JP5647999B2 - パターンマッチング装置、検査システム、及びコンピュータプログラム - Google Patents

パターンマッチング装置、検査システム、及びコンピュータプログラム Download PDF

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Description

本発明はサーチ画像内において、被測定、検査パターンを特定するパターンマッチング装置、検査システム、及びコンピュータプログラムに係り、特に、欠陥領域等が含まれるサーチ画像内で所望のパターンを特定するパターンマッチング装置等に関する。
例えば、半導体デバイスの特定の位置を、電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:SEM)のような装置を用いて測定、検査するためにパターンマッチング(テンプレートマッチング)と呼ばれる方法が用いられている。パターンマッチングは、予め登録した欠陥座標位置を含む回路パターンの図形(以下、テンプレートとする)と最も類似した回路パターンの画像領域を撮影画像内から特定する画像処理手法である。
特許文献1には、欠陥画像から欠陥部位の領域の画像を除去し、欠陥部分の領域の画像を除去した欠陥画像とレイアウト画像との間で画像マッチングを行う手法が開示されている。
WO2010/140577
特許文献1の記載によれば、欠陥が存在し、欠陥画像とレイアウト画像との間に乖離があるような場合であっても、マッチングに失敗する可能性を小さくすることができるが、除去領域分、一致度を判定する領域を狭めてしまうことになる。一致度(不一致度)判定に供する領域が大きい方が、マッチング精度が向上するため、この観点では特許文献1の手法はマッチング精度を低下させてしまう。特に、画像の欠陥領域以外に欠陥が存在する場合や、画像にノイズが載っている場合等に、マッチングを失敗してしまう可能性がある。
以下に、マッチングの程度を判定する領域を確保しつつ、欠陥等の影響を排除したマッチングを行うことを目的とするパターンマッチング装置、パターンマッチングをコンピュータに実行させるコンピュータプログラム、及び検査システムについて説明する。
上記目的を達成するための一態様として、サーチ画像内を、テンプレート用画像を用いたサーチを行うことによって、マッチング位置を特定するパターンマッチング装置、コンピュータプログラム、及び検査システムにおいて、複数の評価領域を有するテンプレートを用いて、前記サーチを実行するパターンマッチング装置、コンピュータプログラム、及び検査システムを提案する。
また、上記目的を達成するための更に具体的な一態様として、欠陥の発生が予測される部分、欠陥の存在が確認された部分を含む第1の領域と、当該第1の領域とは異なる第2の領域を有するテンプレートを用いてパターンマッチングを行うパターンマッチング装置、コンピュータプログラム、及びパターン測定装置であって、前記第2の領域を含む複数の領域の複数のマッチングスコアの評価に基づいて、マッチング位置を特定するパターンマッチング装置、コンピュータプログラム、及び検査システムを提案する。
上記一態様によれば、複数領域の評価結果に基づいてマッチングスコアを適正に評価することが可能となる。また、上記具体的な一態様によれば、欠陥等の影響を排除しつつ、マッチングの程度を適正に評価する領域を確保することができるため、マッチングエラーの可能性を低下させることが可能となる。
テンプレートマッチングに供されるテンプレートの設定工程、及びテンプレートマッチングの工程を示すフローチャート。 パターン測定システムの一例を示す図。 複数のスコア評価領域を備えたテンプレートを用いたテンプレートマッチングの概要を示す図。 複数領域のスコア計算工程を示すフローチャート。 欠陥発生領域と、テンプレートとの関係を示す図。 テンプレートとSEM画像に基づいて得られるエッジとの間の寸法を測定する例を示す図。 回路パターンの検査手順を示すフローチャート。 パターンのエッジ部分をマッチング評価領域(テンプレート領域)とする例を示す図。 テンプレート領域決定工程を示すフローチャート。 複数のテンプレート領域のスコア算出工程を示すフローチャート。 複数の評価領域を持つテンプレートを用いて、複数のマッチング位置の候補を選択する例を示す図。 複数の評価領域を持つテンプレートを用いて、テンプレートマッチングを行う工程を示すフローチャート。
以下に、電子デバイスを撮影した画像と検査位置決め用パターンのマッチングによって、画像内の検査位置を特定する画像処理装置(パターンマッチング装置)およびそれを用いたパターン計測装置、或いはパターンマッチングをコンピュータに実行させるコンピュータプログラム、及び当該コンピュータプログラムを記憶する記憶媒体について説明する。
