想画像と前記所与画像との間の歪みを考慮することによって決定することを含む、請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記多層構造体の選択された任意の2つの層間のオーバレイの前記決定が、決定された前記セーフエリアを利用することによって実行される、請求項6に記載の方法。
- 前記多層構造体の選択された任意の2つの層間のオーバレイの前記決定が以下のように実行される、請求項1から7までのいずれか1項に記載の方法:
− 前記選択された2つの層のそれぞれの層について、特定の層の前記マップとその同じ特定の層の前記予想画像との間の層ごとの位置合せを実行し、
− 前記選択された2つの層のそれぞれの層について、特定の層のシフトを、前記特定の層の前記マップをその同じ特定の層の前記予想画像と比較することによって測定し、それによって前記選択された2つの層の対応するそれぞれの2つのシフトを得、
前記選択された2つの層間の前記オーバレイを、前記2つのシフトの差として得る。 - 前記層ごとの位置合せが、前記セーフエリアに基づいて実行される、請求項6および8に記載の方法。
- 前記多層構造体の選択された任意の2つの層間のオーバレイの前記決定が以下のように実行される、請求項6から9までのいずれか1項に記載の方法:
− 前記選択された2つの層の選択された2つの前記マップの中にそれぞれ現れるピクセルの2つのセーフエリア(MSA)を選択し、
− 前記選択された2つの層の2つの前記予想画像の中にそれぞれ現れる2つのセグメント(ESA)であり、ピクセルの前記2つのセーフエリアMSAにそれぞれ対応する2つのセグメントESAを割り当て、
− 選択された前記2つのセーフエリアMSAのオーバレイベクトルSimgを、選択された前記2つのセーフエリアMSAの重心(COG)の差を計算することによって決定し、
− 前記2つのセグメントESAのオーバレイベクトルSexpを、前記2つのセグメントESAの重心(COG)の差を計算することによって決定し、
− 前記選択された2つの層間のオーバレイを、SimgとSexpの差を計算することによって決定する。 - 前記セグメント化を補正するために、前記決定されたオーバレイに関するフィードバックを使用する、請求項1から10までのいずれか1項に記載の方法。
- 補正された前記セグメント化を使用してオーバレイを再決定することを含む、請求項11に記載の方法。
- 残りのどの層に関しても、前記多層構造体のそれぞれの層のオーバレイを決定することを含む、請求項1から12までのいずれか1項に記載の方法。
- 多層構造体の所与画像および前記多層構造体の層の予想画像を記憶するように構成された記憶装置と、処理装置とを含む画像処理システムであって、前記処理装置が、
結合予想画像を生成し、
前記所与画像を前記結合予想画像とともに処理して、前記所与画像と前記結合予想画像との間の位置合せを実行し、
前記構造体の対応する多数の層のマップへの前記所与画像のセグメント化を実行し、
前記構造体の任意の2つの層間のオーバレイ測定を、前記2つの層の前記マップおよび適当な予想画像に基づいて実行する
ように構成された
システム。 - プログラム命令が記憶された非一時的コンピュータ可読媒体を含むコンピュータソフトウェア製品であって、前記プログラム命令が、コンピュータによって読み取られときに、前記コンピュータに、請求項1から13までのいずれか1項に記載の方法を実行させる、コンピュータソフトウェア製品。
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