JP2018503591A - シリコン単結晶インゴットの成長装置 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 112
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 112
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 112
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 230000012010 growth Effects 0.000 title claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 16
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 32
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 2
- 201000006935 Becker muscular dystrophy Diseases 0.000 description 1
- 208000037663 Best vitelliform macular dystrophy Diseases 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000021332 multicellular organism growth Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 208000020938 vitelliform macular dystrophy 2 Diseases 0.000 description 1
- 230000002618 waking effect Effects 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/203—Controlling or regulating the relationship of pull rate (v) to axial thermal gradient (G)
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/206—Controlling or regulating the thermal history of growing the ingot
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B30/00—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02002—Preparing wafers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
実施例は、シリコン単結晶インゴットの成長方法において、るつぼ内にシリコン溶融液を準備する段階；前記シリコン溶融液にシードをプローブする段階；前記るつぼに水平磁場を加えて前記シードと前記るつぼを回転させる段階；及び前記シリコン溶融液から成長するインゴットを引き上げる段階を含み、前記成長中のインゴットと前記シリコン溶融液の界面が水平面から下に１ミリメートル乃至５ミリメートルに形成され、前記成長するインゴットのＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔｓ）のサイズ（ｓｉｚｅ）が５５ナノメートル（ｎａｎｏｍｅｔｅｒ）乃至６５ナノメートルであるシリコン単結晶インゴットの成長方法を提供する。
Description
実施例は、シリコン単結晶インゴットの成長装置及び方法に関するものであり、より詳細には高ドーピングシリコン単結晶インゴットにおいて半径方向のＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔｓ）の均一性を確保しようとする。
通常のシリコンウェハーは、単結晶インゴット（Ｉｎｇｏｔ）を作るための単結晶成長工程と、単結晶インゴットをスライシング（Ｓｌｉｃｉｎｇ）して薄い円板状のウェハーを得るスライシング工程と、前記スライシング工程によって得られたウェハーの割れ、歪みを防止するためにその外周部を加工するグラインディング（Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）工程と、前記ウェハーに残存する機械的加工による損傷（Ｄａｍａｇｅ）を除去するラッピング（Ｌａｐｐｉｎｇ）工程と、前記ウェハーを鏡面化する研磨（Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程と、研磨されたウェハーを研磨中にウェハーに付着した研磨剤や異物を除去する洗浄工程とを含んで成り立つ。
単結晶成長は、フローティングゾーン（ｆｌｏａｔｉｎｇ ｚｏｎｅ：ＦＺ）方法またはチョクラルスキー（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ：ＣＺ、以下、ＣＺと称する）方法を多く使用して来た。これらの方法の中で最も一般化されている方法がＣＺ方法である。
ＣＺ方法においては、石英るつぼに多結晶シリコンを装入し、これを黒煙発熱体によって加熱して溶融させた後、溶融の結果形成されたシリコン溶融液にシードを浸して界面で結晶化が起きる時シードを回転しながら引き上げることによって単結晶のシリコンインゴットを成長させる。
シリコン単結晶の成長過程で成長履歴による結晶欠陥及び望まない不純物として特に酸素がシリコン単結晶に含まれるようになる。このように陥入された酸素は半導体素子の製造工程で加えられる熱によって酸素沈殿物（ｏｘｙｇｅｎ ｐｒｅｃｉｐｉｔａｔｅｓ）に成長するようになるが、この酸素沈殿物はシリコンウェハーの強度を補強して金属汚染元素を捕獲するなど内部ゲッタリング（Ｉｎｔｅｒｎａｌ Ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）サイトとして作用するなど有益な特性を示しもするが、半導体素子の漏洩電流及び不良（ｆａｉｌ）を誘発する有害な特性を示す。
したがって、半導体素子が形成されるウェハー表面から所定の深さまでのデヌードゾーン（ｄｅｎｕｄｅｄ ｚｏｎｅ）にはこのような酸素沈殿物が実質的に存在しないながらも、所定の深さ以上のバルク領域では所定の密度及び分布で存在するウェハーが要求される。半導体素子製造工程において、このようにバルク領域に生成される酸素沈殿物などとバルク積層欠陥などを含んで通常ＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｏｒ Ｄｅｆｅｃｔｓ）と言い、以下ではバルク領域の酸素沈殿物とＢＭＤを区分せず使用することとする。
このようなＢＭＤの濃度及び分布が制御されたウェハーを提供するための技術としては、シリコン単結晶インゴットを成長させるときの工程変数であるシード（ｓｅｅｄ）回転速度、るつぼ回転速度、融液（ｍｅｌｔ）表面と熱遮蔽材（ｈｅａｔ ｓｈｉｅｌｄ）との間の間隔であるメルトギャップ（ｍｅｌｔ ｇａｐ）、インゴットの引き上げ速度（ｐｕｌｌ ｓｐｅｅｄ）、ホットゾーン（ｈｏｔ ｚｏｎｅ）のデザイン変更、窒素や炭素などの第３の元素ドーピングなどを通じて初期酸素濃度と結晶欠陥濃度を調節することによってＢＭＤ濃度を制御する技術が提案された。
また、このような成長工程変数や成長履歴を制御する方法以外にウェハー加工工程（ｗａｆｅｒｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）中に熱処理を通じてＢＭＤ濃度及び分布を調節する必要がある。
実施例は、シリコン単結晶の成長時に半径方向のＢＭＤの均一性を向上させようとする。
実施例は、シリコン単結晶インゴットの成長方法において、るつぼ内にシリコン溶融液を準備する段階；前記シリコン溶融液にシードをプローブする段階；前記るつぼに水平磁場を加えて前記シードと前記るつぼとを回転させる段階；及び前記シリコン溶融液から成長するインゴットを引き上げる段階を含み、前記成長中のインゴットと前記シリコン溶融液の界面が水平面から下に１ミリメートル乃至５ミリメートルに形成され、前記成長するインゴットのＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔｓ）のサイズ（ｓｉｚｅ）が５５ナノメートル（ｎａｎｏｍｅｔｅｒ）乃至６５ナノメートルであるシリコン単結晶インゴットの成長方法を提供する。
インゴットの成長中に前記インゴット内の温度勾配（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｇｒａｄｉｅｎｔ）が３４ケルビン（ｋｅｌｖｉｎ）／ｃｍ未満であり得る。
インゴットの中央領域の冷却時間が端領域の冷却時間より長くてもよい
シリコン溶融液は、比抵抗が２０ｍｏｈｍ・ｃｍ（ミリオーム・センチメートル）であり得る。
シリコン溶融液は、ドーパントが３．２４Ｅ１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上ドーピングされ得る。
ドーパントは、ボロン（Ｂｏｒｏｎ）であり得る。
インゴットの成長時に、シードの回転速度は８ｒｐｍ以下であり得る。
インゴットの成長時に、前記シリコン溶融液に磁場を３０００Ｇ（ガウス）以上で加えることができる。
インゴットの成長時に、前記シリコン溶融液と熱遮蔽材との距離は４０ミリメートル以上であり得る。
他の実施例は、チャンバ；前記チャンバの内部に具備され、シリコン溶融液が収容されるるつぼ；前記チャンバの内部に具備され、前記シリコン溶融液を加熱するヒーター；前記シリコン溶融液から成長する前記インゴットに向かう前記ヒーターの熱を遮蔽する熱遮蔽材；前記シリコン溶融液から前記成長するインゴットを回転しながら引き上げる引き上げユニット；及び前記るつぼに水平磁場を印加する磁場発生ユニットを含み、前記引き上げユニットはシードを８ｒｐｍ以下の速度で回転させるシリコン単結晶インゴットの成長装置を提供する。
磁場発生ユニットは、前記シリコン溶融液に磁場を３０００Ｇ（ガウス）以上で印加することができる。
引き上げユニットは、前記インゴットの成長時に前記シリコン溶融液と前記熱遮蔽材との距離を４０ミリメートル以上とすることができる。
ヒーターは、前記インゴットの成長中に前記インゴット内の温度勾配（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｇｒａｄｉｅｎｔ）が３４ケルビン（ｋｅｌｖｉｎ）／ｃｍ未満となるように前記るつぼを加熱することができる。
シリコン溶融液は、比抵抗が２０ｍｏｈｍ・ｃｍ（ミリオーム・センチメートル）であり得る。
引き上げユニットは、前記インゴットの中央領域の冷却時間が端領域の冷却時間より長くなるように前記インゴットを引き上げることができる。
シリコン単結晶インゴットの成長装置は、シリコン溶融液にドーパントを３．２４Ｅ１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上の濃度にドーピングするドーパント供給部をさらに含むことができる。
引き上げユニットは、前記成長中のインゴットと前記シリコン溶融液の界面が水平面から下に１ミリメートル乃至５ミリメートルに形成されるように前記インゴットを引き上げることができる。
実施例に係るシリコン単結晶インゴットの成長方法は、インゴットの中央部分の熱履歴が増加して製造されたウェハーの中央部分と端部分のＢＭＤが均一に分布することができる。
以下、本発明を具体的に説明するため、実施例を挙げて説明し、発明に対する理解を助けるために添付図面を参照して詳細に説明しようとする。しかし、本発明による実施例は様々な他の形態に変形され得、本発明の範囲が下で記述する実施例に限定されるものと解釈されてはいけない。本発明の実施例は当業界で平均的な知識を有した者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
本発明による実施例の説明において、各ｅｌｅｍｅｎｔの“上（うえ）”または“下（した）（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）”に形成されるものと記載される場合において、上（うえ）または下（した）（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）は、二つのｅｌｅｍｅｎｔが互いに直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）接触したり一つ以上の他のｅｌｅｍｅｎｔが前記二つのｅｌｅｍｅｎｔの間に配置されて（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）形成されるものをすべて含む。また“上（うえ）”または“下（した）（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）”と表現される場合、一つのｅｌｅｍｅｎｔを基準に上側方向だけでなく下側方向の意味も含むことができる。
また、以下で用いられる“第１”及び“第２”、“上部”及び“下部”などのような関係的用語は、その実体または要素などの間のどんな物理的または論理的関係または手順を必ず要求したり内包したりせず、ある一の実体または要素を他の実体または要素と区別するためにのみ利用され得る。
図面において、各層の厚さや大きさは説明の便宜及び明確性のために誇張されたり省略されたりまたは概略的に図示された。また各構成要素の大きさは実際の大きさを全面的に反映したものではない。
図１は、実施例による単結晶インゴット製造装置を示した図である。
実施例によるシリコン単結晶インゴット製造装置（１００）は、チャンバ（１１０）、るつぼ（１２０）、ヒーター（１３０）、引き上げ手段（１５０）などを含むことができる。例えば、実施例による単結晶成長装置（１００）は、チャンバ（１１０）と、前記チャンバ（１１０）の内部に具備され、シリコン溶融液を収容するるつぼ（１２０）と、前記チャンバ（１１０）の内部に具備され、前記るつぼ（１２０）を加熱するヒーター（１３０）及びシード（１５２）が一端に結合された引き上げ手段（１５０）を含むことができる。
チャンバ（１１０）は、半導体などの電子部品素材として使用されるシリコンウェハー（ｗａｆｅｒ）用の単結晶インゴット（ｉｎｇｏｔ）を成長させるための所定の工程が遂行される空間を提供する。
チャンバ（１１０）の内壁においては、ヒーター（１３０）の熱が前記チャンバ（１１０）の側壁部に放出されないように輻射断熱体（１４０）が設置され得る。
シリコン単結晶成長時の酸素濃度を制御するために石英るつぼ（１２０）の回転時の内部の圧力条件など多様な因子を調節することができる。例えば、実施例は酸素濃度を制御するためにシリコン単結晶成長装置のチャンバ（１１０）内部にアルゴンガスなどを注入して下部に排出することができる。
前記るつぼ（１２０）は、シリコン溶融液を収容することができるように前記チャンバ（１１０）の内部に具備され、石英材質からなることができる。前記るつぼ（１２０）の外部にはるつぼ（１２０）を支持することができるように黒煙からなるるつぼ支持台（図示せず）が具備され得る。前記るつぼ支持台は、回転軸（図示せず）上に固定設置され、この回転軸は、駆動手段（図示せず）によって回転されてるつぼ（１２０）を回転及び昇降運動させながら固−液界面が同一な高さを維持するようにできる。
ヒーター（１３０）は、るつぼ（１２０）を加熱するようにチャンバ（１１０）の内部に具備され得、シリコン溶融液を加熱する作用ができる。例えば、前記ヒーター（１３０）は、るつぼ支持台を囲む円筒状に成り立つことができる。このようなヒーター（１３０）は、るつぼ（１２０）内に積載した高純度の多結晶シリコンの塊を溶融してシリコン溶融液にするようになる。
図示されなかったが、るつぼ（１２０）の上部には熱遮蔽材が具備されて成長して引き上がるシリコン単結晶インゴットを向くヒーター（１３０）から発生された熱を遮断することができる。
そして、ドーパント供給部（図示せず）は、シリコン溶融液にドーパントを３．２４Ｅ１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上の濃度にドーピングすることができる。また、チャンバ（１１０）のまわりには磁場発生ユニットが具備され、るつぼ（１２０）に水平方向に磁場を印加することができる。
実施例は、シリコン単結晶インゴット成長のための製造方法としては、単結晶であるシード（ｓｅｅｄ、１５２）をシリコン溶融液に浸した後ゆっくり引き上げながら結晶を成長させるチョクラルスキー（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋ：ＣＺ）法を採用することができる。
チョクラルスキー法を詳しく説明すれば下のとおりである。
先に、るつぼ（１２０）内にシリコン溶融液を準備し、シリコン溶融液内にシードをプローブしてシード（１５２）から細くて長い結晶を成長させるネッキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）工程を経ると、結晶を直径方向に成長させて目標直径に作るショルダーリング（ｓｈｏｕｌｄｅｒｉｎｇ）工程を経て、以後には一定な直径を有する結晶に成長させるボディーグロイング（ｂｏｄｙ ｇｒｏｗｉｎｇ）工程を経て、一定な長さだけボディーグロイングが進行された後には結晶の直径を徐徐に減少させて結局溶融シリコンと分離するテーリング（ｔａｉｌｉｎｇ）工程を経て単結晶成長が仕上げられる。
インゴットの成長及び引き上げ段階において、るつぼを回転させて水平磁場を印加することができる。そして、ヒーター（１３０）はインゴットの成長中にインゴット内の温度勾配（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｇｒａｄｉｅｎｔ）が３４ケルビン（ｋｅｌｖｉｎ）／ｃｍ未満となるようにるつぼ（１２０）を加熱することができる。
本実施例においては、シリコン溶融液にはＰ−タイプのドーパントとしてＢ（ボロン）がドーピングされ、Ｎ−タイプのドーパントとしてＡｓ（砒素）、Ｐ（リン）、Ｓｂ（アンチモン）などがドーピングされ得る。このとき、高濃度のドーパントが投入される場合、ドーパントの濃度によってＶ／Ｇ（ｇｒｏｗｔｈ ｒａｔｅ／ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｇｒａｄｉｅｎｔ）すなわち、温度勾配に対するインゴットの成長速度が変化することができ、これによってインゴットの特にボディー（ｂｏｄｙ）領域内でＢＭＤが変化することができる。
そして、シード（１５２）が一端に結合された引き上げ手段（１５０）は、シードを８ｒｐｍ以下の速度で回転させ、磁場発生ユニットはシリコン溶融液に磁場を ３０００Ｇ（ガウス）以上で印加することができる。引き上げユニット（１５０）はインゴットの引き上げ速度を調節することができる。詳細するには、インゴットの成長時にシリコン溶融液と前述した熱遮蔽材との距離を４０ミリメートル以上となるようにインゴットの引き上げ速度を調節し、また図５ｂなどに図示されたように成長中のインゴットとシリコン溶融液の界面が水平面から下に１ミリメートル乃至５ミリメートルに形成されるように前記インゴットを引き上げることができる。
また、インゴットの中央領域の冷却時間が端領域の冷却時間より長くなるようにインゴットを引き上げることができる。
図２ａは、シリコン単結晶インゴットのボディー成長時に縦方向の長さが成長（ｘ軸）によるＢＭＤ変化を示した図であり、図２ｂはウェハー面内のＢＭＤ散布を示した図である。
図２ａに図示されたようにインゴットのボディー成長時にＢＭＤが継続変化し、特に図２ｂに図示されたように縦方向に同一な領域であるウェハーの面内にてもＢＭＤ散布が大きいことが分かる。
本実施例においては、高濃度にドーピングされたインゴットの長さが方向へのＶ／Ｇ（ｇｒｏｗｔｈ ｒａｔｅ／ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｇｒａｄｉｅｎｔ）変化による結晶領域の変化を制御し、インゴットの全体領域でＧ値を３４ケルビン（ｋｅｌｖｉｎ）／ｃｍ未満とする。
前述した工程によって成長するシリコン単結晶インゴットは、比抵抗が２０ｍｏｈｍ・ｃｍ（ミリオーム・センチメートル）以下であり、ドーパントとしてボロン（Ｂｏｒｏｎ）が３．２４Ｅ１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上にドーピングされ、図２ｂに図示されたようにウェハーの中央領域のＢＭＤが少ない。そして、図３からウェハーの中央領域と端領域とのＢＭＤ差が大きいことは、ウェハーの中央領域でＢＭＤサイズ（ｓｉｚｅ）がウェハーの端領域より小さいことに起因し得る。
前述した問題点を解決しようとウェハーの中央領域でＢＭＤサイズを増加させる方案もあるが、シリコン単結晶インゴットは、中央領域と端領域が同時に同一な速度で引き上げ（ｐｕｌｌｉｎｇ）られて成長し、ホットゾーン（ｈｏｔ ｚｏｎｅ）の構造を変更して熱履歴を変更する場合にもシリコン単結晶インゴットの中央領域外に端領域も熱履歴の変更影響を受けることがあって、ウェハーの中央領域だけのＢＭＤサイズ増加は困難がある。
実施例においては、シリコン単結晶インゴットの中央領域のＢＭＤサイズだけを増加させるため、中央領域の冷却時間を相対的に長くしようとする。
図４ａ及び図４ｂは、シリコン単結晶インゴットの成長時に成長界面の方向性を示した図である。
図４ａ及び４ｂは、シリコン単結晶インゴットの引き上げ速度（Ｐ／Ｓ、ｐｕｌｌｉｎｇ ｓｐｅｅｄ）は同一であるが、冷却速度は同一でないことがある。
すなわち、図４ａにおいて、インゴット下部の界面が上方向に膨らんでウェハーの中央領域（Ａ）の冷却時間が端領域（Ｂ）の冷却時間より相対的に短いことがある。そして、図４ｂにおいてはインゴット下部の界面の下方向に膨らんでウェハーの中央領域（Ａ）の冷却時間が端領域（Ｂ）の冷却時間より相対的に長いことがある。
図４ｂによって成長したシリコン単結晶インゴットから製造されたウェハーは、中央領域と端領域が同時に成長せず、中央領域がさらに先に成長して熱履歴をさらに長く受けて中央領域のＢＭＤサイズだけを増加させることができる。
図５ａ及び図５ｂは、比較例と実施例によるシリコン単結晶インゴットの成長時に成長界面を示した図である。
図５ａの比較例は、シリコン単結晶インゴットの下部の界面が点線で図示された水平面から上方向に高さｈ1だけ膨らんで、図５ｂの比較例は、シリコン単結晶インゴットの下部の界面が点線で図示された水平面から上方向に高さｈ2だけ膨らんでいる。図５ａ及び５ｂにおいて、シードの回転速度は、８ｒｐｍ以下、磁場の強さは３、０００Ｇ（ガウス）以上にして前述したＧ値（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｇｒａｄｉｅｎｔ）を低め、また、シリコン溶融液と熱遮蔽材との距離であるメルトギャップ（ｍｅｌｔ ｇａｐ）を４０ミリメートル以上とすることができる。
表１は、成長界面の形状によるウェハーの中央領域と端領域でのＢＭＤ変化を示し、成長界面の高さが図５ａ及び５ｂにおいてｈ1とｈ2を示し、＋値の場合、上に膨らんで−値の場合、下に膨らみ得る。
比較例１と比較例２においては、シリコン単結晶インゴットの成長界面が上方向に膨らんで、実施例１と実施例２においては、シリコン単結晶インゴットの成長界面が下方向に膨らみ得る。
表１のように高濃度にドーピングされたシリコン単結晶インゴットの成長界面を下に膨らむよう制御し、ＢＭＤ変化程度が小さくて半径方向にＢＭＤ濃度の均一性を確保することができる。
図６ａは、従来の比較例と実施例による方法で成長したインゴットの長さ方向（縦方向）での比抵抗とＢＭＤ分布とを示し、長さ方向にＢＭＤ偏差が１００倍以内であり得る。図６ｂに図示されたように実施例による方法で成長したインゴットから製造されたウェハーは面内方向（横方向）でＢＭＤ分布が均一であり、偏差が表１に図示されたように０．４未満であり得る。ここで、‘面内'は図５ｂなどの横方向であり得る。
前述した工程でシリコン単結晶インゴットを成長させるとき、製造されたウェハーの中央部分と端部のＢＭＤが均一に分布し、ウェハーの品質が改善され得る。
以上、実施例を中心に説明したがこれは単なる例示に過ぎず、本発明を限定するものではなく、本発明が属する分野の通常の知識を有した者であれば本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲で、以上で例示されていない様々な変形と応用が可能であることが理解できるだろう。例えば、実施例に具体的に示された各構成要素は変形して実施することができるものである。そして、このような変形と応用に係る差異点は添付された請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
［産業上利用可能性］
実施例による装置及び方法は、シリコン高品質のシリコン単結晶インゴットを提供することができる。
実施例による装置及び方法は、シリコン高品質のシリコン単結晶インゴットを提供することができる。
Claims (17)
- シリコン単結晶インゴットの成長方法において、
るつぼ内にシリコン溶融液を準備する段階；
前記シリコン溶融液にシードをプローブする段階；
前記るつぼに水平磁場を加えて前記シードと前記るつぼとを回転させる段階；及び
前記シリコン溶融液から成長するインゴットを引き上げる段階を含み、
前記成長中のインゴットと前記シリコン溶融液の界面が水平面から下に１ミリメートル乃至５ミリメートルに形成され、前記成長するインゴットのＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔｓ）のサイズ（ｓｉｚｅ）が５５ナノメートル（ｎａｎｏｍｅｔｅｒ）乃至６５ナノメートルであるシリコン単結晶インゴットの成長方法。 - 前記インゴットの成長中に前記インゴット内の温度勾配（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｇｒａｄｉｅｎｔ）が３４ケルビン（ｋｅｌｖｉｎ）／ｃｍ未満である、請求項１に記載のシリコン単結晶インゴットの成長方法。
- 前記インゴットの中央領域の冷却時間が端領域の冷却時間より長い、請求項１に記載のシリコン単結晶インゴットの成長方法。
- 前記シリコン溶融液は、比抵抗が２０ｍｏｈｍ・ｃｍ（ミリオーム・センチメートル）以下である、請求項１に記載のシリコン単結晶インゴットの成長方法。
- 前記シリコン溶融液は、ドーパントが３．２４Ｅ１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上ドーピングされた、請求項１に記載のシリコン単結晶インゴットの成長方法。
- 前記ドーパントは、ボロン（Ｂｏｒｏｎ）である、請求項５に記載のシリコン単結晶インゴットの成長方法。
- 前記インゴットの成長時に、前記シードの回転速度は８ｒｐｍ以下である、請求項１に記載のシリコン単結晶インゴットの成長方法。
- 前記インゴットの成長時に、前記シリコン溶融液に磁場を３０００Ｇ（ガウス）以上で加える、請求項１に記載のシリコン単結晶インゴットの成長方法。
- 前記インゴットの成長時に、前記シリコン溶融液と熱遮蔽材との距離を４０ミリメートル以上とする、請求項１に記載のシリコン単結晶インゴットの成長方法。
- チャンバ；
前記チャンバの内部に具備され、シリコン溶融液が収容されるるつぼ；
前記チャンバの内部に具備され、前記シリコン溶融液を加熱するヒーター；
前記シリコン溶融液から成長する前記インゴットに向かう前記ヒーターの熱を遮蔽する熱遮蔽材；
前記シリコン溶融液から前記成長するインゴットを回転しながら引き上げる引き上げユニット；及び
前記るつぼに水平磁場を印加する磁場発生ユニットを含み、
前記引き上げユニットはシードを８ｒｐｍ以下の速度で回転させるシリコン単結晶インゴットの成長装置。 - 前記磁場発生ユニットは、前記シリコン溶融液に磁場を３０００Ｇ（ガウス）以上で印加する、請求項１０に記載のシリコン単結晶インゴットの成長装置。
- 前記引き上げユニットは、前記インゴットの成長時に前記シリコン溶融液と前記熱遮蔽材との距離を４０ミリメートル以上とする、請求項１０に記載のシリコン単結晶インゴットの成長装置。
- 前記ヒーターは、前記インゴットの成長中に前記インゴット内の温度勾配（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｇｒａｄｉｅｎｔ）が３４ケルビン（ｋｅｌｖｉｎ）／ｃｍ未満となるように前記るつぼを加熱する、請求項１０に記載のシリコン単結晶インゴットの成長装置。
- 前記シリコン溶融液は、比抵抗が２０ｍｏｈｍ・ｃｍ（ミリオーム・センチメートル）以下である、請求項１０に記載のシリコン単結晶インゴットの成長装置。
- 前記引き上げユニットは、前記インゴットの中央領域の冷却時間が端領域の冷却時間より長くなるように前記インゴットを引き上げる、請求項１０に記載のシリコン単結晶インゴットの成長装置。
- 前記シリコン溶融液にドーパントを３．２４Ｅ１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上の濃度にドーピングするドーパント供給部をさらに含む、請求項１０に記載のシリコン単結晶インゴットの成長装置。
- 前記引き上げユニットは、前記成長中のインゴットと前記シリコン溶融液の界面が水平面から下に１ミリメートル乃至５ミリメートルに形成されるように前記インゴットを引き上げる、請求項１０に記載のシリコン単結晶インゴットの成長装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150048187A KR101680213B1 (ko) | 2015-04-06 | 2015-04-06 | 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법 |
| KR10-2015-0048187 | 2015-04-06 | ||
| PCT/KR2015/008536 WO2016163602A1 (ko) | 2015-04-06 | 2015-08-14 | 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치 및 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018503591A true JP2018503591A (ja) | 2018-02-08 |
| JP6467056B2 JP6467056B2 (ja) | 2019-02-06 |
Family
ID=57071903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017535402A Active JP6467056B2 (ja) | 2015-04-06 | 2015-08-14 | シリコン単結晶インゴットの成長装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20170362736A1 (ja) |
| JP (1) | JP6467056B2 (ja) |
| KR (1) | KR101680213B1 (ja) |
| CN (1) | CN107407003A (ja) |
| WO (1) | WO2016163602A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6844560B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2021-03-17 | 株式会社Sumco | シリコン融液の対流パターン制御方法、シリコン単結晶の製造方法、および、シリコン単結晶の引き上げ装置 |
| JP6888568B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2021-06-16 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
| CN108796602A (zh) * | 2018-07-04 | 2018-11-13 | 江西中昱新材料科技有限公司 | 一种单晶炉用内导流筒 |
| CN113825862A (zh) * | 2019-04-11 | 2021-12-21 | 环球晶圆股份有限公司 | 后段主体长度具有减小变形的锭的制备工艺 |
| KR102576552B1 (ko) * | 2019-04-18 | 2023-09-07 | 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. | 연속 쵸크랄스키 방법을 사용하여 단결정 실리콘 잉곳을 성장시키기 위한 방법들 |
| CN112095142B (zh) * | 2019-06-18 | 2021-08-10 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种半导体晶体生长装置 |
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2015
- 2015-04-06 KR KR1020150048187A patent/KR101680213B1/ko active IP Right Grant
- 2015-08-14 US US15/539,586 patent/US20170362736A1/en not_active Abandoned
- 2015-08-14 JP JP2017535402A patent/JP6467056B2/ja active Active
- 2015-08-14 CN CN201580076628.2A patent/CN107407003A/zh active Pending
- 2015-08-14 WO PCT/KR2015/008536 patent/WO2016163602A1/ko active Application Filing
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20170362736A1 (en) | 2017-12-21 |
| CN107407003A (zh) | 2017-11-28 |
| JP6467056B2 (ja) | 2019-02-06 |
| KR20160119480A (ko) | 2016-10-14 |
| WO2016163602A1 (ko) | 2016-10-13 |
| KR101680213B1 (ko) | 2016-11-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180508 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |