JP2018120397A - タッチセンサ及びタッチセンサ内蔵表示装置 - Google Patents

タッチセンサ及びタッチセンサ内蔵表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】交差部が視認されにくいタッチセンサを提供する。
【解決手段】タッチセンサは、2次元的に配列された複数の第1電極であって、第1方向に隣り合う第1電極が第1電極と同層又は異層の第1接続線を介して接続された複数の第1電極と、第1電極と同層で2次元的に配列され、それぞれが第1電極に囲まれた複数の第2電極であって、第2方向に隣り合う第2電極が、第1接続線と平面視で交差する、第1電極及び第2電極と同層又は異層の第2接続線を介して接続された複数の第2電極と、第1接続線と第2接続線との間に介在する絶縁膜と、を備え、第1電極及び第2電極と同層の第1接続線と第1電極及び第2電極と異層の第2接続線とが交差する第1交差部と、第1電極及び第2電極と異層の第1接続線と第1電極及び第2電極と同層の第2接続線とが交差する第2交差部と、が隣り合う。
【選択図】図4

Description

本発明は、タッチセンサ及びタッチセンサ内蔵表示装置に関する。
特許文献1には、隣り合う本体部が接続部を介して接続されたX方向に延びる第1の電極と、隣り合う本体部が接続部を介して接続されたY方向に延びる第2の電極とが封止膜を挟んで配置された静電容量方式タッチセンサを内蔵する表示装置が開示されている。
特開2015−50245号公報
ところで、本願の発明者らは、静電容量方式タッチセンサの2種類の電極を同層に形成することを検討している。この場合、第1電極の隣同士を接続する第1接続線と、第2電極の隣同士を接続する第2接続線との一方を、電極層とは絶縁膜を隔てた別の層に形成して他方と平面視で交差させる必要がある。しかし、例えば第1接続線のみを別の層に形成すると、向きが揃った多数の形状が配列することになるため、交差部が視認されやすくなるおそれがある。
本発明の目的は、交差部が視認されにくいタッチセンサ及びタッチセンサ内蔵表示装置を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明のタッチセンサは、2次元的に配列された複数の第1電極であって、第1方向に隣り合う第1電極が前記第1電極と同層又は異層の第1接続線を介して接続され、前記第1方向と交差する第2方向に隣り合う第1電極は接続されない、複数の第1電極と、前記第1電極と同層で2次元的に配列され、それぞれが前記第1電極に囲まれた複数の第2電極であって、前記第2方向に隣り合う第2電極が、前記第1接続線と平面視で交差する、前記第1電極及び前記第2電極と同層又は異層の第2接続線を介して接続され、前記第1方向に隣り合う第2電極は接続されない、複数の第2電極と、前記第1接続線と前記第2接続線との間に介在する絶縁膜と、を備え、前記第1電極及び前記第2電極と同層の前記第1接続線と前記第1電極及び前記第2電極と異層の第2接続線とが交差する第1交差部と、前記第1電極及び前記第2電極と異層の前記第1接続線と前記第1電極及び前記第2電極と同層の第2接続線とが交差する第2交差部と、が隣り合う。
また、本発明のタッチセンサ内蔵表示装置は、表示部と、前記表示部上に形成された上記本発明のタッチセンサと、を備える。
本発明の実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置の平面図である。 図1及び図4に示すII−II線で切断したときの断面図である。 図1及び図4に示すIII−III線で切断したときの断面図である。 本発明の第1実施形態に係るタッチセンサの平面図である。 本発明の第2実施形態に係るタッチセンサの平面図である。 本発明の第3実施形態に係るタッチセンサの平面図である。 接続線の構成例を示す平面図である。 電極と異層接続線との接続例を示す平面図である。 図8Aに示す8B−8B線で切断したときの断面図である。 図8Aに示す8C−8C線で切断したときの断面図である。 電極と異層接続線との接続例を示す平面図である。 図9Aに示す9B−9B線で切断したときの断面図である。 図9Aに示す9C−9C線で切断したときの断面図である。 接続線の構成例を示す平面図である。 本発明の第4実施形態に係るタッチセンサの平面図である。 電極と画素との配置例を示す平面図である。 電極と画素との配置例を示す平面図である。 電極と画素との配置例を示す平面図である。 本発明の第5実施形態に係るタッチセンサの平面図である。 本発明の第6実施形態に係るタッチセンサの平面図である。 本発明の第7実施形態に係るタッチセンサの平面図である。 タッチセンサ内蔵表示装置の製造工程例を示す図である。 図18Aに続く図である。 図18Bに続く図である。 図18Cに続く図である。 図18Dに続く図である。 図18Eに続く図である。
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の形態に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
さらに、本発明の実施形態の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
図1は、実施形態に係るタッチセンサ内蔵表示装置(以下、単に表示装置ともいう)の平面図である。表示装置の例として、有機EL表示装置を挙げる。表示装置1は、例えば赤、緑及び青からなる複数色の単位画素(サブピクセル)を組み合わせてフルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。表示装置1は、表示パネル10と、表示パネル10の表示領域上に形成されたタッチセンサ20とを有している。表示パネル10の表示領域の外側には周辺領域(額縁領域)11が形成されており、周辺領域11には外部との電気的接続のためのFPC13が接続されている。以下の説明においては、FPC13が接続される周辺領域11に沿った方向をX方向とし、それと直交する方向をY方向とする。
図2は、図1及び図4に示すII−II線で切断したときの断面図である。図3は、図1及び図4に示すIII−III線で切断したときの断面図である。これらの図では、断面構造を見易くするため、基板30、平坦化膜51及び層間絶縁膜53などの一部の層のハッチングを省略している。以下の説明では、積層方向を上方向とする。
基板30は、例えばガラス、又はポリイミド等の可撓性がある樹脂からなる。基板30の上面はアンダーコート層31によって覆われている。アンダーコート層31上には半導体層41が形成されており、半導体層41はゲート絶縁膜33によって覆われている。ゲート絶縁膜33上にはゲート電極43が形成されており、ゲート電極43はパシベーション膜35によって覆われている。ドレイン電極45及びソース電極47は、ゲート絶縁膜33とパシベーション膜35とを貫通して半導体層41に接続されている。半導体層41、ゲート電極43、ドレイン電極45及びソース電極47により薄膜トランジスタ40が構成される。薄膜トランジスタ40は、複数の単位画素のそれぞれに対応するように設けられている。アンダーコート層31、ゲート絶縁膜33及びパシベーション膜35は、例えばSiO又はSiN等の無機絶縁材料で形成されている。
パシベーション膜35上には、ドレイン電極45及びソース電極47に加えて、周辺領域11に引き出し配線49が形成されている。引き出し配線49は、タッチセンサ20とFPC13とを電気的に接続するための配線である。ドレイン電極45、ソース電極47及び引き出し配線49は平坦化膜51によって覆われており、平坦化膜51は層間絶縁膜53によって覆われている。ドレイン電極45、ソース電極47及び引き出し配線49は、例えばAl、Ag、Cu、Ni、Ti、Mo等を含む導電性材料で形成されている。平坦化膜51は、例えばアクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成され、平坦な上面を有している。層間絶縁膜53は、例えばSiO又はSiN等の無機絶縁材料で形成されている。
層間絶縁膜53上には画素電極61(例えば陽極)が形成されている。画素電極61は、平坦化膜51と層間絶縁膜53とを貫通してソース電極47に接続されている。画素電極61は、複数の単位画素のそれぞれに対応するように設けられている。画素電極61は反射電極として形成されている。また、周辺領域11には端子67,68が形成されており、平坦化膜51と層間絶縁膜53とを貫通して引き出し配線49の両方の端部にそれぞれ接続されている。画素電極61及び端子67,68は、例えばAl、Ag、Cu、Ni、Ti、Mo等を含む導電性材料や、ITO、IZO等の導電性酸化物を含んで形成されている。
画素電極61は画素分離膜55によって覆われている。画素分離膜55はリブ又はバンクとも呼ばれる。画素分離膜55には、画素電極61が底に露出する開口55aが形成されている。開口55aを形成する画素分離膜55の内縁部分は画素電極61の周縁部分に載っており、上方に向かうに従って外方に広がるテーパー形状を有している。なお、画素分離膜55は、周辺領域11には形成されない。画素分離膜55は、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機材料で形成されている。
画素分離膜55の開口55aの底に露出した画素電極61上には、発光層63が互いに離れて個別に形成されている。発光層63は、複数の単位画素のそれぞれに対応して例えば赤、緑及び青からなる複数色で発光する。発光層63とともに、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一層が形成されてもよい。発光層63はマスクを用いて個別に蒸着形成される。発光層63は、複数の単位画素に跨がり表示領域の全体に広がる一様な膜(いわゆるベタ膜)として蒸着形成されてもよく、その場合、発光層63は白色で発光し、カラーフィルタによって例えば赤、緑及び青からなる複数色のそれぞれの成分が取り出される。なお、発光層63は蒸着形成に限らず、塗布形成されてもよい。
発光層63及び画素分離膜55は対向電極65(例えば陰極)によって覆われている。対向電極65は、複数の単位画素に跨がり表示領域の全体に広がる一様な膜(いわゆるベタ膜)として形成されている。発光層63並びに発光層63を挟む画素電極61及び対向電極65によって発光素子60が構成され、発光層63は画素電極61と対向電極65との間を流れる電流によって発光する。対向電極65は、例えばITO等の透明導電材料又はMgAg等の金属薄膜で形成される。
画素分離膜55及び対向電極65は、封止膜(パシベーション膜)70によって覆われることで封止され、水分から遮断される。封止膜70は、例えば無機膜71、有機膜73及び無機膜75を下からこの順に含む三層積層構造を有している。無機膜71,75は、例えばSiO又はSiN等の無機絶縁材料で形成されている。有機膜73は、例えばアクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成されており、封止膜70の上面の平坦化させる。なお、封止膜70は周辺領域11には形成されなくてもよい。特に、封止膜70は、端子67,68上には形成されない。
本実施形態に係る表示装置1は、封止膜70上にタッチセンサ20を有している。封止膜70上には下地絶縁膜81が形成されている。下地絶縁膜81は、例えばアクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成されており、下地絶縁膜81の上面の平坦化させる。下地絶縁膜81上には、2次元的に配列された複数の第1電極21と複数の第2電極22とが形成されている。第1電極21と第2電極22とは、静電容量方式タッチセンサの駆動電極と検出電極とを構成する。タッチセンサ20の詳細については後述する。第1電極21及び第2電極22は層間絶縁膜83によって覆われている。層間絶縁膜83は、例えばSiO又はSiN等の無機絶縁材料又はアクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成されている。
層間絶縁膜83の周縁部には、引き出し配線25が形成されている。引き出し配線25は、層間絶縁膜83に形成された開口(スルーホール)83aを通じて、第1電極21又は第2電極22に接続されている。引き出し配線25は、層間絶縁膜83上から層間絶縁膜83、下地絶縁膜81及び封止膜70の縁を超えて周辺領域11に至る。引き出し配線25は、周辺領域11に埋め込まれた引き出し配線49に接続された2つの端子67,68のうち、タッチセンサ20に近い端子67に接続されている。一方、タッチセンサ20から離れた端子68には、異方導電部材139を介してFPC13が接続されている。
図4は、第1実施形態に係るタッチセンサの平面図である。本実施形態に係るタッチセンサ20は、下地絶縁膜81と層間絶縁膜83との間の層において2次元的に配列された複数の第1電極21と複数の第2電極22とを有している。
第1電極21と第2電極22のそれぞれは、X方向(第1方向)とこれに交差(例えば直交)するY方向(第2方向)とを対角方向とする矩形状、いわゆる菱形状(ダイヤモンド形状)で形成されている。また、第1電極21と第2電極22のそれぞれは、金属等の導電性材料からなる網目状配線(メッシュ配線)で形成されている。第1電極21と第2電極22とは、例えばAl、Ag、Cu、Ni、Ti、Mo等を含む導電性材料で形成されている。これに限られず、第1電極21と第2電極22とは透明導電膜で形成されてもよい。
複数の第1電極21はX方向とY方向とにそれぞれ並んで2次元的に配列されている。これらの第1電極21のうち、X方向に隣り合う第1電極21は第1接続線23を介して接続されており、Y方向に隣り合う第1電極21は接続されていない。すなわち、複数の第1電極21は、X方向に隣り合う第1電極21が第1接続線23を介して接続されることでX方向に延びる複数の電極列をそれぞれ形成しており、それぞれの電極列はY方向には電気的に分離されている。
複数の第2電極22もX方向とY方向とにそれぞれ並んで2次元的に配列されている。これらの第2電極22のうち、Y方向に隣り合う第2電極22は第1接続線23と平面視で交差する第2接続線24を介して接続されており、X方向に隣り合う第2電極22は接続されていない。すなわち、複数の第2電極22は、Y方向に隣り合う第2電極22が第2接続線24を介して接続されることでY方向に延びる複数の電極列を形成しており、それぞれの電極列はX方向には電気的に分離されている。
それぞれの第2電極22は、第1電極21に囲まれるよう配置されている。例えば、それぞれの第2電極22は、X方向とY方向の両方に交差する方向(例えば45度又は−45度の方向)に隣り合う第1電極21の間に配置されており、4つの第1電極21に囲まれている。第1電極21と第2電極22とは、互いに接触しないように間隔を空けることで電気的に分離されている。第1電極21と第2電極22とは、同層に配置されることで光の反射等に差が現れにくくなるため、視認されにくくなる。
第1接続線23と第2接続線24とは平面視で交差している。平面視で交差する第1接続線23と第2接続線24との間には層間絶縁膜83が介在しており、両者は電気的に分離されている。以下、第1接続線23と第2電極22とが平面視で交差する部分を「交差部29」という。
具体的には、それぞれの第1接続線23は、第1電極21及び第2電極22と同層の第1接続線(以下、同層第1接続線231という)と、第1電極21及び第2電極22と異層の第1接続線(以下、異層第1接続線235という)との何れかで形成されている。同層第1接続線231は、層間絶縁膜83下で第1電極21と連続的に形成されている。一方、異層第1接続線235は、層間絶縁膜83上に形成されており、層間絶縁膜83に形成されたスルーホール83aを通じて第1電極21に接続されている、いわゆるブリッジ配線である。
同様に、それぞれの第2接続線24は、第1電極21及び第2電極22と同層の第2接続線(以下、同層第2接続線241という)と、第1電極21及び第2電極22と異層の第2接続線(以下、異層第2接続線245という)との何れかで形成されている。同層第2接続線241は、層間絶縁膜83下で第2電極22と連続的に形成されている。一方、異層第2接続線245は、層間絶縁膜83上に形成されており、層間絶縁膜83に形成されたスルーホール83aを通じて第2電極22に接続されている、いわゆるブリッジ配線である。
このため、それぞれの交差部29は、同層第1接続線231と異層第2接続線245とが交差する「第1交差部291」と、異層第1接続線235と同層第2接続線241とが交差する「第2交差部292」との何れかで形成されている。
なお、本実施形態では、層間絶縁膜83が表示領域全体に形成されているが、これに限られず、層間絶縁膜83は、それぞれの交差部29に分散して配置されてもよい。すなわち、層間絶縁膜83は、第1交差部291における同層第1接続線231と異層第2接続線245との間に介在し、第2交差部292における異層第1接続線235と同層第2接続線241との間に介在すれば、第1電極21と第2電極22とを覆わなくてもよい。
本実施形態のタッチセンサ20において、第1交差部291と第2交差部292とは隣り合うように配置されている。なお、全てにおいて第1交差部291と第2交差部292とが隣り合っている必要はなく、第1交差部291同士が隣り合うところが含まれていてもよいし、第2交差部292同士が隣り合うところが含まれていてもよい。
第1交差部291に最も近い複数の交差部29の少なくとも1つ(本実施形態では、最も近い4つの交差部29の全て)が第2交差部292とされている。同様に、第2交差部292に最も近い複数の交差部29の少なくとも1つ(本実施形態では、最も近い4つの交差部29の全て)が第1交差部291とされている。
第1交差部291と第2交差部292とは、X方向とY方向とのそれぞれにおいて交互に配列しており、いわゆる市松模様的に配列している。第1交差部291と第2交差部292とは、1つ置きに限られず、2つ以上置きに配列してもよい。第1交差部291と第2交差部292とが周期的に出現すればよい。
第1交差部291と第2交差部292とは、一定面積当たりの数が同じであることが好ましい。一定面積は、表示領域の全体であってもよいし、例えば表示領域の中央部などの一部であってもよい。一定面積当たりの数が同じであれば、第1交差部291と第2交差部292とはランダムに配置されてもよい。
本実施形態のように、ブリッジ配線の向きが互いに異なる第1交差部291と第2交差部292とが隣り合って配置されることで、向きが揃ったブリッジ配線のみが配置される場合と比較して、交差部29が視認されにくくなり、表示装置1の画質を良好に保つことが可能である。
図5は、第2実施形態に係るタッチセンサの平面図である。第2実施形態では、第1交差部291と第2交差部292とは、X方向においてのみ交互に配列しており、Y方向には交互に配列しておらず、同じものが並んでいる。すなわち、第1交差部291に最も近い4つの交差部29のうちX方向に隣り合う2つが第2交差部292とされている。第2交差部292についても同様である。第2実施形態においても、第1実施形態ほどではないにしても、交差部29が視認されにくくなる効果が得られる。
図6は、第3実施形態に係るタッチセンサの平面図である。第3実施形態では、第1交差部291と第2交差部292とは、Y方向においてのみ交互に配列しており、X方向には交互に配列しておらず、同じものが並んでいる。すなわち、第1交差部291に最も近い4つの交差部29のうちY方向に隣り合う2つが第2交差部292とされている。第2交差部292についても同様である。第3実施形態においても、第1実施形態ほどではないにしても、交差部29が視認されにくくなる効果が得られる。
なお、例えば第1電極21を駆動電極とし、第2電極22を検出電極とする場合、検出電極である第2電極22のそれぞれの電極列は、第2実施形態では同層第2接続線241と異層第2接続線245との一方のみしか含まないのに対し、第3実施形態では同層第2接続線241と異層第2接続線245との両方を交互に含む。このため、検出電極である第2電極22の電極列の電気抵抗を揃えるという観点では、第3実施形態の採用が好ましい。
図7は、接続線の構成例を示す平面図である。同図では、第2交差部292を拡大して示しているが、第1交差部291についても同様に構成される。この例では、異層第1接続線235も同層第2接続線241も複数の金属線で形成されている。具体的には、異層第1接続線235は、層間絶縁膜83上に形成された2本の金属線からなり、2本の金属線のそれぞれの端部は、スルーホール83aを通じて第1電極21のX方向の端部に接続されている。
異層第1接続線235を形成する複数の金属線のそれぞれの端部は、スルーホール83aを含むようパッド状に広がる拡大部を有してもよい。この場合、拡大部は画素100(図12を参照)の表示を阻害しない大きさであることが望ましい。また、異層第1接続線235又は同層第2接続線241を形成する2本の金属線の間隔は、網目状配線として形成された第1電極21又は第2電極22の端部(例えば、端部を構成する1つの目)の幅と同じであることが望ましい。
図8A〜図8Cは、電極と異層接続線との接続例を示す図である。図9A〜図9Cは、他の接続例を示す図である。これらの図では、第1電極21と異層第1接続線235との接続部分を拡大して示しているが、第2電極22と異層第2接続線245との接続部分についても同様に構成される。層間絶縁膜83に形成されたスルーホール83aの底には第1電極21が露出し、層間絶縁膜83上に形成された異層第1接続線235は、スルーホール83aを通じて第1電極21に接続されている。
図8A〜図8Cに示すように、異層第1接続線235の線幅は、網目状配線として形成された第1電極21の線幅と同じであってよい。また、スルーホール83aの幅は、第1電極21の線幅より小さくてよく、この場合、スルーホール83aの底の全部に第1電極21が露出し、スルーホール83aの底の全部に異層第1接続線235が形成される。
図9A〜図9Cに示すように、異層第1接続線235の線幅は、第1電極21の線幅より大きくてもよい。但し、異層第1接続線235の線幅は、画素100(図12を参照)の表示を阻害しない大きさであることが望ましい。また、スルーホール83aの幅は、第1電極21や異層第1接続線235の線幅より大きくてもよく、この場合、スルーホール83aの底の一部に第1電極21が露出し、スルーホール83aの底の一部に異層第1接続線235が形成される。この例は、第1電極21の線幅が小さく、平面視で第1電極21の内側にスルーホール83aを収めることが困難である場合に有用である。
図10は、接続線の構成例を示す平面図である。同図では、第2交差部292を拡大して示しているが、第1交差部291についても同様に構成される。この例では、異層第1接続線235は透明導電膜で形成され、同層第2接続線241は複数の金属線で形成されている。具体的には、異層第1接続線235は、層間絶縁膜83上に形成された例えばITO等の透明導電膜からなり、透明導電膜のX方向の端部は、複数のスルーホール83aを通じて第1電極21のX方向の端部に接続されている。
透明導電膜は金属よりも抵抗率が高いため、異層第1接続線235を形成する透明導電膜の幅は、網目状配線として形成された第1電極21の線幅より広いことが望ましい。透明導電膜は透明であるため、画素100(図12を参照)と平面視で重なるように形成されてもよい。異層第1接続線235を形成する透明導電膜の長さ(X方向)が幅(Y方向)より1.5倍以上長い場合に効果的である。なお、電気抵抗を低減する観点からは、透明導電膜の長さ(X方向)が幅(Y方向)より1.5倍以上長くてもよい。
図11は、第4実施形態に係るタッチセンサの平面図である。第4実施形態では、第1電極21と第2電極22とは層間絶縁膜83上に配置されている。異層第1接続線235と異層第2接続線245とは層間絶縁膜83下に配置されている。層間絶縁膜83上に形成された第1電極21と第2電極22とは、スルーホール83aを通じて層間絶縁膜83下に形成された異層第1接続線235と異層第2接続線245とにそれぞれ接続されている。
これによると、第4実施形態では、他の実施形態と比較して第1電極21と第2電極22とが最表面により近づくため、タッチされた際の静電容量の変化が大きくなり、検出感度を向上させることが可能である。
図12は、電極と画素との配置例を示す平面図である。図13は、別の配置例を示す平面図である。表示パネル10は、例えば赤、緑及び青からなる複数色の単位画素10R,10G,10Bを有しており、複数色の単位画素10R,10G,10Bの集合が画素100を構成している。図12は、Y方向に延びる単位画素10R,10G,10BがX方向に配列したいわゆるストライプ配列の例を示しており、図13は、青色の単位画素10Bを赤色及び緑色の単位画素10R,10Gよりも大きくした例を示している。単位画素10R,10G,10Bのそれぞれは、画素電極61を露出させる画素分離膜55の開口55aにより区画されている(図2を参照)。
図12及び図13では、第2電極22を拡大して示しているが、第1電極21についても同様に構成される。第1電極21又は第2電極22を構成する網目状配線の各線は、画素分離膜55の上方に配置されている。すなわち、網目状配線の各線は、平面視で画素分離膜55と重なっており、単位画素10R,10G,10Bを形成する開口55aとは重なっていない。網目状配線の各線の幅は、X方向又はY方向に隣り合う開口55aの間隔よりも狭い。また、網目状配線の開口(すなわち網目)のそれぞれは、平面視で1又は複数の画素100を含んでいる。すなわち、網目状配線の網目ピッチは、単位画素10R,10G,10Bの配列ピッチの整数倍になっている。
このように、第1電極21又は第2電極22を構成する網目状配線の各線が画素分離膜55の上方に配置されることで、単位画素10R,10G,10Bから上方に向かう光が網目状配線によって阻害されない。なお、第1電極21又は第2電極22だけでなく、第1接続線23又は第2接続線24も同様に画素分離膜55の上方に配置される。
図14は、電極と画素の他の配置例を示す平面図である。この例では、単位画素10R,10G,10Bは、X方向とY方向とを対角方向とする矩形状、いわゆる菱形状(ダイヤモンド形状)で形成されている。単位画素10R,10G,10Bは、X方向とY方向とを対角方向として、すなわちX方向とY方向の両方に交差する第3又は第4方向(例えば45度又は−45度の方向)にそれぞれ並んで2次元的に配列している。ここでは、1つの赤色の単位画素10R、1つの青色の単位画素10B及び2つの緑色の単位画素10Gの集合が画素100を構成する、いわゆるペンタイル配列が採用されている。
図14では、第2電極22を拡大して示しているが、第1電極21についても同様に構成される。第1電極21又は第2電極22を構成する網目状配線の各線は、画素分離膜55の上方に配置されるとともに、単位画素10R,10G,10Bの配列方向と同様、X方向とY方向の両方に交差する第3又は第4方向(例えば45度又は−45度の方向)にそれぞれ延びている。網目状配線の各線の幅は、第3方向又は第4方向に隣り合う開口55aの間隔よりも狭い。また、網目状配線の開口(すなわち網目)のそれぞれは、平面視で1又は複数の画素100を含んでいる。
図15は、第5実施形態に係るタッチセンサの平面図である。第5実施形態は、上記図14に示す画素配列に適用される。第1電極21又は第2電極22を構成する網目状配線の各線と同様に、第1接続線23と第2接続線24とは、X方向とY方向の両方に交差する第3又は第4方向(例えば45度又は−45度の方向)にそれぞれ延びている。このように構成されることで、画素から上方に向かう光が第1接続線23と第2接続線24とによって阻害されない。
具体的には、第1接続線23又は第2接続線24は、中央部が第3及び第4方向の一方に延び、その両側の端部が第3及び第4方向の他方に延びるように鉤状に折れ曲がっている。また、第1接続線23及び第2接続線24は、中央部同士が直交し、一方を90度回転させたときに他方に重なるように構成されている。
また、第1交差部291と第2交差部292とは、X方向とY方向とのそれぞれにおいて交互に配列している。すなわち、第1交差部291に最も近い4つの交差部29の全てが第2交差部292とされている。第2交差部292についても同様である。これによると、上記図14に示す画素配列においても、上記実施形態と同様に交差部29が視認されにくくなる効果が得られる。
図16は、第6実施形態に係るタッチセンサの平面図である。第6実施形態は、上記図14に示す画素配列に適用される。第1電極21又は第2電極22を構成する網目状配線の各線と同様に、第1接続線23と第2接続線24とは、X方向とY方向の両方に交差する第3又は第4方向(例えば45度又は−45度の方向)にそれぞれ延びている。このように構成されることで、画素から上方に向かう光が第1接続線23と第2接続線24とによって阻害されない。
具体的には、X方向に隣り合う第1電極21はY方向にオフセットして配置されており、第1接続線23は、第3又は第4方向に全体として直線的に延びることで、X方向に隣り合う第1電極21を接続している。また、Y方向に隣り合う第2電極22はX方向にオフセットして配置されており、第2接続線24は、第3又は第4方向に全体的に直線に延びることで、Y方向に隣り合う第2電極22を接続している。
また、第1交差部291と第2交差部292とは、X方向とY方向とのそれぞれにおいて交互に配列している。すなわち、第1交差部291に最も近い4つの交差部29の全てが第2交差部292とされている。第2交差部292についても同様である。これによると、上記図14に示す画素配列においても、上記実施形態と同様に交差部29が視認されにくくなる効果が得られる。
図17は、第7実施形態に係るタッチセンサの平面図である。第7実施形態では、第1電極21と第2電極22との間に、第1電極21と第2電極22との何れにも接続されないダミー配線27(第3の電極)が形成されている。ダミー配線27は、第1電極21と第2電極22と同層で、第1電極21と第2電極22とに挟まれるように配置されている。これによると、第1電極21と第2電極22とのカップリングを低減できるので、タッチされた際の静電容量の変化が大きくなり、検出感度を向上させることが可能である。
なお、ダミー配線27も、第1電極21又は第2電極22を構成する網目状配線の各線と同様に、画素分離膜55の上方に配置されて単位画素10R,10G,10Bから上方に向かう光を阻害しないことが望ましい。
図18A〜図18Fは、タッチセンサ内蔵表示装置の製造工程例を示す図である。
図18Aは、発光素子60が完成した状態を示している。ここで、画素分離膜55は、周辺領域11には形成されない。以下、例えば画素分離膜55の範囲を「表示領域」という。周辺領域11には、層間絶縁膜53及び端子67,68が露出している。なお、同図の切断面では、タッチセンサ20に接続される引き出し配線49及び端子67,68を示しているが、異なる位置では、発光素子60の対向電極65が引き出し配線49及び端子67,68に接続される。
図18Bは、封止膜70を形成する工程を示している。ここで、有機材料で形成された有機膜73は表示領域を覆うように形成されればよく、周辺領域11には形成されなくてもよい。詳しくは、有機膜72の外縁は、画素分離膜55の外縁よりも内側に位置しており、無機材料で形成された2層の無機膜71,73が密着することによって封止されている。このため、周辺領域11は2層の無機膜71,73によって覆われている。以下、周辺領域11を覆う2層の無機膜71,73を「周辺部76」という。
図18Cは、下地絶縁膜81を形成する工程を示している。ここで、下地絶縁膜81は表示領域にのみ形成され、周辺領域11には形成されない。詳しくは、下地絶縁膜81の外縁は、画素分離膜55の外縁よりも内側に位置し、封止膜70の有機膜72の外縁よりも外側に位置している。下地絶縁膜81は、有機絶縁材料で形成されており、下地絶縁膜81の上面の平坦化させるとともに、次工程の周辺部76の除去に利用される。
図18Dは、周辺部76を除去する工程を示している。周辺部76の除去は、下地絶縁膜81をマスクとして行われる。詳しくは、2層の無機膜71,75は、下地絶縁膜81の外縁の位置で、すなわち画素分離膜55の外縁よりも内側かつ有機膜73の外縁よりも外側の位置で切断される。なお、周辺部76下の層間絶縁膜53も無機膜71,75と同じ無機絶縁材料で形成されているので、周辺部76の除去によって層間絶縁膜53の一部又は全部も同時に除去されることがある。
図18Eは、タッチセンサ20を形成する工程を示している。詳しくは、下地絶縁膜81上に第1電極21、第2電極22、同層第1接続線231及び同層第2接続線241が形成され、その上に層間絶縁膜83及び開口83aが形成され、その上に異層第1接続線235及び異層第2接続線245が形成される(図3及び図4等を参照)。また、層間絶縁膜83上から層間絶縁膜83、下地絶縁膜81及び封止膜70の縁を超えて周辺領域11に至り、端子67に接続される引き出し配線25が、異層第1接続線235及び異層第2接続線245と同時に形成される。
図18Fは、タッチセンサ20を覆う保護膜85等を形成する工程を示している。ここでは、タッチセンサ20の全部、さらには引き出し配線25及び端子67を覆うように保護膜85が形成される。保護膜85は、例えばアクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成されている。保護膜85上には円偏光フィルム87が配置され、円偏光フィルム87上にはカバーフィルム89が配置される。また、保護膜85に覆われていない端子68には、異方導電部材139を介してFPC13が接続される。
以上に説明した実施形態においては、タッチセンサ20は、静電容量方式タッチセンサの駆動電極と検出電極とを構成する第1電極21と第2電極22とを備える場合を例示したが、タッチセンサ20は、これらの電極に加えて、感圧機能を実現するための電極をさらに備えてもよい。
本実施形態においては、開示例として有機EL表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、液晶表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
1 タッチセンサ内蔵表示装置、10 表示パネル、11 周辺領域、13 FPC、20 タッチセンサ、21 第1電極、22 第2電極、23 第1接続線(231 同層第1接続線、235 異層第1接続線)、24 第2接続線(241 同層第2接続線、245 異層第2接続線)、25 引き出し配線、27 ダミー配線、29 交差部(291 第1交差部、292 第2交差部)、30 基板、31 アンダーコート層、33 ゲート絶縁膜、35 パシベーション膜、40 薄膜トランジスタ、41 半導体層、43 ゲート電極、45 ドレイン電極、47 ソース電極、49 引き出し配線、51 平坦化膜、53 層間絶縁膜、55 画素分離膜、55a 開口、60 発光素子、61 画素電極、63 発光層、65 対向電極、67,68 端子、70 封止膜、71 無機膜、73 有機膜、75 無機膜、76 周辺部、81 下地絶縁膜、83 層間絶縁膜、83a 開口(スルーホール)、85 保護膜、87 円偏光フィルム、89 カバーフィルム、10R,10G,10B 単位画素、100 画素、139 異方導電部材。

Claims (16)

  1. 2次元的に配列された複数の第1電極であって、第1方向に隣り合う第1電極が前記第1電極と同層又は異層の第1接続線を介して接続され、前記第1方向と交差する第2方向に隣り合う第1電極は接続されない、複数の第1電極と、
    前記第1電極と同層で2次元的に配列され、それぞれが前記第1電極に囲まれた複数の第2電極であって、前記第2方向に隣り合う第2電極が、前記第1接続線と平面視で交差する、前記第1電極及び前記第2電極と同層又は異層の第2接続線を介して接続され、前記第1方向に隣り合う第2電極は接続されない、複数の第2電極と、
    前記第1接続線と前記第2接続線との間に介在する絶縁膜と、
    を備え、
    前記第1電極及び前記第2電極と同層の前記第1接続線と前記第1電極及び前記第2電極と異層の第2接続線とが交差する第1交差部と、
    前記第1電極及び前記第2電極と異層の前記第1接続線と前記第1電極及び前記第2電極と同層の第2接続線とが交差する第2交差部と、
    が隣り合う
    タッチセンサ。
  2. 前記第1交差部と前記第2交差部とは、前記第1の方向に交互に配列する、
    請求項1に記載のタッチセンサ。
  3. 前記第1交差部と前記第2交差部とは、前記第2の方向に交互に配列する、
    請求項1に記載のタッチセンサ。
  4. 前記第1電極と前記第2電極とは、前記絶縁膜下に配置される、
    請求項1に記載のタッチセンサ。
  5. 前記第1電極と前記第2電極とは、前記絶縁膜上に配置される、
    請求項1に記載のタッチセンサ。
  6. 前記第1電極と前記第2電極とは、網目状配線で形成される、
    請求項1に記載のタッチセンサ。
  7. 前記第1電極及び前記第2電極と異層の前記第1接続線又は前記第2接続線は、複数の金属線で形成される、
    請求項1に記載のタッチセンサ。
  8. 前記第1電極及び前記第2電極と異層の前記第1接続線又は前記第2接続線は、透明導電膜で形成される、
    請求項1に記載のタッチセンサ。
  9. 前記第1電極及び前記第2電極と異層の前記第1接続線は、前記絶縁膜に形成されたスルーホールを通じて前記第1電極に接続され、
    前記第1電極及び前記第2電極と異層の前記第2接続線は、前記絶縁膜に形成されたスルーホールを通じて前記第2電極に接続される、
    請求項1に記載のタッチセンサ。
  10. 前記第1電極と前記第2電極とは、静電容量方式タッチセンサの駆動電極と検出電極とである、
    請求項1に記載のタッチセンサ。
  11. 前記第1電極と前記第2電極との間に、前記第1電極と前記第2電極との何れにも接続されない第3の電極をさらに備える、
    請求項1に記載のタッチセンサ。
  12. 表示部と、
    前記表示部上に形成された請求項1に記載のタッチセンサと、
    を備えるタッチセンサ内蔵表示装置。
  13. 複数の画素電極と、
    前記各々の画素電極が底に露出する複数の開口が形成された画素分離膜と、
    前記画素分離膜の前記各々の開口の内側に形成された発光層と、
    を備え、
    前記第1電極と前記第2電極とは、網目状配線で形成され、
    前記網目状配線の各線は、前記画素分離膜の上方に配置される、
    請求項12に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
  14. 前記網目状配線の各線の幅は、前記複数の開口の隣同士の間隔よりも狭い、
    請求項13に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
  15. 前記各々の画素電極が単位画素を構成し、
    複数種類の前記単位画素の集合が画素を構成し、
    前記網目状配線の開口が、平面視で1又は複数の前記画素を含む、
    請求項13に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。
  16. 前記複数の画素電極は、前記第1の方向と前記第2の方向とを対角方向として2次元的に配列し、
    前記第1接続線又は前記第2接続線は、前記第1の方向と前記第2の方向と交差する方向に延びる、
    請求項15に記載のタッチセンサ内蔵表示装置。

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