近年の半導体は微細化、多層化が進み、論理も煩雑化しているため、その製造が極めて困難な状況にある。その結果として、製造プロセスに起因する欠陥が多発する傾向にあり、その欠陥を正確に検査することが重要になっている。レビューSEMやCD−SEM(Critical Dimension-SEM)はこれら欠陥の詳細な検査に用いられる。これらのSEM検査装置は、光学シミュレーションに基づく欠陥座標や、光学検査装置の検査結果に基づく欠陥座標に対応する回路パターンを検査する。具体的には上記欠陥座標に対応するレチクルやウエハをSEMで撮影する。次に撮影画像に含まれた欠陥座標位置の回路パターンを正確に特定するため、パターンマッチングを行って検査ポイントを確定する。テンプレートは、設計データから切り出した回路パターンの図形や検査前に検査対象と同様の回路パターンが製造されたレチクルやウエハを撮影した画像が一般的に利用される。テンプレートは検査前にSEM検査装置に登録される。
しかしながら、一般的にパターンマッチングはテンプレート内の欠陥座標位置付近の回路パターンと欠陥座標位置から離れた回路パターンを区別することなく、撮影画像内の画像領域とテンプレートの類似度を求め、その類似度を用いて検査ポイントを含む画像領域を特定する。このため、欠陥座標位置の回路パターンが欠陥によって大きく変形している場合に、本来特定されるべき検査ポイントを含む画像領域とテンプレートの類似度が小さくなってしまい、パターンマッチングが失敗してしまうという可能性がある。この結果、正確に検査ポイントが特定できず検査に失敗する。
そこで、本実施例では、電子デバイスを撮影した画像と検査位置決め用パターンのマッチングによって、前記画像内の検査位置を特定する画像処理装置であって、欠陥の発生が予測される座標情報、もしくは欠陥の存在が確認された座標情報に基づき前記位置決め用パターン内に2次元エリアを決定する機能と、前記画像から抽出したマッチング候補画像に前記2次元エリアに対応する第1の画像領域と前記2次元エリアに対応しない第2の画像領域を設定し、前記マッチング候補のマッチングスコアを演算する機能と、複数のマッチング候補画像のマッチングスコアに基づき、前記画像内の検査位置を特定する画像処理装置について説明する。
なお、本実施例では、上記2次元エリアに、点対称や線対称の図形を含ませるようにした。より具体的には、2次元エリア内に含まれる少なくとも2つの図形データが、当該2次元エリアの中心点、或いは中心線を対称点、或いは対称線とした対称形状であって、且つ対称位置に配置されるようにした。また本実施例では、前記2次元エリアを、光学シミュレーションや外観検査装置によって求められた欠陥の形態に基づいた図形を表現するためのデータとした例を説明する。更に、本実施例では、第2の画像領域について選択的にマッチングスコアの演算を行う例について説明する。
また本実施例では、マッチングスコアの演算を行う場合に、第1の画像領域のマッチングスコアと、第2の画像領域のマッチングスコアを求め、相対的に第2のマッチングスコアより、第1のマッチングスコアの寄与率(影響)が小さくなるように、合成マッチングスコアを求める例について説明する。
更に、本実施例では位置決めパターン内の2次元エリアの外に、回路パターンの形状に基づいてパターンエリアを決定し、当該パターンエリア(第3の画像領域)について、マッチングスコアを演算する例を説明する。
また、電子ビームを電子デバイス上に走査することによって得られる電子に基づいて、画像データを形成する走査電子顕微鏡と、前記画像データを用いて前記撮影画像内から検査位置を特定するためのデータを生成し、前記検査位置を特定するためのデータに基づき、検査を行う画像処理装置についても併せて説明する。
また、本実施例では電子デバイスの画像データから検査位置を特定するデータを生成させるコンピュータプログラムにおいて、当該プログラムに、前記コンピュータに、前記画像データから、欠陥の発生が予測される座標情報、もしくは欠陥の存在が確認された座標情報に基づき前記位置決め用パターン内に2次元エリアを決定させ、前記画像から抽出したマッチング候補画像に前記2次元エリアに対応する第1の画像領域と前記2次元エリアに対応しない第2の画像領域を設定させ、前記マッチング候補のマッチングスコアを演算させ、複数のマッチング候補画像のマッチングスコアに基づき、前記画像内の検査位置を特定するデータを生成させる例についても併せて説明する。
また、電子ビームを電子デバイス上に走査することによって得られる電子に基づいて、画像データを形成する走査電子顕微鏡と、前記画像データに対して請求項7に記載のコンピュータプログラムを実行し、前記画像内の検査位置を特定するデータを生成し、前記検査位置を特定するデータに基づき、前記電子デバイスの検査データを生成する計算機を有する半導体検査システムについても、併せて説明する。
本実施例によれば、欠陥の発生が予測される座標情報、もしくは欠陥の存在が確認された座標情報に基づき前記位置決め用パターン内に2次元エリアを決定する機能と、前記画像から抽出したマッチング候補画像に前記2次元エリアに対応する第1の画像領域と前記2次元エリアに対応しない第2の画像領域を設定し、前記マッチング候補のマッチングスコアを演算する機能と、複数のマッチング候補画像のマッチングスコアに基づき、前記画像内の検査位置を特定する機能を有することを特徴としたパターンマッチングによって、欠陥を含む回路パターン撮影画像から検査ポイントの正確な特定が可能になる。
以下、より具体的に、複数のマッチングスコア評価エリアを備えたテンプレートの作成、及び当該テンプレートを用いたテンプレートマッチングを実現するための装置、コンピュータプログラム、及びシステムについて、図面を用いて説明する。
図2は走査電子顕微鏡を含む半導体検査システムの一例を示す図である。半導体検査システムは回路パターンの画像データを取得する走査型電子顕微鏡201(Scanning Electron Microscope:以下、SEM)と画像データの分析によって欠陥を検査する制御装置220で構成されている。
SEM201は電子デバイスが製造されたウエハ等の試料203に電子線202を照射し、試料203から放出された電子を二次電子検出器204や反射電子検出器205、206で捕捉し、A/D変換器207でデジタル信号に変換する。デジタル信号は制御装置220に入力されてメモリ208に格納され、CPU209やASICやFPGA等の画像処理ハードウェア210で目的に応じた画像処理が行われ、回路パターンの欠陥が検査される。
更に制御装置220は、入力手段を備えたディスプレイ211と接続され、ユーザに対して画像や検査結果等を表示するGUI(Graphical User Interface)等の機能を有する。なお、制御装置220における制御の一部又は全てを、CPUや画像の蓄積が可能なメモリを搭載した電子計算機等に割り振って処理・制御することも可能である。また、制御装置220は、検査に必要とされる電子デバイスの検査座標、検査位置決めに利用するパターンマッチング用のテンプレート、撮影条件等を含む撮像レシピを手動もしくは、電子デバイスの設計データ213を活用して作成する撮像レシピ作成装置212とネットワークまたはバス等を介して接続される。
本実施例における半導体検査のフローチャートを図7に示す。まず、オペレータが撮像レシピ作成装置212を利用して検査条件を設定する(ステップ701)。検査条件とは、SEM201の撮影倍率や回路パターンの座標(以下、検査座標とする)等であり、検査対象の回路パターンの撮影画像をSEM201で取得するための情報である。検査座標とは、光学シミュレーションによって求めた欠陥の発生が予測されるレチクルやウエハの座標、もしくは外観検査装置等で欠陥の発生が認められたレチクルやウエハの座標であり、光学シミュレーションを用いて欠陥の予測を行う装置214やウエハの外観検査装置に基づく欠陥座標を生成する装置215などから撮像レシピ作成装置212に供給される。
次に撮影レシピを生成する(ステップ702)。撮影レシピはSEM201を制御するためのデータであり、オペレータ等が設定した検査座標、倍率、撮影画像から検査ポイントを特定するためのテンプレート、検査方法(寸法の計測、テンプレートの図形との形状誤差の計測等)等が定義される。図3(a)にテンプレートの一例を示す。この図3(a)は検査座標302を中心とした回路パターンの図形301であり、検査情報302に基づき設計データから切り出したものである。半導体検査システムに設計データが利用できない場合は、検査対象と同様の回路パターンが製造されたレチクルやウエハを検査座標に基づきオペレータが撮影し、その画像をテンプレートとして登録する。なお、光学シミュレーション等で生成されたシミュレーションデータをテンプレートとして用いることもできる。
次にレシピに基づき、SEM201で回路パターンを撮影する(ステップ703)。この撮影画像は、後述するパターンマッチングのためのサーチ画像となる。次に後述するパターンマッチング(パターンサーチ)を行って、撮影画像内の検査ポイントを特定する(704)。最後に撮影画像内の検査ポイントの回路パターンを検査、計測する(705)。検査は回路パターンのエッジ間の計測や、図6に示したようにテンプレートとして用いた回路パターンの図形601と検査ポイント604として特定された撮影画像内の回路パターン602の形状誤差603の計測など、様々な形態がある。本実施例ではこれら検査形態について限定するものではない。
図1および図3を用いて本実施例のパターンマッチング手順を具体的に説明する。図3はパターンマッチングの概要を説明するための図である。図3(a)はテンプレート、図3(b)は回路パターンの撮影画像である。図3(c)は図3(a)のテンプレートと図3(b)の撮影画像から特定されたマッチング位置を示した図である。パターンマッチングはテンプレートと同サイズの画像領域を撮影画像から順次切り出し、テンプレートと切り出された画像領域の類似度を求め、類似度が最も高い画像領域をマッチング位置とし、テンプレートの検査ポイント302に相当する撮影画像内の検査ポイント305を特定するものである。類似度の算出方法については正規化相関法や一般化ハフ変換法など様々な公知の手法を適用することができるため、これを限定するものではない。
図1は本実施例のパターンマッチングのためのテンプレート設定、及びマッチング処理の工程を示すフローチャートである。この処理は制御装置220のCPU209、画像メモリ208等を利用したソフトウェア処理で実行する。ただし、SEM201からの画像データをLANやバス経由、また携帯型のメモリ、ハードディスクなどの記憶媒体経由で入力可能な電子計算機のCPU、メモリ等を利用したソフトウェア処理でも実行できる。また、図1に示すフローチャートの一部または全てを画像処理ハードウェア210で実行することも可能である。
パターンマッチングの前処理として、図1(a)の手順に従い、テンプレートを設定する。最初に検査座標に基づき、テンプレート内の検査ポイントを識別するための座標情報を入力する(ステップ101)。次に設計データやシミュレーションデータから切り出したテンプレート、もしくは撮影画像のテンプレートを入力する(ステップ102)。次に図3(a)に示したように検査ポイントの座標302を含むようにテンプレート内の局所領域に欠陥領域303を設定する(ステップ103)。
欠陥領域とはテンプレートの回路パターンとの形状の乖離が予想される領域である。領域の大きさはオペレータがノウハウに基づき任意で設定することもできるし、光学シミュレーションや全面検査装置(例えば欠陥の位置や大きさを参照画像に照らして抽出する外観検査装置)等の解析結果から欠陥の大きさや位置が既知な場合は、その欠陥サイズに基づき設定する。図5に欠陥領域の例を示す。破線内が欠陥領域を示している。欠陥領域は図5(a)に示した矩形や図5(b)に示した円形等の簡易図形の領域として指定することもできるし、図5(c)に示したように光学シミュレーション等で欠陥部位501の形状が予測できる場合は、その欠陥部位501をピンポイントで取り囲むように指定することもできる。欠陥領域は、矩形であればテンプレートに対する矩形左上と矩形左下の2点の座標、円形であれば、テンプレートに対する円の中心座標と半径、欠陥をピンポイントで指定する場合は、その領域を取り囲む線分の座標(位置)で指定することができる。
これらの欠陥領域の大きさに関する情報は入力手段を備えたディスプレイ211や撮像レシピ作成装置212等を通じて入力される。なお、このテンプレートの設定はパターンマッチングの度に行っても良いし、撮影レシピ生成時に行うことも可能である。この場合は、テンプレートの設定情報をレシピに登録し、パターンマッチング時にテンプレートの設定情報をレシピから読み出してパターンマッチングを行う。
パターンマッチングでは、図1(b)に示したフローチャートの手順でこれらテンプレートと欠陥領域を用いて撮影画像内の検査ポイントを特定する。最初に撮影画像からテンプレートと同サイズの画像領域を切り出す(ステップ104)。次にテンプレートと画像領域の類似度計算を行い、その画像領域における類似度スコアを算出する(ステップ105)。以下、類似度スコアの算出方法を具体的に説明する。類似度スコアは一般的に画像領域とテンプレートの両者から得られる特徴量(各画素値やエッジの方向、長さなど)間の比較で求める。なお、類似度スコアの算出に用いる特徴量や比較方法は類似度スコアの算出方法によって異なる。
本実施例のパターンマッチングでは、欠陥領域と非欠陥領域の情報を活用し、テンプレートの欠陥領域に対応する画像領域の情報が類似度スコアに反映されにくくなるように類似度を計算することを特徴とする。
本実施例にて説明するテンプレートマッチング法では、欠陥領域を含む第1の領域と、第1の領域とは異なる第2の領域(第1の領域に含まれる欠陥を含まない領域)のそれぞれで特徴量(評価値)を抽出し、複数の評価値に基づいてマッチングの成否を判定する。欠陥領域に対応する画像領域の特徴量を全く利用せず非欠陥領域に対応する画像領域の特徴量のみで類似度スコアを算出することもできるが、欠陥領域分、評価領域が減少するため、画像にノイズが含まれている場合等、評価値が適正な値を示さない可能性がある。また、欠陥が発生する部位は形状がユニークである場合があり、当該部分を除いてテンプレートを作成すると、テンプレートに含まれるパターンのユニークさが失われ、形状的に近似する他の部分をマッチング位置として選択してしまう可能性もある。
本実施例では、図4のフローチャートに例示するように、まず欠陥領域に対応する画像領域の特徴量を用いて類似度を計算し(ステップ401)、次に非欠陥領域に対応する画像領域の特徴量を用いて類似度を計算(ステップ402)した後、欠陥領域の類似度スコアよりも非欠陥領域の類似度スコアの比率が大きくなるように重み付け計算を行い、画像領域の類似度スコアを算出する(ステップ403)。合成類似度スコアを算出する場合には、例えば重み付け計算が施された両者のスコアを加算平均することによって求めるようにする。
欠陥領域の特徴量を全部ではなく一部活用することによって、欠陥領域と実際の欠陥のサイズの多少の乖離を許容したパターンマッチングが可能になる。また、欠陥領域内を図5(d)のように検査ポイントからの距離に応じて分割(A領域503、B領域504)し、分割されたエリア毎に類似度スコアを求め、検査ポイントからの距離が長くなるにつれて重みが大きくなるように画像領域の類似度スコアを算出することもできる。これにより、欠陥位置から遠ざかるにつれて徐々に回路パターンの変形が小さくなるような回路パターンとテンプレートの正確なパターンマッチングが可能になる。なお、これらの重みや類似度を算出する領域の情報は入力手段を備えたディスプレイ211や撮像レシピ作成装置212等を通じて入力される。
このようにして撮影画像から切り出した複数の画像領域についてテンプレートとの類似度スコアを求め(ステップ106)、類似度スコアが最も大きい画像領域をマッチング位置として決定する(ステップ107)。これにより検査ポイントに存在する欠陥の影響を抑えながら類似度スコアの演算が可能になるため、撮影画像内の検査ポイントを正確に特定できる。
更に、欠陥領域のスコアが低い場合、マッチングの成否判断に寄与しないことも考えられるため、その際に選択的に欠陥領域を除外して、スコアを算出するようにしても良い。この場合、欠陥領域のスコアが所定値より低い場合に、非欠陥領域のスコアを選択的に用いた評価を行うようにすることが考えられる。
更に、テンプレートに含まれる回路パターンを分析し、その分析結果と欠陥領域の情報を利用したマッチングを行うことによって、より正確なマッチングを行うことができる。以下、図8、図9、図10を用いて具体的に説明する。図8(a)はパターンマッチングに用いる設計データのテンプレートと、欠陥座標801と欠陥領域802を示したものである。図8(b)は図8(a)のテンプレートと、回路パターンの撮影画像を重ね合わせたものである。両者のパターンマッチングの妨げとなる要因は、欠陥領域の形状差以外に以下の2つがある。
(1)撮影画像に含まれるノイズ
撮影画像には一般的に回路パターンによるエッジ803と撮影課程で画像に重畳するノイズ起因のエッジ(n1−n3)の両者が含まれている。ノイズ起因のエッジはパターンマッチングの類似度スコアを低下させる要因となる。
(2)形状差
一般的に設計データやシミュレーションデータの回路パターンの形状と、実際の回路パターンの形状は異なる。これは、回路パターンの製造条件の変動や、シミュレーション誤差等に起因する。例えば図8のコーナ部804のような形状差がある。この形状差はパターンマッチングの類似度を低下させる要因となる。
このため、図9に示した手順で、欠陥領域以を考慮しながら、パターンマッチングの類似度計算に利用する領域をテンプレート内の回路パターンの分析によって決定し、図10の手順で、上記類似度計算領域を利用したパターンマッチングを行う。これにより、ノイズ起因のエッジや、テンプレートと実際の回路パターンの形状差の影響を抑えたパターンマッチングを行うことができる。
図9のフローチャートを用いて類似度計算に利用する領域の設定手順を説明する。まず、テンプレートに欠陥領域を設定する(ステップ901)。次に、欠陥領域外に存在する回路パターンを対象に、垂直に近い回路パターンを特定し、その回路パターンを取り囲むように水平方向の位置決めパターン領域を設定する(ステップ902)。水平方向の位置決め用パターンとは水平方向のマッチング位置(X座標)を特定するために有効なパターンであり、図8(b)に示した回路パターンの垂直エッジ部位805である。
次に、欠陥領域外に存在する回路パターンを対象に、水平に近い回路パターンを特定し、その回路パターンを取り囲むように垂直方向の位置決めパターン領域を設定する(ステップ903)。垂直方向の位置決め用パターンとは垂直方向のマッチング位置(Y座標)を特定するために有効なパターンであり、図8(c)に示した回路パターンの水平エッジ部位806である。
水平方向の位置決めパターン領域と、垂直方向の位置決めパターン領域の範囲は、回路パターンのエッジ位置を基準として、図8(b)に示したコーナ部804の形状差や撮影画像中の回路パターンのエッジの太さ等を考慮して設定される。
設計データやシミュレーションデータは線画として半導体検査システムに供給されるため、線画の解析によって、テンプレートに含まれる回路パターンの各部位が垂直方向のエッジなのか、水平方向のエッジなのか、もしくはどちらに方向に近いエッジなのかを容易に判定できる。
図9の手順で特定した位置決めパターン領域を用いたパターンマッチング手順を図10に示す。まず、テンプレートと撮影画像を重ね合わせて、水平方向の位置決めパターン領域に対応するテンプレートと撮影画像の類似度計算を行う(ステップ1001)。この場合、例えば被探索画像のX方向に向かってテンプレートをサーチさせると共に、そのサーチを1画素単位でY方向にずらしながら実行する。
次に垂直方向の位置決めパターン領域について、テンプレートと撮影画像の類似度計算を行う(ステップ1002)。複数のマッチング候補に対して、それぞれ水平方向の類似度スコアと垂直方向の類似度スコアを算出する(ステップ1003)。最後に複数のマッチング候補の類似度スコアを参照し、水平方向の類似度が最大値となるX座標と、垂直方向の類似度が最大値となるY座標を決定し、このX座標とY座標をマッチング位置とする(ステップ1004)。
水平方向と垂直方向のマッチング位置を個別に求める理由は、テンプレートに含まれる垂直パターンと水平パターンの比率が類似度スコアの算出結果に影響するからである。例えば、マッチング位置の方向を区別することなく類似度計算を行う場合で、かつ、テンプレート内のほとんどの回路パターンが垂直パターンで構成されている場合、垂直位置がずれていても、テンプレートと撮影画像の回路パターンの垂直パターンの位置が合っていれば類似度が高くなる。撮影画像には様々なノイズが含まれており、想定できないようなテンプレートと実際の回路形状の差もあるので、これらが影響して垂直方向のマッチング位置が正確に求められない場合がある。この問題を回避するために、X方向とY方向のマッチング位置を個別に求める。ただし、形状差や画像のノイズ等が小さい場合や、垂直方向と水平方向の回路パターンが同等の比率でテンプレート内に含まれている場合はマッチング位置の方向を区別せず類似度スコアを算出してもよい。
このように、危険領域の情報とテンプレート内の回路パターンの分析結果を利用してパターンマッチングの類似度計算領域を限定することで、テンプレートに含まれる危険領域や、撮影画像に含まれるノイズや、テンプレートと実際の回路パターンの形状差といった、マッチングの成功を妨げる要因を排除したパターンマッチングを行うことができ、正確なマッチング結果を得ることができる。
なお、水平方向(X方向)、或いは垂直方向(Y方向)のマッチングスコアを評価する際に、一方向に複数のマッチング評価領域が存在する場合(例えば垂直エッジ部位805と垂直エッジ部位810のように、同一方向のマッチング評価領域が複数存在する場合)、両者のマッチングスコアの合成値が最も高くなる位置、或いは両者のマッチングスコアの差分がゼロ(或いはゼロを包含する所定の範囲)、或いは最小となった場合に、マッチング位置と判定することも可能である。また、複数のマッチングスコアの標準偏差を求めて、偏差が最も小さくなる位置をマッチング位置とするようにしても良い。
更に、エッジ間の距離に基づいてマッチング位置を求める場合、複数のマッチング評価領域の距離の差分が最小、或いは差分がゼロ(或いはゼロを包含する所定の範囲)となる位置をマッチング位置として特定することも可能である。
上述した実施例では、複数の評価領域(欠陥領域と非欠陥領域、及び垂直方向の評価領域と垂直方向の評価領域)のスコアの一方、或いは合成値を用いてマッチング結果を抽出する例について説明したが、複数の評価領域間の関係が所定の条件を満たすか否かの判断を、マッチングに用いる例について説明する。例えば、第1の領域が欠陥領域を含み、第2の領域がそれ以外の領域である場合、相対的に、第1の領域はマッチングスコアが低く、第2の領域はマッチングスコアが高いことになる。よって、第1の領域のマッチングスコア(S1)と第2の領域のマッチングスコア(S2)が、S1<S2の個所をマッチング位置と判定し、S1≧S2の個所をマッチング位置候補から除外することが考えられる。即ち、図11に例示するように、2つの評価領域1102、1103を持つテンプレート1101を用いて、サーチ領域1104をサーチしたときに、所定のマッチングスコア(例えば所定の閾値以上のマッチングスコア)を持つ座標位置1105、1106が検索された場合、評価領域1102と1103が所定の条件を満たす側の座標位置をマッチング位置として決定する。
図12は複数の評価領域の相対的な関係に基づいて、マッチング位置を特定する工程を示すフローチャートである。ステップ1201〜1203までは、図1のステップ104〜106と同様である。ステップ1204では、1つ、或いは2つの評価領域について、所定値以上のスコア値を持つ座標位置を選択する。ステップ1205では選択された座標位置の数を判定し、選択された座標位置が1つであれば、その座標位置をマッチング位置として決定する(ステップ1206)。一方、選択された座標位置が複数存在する場合には、上述のように、複数の評価領域の相対評価を行い(ステップ1207)、所定の条件を満たす側を、マッチング位置と判定する(ステップ1208)。
以上のようなマッチング位置の選択法によれば、所望の測定位置と近似したパターンの配置関係にあるけれども、光近接効果(Optical Proximity Effect)の影響が異なる位置を取り違えることなく、正確なマッチングを行うことが可能となる。この手法は、1つのテンプレートの中に、複数のマッチングスコア評価領域が存在させることによって実現可能となる。
更に、単にマッチングスコアの相対関係に基づいて、マッチング位置を絞り込むのではなく、スコアの許容量を設定しておき、当該許容量にマッチングスコアが含まれる場合、当該スコアを持つ位置をマッチング位置として特定することも可能である。例えば、OPEの影響が大きい個所(第1の領域)は、設計データとの比較においては、マッチングスコアが低いと考えられる。よって、逆に高いスコアが演算される場合、所望の測定個所に比べて、OPEの影響が異なる違う個所であることが考えられる。
このような状況に鑑みて、第1の領域のスコアが「Th1≦S1≦Th2(Th2は100未満(スコアの最高値が100である場合))」のときに、このスコアを持つ位置をマッチング位置として特定するようにしても良い。また、単に2つのスコアを比較するのではなく、必要に応じて一方に重みを付け、その上でスコア比較を行うようにしても良い。
本実施例では、大まかなマッチング位置の特定は主に第2の領域のスコアに基づいて求めているため、第1の領域では単なるマッチングスコアの良否だけではなく、その他の判断基準に基づくマッチングを行うことが可能となる。更に、OPEによる変形の度合いがある程度特定できるのであれば、Th1≦S1≦Th2の範囲をより狭めて、特定の変形形状を持つ部分を選択的に特定できるようにしても良い。
また、図8に例示したように、パターンの線分ごとに評価領域を設定する場合、個々の部分について、独自の評価基準を設定することも可能である。例えば、ライン幅に対して、相対的にラインエンドの変形が大きいような場合、ラインサイド(例えば垂直エッジ部805)の一致度を判定するための閾値(Ths1)より、ラインエンドの一致度を判定するための閾値(The1)を相対的に下げることによって、パターンの形成状態に応じたマッチングスコアの評価を行うこともできる。
なお、設計データに基づくエッジと、SEM画像に基づいて形成されるエッジとの比較は、例えばテンプレートと画像との間の一致度判定を行い、マッチング位置を特定した後に、対応するエッジ間の距離を測定することによって、評価するようにしても良い。この場合、線分単位で複数のエッジ間距離を測定し、その平均値を求めることによって、評価値(d1)を算出し、当該評価値が所定の条件を満たすか否か(例えばThd1≧d1となるか否か)に基づいて、マッチング位置の選択を行うようにしても良い。
更に、第1の領域のマッチングスコアが低い場合には、その部分が欠陥となっている可能性が高いことを意味するため、第1の領域に所定の閾値を設定しておき、所定の閾値よりスコアが低いと判定された座標位置から特定されるパターン領域を選択的に測定対象とすることによって、欠陥が発生していると思われる個所を選択的に評価することができる。
201 SEM
202 電子線
203 試料
204 二次電子検出器
205 反射電子検出器1
206 反射電子検出器2
207 A/D変換器
208 メモリ
209 CPU
210 画像処理ハードウェア
211 ディスプレイ
212 撮像レシピ作成装置

Claims (17)

  1. サーチ画像内を、テンプレート用画像を用いたサーチを行うことによって、マッチング位置を特定する演算装置を備えたパターンマッチング装置において、
    当該演算装置は、複数の評価領域を有するテンプレートを用いて、前記サーチを実行する際に、前記複数の評価領域の内、第1の領域について第1のマッチングスコアを求め、第2の領域について第2のマッチングスコアを求め、第1のマッチングスコアの影響が小さくなるように前記第1のマッチングスコアと前記第2のマッチングスコアからマッチング位置特定のためのマッチングスコアを演算することを特徴とするパターンマッチング装置。
  2. サーチ画像内を、テンプレート用画像を用いたサーチを行うことによって、マッチング位置を特定する演算装置を備えたパターンマッチング装置において、
    当該演算装置は、複数の評価領域を有するテンプレートを用いて、前記サーチを実行する際に、前記複数の評価領域の内、欠陥位置を含む第1の領域と、当該第1の領域以外の複数の領域のマッチングスコアを演算することを特徴とするパターンマッチング装置。
  3. 請求項1又は2のいずれかにおいて、
    前記テンプレートは、少なくとも第1の領域と、当該第1の領域とは異なる位置の第2の領域を有し、前記演算装置は、当該第1の領域と第2の領域のそれぞれで前記サーチ画像との一致度を判定することを特徴とするパターンマッチング装置。
  4. 請求項1又は2のいずれかにおいて、
    前記テンプレートは、少なくとも第1の領域と、当該第1の領域とは異なる位置の第2の領域を有し、前記演算装置は、当該第1の領域と第2の領域のそれぞれで、前記サーチ画像内のエッジと当該テンプレート内のエッジとの距離を測定することを特徴とするパターンマッチング装置。
  5. 請求項1又は2のいずれかにおいて、
    前記テンプレートは、少なくとも第1の領域と、当該第1の領域とは異なる位置の第2の領域を有し、前記演算装置は、当該第1の領域の第1のマッチングスコアと、当該第2の領域の第2のマッチングスコアを演算することを特徴とするパターンマッチング装置。
  6. 請求項において、
    前記演算装置は、前記第1のマッチングスコアと、第2のマッチングスコアの合成マッチングスコアを算出することを特徴とするパターンマッチング装置。
  7. 請求項1又は2のいずれかにおいて、
    前記評価領域には当該評価領域内にて点対称及び/又は線対称の図形が含まれることを特徴とするパターンマッチング装置。
  8. 請求項1又は2のいずれかにおいて、
    前記評価領域には、光学シミュレーション、或いは外観検査装置によって求められる欠陥位置が含まれることを特徴とするパターンマッチング装置。
  9. サーチ画像内を、テンプレート用画像を用いたサーチを行うことによって、マッチング位置を特定する検査システムにおいて、
    欠陥の発生が予測される部分、欠陥の存在が確認された部分を含む第1の領域と、当該第1の領域とは異なる第2の領域を有するテンプレートを用いてパターンマッチングを行う演算装置を備え、当該演算装置は、当該第2の領域を含む複数の領域の複数のマッチングスコアの評価に基づいて、マッチング位置を特定することを特徴とする検査システム
  10. コンピュータに、サーチ画像内を、テンプレート用画像を用いたサーチを行わせることによってマッチング位置を特定させるコンピュータプログラムにおいて、
    当該プログラムは前記コンピュータに、複数の評価領域を有するテンプレートを用いたサーチを実行させる際に、前記複数の領域の内、第1の領域について第1のマッチングスコアを求めさせ、第2の領域について第2のマッチングスコアを求めさせ、第1のマッチングスコアの影響が小さくなるように前記第1のマッチングスコアと前記第2のマッチングスコアからマッチング位置特定のためのマッチングスコアを演算させることを特徴とするコンピュータプログラム
  11. コンピュータに、サーチ画像内を、テンプレート用画像を用いたサーチを行わせることによってマッチング位置を特定させるコンピュータプログラムにおいて、
    当該プログラムは前記コンピュータに、複数の評価領域を有するテンプレートを用いたサーチを実行させる際に、前記複数の評価領域の内、欠陥位置を含む第1の領域と、当該第1の領域以外の複数の領域のマッチングスコアを演算させることを特徴とするコンピュータプログラム。
  12. 請求項10又は11のいずれかにおいて、
    前記テンプレートは、少なくとも第1の領域と、当該第1の領域とは異なる位置の第2の領域を有し、前記プログラムは、前記コンピュータに、当該第1の領域と第2の領域のそれぞれで前記サーチ画像との一致度を判定させることを特徴とするコンピュータプログラム。
  13. 請求項10又は11のいずれかにおいて、
    前記テンプレートは、少なくとも第1の領域と、当該第1の領域とは異なる位置の第2の領域を有し、前記プログラムは、前記コンピュータに、当該第1の領域と第2の領域のそれぞれで、前記サーチ画像内のエッジと当該テンプレート内のエッジとの距離を測定させることを特徴とするコンピュータプログラム。
  14. 請求項10又は11のいずれかにおいて、
    前記テンプレートは、少なくとも第1の領域と、当該第1の領域とは異なる位置の第2の領域を有し、前記プログラムは、前記コンピュータに、当該第1の領域の第1のマッチングスコアと、当該第2の領域の第2のマッチングスコアを演算させることを特徴とするコンピュータプログラム。
  15. 請求項14において、
    前記プログラムは、前記コンピュータに、前記第1のマッチングスコアと、第2のマッチングスコアの合成マッチングスコアを算出させることを特徴とするコンピュータプログラム。
  16. 請求項10又は11のいずれかにおいて、前記評価領域には当該評価領域内にて点対称及び/又は線対称の図形が含まれることを特徴とするコンピュータプログラム。
  17. 請求項10又は11のいずれかにおいて、前記評価領域には、光学シミュレーション、或いは外観検査装置によって求められる欠陥位置が含まれることを特徴とするコンピュータプログラム。
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