JP2016213451A - 蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】蛍光体層の光半導体素子に対する位置精度を向上させて、光の取出効率に優れる蛍光体層−封止層付光半導体素子を、優れた製造効率で製造することのできる、蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】蛍光体層−封止層付光半導体素子１の製造方法は、複数の光半導体素子１０を、蛍光体シート３の上に、互いに間隔を隔てて配置する素子配置工程と、蛍光体シート３を切断して、複数の光半導体素子１０のそれぞれに対応する複数の蛍光体層２４のそれぞれを形成する第１切断工程と、封止シート１９を、第２隙間１６を充填し、かつ、光半導体素子１０の側面を被覆するように、形成するシート形成工程と、封止シート１９を切断して、複数の封止層２５を形成する第２切断工程とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法、詳しくは、光半導体素子、蛍光体層および封止層を備える蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法に関する。

従来、発光素子と、発光素子の上面を被覆する波長変換部材と、発光素子の側面および波長変換部材の側面を被覆し、光反射性材料を含有する封止部材とを備える発光装置が知られている。

このような発光装置では、発光素子の側面および波長変換部材の側面から漏れ出た光を、封止部材によって反射させて、発光効率を向上させている。

そのような発光装置の製造方法として、以下の方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。すなわち、まず、複数の発光素子を配線基板上にフリップチップ実装し、次いで、複数の波長変換部材のそれぞれを複数の発光素子のそれぞれの上に積層する。続いて、封止部材を構成する樹脂をスクリーン印刷する。具体的には、樹脂をスキージで押し広げて、封止部材の表面を、波長変換部材の発光面（表面）の面上に沿うように形成する。その後、複数の発光素子の間、および、複数の波長変換部材の間における封止部材を、ダイシングにより切り出している。

国際公開２００９／０６９６７１

しかし、特許文献１に記載の方法では、複数の波長変換部材のそれぞれを、複数の発光素子のそれぞれに対応して、１つずつ積層するので、優れた製造効率で発光装置を製造することができないという不具合がある。

また、特許文献１に記載の方法では、発光素子に対する波長変換部材の位置精度が低下し易い。そのため、発光装置における光の取出効率を十分に向上させることができないという不具合がある。

本発明の目的は、蛍光体層の光半導体素子に対する位置精度を向上させて、光の取出効率に優れる蛍光体層−封止層付光半導体素子を、優れた製造効率で製造することのできる、蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法を提供することにある。

［１］本発明は、複数の光半導体素子を、蛍光体シートの厚み方向一方側に、互いに間隔を隔てて配置する素子配置工程と、前記複数の光半導体素子間の前記蛍光体シートを、前記蛍光体シートを厚み方向に貫通する隙間が形成されるように、切断して、前記複数の光半導体素子のそれぞれに対応する複数の蛍光体層のそれぞれを形成する第１切断工程と、封止シートを、前記隙間を充填し、かつ、前記光半導体素子の側面を被覆するように、形成するシート形成工程と、前記封止シートを厚み方向に沿って切断して、前記複数の光半導体素子のそれぞれおよび前記複数の蛍光体層のそれぞれに対応する、複数の封止層のそれぞれを形成する第２切断工程とを備えることを特徴とする、蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法である。

この方法によれば、第１切断工程において、複数の光半導体素子間の蛍光体シートを切断して、隙間を所望の寸法で確実に形成できるので、隙間の寸法精度を向上させることができる。また、シート形成工程において、封止シートを複数の蛍光体層間の隙間に充填し、続いて、第２切断工程において、封止シートを所望の寸法で確実に切断するので、隙間に充填された封止層の寸法精度を向上させることができる。そのため、光の取出効率に優れる蛍光体層−封止層付光半導体素子を製造することができる。

また、この方法は、蛍光体シートおよび封止シートを切断するので、製造効率に優れる。

［２］本発明は、前記複数の光半導体素子のそれぞれは、電極が設けられる電極面、前記電極面に対向し、発光層が設けられる発光面、および、前記電極面と前記発光面との周端縁を連結する前記側面を有し、前記素子配置工程では、前記発光面を前記蛍光体シートに配置し、前記シート形成工程は、前記封止シートを、前記隙間を充填し、前記側面および前記電極面を被覆するように、形成する電極面被覆工程と、前記封止シートの厚み方向一方側端部を除去して、前記電極面を露出させる除去工程とを備えることを特徴とする、上記［１］に記載の蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法である。

この方法によれば、電極面被覆工程において、封止シートを隙間に確実に充填し、封止シートにより光半導体素子の側面を確実に被覆することができる。また、除去工程において、電極面を露出させて、これを基板と確実に電気的に接続させることができる。

［３］本発明は、前記除去工程では、前記封止シートの前記厚み方向一方面を溶媒で拭くことを特徴とする、上記［２］に記載の蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法である。

この方法によれば、除去工程において、封止シートの厚み方向一方側端部を簡単に除去することができる。

［４］本発明は、前記シート形成工程は、Ｂステージの前記封止シートを、前記隙間を充填し、前記側面を被覆するように、配置するシート配置工程と、前記シート配置工程後、かつ、前記第２切断工程の前に、前記Ｂステージの封止シートをＣステージ化するＣステージ化工程とを備えることを特徴とする、上記［１］〜［３］のいずれか一項に記載の蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法である。

この方法によれば、シート配置工程において、Ｂステージの封止シートによって、隙間を簡単に充填し、側面を簡単に被覆することができる。また、Ｃステージ化工程において、Ｂステージの封止シートを、Ｃステージ化し、その後、第２切断工程を実施するので、Ｃステージの封止シートを優れた寸法精度で切断することができる。

［５］本発明は、前記第１切断工程および前記第２切断工程を、ともに、切断刃を用いて実施し、前記第１切断工程では、前記切断刃を前記蛍光体シートの厚み方向一方側に配置し、前記切断刃を前記厚み方向一方側から前記蛍光体シートに当接させ、前記第２切断工程では、前記切断刃を前記封止シートの厚み方向一方側に配置し、前記切断刃を前記厚み方向一方側から前記封止シートに当接させることを特徴とする、上記［１］〜［４］のいずれか一項に記載の蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法である。

この方法によれば、第１切断工程における切断刃の蛍光体シートに対する当接方向と、第２切断工程における切断刃の封止シートに対する当接方向とが、同一方向である。そのため、第１切断工程および第２切断工程を簡易かつ画一的に実施することができる。

［６］本発明は、前記素子配置工程の前に、前記蛍光体シートを、仮固定シートに仮固定する仮固定工程と、前記第２切断工程の後に、前記光半導体素子、前記蛍光体層および前記封止層を備える蛍光体層−封止層付光半導体素子を前記仮固定シートから剥離する剥離工程とをさらに備えることを特徴とする、上記［１］〜［５］のいずれか一項に記載の蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法である。

この方法によれば、仮固定工程において、蛍光体シートを仮固定シートに仮固定し、その後、素子配置工程を実施し、続いて、第１切断工程および第２切断工程を順にする。そのため、第１切断工程および第２切断工程のそれぞれの切断処理を、仮固定シートに仮固定された蛍光体シートおよび封止シートのそれぞれに対して確実に実施することができる。そのため、寸法精度に優れる蛍光体層および封止層を備える蛍光体層−封止層付光半導体素子を製造することができる。その結果、光の取出効率により一層優れる蛍光体層−封止層付光半導体素子を製造することができる。

［７］本発明は、前記封止シートが、光反射成分を含有することを特徴とする、上記［１］〜［６］のいずれか一項に記載の蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法である。

この方法によれば、封止層に光反射成分を含有させることができ、そのため、光半導体素子の側面から発光された光を反射させることができる。そのため、光の取出効率により一層優れる蛍光体層−封止層付光半導体素子を製造することができる。

本発明によれば、光の取出効率に優れる蛍光体層−封止層付光半導体素子を効率よく製造することができる。

図１Ａ〜図１Ｄは、本発明の蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法の第１実施形態の工程図であり、図１Ａは、仮固定工程図１Ｂは、素子配置工程、図１Ｃは、第１加熱工程、図１Ｄは、第１切断工程を示す。 図２Ｅ〜図２Ｇは、図１Ｄに引き続き、本発明の蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法の第１実施形態の工程図であり、図２Ｅは、シート配置工程、図２Ｆは、Ｃステージ化工程、図２Ｇは、除去工程を示す。 図３Ｈおよび図３Ｉは、図２Ｇに引き続き、本発明の蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法の第１実施形態の工程図であり、図３Ｈは、第２切断工程、図３Ｉは、剥離工程を示し、図３Ｊは、図３Ｉに示す蛍光体層−封止層付光半導体素子を用いて光半導体装置を製造する工程を示す。 図４Ａ〜図４Ｃは、本発明の蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法の第２実施形態の工程図の一部であり、図４Ａは、シート配置工程図４Ｂは、除去工程図４Ｃは、Ｃステージ化工程を示す。 図５Ａおよび図５Ａは、本発明の蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法の第３実施形態の工程図であり、図５Ａは、第１切断工程、図５Ｂは、シート配置工程を示す。 図６Ｃおよび図６Ｄは、図５Ｂに引き続き、本発明の蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法の第３実施形態の工程図であり、図６Ｃは、Ｃステージ化工程、図６Ｄは、除去工程を示す。 図７Ｅおよび図７Ｆは、図６Ｄに引き続き、本発明の蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法の第３実施形態の工程図であり、図７Ｅは、第２切断工程、図７Ｆは、剥離工程を示し、図７Ｇは、図７Ｆに示す蛍光体層−封止層付光半導体素子を用いて光半導体装置を製造する工程を示す。

図１Ａ〜図３Ｊにおいて、紙面上下方向は、上下方向（第１方向、厚み方向の一例）であり、紙面上側が上側（第１方向一方側、厚み方向一方側）、紙面下側が下側（第１方向他方側、厚み方向他方側）である。紙面左右方向は、左右方向（第１方向に直交する第２方向）であり、紙面左側が左側（第２方向一方側）、紙面右側が右側（第２方向他方側）である。紙厚方向は、前後方向（第１方向および第２方向に直交する第３方向）であり、紙面手前側が前側（第３方向一方側）、紙面奥側が後側（第３方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。

＜第１実施形態＞
本発明の蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法の第１実施形態は、仮固定工程（図１Ａ参照）と、素子配置工程（図１Ｂ参照）と、第１加熱工程（図１Ｃ参照）と、第１切断工程（図１Ｄ参照）と、電極面被覆工程の一例としてのシート配置工程（図２Ｅ参照）と、Ｃステージ化工程（図２Ｆ参照）と、除去工程（図２Ｇ参照）と、第２切断工程（図３Ｈ参照）と、剥離工程（図３Ｉ参照）とを備える。この第１実施形態では、仮固定工程と、素子配置工程と、第１加熱工程と、第１切断工程と、シート配置工程と、Ｃステージ化工程と、除去工程と、第２切断工程と、剥離工程とが、順に実施される。以下、各工程を詳説する。

１． 仮固定工程
図１Ａに示すように、仮固定工程を実施するには、まず、仮固定シート２を用意し、次いで、蛍光体シート３を仮固定シート２の表面に仮固定する。

仮固定シート２は、支持板４と、支持板４の上に配置される感圧接着層５とを備えている。仮固定シート２は、好ましくは、支持板４と感圧接着層５とのみからなる。

支持板４は、前後方向および左右方向に連続する層（平板）形状を有している。支持板４は、例えば、硬質の材料から形成されている。そのような材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、例えば、各種金属などが挙げられる。また、支持板４は、例えば、ポリオレフィンフィルム（ポリエチレンフィルムなど）、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルムであってもよい。支持板４の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。

感圧接着層５は、支持板４の上面に配置されている。感圧接着層５は、支持板４の上面において、シート形状を有している。感圧接着層５は、例えば、耐熱性に優れる感圧接着剤から形成されている。感圧接着層５の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１，０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。感圧接着層５の前後方向長さおよび左右方向長さは、支持板４のそれらに対して小さいかまたはそれらと同じ大きさである。

蛍光体シート３を仮固定シート２の表面に仮固定するには、まず、蛍光体シート３を用意する。図１Ａの仮想線で示すように、蛍光体シート３は、蛍光体部材７に備えられている。

蛍光体部材７は、第１剥離シート６と、第１剥離シート６に支持される蛍光体シート３とを備える。好ましくは、蛍光体部材７は、第１剥離シート６と蛍光体シート３とのみからなる。

第１剥離シート６は、前後方向および左右方向に連続する層（平板）形状を有している。第１剥離シート６は、例えば、可撓性の材料から形成されている。そのような材料としては、例えば、ポリオレフィン（ポリエチレンなど）、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーが挙げられる。また、第１剥離シート６は、ガラス板、セラミックスシート、各種金属箔であってもよい。第１剥離シート６の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。

蛍光体シート３は、第１剥離シート６の下面に配置されており、前後方向および左右方向に連続する層（平板）形状を有している。蛍光体シート３は、例えば、蛍光体および硬化性樹脂を含有するＢステージの蛍光組成物から形成されている。蛍光組成物は、好ましくは、蛍光体および硬化性樹脂からなる。

蛍光体は、光半導体素子１０（図１Ｂ参照）から発光される光を波長変換する。蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。

黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）_２ＳｉＯ_４；Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ_３Ａｌ_３Ｏ_１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。

赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ_２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。

蛍光体として、好ましくは、黄色蛍光体、より好ましくは、ガーネット型蛍光体が挙げられる。

蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。

蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。

蛍光体は、単独使用または併用することができる。

蛍光体の配合割合は、蛍光組成物に対して、例えば、５質量％以上、好ましくは、１０質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７０質量％以下である。

硬化性樹脂は、蛍光組成物において蛍光体を均一に分散させるマトリクスであって、また、Ｂステージ状態となることができ、それによって、蛍光体シート３が感圧接着層５および光半導体素子１０（図１Ｂ参照）に対して感圧接着する硬化性樹脂が挙げられる。硬化性樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線硬化性樹脂などが挙げられ、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。

熱硬化性樹脂としては、例えば、２段反応硬化性樹脂、１段反応硬化性樹脂が挙げられる。

２段反応硬化性樹脂は、２つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＢステージ化（半硬化）し、次いで、第２段の反応で、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。つまり、２段反応硬化性樹脂は、適度の加熱条件によりＢステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。Ｂステージ状態は、熱硬化性樹脂が、液状であるＡステージ状態と、完全硬化したＣステージ状態との間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージ状態の弾性率よりも小さい半固体または固体状態である。

１段反応硬化性樹脂は、１つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。このような１段反応硬化性樹脂は、第１段の反応の途中で、その反応が停止して、Ａステージ状態からＢステージ状態となることができ、その後のさらなる加熱によって、第１段の反応が再開されて、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる熱硬化性樹脂である。つまり、かかる熱硬化性樹脂は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。そのため、１段反応硬化性樹脂は、１段の反応の途中で停止するように制御できず、つまり、Ｂステージ状態となることができず、一度に、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）する硬化性樹脂を含まない。

要するに、熱硬化性樹脂は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。

熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられ、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。

上記した熱硬化性樹脂は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。

シリコーン樹脂としては、透明性、耐久性、耐熱性、耐光性の観点から、例えば、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物などのシリコーン樹脂組成物が挙げられ、好ましくは、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物が挙げられる。シリコーン樹脂は、単独で使用してもよく、あるいは、併用することもできる。

付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、１段反応硬化性樹脂組成物であって、例えば、アルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有する。付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物として、好ましくは、分子中にフェニル基を含有していてもよいアルケニル基含有ポリシロキサン（例えば、ビニル基含有ジフェニルシロキサン、ビニル基含有メチルフェニルシロキサンおよびビニル基含有ジメチルシロキサンをモノマーとして含有するビニル基含有ポリシロキサン）と、分子中にフェニル基を含有していてもよいヒドロシリル基含有ポリシロキサン（例えば、ヒドロシリル基含有ジフェニルシロキサン、ヒドロシリル基含有メチルフェニルシロキサンおよびヒドロシリル基含有ジメチルシロキサンをモノマーとして含有するヒドロシリル基含有ポリシロキサン）と、ヒドロシリル化触媒とを含有するフェニル系シリコーン樹脂組成物が挙げられる。但し、フェニル系シリコーン樹脂組成物中、アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンのうち、少なくとも一方は、フェニル基を含有する。なお、フェニル系シリコーン樹脂組成物の屈折率は、例えば、１．４５以上、さらには、１．５０以上である。

上記した付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、まず、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を配合することによって、Ａステージ（液体）状態として調製されて使用される。

付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、所望条件の加熱により、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化付加反応を生じ、その後、ヒドロシリル化付加反応が、一旦、停止する。これによって、Ａステージ状態からＢステージ（半硬化）状態となることができる。

その後、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、さらなる所望条件の加熱により、上記したヒドロシリル化付加反応が再開されて、完結する。これによって、Ｂステージ状態からＣステージ（完全硬化）状態となることができる。

縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、２段反応硬化性樹脂であって、具体的には、例えば、特開２０１０−２６５４３６号公報、特開２０１３−１８７２２７号公報などに記載される第１〜第８の縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、例えば、特開２０１３−０９１７０５号公報、特開２０１３−００１８１５号公報、特開２０１３−００１８１４号公報、特開２０１３−００１８１３号公報、特開２０１２−１０２１６７号公報などに記載されるかご型オクタシルセスキオキサン含有シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。なお、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、固体状であって、熱可塑性および熱硬化性を併有する。

そして、上記した熱硬化性樹脂は、少なくともＢステージ（半硬化）状態にあるときは、固体状である。そして、このような熱硬化性樹脂は、熱可塑性および熱硬化性を併有する。つまり、熱硬化性樹脂は、加熱により、一旦、可塑化した後、完全硬化する。より具体的には、熱硬化性樹脂は、昇温とともに、粘度が次第に下降し、その後、昇温を継続すると、粘度が次第に上昇する。

熱硬化性樹脂の配合割合は、蛍光体（および次に説明する光反射成分および／または添加剤）の配合割合の残部である。

蛍光組成物には、光反射成分（後述）および／または添加剤を、適宜の割合で含有することができる。

この方法では、まず、蛍光体部材７を用意する。具体的には、まず、蛍光組成物を調製する。蛍光組成物を調製するには、上記した蛍光体と、熱硬化性樹脂と、必要により配合される光反射成分および／または添加剤とを配合して、蛍光組成物のワニスを調製する。続いて、ワニスを、第１剥離シート６の表面に塗布する。その後、蛍光組成物を、加熱（ベイク）する。

加熱（ベイク）条件は、蛍光体シート３において動的粘弾性測定における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が所望の範囲となるように、適宜設定される。

つまり、加熱温度は、蛍光組成物における熱硬化性樹脂の組成によって適宜設定され、具体的には、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。

加熱時間は、例えば、２．５分以上、好ましくは、５．５分以上であり、また、例えば、４時間以下、好ましくは、１時間以下である。

これにより、Ｂステージ状態の蛍光体シート３が、第１剥離シート６の表面に形成される。

そして、このような蛍光体シート３を、周波数１Ｈｚおよび昇温速度２０℃／分の条件で動的粘弾性測定することにより得られる貯蔵剪断弾性率Ｇ’と温度Ｔとの関係を示す曲線は、極小値を有し、そのような極小値における温度Ｔが、４０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、上記した極小値における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、例えば、１，０００Ｐａ以上、好ましくは、１０，０００Ｐａ以上、より好ましくは、２０，０００Ｐａ以上、さらに好ましくは、３０，０００Ｐａ以上、また、例えば、９０，０００Ｐａ以下、好ましくは、７０，０００Ｐａ以下の範囲にある。

また、この蛍光体シート３は、微タック性（感圧接着性）を有している。

蛍光体シート３の厚みは、例えば、４０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、３００μｍ以下である。

次いで、蛍光体部材７の蛍光体シート３を、仮固定シート２に転写する。具体的には、蛍光体シート３の下面を、感圧接着層５の上面に接触させ、次いで、第１剥離シート６を蛍光体シート３から剥離する。これによって、蛍光体シート３を仮固定シート２に仮固定する。

２． 素子配置工程
図１Ｂに示すように、素子配置工程では、複数の光半導体素子１０を、蛍光体シート３の上面（厚み方向一方側面の一例）に、互いに間隔を隔てて配置する。

素子配置工程では、まず、複数の光半導体素子１０を用意する。

光半導体素子１０は、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換するＬＥＤやＬＤである。好ましくは、光半導体素子１０は、青色光を発光する青色ＬＥＤ（発光ダイオード素子）である。一方、光半導体素子１０は、光半導体素子とは技術分野が異なるトランジスタなどの整流器（半導体素子）を含まない。

光半導体素子１０は、前後方向および左右方向に沿う略平板形状を有している。また、光半導体素子１０は、平面視略矩形状を有している。光半導体素子１０は、電極面１１と、発光面１２と、側面の一例としての周側面１３とを有している。

電極面１１は、光半導体素子１０における上面であって、電極１４が形成されている面である。電極１４は、電極面１１から上側にわずかに突出する形状を有している。

発光面１２は、光半導体素子１０における下面であって、電極面１１に対して下側に間隔を隔てて対向配置されている。発光面１２は、平坦な形状を有している。発光面１２には、光半導体素子１０の下部に配置される発光層９が設けられている。

周側面１３は、電極面１１の周端縁と、発光面１２の周端縁とを連結している。

光半導体素子１０の寸法は、適宜設定されており、具体的には、厚み（高さ）Ｔ０が、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。光半導体素子１０の前後方向および／または左右方向における長さＬ１は、例えば、０．２ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、例えば、３．００ｍｍ以下、好ましくは、２．００ｍｍ以下である。

素子配置工程では、図１Ｂに示すように、複数の光半導体素子１０を、前後方向および左右方向に互いに間隔を隔てて、蛍光体シート３の上に配置する。具体的には、複数の光半導体素子１０の発光面１２を、次に述べる間隔Ｌ０およびピッチＬ２が確保されるように、蛍光体シート３の上面に感圧接着する。また、複数の光半導体素子１０を、電極１４が上側に向かうように、蛍光体シート３に感圧接着する。

互いに隣接する光半導体素子１０の間の間隔（前後方向および／または左右方向における間隔）Ｌ０は、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、１．５０ｍｍ以下、好ましくは、０．８０ｍｍ以下である。互いに隣接する光半導体素子１０のピッチＬ２、具体的には、上記した長さＬ１および間隔Ｌ０の和（Ｌ１＋Ｌ０）は、例えば、０．２５ｍｍ以上、好ましくは、０．６０ｍｍ以上であり、また、例えば、３．００ｍｍ以下、好ましくは、２．００ｍｍ以下である。

これにより、複数の光半導体素子１０を、蛍光体シート３に支持させる。また、互いに隣接する光半導体素子１０の間には、第１隙間１５が形成される。

第１隙間１５は、間隔Ｌ０に対応する寸法を有し、図１Ｂにおいて図示されないが、平面視において、略碁盤目形状を有している。第１隙間１５から、蛍光体シート３の上面が露出している。

３． 第１加熱工程
図１Ｃに示すように、第１加熱工程では、仮固定シート２、蛍光体シート３および複数の光半導体素子１０を、例えば、オーブン１７に投入して、加熱する。これにより蛍光体シート３の蛍光組成物が、Ｃステージ化（完全硬化）する。

加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１６０℃以下である。また、加熱時間が、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、４８０分以下、好ましくは、３００分以下である。なお、加熱を、異なる温度で複数回実施することもできる。

これによって、熱硬化性樹脂を硬化（Ｃステージ化）させる。すなわち、熱硬化性樹脂を完全に反応させて生成物を生成する。

とりわけ、シリコーン樹脂組成物の反応（Ｃステージ化反応）では、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル付加反応がさらに促進される。その後、アルケニル基、あるいは、ヒドロシリル基が消失して、ヒドロシリル付加反応が完結することによって、Ｃステージのシリコーン樹脂組成物、つまり、生成物（あるいは硬化物）が得られる。つまり、ヒドロシリル付加反応の完結により、シリコーン樹脂組成物において、硬化性（具体的には、熱硬化性）を発現する。

これによって、光半導体素子１０の発光面１２が蛍光体シート３の上面に対して接着する。発光面１２が蛍光体シート３の上面に直接接触する。つまり、光半導体素子１０が蛍光体シート３に固定される。

４． 第１切断工程
図１Ｄに示すように、複数の光半導体素子１０間の蛍光体シート３を、隙間の一例としての第２隙間１６が形成されるように、切断する。

つまり、第１隙間１５から露出する蛍光体シート３を切断する。蛍光体シート３を切断するには、例えば、切断刃を備える切断装置、例えば、レーザー照射源を備える切断装置が用いられる。

切断刃を備える切断装置としては、例えば、円盤状のダイシングソー（ダイシングブレード）１８を備えるダイシング装置、例えば、カッターを備えるカッティング装置が挙げられる。

レーザー照射源を備える切断装置としては、レーザー照射装置などが挙げられる。

好ましくは、切断刃を備える切断装置、より好ましくは、ダイシング装置が用いられる。ダイシングソー１８の刃厚Ｔ１は、径方向内側から外側に向かって同一である。ダイシングソー１８の刃厚Ｔ１は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、７００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。

切断刃を備える切断装置（好ましくは、ダイシング装置）で蛍光体シート３を切断するには、まず、仮固定シート２、蛍光体シート３および複数の光半導体素子１０を、蛍光体シート３がダイシングソー１８に対向配置されるように、切断装置内に設置する。続いて、切断刃（好ましくは、ダイシングソー１８）を、蛍光体シート３の上側から蛍光体シート３に当接させる。つまり、切断刃（ダイシングソー１８）を降下させて、切断刃（ダイシングソー１８）の下端部を蛍光体シート３の上面にあてがう。続いて、切断刃（ダイシングソー１８）を下端部が蛍光体シート３を厚み方向を貫通するように、切断刃（ダイシングソー１８）の下端部を蛍光体シート３の下面に到達させる。次いで、蛍光体シート３を前後方向に沿って、移動させる。その後、切断刃（ダイシングソー１８）を上昇させる。続いて、上記と同様の操作を左右方向に沿って実施する。なお、蛍光体シート３に対して、左右方向の切断と、前後方向の切断とを順に実施することもできる。

なお、第１切断工程において、図１Ｄに示すように、切断刃（ダイシングソー１８）の下端部は、蛍光体シート３の下面に到達し、感圧接着層５の上面に接触するが、感圧接着層５内に深く進入しない。

これによって、前後方向および左右方向に沿う平面視略碁盤目状（略井桁状、図１Ｄにおいて図示されず。）を有する第２隙間１６が形成される。また、第２隙間１６は、蛍光体シート３の厚み方向を貫通している。第２隙間１６は、第１隙間１５と厚み方向に互いに連通している。第２隙間１６は、厚み方向に投影したときに、第１隙間１５に含まれる寸法を有している。具体的には、第２隙間１６は、第１隙間１５より小さい寸法を有している。第２隙間１６の幅Ｌ４は、切断装置、具体的には、切断刃、好ましくは、ダイシングソー１８の寸法（具体的には、刃厚Ｔ１）に対応しており、光半導体素子１０の間の間隔（第１隙間１５の幅）Ｌ０に対して、例えば、９５％以下、好ましくは、９０％以下であり、また、例えば、５％以上である。具体的には、第２隙間１６の幅Ｌ４は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、７００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。

これにより、第２隙間１６から感圧接着層５が露出する。

また、蛍光体シート３は、第２隙間１６が形成されることにより、複数の蛍光体層２４を形成する。つまり、複数の蛍光体層２４のそれぞれは、複数の光半導体素子１０のそれぞれに対応しており、具体的には、複数の光半導体素子１０のそれぞれの下面に形成されている。複数の蛍光体層２４のそれぞれは、厚み方向に投影したときに、光半導体素子１０を含む平面視略矩形状を有している。蛍光体層２４は、第２隙間１６に面する側面２２を有している。

５． シート配置工程
図２Ｅに示すように、シート配置工程では、Ｂステージの封止シート１９を、第２隙間１６を充填し、周側面１３を被覆するように、配置する。

このシート配置工程では、まず、Ｂステージの封止シート１９を用意する。図２Ｅに示すように、封止シート１９は、封止部材２１に備えられている。

封止部材２１は、第２剥離シート２０と、第２剥離シート２０に支持される封止シート１９とを備える。好ましくは、封止部材２１は、第２剥離シート２０と封止シート１９とのみからなる。

第２剥離シート２０は、上記した支持板４と同一の材料からなり、前後方向および左右方向に連続する層（平板）形状を有している。第２剥離シート２０の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。

封止シート１９は、第２剥離シート２０の下面に形成されており、前後方向および左右方向に連続する層（平板）形状を有している。封止シート１９は、例えば、硬化性樹脂を含有するＢステージの封止組成物から調製されている。

硬化性樹脂は、蛍光組成物で例示した硬化性樹脂と同一である。

また、封止組成物は、例えば、光反射成分をさらに含有することができる。

光反射成分としては、例えば、無機粒子、有機粒子などの光反射粒子が挙げられる。

無機粒子としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、複合無機酸化物粒子（ガラスなど）などの酸化物、例えば、鉛白（塩基性炭酸鉛）、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、例えば、カオリンなどの粘土鉱物などが挙げられる。好ましくは、酸化物が挙げられる。

有機粒子としては、例えば、アクリル系樹脂粒子、スチレン系樹脂粒子、アクリル−スチレン系樹脂粒子、シリコーン系樹脂粒子、ポリカーボネート系樹脂粒子、ベンゾグアナミン系樹脂粒子、ポリオレフィン系樹脂粒子、ポリエステル系樹脂粒子、ポリアミド系樹脂粒子、ポリイミド系樹脂粒子などが挙げられる。好ましくは、アクリル系樹脂粒子が挙げられる。

光反射成分の含有割合は、封止組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、３質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７５質量％以下である。

また、封止組成物には、添加剤を、適宜の割合で含有することもできる。

封止シート１９を形成するには、例えば、まず、硬化性樹脂と、必要により添加される光反射成分および／または添加剤とを配合して、封止組成物のワニスを調製する。続いて、ワニスを、第２剥離シート２０の表面に塗布する。その後、封止組成物を、Ｂステージ化する（半硬化させる）。具体的には、封止組成物を、加熱する。

加熱温度は、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。加熱時間は、例えば、５分以上、好ましくは、１０分以上であり、また、例えば、２０分以下、好ましくは、１５分以下である。

これにより、封止シート１９を形成する。好ましくは、Ｂステージ状態の封止シート１９を、封止シート１９の表面に形成する。

封止シート１９の６０℃における溶融粘度は、例えば、４０Ｐａ・ｓ以上であり、例えば、１，０００Ｐａ・ｓ以下、好ましくは、３００Ｐａ・ｓ以下である。溶融粘度は、Ｅ型粘度計を用いて測定される。

次いで、シート配置工程では、図２Ｅの矢印で示すように、Ｂステージの封止シート１９を、仮固定シート２、蛍光体シート３および複数の光半導体素子１０に対して、圧着する（コンプレッション成形）。

具体的には、仮固定シート２、蛍光体シート３および複数の光半導体素子１０と、封止部材２１とを、封止シート１９と光半導体素子１０とが厚み方向に対向するように、プレス機にセットして、それらを、例えば、熱プレスする。

熱プレスの温度は、６０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下である。熱プレスの圧力は、例えば、０．０１ＭＰａ以上、好ましくは、０．１０ＭＰａ以上であり、また、例えば、１０．００ＭＰａ以下、好ましくは、５．００ＭＰａ以下である。熱プレスの時間は、例えば、１分以上、好ましくは、３分以上であり、また、例えば、６０分以下、好ましくは、３０分以下である。また、熱プレスは、複数回実施することができる。

この熱プレスによって、封止シート１９（封止組成物）が第１隙間１５および第２隙間１６に充填される。

封止シート１９は、第２隙間１６に充填されているので、光半導体素子１０の周側面１３および電極面１１を被覆している。また、封止シート１９は、電極１４を埋設して、電極１４の側面および上面を被覆している。

さらに、封止シート１９は、第１隙間１５に充填されているので、側面２２を被覆している。

このような封止シート１９は、前後方向および左右方向に沿う平坦な上面２３を有している。上面２３は、電極１４の上面に対して、上側に間隔を隔てて配置されている。

その後、第２剥離シート２０を封止シート１９から剥離する。

６． Ｃステージ化工程
図２Ｆに示すように、Ｃステージ化工程では、Ｂステージの封止シート１９をＣステージ化する。

具体的には、封止シート１９の硬化性樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、封止シート１９を、加熱して硬化（完全硬化）させる。封止シート１９を加熱するには、例えば、仮固定シート２、蛍光体層２４、光半導体素子１０および封止シート１９を、オーブン１７に投入する。

加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１５０℃以下である。また、加熱時間が、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、１８０分以下、好ましくは、１２０分以下である。

７． 除去工程
図２Ｇに示すように、除去工程では、封止シート１９の上端部（厚み方向一方側端部の一例）を除去する。

封止シート１９の上端部を除去するには、まず、封止シート１９の上面２３を溶媒で拭く。

溶媒としては、例えば、Ｃステージの封止シート１９（封止組成物）を完全または部分的に溶解することができる溶媒が選択される。具体的には、溶媒としては、有機溶媒、水系溶媒が挙げられる。有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノールなどのアルコール、例えば、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン、例えば、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、例えば、トルエンなどの芳香族炭化水素、例えば、テトラヒドロフランなどのエーテルなどが挙げられる。水系溶媒としては、例えば、水などが挙げられる。溶媒として、好ましくは、有機溶媒、より好ましくは、アルコール、芳香族炭化水素、さらに好ましくは、アルコールが挙げられる。

封止シート１９の上面２３を溶媒で拭くには、溶媒を布に吸収させ、その布によって、封止シート１９の上面２３を拭く。

これにより、封止シート１９の上端部が除去される。具体的には、封止シート１９において、光半導体素子１０の電極面１１の直上に位置していた部分が除去される。より詳しくは、封止シート１９において、電極面１１を被覆し、電極１４の上面および側面を被覆していた部分と、第１隙間１５の上側に位置していた部分とが、除去される。

そうすると、電極１４の上面および側面が露出し、続いて、電極面１１が露出する。

これにより、封止シート１９は、光半導体素子１０の電極面１１の直上に配置されず、第１隙間１５および第２隙間１６に充填され、複数の蛍光体層２４のそれぞれの側面２２と、複数の光半導体素子１０のそれぞれの周側面１３とを被覆するパターンに形成される。封止シート１９の上面２３は、光半導体素子１０の電極面１１（電極１４から露出する電極面１１）と、前後方向および左右方向に面一となる。つまり、封止シート１９の上面２３と、光半導体素子１０の電極面１１とは、前後方向および左右方向に沿う同一平面を形成する。なお、電極１４は、上記した平面から上側に向かって突出している。

上記したシート配置工程（図２Ｅ参照）と、Ｃステージ化工程（図２Ｆ参照）と、除去工程（図２Ｇ参照）とは、本発明のシート形成工程に含まれる。つまり、シート形成工程は、封止シート１９を、第２隙間１６を充填し、かつ、光半導体素子１０の周側面１３を被覆するように、形成する工程である。また、シート形成工程は、封止シート１９をＣステージ化（完全硬化）し、上端部が除去された封止シート１９を形成する工程でもある。

８． 第２切断工程
図３Ｈに示すように、第２切断工程では、封止シート１９を厚み方向に沿って切断する。

第２切断工程では、第１隙間１５および第２隙間１６に充填された封止シート１９を切断する。これにより、複数の光半導体素子１０のそれぞれ、および、複数の蛍光体層２４のそれぞれに対応する、複数の封止層２５のそれぞれを形成する。

第２切断工程では、上記した第１切断工程で例示した切断装置および方法と同様の切断装置および方法が用いられる。ダイシングソー２７の刃厚Ｔ２は、第１切断工程におけるダイシングソー１８の刃厚Ｔ１に対して薄く、例えば、刃厚Ｔ１に対して、例えば、９５％以下、好ましくは、９０％以下、より好ましくは、８０％以下であり、また、５％以上である。また、ダイシングソー２７の刃厚Ｔ２は、径方向内側から外側に向かって同一である。ダイシングソー２７の刃厚Ｔ２は、具体的には、ダイシングソー２７の刃厚Ｔ２は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

第２切断工程において、切断刃を備える切断装置（好ましくは、ダイシング装置）で封止シート１９を切断するには、まず、仮固定シート２、蛍光体シート３、光半導体素子１０および封止シート１９を、切断装置に設置し、続いて、切断刃（好ましくは、ダイシングソー２７）を、封止シート１９の上側から封止シート１９に当接させる。つまり、切断刃（ダイシングソー２７）を降下させて、切断刃（ダイシングソー２７）の下端部を封止シート１９の上面にあてがう。続いて、切断刃（ダイシングソー２７）を下端部が封止シート１９を厚み方向を貫通するように、切断刃（ダイシングソー２７）の下端部を封止シート１９の下面に到達させる。続いて、封止シート１９を前後方向に沿って、移動させる。その後、切断刃（ダイシングソー２７）を上昇させる。その後、上記と同様の操作を左右方向に沿って実施する。なお、封止シート１９に対して、左右方向の切断と、前後方向の切断とを順に実施することもできる。

なお、第２切断工程において、切断刃（ダイシングソー２７）の下端部は、封止シート１９の下面に到達し、感圧接着層５の上面に接触するが、感圧接着層５内に深く進入しない。

封止シート１９の切断によって、封止シート１９には、互いに隣接する光半導体素子１の間、および、互いに隣接する蛍光体層２４の間において、前後方向および左右方向に沿って整列する第３隙間２６が形成される。第３隙間２６は、封止シート１９を厚み方向に貫通している。第３隙間２６は、図３Ｈにおいて図示されないが、平面視において、略碁盤目形状を有している。第３隙間２６の幅Ｗ１は、切断装置、具体的には、切断刃、好ましくは、ダイシングソー２７の刃厚Ｔ２に対応している。

第３隙間２６の幅Ｗ１は、第２隙間１６の幅Ｌ４（図１Ｄ参照）に対して狭く、第２隙間１６の幅Ｌ４に対して、例えば、９５％以下、好ましくは、９０％以下、より好ましくは、８０％以下であり、また、５％以上である。第３隙間２６の幅Ｗ１は、具体的には、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

図３Ｉに示すように、これにより、１つの光半導体素子１０と、光半導体素子１０の発光面１２を被覆する１つの蛍光体層２４と、蛍光体層２４の側面２２および光半導体素子１０の周側面１３を被覆する１つの封止層２５とを備える蛍光体層−封止層付光半導体素子１を、仮固定シート２に仮固定された状態で、複数得る。また、図３Ｈに示すように、複数の蛍光体層−封止層付光半導体素子１は、仮固定シート２に仮固定された状態で、前後方向および左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。

９． 剥離工程
図３Ｈの矢印で示すように、剥離工程では、蛍光体層−封止層付光半導体素子１を仮固定シート２から剥離する。具体的には、封止層２５の下面、および、蛍光体層２４の下面を、感圧接着層５の上面から離間させる。

蛍光体層−封止層付光半導体素子１を仮固定シート２から剥離するには、例えば、コレットおよびそれに接続される吸引ポンプを備えるピックアップ装置（図示せず）などを用いる。

これによって、図３Ｉに示すように、１つの光半導体素子１０と、１つの蛍光体層２４と、１つの封止層２５とを備える蛍光体層−封止層付光半導体素子１を得る。好ましくは、蛍光体層−封止層付光半導体素子１は、１つの光半導体素子１０と、１つの蛍光体層２４と、１つの封止層２５とのみからなる。

蛍光体層−封止層付光半導体素子１において、蛍光体層２４の下面と、封止層２５の下面とは、前後方向および左右方向に面一となっている。また、光半導体素子１０の電極面１１は、封止層２５の上面と、前後方向および左右方向に面一となっている。光半導体素子１０の周側面１３と、蛍光体層２４の上面の周端部および側面とは、封止層２５によって被覆されている。

蛍光体層−封止層付光半導体素子１は、封止層２５の平面視形状（具体的には、略矩形枠形状の外形形状）と同一の平面視形状（具体的には、略矩形形状）、および、外形寸法を有している。

封止層２５は、蛍光体層２４より大きい平面視形状および寸法を有している。封止層２５において、平面視で蛍光体層２４より外側に位置する部分の幅Ｗ３は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、６００μｍ以下、好ましくは、４００μｍ以下である。封止層２５において、平面視で蛍光体層２４の側面２２と光半導体素子１０の周側面１３との間隔Ｗ２は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、３００μｍ以下である。封止層２５において光半導体素子１０より外側に位置する部分の幅Ｗ４は、Ｗ２およびＷ３の総和（Ｗ２＋Ｗ３）であり、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、６００μｍ以下である。

この蛍光体層−封止層付光半導体素子１は、次に説明する光半導体装置３０（図３Ｊ参照）ではなく、つまり、光半導体装置３０に備えられる基板２８を含まない。つまり、蛍光体層−封止層付光半導体素子１では、光半導体素子１０の電極１４が、基板２８に設けられる端子２９と電気的に接続されていない。つまり、蛍光体層−封止層付光半導体素子１は、光半導体装置３０の一部品、すなわち、光半導体装置３０を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。

１０． 光半導体装置の製造
その後、図３Ｊに示すように、蛍光体層−封止層付光半導体素子１の電極１４を、基板２８の上面に設けられた端子２９に電気的に接続する。具体的には、蛍光体層−封止層付光半導体素子１を上下反転し、その後、それを基板２８にフリップチップ実装する。

これによって、蛍光体層−封止層付光半導体素子１と、基板２８とを備える光半導体装置３０を得る。つまり、光半導体装置３０は、基板２８と、基板２８に実装される光半導体素子１０と、光半導体素子１０の上面に配置される蛍光体層２４と、光半導体素子１０の周側面１３および蛍光体層２４の側面２２を被覆し、光半導体素子１０の電極面１１を露出する封止層２５とを備える。好ましくは、光半導体装置３０は、基板２８と、光半導体素子１０と、蛍光体層２４と、封止層２５とのみからなる。光半導体装置３０では、発光層９が、蛍光体層２４に接触している。また、蛍光体層２４の上面は、封止層２５から上方に露出している。

なお、図３Ｊで図示しないが、別の封止層を、封止層２５および蛍光体層２４と、基板２８との間に、電極１４および端子２９を埋設するように、充填することもできる。

１１． 作用効果
そして、上記の方法によれば、図１Ｄに示すように、第１切断工程において、複数の光半導体素子１０間の蛍光体シート３を切断して、第２隙間１６を所望の寸法で確実に形成できるので、第２隙間１６の寸法精度を向上させることができる。また、シート形成工程において、図２Ｅに示すように、封止シート１９を第２隙間１６に充填し、続いて、図３Ｈに示すように、第２切断工程において、封止シート１９を所望の寸法で確実に切断するので、第２隙間１６に充填された封止層２５の寸法精度を向上させることができる。そのため、光の取出効率に優れる蛍光体層−封止層付光半導体素子１を製造することができる。

また、この方法は、図１Ｄおよび図３Ｈに示すように、蛍光体シート３および封止シート１９を切断するので、製造効率に優れる。

また、この方法によれば、図２Ｅに示すように、シート配置工程において、封止シート１９を第２隙間１６に確実に充填し、封止シート１９により光半導体素子１０の周側面１３を確実に被覆することができる。また、図２Ｇに示すように、除去工程において、電極面１１を露出させ、その後、図３Ｊに示すように、これを基板２８の端子２９と確実に電気的に接続させることができる。

また、この方法によれば、図２Ｇに示すように、除去工程において、封止シート１９の上面を溶媒で拭けば、封止シート１９の上端部を簡単に除去することができる。

また、この方法によれば、図２Ｅに示すように、シート配置工程において、Ｂステージの封止シート１９によって、第２隙間１６を簡単に充填し、周側面１３を簡単に被覆することができる。また、図２Ｆに示すように、Ｃステージ化工程において、Ｂステージの封止シート１９を、Ｃステージ化し、その後、図３Ｈに示す第２切断工程を実施するので、Ｃステージの封止シート１９を優れた寸法精度で切断することができる。

また、この方法によれば、図１Ｄに示す第１切断工程における切断刃の蛍光体シート３に対する当接方向と、図３Ｈに示す第２切断工程における切断刃の封止シート１９に対する当接方向とが同一方向、つまり、上側から下側に向かう方向である。そのため、第１切断工程および第２切断工程を簡易かつ画一的に実施することができる。

また、この方法によれば、図１Ａに示すように、仮固定工程において、蛍光体シート３を仮固定シート２に仮固定し、その後、図１Ｂに示す素子配置工程を実施し、続いて、図１Ｄに示す第１切断工程および図３Ｈに示す第２切断工程を順に実施する。そのため、第１切断工程および第２切断工程のそれぞれの切断処理を、仮固定シート２に仮固定された蛍光体シート３および封止シート１９のそれぞれに対して確実に実施することができる。そのため、寸法精度に優れる蛍光体層２４および寸法精度に優れる封止層２５を備える蛍光体層−封止層付光半導体素子１を製造することができる。

また、この方法によれば、封止層２５に光反射成分を含有させることができ、そのため、光半導体素子１０の周側面１３から発光された光を反射させることができる。そのため、光の取出効率に優れる蛍光体層−封止層付光半導体素子１を製造することができる。

１２． 変形例
上記した第１実施形態では、第１切断工程において、図１Ｄに示すように、切断刃（ダイシングソー１８）の下端部が、感圧接着層５内に深く進入していないが、例えば、図示しないが、感圧接着層５内に深く進入することもできる。

また、上記した第１実施形態では、第２切断工程において、図３Ｈに示すように、切断刃（ダイシングソー２７）の下端部が、感圧接着層５内に深く進入していないが、例えば、図示しないが、感圧接着層５内に深く進入することもできる。

上記した第１実施形態では、図１Ｄに示す第１切断工程における切断刃の蛍光体シート３に対する当接方向（上側から下側）と、図３Ｈに示す第２切断工程における切断刃の封止シート１９に対する当接方向（上側から下側）とが同一方向であるが、これに限定されず、異なる方向であってもよい。例えば、図１Ｄに示す第１切断工程における切断刃の蛍光体シート３に対する当接方向を上側から下側にし、第２切断工程における切断刃の封止シート１９に対する当接方向を下側から上側にすることもできる。その場合には、図３Ｈが参照されるように、第２切断工程において、切断刃（好ましくは、ダイシングソー２７）によって、仮固定シート２と封止シート１９とを、下側から上側に向かって、順に切断する。これによって、封止シート１９は、仮固定シート２とともに、切断されて、個片化される。

好ましくは、第１実施形態では、図１Ｄに示す第１切断工程における切断刃の蛍光体シート３に対する当接方向と、図３Ｈに示す第２切断工程における切断刃の封止シート１９に対する当接方向とを同一方向にする。

２つの当接方向が異なる場合には、切断刃を蛍光体シート３および封止シート１９に対して上下別々に配置する必要があり、製造工程が複雑となる。また、仮固定シート２を切断するので、蛍光体層−封止層付光半導体素子１の取扱性が低下する場合がある。

対して、２つの当接方向が同一である場合には、切断刃を蛍光体シート３および封止シート１９に対して一方向、具体的には、上側のみに配置すればよいので、製造工程を簡易にすることができる。また、仮固定シート２を切断しないので、仮固定シート２の取扱性の低下を防止することができる。

また、上記した第１実施形態では、図１Ｂに示すように、素子配置工程では、光半導体素子１０の発光面１２を蛍光体シート３に接触させているが、これに限定されない。例えば、図示しないが、光半導体素子１０の電極面１１を蛍光体シート３に接触させることもできる。その場合には、図示しないが、除去工程（図２Ｇ参照）において、発光面１２を露出させる。

また、上記した第１実施形態では、図２Ｇに示す除去工程において、封止シート１９の上面２３を溶媒で拭いている。しかし、これに限定されない。例えば、封止シート１９の上端部を、例えば、エッチング、グラインド加工することもできる。なお、グラインド加工は、電極１４を損傷させる場合があるので、好ましくは、エッチングする。

より好ましくは、封止シート１９の上面２３を溶媒で拭く。この方法であれば、封止シート１９の上端部を除去して、電極１４の上面および側面を確実、迅速、かつ、簡便に露出させることができる。

また、封止シート１９の上面２３を溶媒で拭いた後、封止シート１９における所望の上端部（具体的には、電極１４の上面および側面を被覆していた部分）が残存する場合には、さらに、図示しない感圧接着シートによって、封止シート１９の上端部を除去することもできる。具体的には、溶媒で拭かれた封止シート１９の上面２３に、感圧接着シートを感圧接着させ、続いて、感圧接着シートを引き剥がす。

あるいは、例えば、バフなどの布、例えば、ブラシ、例えば、ウォーターブラストなどの研磨部材によって、封止シート１９の上端部を除去することもできる。

また、上記した第１実施形態では、図２Ｅに示すように、シート配置工程において、封止部材２１に備えられるＢステージの封止シート１９をコンプレッション成形して、第１隙間１５および第２隙間１６に充填している。しかし、シート配置工程は、上記に限定されない。例えば、Ｂステージの封止組成物を用いてトランスファー成形することもできる。さらには、Ａステージの封止組成物のワニスを仮固定シート２、蛍光体シート３および複数の光半導体素子１０に対して塗布あるいは滴下（ポッティング）することもできる。トランスファー成形、塗布および滴下のうち、好ましくは、塗布および滴下が挙げられる。

塗布および滴下を用いる場合には、仮固定シート２、蛍光体シート３および複数の光半導体素子１０に対して塗布および滴下されたＡステージのワニスをＢステージ化して、封止シート１９を形成する。

また、上記した第１実施形態では、シート配置工程（図２Ｅ参照）と、除去工程（図２Ｇ参照）とを実施しているが、例えば、シート配置工程（図２Ｅ参照）を実施することなく、図２Ｇに示すように、封止シート１９を、第２隙間１６を充填し、かつ、光半導体素子１０の周側面１３を被覆するように、形成するシート形成工程を実施することもできる。

すなわち、このシート形成工程では、封止シート１９によって、電極面１１と、電極１４の上面および側面とを被覆するシート配置工程（図２Ｅ参照）を実施せず、図２Ｇが参照されるように、上記した封止シート１９を、電極面１１と、電極１４の上面および側面とを露出し、周側面１３および側面２２を被覆するように、第１隙間１５および第２隙間１６に充填する。例えば、上記したＡステージのワニス第１隙間１５および第２隙間１６に滴下する。

好ましくは、簡便かつ確実な作業性を確保する観点から、シート配置工程（図２Ｅ参照）と、除去工程（図２Ｇ参照）とを実施する。

また、上記した第１実施形態では、図１Ａに示すように、蛍光体シート３を第１剥離シート６の表面に形成した後、蛍光体シート３を第１剥離シート６から仮固定シート２に転写している。しかし、これに限定されず、蛍光体シート３を仮固定シート２の表面（具体的には、感圧接着層５の上面）に直接形成することもできる。その場合には、蛍光組成物のワニスを仮固定シート２の表面に塗布し、その後、これをＢステージ化する。この方法であれば、第１剥離シート６を使用する必要がないので、蛍光体シート３を簡単に形成することができる。

また、上記した第１実施形態では、図１Ａに示すように、蛍光体シート３を仮固定シート２に仮固定し、その後、図３Ｈに示すように、蛍光体層−封止層付光半導体素子１を仮固定シート２から剥離している。しかし、仮固定シート２を用いることなく、蛍光体層−封止層付光半導体素子１を製造することもできる。

好ましくは、仮固定シート２を用いて蛍光体層−封止層付光半導体素子１を製造する。この方法によれば、上記したように、第１切断工程および第２切断工程のそれぞれの切断処理を、仮固定シート２に仮固定された蛍光体シート３および封止シート１９のそれぞれに対して確実に実施することができる。

また、上記した第１実施形態では、図１Ａの仮想線で示すように、Ｂステージの蛍光体シート３を用意しているが、例えば、Ｃステージの蛍光体シート３を用意し、これを仮固定シート２に仮固定することもできる。

この方法では、図１Ａに示すように、Ｃステージの蛍光体シート３を仮固定シート２の上に仮固定し、その後、図１Ｂが参照されるように、蛍光体シート３の上面に、例えば、熱硬化性樹脂などからなる接着層（図１Ｂにおいて図示せず）を設ける。その後、光半導体素子１０をＣステージの蛍光体シート３の上面に仮固定する。その後、図１Ｃに示すように、それらをオーブン１７に投入して、接着層を加熱して硬化させ、かかる接着層によって光半導体素子１０を蛍光体シート３の上面に接着する。なお、接着層を、予め、蛍光体シート３の上面に設け、次いで、接着層が設けられたＣステージの蛍光体シート３を、仮固定シート２に仮固定することもできる。

また、Ｃステージの蛍光体シート３がタック性（自己接着性）を有する場合には、上記した接着層を設けず、上記したタック性に基づいて、光半導体素子１０を蛍光体シート３の上面に仮固定し、その後、図１Ｃに示すように、蛍光体シート３をさらに加熱することにより、光半導体素子１０を蛍光体シート３の上面に接着する。

また、上記した第１実施形態は、蛍光体シート３を、蛍光体および硬化性樹脂を含有するＢステージまたはＣステージの蛍光組成物から形成しているが、例えば、蛍光体セラミックスから形成することもできる。

そのような蛍光体シート３は、上記した蛍光体のセラミックス（焼成体）から板状に形成された蛍光体セラミックスプレートである。

この方法では、上記した蛍光体シート３を、仮固定シート２の上に仮固定し、その後、蛍光体シート３の上面に、例えば、熱硬化性樹脂などからなる接着層を設ける。その後、図１Ｃに示すように、それらをオーブン１７に投入して、接着層を加熱して硬化させて、接着層によって光半導体素子１０を蛍光体シート３の上面に接着する。

また、上記した複数の変形例を適宜組み合わせることができる。

＜第２実施形態＞
第２実施形態において、第１実施形態と同じ部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

第２実施形態では、除去工程およびＣステージ工程を順次実施する。具体的には、図４Ｂに示すように、まず、除去工程を実施し、その後、図４Ｃに示すように、Ｃステージ化工程を実施する。

図４Ｂに示すように、除去工程では、Ｂステージの封止シート１９の上端部を除去する。この除去工程では、感圧接着シートを用いる方法、溶媒を用いる方法、研磨部材を用いる方法が採用される。これらは、単独使用または併用される。

＜第２実施形態の変形例＞
図示しないが、除去工程をＣステージ化工程の前後にわたって実施することもできる。例えば、まず、溶媒で、Ｂステージの封止シート１９の上端部を拭き、その後、封止シート１９をＣステージ化させ、その後、封止シート１９の上端部において残存する部分を、感圧接着シートによって除去する。

＜第３実施形態＞
第３実施形態において、第１および第２実施形態と同じ部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

第１実施形態では、図１Ｄに示すように、「４． 第１切断工程」において、径方向内側から外側に向かうに従って、同一である刃厚Ｔ１を有するダイシングソー１８（切断装置の一例）を用いて、蛍光体層２６を切断する。つまり、側面２２は、厚み方向に沿うフラット面を有する。

１．第１切断工程
しかし、第３実施形態の「第１切断工程」では、図５Ａに示すように、径方向内側から外側に向かうに従って刃厚が狭くなる第２ダイシングソー（ダイシングブレード、切断装置の一例）３２を用いて、蛍光体シート３を切断する。

第２ダイシングソー３２は、径方向外側に向かって幅狭となり、左右方向に対向する２つのテーパー面３３および３４と、２つのテーパー面の径方向外端縁（周端縁）を連結する周端面３５とを連続して有する。

２つのテーパー面３３および３４の斜度は、例えば、同一である。

２つのテーパー面３３および３４のそれぞれの、径方向に沿う仮想面Ｓ２に対する角度α１は、例えば、１０度以上、好ましくは、３０度以上であり、また、例えば、６０度以下、好ましくは、８０度以下である。

なお、角度α１は、２つのテーパー面３３および３４のうちのいずれか一方と、第２ダイシングソー３２の周端面３５とのなす角βから、９０度（直角）を差し引いた値（β−９０）である。

周端面３５の幅方向長さ（図５Ａにおける左右方向長さ）Ｔ６は、第２ダイシングソー３２の中心の幅Ｔ７と比べて小さい。また、第２ダイシングソー３２の周端面３５の幅方向長さＴ６は、後述する第３隙間２６（図７Ｅ参照）を封止層２５に形成できる長さに調整されており、詳しくは、第３隙間２６の幅Ｗ１（ダイシングソー２７の刃厚Ｔ２）に比べて、小さい。具体的には、第２ダイシングソー３２の周端面３５の幅方向長さＴ６は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、６００μｍ以下、好ましくは、４００μｍ以下である。また、第２ダイシングソー３２の周端面３５の幅方向長さＴ６は、隣接する光半導体素子１０の間隔Ｌ０と比べて小さく、詳しくは、間隔Ｌ０に対して、例えば、９０％以下、好ましくは、８０％以下、例えば、１％以上であり、具体的には、例えば、６００μｍ以下、好ましくは、４００μｍ以下、例えば、１０μｍ以上である。

第１切断工程によって、下側に向かうに従って、開口断面積が小さくなる第２隙間１６が形成される。第２隙間１６は、第２ダイシングソー３２の２つのテーパー面３３および３４に対応する形状を有する。

第２隙間１６は、開口断面積が下側に向かうに従って小さくなる形状を有する。具体的には、第２隙間１６は、断面視において、厚み方向に沿って延びる２つの側面２２間の間隔が下側に向かうに従って狭くなる形状を有する。

１つの第２隙間１６に臨む、２つの側面２２の下端部の間の間隔Ｌ４は、第２ダイシングソー３２の周端面３５の上記した幅方向長さＴ６と略同一であり、具体的には、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、６００μｍ以下、好ましくは、４００μｍ以下である。

２． 第２切断工程
図７Ｅに示すように、ダイシングソー２７の刃厚Ｔ２は、上記した間隔Ｌ４（図５Ａ参照）に対して小さく、間隔Ｌ４に対して、例えば、９５％以下、好ましくは、９０％以下、また、例えば、５％以上である。具体的には、ダイシングソー２７の刃厚Ｔ２は、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下、また、例えば、１０μｍ以上である。

仮固定シート２に仮固定されている蛍光体層−封止層付光半導体素子１の封止層２５において、平面視で蛍光体層２４の側面２２の下端縁より外側に位置する部分の幅Ｗ３は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、６００μｍ以下、好ましくは、４００μｍ以下である。また、蛍光体層−封止層付光半導体素子１の封止層２５において、平面視で蛍光体層２４の側面２２の上端縁と光半導体素子１０の周側面１３との間隔Ｗ２は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、３００μｍ以下である。封止層２５において、平面視で光半導体素子１０の周側面１３と、封止層２５の側面との間に位置する部分の幅Ｗ４は、蛍光体層２４の厚みＴ３とする場合に、下記式で表される。

Ｗ４＝Ｗ２＋Ｗ３＋（Ｔ３×ｔａｎα２）
α２は、蛍光体層２４の側面２２と、蛍光体層２４の厚み方向に沿う仮想面Ｓ１との成す角度α２（図７Ｆの拡大図参照）であり、上記した第２ダイシングソー３２（図５Ａ参照）の２つのテーパー面３３および３４のうちのいずれか一方の、径方向に沿う仮想面に対する角度α１と同一である。

具体的には、封止層２５の上端部の幅Ｗ４は、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、６００μｍ以下である。

３． 第３実施形態の作用効果
この方法によれば、図５Ａに示すように、第２ダイシングソー３２を用いて、蛍光体層２４を切断して、下底より長い上底を有する断面略台形状を有する第２隙間１６を形成する。これによって、蛍光体層２４の側面２２を、容易にテーパー面とすることができる。

また、この蛍光体層−封止層付光半導体素子１、および、光半導体装置３０では、蛍光体層２４の側面２２が上記したテーパー面であるので、光取出し効率が、側面２２が厚み方向に沿うフラット面である第１実施形態（図３Ｊ参照）と比較して、増加することができる。

１ 蛍光体層−封止層付光半導体素子
２ 仮固定シート
３ 蛍光体シート
８ 光半導体素子
１０ 光半導体素子
１１ 電極面
１２ 発光面
１３ 周側面
１４ 電極
１５ 第１隙間
１６ 第２隙間
１８ ダイシングソー
１９ 封止シート
２４ 蛍光体層
２５ 封止層
２７ ダイシングソー
２８ 基板
３０ 光半導体装置
３２ 第２ダイシングソー

Claims (7)

1. 複数の光半導体素子を、蛍光体シートの厚み方向一方側に、互いに間隔を隔てて配置する素子配置工程と、
   前記複数の光半導体素子間の前記蛍光体シートを、前記蛍光体シートを厚み方向に貫通する隙間が形成されるように、切断して、前記複数の光半導体素子のそれぞれに対応する複数の蛍光体層のそれぞれを形成する第１切断工程と、
   封止シートを、前記隙間を充填し、かつ、前記光半導体素子の側面を被覆するように、形成するシート形成工程と、
   前記封止シートを厚み方向に沿って切断して、前記複数の光半導体素子のそれぞれおよび前記複数の蛍光体層のそれぞれに対応する、複数の封止層のそれぞれを形成する第２切断工程と
   を備えることを特徴とする、蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法。
2. 前記複数の光半導体素子のそれぞれは、電極が設けられる電極面、前記電極面に対向し、発光層が設けられる発光面、および、前記電極面と前記発光面との周端縁を連結する前記側面を有し、
   前記素子配置工程では、前記発光面を前記蛍光体シートに配置し、
   前記シート形成工程は、
   前記封止シートを、前記隙間を充填し、前記側面および前記電極面を被覆するように、形成する電極面被覆工程と、
   前記封止シートの厚み方向一方側端部を除去して、前記電極面を露出させる除去工程と
   を備えることを特徴とする、請求項１に記載の蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法。
3. 前記除去工程では、前記封止シートの前記厚み方向一方面を溶媒で拭くことを特徴とする、請求項２に記載の蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法。
4. 前記シート形成工程は、
   Ｂステージの前記封止シートを、前記隙間を充填し、前記側面を被覆するように、配置するシート配置工程と、
   前記シート配置工程後、かつ、前記第２切断工程の前に、前記Ｂステージの封止シートをＣステージ化するＣステージ化工程と
   を備えることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法。
5. 前記第１切断工程および前記第２切断工程を、ともに、切断刃を用いて実施し、
   前記第１切断工程では、前記切断刃を前記蛍光体シートの厚み方向一方側に配置し、前記切断刃を前記厚み方向一方側から前記蛍光体シートに当接させ、
   前記第２切断工程では、前記切断刃を前記封止シートの厚み方向一方側に配置し、前記切断刃を前記厚み方向一方側から前記封止シートに当接させることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法。
6. 前記素子配置工程の前に、前記蛍光体シートを、仮固定シートに仮固定する仮固定工程と、
   前記第２切断工程の後に、前記光半導体素子、前記蛍光体層および前記封止層を備える蛍光体層−封止層付光半導体素子を前記仮固定シートから剥離する剥離工程と
   をさらに備えることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法。
7. 前記封止シートが、光反射成分を含有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の蛍光体層−封止層付光半導体素子の製造方法。

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