JP2018095922A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018095922A JP2018095922A JP2016241410A JP2016241410A JP2018095922A JP 2018095922 A JP2018095922 A JP 2018095922A JP 2016241410 A JP2016241410 A JP 2016241410A JP 2016241410 A JP2016241410 A JP 2016241410A JP 2018095922 A JP2018095922 A JP 2018095922A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- target
- gas
- substrate
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 117
- 239000010408 film Substances 0.000 description 44
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 9
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 Nitrogen gas nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical class C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0617—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0641—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】 ターゲットの表面でターゲットが供給ガスと反応することを抑制することのできる成膜装置を提供することである。
【解決手段】 成膜装置1000は、第1室100と、第2室200と、第1室100と第2室200とを区切る仕切り部1300と、を有する。第1室100は、ターゲットT1を収容するターゲット収容部110を有する。第2室200は、基板S1を支持する基板支持部210を有する。仕切り部1300は、第1室100と第2室200とを連通するための貫通孔1301を有する。
【選択図】図1
【解決手段】 成膜装置1000は、第1室100と、第2室200と、第1室100と第2室200とを区切る仕切り部1300と、を有する。第1室100は、ターゲットT1を収容するターゲット収容部110を有する。第2室200は、基板S1を支持する基板支持部210を有する。仕切り部1300は、第1室100と第2室200とを連通するための貫通孔1301を有する。
【選択図】図1
Description
本明細書の技術分野は、スパッタリング法またはCVD法により薄膜を成膜する成膜装置に関する。
基板に薄膜を成膜する技術として種々の技術がある。例えば、スパッタリング法、蒸着法、CVD法、イオンプレーティング法が挙げられる。スパッタリング法では、真空中で高速のイオンをターゲットに衝突させ、ターゲットから放出された粒子を基板の上に付着させる。ターゲットに衝突するイオンの運動エネルギーが大きいため、ターゲットから放出される粒子の運動エネルギーも大きい。したがって、緻密で付着力の高い薄膜が得られる。
ところで、従来、GaNを成膜する際には、MOCVD法やHVPE法が用いられてきた。そして近年では、高い生産性への期待から、大口径基板にGaNを成膜することが要求されるようになってきている。しかし、基板が大きいほど、基板とGaN層との間の熱膨張係数差に起因する歪が大きい。そして、基板とGaN層との界面付近で大きな応力が発生する。このような応力は、GaN層の結晶性に悪影響を与えるおそれがある。また、応力が半導体層の内部にピエゾ電界を生じさせることがある。そのため、このような半導体層を有する半導体素子における電子の振る舞いに悪影響を及ぼすおそれがある。
スパッタリング法では、従来のMOCVD法等に比べて低い温度で成膜できる可能性がある。成膜温度が低いほど、熱膨張係数差に起因する応力を抑制できる。そのため、近年では、GaNの成膜にスパッタリング法を用いる技術が開発されてきている。例えば、特許文献1では、ターゲットであるGaを冷却する技術が開示されている(特許文献の段落[0007]等参照)。
しかし、特許文献1のスパッタリング装置を用いてGaNを成膜する場合には、窒素ガスがGaターゲットの表面に供給されるおそれがある。窒素ガスはGaターゲットを窒化する。Gaターゲットの窒化により、GaターゲットからGa粒子が放出されにくくなる。つまり、スパッタ収率が低下する。また、得られるGaNの結晶性に影響を及ぼすおそれもある。そして、Gaターゲットを交換する時間間隔が短くなる。このように、ターゲットと供給ガスとの組み合わせによっては、ターゲットの表面でターゲットが供給ガスと反応するおそれがある。これにより、工業利用上の安定性が失われるおそれがある。この問題点は、GaNを成膜する場合に限らず生じる。
本明細書の技術は、前述した従来の技術が有する問題点を解決するためになされたものである。その課題とは、ターゲットの表面でターゲットが供給ガスと反応することを抑制することのできる成膜装置を提供することである。
第1の態様における成膜装置は、第1室と、第2室と、第1室と第2室とを区切る仕切り部と、を有する。第1室は、ターゲットを収容するターゲット収容部を有する。第2室は、基板を支持する基板支持部を有する。仕切り部は、第1室と第2室とを連通するための貫通孔を有する。
この成膜装置においては、ターゲット収容部と基板支持部とが別々の部屋に収容されている。そのため、ターゲット収容部を有する第1室と、基板支持部を有する第2室とに、異なるガスを供給することができる。そのため、ターゲットが収容されている第1室の内部に、ターゲットと反応しにくいガスを選択して供給することができる。貫通孔を介して第2室から第1室にガスが流入するおそれがあるが、その流量は非常に少ない。これにより、ターゲットの表面でターゲットが供給ガスと反応することを抑制することができる。
第2の態様における成膜装置においては、基板支持部は、ターゲット収容部と貫通孔とを結ぶ線の延長線上に配置されている。
第3の態様における成膜装置は、第1室に第1のガスを供給する第1のガス供給部と、第2室に第2のガスを供給する第2のガス供給部と、を有する。
第4の態様における成膜装置は、第2のガス供給部が供給する第2のガスをプラズマ化するプラズマ発生装置を有する。
第5の態様における成膜装置は、ターゲット収容部に電位を付与する第1の電位付与部を有する。
本明細書では、ターゲットの表面でターゲットが供給ガスと反応することを抑制することのできる成膜装置が提供されている。
以下、具体的な実施形態について、成膜装置およびGaN層の成膜方法を例に挙げて図を参照しつつ説明する。
(第1の実施形態)
第1の実施形態について説明する。第1の実施形態の成膜装置は、スパッタリング装置である。
第1の実施形態について説明する。第1の実施形態の成膜装置は、スパッタリング装置である。
1.成膜装置
図1は、第1の実施形態の成膜装置1000の概略構成を示す図である。第1の実施形態の成膜装置1000は、スパッタリング法により基板の上に薄膜を成膜する装置である。成膜装置1000は、筐体1100と、壁1200と、仕切り部1300と、を有する。ここで、筐体1100と壁1200と仕切り部1300との材質は、例えば、NiめっきされたSUSである。筐体1100と壁1200と仕切り部1300とは、接地されている。
図1は、第1の実施形態の成膜装置1000の概略構成を示す図である。第1の実施形態の成膜装置1000は、スパッタリング法により基板の上に薄膜を成膜する装置である。成膜装置1000は、筐体1100と、壁1200と、仕切り部1300と、を有する。ここで、筐体1100と壁1200と仕切り部1300との材質は、例えば、NiめっきされたSUSである。筐体1100と壁1200と仕切り部1300とは、接地されている。
筐体1100は、第1室100および第2室200を収容している。壁1200および仕切り部1300は、第1室100を収容している。仕切り部1300は、第1室100と第2室200とを区切っている。つまり、成膜装置1000は、第1室100と、第2室200と、第1室100と第2室200とを区切る仕切り部1300と、を有する。
1−1.第1室
第1室100は、ターゲット収容部110と、ターゲット収容部支持部120と、冷却部130と、第1の電位付与部140と、第1のガス供給部150と、第1のガス供給管160と、を有している。
第1室100は、ターゲット収容部110と、ターゲット収容部支持部120と、冷却部130と、第1の電位付与部140と、第1のガス供給部150と、第1のガス供給管160と、を有している。
ターゲット収容部110は、ターゲットT1を収容するためのものである。そのため、ターゲット収容部110は、ターゲットT1を載置するための凹部を有するとよい。ターゲットT1は、スパッタリングに用いられる材料である。ターゲットT1は、例えば、Gaである。
ターゲット収容部支持部120は、ターゲット収容部110を支持するためのものである。また、ターゲット収容部支持部120は、磁石を有している。
冷却部130は、ターゲット収容部110を冷却するためのものである。冷却部130は、水を流す流路131と、流路131に水を流すポンプ(図示せず)と、ポンプを制御するポンプ制御部(図示せず)と、を有する。水の温度は、例えば10℃である。水温は、ターゲットT1の材料に応じて変更してもよい。冷却部130は、ターゲット収容部110を介してターゲットT1を冷却する。
第1の電位付与部140は、ターゲット収容部110に高周波電位を付与するためのものである。そのため、第1の電位付与部140は、ターゲット収容部110を介してターゲットT1に電位を付与することができる。高周波電位の周波数は、例えば、13.56MHzである。もちろん、これ以外の周波数を用いてもよい。
第1のガス供給部150は、第1室100の内部に第1のガスを供給するためのものである。第1のガス供給部150は、第1のガスを収容する役割も担っている。第1のガス供給部150は、第1のガスとして例えばアルゴンガスを第1室100に供給する。第1のガスは、後述する第1のプラズマ生成領域でプラズマ化し、ターゲットT1に高速で入射する粒子となるものである。第1のガスは、その他の希ガスであってもよい。第1のガスは、その他の不活性ガスであってもよい。ただし、第1のガスは、ターゲットT1と反応しにくいガスである。ターゲットT1の表面にターゲットT1と第1のガスの成分との反応生成物の膜ができることを防止するためである。
第1のガス供給管160は、第1のガス供給部150から第1室100に第1のガスを供給するための流路である。
1−2.第2室
第2室200は、基板支持部210と、加熱部220と、プラズマ発生装置230と、第2の電位付与部240と、第2のガス供給部250と、第2のガス供給管260と、排気口270と、を有している。
第2室200は、基板支持部210と、加熱部220と、プラズマ発生装置230と、第2の電位付与部240と、第2のガス供給部250と、第2のガス供給管260と、排気口270と、を有している。
基板支持部210は、基板S1を支持するためのものである。ここで、基板S1は、スパッタリングにより薄膜を成膜されるための成膜対象部材である。
加熱部220は、基板支持部210を加熱するためのものである。加熱部220は、基板支持部210を介して基板支持部210に支持されている基板S1を加熱することができる。また、加熱部220は、温度センサーを有するとよい。そして、加熱部220は、基板温度を入力された設定温度に保持することができるとよい。
プラズマ発生装置230は、第2のガス供給部250から供給された第2のガスをプラズマ化するためのものである。プラズマ発生装置230は、例えば、ICPユニットである。プラズマ発生装置230は、その他の方式によりプラズマを発生させてもよい。
第2の電位付与部240は、プラズマ発生装置230に高周波電位を付与するためのものである。高周波電位の周波数は、例えば、27.12MHzである。もちろん、これ以外の周波数を用いてもよい。
第2のガス供給部250は、第2室200の内部に第2のガスを供給するためのものである。第2のガス供給部250は、第2のガスを収容する役割も担っている。第2のガス供給部250は、第2のガスとして例えば窒素ガスを第2室200に供給する。第2のガスは、第2のプラズマ生成領域でプラズマ化し、ターゲットT1からたたき出された粒子と反応して基板S1に成膜されるためのものである。第2のガスは、その他の反応性ガスであってもよい。また、成膜する材料によっては、その他の不活性ガスであってもよい。
第2のガス供給管260は、第2のガス供給部250からプラズマ発生装置230に第2のガスを供給するための流路である。
1−3.仕切り部
仕切り部1300は、前述したように第1室100と第2室200とを区切っている。仕切り部1300は、第1室100と第2室200とを連通するための貫通孔1301を有する。そのため、第1室100と第2室200とは貫通孔1301により連通している。貫通孔1301の形状は円形形状である。貫通孔1301の内径は、例えば、5mm以上50mm以下である。ただし、これ以外の数値であってもよい。そして、基板支持部210は、仕切り部1300の貫通孔1301を挟んでターゲット収容部110と対面している。つまり、基板支持部210が、ターゲット収容部110と貫通孔1301とを結ぶ線の延長線上に配置されている。
仕切り部1300は、前述したように第1室100と第2室200とを区切っている。仕切り部1300は、第1室100と第2室200とを連通するための貫通孔1301を有する。そのため、第1室100と第2室200とは貫通孔1301により連通している。貫通孔1301の形状は円形形状である。貫通孔1301の内径は、例えば、5mm以上50mm以下である。ただし、これ以外の数値であってもよい。そして、基板支持部210は、仕切り部1300の貫通孔1301を挟んでターゲット収容部110と対面している。つまり、基板支持部210が、ターゲット収容部110と貫通孔1301とを結ぶ線の延長線上に配置されている。
2.GaN層の成膜方法
GaN層の成膜方法について説明する。ここでは、基板S1としてSi(111)基板を用いる場合について説明する。ここで、ターゲットT1は、Gaである。第1のガスは、アルゴンガスである。第2のガスは、窒素ガスである。また、基板S1は、その表面にAlNバッファ層を有するとよい。このような条件で、Si(111)基板の上にGaN層を成膜する。このように、本実施形態のGaN層の成膜方法は、GaN層を有するSi基板の製造方法でもある。
GaN層の成膜方法について説明する。ここでは、基板S1としてSi(111)基板を用いる場合について説明する。ここで、ターゲットT1は、Gaである。第1のガスは、アルゴンガスである。第2のガスは、窒素ガスである。また、基板S1は、その表面にAlNバッファ層を有するとよい。このような条件で、Si(111)基板の上にGaN層を成膜する。このように、本実施形態のGaN層の成膜方法は、GaN層を有するSi基板の製造方法でもある。
第1の電位付与部140は、ターゲットT1に高周波電位を付与する。そのため、ターゲットT1の周囲にプラズマが発生する。第1室100におけるターゲット収容部110と仕切り部1300との間の領域は、第1のプラズマ生成領域である。このように、第1室100は、第1のプラズマ生成領域を有する。第1のプラズマ生成領域に発生するプラズマは、第1のガスに由来するイオンをターゲットT1に照射し、ターゲットT1から粒子を飛び出させる。
第2の電位付与部240は、プラズマ発生装置230に高周波電位を付与する。そのため、プラズマ発生装置230の内部にプラズマが発生する。第2のガスは、このプラズマの内部を通過する際に電離される。そして、第2室200に供給された第2のガスは、プラズマガスの状態で基板支持部210と仕切り部1300との間に供給される。そのため、第2室200における基板支持部210と仕切り部1300との間の領域は、第2のプラズマ生成領域である。このように、第2室200は、第2のプラズマ生成領域を有する。第2のプラズマ生成領域に横たわるプラズマは、ターゲットT1から放出された粒子と反応する粒子を有している。
また、前述のように、第1室100と第2室200とは貫通孔1301により連通している。そして、基板支持部210は、仕切り部1300の貫通孔1301を挟んでターゲット収容部110と対面している。したがって、第1室100のターゲットT1から飛び出した粒子は、第2室200の基板S1に向かって飛翔する。そして、ターゲットT1から飛び出した粒子は、第2のプラズマ生成領域の第2のガスに由来する粒子と反応して基板S1の上に成膜されることとなる。
第1室100および第2室200の内圧は、0.1Pa以上20Pa以下の範囲内である。基板温度は、例えば、300℃以上800℃以下である。もちろん、上記以外の数値範囲であってもよい。
3.本実施形態の効果
本実施形態では、ターゲットT1から粒子を飛び出させる第1室100と、基板S1の上に成膜する第2室200とが、別々に設けられている。そのため、ターゲット収容部を有する第1室と、基板支持部を有する第2室とに、異なるガスを供給することができる。そのため、ターゲットが収容されている第1室の内部に、ターゲットと反応しにくいガスを選択して供給することができる。貫通孔を介して第2室から第1室にガスが流入するおそれがあるが、その流量は非常に少ない。これにより、ターゲットの表面でターゲットが供給ガスと反応することを抑制することができる。
本実施形態では、ターゲットT1から粒子を飛び出させる第1室100と、基板S1の上に成膜する第2室200とが、別々に設けられている。そのため、ターゲット収容部を有する第1室と、基板支持部を有する第2室とに、異なるガスを供給することができる。そのため、ターゲットが収容されている第1室の内部に、ターゲットと反応しにくいガスを選択して供給することができる。貫通孔を介して第2室から第1室にガスが流入するおそれがあるが、その流量は非常に少ない。これにより、ターゲットの表面でターゲットが供給ガスと反応することを抑制することができる。
また、本実施形態では、ターゲットT1から粒子を飛び出させるための第1のプラズマ生成領域と、成膜に用いられるプラズマガスを含む第2のプラズマ生成領域とが、別々に発生する。そのため、第1のプラズマ生成領域のプラズマと、第2のプラズマ生成領域のプラズマとを、別々に制御することができる。例えば、第1のプラズマ生成領域を生成するための電力を強くすることにより、ターゲットT1からの粒子を増やすとともに、粒子の運動エネルギーを高くすることができる。そのため、ターゲットT1からの粒子の数と、第2のガスに由来する粒子の数とを調整できる可能性がある。したがって、スパッタ収率の向上や、薄膜の結晶性の向上が期待される。
4.変形例
4−1.複数の第1室
本実施形態では、成膜装置1000は、1つの第1室100を有する。しかし、成膜装置1000は、複数の第1室100を有していてもよい。例えば、成膜装置1000は、Gaターゲットを有する第1室100と、Alターゲットを有する第1室100と、を有するとよい。その場合には、基板S1の上にAlGaN層を成膜することができる。もちろん、成膜装置1000は、3以上の第1室100を有していてもよい。
4−1.複数の第1室
本実施形態では、成膜装置1000は、1つの第1室100を有する。しかし、成膜装置1000は、複数の第1室100を有していてもよい。例えば、成膜装置1000は、Gaターゲットを有する第1室100と、Alターゲットを有する第1室100と、を有するとよい。その場合には、基板S1の上にAlGaN層を成膜することができる。もちろん、成膜装置1000は、3以上の第1室100を有していてもよい。
4−2.シャッター
成膜装置1000は、貫通孔1301を開閉するシャッターを有していてもよい。シャッターは、貫通孔1301を開放状態と閉鎖状態とのいずれかの状態にする開閉部である。シャッターは、上記のように複数の第1室100を有する場合に有効である。つまり、複数の第1室100は、それぞれ貫通孔およびシャッターを有する。これにより、基板S1の上にAlターゲットからAlNを成膜し、GaターゲットからGaNを成膜し、AlターゲットおよびGaターゲットからAlGaNを成膜することができる。
成膜装置1000は、貫通孔1301を開閉するシャッターを有していてもよい。シャッターは、貫通孔1301を開放状態と閉鎖状態とのいずれかの状態にする開閉部である。シャッターは、上記のように複数の第1室100を有する場合に有効である。つまり、複数の第1室100は、それぞれ貫通孔およびシャッターを有する。これにより、基板S1の上にAlターゲットからAlNを成膜し、GaターゲットからGaNを成膜し、AlターゲットおよびGaターゲットからAlGaNを成膜することができる。
4−3.水素ガスを含む第2のガス
第2のガスは、水素ガスを含んでいてもよい。第2のガスが、窒素ガスと水素ガスとの混合ガスであるとよい。この場合には、プラズマ発生装置230によりNHが生成される。この場合にはNHが、GaN層の成膜に寄与するものと考えられる。
第2のガスは、水素ガスを含んでいてもよい。第2のガスが、窒素ガスと水素ガスとの混合ガスであるとよい。この場合には、プラズマ発生装置230によりNHが生成される。この場合にはNHが、GaN層の成膜に寄与するものと考えられる。
4−4.第1室および第2室の内圧
第2室200の内圧を第1室100の内圧よりも低くしてもよい。第2室200の内部の第2のプラズマ生成領域の粒子が、第1室100の内部にさらに流入しにくいからである。
第2室200の内圧を第1室100の内圧よりも低くしてもよい。第2室200の内部の第2のプラズマ生成領域の粒子が、第1室100の内部にさらに流入しにくいからである。
4−5.第1の電位付与部
本実施形態では、第1の電位付与部140は、ターゲット収容部110に高周波電位を付与する。第1の電位付与部140は、ターゲット収容部110にパルス電位を付与してもよい。また、第1の電位付与部140は、ターゲット収容部110に定電位を付与してもよい。この場合には、ターゲットT1と仕切り部1300との間に直流電圧が加わる。
本実施形態では、第1の電位付与部140は、ターゲット収容部110に高周波電位を付与する。第1の電位付与部140は、ターゲット収容部110にパルス電位を付与してもよい。また、第1の電位付与部140は、ターゲット収容部110に定電位を付与してもよい。この場合には、ターゲットT1と仕切り部1300との間に直流電圧が加わる。
4−6.基板支持部
基板支持部210は、回転できるようになっていてもよい。また、基板支持部210に高周波電位または定電位を付与する第3の電位付与部を有していてもよい。
基板支持部210は、回転できるようになっていてもよい。また、基板支持部210に高周波電位または定電位を付与する第3の電位付与部を有していてもよい。
4−7.貫通孔
本実施形態では、貫通孔1301は、円形である。しかし、その他の形状であっても構わない。例えば、長穴形状である。もちろん、その他の形状であってもよい。また、仕切り部1300は、複数の貫通孔を有していてもよい。例えば、仕切り部1300は、メッシュ状の複数の貫通孔を有していてもよい。
本実施形態では、貫通孔1301は、円形である。しかし、その他の形状であっても構わない。例えば、長穴形状である。もちろん、その他の形状であってもよい。また、仕切り部1300は、複数の貫通孔を有していてもよい。例えば、仕切り部1300は、メッシュ状の複数の貫通孔を有していてもよい。
4−8.ガスの種類
第2のガスは、アルゴンガスを含んでいてもよい。このように、第1のガスおよび第2のガスは、2種類以上のガスの混合ガスであってもよい。ただし、第1のガスは、ターゲットT1と反応しやすいガスを含まないことが好ましい。そして、第1のガスは、ターゲットT1から粒子を放出させるためのものである。第2のガスは、ターゲットT1から放出される粒子と反応する粒子を含む。そのため、成膜する材料の種類に応じて適宜選択してもよい。
第2のガスは、アルゴンガスを含んでいてもよい。このように、第1のガスおよび第2のガスは、2種類以上のガスの混合ガスであってもよい。ただし、第1のガスは、ターゲットT1と反応しやすいガスを含まないことが好ましい。そして、第1のガスは、ターゲットT1から粒子を放出させるためのものである。第2のガスは、ターゲットT1から放出される粒子と反応する粒子を含む。そのため、成膜する材料の種類に応じて適宜選択してもよい。
4−9.ターゲットと基板支持部との間の位置関係
本実施形態では、基板支持部210が、ターゲット収容部110と貫通孔1301とを結ぶ線の延長線上に配置されている。しかし、基板支持部210が、ターゲット収容部110と貫通孔1301とを結ぶ線の延長線上に配置されていなくともよい。例えば、基板支持部210が、ターゲット収容部110と貫通孔1301とを結ぶ線の延長線上より第2のガスの流れの下流側に配置されていてもよい。
本実施形態では、基板支持部210が、ターゲット収容部110と貫通孔1301とを結ぶ線の延長線上に配置されている。しかし、基板支持部210が、ターゲット収容部110と貫通孔1301とを結ぶ線の延長線上に配置されていなくともよい。例えば、基板支持部210が、ターゲット収容部110と貫通孔1301とを結ぶ線の延長線上より第2のガスの流れの下流側に配置されていてもよい。
4−10.プラズマ発生装置
プラズマ発生装置230としてICP装置を用いた場合について説明する。その場合には、ICP装置にイオンフィルタを装着してもよい。これにより、窒素イオンが基板S1に損傷を与えることを抑制できる。
プラズマ発生装置230としてICP装置を用いた場合について説明する。その場合には、ICP装置にイオンフィルタを装着してもよい。これにより、窒素イオンが基板S1に損傷を与えることを抑制できる。
4−11.ターゲット収容部支持部の磁石
本実施形態では、ターゲット収容部支持部120は、磁石を有している。ターゲット収容部支持部120は、磁石を有さなくてもよい。
本実施形態では、ターゲット収容部支持部120は、磁石を有している。ターゲット収容部支持部120は、磁石を有さなくてもよい。
4−12.粒子のタイミング制御
また、第1室100から供給される粒子と、第2室200から供給される粒子とを制御してもよい。例えば、第1の電位付与部140が第1のプラズマ生成領域にプラズマを生成している期間内に第2の電位付与部240は第2のプラズマ生成領域にプラズマを生成せず、第1の電位付与部140が第1のプラズマ生成領域にプラズマを生成していない期間内に第2の電位付与部240が第2のプラズマ生成領域にプラズマを生成する。つまり、第1のプラズマ生成領域と第2のプラズマ生成領域とに交互にプラズマを生成する。これにより、第1室100から基板S1に向かう粒子と、第2室200から基板S1に向かう粒子とを交互に生成する。また、第1のガス供給部150が第1のガスを供給するタイミングと、第2のガス供給部250が第2のガスを供給するタイミングとを交互にずらしてもよい。
また、第1室100から供給される粒子と、第2室200から供給される粒子とを制御してもよい。例えば、第1の電位付与部140が第1のプラズマ生成領域にプラズマを生成している期間内に第2の電位付与部240は第2のプラズマ生成領域にプラズマを生成せず、第1の電位付与部140が第1のプラズマ生成領域にプラズマを生成していない期間内に第2の電位付与部240が第2のプラズマ生成領域にプラズマを生成する。つまり、第1のプラズマ生成領域と第2のプラズマ生成領域とに交互にプラズマを生成する。これにより、第1室100から基板S1に向かう粒子と、第2室200から基板S1に向かう粒子とを交互に生成する。また、第1のガス供給部150が第1のガスを供給するタイミングと、第2のガス供給部250が第2のガスを供給するタイミングとを交互にずらしてもよい。
4−13.組み合わせ
上記の変形例を自由に組み合わせてもよい。
上記の変形例を自由に組み合わせてもよい。
5.本実施形態のまとめ
本実施形態の成膜装置1000は、ターゲット収容部110を収容する第1室100と、基板支持部210を収容する第2室200と、を有する。そのため、ターゲット収容部を有する第1室と、基板支持部を有する第2室とに、異なるガスを供給することができる。そのため、ターゲットが収容されている第1室の内部に、ターゲットと反応しにくいガスを選択して供給することができる。貫通孔を介して第2室から第1室にガスが流入するおそれがあるが、その流量は非常に少ない。これにより、ターゲットの表面でターゲットが供給ガスと反応することを抑制することができる。
本実施形態の成膜装置1000は、ターゲット収容部110を収容する第1室100と、基板支持部210を収容する第2室200と、を有する。そのため、ターゲット収容部を有する第1室と、基板支持部を有する第2室とに、異なるガスを供給することができる。そのため、ターゲットが収容されている第1室の内部に、ターゲットと反応しにくいガスを選択して供給することができる。貫通孔を介して第2室から第1室にガスが流入するおそれがあるが、その流量は非常に少ない。これにより、ターゲットの表面でターゲットが供給ガスと反応することを抑制することができる。
(第2の実施形態)
第2の実施形態について説明する。第2の実施形態の成膜装置は、CVD装置である。第2の実施形態の成膜装置の機械的構成は、第1の実施形態の成膜装置1000の機械的構成と同じである。第2の実施形態が第1の実施形態と異なる点は、第1のガスおよび第2のガスの種類である。
第2の実施形態について説明する。第2の実施形態の成膜装置は、CVD装置である。第2の実施形態の成膜装置の機械的構成は、第1の実施形態の成膜装置1000の機械的構成と同じである。第2の実施形態が第1の実施形態と異なる点は、第1のガスおよび第2のガスの種類である。
1.第1のガスおよび第2のガス
第1のガス供給部150は、第1のガスとしてアルゴンガスと塩素ガス(Cl2 )とを含むガスを供給する。第2のガス供給部250は、第2のガスとして窒素ガスと水素ガスとを含むガスを供給する。ここでターゲットT1はGaターゲットである。
第1のガス供給部150は、第1のガスとしてアルゴンガスと塩素ガス(Cl2 )とを含むガスを供給する。第2のガス供給部250は、第2のガスとして窒素ガスと水素ガスとを含むガスを供給する。ここでターゲットT1はGaターゲットである。
塩素ガスは、第1のプラズマ生成領域でプラズマ化される。そして、塩素原子に由来する粒子(塩素分子、塩素原子、塩素ラジカルを含む)は、Gaターゲットに衝突する。そして、Gaターゲットは、塩素原子に由来する粒子と反応してGaClx(Ga塩化物)を生成する。そしてGaClxの粒子が飛び出す。飛び出したGaClx粒子は、基板S1に向かって飛翔する。そして、GaClx粒子は、第2のプラズマ生成領域の窒素原子に由来する粒子と反応する。これにより、基板S1の上にGaN層が成膜される。
なお、第2のプラズマ生成領域に含まれる粒子が、Ga原子とCl原子との間の結合を断ち切る。したがって、基板S1の上のGaN層は、Cl原子をほとんど含まない。
2.変形例
2−1.第1のガス
第1のガスとして、塩素ガスの代わりに臭素等のその他のハロゲンを含むガスを用いてもよい。その場合には、Gaとハロゲンとの反応生成物が基板S1に輸送される。また、第1のガスは、メチル等の有機分子を含んでいてもよい。
2−1.第1のガス
第1のガスとして、塩素ガスの代わりに臭素等のその他のハロゲンを含むガスを用いてもよい。その場合には、Gaとハロゲンとの反応生成物が基板S1に輸送される。また、第1のガスは、メチル等の有機分子を含んでいてもよい。
2−2.第2のガス
第2のガスとして、酸素を用いてもよい。この場合には、基板S1の上にガリウムの酸化物が成膜される。
第2のガスとして、酸素を用いてもよい。この場合には、基板S1の上にガリウムの酸化物が成膜される。
2−3.組み合わせ
上記の変形例を自由に組み合わせてもよい。第1の実施形態およびその変形例と第2の実施形態およびその変形例とを組み合わせてもよい。
上記の変形例を自由に組み合わせてもよい。第1の実施形態およびその変形例と第2の実施形態およびその変形例とを組み合わせてもよい。
実験A
A−1.基材の種類
基板S1として、AlNバッファ層を形成済みのSi(111)基板を用いた。
A−1.基材の種類
基板S1として、AlNバッファ層を形成済みのSi(111)基板を用いた。
A−2.成膜装置の成膜条件
ターゲットT1としてGaを用いた。そのため、粒状のGaを100℃で加熱溶融し、成膜時には冷却部130の冷却水で冷却した。冷却水の温度は10℃であった。第1のガスとしてアルゴンガスを20sccm流した。第2のガスとして窒素ガスを30sccm流した。第1の電位付与部140の電力は60Wであった。第1の電位付与部140の周波数は13.56MHzであった。プラズマ発生装置230は、ICP装置である。ICP装置の電力は600Wであった。ICP装置の周波数は13.56MHzであった。第1室100および第2室200の内圧は2Paであった。加熱部220の温度、すなわち基板温度は、500℃であった。成膜時間は1時間であった。
ターゲットT1としてGaを用いた。そのため、粒状のGaを100℃で加熱溶融し、成膜時には冷却部130の冷却水で冷却した。冷却水の温度は10℃であった。第1のガスとしてアルゴンガスを20sccm流した。第2のガスとして窒素ガスを30sccm流した。第1の電位付与部140の電力は60Wであった。第1の電位付与部140の周波数は13.56MHzであった。プラズマ発生装置230は、ICP装置である。ICP装置の電力は600Wであった。ICP装置の周波数は13.56MHzであった。第1室100および第2室200の内圧は2Paであった。加熱部220の温度、すなわち基板温度は、500℃であった。成膜時間は1時間であった。
A−3.X線回折
図2は、実験Aにおいて成膜したGaN層を有するSi基板のX線回折の結果を示すグラフである。図2に示すように、Si(111)のピーク、AlN(0002)のピーク、Si(222)のピーク、AlN(0004)のピークの他に、GaN(0002)のピークが観測された。そのため、Si(111)基板のAlNバッファ層の上に好適なGaN層が形成されている。
図2は、実験Aにおいて成膜したGaN層を有するSi基板のX線回折の結果を示すグラフである。図2に示すように、Si(111)のピーク、AlN(0002)のピーク、Si(222)のピーク、AlN(0004)のピークの他に、GaN(0002)のピークが観測された。そのため、Si(111)基板のAlNバッファ層の上に好適なGaN層が形成されている。
また、成膜後において、Gaターゲットの表面に窒化膜は観測されなかった。したがって、Gaターゲットの窒化によるスパッタ収率の低下はほとんど生じないと考えられる。
実験B
B−1.基板の種類
基板S1として、実験Aと同様のAlNバッファ層を形成済みのSi(111)基板を用いた。
B−1.基板の種類
基板S1として、実験Aと同様のAlNバッファ層を形成済みのSi(111)基板を用いた。
B−2.成膜装置の成膜条件
ターゲットT1としてGaを用いた。そのため、粒状のGaを100℃で加熱溶融し、成膜時には冷却部130の冷却水で冷却した。冷却水の温度は10℃であった。第1のガスとしてアルゴンガスと塩素ガスとの混合ガスを流した。アルゴンガスの流量は39.8sccmであった。塩素ガスの流量は0.2sccmであった。第2のガスとして窒素ガスと水素ガスとの混合ガスを流した。窒素ガスの流量は9.0sccmであった。水素ガスの流量は1.0sccmであった。
ターゲットT1としてGaを用いた。そのため、粒状のGaを100℃で加熱溶融し、成膜時には冷却部130の冷却水で冷却した。冷却水の温度は10℃であった。第1のガスとしてアルゴンガスと塩素ガスとの混合ガスを流した。アルゴンガスの流量は39.8sccmであった。塩素ガスの流量は0.2sccmであった。第2のガスとして窒素ガスと水素ガスとの混合ガスを流した。窒素ガスの流量は9.0sccmであった。水素ガスの流量は1.0sccmであった。
第1の電位付与部140の電力は60Wであった。第1の電位付与部140の周波数は13.56MHzであった。プラズマ発生装置230は、ICP装置である。ICP装置の電力は1kWであった。ICP装置の周波数は13.56MHzであった。第1室100および第2室200の内圧は2Paであった。加熱部220の温度、すなわち基板温度は、500℃であった。成膜時間は1時間であった。
図3は、実験Bにおいて成膜したGaN層を有するSi基板のX線回折の結果を示すグラフである。図3に示すように、Si(111)のピーク、AlN(0002)のピーク、AlN(0004)のピークにの他に、GaN(0002)のピークおよびGaN(0004)のピークが観測された。実験BのGaN(0002)のピークは、実験AのGaN(0002)のピークよりも鋭い。そのため、実験BのGaN層の結晶性は、実験AのGaN層の結晶性よりも優れていると考えられる。
1000…成膜装置
1100…筐体
1200…壁
1300…仕切り部
1301…貫通孔
100…第1室
110…ターゲット収容部
120…ターゲット収容部支持部
130…冷却部
140…第1の電位付与部
150…第1のガス供給部
160…第1のガス供給管
200…第2室
210…基板支持部
220…加熱部
230…プラズマ発生装置
240…第2の電位付与部
250…第2のガス供給部
260…第2のガス供給管
270…排気口
S1…基板
T1…ターゲット
1100…筐体
1200…壁
1300…仕切り部
1301…貫通孔
100…第1室
110…ターゲット収容部
120…ターゲット収容部支持部
130…冷却部
140…第1の電位付与部
150…第1のガス供給部
160…第1のガス供給管
200…第2室
210…基板支持部
220…加熱部
230…プラズマ発生装置
240…第2の電位付与部
250…第2のガス供給部
260…第2のガス供給管
270…排気口
S1…基板
T1…ターゲット
Claims (5)
- 成膜装置において、
第1室と、第2室と、前記第1室と前記第2室とを区切る仕切り部と、を有し、
前記第1室は、
ターゲットを収容するターゲット収容部を有し、
前記第2室は、
基板を支持する基板支持部を有し、
前記仕切り部は、
前記第1室と前記第2室とを連通するための貫通孔を有すること
を特徴とする成膜装置。 - 請求項1に記載の成膜装置において、
前記基板支持部は、
前記ターゲット収容部と前記貫通孔とを結ぶ線の延長線上に配置されていること
を特徴とする成膜装置。 - 請求項1または請求項2に記載の成膜装置において、
前記第1室に第1のガスを供給する第1のガス供給部と、
前記第2室に第2のガスを供給する第2のガス供給部と、
を有すること
を特徴とする成膜装置。 - 請求項3に記載の成膜装置において、
前記第2のガス供給部が供給する前記第2のガスをプラズマ化するプラズマ発生装置を有すること
を特徴とする成膜装置。 - 請求項3または請求項4に記載の成膜装置において、
前記ターゲット収容部に電位を付与する第1の電位付与部を有すること
を特徴とする成膜装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016241410A JP2018095922A (ja) | 2016-12-13 | 2016-12-13 | 成膜装置 |
PCT/JP2017/041406 WO2018110199A1 (ja) | 2016-12-13 | 2017-11-17 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016241410A JP2018095922A (ja) | 2016-12-13 | 2016-12-13 | 成膜装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018095922A true JP2018095922A (ja) | 2018-06-21 |
Family
ID=62558726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016241410A Pending JP2018095922A (ja) | 2016-12-13 | 2016-12-13 | 成膜装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2018095922A (ja) |
WO (1) | WO2018110199A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020147837A (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-17 | 国立大学法人東海国立大学機構 | Iii族窒化物半導体の製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019148002A (ja) * | 2018-02-28 | 2019-09-05 | 国立大学法人名古屋大学 | 成膜装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07113173A (ja) * | 1993-10-13 | 1995-05-02 | Hitachi Ltd | イオンビームスパッタ装置 |
JPH11172424A (ja) * | 1997-12-12 | 1999-06-29 | Minolta Co Ltd | ガリウム化合物の製造方法 |
JP2000336477A (ja) * | 1999-05-28 | 2000-12-05 | Japan Science & Technology Corp | 高効率プラズマガス中凝縮クラスター堆積装置 |
JP2004156137A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-06-03 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
JP2015064531A (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-09 | Hoya株式会社 | マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法 |
-
2016
- 2016-12-13 JP JP2016241410A patent/JP2018095922A/ja active Pending
-
2017
- 2017-11-17 WO PCT/JP2017/041406 patent/WO2018110199A1/ja active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07113173A (ja) * | 1993-10-13 | 1995-05-02 | Hitachi Ltd | イオンビームスパッタ装置 |
JPH11172424A (ja) * | 1997-12-12 | 1999-06-29 | Minolta Co Ltd | ガリウム化合物の製造方法 |
JP2000336477A (ja) * | 1999-05-28 | 2000-12-05 | Japan Science & Technology Corp | 高効率プラズマガス中凝縮クラスター堆積装置 |
JP2004156137A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-06-03 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
JP2015064531A (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-09 | Hoya株式会社 | マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020147837A (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-17 | 国立大学法人東海国立大学機構 | Iii族窒化物半導体の製造方法 |
JP7274729B2 (ja) | 2019-03-15 | 2023-05-17 | 国立大学法人東海国立大学機構 | Iii族窒化物半導体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018110199A1 (ja) | 2018-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102323167B1 (ko) | 프로세싱 챔버 내에서의 퍼징 및 플라스마 억제를 위한 방법 및 장치 | |
KR102172822B1 (ko) | 펄싱된 원격 플라즈마 방법 및 시스템 | |
JP5909484B2 (ja) | 短寿命種のためのプラズマ源を組み込んだプロセスチャンバ蓋の設計 | |
TWI675124B (zh) | 用以減少背側沉積及減輕基板邊緣的厚度改變之系統及方法 | |
JP2013153164A5 (ja) | ||
CN102576667A (zh) | 中空阴极喷头 | |
JP2015188061A (ja) | プラズマ処理装置及び成膜方法 | |
JP7274729B2 (ja) | Iii族窒化物半導体の製造方法 | |
JP6126475B2 (ja) | 基板処理装置 | |
WO2018110199A1 (ja) | 成膜装置 | |
JP2005093737A (ja) | プラズマ成膜装置,プラズマ成膜方法,半導体装置の製造方法,液晶表示装置の製造方法及び有機el素子の製造方法 | |
TW200719411A (en) | Method of direct deposition of polycrystalline silicon | |
JP5551635B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
TWI651429B (zh) | 用於減少薄膜中不純物之裝置及方法 | |
JP6501560B2 (ja) | シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置 | |
WO2019167355A1 (ja) | 成膜装置 | |
JP2017509107A5 (ja) | ||
JP2019009264A (ja) | 成膜装置 | |
KR102125473B1 (ko) | 박막 증착 방법 | |
KR101823678B1 (ko) | 증착 장치 및 증착 방법 | |
JP4571106B2 (ja) | 高圧取囲み冷却ターゲットチェンバ | |
JP2012049028A (ja) | ラジカル源 | |
JP2008300688A (ja) | 成膜装置 | |
WO2013088916A1 (ja) | 窒化ガリウム膜の成膜装置および成膜方法ならびに水素化ガリウム発生器 | |
JP2019186474A (ja) | ボロン系膜の成膜方法および成膜装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200707 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210106 |