JP2018182102A - ピン制御方法及び基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板の位置ずれを抑制する。【解決手段】ピン制御方法は、基板を支持して複数の駆動部によってそれぞれ上下に駆動される複数のピンの高さ位置をそれぞれ測定し、測定された複数のピンの高さ位置を用いて、複数のピンから、速度制御の基準となる基準ピンを選択し、選択された基準ピンに関して、複数のピンの高さ位置が測定されてから所定時間が経過した後における高さ位置である基準高さ位置を推定し、推定された基準高さ位置に基準ピン以外の他のピンの高さ位置を一致させるための調整速度を算出し、他のピンを駆動する駆動部を制御して、他のピンの駆動速度を前記調整速度に調整する。【選択図】図３

Description

本発明の種々の側面及び実施形態は、ピン制御方法及び基板処理装置に関するものである。
例えばエッチングや成膜などの基板処理を行う基板処理装置では、半導体ウエハなどの基板を載置する載置台の載置面から突没するように複数のピンが載置台に設けられる。そして、これらの複数のピンが上昇又は下降されることによって、基板の受け渡しが行われる。複数のピンの制御手法として、例えば、複数のピンが取り付けられたベース部材を１つの駆動部によって上下に駆動することにより、ベース部材を介して複数のピンを一括で上昇又は下降させる手法がある。
特開２０１１−５４９３３号公報
しかしながら、上述した技術では、ベース部材の傾きに伴って複数のピンの高さ位置に差が生じ、結果として、複数のピンによって支持される基板の位置が予め定められた位置からずれてしまうという問題がある。
これに対して、以下のようなベース部材を用いない手法が考えられる。例えば、複数のピンに独立に複数の駆動部を設け、複数の駆動部によって複数のピンをそれぞれ駆動する手法が考えられる。しかしながら、この手法では、各ピンの駆動速度のばらつきに伴って複数のピンの高さ位置に差が生じ、結果として、基板の位置ずれが生じる可能性がある。
開示するピン制御方法は、１つの実施態様において、基板を支持して複数の駆動部によってそれぞれ上下に駆動される複数のピンの高さ位置をそれぞれ測定し、測定された前記複数のピンの高さ位置を用いて、前記複数のピンから、速度制御の基準となる基準ピンを選択し、選択された前記基準ピンに関して、前記複数のピンの高さ位置が測定されてから所定時間が経過した後における高さ位置である基準高さ位置を推定し、推定された前記基準高さ位置に前記基準ピン以外の他のピンの高さ位置を一致させるための調整速度を算出し、前記他のピンを駆動する駆動部を制御して、前記他のピンの駆動速度を前記調整速度に調整する。
開示するピン制御方法の１つの態様によれば、基板の位置ずれを抑制することができるという効果を奏する。
図１は、一実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。 図２は、図１に示す基板処理装置のステージＳＴを拡大して示す断面図である。 図３は、一実施形態に係るピン制御方法の流れの一例を示すフローチャートである。 図４は、一実施形態に係るピン制御方法の具体例を示す図である。
以下、図面を参照して本願の開示するピン制御方法及び基板処理装置の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を付すこととする。
図１は、一実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。図１では、一実施形態に係る基板処理装置の断面が示されている。
図１に示すように、一実施形態の基板処理装置１０は、平行平板型のプラズマ処理装置である。基板処理装置１０は、処理容器１２を備えている。処理容器１２は、略円筒形状を有しており、その内部空間として処理空間Ｓを画成している。基板処理装置１０は、処理容器１２内に、ステージＳＴを備える。ステージＳＴは、被処理基板である半導体ウエハ（以下、「ウエハ」と記載）Ｗが載置される載置台である。一実施形態においては、ステージＳＴは、台１４及び静電チャック５０を有する。台１４は、略円板形状を有しており、処理空間Ｓの下方に設けられている。台１４は、例えばアルミニウム製であり、下部電極を構成している。
一実施形態においては、基板処理装置１０は、筒状保持部１６及び筒状支持部１７を更に備えている。筒状保持部１６は、台１４の側面及び底面の縁部に接して、台１４を保持している。筒状支持部１７は、処理容器１２の底部から垂直方向に延在し、筒状保持部１６を介して台１４を支持している。
基板処理装置１０は、フォーカスリング１８を更に備えている。フォーカスリング１８は、台１４の周縁部分の上面に載置される。フォーカスリング１８は、ウエハＷの処理精度の面内均一性を改善するための部材である。フォーカスリング１８は、略環形状を有する板状部材であり、例えば、シリコン、石英、又はシリコンカーバイドから構成される。
一実施形態においては、処理容器１２の側壁と筒状支持部１７との間には、排気路２０が形成されている。排気路２０の入口又はその途中には、バッフル板２２が取り付けられている。また、排気路２０の底部には、排気口２４が設けられている。排気口２４は、処理容器１２の底部に嵌め込まれた排気管２８によって画成されている。この排気管２８には、排気装置２６が接続されている。排気装置２６は、真空ポンプを有しており、処理容器１２内の処理空間Ｓを所定の真空度まで減圧することができる。処理容器１２の側壁には、ウエハＷの搬入出口を開閉するゲートバルブ３０が取り付けられている。
台１４には、プラズマ生成用の高周波電源３２が整合器３４を介して電気的に接続されている。高周波電源３２は、所定の高周波数（例えば１３ＭＨｚ）の高周波電力を下部電極、即ち、台１４に印加する。
基板処理装置１０は、更に、処理容器１２内にシャワーヘッド３８を備えている。シャワーヘッド３８は、処理空間Ｓの上方に設けられている。シャワーヘッド３８は、電極板４０及び電極支持体４２を含んでいる。
電極板４０は、略円板形状を有する導電性の板であり、上部電極を構成している。電極板４０には、プラズマ生成用の高周波電源３５が整合器３６を介して電気的に接続されている。高周波電源３５は、所定の高周波数（例えば６０ＭＨｚ）の高周波電力を電極板４０に印加する。高周波電源３２及び高周波電源３５によって台１４及び電極板４０に高周波電力がそれぞれ与えられると、台１４と電極板４０との間の空間、即ち、処理空間Ｓには高周波電界が形成される。
電極板４０には、複数のガス通気孔４０ｈが形成されている。電極板４０は、電極支持体４２によって着脱可能に支持されている。電極支持体４２の内部には、バッファ室４２ａが設けられている。基板処理装置１０は、ガス供給部４４を更に備えており、バッファ室４２ａのガス導入口２５にはガス供給導管４６を介してガス供給部４４が接続されている。ガス供給部４４は、処理空間Ｓに処理ガスを供給する。この処理ガスは、例えば、エッチング用の処理ガスであってもよく、又は、成膜用の処理ガスであってもよい。電極支持体４２には、複数のガス通気孔４０ｈにそれぞれ連続する複数の孔が形成されており、当該複数の孔はバッファ室４２ａに連通している。ガス供給部４４から供給されるガスは、バッファ室４２ａ、ガス通気孔４０ｈを経由して、処理空間Ｓに供給される。
一実施形態においては、処理容器１２の天井部に、環状又は同心状に延在する磁場形成機構４８が設けられている。この磁場形成機構４８は、処理空間Ｓにおける高周波放電の開始（プラズマ着火）を容易にして放電を安定に維持するよう機能する。
基板処理装置１０では、台１４の上面に静電チャック５０が設けられている。静電チャック５０は、一対の絶縁膜５４ａ及び５４ｂと、一対の絶縁膜５４ａ及び５４ｂにより挟まれた電極５２とを含んでいる。電極５２には、スイッチＳＷを介して直流電源５６が接続されている。直流電源５６から電極５２に直流電圧が与えられると、クーロン力が発生し、当該クーロン力によってウエハＷが静電チャック５０上に吸着保持される。
一実施形態においては、基板処理装置１０は、ガス供給ライン５８、及び、伝熱ガス供給部６２を更に備えている。伝熱ガス供給部６２は、ガス供給ライン５８に接続されている。このガス供給ライン５８は、静電チャック５０の上面まで延びて、当該上面において環状に延在している。伝熱ガス供給部６２は、例えばＨｅガスといった伝熱ガスを、静電チャック５０の上面とウエハＷとの間に供給する。
（ステージＳＴの構成）
図２は、図１に示す基板処理装置のステージＳＴを拡大して示す断面図である。図２に示すようにステージＳＴは、載置面ＰＦを有している。この載置面ＰＦは、第１の領域Ｒ１及び第２の領域Ｒ２を含んでいる。第１の領域Ｒ１は、ウエハＷを載置するための領域である。一実施形態においては、第１の領域Ｒ１は、静電チャック５０の上面によって画成されており、略円形の領域である。第１の領域Ｒ１は、ステージＳＴの載置面の一例である。第２の領域Ｒ２は、フォーカスリング１８を載置するための領域であり、第１の領域Ｒ１を囲むよう環状に設けられている。一実施形態においては、第２の領域Ｒ２は、台１４の周縁部分の上面によって画成されている。
ステージＳＴには、複数のピン７０がステージＳＴの載置面（つまり、第１の領域Ｒ１）から突没するように設けられる。複数のピン７０は、例えばステージＳＴに周方向に等間隔で設けられた複数の孔にＯリングなどのシール部材を介して設けられる。一実施形態では、３つの孔が周方向に等間隔で設けられ、３つのピン７０が３つの孔に設けられる。
複数のピン７０は、複数の駆動部７２（図１参照）に独立に接続されて、複数の駆動部７２によってそれぞれ上下に駆動される。例えば、各駆動部７２は、モータ及びボールネジを含み、モータの回転運動をボールネジによって直線運動に変換することによって、各ピン７０を上昇又は下降させる。そして、複数のピン７０が上昇されることによって、複数のピン７０と、ゲートバルブ３０を介して処理容器１２内にウエハＷを搬送する搬送アームとの間でウエハＷの受け渡しが行われる。そして、ウエハＷが受け渡された複数のピン７０が下降されることによって、ウエハＷが、ステージＳＴの載置面（つまり、第２の領域Ｒ１の上面）に載置される。
また、複数の駆動部７２には、エンコーダなどの図示しない複数の測定器が設けられ、複数の測定器は、複数のピン７０の高さ位置をそれぞれ測定する。ここで、複数のピン７０の高さ位置とは、ステージＳＴの載置面又は当該載置面から所定の距離だけ下方の基準面を基準とした複数のピン７０の先端の位置である。
図１の説明に戻る。一実施形態においては、基板処理装置１０は、制御部６６を更に備えている。この制御部６６は、排気装置２６、スイッチＳＷ、高周波電源３２、整合器３４、高周波電源３５、整合器３６、ガス供給部４４、及び、伝熱ガス供給部６２に接続されている。制御部６６は、排気装置２６、スイッチＳＷ、高周波電源３２、整合器３４、高周波電源３５、整合器３６、ガス供給部４４、及び、伝熱ガス供給部６２のそれぞれに制御信号を送出する。制御部６６からの制御信号により、排気装置２６による排気、スイッチＳＷの開閉、高周波電源３２からの電力供給、整合器３４のインピーダンス調整、高周波電源３５からの電力供給、整合器３６のインピーダンス調整、ガス供給部４４による処理ガスの供給、伝熱ガス供給部６２による伝熱ガスの供給が制御される。
基板処理装置１０では、ガス供給部４４から処理空間Ｓに処理ガスが供給される。また、電極板４０と台１４との間、即ち処理空間Ｓにおいて高周波電界が形成される。これにより、処理空間Ｓにおいてプラズマが発生し、処理ガスに含まれる元素のラジカル等により、ウエハＷの処理が行われる。なお、ウエハＷの処理は、任意の処理であり得るものであり、例えば、ウエハＷのエッチング、又は、ウエハＷ上への成膜であってもよいが、限定されるものではない。
また、制御部６６は、後述するピン制御方法を行うように複数の駆動部７２を制御する。詳細な一例を挙げると、制御部６６は、ウエハＷを支持して複数の駆動部７２によってそれぞれ上下に駆動される複数のピン７０の高さ位置をそれぞれ測定する。そして、制御部６６は、測定された複数のピン７０の高さ位置を用いて、複数のピン７０から、速度制御の基準となる基準ピンを選択する。そして、制御部６６は、選択された基準ピンに関して、複数のピン７０の高さ位置が測定されてから所定時間が経過した後における高さ位置である基準高さ位置を推定する。そして、制御部６６は、推定された基準高さ位置に基準ピン以外の他のピンの高さ位置を一致させるための調整速度を算出し、他のピンを駆動する駆動部７２を制御して、他のピンの駆動速度を調整速度に調整する。ここで、複数のピン７０の高さ位置とは、ステージＳＴの載置面又は当該載置面から所定の距離だけ下方の基準面を基準とした複数のピン７０の先端の位置である。また、複数のピン７０の高さ位置は、複数の駆動部７２にそれぞれ設けられたエンコーダなどの図示しない複数の測定器を用いて、それぞれ測定されるものとする。
次に、一実施形態に係るピン制御方法について説明する。図３は、一実施形態に係るピン制御方法の流れの一例を示すフローチャートである。なお、ここでは、複数のピン７０が上昇されることによって、複数のピン７０と、ゲートバルブ３０を介して処理容器１２内にウエハＷを搬送する搬送アームとの間でウエハＷの受け渡しが行われる場合の処理の流れを説明するものとする。
図３に示すように、基板処理装置１０の制御部６６は、搬送アームによって処理容器１２内にウエハＷが搬送されると、複数のピン７０の駆動を開始する（ステップＳ１０１）。このとき、複数のピン７０の駆動速度は、同一の速度に設定される。
制御部６６は、複数のピン７０の高さ位置を測定するための所定のタイミング（以下「測定タイミング」と呼ぶ）が到来するまで待機する（ステップＳ１０２Ｎｏ）。そして、制御部６６は、測定タイミングが到来した場合（ステップＳ１０２Ｙｅｓ）、複数のピン７０の高さ位置をそれぞれ測定する（ステップＳ１０３）。
制御部６６は、測定された複数のピン７０の高さ位置を用いて、全てのピン７０の高さ位置が所定の位置に到達したか否かを判定する（ステップＳ１０４）。所定の位置は、例えば、搬送アームから複数のピン７０に受け渡されたウエハＷが搬送アームに干渉しないように決定された位置である。制御部６６は、全てのピン７０の高さ位置が所定の位置に到達した場合に（ステップＳ１０４Ｙｅｓ）、処理を終了する。
一方、制御部６６は、全てのピン７０の高さ位置が所定の位置に到達していない場合に（ステップＳ１０４Ｎｏ）、測定された複数のピン７０の高さ位置が一致しているか否かを判定する（ステップＳ１０５）。ここで、複数のピン７０の駆動の開始時に複数のピン７０の駆動速度は同一の速度に設定されるので、複数のピン７０の高さ位置は、原則として一致するはずである。しかしながら、複数のピン７０が例えばステージＳＴに設けられた複数の孔にＯリングなどのシール部材を介して設けられるので、各ピン７０とシール部材との摩擦の状態にばらつきが生じることがある。各ピン７０とシール部材との摩擦の状態にばらつきが生じると、複数のピン７０の駆動速度にばらつきが生じ、結果として、複数のピン７０の高さ位置に差を生じさせることがある。
制御部６６は、測定された複数のピン７０の高さ位置が一致しない場合（ステップＳ１０５Ｎｏ）、複数のピン７０の高さ位置を用いて、複数のピン７０から、速度制御の基準となる基準ピンを選択する（ステップＳ１０６）。例えば、制御部６６は、複数のピン７０のうち、高さ位置が最も低いピン７０又は最も高いピン７０を基準ピンとして選択する。
続いて、制御部６６は、選択された基準ピンに関して、複数のピン７０の高さ位置が測定されてから「所定時間」が経過した後における基準ピンの高さ位置である基準高さ位置を推定する（ステップＳ１０７）。具体的には、制御部６６は、複数のピン７０の駆動が開始されてから測定タイミングまでの経過時間と、測定タイミングにおいて測定された基準ピンの高さ位置とに基づいて、測定タイミングにおける基準ピンの駆動速度を算出する。そして、制御部６６は、算出した基準ピンの駆動速度と、上記の「所定時間」と、測定タイミングにおいて測定された基準ピンの高さ位置とに基づいて、基準高さ位置を推定する。
続いて、制御部６６は、推定された基準高さ位置に基準ピン以外の他のピンの高さ位置を一致させるための調整速度を算出する（ステップＳ１０８）。具体的には、制御部６６は、基準高さ位置と、測定タイミングにおける他のピンの高さ位置と、上記の「所定時間」とに基づいて、調整速度を算出する。
続いて、制御部６６は、他のピンを駆動する駆動部７２を制御して、他のピンの駆動速度を調整速度に調整する（ステップＳ１０９）。このように、他のピンの駆動速度が、基準高さ位置に他のピンの高さ位置を一致させるための調整速度に調整されるため、上記の「所定時間」が経過した時点において、基準ピンの高さ位置と、基準ピン以外の他のピンの高さ位置との差が抑制される。結果として、ウエハＷを支持する複数のピン７０の高さ位置の差に起因したウエハＷの位置ずれを抑制することができる。
続いて、制御部６６は、上記の「所定時間」が経過するまで待機する（ステップＳ１１０Ｎｏ）。そして、制御部６６は、上記の「所定時間」が経過すると（ステップＳ１１０Ｙｅｓ）、複数のピン７０の高さ位置をそれぞれ新たに測定するため、処理をステップＳ１０３に戻す。これにより、複数のピン７０の高さが前回測定されてから上記の「所定時間」が経過する度に、複数のピン７０の高さ位置がそれぞれ新たに測定される。そして、基準ピンの選択、基準高さ位置の推定及び他のピンの駆動速度の調整が、新たに測定される複数のピン７０の高さ位置が一致するまで、繰り返し実行される（ステップＳ１０３、Ｓ１０４Ｎｏ、Ｓ１０５Ｎｏ、Ｓ１０６〜Ｓ１１０）。これにより、複数のピン７０の高さ位置を継続的に一致させることができるので、ウエハＷの位置ずれをより一層抑制することができる。
一方、制御部６６は、測定された複数のピン７０の高さ位置が一致する場合（ステップＳ１０５Ｙｅｓ）、各ピン７０の駆動速度が一致するか否かを判定する（ステップＳ１１１）。制御部６６は、各ピン７０の駆動速度が一致する場合には（ステップＳ１１１Ｙｅｓ）、駆動速度の調整を行う必要がないので、処理をステップＳ１０３に戻す。
一方、制御部６６は、各ピン７０の駆動速度が一致しない場合には（ステップＳ１１１Ｎｏ）、他のピンの駆動速度が一時的に調整速度に調整されているので、以下の処理を行う。すなわち、制御部６６は、他のピン７０を駆動する駆動部７２を制御して、他のピンの駆動速度を基準ピンの駆動速度に調整し（ステップＳ１１２）、処理をステップＳ１０３に戻す。他のピンの駆動速度が基準ピンの駆動速度に調整されることにより、各ピン７０の駆動速度が一致する。
次に、図３に示したピン制御方法の具体例について、図４を参照しながら説明する。図４は、一実施形態に係るピン制御方法の具体例を示す図である。図４において、横軸は、時間を示し、縦軸は、複数のピン７０の高さ位置を示す。ここでは、複数のピン７０として３つのピン７０（ピン＃１〜＃３）が設けられるものとする。
まず、ある時刻０において、ピン＃１〜＃３の駆動が開始される。このとき、ピン＃１〜＃３の駆動速度は、同一の速度に設定される。
ピン＃１〜＃３の駆動が開始された後、測定タイミングである時刻ｔ1において、ピン＃１〜＃３の高さ位置がそれぞれ測定される。図４の例では、ピン＃２の高さ位置ｈ2とピン＃３の高さ位置ｈ3とは一致しており、ピン＃１の高さ位置ｈ1がピン＃２の高さ位置ｈ2及びピン＃３の高さ位置ｈ3よりも低い。すなわち、ピン＃１と、対応するシール部材との摩擦によって、時刻ｔ1において、ピン＃１の駆動速度が初期に設定された速度よりも遅くなっている。
そして、測定された高さ位置ｈ1〜ｈ3を用いて、ピン＃１〜＃３から、速度制御の基準となる基準ピンが選択される。図４の例では、ピン＃１〜＃３のうち、高さ位置が最も低いピン＃１が基準ピンとして選択される。
基準ピンとしてピン＃１が選択されると、ピン＃１に関して、時刻ｔ1から所定時間αが経過した時刻ｔ2における高さ位置である基準高さ位置ｈ1´が推定される。具体的には、時刻０から時刻ｔ1までの経過時間ｔ1と、時刻ｔ1において測定された基準ピン（つまり、ピン＃１）の高さ位置ｈ1とに基づいて、時刻ｔ1におけるピン＃１の駆動速度ｖ1が算出される。ピン＃１の駆動速度ｖ1は、以下の式（１）により表される。
ｖ1＝ｈ1／ｔ1 ・・・ （１）
そして、算出されたピン＃１の駆動速度ｖ1と、所定時間αと、時刻ｔ1において測定されたピン＃１の高さ位置ｈ1とに基づいて、基準高さ位置ｈ1´が推定される。基準高さ位置ｈ1´は、以下の式（２）により表される。
ｈ1´＝ｈ1＋α・ｖ1 ・・・ （２）
基準高さ位置ｈ1´が推定されると、基準高さ位置ｈ1´に基準ピン（つまり、ピン＃１）以外の他のピンの高さ位置を一致させるための調整速度ｖ2が算出される。ピン＃２の高さ位置ｈ2とピン＃３の高さ位置ｈ3とは一致しているので、ここでは、基準ピン以外の他のピンがピン＃２であるものとして説明を行う。具体的には、基準高さ位置ｈ1´と、時刻ｔ1における他のピン（つまり、ピン＃２）の高さ位置ｈ2と、所定時間αとに基づいて、基準高さ位置ｈ1´にピン＃２の高さ位置を一致させるための調整速度ｖ2が算出される。調整速度ｖ2は、以下の式（３）により表される。
ｖ2＝（ｈ1´‐ｈ2）／α ・・・ （３）
なお、ピン＃２の高さ位置ｈ2とピン＃３の高さ位置ｈ3とは一致しているので、基準高さ位置ｈ1´にピン＃３を一致させるための調整速度ｖ3は、以下の式（４）により表される。
ｖ3＝（ｈ1´‐ｈ3）／α＝（ｈ1´‐ｈ2）／α＝ｖ2 ・・・ （４）
続いて、他のピン（つまり、ピン＃２、＃３）を駆動する駆動部７２が制御されて、ピン＃２、＃３の駆動速度が調整速度ｖ2に調整される。これにより、時刻ｔ1から所定時間αが経過した時刻2において、基準ピンであるピン＃１の高さ位置と、基準ピン以外の他のピンであるピン＃２、＃３の高さ位置との差が抑制される。図４の例では、時刻ｔ2において、ピン＃１〜＃３の高さ位置の間の差が０となっている。
以上のように、一実施形態によれば、ウエハＷを支持して複数の駆動部７２によってそれぞれ上下に駆動される複数のピン７０の高さ位置をそれぞれ測定し、測定された複数のピン７０の高さ位置を用いて、複数のピン７０から、速度制御の基準となる基準ピンを選択し、選択された基準ピンに関して、複数のピン７０の高さ位置が測定されてから所定時間が経過した後における高さ位置である基準高さ位置を推定し、推定された基準高さ位置に基準ピン以外の他のピンの高さ位置を一致させるための調整速度を算出し、他のピンを駆動する駆動部７２を制御して、他のピンの駆動速度を調整速度に調整する。このため、複数のピン７０の高さ位置の差が抑制される。結果として、ウエハＷを支持する複数のピン７０の高さ位置の差に起因したウエハＷの位置ずれを抑制することができる。
（他の実施形態）
以上、一実施形態に係るピン制御方法及び基板処理装置について説明したが、実施形態はこれに限定されるものではない。以下では、他の実施形態について説明する。
上記の実施形態では、複数のピン７０を上昇させる場合のピン制御方法を例に説明したが、複数のピン７０を下降させる場合に、開示のピン制御方法が適用されてもよい。すなわち、搬送アームからウエハＷが受け渡された複数のピン７０をステージＳＴに向けて下降させる場合に、開示のピン制御方法が適用されてもよい。この場合、図３に示したフローチャートにおいて、全てのピン７０の高さ位置が所定の位置に到達したか否かを判定する場合（ステップＳ１０４）、「所定の位置」として、例えば、ステージＳＴの載置面又は当該載置面から所定の距離だけ下方の基準面が採用され得る。
１０ 基板処理装置
１２ 処理容器
１４ 台
１６ 筒状保持部
１７ 筒状支持部
１８ フォーカスリング
２０ 排気路
２２ バッフル板
２４ 排気口
２５ ガス導入口
２６ 排気装置
２８ 排気管
３０ ゲートバルブ
３２ 高周波電源
３４ 整合器
３５ 高周波電源
３６ 整合器
３８ シャワーヘッド
４０ 電極板
４０ｈ ガス通気孔
４２ 電極支持体
４２ａ バッファ室
４４ ガス供給部
４６ ガス供給導管
４８ 磁場形成機構
５０ 静電チャック
５２ 電極
５６ 直流電源
５８ ガス供給ライン
６２ 伝熱ガス供給部
６６ 制御部
７０ ピン
７２ 駆動部
ＳＴ ステージ
ＳＷ スイッチ
Ｗ ウエハ

Claims (7)

  1. 基板を支持して複数の駆動部によってそれぞれ上下に駆動される複数のピンの高さ位置をそれぞれ測定し、
    測定された前記複数のピンの高さ位置を用いて、前記複数のピンから、速度制御の基準となる基準ピンを選択し、
    選択された前記基準ピンに関して、前記複数のピンの高さ位置が測定されてから所定時間が経過した後における高さ位置である基準高さ位置を推定し、
    推定された前記基準高さ位置に前記基準ピン以外の他のピンの高さ位置を一致させるための調整速度を算出し、前記他のピンを駆動する駆動部を制御して、前記他のピンの駆動速度を前記調整速度に調整する
    ことを特徴とするピン制御方法。
  2. 前記選択する処理は、測定された前記複数のピンの高さ位置が一致しない場合に、前記複数のピンのうち、高さ位置が最も低いピン又は最も高いピンを前記基準ピンとして選択することを特徴とする請求項１に記載のピン制御方法。
  3. 前記推定する処理は、前記複数の駆動部による前記複数のピンの駆動が開始されてから前記複数のピンの高さ位置が測定される測定タイミングまでの経過時間と、前記測定タイミングにおいて測定された前記基準ピンの高さ位置とに基づいて、前記測定タイミングにおける前記基準ピンの駆動速度を算出し、算出した前記基準ピンの駆動速度と、前記所定時間と、前記測定タイミングにおいて測定された前記基準ピンの高さ位置とに基づいて、前記基準高さ位置を推定することを特徴とする請求項１又は２に記載のピン制御方法。
  4. 前記測定する処理は、前記複数のピンの高さ位置が前回測定されてから前記所定時間が経過する度に、前記複数のピンの高さ位置をそれぞれ新たに測定し、
    前記選択する処理、前記推定する処理及び前記調整する処理は、新たに測定される前記複数のピンの高さ位置が一致するまで、繰り返し実行されることを特徴とする請求項１に記載のピン制御方法。
  5. 前記調整する処理は、前記複数のピンの高さ位置が一致する場合に、前記他のピンを駆動する駆動部を制御して、前記他のピンの駆動速度を前記基準ピンの駆動速度に調整することを特徴とする請求項４に記載のピン制御方法。
  6. 前記複数のピンの高さ位置は、前記基板の載置台の載置面又は当該載置面から所定の距離だけ下方の基準面を基準とした前記複数のピンの先端の位置であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載のピン制御方法。
  7. 処理容器と、
    前記処理容器内に設けられ、基板が載置される載置台と、
    前記載置台の載置面から突没自在に前記載置台に設けられて前記基板の受け渡しを行う複数のピンと、
    前記複数のピンをそれぞれ上下に駆動する複数の駆動部と、
    前記複数のピンの高さ位置をそれぞれ測定する複数の測定器と、
    前記基板を支持して前記複数の駆動部によってそれぞれ上下に駆動される前記複数のピンの高さ位置をそれぞれ測定し、測定された前記複数のピンの高さ位置を用いて、前記複数のピンから、速度制御の基準となる基準ピンを選択し、選択された前記基準ピンに関して、前記複数のピンの高さ位置が測定されてから所定時間が経過した後における高さ位置である基準高さ位置を推定し、推定された前記基準高さ位置に前記基準ピン以外の他のピンの高さ位置を一致させるための調整速度を算出し、前記他のピンを駆動する駆動部を制御して、前記他のピンの駆動速度を前記調整速度に調整する制御部と
    を有することを特徴とする基板処理装置。
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