JP2018064074A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1a 表面
1b 裏面
1c 第1の方向
1d 第2の方向
3 分割予定ライン
3a 第1の方向に平行な分割予定ライン
3b 第2の方向に平行な分割予定ライン
3c 第1の分割予定ライン
3d 第2の分割予定ライン
5 デバイス
7 ウェーハの表面に至るクラック
9 改質層
9a 第1の改質層
9b 第2の改質層
2 レーザ加工装置
4 チャックテーブル
6 保持面
8 加工ヘッド
10 研削装置
12 スピンドル
14 研削ホイール
16 研削砥石
18 チャックテーブル
20 保持面
Claims (1)
- 第1の方向に平行に並ぶ複数の分割予定ラインと、該第1の方向に交差する第2の方向に平行に並ぶ複数の分割予定ラインと、で区画された各領域にそれぞれデバイスが形成された表面を有するウェーハの加工方法であって、
該第1の方向に平行に並ぶ複数の分割予定ラインのそれぞれに沿って、一端の分割予定ラインから順に他端の分割予定ラインに至るまで、該ウェーハに対して透過性を有する波長の第1のレーザビームと、該ウェーハに対して透過性を有する波長の第2のレーザビームと、を分割予定ライン毎に交互に該ウェーハ内部に照射し、該分割予定ラインのそれぞれに沿って改質層を形成するレーザ加工ステップと、
レーザ加工ステップを実施した後、該ウェーハを裏面側から研削して所定厚みへと薄化し、該ウェーハを個々のチップに分割する研削ステップと、を備え、
該第1のレーザビームと、該第2のレーザビームと、の一方は、該改質層から該ウェーハの該表面に至るクラックを発生させる照射条件で照射され、
該第1のレーザビームと、該第2のレーザビームと、の他方は、該改質層から該ウェーハの該表面に至るクラックが発生しない照射条件で照射されることを特徴とするウェーハの加工方法。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010247214A (ja) * | 2009-04-20 | 2010-11-04 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工装置 |
JP2013152967A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウェーハの分割方法 |
JP2013171846A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウェーハの分割方法 |
JP2013214601A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
JP2015050226A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
-
2016
- 2016-10-14 JP JP2016203066A patent/JP6710465B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010247214A (ja) * | 2009-04-20 | 2010-11-04 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工装置 |
JP2013152967A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウェーハの分割方法 |
JP2013171846A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウェーハの分割方法 |
JP2013214601A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
JP2015050226A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112192772A (zh) * | 2020-10-26 | 2021-01-08 | 中国科学院半导体研究所 | 超快激光连续裂片装置及方法 |
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