JP2018174051A

JP2018174051A - 導電基板およびその製造方法

Info

Publication number: JP2018174051A
Application number: JP2017070440A
Authority: JP
Inventors: 吉絢子有; Ayako Ariyoshi; 敦子千吉良; Atsuko Chigira; 庄宏樹古; Hiroki Furusho; 田祐治成; Yuji Narita
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2017-03-31
Filing date: 2017-03-31
Publication date: 2018-11-08

Abstract

【課題】透明基板上の導電層による透明基板側への光の正反射を抑制することができる導電基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】第１表面２１と、第１表面２１の反対側の第２表面２２とを有する透明基板２と、第１表面２１上および第２表面２２上の少なくとも一方に少なくとも部分的に位置する第１有機層３２と、第１有機層３２上に位置し、金属を含有する導電層５１と、第１有機層３２に含有された光反射抑制部材、及び、第１有機層３２と導電層５１との間に位置する光反射抑制層１１１のうちの少なくとも一方と、を備える導電基板１。【選択図】図１

Description

本開示は、導電基板およびその製造方法に関する。

従来は、配線基板に用いる基板として、有機基板およびセラミック基板が多用されていた。近年では、透光性を有するガラス基板を用いた配線基板の開発が進められている。例えば、特許文献１には、ガラス基板を備えたインターポーザが開示されている。ガラス基板を用いた配線基板においては、ガラス基板越しに光信号を受信したり、ガラス基板越しに配線の裏面を撮像した画像に基づいて配線検査を行ったりすることができる。

特開２０１７−５０８１号公報

しかしながら、ガラス基板を用いた配線基板においては、配線が金属光沢を有するため、ガラス基板越しに配線に進入した光信号が配線で反射し、ノイズとして検出されてしまう虞がある。また、ガラス基板越しに画像に基づいて配線検査を行う場合においても、配線による反射光によって精緻な検査が困難となる虞がある。

本開示は、以上の点を考慮してなされたものであり、透明基板上の導電層による透明基板側への光の正反射を抑制することができる導電基板およびその製造方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、本開示の一態様では、
第１表面と、第１表面の反対側の第２表面とを有する透明基板と、
第１表面上および第２表面上の少なくとも一方に少なくとも部分的に位置する第１有機層と、
第１有機層上に位置し、金属を含有する導電層と、
第１有機層に含有された光反射抑制部材、及び、第１有機層と導電層との間に位置する光反射抑制層のうちの少なくとも一方と、を備える、導電基板が提供される。

前記光反射抑制層は、暗色層であってもよい。

前記暗色層は、金属化合物を含有してもよい。

前記導電層に含有された金属は、銅であり、
前記金属化合物は、酸化銅であってもよい。

前記光反射抑制部材は、暗色顔料および暗色染料の少なくとも一方であってもよい。

前記光反射抑制部材は、光拡散性を有するフィラーであってもよい。

前記第１有機層を介した前記透明基板と前記導電層との密着性は、前記透明基板と前記導電層との直接的な密着性より高くてもよい。

前記第１有機層は、１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚みを有してもよい。

前記第１有機層と前記導電層との間に触媒が存在してもよい。

前記導電層は、前記第１有機層上に位置する第１導電層と、前記第１導電層上に位置する第２導電層と、を有してもよい。

前記透明基板に、前記第１表面から前記第２表面まで貫通する貫通孔が設けられ、
前記貫通孔の側壁上に位置する第２有機層と、
前記第２有機層上に位置する貫通電極と、を更に備えてもよい。

前記貫通孔は、前記第１表面に沿った面方向の寸法に対する前記第１表面に交差する厚み方向の寸法の比であるアスペクト比が、３以上３３以下であってもよい。

前記透明基板は、ガラスを含有してもよい。

本開示の他の一態様では、
第１表面と、前記第１表面の反対側の第２表面とを有する透明基板を準備する工程と、
前記第１表面上および前記第２表面上の少なくとも一方に、第１有機層を少なくとも部分的に形成する工程と、
前記第１有機層上に金属を含有する導電層を形成する工程と、
前記第１有機層を少なくとも部分的に形成する前に、前記第１有機層に光反射抑制部材を含有させる工程、及び、前記導電層を形成するときに、前記第１有機層と前記導電層との間に光反射抑制層を形成する工程のうちの少なくとも一方と、を備える、導電基板の製造方法が提供される。

前記導電層を形成する工程は、前記第１有機層上に触媒を付着させる工程と、前記触媒が付着された前記第１有機層上に無電解めっきを行う工程と、を有してもよい。

前記第１有機層に前記光反射抑制部材を含有させる工程および前記導電層を形成するときに前記光反射抑制層を形成する工程のうち、少なくとも前記導電層を形成するときに前記光反射抑制層を形成する工程を備え、
前記導電層を形成する前に、前記第１有機層を活性化させる工程を更に備え、
前記導電層を形成するときに前記光反射抑制層を形成する工程は、前記活性化された前記第１有機層上に前記触媒を付着させる工程と、前記触媒が付着された前記活性化された前記第１有機層上に無電解銅めっきを行うことで、酸化銅を含有する前記光反射抑制層を形成する工程と、を有してもよい。

本開示によれば、透明基板上の導電層による透明基板側への光の正反射を抑制することができる。

本実施形態による導電基板を示す断面図である。本実施形態による導電基板の製造方法を示す断面図である。図２に続く本実施形態による導電基板の製造方法を示す断面図である。図３に続く本実施形態による導電基板の製造方法を示す断面図である。図４に続く本実施形態による導電基板の製造方法を示す断面図である。図５に続く本実施形態による導電基板の製造方法を示す断面図である。図６に続く本実施形態による導電基板の製造方法を示す断面図である。図７に続く本実施形態による導電基板の製造方法を示す断面図である。本実施形態の第１の変形例による導電基板を示す断面図である。本実施形態の第２の変形例による導電基板を示す断面図である。本実施形態の第３の変形例による導電基板を示す断面図である。図１２（ａ）は、本実施形態の第３の変形例による導電基板において、透明基板上へのシード層の形成状態を模式的に示す平面図であり、図１２（ｂ）は、第１の比較例による導電基板において、透明基板上へのシード層の形成状態を模式的に示す平面図であり、図１２（ｃ）は、第２の比較例による導電基板において、透明基板上へのシード層の形成状態を模式的に示す平面図である。図１３（ａ）は、本実施形態の第４の変形例による導電基板として、貫通孔の一変形例を示す断面図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）と異なる貫通孔の変形例を示す断面図であり、図１３（ｃ）は、図１３（ａ）および図１３（ｂ）と異なる貫通孔変形例を示す断面図である。本実施形態による導電基板を適用できる製品の例を示す図である。

以下、本開示の実施形態に係る導電基板の構成ついて、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。また、本明細書において、「基板」、「基材」、「シート」や「フィルム」など用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「基板」や「基材」は、シートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

先ず、図１を参照しながら、本開示の導電基板の一例について説明する。図１は、本実施形態による導電基板１を示す断面図である。導電基板１は、例えば、光学用途のインターポーザ基板に用いることができる。

図１に示すように、本実施形態の導電基板１は、透明基板２と、第１有機層の一例である第１面密着層３２と、光反射抑制層の一例であり、暗色層の一例でもある第１面黒色層１１１と、導電層の一例である第１面導電層５１と、を備える。

（透明基板２）
透明基板２は、可視光に対する透過性を有する基板であり、例えば、石英ガラス、無アルカリガラス、ソーダライムガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、合成石英板等の可撓性のない透明なリジッド材が挙げられる。この種の透明基板２は、透明性が要求される導電基板１に好適に用いることができる。特に無アルカリガラスは信頼性とコストの点で好ましい。

透明基板２は、第１表面２１と、第１表面２１の反対側の第２表面２２とを有する。図１の例において、第１表面２１と第２表面２２とは互いに平行である。

（第１面密着層３２）
第１面密着層３２は、第１表面２１上に少なくとも部分的に位置し、有機物を含有し、透明基板２および第１面導電層５１の双方への密着性および絶縁性を有する層である。

第１面密着層３２を介した透明基板２と第１面導電層５１との密着性は、第１面密着層３２が無い場合の透明基板２と第１面導電層５１との直接的な密着性より高い。このような密着性の大小関係は、第１面密着層３２を介して第１表面２１上に形成した第１面導電層５１を剥離することを模擬した剥離試験と、第１表面２１上に直接形成した第１面導電層５１を剥離することを模擬した剥離試験とを実施し、双方の剥離試験における第１面導電層５１の剥離力を比較することで確認することができる。剥離試験としては、ＪＩＳＨ８５０４に規定されているめっきの密着性試験方法のうち、テープ試験を用いることができる。テープ試験は、めっき皮膜に粘着力のあるテープを貼り付けて急速に引き剥がす試験である。テープを引き剥がすとき、めっき皮膜の密着性が悪いほど、テープ粘着面に付着するめっき皮膜の量、すなわちめっき皮膜の剥離量が多くなる。めっき皮膜の剥離量が多いほど、めっき皮膜の剥離に要する剥離力は小さい。テープ試験によれば、透明基板上に密着層を介して形成されためっき皮膜にテープを貼り付けて引き剥がした場合のめっき皮膜の剥離量と、透明基板上に直接形成されためっき皮膜にテープを貼り付けて引き剥がした場合のめっき皮膜の剥離量とを比較することで、密着層の有無に応じた剥離力を比較することができる。

なお、密着層の大小関係は、後述の第３の変形例の試験例において説明する「ＪＩＳＫ５６００塗料一般試験方法」に規定されているクロスカット試験法によって確認することもできる。

第１面密着層３２は、有機物を含有することで、透明基板２および第１面導電層５１との間で高い密着性を発揮することができる。第１面密着層３２に含有される有機物は、第１面密着層３２上に無電解めっき法で第１面導電層５１のシード層を形成する場合の金属析出性と薬液耐性との双方を有することが望ましい。このような有機物としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂などの高分子樹脂を好適に用いることができる。なお、高分子樹脂は、無機酸化膜や有機単分子膜に比べて第１表面２１上に均一に第１面密着層３２が形成されているか否かを判断し易いので、生産性の向上に寄与することもできる。

第１面密着層３２は、第１表面２１に直交すなわち交差する厚み方向Ｄ１の寸法である厚みが、１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが望ましい。第１面密着層３２の厚みを１５ｎｍ以上とすることで、無電解めっき法で第１面導電層５１のシード層を形成する際に、第１面密着層３２に十分な量の触媒を吸着させることができるので、第１面導電層５１のシード層の析出性を向上させることができる。第１面密着層３２の厚みを２００ｎｍ以下とすることで、無電解めっきの後工程として実施される各種の加熱工程において第１面密着層３２から発生するガスの総量を抑制することができるので、ガスの圧力による第１面導電層５１の膨張およびこれにともなう電気的特性の悪化を抑制することができる。

図１の例において、第１面密着層３２は、後述する第１面導電層５１の複数の第１面配線部５１１に対応するように、面方向Ｄ２に間隔を空けて部分的に第１表面２１上に位置している。したがって、複数の第１面配線部５１１間には、第１面密着層３２が存在しない。このような構成によれば、後述する複数の第１面配線部５１１間におけるマイグレーションを抑制することができる。

なお、第１面密着層３２は、第１表面２１上に全面的に位置していてもよい。この場合には、第１面密着層３２を加工する工程を省略することができるので、製造コストを削減することができる。

第１面密着層３２は、例えば、ディップコート、スプレーコート、およびスピンコートなどのウェットプロセスによって形成してもよい。

（第１面黒色層１１１）
第１面黒色層１１１は、第１面密着層３２上に位置し、光反射抑制機能の一例である光吸収性を有し、暗色の一例である黒色を有する層である。図１の例において、第１面黒色層１１１は、金属化合物を含有することで黒色を有する。黒色とは、光が人間の可視領域における全帯域にわたりむらなく感得されないこと、またはそれに近い状態であり、光の反射率が３０％以下の状態をいう。黒色であることは、例えば顕微分光装置によって測定および評価することができる。

金属化合物は、例えば、酸化銅である。

第１面黒色層１１１は、例えば、紫外線照射などによって第１面密着層３２の表面を活性化すなわち改質させた後に、無電解めっき法で第１面密着層３２上に第１面導電層５１のシード層を形成することで、第１面密着層３２とシード層との間に形成することができる。このようにシード層の形成工程で形成された第１面黒色層１１１は、第１面導電層５１のシード層に含有された金属と同じ金属を含有する。

第１面黒色層１１１によれば、透明基板２の内部から第１面導電層５１に入射しようとする光、または第１面導電層５１で第１面黒色層１１１側に正反射された光を吸収することができるので、第１面導電層５１の裏面を粗化することなく、第１面導電層５１による透明基板２側への光の正反射すなわち鏡面反射を抑制することができる。

なお、第１面黒色層１１１を設けるかわりに、黒色以外の暗色を有する暗色層を設けてもよい。この場合、暗色層を構成する金属化合物としては、酸化銀・酸化ニッケル等を用いることができる。この場合、暗色層は、黒色以外の暗色の一例として、それぞれ褐色・灰色を呈する。このような暗色層も、透明基板２の内部から第１面導電層５１に入射しようとする光、または第１面導電層５１で暗色層側に正反射された光を吸収できるので、第１面導電層５１の裏面を粗化することなく、第１面導電層５１による透明基板２側への光の正反射を抑制することができる。

（第１面導電層５１）
第１面導電層５１は、第１面黒色層１１１上すなわち第１面密着層３２上に位置し、且つ導電性を有する層である。第１面導電層５１は、複数の第１面配線部５１１を有する。

複数の第１面配線部５１１は、面方向Ｄ２に間隔を空けて第１面黒色層１１１上に位置する。各第１面配線部５１１は、第１導電層の一例として、第１面黒色層１１１上すなわち第１面密着層３２上に位置するシード層７と、第２導電層の一例として、シード層７上に位置するめっき層８とを有する。

シード層７は、電解めっき処理によってめっき層８を形成する電解めっき工程の際に、めっき液中の金属イオンを析出させてめっき層８を成長させるための土台となる、導電性を有する層である。

シード層７の材料としては、銅などの導電性を有する材料を用いることができる。シード層７の材料は、めっき層８の材料と同一であってもよく、異なっていてもよい。例えば、シード層７は、チタンと銅を順に積層した積層膜や、クロムなどであってもよい。シード層７は、無電解めっき法で形成することができる。

めっき層８は、めっき処理によって形成される、導電性を有する層である。めっき層８は、銅を含有する。めっき層８は、銅と、銅以外の金属、例えば、金、銀、白金、ロジウム、スズ、アルミニウム、ニッケル、クロムとの合金を含有していてもよく、または、銅と銅以外の金属とを積層したものであってもよい。

また、シード層７およびめっき層８は、タングステン、チタン、タンタルその他の高融点化合物を主成分として含有していてもよい。

なお、各第１面配線部５１１に覆われた第１面密着層３２は、各第１面配線部５１１のそれぞれに対応するように面方向Ｄ２に間隔を空けて第１表面２１上に位置する。図１の例において、隣り合う第１面配線部５１１同士の間には第１面密着層３２が存在しない。これにより、隣り合う第１面配線部５１１同士の間で、第１面密着層３２の表面を伝った金属の移動によるマイグレーションが生じることを抑制することができる。

（貫通電極基板１の製造方法）
以下、貫通電極基板１の製造方法の一例について、図１乃至図８を参照して説明する。

（密着層形成工程）
図２は、本実施形態による導電基板１の製造方法を示す断面図である。まず、透明基板２を準備する。透明基板２を準備した後、図２に示すように、第１表面２１上への第１面密着層３２の形成を行う。図２の例では、第１面密着層３２の形成と同時に、第２表面２２上にも、第１面密着層３２と同じ成分を含有する第２面密着層３３を形成する。密着層３２、３３は、例えば、１５ｎｍ〜２００ｎｍの厚みに形成する。密着層３２、３３の形成は、例えば、ディップコート、スプレーコートまたはスピンコートなどのウェットプロセスで行うことができる。

（密着層表面活性化工程）
図３は、図２に続く本実施形態による導電基板１の製造方法を示す断面図である。密着層３２、３３を形成した後、図３において破線枠で模式的に示すように、密着層３２、３３の表面を活性化すなわち改質させる。密着層３２、３３の表面の活性化は、例えば、密着層３２、３３の表面に紫外線を照射することで行うことができる。密着層３２、３３の表面を活性化することで、密着層３２、３３の表面上に黒色層１１１、１１２となる金属化合物を析出させ易くすることができる。具体的には、紫外線を照射することによって、密着層３２、３３の表面において、密着層３２、３３の材料の結合が切れ、ラジカルや官能基が生成される。ラジカルや官能基は、不安定すなわち反応性が高いため、無電解めっきの水溶液に含まれる銅などの金属を結合させ易い。金属を結合させ易いことで、密着層３２、３３の表面上に金属化合物を析出させ易くなる。

（シード層、黒色層形成工程）
図４は、図３に続く本実施形態による導電基板１の製造方法を示す断面図である。密着層３２、３３の表面を活性化させた後、図４に示すように、密着層３２、３３上にシード層７を形成する。シード層７は、例えば２００〜５００ｎｍの厚みに形成する。また、シード層７を形成するのと同時に、第１面密着層３２とシード層７との間に第１面黒色層１１１を形成し、第２面密着層３３とシード層７との間に第２面黒色層１１２を形成する。第２面黒色層１１２は、第１面黒色層１１１と同一の成分を含有する。以下、密着層３２、３３が形成された透明基板２のことを、単に透明基板２とも呼ぶ。

シード層７の形成においては、先ず、透明基板２を洗浄と、透明基板２の濡れ性を上げるための表面改質とを行う。洗浄および表面改質は、例えば、ＰＨ２以下の酸性水溶液またはＰＨ１１以上のアルカリ性水溶液を４０〜５０℃に保持し、当該酸性水浴液またはアルカリ性水溶液中に透明基板２を５〜１５分間浸漬することで行うことができる。

洗浄および表面改質を行った後、透明基板２を触媒化する。具体的には、無電解銅めっきの触媒となるＰｄイオンまたはＳｎ／Ｐｄコロイドを密着層３２、３３に吸着させる。触媒化は、例えば、Ｐｄイオンを含有するＰＨ９〜１１のアルカリ性水溶液またはＳｎ／Ｐｄコロイドを含有するＰＨ２以下の酸性水溶液を４０〜５０℃に保持し、当該酸性水浴液またはアルカリ性水溶液中に透明基板２を５〜１５分間浸漬することで行うことができる。

触媒化を行った後、密着層３２、３３に吸着させたＰｄイオンのＰｄへの還元または密着層３２、３３に吸着させたＳｎ／ＰｄコロイドにおけるＰｄの活性化を行う。Ｐｄの還元は、例えば、適当な還元剤を含むＰＨ５〜８の水溶液を５０℃に保持し、この水溶液中に透明基板２を１〜５分間浸漬することで行うことができる。Ｐｄの活性化は、例えば、ＰＨ２以下の酸性水溶液またはＰＨ１１以上のアルカリ性水溶液を５０℃に保持し、この水溶液中に透明基板２を１〜５分間浸漬することで行うことができる。

Ｐｄイオンの還元またはＰｄの活性化を行った後、無電解銅めっきを行う。具体的には、密着層３２、３３に吸着されたＰｄを触媒とし、密着層３２、３３上に銅の被膜を形成する。無電解銅めっきは、例えば、銅イオン、水酸化ナトリウムおよびホルマリンを含有するアルカリ性水溶液を３０〜４０℃に保持し、このアルカリ性水溶液中に透明基板２を５〜３０分間浸漬することで行うことができる。

無電解銅めっきを行うことで、密着層３２、３３上にシード層７を形成することができる。同時に、図４に示すように、第１面密着層３２とシード層７との間に酸化銅を含有する第１面黒色層１１１を形成し、また、第２面密着層３３とシード層７との間に酸化銅を含有する第２面黒色層１１２を形成することができる。

（レジスト層形成工程）
図５は、図４に続く本実施形態による導電基板１の製造方法を示す断面図である。シード層７および黒色層１１１、１１２を形成した後、図５に示すように、第１面導電層５１の形成領域を除いてシード層７上に部分的にレジスト層９を形成する。レジスト層９の形成は、例えば、シード層７上にドライフィルムレジストをラミネートし、ラミネートされたドライフィルムレジストを露光および現像することで行うことができる。

（めっき層形成工程）
図６は、図５に続く本実施形態による導電基板１の製造方法を示す断面図である。レジスト層９を形成した後、図６に示すように、レジスト層９をマスクとした電解めっきにより、レジスト層９によって覆われていないシード層７上にめっき層８を形成する。めっき層８は、例えば２〜１２μｍの厚みに形成する。

（レジスト層除去工程）
図７は、図６に続く本実施形態による導電基板１の製造方法を示す断面図である。めっき層８を形成した後、図７に示すように、透明基板２からレジスト層９を剥離すなわち除去する。レジスト層９は、例えば、アルカリ溶液への浸漬で除去することができる。

（シード層除去工程）
図８は、図７に続く本実施形態による導電基板１の製造方法を示す断面図である。レジスト層９を除去した後、図８に示すように、シード層７のうちレジスト層９が形成されていた部分を除去する。シード層７は、例えば、ウェットエッチングで除去することができる。シード層７を除去することで、第１面導電層５１が形成される。

（黒色層、密着層除去工程）
シード層７を除去した後、図１に示すように、黒色層１１１、１１２および密着層３２、３３のうち、第１面導電層５１で覆われていない部分を除去する。黒色層１１１、１１２および密着層３２、３３は、例えば、プラズマアッシングやアルカリ浸漬などで除去することができる。

（試験例）
以下、本実施形態の試験例について説明する。

試験例では、図１の構成を有する試料Ｎｏ．１と、図１の構成から第１面黒色層１１１を省略した試料Ｎｏ．２との２つの試料を作製した。各試料の作製にあたっては、先ず、各試料に共通の透明基板２として、厚み４５０ｎｍの無アルカリガラスを準備した。

透明基板２上への密着層３２、３３の形成においては、各試料とも、ポリイミドを主成分とする有機樹脂を、ディップコートで１００ｎｍの厚みに形成した。

密着層３２、３３の表面の活性化においては、試料Ｎｏ．１の密着層３２、３３の表面に、ＵＶランプを用いて紫外線を３０分間照射した。一方、試料Ｎｏ．２の密着層３２、３３の表面には、活性化を行わなかった。

シード層７の形成においては、各試料とも、無電解めっき法によって５００ｎｍの厚みを有するようにシード層７を形成した。このとき、試料Ｎｏ．１の密着層３２、３３とシード層７との間には、黒色層１１１、１１２が形成された。一方、試料Ｎｏ．２の密着層３２、３３とシード層７との間には、黒色層１１１、１１２が形成されなかった。

シード層７上へのレジスト層９の形成においては、各試料とも、日立化成社製のＲＹ５３１９をラミネートした後、膜表面から１００μｍ離れた位置にフォトマスクを配置して、プロキシミティアライナにより、超高圧水銀ランプでパターン露光した。パターン露光後、液温３０℃、濃度１％の炭酸ナトリウム水溶液中に透明基板２を１分間浸漬して現像を行うことで、レジスト層９の未硬化部分を除去した。

シード層７上へのめっき層８の形成においては、各試料とも、電解銅めっき法によって、レジスト層９で覆われていないシード層７上に５μｍの厚みを有するように、めっき層８を形成した。

めっき層８の形成後のレジスト層９の除去においては、各試料とも、濃度３％の水酸化ナトリウム水溶液を用いて３分間のスプレー剥離を行うことで、透明基板２からレジスト層９を剥離した。

レジスト層９の除去後のシード層７の除去においては、各試料とも、銅除去剤であるメック社製ＳＦ−５４２０に透明基板２を１分間浸漬するウェットエッチングを行うことで、シード層７を除去した。これにより、Ｌ／Ｓすなわちライン／スペースが２０／２０μｍ幅のくし歯パターンの配線５１１を形成した。

シード層７の除去後の密着層３２、３３の除去においては、試料Ｎｏ．１については、プラズマ照射の時間を変更することで、配線５１１で覆われていない密着層３２、３３を除去し、同時に配線５１１で覆われていない黒色層１１１、１１２も除去した。一方、試料Ｎｏ．２については、黒色層１１１、１１２が形成されていないので、プラズマ照射によって配線５１１で覆われていない密着層３２、３３のみを除去した。

試料Ｎｏ．１の密着層３２、３３および黒色層１１１、１１２の除去後、または、試料Ｎｏ．２の密着層３２、３３の除去後は、各試料とも、窒素雰囲気下において２００℃で３０分間のアニール処理を行った。

以上のようにして作製された各試料に対して、光学顕微鏡を用いて透明基板２越しに配線部５１１すなわち銅配線を観察した。配線５１１の観察においては、配線５１１の裏面の光学画像に基づいて配線５１１の裏面による可視光の反射率を可視光域である３８０〜７８０ｎｍに属する波長毎に測定した。

観察結果を以下の表１に示す。

表１に示すように、図１の構成に対応する試料Ｎｏ．１においては、配線５１１の裏面による可視光の反射率が３０％未満に抑制された。このような試料Ｎｏ．１の試験結果は、試料Ｎｏ．１の配線５１１の裏面に黒色層１１１が形成されているため、黒色層１１１が可視光の反射を有効に抑制していることによるものと推測される。一方、表１に示すように、試料Ｎｏ．２においては、配線５１１の裏面による可視光の反射率が４０％〜９０％になった。なお、表１における反射率のばらつきは、３８０〜７８０ｎｍにわたる可視光の波長の違いによるものである。このような試料Ｎｏ．２の試験結果は、試料Ｎｏ．２の配線５１１の裏面に黒色層１１１が形成されていないため、配線５１１による可視光の反射が抑制されていないことによるものと推測される。

以上の試験例によれば、配線５１１の裏面に黒色層１１１を形成することで、透明基板２上の導電層５１１による透明基板２側への光の正反射を抑制できることが確認された。

以下、本実施形態によってもたらされる作用について説明する。

図１に示したように、本実施形態の導電基板１は、第１面密着層３２と第１面導電層５１との間に、光吸収性を有する第１面黒色層１１１を備える。第１面黒色層１１１を備えることで、透明基板２の内部から透明基板２上の第１面導電層５１に入射しようとする光を、第１面黒色層１１１によって第１面導電層５１の手前で吸収することができる。また、光の一部が第１面黒色層１１１を透過して第１面導電層５１で第１面黒色層１１１側に正反射された場合であっても、正反射された光を第１面黒色層１１１で吸収することができる。これにより、透明基板２上の第１面導電層５１による透明基板２側への光の正反射を抑制することができる。光の正反射を抑制できることで、第１表面２１上に位置する受光センサで第２表面２２側から入射した光信号を透明基板２越しに受信する際に、光信号の一部が第１面導電層５１の裏面で正反射されてノイズとして検出されることを抑制することができる。すなわち、透明基板２を通した光信号の受信精度を向上させることができる。また、光学顕微鏡などの検査装置によって第２表面２２側から透明基板２越しに第１面導電層５１を撮像し、撮像画像に基づいて第１面導電層５１の形成状態を検査する場合に、第１面導電層５１による正反射光を抑制することで、検査を精緻に行うことができる。

もし、光の正反射を抑制するために第１面導電層５１の裏面を粗化した場合、第１面配線部５１１の電気抵抗率が上昇することで、第１面配線部５１１を通じた電気信号の伝送効率が悪化してしまう。

これに対して、本実施形態によれば、第１面黒色層１１１を備えることで、第１面導電層５１の裏面を粗化することなく光の正反射を抑制することができる。これにより、電気信号の伝送効率の悪化を抑制しつつ、第１面導電層５１による透明基板２側への光の正反射を抑制することができる。

また、図３および図４の例では、無電解めっきのプロセスを利用して第１面黒色層１１１を形成することができるので、製造工数およびコストを削減することができる。

また、第１面密着層３２の厚みを１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすれば、シード層７の析出性を向上させることができ、また、加熱処理によって第１面密着層３２から発生したガスによる第１面導電層５１の変形を抑制することができ、電気的特性の悪化を抑制することができる。

（第１の変形例）
次に、第１面密着層３２が光吸収性を有する第１の変形例について説明する。図９は、本実施形態の第１の変形例による導電基板１を示す断面図である。図１の例では、第１面密着層３２と別体の第１面黒色層１１１を備えることで、第１面導電層５１による透明基板２側への光の正反射を抑制している。これに対して、第１の変形例では、第１面密着層３２が光吸収性を有することで、第１面導電層５１による透明基板２側への光の正反射を抑制している。

具体的には、図９に示される第１の変形例の第１面密着層３２は、光反射抑制部材の一例である黒色顔料を含有している。黒色顔料を含有することで、第１面密着層３２は、密着性とともに光吸収性を有している。

黒色顔料としては、例えば、カーボンブラックおよびチタンブラックの少なくとも１つを含有する黒色顔料を用いることができる。また、本開示における黒色顔料は、単体として黒色を呈する顔料に限定されず、複合体として黒色を呈する複数の非黒色顔料の組合せであってもよい。複数の非黒色顔料としては、例えば、赤色顔料、緑色顔料、青色顔料、橙色顔料および紫色顔料のうち少なくとも２つ以上の組合せを用いることができる。

黒色顔料を含有する第１面密着層３２は、例えば、黒色顔料を混合および撹拌した第１面密着層３２の原料溶液を第１表面２１上に塗布し、塗布された原料溶液を熱硬化することで形成することができる。

黒色顔料としてとしてカーボンブラックを用いる場合、カーボンブラックは、樹脂材料で被覆処理することが望ましい。カーボンブラックは導電性を有する。導電性を有するカーボンブラックを被覆処理することで、カーボンブラックの導電性が導電基板１の電気特性に悪影響を与えることを抑制することができる。例えば、第１面密着層３２によって意図しない短絡が発生することを抑制することができる。

なお、第１面密着層３２は、黒色顔料に加えて、または、黒色顔料に替えて、黒色染料を含有していてもよい。黒色染料は、単体として黒色を呈する染料に限定されず、複合体として黒色を呈する複数の非黒色染料の組合せであってもよい。黒色染料としては、例えば、トリアリルメタン系染料、アゾ染料、フタロシアニン染料、アントラキノン染料などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。

また、第１面密着層３２は、黒色顔料または黒色染料を含有するかわりに、黒色以外の暗色を有する暗色顔料または暗色染料を含有してもよい。この場合、黒色顔料以外の暗色顔料としては、バーントアンバー等を用いることができる。この場合、暗色顔料は、黒色以外の暗色の一例として、赤褐色を呈する。また、黒色染料以外の暗色染料としては、インダスレン等を用いることができる。この場合、暗色染料は、黒色以外の暗色の一例として、暗青色を呈する。これらの暗色顔料および暗色染料も、第１面密着層３２に光吸収性を付与することができる。

第１の変形例によれば、第１面密着層３２が光吸収性を有することで、黒色層などの光反射抑制層の形成工程を省略することができる。

（第２の変形例）
次に、第１面密着層３２が光拡散性を有する第２の変形例について説明する。図１０は、本実施形態の第２の変形例による導電基板１を示す断面図である。図９では、第１面密着層３２が光吸収性を有する例について説明した。これに対して、第２の変形例では、第１面密着層３２が光拡散性を有することで、第１面導電層５１による透明基板２側への光の正反射を抑制している。すなわち、第１面密着層３２の光拡散性によって光を拡散すなわち乱反射させることで、光の正反射を抑制している。

具体的には、図１０に示される第２の変形例の第１面密着層３２は、光反射抑制部材の一例である光拡散性のフィラー１１４を含有している。フィラー１１４を含有することで、第１面密着層３２は、密着性とともに光拡散性を有している。フィラー１１４の材料としては、例えば、溶融シリカ、結晶質シリカ、水酸化アルミニウムおよびガラスなどを用いることができる。図１０は、一例としてガラスビーズの態様のフィラー１１４を示しているが、これに限定されるものではない。

第２の変形例によれば、第１面密着層３２がフィラー１１４を含有することで、透明基板２の内部から第１面導電層５１に入射しようとする光、または第１面導電層５１で第１面密着層３２側に正反射された光を、フィラー１１４によって拡散させることができる。これにより、第１面密着層３２の裏面を粗化することなく、第１面導電層５１による透明基板２側への光の正反射を抑制することができる。また、第１面密着層３２が光拡散性を有することで、黒色層などの光反射抑制層の形成工程を省略することができる。

（第３の変形例）
次に、貫通電極を備える第３の変形例について説明する。図１１は、本実施形態の第３の変形例による導電基板１を示す断面図である。図１１に示すように、第３の変形例の導電基板１は、貫通電極４を有する貫通電極基板の態様の導電基板である。

図１１に示すように、第３の変形例の導電基板１において、透明基板２には、第１表面２１から第２表面２２まで貫通する貫通孔２３が設けられている。また、第３の変形例の導電基板１は、図１の構成に加えて、更に、第２有機層の一例である側壁密着層３１と、第１有機層の一例である第２面密着層３３と、光反射抑制層の一例である側壁黒色層１１３および第２面黒色層１１２と、貫通電極４と、導電層の一例である第２面導電層５２と、有機層６と、を備える。

（貫通孔２３）
貫通孔２３は、透明基板２の厚み方向Ｄ１に垂直な断面において円形状を有する。また、図示はしないが、貫通孔２３は、面方向Ｄ２に間隔を空けて複数設けられている。

また、図１の例において、貫通孔２３の内径は、第１表面２１から第２表面２２に至るまで殆ど同一である。すなわち、図１の貫通孔２３は、円筒形状の側壁２３１を有している。後述の図１２（ａ）〜図１２（ｃ）に示すように、貫通孔２３の内径は、第１表面２１および第２表面２２の一方から他方に向かって変化してもよい。

貫通孔２３は、面方向Ｄ１の寸法すなわち内径φに対する厚みＴの比Ｔ／φであるアスペクト比が、３以上３３以下であることが望ましい。一例として、貫通孔２３の内径φは、１５μｍ以上１００μｍ以下であり、貫通孔２３の厚みＴは、３００μｍ以上５００μｍ以下である。貫通孔２３のアスペクト比Ｔ／φを３以上とすることで、貫通孔２３の内径φを抑制できるので、貫通電極４の配線密度を高めることができる。貫通孔２３のアスペクト比Ｔ／φを３３以下とすることで、貫通孔２３の内部に貫通電極４を形成するために十分な内径φを確保することができる。

貫通孔２３の形成方法としては、例えば、レーザ照射を用いることができる。レーザとしては、エキシマレーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、フェムト秒レーザ等を用いることができる。Ｎｄ：ＹＡＧレーザを採用する場合、波長が１０６４ｎｍの基本波、波長が５３２ｎｍの第２高調波、波長が３５５ｎｍの第３高調波等を用いることができる。

また、レーザ照射とウェットエッチングを適宜組み合わせることもできる。具体的には、まず、レーザ照射によって透明基板２のうち貫通孔２３が形成されるべき領域に変質層を形成する。続いて、透明基板２をフッ化水素などに浸漬して、変質層をエッチングする。これによって、透明基板２に貫通孔２３を形成することができる。

レーザ照射以外にも、透明基板２に研磨材を吹き付けるブラスト処理や、反応性イオンエッチング法、深掘り反応性イオンエッチング法などのドライエッチング法などによって透明基板２に貫通孔２３を形成してもよい。

（側壁密着層３１）
側壁密着層３１は、貫通孔２３の側壁２３１上に位置し、透明基板２および貫通電極４の双方への密着性および絶縁性を有する層である。

側壁密着層３１を介した透明基板２と貫通電極４との密着性は、側壁密着層３１が無い場合の透明基板２と貫通電極４との直接的な密着性より高い。このような密着性の大小関係は、側壁密着層３１を介して側壁２３１上に形成した貫通電極４を剥離することを模擬した剥離試験と、側壁２３１上に直接形成した貫通電極４を剥離することを模擬した剥離試験とを実施し、双方の剥離試験における貫通電極４の剥離力を比較することで確認することができる。剥離試験としては、ＪＩＳＨ８５０４に規定されているめっきの密着性試験方法のうち、テープ試験、または、「ＪＩＳＫ５６００塗料一般試験方法」に規定されているクロスカット試験法を用いることができる。

第１面密着層３２と同様に、側壁密着層３１は、有機物を含有する。有機物を含有することで、側壁密着層３１は、透明基板２および貫通電極４との間で高い密着性を発揮することができる。

第１面密着層３２と同様に、側壁密着層３１に含有される有機物は、側壁密着層３１上に無電解めっきで貫通電極４のシード層を形成する場合の金属析出性と薬液耐性との双方を有することが望ましい。このような有機物としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂などの高分子樹脂を好適に用いることができる。なお、高分子樹脂は、無機酸化膜や有機単分子膜に比べて側壁２３１上に均一に側壁密着層３１が形成されているか否かを判断し易いので、生産性の向上に寄与することもできる。

第１面密着層３２と同様に、側壁密着層３１の厚みは、１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが望ましい。側壁密着層３１の厚みを１５ｎｍ以上とすることで、無電解めっき法で貫通電極４のシード層を形成する際に、側壁密着層３１に十分な量の触媒を吸着させることができるので、貫通電極４のシード層の析出性を向上させることができる。側壁密着層３１の厚みを２００ｎｍ以下とすることで、無電解めっきの後工程の加熱処理において側壁密着層３１から発生するガスの総量を抑制することができるので、ガスの圧力による貫通電極４の変形およびこれにともなう電気的特性の悪化を抑制することができる。

側壁密着層３１は、例えば、ディップコート、スプレーコート、およびスピンコートなどのウェットプロセスによって第１面密着層３２と同一材料で同時に形成してもよい。

（第２面密着層３３）
第２面密着層３３は、第２表面２２上に位置し、透明基板２および第２面導電層５２の双方への密着性および絶縁性を有する層である。

第２面密着層３３を介した透明基板２と第２面導電層５２との密着性は、第２面密着層３３が無い場合の透明基板２と第２面導電層５２との直接的な密着性より高い。このような密着性の大小関係は、第２面密着層３３を介して第２表面２２上に形成した第２面導電層５２を剥離することを模擬した剥離試験と、第２表面２２上に直接形成した第２面導電層５２を剥離することを模擬した剥離試験とを実施し、双方の剥離試験における第２面導電層５２の剥離力を比較することで確認することができる。剥離試験としては、ＪＩＳＨ８５０４に規定されているめっきの密着性試験方法のうち、テープ試験、または、「ＪＩＳＫ５６００塗料一般試験方法」に規定されているクロスカット試験法を用いることができる。

第１面密着層３２と同様に、第２面密着層３３は、有機物を含有する。有機物を含有することで、第２面密着層３３は、透明基板２および第２面導電層５２との間で高い密着性を発揮することができる。

第１面密着層３２と同様に、第２面密着層３３に含有される有機物は、第２面密着層３３上に無電解めっきで第２面導電層５２のシード層を形成する場合の金属析出性と薬液耐性との双方を有することが望ましい。このような有機物としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂などの高分子樹脂を好適に用いることができる。なお、高分子樹脂は、無機酸化膜や有機単分子膜に比べて第２表面２２上に均一に第２面密着層３３が形成されているか否かを判断し易いので、生産性の向上に寄与することもできる。

第１面密着層３２と同様に、第２面密着層３３の厚みは、１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが望ましい。第２面密着層３３の厚みを１５ｎｍ以上とすることで、無電解めっきの際に、第２面密着層３３に十分な量の触媒を吸着させることができるので、第２面導電層５２のシード層の析出性を向上させることができる。第２面密着層３３の厚みを２００ｎｍ以下とすることで、無電解めっきの後工程の加熱処理において第２面密着層３３から発生するガスの総量を抑制することができるので、ガスの圧力による第２面導電層５２の膨張およびこれにともなう電気的特性の悪化を抑制することができる。

第２面密着層３３は、後述する第２面導電層５２の第２面配線部５２１および第２面パッド部５２２に対応するように、面方向Ｄ２に間隔を空けて部分的に第２表面２２上に位置している。したがって、複数の第２面配線部５２１間には、第２面密着層３３が存在しない。このような構成によれば、複数の第２面配線部５２１間におけるマイグレーションを抑制することができる。

第２面密着層３３は、例えば、ディップコート、スプレーコート、およびスピンコートなどのウェットプロセスによって側壁密着層３１および第１面密着層３２と同一材料で同時に形成してもよい。

（側壁黒色層１１３）
側壁黒色層１１３は、貫通孔２３の側壁２３１上に位置し、光反射抑制機能の一例である光吸収性を有する黒色の層である。図１１の例において、側壁黒色層１１３は、第１面黒色層１１１と同様に、金属化合物を含有することで黒色を有する。金属化合物は、例えば、酸化銅である。

第１面黒色層１１１と同様に、金属化合物を含有する側壁黒色層１１３は、例えば、紫外線照射などによって側壁密着層３１の表面を活性化させた後に、無電解めっき法で側壁密着層３１上に貫通電極４のシード層を形成することで、側壁密着層３１とシード層との間に形成することができる。このようにシード層の形成工程で形成された側壁黒色層１１３は、貫通電極４のシード層に含有された金属と同じ金属を含有する。

側壁黒色層１１３によれば、透明基板２の内部から貫通電極４に入射しようとする光、または貫通電極４で側壁黒色層１１３側に正反射した光を、側壁黒色層１１３によって吸収することができる。これにより、貫通電極４の裏面を粗化することなく、貫通電極４による透明基板２側への光の正反射を抑制することができる。

（第２面黒色層１１２）
第２面黒色層１１２は、第２面密着層３３上に位置し、光反射抑制機能の一例である光吸収性を有する黒色の層である。図１の例において、第２面黒色層１１２は、第１面黒色層１１１と同様に、金属化合物を含有することで黒色を有する。金属化合物は、例えば、酸化銅である。

第２面黒色層１１２は、例えば、紫外線照射などによって第２面密着層３３の表面を活性化させた後に、無電解めっき法で第２面密着層３３上に第２面導電層５２のシード層を形成することで、第２面密着層３３とシード層との間に形成することができる。このようにシード層の形成工程で形成された第２面黒色層１１２は、第２面導電層５２のシード層に含有された金属と同じ金属の酸化物を含有する。

第２面黒色層１１２によれば、透明基板２の内部から第２面導電層５２に入射しようとする光、または第２面導電層５２で第２面黒色層１１２側に正反射した光を、第２面黒色層１１２によって吸収することができる。これにより、第２面導電層５２の裏面すなわち透明基板２側の面を粗化することなく、第２面導電層５２による透明基板２側への光の正反射を抑制することができる。

（貫通電極４）
図１１の例において、貫通電極４は、貫通孔２３の内部において側壁黒色層１１３上すなわち側壁密着層３１上に位置し、且つ導電性を有する部材である。図１１の例において、貫通電極４の厚みは、貫通孔２３の幅よりも小さく、このため、貫通孔２３の内部には、貫通電極４が存在しない空間がある。すなわち、貫通電極４は、いわゆるコンフォーマルビアである。なお、図１１の例において、貫通孔２３の内部の空間は、貫通電極４の内側に位置する有機層６で埋められている。

図１１に示すように、貫通電極４は、側壁黒色層１１３上に位置するシード層７と、シード層７上に位置するめっき層８とを有する。貫通電極４のシード層７およびめっき層８は、第１面導電層５１のシード層７およびめっき層８と共通、すなわち同一成分を含有する。

（第２面導電層５２）
第２面導電層５２は、第２面黒色層１１２上すなわち第２面密着層３３上に位置し、且つ導電性を有する層である。第２面導電層５２は、複数の第２面配線部５２１と、第２面パッド部５２２とを有する。

第２面パッド部５２２は、貫通電極４と電気的に接続されており、より具体的には、貫通孔２３の第２表面２２側の周縁部上において、貫通電極４の第２表面２２側の端部に連続している。第２面パッド部５２２は、平面視した場合に貫通孔２３と同心の円環形状を呈していてもよい。貫通電極４と同様に、第２面パッド部５２２は、第１導電層の一例として、第２面密着層３３上に位置するシード層７と、第２導電層の一例として、シード層７上に位置するめっき層８とを有する。第２面パッド部５２２のシード層７およびめっき層８は、貫通電極４のシード層７およびめっき層８と共通、すなわち同一成分を含有する。なお、貫通電極４と第２面パッド部５２２との境界部において、第２面パッド部５２２に覆われた第２面密着層３３は、側壁密着層３１に連続している。第２面密着層３３が側壁密着層３１に連続していることで、透明基板２の中で比較的にめっき不良が起こり易い角部上に位置する第２面パッド部５２２についても、透明基板２への密着性を可及的に向上させることができる。

複数の第２面配線部５２１は、面方向Ｄ２に間隔を空けて第２面黒色層１１２上に位置する。各第２面配線部５２１は、第１導電層の一例として、第１面黒色層１１１上すなわち第１面密着層３２上に位置するシード層７と、第２導電層の一例として、シード層７上に位置するめっき層８とを有する。第２面配線部５２１のシード層７およびめっき層８は、第１面導電層５１のシード層７およびめっき層８と共通、すなわち同一成分を含有する。

なお、各第２面配線部５２１に覆われた第２面密着層３３は、各第２面配線部５２１のそれぞれに対応するように面方向Ｄ２に間隔を空けて第２表面２２上に位置する。図１１の例において、隣り合う第２面配線部５２１同士の間には第２面密着層３３が存在しない。これにより、隣り合う第２面配線部５２１同士の間で、第２面密着層３３の表面を伝った金属の移動によるマイグレーションが生じることを抑制することができる。

なお、第２面導電層５２と同様に、第１面導電層５１は、複数の第１面配線部５１１に加えて、更に、第１面パッド部５１２を備える。第１面パッド部５１２は、貫通電極４と電気的に接続されており、より具体的には、貫通孔２３の第１表面２１側の周縁部上において、貫通電極４の第１表面２１側の端部に連続している。第１面パッド部５１２は、平面視した場合に貫通孔２３と同心の円環形状を呈していてもよい。貫通電極４と同様に、第１面パッド部５１２は、第１導電層の一例として、第１面密着層３２上に位置するシード層７と、第２導電層の一例として、シード層７上に位置するめっき層８とを有する。第１面パッド部５１２のシード層７およびめっき層８は、貫通電極４のシード層７およびめっき層８と共通、すなわち同一成分を含有する。なお、貫通電極４と第１面パッド部５１２との境界部において、第１面パッド部５１２に覆われた第１面密着層３２は、側壁密着層３１に連続している。第１面密着層３２が側壁密着層３１に連続していることで、透明基板２の中で比較的にめっき不良が起こり易い角部上に位置する第１面パッド部５１２についても、透明基板２への密着性を可及的に向上させることができる。

また、第１表面２１側の第１面配線部５１１と、第２表面２２側の第２面配線部５２１とは、第１面パッド部５１２、貫通電極４および第２面パッド部５２２を介して電気的に接続されていてもよい。

（有機層６）
有機層６は、貫通孔２３の内部に位置する、絶縁性を有する層である。有機層６の有機材料としては、ポリイミドやエポキシ樹脂などを用いることができる。

図１１に示すように、第３の変形例の導電基板１は、第２面密着層３３と第２面導電層５２との間に、光吸収性を有する第２面黒色層１１２を備える。第２面黒色層１１２を備えることで、透明基板２の内部から第２面導電層５２に入射しようとする光、または第２面導電層５２で第２面黒色層１１２側に正反射された光を、第２面黒色層１１２によって吸収することができる。これにより、透明基板２上の第２面導電層５２による透明基板２側への光の正反射を抑制することができる。光の正反射を抑制できることで、第２表面２２上に位置する受光センサで第１表面２１側から透明基板２越しに光信号を受信する際に、光信号が第２面導電層５２で正反射されてノイズとして検出されることを抑制することができる。また、検査装置によって第１表面２１側から透明基板２越しに第２面導電層５２の画像を撮像し、撮像画像に基づいて第２面導電層５２の形成状態を検査する場合に、第２面導電層５２による正反射光を抑制することで、検査を精緻に行うことができる。

もし、光の正反射を抑制するために第２面導電層５２の裏面を粗化した場合、第２面配線部５２１の電気抵抗率が上昇することで、第２面配線部５２１を通じた電気信号の伝送効率が悪化してしまう。

これに対して、本実施形態によれば、第２面黒色層１１２を備えることで、第２面導電層５２の裏面を粗化することなく光の正反射を抑制することができる。これにより、第２面配線部５２１による信号の伝送効率の悪化を抑制しつつ、第２面配線部５２１による透明基板２側への光の正反射を抑制することができる。

また、図３および図４の例と同様に、無電解めっきのプロセスを利用して第２面黒色層１１２を形成すれば、製造工数およびコストを削減することができる。

また、第２面密着層３３の厚みを１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすれば、シード層７の析出性を向上させることができ、また、加熱処理によって第２面密着層３３から発生したガスによる第２面導電層５２の変形を抑制することができ、電気的特性の悪化を抑制することができる。

（試験例）
以下、第３の変形例の試験例として、貫通電極基板の態様の導電基板１の試料に対して実施した観察および電気検査の結果について説明する。試験例の目的は、密着層３１〜３３の厚みがシード層７の密着性および電気特性に与える影響を調べることである。

試験例では、密着層の厚みが互いに異なる試料Ｎｏ．１〜Ｎｏ．７の７つの試料を作製した。各試料の作製にあたっては、先ず、各試料に共通の透明基板２として、厚み４５０ｎｍの無アルカリガラスに９０μｍφすなわちアスペクト比：５の貫通孔２３を形成した透明基板２を準備した。

透明基板２上への密着層３１〜３３の形成においては、ポリイミドを主成分とする有機樹脂を、各試料毎にディップコートの有無または速度を変えて異なる厚みに形成した。具体的には、試料Ｎｏ．１については、ディップコートを行わず、密着層３１〜３３を形成しなかった。その他の試料の密着層３１〜３３の厚みは、試料Ｎｏ．２については１５ｎｍ、試料Ｎｏ．３については２２ｎｍ、試料Ｎｏ．４については９８ｎｍ、試料Ｎｏ．５については１８５ｎｍ、試料Ｎｏ．６については２０３ｎｍ、試料Ｎｏ．７については２１０ｎｍとした。

シード層７の形成においては、各試料とも、無電解めっき法によって５００ｎｍの厚みを有するようにシード層７を形成した。

レジスト層９の除去後のシード層７の除去においては、各試料とも、銅除去剤であるメック社製ＳＦ−５４２０に透明基板２を１分間浸漬するウェットエッチングを行うことで、シード層７を除去した。

シード層７の除去後の密着層３２、３３の除去においては、プラズマ照射により、めっき層８で覆われていない配線部間および配線部とパッド部との間の密着層３２、３３を除去した。

密着層３２、３３の除去後は、各試料とも、窒素雰囲気下において２００℃で３０分間のアニール処理を行った。

なお、試験例は、密着層３１〜３３の厚みがシード層７の密着性および電気特性に与える影響を調べることを目的としたため、試験例の各試料に黒色層１１１〜１１３は形成しなかった。

以上のようにして作製された試料Ｎｏ．１〜Ｎｏ．７に対して、シード層の析出状態の観察と、アニール処理後のシード層の膨張状態の観察と、「ＪＩＳＫ５６００塗料一般試験方法」に規定されているクロスカット試験法によるシード層の剥離状態の観察とを行った。観察には、電子顕微鏡を使用した。また、電気検査として、シード層による電気信号の導通検査を行った。なお、クロスカット試験法は、既述したテープ試験と類似している。クロスカット試験法では、シード層が形成された透明基板の試験面に、カッターで透明基板に達する碁盤目状の切り傷を形成する。そして、碁盤目部分にテープを強く圧着させ、テープの端を４５°の角度で一気に引き剥がし、碁盤目部分の状態を標準図と比較して評価する。
試験例の観察結果および電気検査結果を以下の表２および図１２（ａ）〜図１２（ｃ）に示す。

表１中の“○”は、結果が良好であることを示している。一方、表１中の“×”は、結果が悪いことを示している。また、図１２（ａ）は、試料Ｎｏ．２〜試料Ｎｏ．６に示される本実施形態の第３の変形例による導電基板１において、透明基板２上へのシード層７の形成状態を模式的に示す平面図である。図１２（ｂ）は、試料Ｎｏ．１に示される第１の比較例による導電基板において、透明基板２上へのシード層７の形成状態を模式的に示す平面図である。図１２（ｃ）は、試料Ｎｏ．７に示される第２の比較例による導電基板において、透明基板２上へのシード層７の形成状態を模式的に示す平面図である。

表２および図１２（ａ）に示すように、試料Ｎｏ.２〜Ｎｏ．６においては、透明基板２上にシード層７が万遍なく形成され、アニールにともなうシード層７の膨張も殆ど無いことが確認された。更に、試料Ｎｏ.２〜Ｎｏ．６においては、クロスカット試験によるシード層７の剥離が殆ど無く、また、導通状態が良好であることが確認された。このような試料Ｎｏ．２〜試料Ｎｏ．６の結果は、試料Ｎｏ．２〜試料Ｎｏ．６が適度な厚みの密着層３１〜３３を有することで、シード層７の密着性を確保しつつアニールの際に密着層３１〜３３から生じるガスの総量を抑制できることによるものと推測される。

一方、試料Ｎｏ．１においては、表２および図１２（ｂ）に示すように、シード層７が形成されずに透明基板２が露出した箇所が確認された。更に、試料Ｎｏ．１においては、クロスカット試験によるシード層７の剥離量が多く、また、導通不良が生じることが確認された。このような試料Ｎｏ．１の結果は、試料Ｎｏ．１が密着層３１〜３３を有しないことで、シード層７の密着性を確保できないことによるものと推測される。

また、試料Ｎｏ．７においては、表２および図１２（ｃ）に示すように、アニールにともなうシード層７の膨張部７ａが多数生じることが確認された。更に、試料Ｎｏ．７においては、導通不良が生じることが確認された。このような試料Ｎｏ．７の結果は、試料Ｎｏ．７の密着層３１〜３３の厚みが過大であることで、アニールの際に密着層３１〜３３から生じるガスの総量が多いことによるものと推測される。

以上の試験例によれば、密着層３１〜３３の厚みを１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすることで、シード層７の密着性および電気特性が良好になることが確認された。

（第４の変形例）
次に、第４の変形例として、貫通孔２３の形状の変形例について説明する。図１３（ａ）は、本実施形態の第４の変形例による導電基板１として、貫通孔２３の一変形例を示す断面図である。図１３（ｂ）は、図１３（ａ）と異なる貫通孔２３の変形例を示す断面図である。図１３（ｃ）は、図１３（ａ）および図１３（ｂ）と異なる貫通孔２３の変形例を示す断面図である。

図１１の例において、貫通孔２３の側壁２３１は、厚み方向Ｄ１において内径が均一の円筒形状を有している。しかしながら、貫通孔２３の形状が特に限られることはない。例えば、図１３（ａ）に示すように、貫通孔２３の側壁２３１は、第１表面２１および第２表面２２の一方から他方に向かうにしたがって内径が漸増するテーパ形状を有していてもよい。また、図１３（ｂ）に示すように、貫通孔２３の側壁２３１は、第１表面２１および第２表面２２から透明基板２の厚み方向Ｄ１の中央部に向かうにしたがって内径が漸減する形状を有していてもよい。また、図１３（ｃ）に示すように、貫通孔２３の側壁２３１は、第１表面２１および第２表面２２から透明基板２の厚み方向Ｄ１の中央部に向かうにしたがって内径が漸増する形状を有していてもよい。厚み方向Ｄ１の位置に応じて貫通孔２３の内径が変化する場合、貫通孔２３のアスペクト比Ｔ／φの分母は、貫通孔２３の最小径であってもよい。また、貫通孔２３の面方向Ｄ２の断面は、円形状に限らず、例えば、多角形状であってもよい。

第４の変形例においても、図１の例と同様に、第１面黒色層１１１を備えることで、第１面導電層５１の裏面を粗化することなく光の正反射を抑制することができる。

第１〜第４の変形例は、これらを適宜組み合わせてもよい。

（製品への適用例）
図１４は、上記各態様の貫通電極基板１を適用できる製品の例を示す図である。本開示の実施形態に係る貫通電極基板１は、光学用途の様々な製品に適用できる。例えば、貫通電極基板１は、携帯電話１１０のカメラ、スマートフォン１２０のカメラ、デジタルビデオカメラ１３０、デジタルカメラ１４０等に搭載できる。

本開示の態様は、上述した個々の実施形態に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形も含むものであり、本開示の効果も上述した内容に限定されない。すなわち、特許請求の範囲に規定された内容およびその均等物から導き出される本開示の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更および部分的削除が可能である。

１導電基板
２透明基板
２１第１表面
２２第２表面
３２第１面有機層
５１第１面導電層
１１１第１面黒色層

Claims

第１表面と、前記第１表面の反対側の第２表面とを有する透明基板と、
前記第１表面上および前記第２表面上の少なくとも一方に少なくとも部分的に位置する第１有機層と、
前記第１有機層上に位置し、金属を含有する導電層と、
前記第１有機層に含有された光反射抑制部材、及び、前記第１有機層と前記導電層との間に位置する光反射抑制層のうちの少なくとも一方と、を備える、導電基板。
前記光反射抑制層は、暗色層である、請求項１に記載の導電基板。
前記暗色層は、金属化合物を含有する、請求項２に記載の導電基板。
前記導電層に含有された前記金属は、銅であり、
前記金属化合物は、酸化銅である、請求項３に記載の導電基板。
前記光反射抑制部材は、暗色顔料および暗色染料の少なくとも一方である、請求項２に記載の導電基板。
前記光反射抑制部材は、光拡散性を有するフィラーである、請求項２に記載の導電基板。
前記第１有機層を介した前記透明基板と前記導電層との密着性は、前記透明基板と前記導電層との直接的な密着性より高い、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の導電基板。
前記第１有機層は、１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚みを有する、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の導電基板。
前記第１有機層と前記導電層との間に触媒が存在する、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の導電基板。
前記導電層は、前記第１有機層上に位置する第１導電層と、前記第１導電層上に位置する第２導電層と、を有する、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の導電基板。
前記透明基板に、前記第１表面から前記第２表面まで貫通する貫通孔が設けられ、
前記貫通孔の側壁上に位置する第２有機層と、
前記第２有機層上に位置する貫通電極と、を更に備える、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の導電基板。
前記貫通孔は、前記第１表面に沿った面方向の寸法に対する前記第１表面に交差する厚み方向の寸法の比であるアスペクト比が、３以上３３以下である、請求項１１に記載の導電基板。
前記透明基板は、ガラスを含有する、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の導電基板。
第１表面と、前記第１表面の反対側の第２表面とを有する透明基板を準備する工程と、
前記第１表面上および前記第２表面上の少なくとも一方に、第１有機層を少なくとも部分的に形成する工程と、
前記第１有機層上に金属を含有する導電層を形成する工程と、
前記第１有機層を少なくとも部分的に形成する前に、前記第１有機層に光反射抑制部材を含有させる工程、及び、前記導電層を形成するときに、前記第１有機層と前記導電層との間に光反射抑制層を形成する工程のうちの少なくとも一方と、を備える、導電基板の製造方法。
前記導電層を形成する工程は、前記第１有機層上に触媒を付着させる工程と、前記触媒が付着された前記第１有機層上に無電解めっきを行う工程と、を有する、請求項１４に記載の導電基板の製造方法。
前記第１有機層に前記光反射抑制部材を含有させる工程および前記導電層を形成するときに前記光反射抑制層を形成する工程のうち、少なくとも前記導電層を形成するときに前記光反射抑制層を形成する工程を備え、
前記導電層を形成する前に、前記第１有機層を活性化させる工程を更に備え、
前記導電層を形成するときに前記光反射抑制層を形成する工程は、前記活性化された前記第１有機層上に前記触媒を付着させる工程と、前記触媒が付着された前記活性化された前記第１有機層上に無電解銅めっきを行うことで、酸化銅を含有する前記光反射抑制層を形成する工程と、を有する、請求項１５に記載の導電基板の製造方法。