JP2018152170A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】外光の反射を抑制するとともに、発光素子からの光の取り出し効率を向上させることが可能な表示装置を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態に係る表示装置は、マトリクス状に配置された複数の有機発光素子と、複数の有機発光素子と対向して配置され、電界に応じて光の透過率を変化させる偏光板とを備える。【選択図】図１

Description

本発明は表示装置に関する。

ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）表示装置では、発光素子をガラスなどの基板に配置し、格子状に配置した電極（配線）によって発光素子を制御することで画像を表示させることができる。

ＯＬＥＤ表示装置では、電極、配線に反射率の高い金属が用いられているため、外光が電極、配線に反射し、画像の視認性が悪化する場合がある。そこで、円偏光板を用いて外光の反射を防止する技術が提案されている。

特許文献１には、偏光子と１／４波長板とを積層した円偏光板が記載されている。この円偏光板をパネル表面に設けることで、外光はまず偏光子により直線偏光となり、続く１／４波長板により円偏光に変換される。パネル内で反射した外光（円偏光）は、再び１／４波長板により直線偏光に変換され、続く偏光子に入射する。ここで、円偏光の位相は反射の際に反転しているため、偏光子に入射する直線偏光は偏光子の透過軸と直交し、偏光子により吸収される。

特開２００６−１７１２３５号公報

特許文献１に記載の円偏光板を用いることで、外光の反射を抑制することができる。しかしながら、発光素子からの放射光の一部も円偏光板に吸収されてしまうため、外部に取り出される光の輝度が低下してしまう。

本発明は上述の課題に鑑み、外光の反射を抑制するとともに、発光素子からの光の取り出し効率を向上させることが可能な表示装置を提供することを目的とする。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、マトリクス状に配置された複数の有機発光素子と、前記複数の有機発光素子と対向して配置され、電界に応じて光の透過率を変化させる偏光板とを備える。

本発明によれば、外光の反射を抑制するとともに、発光素子からの光の取り出し効率を向上させることが可能な表示装置が提供される。

第１実施形態に係る表示装置のブロック図である。 第１実施形態に係るＯＬＥＤパネルの構成を示す平面図である。 第１実施形態に係る発光素子の積層構造を示す断面図である。 第１実施形態に係る偏光板の電極構成を示す平面図である。 第１実施形態に係る偏光板の断面模式図である。 第１実施形態に係る偏光板の断面模式図である。 第１実施形態に係る発光時の偏光板の動作を説明するための図である。 第１実施形態に係る非発光時の偏光板の動作を説明するための図である。 第２実施形態に係る偏光板の電極構成を示す平面図である。 他の実施形態に係るＯＬＥＤパネルの構成を示す断面模式図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。

［第１実施形態］
図１は、本実施形態に係る表示装置のブロック図である。表示装置は、ＯＬＥＤパネル１０、偏光板２０、制御部３０、駆動回路３１、３２を備えている。ＯＬＥＤパネル１０は、画素として複数の発光素子１１を含む。発光素子１１は有機材料の発光層を有し、有機発光素子、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）とも呼ばれる。駆動回路３１は、ゲートドライバ、データドライバ、電源回路などから構成され、制御部３０からの信号に基づき発光素子１１を駆動する。駆動回路３１は、ＯＬＥＤパネル１０と一体的に構成されていてもよい。

偏光板２０は、ＯＬＥＤパネル１０に積層され、複数の発光素子１１と対向して配置される。偏光板２０は、電界に応じて光の透過率を変化させる機能を有し、駆動回路３２により駆動される。駆動回路３２は、ゲートドライバ、データドライバ、電源回路などから構成され、制御部３０からの信号に基づき偏光板２０に電圧を供給する。

制御部３０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、メモリ、インタフェースなどを備え、入力された画像信号に基づく輝度信号、タイミング信号などを駆動回路３１、３２に送信する。制御部３０は、駆動回路３１、３２を介してＯＬＥＤパネル１０と偏光板２０の動作を制御することができる。また、制御部３０は、画像信号に対して所定の補正処理を行う画像処理回路を含み得る。

図２は、本実施形態に係るＯＬＥＤパネル１０の構成を示す平面図である。ＯＬＥＤパネル１０は、発光素子１１、画素回路１２、ゲート線１３ｇ、データ線１３ｄを備え、アクティブマトリクス方式で駆動される。発光素子１１は、例えば白色光を発する素子であって、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のいずれかの色フィルタを含む。複数の発光素子１１は、所定の色配列パターンでマトリクス状に配置される。

画素回路１２は、発光素子１１ごとに設けられ、スイッチ素子、駆動素子、コンデンサなどを含む。スイッチ素子、駆動素子には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）が用いられる。ゲート線１３ｇは、発光素子１１の配列の一方向に沿って延在し、データ線１３ｄは、ゲート線１３ｇと直交する方向に延在する。発光素子１１は、ゲート線１３ｇとデータ線１３ｄの交点付近において、画素回路１２を介してゲート線１３ｇおよびデータ線１３ｄに接続されている。

ゲート線１３ｇ、データ線１３ｄは、それぞれゲートドライバ３１ｇ、データドライバ３１ｄに接続される。ゲートドライバ３１ｇ、データドライバ３１ｄは、駆動回路３１を構成する。ゲートドライバ３１ｇは、ゲート線１３ｇを順次選択し、画素回路１２をオンするためのゲート電圧を印加する。データドライバ３１ｄは、ゲートドライバ３１ｇと同期して制御部３０からの輝度信号に応じたデータ電圧をデータ線１３ｄに印加する。オン状態の画素回路１２は、データ電圧に応じた駆動電流を発光素子１１に供給し、発光素子１１を発光させる。駆動電流の供給は不図示の電源線を介して行われる。

図３は、本実施形態に係る発光素子１１の積層構造を示す断面図である。発光素子１１は、パネル基板１５に形成され、透明電極（陽極）１６、白色の発光層１７、反射電極（陰極）１８を有している。パネル基板１５には、ガラス、プラスチックなどの材料が用いられ、発光素子１１の他、画素回路１２、ゲート線１３ｇ、データ線１３ｄなどが形成され得る。ＯＬＥＤパネル１０はボトムエミッション型であって、発光素子１１で発光した光１００はパネル基板１５を通して外部に取り出される。パネル基板１５と発光素子１１との間には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色からなる色フィルタ１９が設けられている。

透明電極１６は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの導電性材料からなり、パネル基板１５上に形成される。発光層１７は、単層または多層の積層体であり、透明電極１６と反射電極１８との間に形成される。発光層１７は、例えば正孔輸送層、発光層、電子輸送層の３層から構成される。正孔輸送層、電子輸送層はそれぞれ正孔注入層、電子輸送層を含み得る。発光層にはトリスアルミニウム錯体、ビスベリリウム錯体などの有機材料を用いることができる。反射電極１８は、アルミニウム、銀などの金属材料からなり、発光層１７上に形成される。反射電極１８における発光層１７と反対側の面には、発光素子１１を保護するための封止層が形成され得る。

発光素子１１において、透明電極１６と反射電極１８に電圧が印加されると、透明電極１６、反射電極１８からそれぞれ正孔、電子が発光層１７に注入される。発光層１７では、正孔電子対である励起子が形成され、励起子が失活することで発光する。このようにして発生した発光素子１１からの光１００は、パネル基板１５に積層された１／４波長板４０、偏光板２０を透過して外部に出射する。

１／４波長板４０は、透過する光に９０度の位相差を与え、直線偏光を円偏光または円偏光を直線偏光に変換する。１／４波長板４０には、例えばポリカーボネート、シクロオレフィンポリマーなどの複屈折材料を用いることができる。１／４波長板４０は、複数の複屈折板から構成されてもよく、また偏光板２０内に設けられてもよい。偏光板２０は、外光などの非偏光から特定の振動方向をもつ直線偏光を選択的に透過させる。偏光板２０は、１／４波長板４０と組み合わせることで外光反射を低減するための円偏光板として機能し得る。

続いて、偏光板２０を詳細に説明する。図４は、本実施形態に係る偏光板２０の電極構成を示す平面図である。偏光板２０は、平行に配置された上基板２１ａ、下基板２１ｂを有し、上基板２１ａと下基板２１ｂの相対する面に電極対２２ａ、２２ｂを備えている。電極対２２ａ、２２ｂは、偏光板２０内において電界を発生させるために用いられる。電極２２ａは図４（ａ）に示され、電極２２ｂは図４（ｂ）に示されている。

電極２２ａは、上基板２１ａのほぼ片面全体に形成されたベタ電極であって、複数の電極２２ｂに共通して使用される。電極２２ｂは、例えば矩形状の平面電極であり、複数の電極２２ｂがマトリクス状に形成される。複数の電極２２ｂは、ＯＬＥＤパネル１０の各画素に対応して設けられている。例えば、図２に示した複数の発光素子１１と、図４（ｂ）に示した複数の電極２２ｂとは同様の配列パターンを有し、平面視において重なるように配列されている。

下基板２１ｂには、電極２２ｂの他、スイッチ素子２３、ゲート線２３ｇ、データ線２３ｄが設けられている。スイッチ素子２３は、例えばＴＦＴであって電極２２ｂごとに設けられる。ゲート線２４ｇは、スイッチ素子２３の配列の一方向に沿って延在し、データ線２４ｄは、ゲート線２４ｇと直交して延在する。電極２２ｂは、ゲート線２４ｇとデータ線２４ｄの交点付近において、スイッチ素子２３を介してゲート線２４ｇおよびデータ線２４ｄに接続されている。

ゲート線２４ｇ、データ線２４ｄは、それぞれゲートドライバ３２ｇ、データドライバ３２ｄに接続される。ゲートドライバ３２ｇ、データドライバ３２ｄは、駆動回路３２を構成する。ゲートドライバ３２ｇは、ゲート線２４ｇを順次選択し、スイッチ素子２３をオンするためのゲート電圧を印加する。データドライバ３２ｄは、ゲートドライバ３２ｇと同期して制御部３０からの輝度信号に応じた電圧をデータ線２４ｄに印加する。オン状'態のスイッチ素子２３は、データ線２４ｄの電圧を電極２２ｂに供給し、電極対２２ａ、２２ｂ間に電界を発生させる。電極２２ａは不図示の共通電位線に接続され、所定の電位に保持される。

図５は、本実施形態に係る偏光板２０の断面模式図であって、図４（ａ）、（ｂ）に示されたＡ−Ａ’線における断面を示している。図５では、電界非発生時における液晶層２５の配向が模式的に表されている。液晶層２５は、電極対２２ａ、２２ｂの間に設けられており、電極対２２ａ、２２ｂには、ＩＴＯなどの透明な導電性材料が用いられる。電極２２ａは上基板２１ａに形成され、電極２２ｂは下基板２１ｂに形成されている。上基板２１ａ、下基板２１ｂには、ガラス、プラスチックなどの透明な絶縁性材料が用いられる。

液晶層２５は低分子液晶２６と二色性色素２７を含み、低分子液晶２６と二色性色素２７は共に細長い分子形状（楕円体）をなしている。低分子液晶２６は、上基板２１ａ、下基板２１ｂと平行な面内において一軸配向（ホモジニアス配向）されており、二色性色素２７は低分子液晶２６に沿って配向される。低分子液晶２６には、例えば４−シアノ−４’−ペンチルビフェニルなどの公知の材料を用いることができる。

二色性色素２７は、配向方向によって光の吸収率が異なる性質を有している。具体的には、二色性色素２７は、長軸方向に振動する偏光成分を吸収し、短軸方向に振動する偏光成分を透過させる。二色性色素２７には、例えばヨウ素の他、ジスアゾ化合物、トリスアゾ化合物、テトラキスアゾ化合物などのアゾ系化合物を用いることができる。二色性色素２７の濃度は、低分子液晶２６に対して２.０重量％以上であり得る。

電極２２ａと液晶層２５、電極２２ｂと液晶層２５の間には、それぞれ配向膜２８ａ、２８ｂが設けられている。配向膜２８ａ、２８ｂは、ポリイミド膜にラビング、偏光ＵＶ（ultraviolet）照射などの配向処理を施したものであり、低分子液晶２６は、該配向処理により規定された一定方向に配向する。

図６は、本実施形態に係る偏光板２０の断面模式図であって、図４（ａ）、（ｂ）に示されたＡ−Ａ’線における断面を示している。図６では、電界発生時における液晶層２５の配向が模式的に表されている。電界は、複数の発光素子１１（画素）のそれぞれに対応して発生させることができ、電圧が印加された電極対２２ａ、２２ｂの間において電極対２２ａ、２２ｂが延在する方向と垂直な方向に電界Ｅが発生する。

低分子液晶２６は長軸方向に分極した誘電率異方性を有している。低分子液晶２６の誘電率異方性が正である場合、低分子液晶２６の配向は電界Ｅと平行な方向に変化する。配向の程度、すなわち低分子液晶２６の長軸方向と電界方向がなす角（配向角）は、電界Ｅの強度に比例する。低分子液晶２６の配向角が変化すると、二色性色素２７も低分子液晶２６に沿って配向する。よって、二色性色素２７の配向角θを電界Ｅによって制御することができる。

電界Ｅの強度が大きいほど二色性色素２７の配向角θは小さくなり、偏光板２０における光の透過方向、すなわち上基板２１ａ、下基板２１ｂに対して垂直な方向からの二色性色素２７の長軸の見かけの長さは短くなる。換言すれば、電界Ｅの強度が大きいほど二色性色素２７の長軸方向に対する光の入射角は大きくなる。よって、配向角θが小さいほど二色性色素２７により吸収される偏光成分の量は減少する。液晶層２５の透過率は、二色性色素２７の配向角θが０度の場合に最大となり、９０度の場合に最小となる。

次に、偏光板２０の動作を説明する。図７は、発光素子１１と偏光板２０の模式図であって、発光素子１１と、該発光素子１１に対応して設けられた電極対２２ａ、２２ｂを含む偏光板２０の断面を示している。制御部３０から駆動回路３１に輝度信号が入力されると、駆動回路３１は輝度信号に応じた電圧を、画素回路１２を介して発光素子１１の透明電極１６、反射電極１８に印加する。これにより、透明電極１６と反射電極１８間に駆動電流が流れ、発光層１７において光１００が発生する。

光１００は、透明電極１６、色フィルタ１９、パネル基板１５を透過した後、１／４波長板４０に入射する。光１００の偏光状態は１／４波長板４０により変化されるが、光１００は様々な方向に振動する非偏光であるため、１／４波長板４０を透過した光１００も非偏光となる。

１／４波長板４０を透過した光１００は、偏光板２０の下基板２１ｂ、電極２２ｂ、配向膜２８ｂを順に透過した後、液晶層２５に入射する。このとき、制御部３０は、光１００の強度（発光素子１１の発光強度）に応じて透過率が高くなるように偏光板２０を制御する。例えば、制御部３０は、駆動回路３１に送信した輝度信号に比例する電圧を、駆動回路３２を介して電極対２２ａ、２２ｂに印加する。制御部３０は、輝度信号または輝度信号に基づく発光強度が所定の閾値を越える場合にのみ、電極対２２ａ、２２ｂに電圧を印加してもよい。

電極対２２ａ、２２ｂに電圧が印加されることにより、低分子液晶２６、二色性色素２７の配向は、光１００の進行方向に対して平行な方向に変化する。これにより、液晶層２５に入射した光１００の多くは、吸収されることなく液晶層２５を透過する。光１００は、さらに配向膜２８ａ、電極２２ａ、上基板２１ａを順に透過して外部に出射する。

図８は、図７と同様の模式図であって、非発光時における発光素子１１と偏光板２０の断面を示している。図８においては、制御部３０から駆動回路３１に輝度信号が入力されていないか、または輝度信号が０の表示（黒表示）が行われている。発光素子１１の透明電極１６、反射電極１８には電圧が印加されておらず、発光層１７において光１００は発生していない。このような場合、発光素子１１の反射電極１８による外光２００の反射が問題になり得る。

外光２００は、太陽光などの自然光の他、照明装置、表示装置などの外部装置からの光を含み得る。外光２００は、上基板２１ａ、電極２２ａ、配向膜２８ａを順に透過した後、液晶層２５に入射する。液晶層２５において、低分子液晶２６と二色性色素２７は、外光２００の進行方向に対して垂直な方向に配向している。このために、二色性色素２７の長軸方向に振動する外光２００の偏光成分は二色性色素２７に吸収され、液晶層２５を透過した外光２００は、二色性色素２７の短軸方向に振動する直線偏光となる。

直線偏光の外光２００は、配向膜２８ｂ、電極２２ｂ、下基板２１ｂを順に透過して、１／４波長板４０に入射する。直線偏光の外光２００は、１／４波長板４０により円偏光に変換され、パネル基板１５、色フィルタ１９、透明電極１６、発光層１７を順に透過して反射電極１８で反射する。反射後の外光２００は、反射前と回転方向が異なる円偏光となり、発光層１７、透明電極１６、色フィルタ１９、パネル基板１５を順に透過して再度１／４波長板４０に入射する。

反射後の外光２００は、１／４波長板４０により直線偏光に変換され、下基板２１ｂ、電極２２ｂ、配向膜２８ｂを順に透過して、再度液晶層２５に入射する。ここで、液晶層２５に入射する反射後の外光２００の偏光方向は、液晶層２５から出射した反射前の外光２００の偏光方向と直交している。すなわち、液晶層２５に入射する外光２００は、二色性色素２７の長軸方向に振動する直線偏光である。したがって、反射後の外光２００の多くは、液晶層２５において二色性色素２７により吸収される。なお、発光素子１１の発光時（図７参照）においても外光２００の反射は起こり得る。発光素子１１の発光強度が比較的小さく、外光２００の反射の影響を受けやすい場合には、発光時においても液晶層２５の透過率を低下させ、液晶層２５において反射光を吸収すればよい。

以上述べたように、本実施形態の表示装置は、マトリクス状に配置された複数の発光素子１１を有するＯＬＥＤパネル１０と、電界に応じて光の透過率を変化させる偏光板２０とを備えている。偏光板２０は、ＯＬＥＤパネル１０の表面に設けられ、発光素子１１からの光を透過する。発光素子１１の非発光時には、偏光板２０の透過率を低下させることにより、外光の反射を抑制することができる。一方、発光素子１１の発光時には、偏光板２０の透過率を向上させることにより、発光素子１１からの光を表示装置の外部に効率良く取り出すことができる。したがって、黒表示における輝度レベルを良好に維持しつつ、表示される画像の輝度を向上させることができるため、コントラストの高い画像を表示することが可能である。

さらに、発光素子１１からの光の取り出し効率が向上するため、発光素子１１の駆動電流量を低減させたとしても、従来の表示装置と同等の輝度で画像を表示することができる。したがって、消費電力を低減するとともに、発光素子１１の負荷を軽減し、発光素子１１の長寿命化が可能となる。

［第２実施形態］
次に、第２実施形態に係る表示装置を説明する。本実施形態の表示装置は第１実施形態の表示装置と同様に構成されているため、第１実施形態と異なる構成を中心に説明する。

図９は、本実施形態に係る偏光板２０の電極構成を示す平面図である。偏光板２０は、平行に配置された上基板２１ａ、下基板２１ｂを有し、上基板２１ａと下基板２１ｂの相対する面に電極対２２ａ、２２ｂを備えている。電極２２ａは図９（ａ）に示され、電極２２ｂは図９（ｂ）に示されている。

電極２２ａは、上基板２１ａにおいて行方向（Ｘ方向）にストライプ状に形成されている。電極２２ｂは、電極２２ａと直交し、下基板２１ｂにおいて列方向（Ｙ方向）にストライプ状に形成されている。平面視において電極２２ａと電極２２ｂが交差する領域（交差領域）はＯＬＥＤパネル１０の各画素に対応する。すなわち、電極対２２ａ、２２ｂは、交差領域が図２に示した複数の発光素子１１と平面視において重なるように形成されている。

電極２２ａ、２２ｂは、それぞれ行ドライバ３２ａ、列ドライバ３２ｂに接続されている。行ドライバ３２ａ、列ドライバ３２ｂは、駆動回路３２を構成する。行ドライバ３２ａは、制御部３０からの信号に基づき電圧を印加する行を選択し、選択した行の電極２２ａに輝度信号に応じた電圧を印加する。同様に、列ドライバ３２ｂは、制御部３０からの信号に基づき電圧を印加する列を選択し、選択した列の電極２２ｂに輝度信号に応じた電圧を印加する。電圧が印加された電極２２ａ、２２ｂの交差領域には電界が発生し、この電界によって画素ごとに透過率の制御を行うことができる。

［他の実施形態］
本発明は、上述の実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。例えば、図１０に示すように、ＯＬＥＤパネル１０は、白色の発光層１７の代わりにＲＧＢの各色で発光する３種類の発光層１７から構成されてもよい。これに伴い色フィルタ１９は取り除かれている。また、上述の実施形態では、ＯＬＥＤパネル１０の画素単位で偏光板２０の透過率が制御可能に構成されていたが、複数の画素からなる画素ブロック単位またはパネル全面で偏光板２０の透過率を制御するように構成されてもよい。偏光板２０の電極２２ａ、２２ｂをベタ電極で構成することで、構造を簡略化することも可能である。

また、液晶層２５は、電界により配向が変化するものに限定されず、発光素子１１からの光によって直接的に配向が変化するものであってもよい。例えば、光を吸収することにより分子形状が変形する素子、非線形光学効果を生じる素子などを用いて、液晶層２５を構成することが可能である。さらに、本実施形態の偏光板２０は電界に応じて調光するものに限定されず、磁界、温度、光などの外場に応じて液晶層２５の配向状態を変化させる構成を含み得る。

本実施形態のＯＬＥＤパネル１０は、独立して発光し得る発光層１７を有していればよい。すなわち、本実施形態の偏光板２０は、トップエミッション型のＯＬＥＤパネルにも適用可能である。また、本実施形態の偏光板２０は、ＯＬＥＤパネルに限定されず、無機ＬＥＤ（light emitting diode）を用いた表示パネル、反射型のＬＣＤ（Liquid Crystal Display）パネルなどにも適用可能である。

１０ ＯＬＥＤパネル
１１ 発光素子
１２ 画素回路
１５ パネル基板
１６ 透明電極
１７ 発光層
１８ 反射電極
１９ 色フィルタ
２０ 偏光板
２１ａ 上基板
２１ｂ 下基板
２２ａ、２２ｂ 電極（対）
２５ 液晶層
２６ 低分子液晶
２７ 二色性色素
３０ 制御部
３１、３２ 駆動回路
４０ １／４偏光板

Claims (11)

1. マトリクス状に配置された複数の有機発光素子と、
   前記複数の有機発光素子と対向して配置され、電界に応じて光の透過率を変化させる偏光板とを備える表示装置。
2. 前記偏光板は、前記電界を発生させるための電極対と、前記電極対の間に設けられた液晶層とを有し、前記液晶層は、配向方向によって光の吸収率が異なる二色性色素を含む請求項１に記載の表示装置。
3. 前記液晶層は一軸配向された低分子液晶を含み、前記二色性色素は前記低分子液晶に沿って配向され、前記配向方向は、前記電極対に電圧を印加することにより制御される請求項２に記載の表示装置。
4. 前記液晶層は、前記配向方向と直交する直線偏光を透過させる請求項３に記載の表示装置。
5. 前記電極対は、前記複数の有機発光素子のそれぞれに対応して設けられ、前記有機発光素子の発光強度に応じた前記電界を発生させる請求項２乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記電極対は、対応する前記有機発光素子の発光時に前記電界を発生させ、対応する前記有機発光素子の非発光時に前記電界を発生させない請求項５に記載の表示装置。
7. 前記電極対は、対応する前記有機発光素子と平面視において重なるようにマトリクス状に設けられた請求項５または６に記載の表示装置。
8. 前記電極対の一方は、前記複数の有機発光素子の第１方向の配列に対応してストライプ状に設けられ、前記電極対の他方は、前記第１方向に直交する第２方向の配列に対応してストライプ状に設けられた請求項５または６に記載の表示装置。
9. 前記電極対は、前記偏光板の基板の相対する面全体に設けられたベタ電極である請求項２乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 前記有機発光素子に印加される電圧に基づき前記電極対に印加する電圧を制御する制御部を備える請求項２乃至９のいずれか１項に記載の表示装置。
11. 前記複数の有機発光素子と前記偏光板との間に設けられ、透過する光に９０度の位相差を与える１／４波長板を備える請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の表示装置。

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