JP2018107304A - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム - Google Patents
基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018107304A JP2018107304A JP2016252878A JP2016252878A JP2018107304A JP 2018107304 A JP2018107304 A JP 2018107304A JP 2016252878 A JP2016252878 A JP 2016252878A JP 2016252878 A JP2016252878 A JP 2016252878A JP 2018107304 A JP2018107304 A JP 2018107304A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- plasma
- processing chamber
- impedance
- frequency power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
- C23C16/45542—Plasma being used non-continuously during the ALD reactions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32155—Frequency modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24564—Measurements of electric or magnetic variables, e.g. voltage, current, frequency
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/248—Components associated with the control of the tube
- H01J2237/2485—Electric or electronic means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/327—Arrangements for generating the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Description
基板を処理する処理室と、
前記処理室内へガスを供給するガス供給部と、
高周波電源に接続される電極を有し、前記処理室内に供給されたガスをプラズマ化させることにより活性化させるプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部のインピーダンスを測定するインピーダンス測定器と、
前記インピーダンス測定器により測定されたインピーダンスの値に応じてプラズマの活性種生成量を判断する判断部と、
前記判断部により判断された活性種生成量に応じて前記高周波電源を制御する制御部と、
を有する技術が提供される。
以下、本発明の一実施形態について図1から図6を参照しながら説明する。
(加熱装置)
図1に示すように、処理炉202は基板を垂直方向多段に収容することが可能な、いわゆる縦型炉であり、加熱装置(加熱機構)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、後述するようにガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
ヒータ207の内側には、ヒータ207と同心円状に反応管203が配設されている。反応管203は、例えば石英(SiO2)または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管203の下方には、反応管203と同心円状に、マニホールド(インレットフランジ)209が配設されている。マニホールド209は、例えばステンレス(SUS)等の金属からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド209の上端部は、反応管203の下端部に係合しており、反応管203を支持するように構成されている。マニホールド209と反応管203との間には、シール部材としてのOリング220aが設けられている。マニホールド209がヒータベースに支持されることにより、反応管203は垂直に据え付けられた状態となる。主に、反応管203とマニホールド209とにより処理容器(反応容器)が構成されている。処理容器の内側である筒中空部には処理室201が形成されている。処理室201は、複数枚の基板としてのウエハ200を収容可能に構成されている。なお、処理容器は上記の構成に限らず、反応管203のみを処理容器と称する場合もある。
バッファ室237内には、図2に示すように、導電体からなり、細長い構造を有する3本の棒状電極269,270,271が、反応管203の下部より上部にわたりウエハ200の配列方向に沿って配設されている。棒状電極269,270,271のそれぞれは、ノズル249bと平行に設けられている。棒状電極269,270,271のそれぞれは、上部より下部にわたって電極保護管275により覆われることで保護されている。棒状電極269,270,271のうち両端に配置される棒状電極269,271は、整合器272とインピーダンス測定器274を介して高周波電源273に接続されている。棒状電極270は、基準電位であるアースに接続され、接地されている。すなわち、高周波電源273に接続される棒状電極と、接地される棒状電極と、が交互に配置され、高周波電源273に接続された棒状電極269,271の間に配置された棒状電極270は、接地された棒状電極として、棒状電極269,271に対して共通して用いられている。換言すると、接地された棒状電極270は、隣り合う高周波電源273に接続された棒状電極269,271に挟まれるように配置され、棒状電極269と棒状電極270、同じく、棒状電極271と棒状電極270がそれぞれ対となるように構成されてプラズマを生成する。つまり、接地された棒状電極270は、棒状電極270に隣り合う2本の高周波電源273に接続された棒状電極269,271に対して共通して用いられている。そして、高周波電源273から棒状電極269,271に高周波(RF)電力を印加することで、棒状電極269,270間のプラズマ生成領域224a、棒状電極270,271間のプラズマ生成領域224bにプラズマが生成される。
反応管203には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が設けられている。排気管231には、処理室201内の圧力を検出する圧力検出器(圧力検出部)としての圧力センサ245および排気バルブ(圧力調整部)としてのAPC(Auto Pressure Controller)バルブ244を介して、真空排気装置としての真空ポンプ246が接続されている。APCバルブ244は、真空ポンプ246を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室201内の真空排気および真空排気停止を行うことができ、更に、真空ポンプ246を作動させた状態で、圧力センサ245により検出された圧力情報に基づいて弁開度を調節することで、処理室201内の圧力を調整することができるように構成されているバルブである。主に、排気管231、APCバルブ244、圧力センサ245により、排気系が構成される。真空ポンプ246を排気系に含めて考えてもよい。排気管231は、反応管203に設ける場合に限らず、ノズル249a,249bと同様にマニホールド209に設けてもよい。
図1に示すように基板支持具としてのボート217は、1枚または複数枚、例えば25〜200枚のウエハ200を、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に支持するように、すなわち、所定の間隔を空けて配列させるように構成されている。ボート217は、例えば石英やSiC等の耐熱性材料からなる。ボート217の下部には、例えば石英やSiC等の耐熱性材料からなる断熱板218が多段に支持されている。
次に制御装置について図3を用いて説明する。図3に示すように、制御部(制御装置)であるコントローラ121は、CPU(Central Processing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、記憶装置121c、I/Oポート121dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM121b、記憶装置121c、I/Oポート121dは、内部バス121eを介して、CPU121aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ121には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置122が接続されている。
