JP2018075663A - Grinding device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、研削装置に関する。 The present invention relates to a grinding apparatus.
磁気ディスク装置等の磁気記録媒体に用いられる薄膜磁気ヘッドは、例えばアルチック基板(アルミナチタンカーバイド(AlTiC)基板)で構成される(特許文献1及び特許文献2参照)。アルチック基板の表面には、例えばCu電極が形成され、当該Cu電極を覆うようにアルミナセラミック等の絶縁層が形成される。薄膜磁気ヘッドの生産工程においては、上記アルチック基板の絶縁層を研削してCu電極が表出される。 A thin film magnetic head used for a magnetic recording medium such as a magnetic disk device is composed of, for example, an AlTiC substrate (alumina titanium carbide (AlTiC) substrate) (see Patent Document 1 and Patent Document 2). On the surface of the AlTiC substrate, for example, a Cu electrode is formed, and an insulating layer such as alumina ceramic is formed so as to cover the Cu electrode. In the production process of the thin film magnetic head, the Cu electrode is exposed by grinding the insulating layer of the AlTiC substrate.
アルチック基板を研削する工程では、基板を保持テーブルに保持させ、基板の上面及び保持テーブルの上面にそれぞれ接触式のハイトゲージを接触させて基板の厚みを測定している。研削中は、保持テーブルが回転することでハイトゲージの測定子先端が基板又は保持面上で擦れるため、測定子先端が摩耗するおそれがある。そこで、測定子の材質は、摩耗し難いダイアモンドやサファイア等の絶縁体が採用される。 In the step of grinding the Altic substrate, the substrate is held on a holding table, and a contact-type height gauge is brought into contact with the upper surface of the substrate and the upper surface of the holding table, respectively, and the thickness of the substrate is measured. During grinding, the tip of the height gauge probe rubs on the substrate or the holding surface due to the rotation of the holding table, which may cause wear of the probe tip. Therefore, an insulator such as diamond or sapphire that is not easily worn is used as the material of the probe.
ところで、アルミナセラミック層に測定子を接触させた状態で保持テーブルが回転されると、接触部分が共に絶縁体であるため帯電することがある。アルミナセラミック層が研削されCu電極が表出すると、測定子で帯電していた電気(静電気)がCu電極に放電されることで、Cu電極が破損してしまうおそれがある。 By the way, if the holding table is rotated in a state in which the measuring element is in contact with the alumina ceramic layer, the contact portions may be charged because both of the contact portions are insulators. When the alumina ceramic layer is ground and the Cu electrode is exposed, electricity (static electricity) charged by the probe is discharged to the Cu electrode, which may damage the Cu electrode.
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、静電気の影響を抑制することができる研削装置を提供することを目的の1つとする。 This invention is made | formed in view of this point, and makes it one of the objectives to provide the grinding device which can suppress the influence of static electricity.
本発明の一態様の研削装置は、板状ワークの下面を保持する保持面を有する保持テーブルと、環状に研削砥石を配設した研削ホイールを回転可能に装着して保持テーブルが保持した板状ワークの上面側から研削する研削手段と、保持面に第1測定子を接触させて第1測定子の高さを認識させ保持面高さを測定する第1の測定手段と、保持テーブルが保持した板状ワークの上面に第2測定子を接触させて第2測定子の高さを認識させ板状ワークの上面高さを測定する第2の測定手段と、第1の測定手段が測定した測定値と第2の測定手段が測定した測定値との差を板状ワークの厚みとして算出する算出手段と、を備え、算出手段が算出した板状ワークの厚みが予め設定した仕上げ厚みになるまで研削する研削装置であって、少なくとも第2の測定手段は、硬質な導通部材で形成される第2測定子と、第2測定子をアースに接続する接続手段とを備え、第2測定子の帯電を防止することを特徴とする。 A grinding apparatus according to one aspect of the present invention is a plate-like shape in which a holding table having a holding surface that holds the lower surface of a plate-like workpiece and a grinding wheel in which a grinding wheel is annularly mounted are rotatably mounted and held by the holding table. The holding table holds the grinding means for grinding from the upper surface side of the workpiece, the first measuring means for contacting the first measuring element with the holding surface to recognize the height of the first measuring element, and measuring the holding surface height. A second measuring unit that contacts the upper surface of the plate-shaped workpiece, recognizes the height of the second measuring unit, and measures the upper surface height of the plate-shaped workpiece, and the first measuring unit measures Calculating means for calculating the difference between the measured value and the measured value measured by the second measuring means as the thickness of the plate-like workpiece, and the thickness of the plate-like workpiece calculated by the calculating means is a preset finish thickness. A grinding device that grinds up to at least a second measurement. Means comprise a second measuring element which is formed by the rigid conductive member, and a connecting means for connecting the second measuring element to the ground, characterized in that to prevent the charging of the second measuring element.
この構成によれば、板状ワークの上面に接触する第2測定子が導通部材で形成され、当該第2測定子がアースに接続される。このため、研削加工中に第2測定子が板状ワーク上で擦れて静電気が発生しても、当該静電気を接続手段を介してアースに逃がすことが可能である。この結果、第2測定子が帯電することを防止することができる。したがって、静電気の影響を抑制することができる。 According to this structure, the 2nd measuring element which contacts the upper surface of a plate-shaped workpiece is formed with a conduction member, and the said 2nd measuring element is connected to earth | ground. For this reason, even if the second measuring element is rubbed on the plate-like workpiece during the grinding process, static electricity can be released to the ground via the connecting means. As a result, the second probe can be prevented from being charged. Therefore, the influence of static electricity can be suppressed.
また、本発明の一態様の上記研削装置において、板状ワークは、基板に形成される電極を含む配線層と、配線層を覆う絶縁層とで形成され、少なくとも第2の測定手段の第2測定子の帯電を防止させつつ研削砥石で絶縁層を研削して電極を板状ワークの上面に露出させる。 In the grinding device of one embodiment of the present invention, the plate-like workpiece is formed of a wiring layer including an electrode formed on the substrate and an insulating layer covering the wiring layer, and at least a second of the second measuring unit. The electrode is exposed on the upper surface of the plate-like workpiece by grinding the insulating layer with a grinding wheel while preventing charging of the probe.
本発明によれば、静電気の影響を抑制することができる。 According to the present invention, the influence of static electricity can be suppressed.
以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係る研削装置の概略構成について説明する。図1は、本実施の形態の係る研削装置の斜視図である。また、研削装置は、図1に示すように研削加工専用の装置構成に限定されず、例えば、研削加工、研磨加工、洗浄加工等の一連の加工が全自動で実施されるフルオートタイプの加工装置に組み込まれてもよい。 Hereinafter, a schematic configuration of a grinding apparatus according to the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view of a grinding apparatus according to the present embodiment. Further, the grinding apparatus is not limited to the apparatus configuration dedicated to the grinding process as shown in FIG. 1, for example, a fully automatic type process in which a series of processes such as a grinding process, a polishing process, and a cleaning process are performed automatically. It may be incorporated into the device.
図1に示すように、研削装置1は、多数の研削砥石47を円環状に配置した研削ホイール46を用いて、保持テーブル20に保持された板状ワークWを研削するように構成されている。板状ワークWは、保護テープ(不図示)が貼着された状態で研削装置1に搬入され、保持テーブル20に保持される。板状ワークWは、研削対象となる板状部材であればよく、シリコン、ガリウム砒素等の半導体ウエーハでもよいし、セラミック、ガラス、サファイア等の光デバイスウエーハでもよいし、デバイスパターン形成前のアズスライスウエーハでもよい。なお、本実施の形態では、後述するように、板状ワークWとして、アルチック基板(アルミナチタンカーバイド(AlTiC)基板)を例に挙げて説明する。
As shown in FIG. 1, the grinding apparatus 1 is configured to grind a plate-like workpiece W held on a holding table 20 using a grinding
研削装置1の基台10の上面には、X軸方向に延在する矩形状の開口が形成され、この開口は保持テーブル20と共に移動可能な移動板11及び蛇腹状の防水カバー12に覆われている。防水カバー12の下方には、保持テーブル20をX軸方向に移動させるボールねじ式の進退手段(不図示)が設けられている。保持テーブル20は、テーブル回転手段に連結されており、テーブル回転手段の駆動によって板状ワークWの中心を軸に回転可能に構成されている。
A rectangular opening extending in the X-axis direction is formed on the upper surface of the
保持テーブル20は、アルミナセラミックで形成される枠体21にポーラス板(不図示)をはめ込んで構成される。保持テーブル20の上面には、板状ワークWを吸引保持する保持面21aが形成される。保持面21aには、図示しない吸引源が接続される。保持テーブル20は、保持面21aに生じる負圧によって板状ワークWを保持面21a上に吸引保持することが可能である。
The holding table 20 is configured by fitting a porous plate (not shown) to a
基台10上のコラム15には、研削手段40を保持テーブル20に対して接近及び離反させる方向(Z軸方向)に研削送りする研削送り手段30が設けられている。研削送り手段30は、コラム15に配置されたZ軸方向に平行な一対のガイドレール31と、一対のガイドレール31にスライド可能に設置されたモータ駆動のZ軸テーブル32とを有している。Z軸テーブル32の背面側には図示しないナット部が形成され、これらナット部にボールネジ33が螺合されている。ボールネジ33の一端部に連結された駆動モータ34によりボールネジ33が回転駆動されることで、研削手段40がガイドレール31に沿ってZ軸方向に移動される。
The
研削手段40は、ハウジング41を介してZ軸テーブル32の前面に取り付けられており、スピンドルユニット42で研削ホイール46を中心軸回りに回転させるように構成されている。スピンドルユニット42は、いわゆるエアスピンドルであり、ケーシングの内側で高圧エアを介してスピンドル軸44を回転可能に支持している。
The grinding means 40 is attached to the front surface of the Z-axis table 32 via a
スピンドル軸44の先端にはマウント45が連結されており、マウント45には研削砥石47を環状に備えた研削ホイール46が装着されている。研削砥石47は、例えば、所定砥粒径のダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンドで結合して構成される。なお、研削砥石47は、これに限定されず、ダイヤモンド砥粒をメタルボンドやレジンボンド等の結合剤で固めて形成してもよい。
A
また、研削装置1には、装置各部を統括制御する制御手段(不図示)が設けられている。制御手段は、各種処理を実行するプロセッサやメモリ等により構成される。メモリは、用途に応じてROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。制御手段は、例えば、研削手段40の研削送り量、研削送り速度等(その他、例えば研削ホイールの回転速度)を制御する。 Further, the grinding apparatus 1 is provided with a control means (not shown) for comprehensively controlling each part of the apparatus. The control means includes a processor that executes various processes, a memory, and the like. The memory is composed of one or a plurality of storage media such as a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory) depending on the application. The control means controls, for example, the grinding feed amount, grinding feed speed, etc. of the grinding means 40 (others, for example, the rotational speed of the grinding wheel).
保持テーブル20の側方には、基台10の上面から立ち上がる立設部50が設けられている。立設部50には、保持テーブル20の保持面高さを測定する第1の測定手段51と、板状ワークWの上面高さを測定する第2の測定手段52とが設けられている。第1の測定手段51及び第2の測定手段52は、共に接触式のハイトゲージであり、それぞれ立設部50から保持テーブル20の上方(Y軸方向)に延在するアーム53、54の先端に第1測定子55、第2測定子56を取り付けて構成される。
On the side of the holding table 20, a standing
第1測定子55及び第2測定子56は、例えばタングステン(W)や炭化チタン(TiC)等の比較的硬質な導通部材で形成され、アーム53、54の先端から下方に向かって延在している。なお、第1測定子55及び第2測定子56の材質は、これに限定されず、導電性を有する材質であれば、どのような材質であってもよい。詳細は後述するが、第1の測定手段51は、保持面21aに第1測定子55を接触させて第1測定子の高さを認識し、保持面高さを測定する。第2の測定手段52は、保持テーブル20が保持した板状ワークWの上面に第2測定子56を接触させて第2測定子56の高さを認識し、板状ワークWの上面高さを測定する。保持面高さ及び板状ワークWの上面高さの測定値は、制御手段(後述する算出手段57)に出力される。
The
また、制御手段には、上記測定値に基づいて板状ワークWの厚みを算出する算出手段57が設けられている。算出手段57は、第1の測定手段51が測定した保持面高さと、第2の測定手段52が測定した板状ワークWの上面高さとの差を板状ワークWの厚みとして算出する。研削装置1は、研削加工中、常時板状ワークWの厚みを算出し、当該厚みが予め設定した仕上げ厚みになるまで研削手段40の研削送り量を制御して研削を実施する。
Further, the control means is provided with a calculation means 57 for calculating the thickness of the plate-like workpiece W based on the measured value. The calculating
次に、図2を参照して、本実施の形態に係る研削装置の詳細構成及び動作について説明する。図2は、本実施の形態に係る研削装置で板状ワークを研削する際(研削工程)の模式図である。図2Aは研削前の状態を示し、図2Bは研削中の状態を示している。 Next, a detailed configuration and operation of the grinding apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a schematic view when a plate-like workpiece is ground (grinding step) by the grinding apparatus according to the present embodiment. FIG. 2A shows a state before grinding, and FIG. 2B shows a state during grinding.
ハードディスクドライブ(HDD)等の記憶媒体の読み書きを実現する薄膜磁気ヘッドは、例えばアルチック基板の表面に磁気回路を形成した板状ワークを個々のチップに分割して形成される。具体的に板状ワークWは、図2に示すように、基板W1の表面に電極L1を含む配線層を形成し、当該電極L1(配線層)を絶縁層L2で覆って構成される。 A thin film magnetic head that realizes reading and writing of a storage medium such as a hard disk drive (HDD) is formed, for example, by dividing a plate-like work in which a magnetic circuit is formed on the surface of an AlTiC substrate into individual chips. Specifically, as shown in FIG. 2, the plate-like workpiece W is formed by forming a wiring layer including the electrode L1 on the surface of the substrate W1, and covering the electrode L1 (wiring layer) with an insulating layer L2.
基板W1は、上記したようにアルチック基板(アルミナチタンカーバイド(AlTiC)基板)で構成される。電極L1は例えばCu電極で構成され、当該電極L1によって基板W1上に所定の回路が形成される。なお、電極L1は、Cu(銅)に限らず、Cr(クロム)やTa(タンタル)等、導電性を有する材質であれば、どのような材質で形成されてもよい。絶縁層L2は、アルミナセラミック(Al2O3)等の絶縁体で形成される。なお、絶縁層L2は、アルミナセラミックに限らず、単結晶窒化アルミニウム(AlN)や二酸化ケイ素(SiO2)等で形成されてもよい。 As described above, the substrate W1 is composed of an Altic substrate (alumina titanium carbide (AlTiC) substrate). The electrode L1 is composed of, for example, a Cu electrode, and a predetermined circuit is formed on the substrate W1 by the electrode L1. The electrode L1 is not limited to Cu (copper), and may be formed of any material as long as it has conductivity, such as Cr (chromium) or Ta (tantalum). The insulating layer L2 is formed of an insulator such as alumina ceramic (Al 2 O 3 ). The insulating layer L2 is not limited to alumina ceramic, and may be formed of single crystal aluminum nitride (AlN), silicon dioxide (SiO 2 ), or the like.
ところで、薄膜磁気ヘッドの生産工程においては、板状ワークが仕上げ厚みに至るまで絶縁層が研削される。板状ワークを研削する工程では、板状ワークを保持テーブルに保持させ、板状ワークの上面及び保持テーブルの上面にそれぞれ接触式のハイトゲージを接触させて板状ワークの厚みを測定している。研削中は、保持テーブルが回転することでハイトゲージの測定子先端が板状ワーク又は保持面上で擦れるため、測定子先端が摩耗するおそれがある。このため、従来より、測定子の材質には、摩耗し難いダイアモンドやサファイア等の絶縁体が採用されていた。 By the way, in the production process of the thin film magnetic head, the insulating layer is ground until the plate-like workpiece reaches the finished thickness. In the step of grinding the plate-shaped workpiece, the thickness of the plate-shaped workpiece is measured by holding the plate-shaped workpiece on the holding table and bringing a contact-type height gauge into contact with the upper surface of the plate-shaped workpiece and the upper surface of the holding table. During grinding, as the holding table rotates, the tip of the height gauge probe rubs on the plate-like workpiece or the holding surface, and thus the probe tip may be worn. For this reason, conventionally, insulators such as diamond and sapphire, which are not easily worn, have been employed as the material of the probe.
しかしながら、絶縁層に測定子を接触させた状態で保持テーブルが回転されると、接触部分が共に絶縁体であるため帯電することがある。また、板状ワークが仕上げ厚みまで研削されると電極が表出する。このため、測定子が電極に接触すると、測定子で帯電していた電気(静電気)が電極で放電し、その結果、電極が破損してしまうおそれがあった。 However, when the holding table is rotated in a state where the measuring element is in contact with the insulating layer, the contact portions may be electrically charged because both are insulative. Further, when the plate-like workpiece is ground to the finished thickness, the electrode is exposed. For this reason, when the probe contacts the electrode, electricity (static electricity) charged by the probe is discharged by the electrode, and as a result, the electrode may be damaged.
そこで、本発明者は、電極の静電破壊を防止することを着想した。具体的に本実施の形態では、板状ワークWの上面(絶縁層L2)に接触する第2測定子56を導通部材で形成し、当該第2測定子56を接続手段58を介してアース59に接続する構成とした。これにより、研削加工中に第2測定子56が板状ワークW上で擦れて静電気が発生しても、当該静電気を接続手段58を介してアース59に逃がすことが可能である。この結果、第2測定子56が帯電することを防止することができる。したがって、静電気の影響を抑制して、電極の静電破壊を防止することが可能になった。
Therefore, the present inventor has conceived of preventing electrostatic breakdown of the electrode. Specifically, in the present embodiment, the
以下、具体的な研削工程について説明する。図2Aに示すように、保持テーブル20の保持面21aには、板状ワークWが載置される。より具体的に板状ワークWは、基板W1側が下側となるように保持面21a上に載置される。板状ワークWは、保持面21a上に生じる負圧によって吸引保持される。なお、図示はしていないが、保持面21aは、保持テーブル20の回転中心(保持面21aの中心)を頂点とし外周が僅かに低く傾斜した傾斜面を有しており、板状ワークWは、保持面21aの形状に倣って緩傾斜の円錐形状となる。
Hereinafter, a specific grinding process will be described. As shown in FIG. 2A, the plate-like workpiece W is placed on the holding
保持テーブル20は、研削手段40の下方に位置付けられる。このとき、保持テーブル20の回転軸は、研削砥石47の回転軸から偏心した位置に位置付けられる。更に保持テーブル20は、研削砥石47の研削面47aと保持面21aとが平行となるように、図示しない傾き調整機構によって回転軸の傾きが調整される。
The holding table 20 is positioned below the grinding means 40. At this time, the rotating shaft of the holding table 20 is positioned at a position eccentric from the rotating shaft of the
そして、保持テーブル20が回転されると共に、研削手段40は、スピンドルユニット42で研削砥石47を回転させながら、研削送り手段30(図1参照)によって保持面21aに向かって下降(研削送り)される。研削砥石47の研削面47aは、板状ワークWの中心から外周に至る半径部分に円弧状に接触される。このように、研削手段40は、研削砥石47が板状ワークWの中心を通過し、当該板状ワークWの中心と外周との半径エリアで板状ワークWの円弧の被研削部分を研削する。
Then, while the holding table 20 is rotated, the grinding means 40 is lowered (ground feed) toward the holding
また、研削中は、第1測定子55の先端が保持面21aに接触しており、保持面高さが測定されている。一方、第2測定子56の先端は絶縁層L2の表面に接触しており、板状ワークWの上面高さが測定されている。算出手段57は、第1の測定手段51及び第2の測定手段52の測定値を常時取得し、その差に基づいて板状ワークWの厚みをリアルタイムに算出している。
During grinding, the tip of the first measuring
上記したように、第2測定子56が導通部材で形成されると共に接続手段58を介してアース59に接続されているため、第2測定子56と絶縁層L2との接触部分で静電気が発生しても、当該静電気をアース59に逃がすことが可能である。これにより、第2測定子56の帯電が防止されている。
As described above, since the
また、第1測定子55を第2測定子56と同じ材質にし、保持テーブル20(保持面21a)と絶縁層L2の材質を同じアルミナセラミックにしたことにより、第1測定子55と第2測定子56の摩耗傾向(消耗度合い)を近づけることが可能である。よって、板状ワークWの厚み測定誤差を少なくすることができ、その誤差の補正も最小限に抑えることが可能である。
Further, the first measuring
板状ワークWは、研削砥石47と板状ワークWとを回転接触させながら徐々にZ軸方向へ研削送りすることで薄化され、リアルタイムに算出される板状ワークWの厚みが予め設定した仕上げ厚みになったら研削が終了する。具体的には、図2Bに示すように、電極L1が板状ワークWの上面に露出するまで、研削手段40の研削送りが継続される。上記したように、第2測定子56の帯電が防止された状態で板状ワークW(絶縁層L2)が研削されるため、第2測定子56の先端が電極L1に接触しても、電極L1が放電することはない。よって、電極L1が静電破壊されることもない。
The plate-like workpiece W is thinned by gradually feeding it in the Z-axis direction while rotating the
以上説明したように、本実施の形態によれば、基板W1の上面に電極L1が形成され、当該電極L1が絶縁層L2で覆われる板状ワークWを研削する研削装置1において、絶縁層L2に接触する第2測定子56を導通部材で形成し、当該第2測定子56をアース59に接続している。これにより、研削加工中に第2測定子56の帯電を防止しつつも、板状ワークWの厚みをリアルタイムに算出しながら適切に研削加工を実施することが可能である。特に、板状ワークWが所望の厚みまで研削され、電極L1が表出して第2測定子56が電極L1に接触しても、第2測定子56の帯電が防止されていることで、電極L1が放電することなく、電極L1の静電破壊を防止することが可能である。
As described above, according to the present embodiment, in the grinding apparatus 1 for grinding the plate-like workpiece W in which the electrode L1 is formed on the upper surface of the substrate W1 and the electrode L1 is covered with the insulating layer L2, the insulating layer L2 A
なお、本実施の形態では、第1測定子55を第2測定子56と同じ材質にし、保持テーブル20(保持面21a)と絶縁層L2の材質を同じアルミナセラミックにする構成としたが、この構成に限定されない。第1測定子55は、第2測定子56と異なる材質であってもよく、保持テーブル20は、絶縁層L2と異なる材質であってもよい。
In the present embodiment, the first measuring
また、本実施の形態において、接続手段58は、第2測定子56をアース59に接続する構成であれば、どのように構成されてもよく、例えば、単なる配線であってもよい。
In the present embodiment, the connection means 58 may be configured in any way as long as the
また、本実施の形態及び変形例を説明したが、本発明の他の実施の形態として、上記実施の形態及び変形例を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。 Moreover, although this Embodiment and the modified example were demonstrated, what combined the said embodiment and modified example entirely or partially as another embodiment of this invention may be sufficient.
また、本発明の実施の形態は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施形態をカバーしている。 The embodiments of the present invention are not limited to the above-described embodiments, and various changes, substitutions, and modifications may be made without departing from the spirit of the technical idea of the present invention. Furthermore, if the technical idea of the present invention can be realized in another way by technological advancement or another derived technique, the method may be used. Accordingly, the claims cover all embodiments that can be included within the scope of the technical idea of the present invention.
以上説明したように、本発明は、静電気の影響を抑制することができるという効果を有し、特に、板状ワークの絶縁層を研削する研削装置に有用である。 As described above, the present invention has an effect of suppressing the influence of static electricity, and is particularly useful for a grinding apparatus for grinding an insulating layer of a plate-like workpiece.
20 保持テーブル
21a 保持面
40 研削手段
46 研削ホイール
47 研削砥石
51 第1の測定手段
52 第2の測定手段
55 第1測定子
56 第2測定子
57 算出手段
58 接続手段
59 アース
W 板状ワーク
W1 基板
L1 電極
L2 絶縁層
20 holding table
Claims (2)
少なくとも該第2の測定手段は、硬質な導通部材で形成される該第2測定子と、該第2測定子をアースに接続する接続手段とを備え、該第2測定子の帯電を防止することを特徴とする研削装置。 Grinding means for grinding from the upper surface side of the plate-like workpiece held by the holding table having a holding surface for holding the lower surface of the plate-like workpiece and a grinding wheel in which a grinding wheel is arranged in an annular shape is rotatably mounted First measuring means for contacting the first measuring element to the holding surface to recognize the height of the first measuring element and measuring the holding surface height; and a plate-like workpiece held by the holding table. A second measuring means for contacting the upper surface with the second measuring element to recognize the height of the second measuring element and measuring the upper surface height of the plate-like workpiece; and a measurement value measured by the first measuring means; Calculating means for calculating a difference from the measured value measured by the second measuring means as the thickness of the plate-like workpiece, until the thickness of the plate-like workpiece calculated by the calculating means reaches a preset finish thickness A grinding device for grinding,
At least the second measuring means includes the second measuring element formed of a hard conductive member and connecting means for connecting the second measuring element to the ground, and prevents the second measuring element from being charged. A grinding apparatus characterized by that.
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---|---|---|---|---|
JP2021032800A (en) * | 2019-08-28 | 2021-03-01 | 株式会社ディスコ | Height gage |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09102521A (en) * | 1995-10-06 | 1997-04-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Probe card |
JP2000068320A (en) * | 1998-08-25 | 2000-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device and method for preventing electrostatic breakdown thereof |
JP2006073604A (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Fujitsu Ltd | Semiconductor evaluation method and semiconductor evaluation device |
JP2006237333A (en) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | Grinding method and apparatus of semiconductor wafer |
JP2008114350A (en) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | Dry type polishing device |
JP2010199227A (en) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | Grinding device |
-
2016
- 2016-11-09 JP JP2016218803A patent/JP6785132B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09102521A (en) * | 1995-10-06 | 1997-04-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Probe card |
JP2000068320A (en) * | 1998-08-25 | 2000-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device and method for preventing electrostatic breakdown thereof |
JP2006073604A (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Fujitsu Ltd | Semiconductor evaluation method and semiconductor evaluation device |
JP2006237333A (en) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | Grinding method and apparatus of semiconductor wafer |
JP2008114350A (en) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | Dry type polishing device |
JP2010199227A (en) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | Grinding device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021032800A (en) * | 2019-08-28 | 2021-03-01 | 株式会社ディスコ | Height gage |
CN112440170A (en) * | 2019-08-28 | 2021-03-05 | 株式会社迪思科 | Altimeter |
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