JP2018519756A - 高周波増幅器装置 - Google Patents
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Abstract
Description
a.2つのLDMOSトランジスタを含み、そのソース端子は、それぞれアース接続点と接続されており、これらのLDMOSトランジスタは同じ形態で形成されていて、1つのモジュール(パッケージ)内に配置されており、
b.配線板を含み、これは面全体にわたり金属製冷却板に当接し、複数のアース接続部を介して、アースと接続可能な冷却板と接続されており、この配線板上にまたはこの配線板に、モジュールが配置されており、
c.電力トランスを含み、その1次巻線は、LDMOSトランジスタのドレイン端子と接続されており、
d.信号トランスを含み、その2次巻線の第1の端部は、1つまたは複数の抵抗性素子を介して、一方のLDMOSトランジスタのゲート端子と接続されており、第2の端部は、1つまたは複数の抵抗性素子を介して、他方のLDMOSトランジスタのゲート端子と接続されており、ゲート端子各々は、少なくとも1つの電圧制限素子を介してアースと接続されている。
Claims (24)
- プラズマ励起用に2MHz以上の周波数において1kW以上の出力電力を発生させるために適した高周波増幅器装置(1)において、
a.2つのLDMOSトランジスタ(S1,S2)であって、前記LDMOSトランジスタ(S1,S2)のソース端子は、それぞれアース接続点(5)と接続されており、前記LDMOSトランジスタ(S1,S2)は同じ形態で形成されていて、1つのモジュール(3)内に配置されている、2つのLDMOSトランジスタ(S1,S2)と、
b.配線板(2)であって、前記配線板(2)は、面全体にわたり金属製冷却板(25)に当接し、複数のアース接続部(8,19,21,24)を介して、アース(26)と接続可能な前記冷却板(25)と接続されており、前記配線板上にまたは前記配線板に、前記モジュール(3)が配置されている、配線板(2)と、
c.電力トランス(7)であって、前記電力トランス(7)の1次巻線(6)は、前記LDMOSトランジスタ(S1,S2)のドレイン端子と接続されている、電力トランス(7)と、
d.信号トランス(10)であって、前記信号トランス(10)の2次巻線(13)の第1の端部は、1つまたは複数の抵抗性素子(14)を介して、前記LDMOSトランジスタのうち一方のLDMOSトランジスタ(S1)のゲート端子(15)と接続されており、第2の端部は、1つまたは複数の抵抗性素子(16)を介して、前記LDMOSトランジスタのうち他方のLDMOSトランジスタ(S2)のゲート端子(17)と接続されており、前記ゲート端子(15,17)各々は、少なくとも1つの電圧制限素子(18,20,18’,20’)を介してアース(19,21)と接続されている、信号トランス(10)と、
を含む、高周波増幅器装置(1)。 - 前記アース接続点(5)は、前記LDMOSトランジスタ(S1,S2)から前記冷却板(25)への熱伝達のために設計されている、
請求項1記載の高周波増幅器装置。 - 少なくとも1つの電圧制限素子(18,18’,20,20’)は、少なくとも1つのダイオードを有しており、前記ダイオードのカソードはゲート側に、前記ダイオードのアノードはアース側に配置されている、
請求項1または2記載の高周波増幅器装置。 - 少なくとも1つの電圧制限素子(18’,20’)は、直列に接続された複数のダイオードを有する、
請求項1から3までのいずれか1項記載の高周波増幅器装置。 - 前記ダイオードの直列接続体は、それぞれ異なるタイプの少なくとも2つのダイオードを有する、
請求項4記載の高周波増幅器装置。 - 少なくとも1つの電圧制限素子は、直列に接続された少なくとも1つのダイオードと抵抗とを有する、
請求項1から5までのいずれか1項記載の高周波増幅器装置。 - 前記電力トランス(7)は、前記配線板(2)上にまたは固有の配線板上に配置されており、前記1次巻線(6)は、個々の前記配線板(2)上にプレーナ型で形成されている、
請求項1から6までのいずれか1項記載の高周波増幅器装置。 - 前記ゲート端子(15,17)各々は、抵抗(22,23)を介してコンデンサ(30)と接続されており、前記コンデンサ(30)は、アースと接続されている、
請求項1から7までのいずれか1項記載の高周波増幅器装置。 - 前記ゲート端子(15,17)はさらに、抵抗(22,23)を介して直流電圧源(24)と接続されている、
請求項8記載の高周波増幅器装置。 - 前記抵抗(22,23)は、1つの共通のコンデンサ(30)に接続されている、
請求項8または9記載の高周波増幅器装置。 - 前記共通のコンデンサ(30)は、前記直流電圧源(24)に接続されており、前記直流電圧源(24)を介してゲート容量を放電可能である、
請求項10記載の高周波増幅器装置。 - 前記抵抗(22,23)は、1kΩよりも小さい抵抗値を有しており、前記コンデンサ(30)は、1nFよりも大きい容量を有している、
請求項8記載の高周波増幅器装置。 - 直列に接続された前記ダイオードは、前記LDMOSトランジスタ(S1,S2)の駆動周波数の4分の1周期の持続時間よりも短い逆回復時間を有する、
請求項4から12までのいずれか1項記載の高周波増幅器装置。 - 当該高周波増幅器装置は、対称に構成されており、双方の前記LDMOSトランジスタ(S1,S2)に同じ構成要素が対応づけられている、
請求項1から13までのいずれか1項記載の高周波増幅器装置。 - 前記モジュール(3)は、前記配線板(2)上にまたは前記配線板(2)に配置されていて、前記モジュール(3)は、前記冷却板(25)と熱伝導状態で接続されている前記配線板(2)を介して冷却される、
請求項1から14までのいずれか1項記載の高周波増幅器装置。 - 前記モジュール(3)は、1つの基板上に配置されている、
請求項1から15までのいずれか1項記載の高周波増幅器装置。 - 前記モジュール(3)は、1つのケーシング内に配置されている、
請求項1から16までのいずれか1項記載の高周波増幅器装置。 - 前記モジュール(3)の前記ケーシングは、前記配線板(2)における貫通開口部内に配置されている、
請求項17記載の高周波増幅器装置。 - 前記モジュール(3)の接続端子は、前記配線板(2)上で接触接続されている、
請求項1から18までのいずれか1項記載の高周波増幅器装置。 - 前記モジュール(3)は、冷却のために銅板上に取り付けられている、
請求項1から19までのいずれか1項記載の高周波増幅器装置。 - 前記銅板は、前記配線板(2)において前記モジュール(3)と同じ貫通開口部内に配置されている、
請求項20記載の高周波増幅器装置。 - 前記銅板は、前記冷却板(25)に向いた前記モジュール(3)の面よりも広い面を有する、
請求項20または21記載の高周波増幅器装置。 - 前記貫通開口部は、段状に形成されており、前記銅板および前記モジュール(3)の各面に整合されている、
請求項20から22までのいずれか1項記載の高周波増幅器装置。 - 前記配線板(2)は、多層配線板であり、特に少なくとも1つの内層を含む多層配線板であり、特に少なくとも4つの層を含む多層配線板である、
請求項1から23までのいずれか1項記載の高周波増幅器装置。
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