次に、基板処理装置100を使用して、半導体装置の製造工程の一工程として、ウエハ200上に薄膜を形成する工程について、図4及び図5を参照しながら説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、シャッタ開閉機構115sによりシャッタ219sが移動させられて、マニホールド209の下端開口が開放される(シャッタオープン)。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
処理室201の内部、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。また、処理室201内のウエハ200が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構267によるボート217およびウエハ200の回転を開始する。処理室201内の排気、ウエハ200の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、ステップS3,S4,S5,S6を順次実行することで成膜ステップを行う。
ステップS3では、処理室201内のウエハ200に対してDCSガスを供給する。
成膜処理が終了した後、処理室201内のウエハ200に対して反応ガスとしてのプラズマ励起させたNH3ガスを供給する(S5)。
上述したS3,S4,S5,S6をこの順番に沿って非同時に、すなわち、同期させることなく行うことを1サイクルとし、このサイクルを所定回数(n回)、すなわち、1回以上行う(S7)ことにより、ウエハ200上に、所定組成および所定膜厚のSiN膜を形成することができる。上述のサイクルは、複数回繰り返すことが好ましい。すなわち、1サイクルあたりに形成されるSiN層の厚さを所望の膜厚よりも小さくし、SiN層を積層することで形成されるSiN膜の膜厚が所望の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すことが好ましい。
上述の成膜処理が完了したら、ガス供給管232c,232dのそれぞれから不活性ガスとしてのN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。これにより、処理室201内が不活性ガスでパージされ、処理室201内に残留するガス等が処理室201内から除去される(不活性ガスパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(S8)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、マニホールド209の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態でマニホールド209の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される(S9)。ボートアンロードの後は、シャッタ219sが移動させられ、マニホールド209の下端開口がOリング220cを介してシャッタ219sによりシールされる(シャッタクローズ)。処理済のウエハ200は、反応管203の外部に搬出された後、ボート217より取り出されることとなる(ウエハディスチャージ)。なお、ウエハディスチャージの後は、処理室201内へ空のボート217を搬入するようにしてもよい。
次に、プラズマ処理を行うコントローラ121の動作について図6を用いて詳述する。上述したコントローラ121は、プラズマの生成を制御するプラズマ制御装置としても機能する。
実験例では、上述した基板処理装置100を用いて基板処理工程の反応ガス供給ステップS5において、処理室201の温度を室温、処理室201内の圧力を66Pa、高周波電源273の周波数fを28MHzにして、長さ0.6m、直径12mm程度の直流抵抗1Ω未満の棒状電極269,270,271を用いてNH3ガスのCCP(Capacitively Coupled Plasma)モードのプラズマを生成してバッファ室237内へ供給した。整合器272は、棒状電極269,270,271と並列に接続される真空バリアブルコンデンサと棒状電極269,270,271と直列に接続されるコイルで構成されている。そして、整合器272と高周波電源273との間に同軸ケーブルにてインピーダンス測定器274を接続して、インピーダンスを観測した。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
(a)本実施形態によれば、電極や、その周辺の環境が変更されても、インピーダンス測定器により負荷インピーダンスを測定し、設定値を保つように高周波電源の電力値や周波数値を調整することで、プラズマ特性を維持し、成膜特性やエッチング特性を安定化させることが可能となる。
(b)また、本実施形態によれば、プラズマ特性を維持することにより、成膜特性やエッチング特性を安定化させ、ウエハ処理に対する生産性や安定性を向上させることが可能となる。
(c)また、本実施形態によれば、バッファ室内に電極を3本設け、外側の電極にそれぞれスイッチを設けることで、ウエハ表面に供給する活性種の供給量を増加させつつ、電極が劣化または断線、短絡した場合に、原因となっている電極を特定することが可能となる。
次に、本実施形態の変形例を図7及び図8に基づいて説明する。本変形例において、上述した実施形態と異なる部分のみ以下に説明し、同じ部分は説明を省略する。
例えば、上述の実施形態では、整合器272、高周波電源273、インピーダンス測定器274がそれぞれ個別部品として例示したが、これに限らず、インピーダンス測定器274の内部に整合器272または高周波電源273のいずれか一方、または両方を組込んだユニットとして構成されていてもよい。
200 ウエハ
201 処理室
202 処理炉
231 排気管
237 バッファ室
249 ノズル
269〜271,369〜371 棒状電極
272,372 整合器
273,373 高周波電源
274,374 インピーダンス測定器
275 電極保護管
300,400 バッファ構造
302,304,402,404 ガス供給口
Claims (3)
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室内へガスを供給するガス供給部と、
高周波電源に接続される電極を有し、前記処理室内に供給されたガスをプラズマ化させることにより活性化させるプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部のインピーダンスを測定するインピーダンス測定器と、
前記インピーダンス測定器により測定されたインピーダンスの値に応じてプラズマの活性種生成量を判断する判断部と、
前記判断部により判断された活性種生成量に応じて前記高周波電源を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内へガスを供給する工程と、
高周波電源に接続される電極を有するプラズマ生成部のインピーダンスを測定する工程と、
測定されたインピーダンスの値に応じてプラズマの活性種生成量を判断する工程と、
判断された活性種生成量に応じて前記高周波電源を制御して、前記処理室内に供給されたガスをプラズマ化して活性化させる工程と、
プラズマ化して活性化させたガスを前記基板に対して供給する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 基板を基板処理装置の処理室内に搬入するステップと、
前記処理室内へガスを供給するステップと、
高周波電源に接続される電極を有するプラズマ生成部のインピーダンスを測定するステップと、
測定されたインピーダンスの値に応じてプラズマの活性種生成量を判断するステップと、
判断された活性種生成量に応じて前記高周波電源を制御して、前記処理室内に供給されたガスをプラズマ化して活性化させるステップと、
プラズマ化して活性化させたガスを前記基板に対して供給するステップと、
をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016252878A JP6567489B2 (ja) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
US15/854,426 US10679831B2 (en) | 2016-12-27 | 2017-12-26 | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium |
CN201711437688.XA CN108257842B (zh) | 2016-12-27 | 2017-12-26 | 衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016252878A JP6567489B2 (ja) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018107304A true JP2018107304A (ja) | 2018-07-05 |
JP2018107304A5 JP2018107304A5 (ja) | 2018-10-25 |
JP6567489B2 JP6567489B2 (ja) | 2019-08-28 |
Family
ID=62625610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016252878A Active JP6567489B2 (ja) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10679831B2 (ja) |
JP (1) | JP6567489B2 (ja) |
CN (1) | CN108257842B (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019075542A (ja) * | 2017-10-11 | 2019-05-16 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド | バッチ式プラズマ基板処理装置 |
JP2020043221A (ja) * | 2018-09-11 | 2020-03-19 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理装置の電極 |
JP2020161539A (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
US10961626B2 (en) * | 2017-09-20 | 2021-03-30 | Eugene Technology Co., Ltd. | Plasma processing apparatus having injection ports at both sides of the ground electrode for batch processing of substrates |
KR20220055137A (ko) * | 2020-10-26 | 2022-05-03 | 주식회사 유진테크 | 배치식 기판처리장치 |
JP2022131707A (ja) * | 2021-02-26 | 2022-09-07 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、プラズマ生成装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
JP7433154B2 (ja) | 2020-07-16 | 2024-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6602332B2 (ja) * | 2017-03-28 | 2019-11-06 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
CN114342047A (zh) * | 2019-09-02 | 2022-04-12 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、等离子体生成装置、半导体装置的制造方法以及程序 |
TWI806261B (zh) * | 2020-12-24 | 2023-06-21 | 日商國際電氣股份有限公司 | 基板處理方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000123996A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Toshio Goto | 原子状ラジカル測定方法及び装置 |
JP2001525618A (ja) * | 1997-12-01 | 2001-12-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | チャンバインピーダンスを監視し調整する方法および装置 |
JP2005085878A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Hitachi Ltd | マスクトリミング装置及びマスクトリミング方法 |
JP2005142582A (ja) * | 2000-03-24 | 2005-06-02 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置および処理方法 |
JP2008287999A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置およびその制御方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5489361A (en) * | 1994-06-30 | 1996-02-06 | International Business Machines Corporation | Measuring film etching uniformity during a chemical etching process |
JP2000173982A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2003142455A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置及び処理方法 |
US7247218B2 (en) * | 2003-05-16 | 2007-07-24 | Applied Materials, Inc. | Plasma density, energy and etch rate measurements at bias power input and real time feedback control of plasma source and bias power |
US7740737B2 (en) * | 2004-06-21 | 2010-06-22 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
US20090294275A1 (en) * | 2008-05-29 | 2009-12-03 | Applied Materials, Inc. | Method of plasma load impedance tuning by modulation of a source power or bias power rf generator |
JP2010016124A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US8883024B2 (en) * | 2010-10-18 | 2014-11-11 | Tokyo Electron Limited | Using vacuum ultra-violet (VUV) data in radio frequency (RF) sources |
JP5882509B2 (ja) | 2015-02-12 | 2016-03-09 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
-
2016
- 2016-12-27 JP JP2016252878A patent/JP6567489B2/ja active Active
-
2017
- 2017-12-26 CN CN201711437688.XA patent/CN108257842B/zh active Active
- 2017-12-26 US US15/854,426 patent/US10679831B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001525618A (ja) * | 1997-12-01 | 2001-12-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | チャンバインピーダンスを監視し調整する方法および装置 |
JP2000123996A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Toshio Goto | 原子状ラジカル測定方法及び装置 |
JP2005142582A (ja) * | 2000-03-24 | 2005-06-02 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置および処理方法 |
JP2005085878A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Hitachi Ltd | マスクトリミング装置及びマスクトリミング方法 |
JP2008287999A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置およびその制御方法 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10961626B2 (en) * | 2017-09-20 | 2021-03-30 | Eugene Technology Co., Ltd. | Plasma processing apparatus having injection ports at both sides of the ground electrode for batch processing of substrates |
JP2019075542A (ja) * | 2017-10-11 | 2019-05-16 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド | バッチ式プラズマ基板処理装置 |
US11183372B2 (en) | 2017-10-11 | 2021-11-23 | Eugene Technology Co., Ltd. | Batch type plasma substrate processing apparatus |
US11380563B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-07-05 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, plurality of electrodes and method of manufacturing semiconductor device |
KR102242146B1 (ko) * | 2018-09-11 | 2021-04-20 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 전극 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2020043221A (ja) * | 2018-09-11 | 2020-03-19 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理装置の電極 |
KR20200029994A (ko) * | 2018-09-11 | 2020-03-19 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 전극 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR102387812B1 (ko) * | 2019-03-25 | 2022-04-18 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 |
JP2020161539A (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
JP6999596B2 (ja) | 2019-03-25 | 2022-01-18 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
CN111739779A (zh) * | 2019-03-25 | 2020-10-02 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质 |
KR20200115138A (ko) * | 2019-03-25 | 2020-10-07 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 |
JP7433154B2 (ja) | 2020-07-16 | 2024-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR20220055137A (ko) * | 2020-10-26 | 2022-05-03 | 주식회사 유진테크 | 배치식 기판처리장치 |
KR102418947B1 (ko) | 2020-10-26 | 2022-07-11 | 주식회사 유진테크 | 배치식 기판처리장치 |
JP2022131707A (ja) * | 2021-02-26 | 2022-09-07 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、プラズマ生成装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
JP7290680B2 (ja) | 2021-02-26 | 2023-06-13 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、プラズマ生成装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10679831B2 (en) | 2020-06-09 |
US20180182601A1 (en) | 2018-06-28 |
CN108257842B (zh) | 2020-07-14 |
JP6567489B2 (ja) | 2019-08-28 |
CN108257842A (zh) | 2018-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6567489B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
JP6845334B2 (ja) | プラズマ生成装置、基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
US11469083B2 (en) | Plasma generating device, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device | |
JP6778144B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
TWI741445B (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體 | |
JP2017011234A (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP2017005016A (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP2017168788A (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP7045414B2 (ja) | 基板処理装置、プラズマ異常判定方法、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
JP2020161539A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
CN111868896B (zh) | 基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质 | |
WO2020053960A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
US20220208544A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method, non-transitory computer-readable recording medium and substrate processing apparatus | |
JP6937894B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
WO2022054855A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
WO2020053996A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
JP2023098338A (ja) | 基板処理装置、プラズマ生成装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
TW202145838A (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體 | |
CN118315255A (en) | Plasma generating device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20180727 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180820 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20180829 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180912 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180912 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190718 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190724 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190731 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6567489 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |