JP2018056145A - Photovoltaic module - Google Patents

Photovoltaic module Download PDF

Info

Publication number
JP2018056145A
JP2018056145A JP2015022074A JP2015022074A JP2018056145A JP 2018056145 A JP2018056145 A JP 2018056145A JP 2015022074 A JP2015022074 A JP 2015022074A JP 2015022074 A JP2015022074 A JP 2015022074A JP 2018056145 A JP2018056145 A JP 2018056145A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
film
adhesive layer
resin
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015022074A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
史陽 石村
Fumiaki Ishimura
史陽 石村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Choshu Industry Co Ltd
Original Assignee
Choshu Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Choshu Industry Co Ltd filed Critical Choshu Industry Co Ltd
Priority to JP2015022074A priority Critical patent/JP2018056145A/en
Priority to PCT/JP2016/053464 priority patent/WO2016125882A1/en
Priority to TW105104059A priority patent/TW201640686A/en
Publication of JP2018056145A publication Critical patent/JP2018056145A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells; solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photovoltaic module having high degree-of-freedom in selection of a material of a sealing layer, and ensuring better generation efficiency.SOLUTION: A photovoltaic module 100 includes a heterojunction photovoltaic element 10, multiple first micro wirings 21 bonded and fixed to a first electrode 15 on one side of the photovoltaic element 10 by a first adhesive layer 22, and a first resin film 23 sandwiching the multiple first micro wirings 21 between one side of the photovoltaic element 10, and bonded to one side of the photovoltaic element 10 via the first adhesive layer 22. The photovoltaic module 100 further includes a translucent first protective layer 40, and a first sealing layer 30 filling between the first protective layer 40 and the first resin film 23. The first adhesive layer 22 is composed of a resin material containing a copolymer (e.g., ionomer) of ethylene and unsaturated carboxylic acid.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、光発電モジュールに関する。   The present invention relates to a photovoltaic module.

光発電モジュールの一種として、ヘテロ接合型の光発電素子を有するタイプのものがある。   As a kind of photovoltaic module, there is a type having a heterojunction photovoltaic element.

ヘテロ接合型の光発電素子は、第１導電型（主としてｎ型）の結晶半導体基板の一方の面側に、第１非晶質系半導体膜と、第１導電型の第２非晶質系半導体膜と、第１透光性電極膜と、第１電極と、をこの順に備えている。ここで、第１非晶質系半導体膜は、真性の非晶質系半導体膜であるか、又は、第２非晶質系半導体膜よりも不純物濃度が低い第１導電型の非晶質系半導体膜である。
更に、光発電素子は、結晶半導体基板の他方の面側に、真性非晶質系半導体膜と、第２導電型（主としてｐ型）の非晶質系半導体膜と、第２透光性電極膜と、第２電極と、をこの順に備えている。 The heterojunction type photovoltaic device includes a first amorphous semiconductor film and a first conductive type second amorphous system on one surface side of a first conductive type (mainly n-type) crystalline semiconductor substrate. A semiconductor film, a first translucent electrode film, and a first electrode are provided in this order. Here, the first amorphous semiconductor film is an intrinsic amorphous semiconductor film, or the first conductivity type amorphous system having an impurity concentration lower than that of the second amorphous semiconductor film. It is a semiconductor film.
Further, the photovoltaic element has an intrinsic amorphous semiconductor film, a second conductive type (mainly p-type) amorphous semiconductor film, and a second light-transmitting electrode on the other surface side of the crystalline semiconductor substrate. The membrane and the second electrode are provided in this order.

光発電モジュールは、光発電素子の一方の面の第１電極に第１接着層により接合固定された複数の第１微細配線と、第１接着層を介して光発電素子の一方の面に接合されているとともに光発電素子の一方の面との間に複数の第１微細配線を挟んでいる第１樹脂フィルムと、透光性基板と、透光性基板と第１樹脂フィルムとの間に充填された第１封止層と、を備えている。
更に、光発電モジュールは、光発電素子の他方の面の第２電極に第２接着層により接合固定された複数の第２微細配線と、第２接着層を介して光発電素子の前記他方の面に接合されているとともに光発電素子の他方の面との間に複数の第２微細配線を挟んでいる第２樹脂フィルムと、バックシート又は第２の透光性基板と、バックシート又は第２の透光性基板と第２樹脂フィルムとの間に充填された第２封止層と、を備えている。 The photovoltaic module is bonded to one surface of the photovoltaic element via the first adhesive layer and a plurality of first fine wirings bonded and fixed to the first electrode on one surface of the photovoltaic element by the first adhesive layer. And a first resin film sandwiching a plurality of first fine wirings between one surface of the photovoltaic device, a translucent substrate, and between the translucent substrate and the first resin film And a filled first sealing layer.
Further, the photovoltaic module includes a plurality of second fine wirings bonded and fixed to the second electrode on the other surface of the photovoltaic element by the second adhesive layer, and the other of the photovoltaic elements via the second adhesive layer. A second resin film bonded to the surface and sandwiching a plurality of second fine wirings between the other surface of the photovoltaic element, a back sheet or a second translucent substrate, and a back sheet or first And a second sealing layer filled between the translucent substrate 2 and the second resin film.

特許文献１には、第１接着層の材料として、エポキシ接着剤、アクリル接着剤、ゴム接着剤、シリコン接着剤、ポリビニル・エーテル接着剤が記載されている。   Patent Document 1 describes an epoxy adhesive, an acrylic adhesive, a rubber adhesive, a silicon adhesive, and a polyvinyl ether adhesive as materials for the first adhesive layer.

特表２００５−５３６８９４号公報JP 2005-536894 A

上述のように、ヘテロ接合型の光発電素子は、結晶半導体基板の両面に、非晶質系半導体膜を有する。
ここで、非晶質系半導体膜は、水分やナトリウムに対して脆弱である。
このため、封止層の材料として、水分やナトリウムに対するバリア性が十分でないものを用いた場合、非晶質系半導体膜が劣化してしまう。 As described above, the heterojunction photovoltaic device has an amorphous semiconductor film on both surfaces of a crystalline semiconductor substrate.
Here, the amorphous semiconductor film is vulnerable to moisture and sodium.
For this reason, when a material having an insufficient barrier property against moisture or sodium is used as the material of the sealing layer, the amorphous semiconductor film is deteriorated.

また、特許文献１に記載された第１接着層の材料は、紫外線に対する耐性が非常に弱い。このため、このような材料を用いる場合、一般的に、第１封止層に紫外線吸収剤を含有させることにより、第１接着層を保護する。
しかしながら、第１封止層が紫外線吸収剤を含有する場合、紫外光を発電に有効に利用することができない。 Moreover, the material of the 1st contact bonding layer described in patent document 1 has very weak tolerance with respect to an ultraviolet-ray. For this reason, when using such a material, generally, the first adhesive layer is protected by including an ultraviolet absorber in the first sealing layer.
However, when the first sealing layer contains an ultraviolet absorber, ultraviolet light cannot be effectively used for power generation.

本発明は、上記の課題に鑑みなされたものであり、封止層の材料の選択の自由度が高く、且つ、より良好な発電効率を得ることが可能な光発電モジュールを提供する。   The present invention has been made in view of the above problems, and provides a photovoltaic module that has a high degree of freedom in selecting a material for a sealing layer and can obtain better power generation efficiency.

本発明は、
光発電素子を備える光発電モジュールであって、
前記光発電素子は、
第１導電型の結晶半導体基板を備えているとともに、
前記結晶半導体基板の一方の面側に、第１非晶質系半導体膜と、第１導電型の第２非晶質系半導体膜と、第１透光性電極膜と、第１電極と、をこの順に備え、
前記結晶半導体基板の他方の面側に、真性の第３非晶質系半導体膜と、第２導電型の第４非晶質系半導体膜と、第２透光性電極膜と、第２電極と、をこの順に備え、
前記第１非晶質系半導体膜は、前記第２非晶質系半導体膜よりも不純物濃度が低い第１導電型であるか、又は、真性であり、
当該光発電モジュールは、更に、
前記光発電素子の一方の面の前記第１電極に第１接着層により接合固定された複数の第１微細配線と、
前記光発電素子の前記一方の面との間に前記複数の第１微細配線を挟んでいるとともに、前記第１接着層を介して前記光発電素子の前記一方の面に接合された第１樹脂フィルムと、
透光性の第１保護層と、
前記第１保護層と前記第１樹脂フィルムとの間に充填された第１封止層と、
前記光発電素子の他方の面の前記第２電極に第２接着層により接合固定された複数の第２微細配線と、
前記光発電素子の前記他方の面との間に前記複数の第２微細配線を挟んでいるとともに、前記第２接着層を介して前記光発電素子の前記他方の面に接合された第２樹脂フィルムと、
第２保護層と、
前記第２保護層と前記第２樹脂フィルムとの間に充填された第２封止層と、
を備え、
前記第１接着層は、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体を含む樹脂材料により構成されている光発電モジュールを提供する。 The present invention
A photovoltaic module comprising photovoltaic elements,
The photovoltaic element is
A first conductivity type crystalline semiconductor substrate;
A first amorphous semiconductor film, a first conductive type second amorphous semiconductor film, a first translucent electrode film, a first electrode, on one surface side of the crystalline semiconductor substrate; In this order,
An intrinsic third amorphous semiconductor film, a second conductivity type fourth amorphous semiconductor film, a second translucent electrode film, and a second electrode are formed on the other surface side of the crystalline semiconductor substrate. And in this order,
The first amorphous semiconductor film is a first conductivity type having an impurity concentration lower than that of the second amorphous semiconductor film, or is intrinsic.
The photovoltaic module further includes
A plurality of first fine wires bonded and fixed to the first electrode on one surface of the photovoltaic element by a first adhesive layer;
The first resin having the plurality of first fine wirings sandwiched between the one surface of the photovoltaic element and bonded to the one surface of the photovoltaic element via the first adhesive layer With film,
A translucent first protective layer;
A first sealing layer filled between the first protective layer and the first resin film;
A plurality of second fine wires bonded and fixed to the second electrode on the other surface of the photovoltaic element by a second adhesive layer;
The second resin having the plurality of second fine wirings sandwiched between the other surface of the photovoltaic element and bonded to the other surface of the photovoltaic element via the second adhesive layer With film,
A second protective layer;
A second sealing layer filled between the second protective layer and the second resin film;
With
The first adhesive layer provides a photovoltaic module composed of a resin material containing a copolymer of ethylene and an unsaturated carboxylic acid.

本発明によれば、封止層の材料の選択の自由度が高く、且つ、より良好な発電効率を得ることが可能な光発電モジュールを提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a photovoltaic module that has a high degree of freedom in selecting the material of the sealing layer and that can obtain better power generation efficiency.

実施形態に係る光発電モジュールの層構造を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the layer structure of the photovoltaic module which concerns on embodiment. 実施形態に係る光発電モジュールの模式的な平面図である。It is a typical top view of the photovoltaic module concerning an embodiment. 実施形態に係る光発電モジュールの一部分を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows a part of photovoltaic module which concerns on embodiment. 実施形態に係る光発電モジュールの製造に用いられる配線シートの一例を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows an example of the wiring sheet used for manufacture of the photovoltaic module which concerns on embodiment. 実施形態に係る光発電モジュールの製造に用いられる配線シートの一例を示す模式的な平面図である。It is a typical top view which shows an example of the wiring sheet used for manufacture of the photovoltaic module which concerns on embodiment. 実施形態に係る光発電モジュールの製造に用いられる配線シートの他の一例を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows another example of the wiring sheet used for manufacture of the photovoltaic module which concerns on embodiment.

以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

図１に示すように、本実施形態に係る光発電モジュール１００は、光発電素子１０を備えている。
光発電素子１０は、第１導電型の結晶半導体基板１１を備えているとともに、結晶半導体基板１１の一方の面側に、第１非晶質系半導体膜１２と、第１導電型の第２非晶質系半導体膜１３と、第１透光性電極膜１４と、第１電極１５と、をこの順に備えている。
光発電素子１０は、更に、結晶半導体基板１１の他方の面側に、真性の第３非晶質系半導体膜１６と、第２導電型の第４非晶質系半導体膜１７と、第２透光性電極膜１８と、第２電極１９と、をこの順に備えている。
第１非晶質系半導体膜１２は、第２非晶質系半導体膜１３よりも不純物濃度が低い第１導電型であるか、又は、真性である。
光発電モジュール１００は、更に、光発電素子１０の一方の面の第１電極１５に第１接着層２２により接合固定された複数の第１微細配線２１と、光発電素子１０の一方の面との間に複数の第１微細配線２１を挟んでいるとともに第１接着層２２を介して光発電素子１０の一方の面に接合された第１樹脂フィルム２３と、透光性の第１保護層４０と、第１保護層４０と第１樹脂フィルム２３との間に充填された第１封止層３０と、を備えている。
光発電モジュール１００は、更に、光発電素子１０の他方の面の第２電極１９に第２接着層５２により接合固定された複数の第２微細配線５１と、光発電素子１０の他方の面との間に複数の第２微細配線５１を挟んでいるとともに、第２接着層５２を介して光発電素子１０の他方の面に接合された第２樹脂フィルム５３と、第２保護層７０と、第２保護層７０と第２樹脂フィルム５３との間に充填された第２封止層６０と、を備えている。
そして、第１接着層２２は、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体（例えばアイオノマー）を含む樹脂材料により構成されている。
以下、詳細に説明する。 As shown in FIG. 1, the photovoltaic module 100 according to this embodiment includes a photovoltaic element 10.
The photovoltaic device 10 includes a first conductive type crystalline semiconductor substrate 11, a first amorphous semiconductor film 12 and a first conductive type second semiconductor film on one surface side of the crystalline semiconductor substrate 11. The amorphous semiconductor film 13, the first translucent electrode film 14, and the first electrode 15 are provided in this order.
The photovoltaic element 10 further includes an intrinsic third amorphous semiconductor film 16, a second conductivity type fourth amorphous semiconductor film 17, and a second conductive film on the other surface side of the crystalline semiconductor substrate 11. The translucent electrode film 18 and the second electrode 19 are provided in this order.
The first amorphous semiconductor film 12 is a first conductivity type having an impurity concentration lower than that of the second amorphous semiconductor film 13 or is intrinsic.
The photovoltaic module 100 further includes a plurality of first fine wirings 21 bonded and fixed to the first electrode 15 on one surface of the photovoltaic element 10 by the first adhesive layer 22, and one surface of the photovoltaic element 10. A first resin film 23 sandwiched between the plurality of first fine wirings 21 and bonded to one surface of the photovoltaic element 10 via the first adhesive layer 22, and a translucent first protective layer 40 and a first sealing layer 30 filled between the first protective layer 40 and the first resin film 23.
The photovoltaic module 100 further includes a plurality of second fine wirings 51 bonded and fixed to the second electrode 19 on the other surface of the photovoltaic element 10 by the second adhesive layer 52, and the other surface of the photovoltaic element 10. A second resin film 53 bonded to the other surface of the photovoltaic device 10 via the second adhesive layer 52, a second protective layer 70, And a second sealing layer 60 filled between the second protective layer 70 and the second resin film 53.
And the 1st contact bonding layer 22 is comprised by the resin material containing the copolymer (for example, ionomer) of ethylene and unsaturated carboxylic acid.
Details will be described below.

光発電素子１０は、ヘテロ接合型の光発電素子である。   The photovoltaic device 10 is a heterojunction photovoltaic device.

光発電素子１０の各構成要素の導電型について説明すると、結晶半導体基板１１は、例えばｎ型である。この場合、第２非晶質系半導体膜１３はｎ型、第１非晶質系半導体膜１２は真性又はｎ−型（第２非晶質系半導体膜１３よりも不純物濃度が低いｎ型）、第４非晶質系半導体膜１７はｐ型である。 The conductivity type of each component of the photovoltaic element 10 will be described. The crystalline semiconductor substrate 11 is, for example, n-type. In this case, the second amorphous semiconductor film 13 is n-type, and the first amorphous semiconductor film 12 is intrinsic or n − -type (n-type having a lower impurity concentration than the second amorphous semiconductor film 13). The fourth amorphous semiconductor film 17 is p-type.

結晶半導体基板１１としては、ｎ型の半導体特性を有する結晶体であれば特に限定されず公知のものを用いることができる。結晶半導体基板１１を構成するｎ型の結晶半導体としては、シリコン（Ｓｉ）の他、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、ＳｉＮ等を挙げることができるが、生産性等の点からシリコンが好ましい。結晶半導体基板１１は、単結晶体であっても良いし、多結晶体であっても良い。結晶半導体基板１１の両面（一方の面及び他方の面）には、光の乱反射による光閉じ込めをより有効にするために、凹凸加工が施されているのが好ましい（不図示）。なお、例えば、約１〜５質量％の水酸化ナトリウム、又は水酸化カリウムを含むエッチング液に基板材料を浸漬することによって、多数のピラミッド状の凹凸部を形成することができる。   The crystal semiconductor substrate 11 is not particularly limited as long as it is a crystal having n-type semiconductor characteristics, and a known substrate can be used. Examples of the n-type crystal semiconductor composing the crystalline semiconductor substrate 11 include SiC, SiGe, SiN and the like in addition to silicon (Si). Silicon is preferable from the viewpoint of productivity. The crystalline semiconductor substrate 11 may be a single crystal or a polycrystal. Both surfaces (one surface and the other surface) of the crystalline semiconductor substrate 11 are preferably subjected to uneven processing (not shown) in order to make light confinement due to irregular reflection of light more effective. For example, a large number of pyramidal irregularities can be formed by immersing the substrate material in an etching solution containing about 1 to 5% by mass of sodium hydroxide or potassium hydroxide.

また、第１非晶質系半導体膜１２、第２非晶質系半導体膜１３、第３非晶質系半導体膜１６及び第４非晶質系半導体膜１７は、それぞれシリコン薄膜とすることができる。   The first amorphous semiconductor film 12, the second amorphous semiconductor film 13, the third amorphous semiconductor film 16, and the fourth amorphous semiconductor film 17 are each made of a silicon thin film. it can.

第１非晶質系半導体膜１２は、結晶半導体基板１１の一方の面（図１における上面）に積層されている。
第２非晶質系半導体膜１３は、第１非晶質系半導体膜１２の一方の面（図１における上面）に積層されている。
第１非晶質系半導体膜１２と第２非晶質系半導体膜１３との合計の膜厚は、特に限定されないが、例えば１ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましく、４ｎｍ以上１０ｎｍ以下がより好ましい。このような範囲の膜厚とすることにより、短絡電流とキャリアの再結合の発生とをバランス良く低減することができる。 The first amorphous semiconductor film 12 is stacked on one surface of the crystalline semiconductor substrate 11 (upper surface in FIG. 1).
The second amorphous semiconductor film 13 is stacked on one surface (the upper surface in FIG. 1) of the first amorphous semiconductor film 12.
The total thickness of the first amorphous semiconductor film 12 and the second amorphous semiconductor film 13 is not particularly limited, but is preferably 1 nm to 20 nm, for example, and more preferably 4 nm to 10 nm. By setting the film thickness within such a range, it is possible to reduce the short-circuit current and the occurrence of carrier recombination in a well-balanced manner.

第１透光性電極膜１４は、第２非晶質系半導体膜１３の一方の面（図１における上面）に積層されている。
第１透光性電極膜１４を構成する透明電極材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）、タングステンドープインジウム酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＷＯ）、セリウムドープインジウム酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｃｅｒｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ：ＩＣＯ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（アルミニウムドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ガリウムドープＺｎＯ）等の公知の材料を挙げることができる。 The first translucent electrode film 14 is stacked on one surface (the upper surface in FIG. 1) of the second amorphous semiconductor film 13.
Examples of the transparent electrode material constituting the first translucent electrode film 14 include indium tin oxide (ITO), tungsten-doped indium oxide (InWO), and cerium-doped indium oxide (ITO). Well-known materials such as Indium Cerium Oxide (ICO), IZO (Indium Zinc Oxide), AZO (aluminum doped ZnO), and GZO (gallium doped ZnO) can be exemplified.

第３非晶質系半導体膜１６は、結晶半導体基板１１の他方の面（図１における下面）に積層されている。換言すれば、第３非晶質系半導体膜１６は、結晶半導体基板１１と第４非晶質系半導体膜１７との間に介在している。第３非晶質系半導体膜１６の膜厚は特に限定されないが、例えば１ｎｍ以上１０ｎｍ以下とすることができる。   The third amorphous semiconductor film 16 is stacked on the other surface (the lower surface in FIG. 1) of the crystalline semiconductor substrate 11. In other words, the third amorphous semiconductor film 16 is interposed between the crystalline semiconductor substrate 11 and the fourth amorphous semiconductor film 17. The film thickness of the third amorphous semiconductor film 16 is not particularly limited, but may be, for example, 1 nm or more and 10 nm or less.

第４非晶質系半導体膜１７は、第３非晶質系半導体膜１６の一方の面（図１における下面）に積層されている。第４非晶質系半導体膜１７の膜厚は、特に限定されないが、例えば１ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましく、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下がより好ましい。   The fourth amorphous semiconductor film 17 is stacked on one surface (the lower surface in FIG. 1) of the third amorphous semiconductor film 16. Although the film thickness of the 4th amorphous semiconductor film 17 is not specifically limited, For example, 1 nm or more and 20 nm or less are preferable, and 3 nm or more and 10 nm or less are more preferable.

第２透光性電極膜１８は、第４非晶質系半導体膜１７の一方の面（図１における下面）に積層されている。第２透光性電極膜１８を構成する材料は、第１透光性電極膜１４と同様である。   The second translucent electrode film 18 is stacked on one surface (the lower surface in FIG. 1) of the fourth amorphous semiconductor film 17. The material constituting the second translucent electrode film 18 is the same as that of the first translucent electrode film 14.

ここで、真性とは、不純物が意図的にドープされていないことをいう。したがって、真性の非晶質系半導体膜には、原料に本来含まれる不純物や製造過程において非意図的に混入した不純物が存在するものも含まれる。
また、非晶質系とは、非晶質体のみならず、微結晶体を含むことを意味する。
ｎ型の非晶質半導体膜とは、薄膜中に含有される元素の数密度比として、シリコンに対して１０−５程度以上の不純物が含有されているものをいう。 Here, intrinsic means that impurities are not intentionally doped. Therefore, the intrinsic amorphous semiconductor film includes impurities that are originally included in the raw material and impurities that are unintentionally mixed in the manufacturing process.
Moreover, an amorphous system means that not only an amorphous body but a microcrystal body is included.
The n-type amorphous semiconductor film refers to a film containing impurities of about 10 −5 or more with respect to silicon as a number density ratio of elements contained in the thin film.

第１電極１５は、例えば、フィンガー電極であるか、又は、第１透光性電極膜１４の一方の面（図１における上面）の全面に成膜された金属膜である。
同様に、第２電極１９は、例えば、フィンガー電極であるか、又は、第２透光性電極膜１８の一方の面（図１における下面）の全面に成膜された金属膜である。
第１電極１５及び第２電極１９を構成するフィンガー電極の材料としては、銀ペースト等の導電性接着剤や、銅線等の金属導線を用いることができる。フィンガー電極の幅は、例えば、２０μｍ以上８０μｍ以下程度である。
また、第１電極１５及び第２電極１９を構成する金属膜の材料としては、銀、銀合金又はアルミニウム合金等を用いることができる。 The first electrode 15 is, for example, a finger electrode, or a metal film formed on the entire surface of one surface (the upper surface in FIG. 1) of the first light-transmissive electrode film 14.
Similarly, the second electrode 19 is, for example, a finger electrode or a metal film formed on the entire surface of one surface (the lower surface in FIG. 1) of the second translucent electrode film 18.
As a material of the finger electrode constituting the first electrode 15 and the second electrode 19, a conductive adhesive such as a silver paste or a metal conductor such as a copper wire can be used. The width of the finger electrode is, for example, about 20 μm or more and 80 μm or less.
In addition, as a material of the metal film constituting the first electrode 15 and the second electrode 19, silver, a silver alloy, an aluminum alloy, or the like can be used.

複数の第１微細配線２１は、例えば、互いに平行に配置された複数のワイヤー又はバスバーである。
以下、第１微細配線２１がワイヤーである場合の構成を説明する。
この場合、第１微細配線２１は、コア２１ａと、コア２１ａの表面にコーティングされている低融点金属膜２１ｂと、を有している。コア２１ａの金属材料としては、銅等が挙げられる。低融点金属膜２１ｂの金属材料としては、インジウムとスズとの合金が挙げられる。
第１微細配線２１の直径は、１００μｍ以上４００μｍ以下が好ましく、２００μｍ以上３００μｍ以下がより好ましい。
第２微細配線５１は、第１微細配線２１と同様に構成されている。 The plurality of first fine wirings 21 are, for example, a plurality of wires or bus bars arranged in parallel to each other.
Hereinafter, a configuration when the first fine wiring 21 is a wire will be described.
In this case, the first fine wiring 21 has a core 21a and a low melting point metal film 21b coated on the surface of the core 21a. Examples of the metal material of the core 21a include copper. An example of the metal material of the low melting point metal film 21b is an alloy of indium and tin.
The diameter of the first fine wiring 21 is preferably 100 μm or more and 400 μm or less, and more preferably 200 μm or more and 300 μm or less.
The second fine wiring 51 is configured in the same manner as the first fine wiring 21.

なお、第１電極１５がフィンガー電極である場合、複数の第１微細配線２１は、第１電極１５と直交している（図２参照）。
同様に、第２電極１９がフィンガー電極である場合、複数の第２微細配線５１は、第２電極１９と直交している。 In addition, when the 1st electrode 15 is a finger electrode, the some 1st fine wiring 21 is orthogonally crossed with the 1st electrode 15 (refer FIG. 2).
Similarly, when the second electrode 19 is a finger electrode, the plurality of second fine wirings 51 are orthogonal to the second electrode 19.

第１接着層２２は、透光性である。
第１接着層２２は、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体を含む樹脂材料により構成されている。 The first adhesive layer 22 is translucent.
The 1st contact bonding layer 22 is comprised by the resin material containing the copolymer of ethylene and unsaturated carboxylic acid.

エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体としては、たとえば、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体のアイオノマーが挙げられる。このエチレンと不飽和カルボン酸との共重合体のアイオノマーには、リチウム、ナトリウムなどのアルカリ金属、カルシウム、マグネシウム、セリウム、亜鉛、アルミニウム等の多価金属等に由来する金属種を含有させることができる。一般に、アイオノマーは、透明性に優れ、かつ高温における貯蔵弾性率Ｅ´が高いことが知られている。また、本実施形態に係るエチレンと不飽和カルボン酸との共重合体のアイオノマーの中和度は、好ましくは、８０％以下であり、さらに好ましくは、接着性の観点から６０％以下であり、最も好ましくは、４０％以下である。   Examples of the copolymer of ethylene and unsaturated carboxylic acid include an ionomer of a copolymer of ethylene and unsaturated carboxylic acid. The ionomer of the copolymer of ethylene and unsaturated carboxylic acid may contain a metal species derived from an alkali metal such as lithium or sodium, or a polyvalent metal such as calcium, magnesium, cerium, zinc or aluminum. it can. Generally, ionomers are known to have excellent transparency and a high storage elastic modulus E ′ at high temperatures. Further, the ionomer neutralization degree of the copolymer of ethylene and unsaturated carboxylic acid according to this embodiment is preferably 80% or less, and more preferably 60% or less from the viewpoint of adhesiveness. Most preferably, it is 40% or less.

エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体またはエチレンと不飽和カルボン酸との共重合体のアイオノマーにおける不飽和カルボン酸成分としては、アクリル酸、メタクリル酸、エタクリル酸、フマル酸、マレイン酸、マレイン酸モノメチル、無水マレイン酸等が挙げられる。中でも、不飽和カルボン酸成分としては、（メタ）アクリル酸が好ましい。そのため、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体としては、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体が好ましい。なお、本実施形態に係るエチレン・不飽和カルボン酸共重合体は、エチレンと不飽和カルボン酸との２元共重合体に限らず、エチレン・不飽和カルボン酸・不飽和カルボン酸エステル共重合体等のエチレンと不飽和カルボン酸を含む多元共重合体も包含している。上記エチレン・不飽和カルボン酸・不飽和カルボン酸エステル共重合体における不飽和カルボン酸エステル成分としては、上述した不飽和カルボン酸成分として用いられる各種カルボン酸の炭素数１〜２０のアルキルエステルが挙げられる。具体的に、アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、２−エチルヘキシル基、イソオクチル基などが挙げられる。   The unsaturated carboxylic acid component in the ionomer of a copolymer of ethylene and an unsaturated carboxylic acid or a copolymer of ethylene and an unsaturated carboxylic acid includes acrylic acid, methacrylic acid, ethacrylic acid, fumaric acid, maleic acid, maleic acid. Examples thereof include monomethyl acid and maleic anhydride. Among these, (meth) acrylic acid is preferable as the unsaturated carboxylic acid component. Therefore, the ethylene / unsaturated carboxylic acid copolymer is preferably an ethylene / (meth) acrylic acid copolymer. The ethylene / unsaturated carboxylic acid copolymer according to the present embodiment is not limited to a binary copolymer of ethylene and unsaturated carboxylic acid, but an ethylene / unsaturated carboxylic acid / unsaturated carboxylic acid ester copolymer. Also included are multicomponent copolymers containing ethylene and unsaturated carboxylic acids. Examples of the unsaturated carboxylic acid ester component in the ethylene / unsaturated carboxylic acid / unsaturated carboxylic acid ester copolymer include alkyl esters having 1 to 20 carbon atoms of various carboxylic acids used as the unsaturated carboxylic acid component described above. It is done. Specifically, examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a 2-ethylhexyl group, and an isooctyl group.

本実施形態に係るエチレンと不飽和カルボン酸との共重合体またはそのアイオノマーにおける（メタ）アクリル酸単位等の不飽和カルボン酸単位の含有量は、優れた紫外線透過性を実現する観点から、好ましくは、２重量％以上３０重量％以下であり、より好ましくは、９重量％以上２５重量％以下であり、最も好ましくは、１２重量％以上２０重量％以下である。   The content of unsaturated carboxylic acid units such as (meth) acrylic acid units in the copolymer of ethylene and unsaturated carboxylic acid or its ionomer according to the present embodiment is preferable from the viewpoint of realizing excellent ultraviolet transparency. Is 2 wt% or more and 30 wt% or less, more preferably 9 wt% or more and 25 wt% or less, and most preferably 12 wt% or more and 20 wt% or less.

エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体の透明性および接着性を良好にする観点から、共重合体全量に対する不飽和カルボン酸の含有量は、１重量％以上であることが好ましい。一方、共重合体全量に対する不飽和カルボン酸の含有量は、吸湿性を低減させる観点から、好ましくは、２０重量％以下であり、さらに好ましくは、１５重量％以下である。   From the viewpoint of improving the transparency and adhesiveness of the copolymer of ethylene and unsaturated carboxylic acid, the content of the unsaturated carboxylic acid with respect to the total amount of the copolymer is preferably 1% by weight or more. On the other hand, the content of the unsaturated carboxylic acid with respect to the total amount of the copolymer is preferably 20% by weight or less, and more preferably 15% by weight or less from the viewpoint of reducing hygroscopicity.

本実施形態に係るエチレンと不飽和カルボン酸との共重合体は、高温、高圧条件下、ラジカル共重合反応を行うことにより得ることができる。また、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体のアイオノマーは、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体と金属化合物とを反応させることによって得ることができる。   The copolymer of ethylene and unsaturated carboxylic acid according to this embodiment can be obtained by performing a radical copolymerization reaction under high temperature and high pressure conditions. Further, an ionomer of a copolymer of ethylene and unsaturated carboxylic acid can be obtained by reacting a copolymer of ethylene and unsaturated carboxylic acid with a metal compound.

また、第１接着層２２を形成する樹脂材料中には、たとえば、ヒドロキノンモノベンジルエーテル、トリフェニルホスファイト等の酸化防止剤、ステアリン酸鉛、ラウリン酸バリウム等の熱安定剤、微粒酸化チタン、酸化亜鉛等の充填剤、顔料、染料、滑剤、ブロッキング防止剤、発泡剤、発泡助剤、架橋剤、架橋助剤、難燃剤等の各種添加剤を配合してもよい。   Examples of the resin material forming the first adhesive layer 22 include antioxidants such as hydroquinone monobenzyl ether and triphenyl phosphite, thermal stabilizers such as lead stearate and barium laurate, fine titanium oxide, Various additives such as fillers such as zinc oxide, pigments, dyes, lubricants, antiblocking agents, foaming agents, foaming aids, crosslinking agents, crosslinking aids, flame retardants, and the like may be blended.

第１接着層２２を形成する樹脂材料中には、たとえば、変色防止剤として、カドミウム、バリウム等の金属の脂肪酸塩を任意に配合してもよい。   In the resin material forming the first adhesive layer 22, for example, a metal fatty acid salt such as cadmium or barium may be arbitrarily blended as a discoloration preventing agent.

ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて測定した第１接着層２２の３５０ｎｍの波長における光線透過率が、７０％以上であることが好ましい。こうすることで、紫外線由来の光エネルギーを効率よく発電に寄与させることが可能となる。本明細書において、紫外線由来の光エネルギーとは、３８０ｎｍ未満の波長領域の光に由来する光エネルギーを指す。
第１接着層２２の材料として、上述した材料を用いることにより、このような光線透過率を実現することができる。
第１接着層２２が紫外線吸収剤を実質的に含まない構成とすることによって、より確実に、このような光線透過率を実現することができる。
なお、ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて測定した第１接着層２２の３５０ｎｍの波長における光線透過率は、好ましくは、７５％以上であり、より好ましくは、８０％以上である。こうすることで、より一層効果的に紫外線に由来する光エネルギーを発電に寄与させることが可能となる。 The light transmittance at a wavelength of 350 nm of the first adhesive layer 22 measured according to JIS-K7105 is preferably 70% or more. By doing so, light energy derived from ultraviolet rays can be efficiently contributed to power generation. In this specification, light energy derived from ultraviolet rays refers to light energy derived from light in a wavelength region of less than 380 nm.
By using the above-described material as the material of the first adhesive layer 22, such light transmittance can be realized.
Such a light transmittance can be realized more reliably by adopting a configuration in which the first adhesive layer 22 does not substantially contain an ultraviolet absorber.
In addition, the light transmittance in the wavelength of 350 nm of the 1st contact bonding layer 22 measured according to JIS-K7105 becomes like this. Preferably, it is 75% or more, More preferably, it is 80% or more. By doing so, it becomes possible to more effectively contribute light energy derived from ultraviolet rays to power generation.

第１接着層２２の層厚Ｔ（図３）は、例えば、８μｍ以上１００μｍ以下とすることができ、好ましくは、１６μｍ以上７５μｍ以下とすることができる。後述するように、第１微細配線２１が直径Ｄのワイヤである場合、第１接着層２２の層厚Ｔは、Ｄ／６±Ｄ／１２の範囲に設定されていることが好ましい。すなわち、一例として、第１微細配線２１が直径３００μｍのワイヤである場合、層厚Ｔは２５μｍ以上７５μｍ以下とすることができる。ここで、第１接着層２２の層厚Ｔは、隣り合うワイヤーどうしの間隔において、第１接着層２２の層厚がほぼ一定となっている範囲における層厚であるものとする（図３参照）。   The layer thickness T (FIG. 3) of the first adhesive layer 22 can be, for example, 8 μm or more and 100 μm or less, and preferably 16 μm or more and 75 μm or less. As will be described later, when the first fine wiring 21 is a wire having a diameter D, the layer thickness T of the first adhesive layer 22 is preferably set in a range of D / 6 ± D / 12. That is, as an example, when the first fine wiring 21 is a wire having a diameter of 300 μm, the layer thickness T can be set to 25 μm or more and 75 μm or less. Here, the layer thickness T of the first adhesive layer 22 is a layer thickness in a range where the layer thickness of the first adhesive layer 22 is substantially constant in the interval between adjacent wires (see FIG. 3). ).

第１樹脂フィルム２３は、例えば、フッ素樹脂およびアクリル樹脂からなる群より選択される１以上を含む材料により形成されている。
上記フッ素樹脂としては、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、クロロトリフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＰＣＴＦＥＥ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）及びポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）等が挙げられる。中でも、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）およびポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）からなる群より選択される１種以上であることが好ましい。
上記アクリル樹脂としては、アクリル酸エステルの重合体、メタクリル酸エステルの重合体等が挙げられる。中でも、メタクリル酸メチル単位を主成分とした重合体であるメタクリル樹脂が好ましい。このメタクリル樹脂としては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、メタクリル酸メチルと他の単量体との共重合体等が挙げられる。
第１樹脂フィルム２３の厚さは、例えば、５μｍ以上１００μｍ以下（好ましくは１０μｍ以上８０μｍ以下）とすることができる。 The 1st resin film 23 is formed with the material containing 1 or more selected from the group which consists of a fluororesin and an acrylic resin, for example.
Examples of the fluororesin include tetrafluoroethylene / ethylene copolymer (ETFE), tetrafluoroethylene / hexafluoropropylene copolymer (FEP), tetrafluoroethylene / perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), polychlorotriethylene. Examples include fluoroethylene (PCTFE), chlorotrifluoroethylene / ethylene copolymer (PCTFEE), polyvinyl fluoride (PVF), and polyvinylidene fluoride (PVDF). Among these, at least one selected from the group consisting of tetrafluoroethylene / ethylene copolymer (ETFE), tetrafluoroethylene / hexafluoropropylene copolymer (FEP), and polyvinyl fluoride (PVF) is preferable.
Examples of the acrylic resin include acrylic acid ester polymers and methacrylic acid ester polymers. Among these, a methacrylic resin that is a polymer mainly composed of methyl methacrylate units is preferable. Examples of the methacrylic resin include polymethyl methacrylate (PMMA), a copolymer of methyl methacrylate and another monomer, and the like.
The thickness of the 1st resin film 23 can be 5 micrometers or more and 100 micrometers or less (preferably 10 micrometers or more and 80 micrometers or less), for example.

第１封止層３０は、透光性である。
第１封止層３０の材料は、第１接着層２２と同様であっても良いし、ＴＰＯ（オレフィン系エラストマー）であっても良いし、シリコン樹脂であっても良い。
第１封止層３０の層厚は、例えば、３００μｍ以上５００μｍ以下とすることができる。
ここで、第１封止層３０の厚みは、接着層２２からの第１微細配線２１の突出長（第１保護層４０側への突出長）よりも厚く設定されている。
ここで、第１保護層４０における第１封止層３０側の面には、エンボス加工が施されている場合がある。その場合、第１封止層３０により第１保護層４０におけるエンボスの凹凸を埋めることが好ましい。このため、第１封止層３０の厚みは、接着層２２からの第１微細配線２１の突出長に、エンボスの凹凸の高さを加えた厚さを少なくとも有することが好ましい。 The first sealing layer 30 is translucent.
The material of the first sealing layer 30 may be the same as that of the first adhesive layer 22, TPO (olefin elastomer), or silicon resin.
The layer thickness of the 1st sealing layer 30 can be 300 micrometers or more and 500 micrometers or less, for example.
Here, the thickness of the first sealing layer 30 is set to be thicker than the protruding length of the first fine wiring 21 from the adhesive layer 22 (the protruding length to the first protective layer 40 side).
Here, the surface of the first protective layer 40 on the first sealing layer 30 side may be embossed. In that case, it is preferable to fill the unevenness of the embossment in the first protective layer 40 with the first sealing layer 30. For this reason, it is preferable that the thickness of the first sealing layer 30 has at least a thickness obtained by adding the height of the unevenness of the emboss to the protruding length of the first fine wiring 21 from the adhesive layer 22.

第１保護層４０は、透光性の基板である。第１保護層４０の材料としては、例えば、ガラス、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリエステル、フッ素含有樹脂等が挙げられる。   The first protective layer 40 is a translucent substrate. Examples of the material of the first protective layer 40 include glass, acrylic resin, polycarbonate, polyester, fluorine-containing resin, and the like.

第２保護層７０は、第１保護層４０と同様の透光性の基板であっても良いし、非透光性（例えば光反射性）のバックシートであっても良い。バックシートとしては、たとえば、錫、アルミ、ステンレススチールなどの金属や、ガラス等の無機材料、ポリエステル、無機物蒸着ポリエステル、フッ素含有樹脂、ポリオレフィン等の熱可塑性樹脂により形成された１層もしくは多層のシートが挙げられる。   The second protective layer 70 may be a translucent substrate similar to the first protective layer 40, or may be a non-translucent (eg, light reflective) backsheet. As the back sheet, for example, a single-layer or multi-layer sheet formed of a metal such as tin, aluminum, and stainless steel, an inorganic material such as glass, a polyester, an inorganic vapor-deposited polyester, a fluorine-containing resin, and a thermoplastic resin such as polyolefin. Is mentioned.

第２保護層７０が透光性の基板である場合、光発電モジュール１００は、両面（第１保護層４０側及び第２保護層７０側）での受光が可能となる。この場合、第２接着層５２は、第１接着層２２と同様の材料のものとすることができる。また、第２樹脂フィルム５３は、第１樹脂フィルム２３と同様の材料のものとすることができる。
また、第２封止層６０は、第１封止層３０と同様の材料のものとすることができる。ただし、両面での受光が不要の場合には、後述のように、第２封止層６０に顔料等を含有させる場合がある。 When the second protective layer 70 is a translucent substrate, the photovoltaic module 100 can receive light on both sides (the first protective layer 40 side and the second protective layer 70 side). In this case, the second adhesive layer 52 can be made of the same material as the first adhesive layer 22. The second resin film 53 can be made of the same material as the first resin film 23.
The second sealing layer 60 can be made of the same material as the first sealing layer 30. However, when light reception on both sides is not necessary, the second sealing layer 60 may contain a pigment or the like as described later.

第２保護層７０が非透光性のバックシートである場合、光発電モジュール１００の受光面は片面（第１保護層４０側）となる。この場合、第２接着層５２の材料は、第１接着層２２と同様の樹脂材料とすることができる。
また、第２保護層７０が非透光性のバックシートである場合の第２封止層６０の材料は、第１封止層３０と同様であっても良いが、この場合の第２封止層６０には透明性は要求されないため、発電効率を向上させる観点から、顔料、染料、無機充填剤を配合することが好ましい。上記顔料としては、酸化チタンや炭酸カルシウム等の白色顔料、ウルトラマリン等の青色顔料、カーボンブラックのような黒色顔料等が挙げられる。特に、酸化チタンのような無機顔料を配合することは、光発電モジュール１００の絶縁抵抗が低下することを防止する観点から好ましい。上記無機顔料の配合量は、エチレン・極性モノマー共重合体１００重量部に対して、好ましくは、０重量部以上１００重量部以下であり、さらに好ましくは、０．５重量部以上５０重量部以下であり、最も好ましくは、４重量部以上５０重量部以下である。
第２保護層７０が非透光性のバックシートである場合の第２樹脂フィルム５３の材料は、第１樹脂フィルム２３と同様であっても良いし、その他の樹脂材料であっても良い。 In the case where the second protective layer 70 is a non-translucent back sheet, the light receiving surface of the photovoltaic module 100 is one side (the first protective layer 40 side). In this case, the material of the second adhesive layer 52 can be the same resin material as that of the first adhesive layer 22.
In addition, the material of the second sealing layer 60 when the second protective layer 70 is a non-translucent backsheet may be the same as that of the first sealing layer 30, but in this case, the second sealing layer 60 Since the stop layer 60 is not required to be transparent, it is preferable to blend a pigment, a dye, and an inorganic filler from the viewpoint of improving the power generation efficiency. Examples of the pigment include white pigments such as titanium oxide and calcium carbonate, blue pigments such as ultramarine, and black pigments such as carbon black. In particular, blending an inorganic pigment such as titanium oxide is preferable from the viewpoint of preventing the insulation resistance of the photovoltaic module 100 from being lowered. The amount of the inorganic pigment is preferably 0 to 100 parts by weight, more preferably 0.5 to 50 parts by weight, based on 100 parts by weight of the ethylene / polar monomer copolymer. Most preferably, it is 4 parts by weight or more and 50 parts by weight or less.
The material of the second resin film 53 when the second protective layer 70 is a non-translucent back sheet may be the same as that of the first resin film 23, or may be other resin materials.

なお、第２接着層５２は、第１接着層２２と同様の厚さにすることができる。
すなわち、第２微細配線５１が直径Ｄのワイヤである場合、第２接着層５２の層厚Ｔは、Ｄ／６±Ｄ／１２の範囲に設定されていることが好ましい。すなわち、一例として、第２微細配線５１が直径３００μｍのワイヤである場合、層厚Ｔは２５μｍ以上７５μｍ以下とすることができる。
また、第２樹脂フィルム５３は、第１樹脂フィルム２３と同様の厚さにすることができる。 The second adhesive layer 52 can have the same thickness as the first adhesive layer 22.
That is, when the second fine wiring 51 is a wire having a diameter D, the layer thickness T of the second adhesive layer 52 is preferably set in a range of D / 6 ± D / 12. That is, as an example, when the second fine wiring 51 is a wire having a diameter of 300 μm, the layer thickness T can be set to 25 μm or more and 75 μm or less.
The second resin film 53 can have the same thickness as the first resin film 23.

なお、第２保護層７０は、ガラス基板等の硬質の基板であっても良いし、可撓性の樹脂シートであっても良い。
第２保護層７０がガラス基板等の硬質の基板である場合、第２接着層５２は、第１接着層２２と同様の厚さにすることができる。
一方、第２保護層７０が可撓性の樹脂シートである場合は、仮に第２封止層６０の裏面側（図１における下側）に第２微細配線５１が突出していたとしても、第２微細配線５１の突出部分に沿って第２保護層７０が変形できる（第２保護層７０の表面が、第２微細配線５１の突出部分を反映した形状となる）。よって、第２保護層７０は、第２封止層６０及び第２微細配線５１に対して密着した状態で、光発電モジュール１００の裏面を好適に保護することができる。このため、第２保護層７０が可撓性の樹脂シートである場合は、第２封止層６０は第１封止層３０よりも薄くすることができる。なお、第２保護層７０が可撓性の樹脂シートである場合においても、第２封止層６０の厚さを第１封止層３０の厚さと同等としても良いのは勿論である。 The second protective layer 70 may be a hard substrate such as a glass substrate, or may be a flexible resin sheet.
When the second protective layer 70 is a hard substrate such as a glass substrate, the second adhesive layer 52 can have the same thickness as the first adhesive layer 22.
On the other hand, when the second protective layer 70 is a flexible resin sheet, even if the second fine wiring 51 protrudes on the back surface side (the lower side in FIG. 1) of the second sealing layer 60, The second protective layer 70 can be deformed along the protruding portion of the second fine wiring 51 (the surface of the second protective layer 70 has a shape reflecting the protruding portion of the second fine wiring 51). Therefore, the second protective layer 70 can suitably protect the back surface of the photovoltaic module 100 while being in close contact with the second sealing layer 60 and the second fine wiring 51. For this reason, when the second protective layer 70 is a flexible resin sheet, the second sealing layer 60 can be made thinner than the first sealing layer 30. Even when the second protective layer 70 is a flexible resin sheet, it is needless to say that the thickness of the second sealing layer 60 may be equal to the thickness of the first sealing layer 30.

なお、光発電モジュール１００は、通常、複数を直列に接続して用いられる。複数の光発電モジュール１００を直列接続して使用することにより、発電電圧を高めることができる。   Note that a plurality of photovoltaic modules 100 are usually used in series. By using a plurality of photovoltaic modules 100 connected in series, the generated voltage can be increased.

次に、光発電モジュール１００を製造する方法の一例を説明する。   Next, an example of a method for manufacturing the photovoltaic module 100 will be described.

先ず、光発電素子１０は、結晶半導体基板１１の一方の面上に、第１非晶質系半導体膜１２、第２非晶質系半導体膜１３及び第１透光性電極膜１４をこの順に成膜する一方で、結晶半導体基板１１の他方の面上に、第３非晶質系半導体膜１６、第４非晶質系半導体膜１７及び第２透光性電極膜１８をこの順に成膜し、更に、第１透光性電極膜１４の一方の面（図１における上面）上に第１電極１５を、第２透光性電極膜１８の一方の面（図１における下面）上に第２電極１９を、それぞれ形成することにより得られる。   First, in the photovoltaic device 10, the first amorphous semiconductor film 12, the second amorphous semiconductor film 13, and the first light-transmissive electrode film 14 are arranged in this order on one surface of the crystalline semiconductor substrate 11. On the other hand, the third amorphous semiconductor film 16, the fourth amorphous semiconductor film 17, and the second translucent electrode film 18 are formed in this order on the other surface of the crystalline semiconductor substrate 11. Further, the first electrode 15 is formed on one surface (the upper surface in FIG. 1) of the first light-transmissive electrode film 14, and the first surface (the lower surface in FIG. 1) of the second light-transmissive electrode film 18. It is obtained by forming the second electrodes 19 respectively.

次に、例えば、第１樹脂フィルム２３、第１接着層２２及び第１微細配線２１が一体化した第１配線シート（図４、図５に示される配線シート２００を参照）と、第１保護層４０と、シート状の第１封止層３０を準備する。   Next, for example, a first wiring sheet (see the wiring sheet 200 shown in FIGS. 4 and 5) in which the first resin film 23, the first adhesive layer 22, and the first fine wiring 21 are integrated, and the first protection. A layer 40 and a sheet-like first sealing layer 30 are prepared.

ここで、配線シート２００について説明する。
配線シート２００は、相互に積層された樹脂フィルム（第１樹脂フィルム２３又は第２樹脂フィルム５３）及び接着層（第１接着層２２又は第２接着層５２）と、接着層における樹脂フィルム側とは反対側の面に設けられた微細配線（第１微細配線２１又は第２微細配線５１）と、を有する。
図４に示すように、各微細配線の一部分は、接着層に埋設されていることが好ましく、このようにすることにより、接着層と微細配線との一体性を良好なものとすることができる。
また、図５に示すように、微細配線は、互いに平行に配置されている複数のワイヤであることが好ましく、このようにすることにより、微細配線を形成するために使用する金属材料の量を低減させることができる。
樹脂フィルムは、フッ素樹脂およびアクリル樹脂からなる群より選択される１以上を含む材料により形成されている。樹脂フィルムの厚みは、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上８０μｍ以下であるとさらに好ましい。光発電モジュール１００の受光面が片面である場合、受光面側に配置する第１樹脂フィルム２３は、ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて測定した３５０ｎｍの波長における光線透過率が７０％以上であることが好ましい。こうすることで、紫外線由来の光エネルギーも効率よく発電に寄与させることのできるモジュールを実現することができる。また、光発電モジュール１００の受光面が両面である場合、第２樹脂フィルム５３は、ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて測定した３５０ｎｍの波長における光線透過率が７０％以上であることが好ましい。こうすることで、紫外線由来の光エネルギーも効率よく発電に寄与させることのできるモジュールを実現することができる。 Here, the wiring sheet 200 will be described.
The wiring sheet 200 includes a resin film (the first resin film 23 or the second resin film 53) and an adhesive layer (the first adhesive layer 22 or the second adhesive layer 52) laminated on each other, and the resin film side in the adhesive layer. Has fine wiring (first fine wiring 21 or second fine wiring 51) provided on the opposite surface.
As shown in FIG. 4, it is preferable that a part of each fine wiring is embedded in the adhesive layer, and by doing so, the integrity of the adhesive layer and the fine wiring can be improved. .
In addition, as shown in FIG. 5, the fine wiring is preferably a plurality of wires arranged in parallel to each other, and in this way, the amount of the metal material used for forming the fine wiring is reduced. Can be reduced.
The resin film is formed of a material including one or more selected from the group consisting of a fluororesin and an acrylic resin. The thickness of the resin film is preferably 5 μm or more and 100 μm or less, and more preferably 10 μm or more and 80 μm or less. When the light receiving surface of the photovoltaic module 100 is a single surface, the first resin film 23 arranged on the light receiving surface side preferably has a light transmittance of 70% or more at a wavelength of 350 nm measured according to JIS-K7105. . By doing so, it is possible to realize a module capable of efficiently contributing to the power generation by light energy derived from ultraviolet rays. Moreover, when the light-receiving surface of the photovoltaic module 100 is both surfaces, it is preferable that the 2nd resin film 53 is 70% or more of the light transmittance in the wavelength of 350 nm measured according to JIS-K7105. By doing so, it is possible to realize a module capable of efficiently contributing to the power generation by light energy derived from ultraviolet rays.

次に、第１配線シートを光発電素子１０の一方の面の第１電極１５と第１保護層４０との間に介在させ、且つ、第１配線シートと第１保護層４０との間に第１封止層３０を介在させる。
同様に、第２樹脂フィルム５３、第２接着層５２及び第２微細配線５１が一体化した第２配線シート（図４、図５に示される配線シート２００を参照）と、第２保護層７０と、シート状の第２封止層６０とを準備する。
そして、第２配線シートを光発電素子１０の他方の面の第２電極１９と第２保護層７０との間に介在させ、且つ、第２配線シートと第２保護層７０との間に第２封止層６０を介在させる。
そして、これらを一括して加熱及び両面から加圧することにより、第１接着層２２を介して第１微細配線２１を第１電極１５に対して溶着するとともに、第１封止層３０を介して第１樹脂フィルム２３と第１保護層４０とを溶着し、第２接着層５２を介して第２微細配線５１を第２電極１９に対して溶着するとともに、第２封止層６０を介して第２樹脂フィルム５３と第２保護層７０とを溶着する。
このとき、第１微細配線２１の表層の低融点金属膜２１ｂが溶融することにより、コア２１ａと第１電極１５とが溶着する。
同様に、第２微細配線５１の表層の低融点金属膜（不図示）が溶融することにより、第２微細配線５１のコア（不図示）と第２電極１９とが溶着する。
こうして、光発電モジュール１００を得ることができる。 Next, the first wiring sheet is interposed between the first electrode 15 on one side of the photovoltaic element 10 and the first protective layer 40, and between the first wiring sheet and the first protective layer 40. The first sealing layer 30 is interposed.
Similarly, a second wiring sheet (see the wiring sheet 200 shown in FIGS. 4 and 5) in which the second resin film 53, the second adhesive layer 52, and the second fine wiring 51 are integrated, and the second protective layer 70. And a sheet-like second sealing layer 60 are prepared.
Then, the second wiring sheet is interposed between the second electrode 19 on the other surface of the photovoltaic element 10 and the second protective layer 70, and the second wiring sheet is interposed between the second wiring sheet and the second protective layer 70. Two sealing layers 60 are interposed.
Then, these are collectively heated and pressurized from both sides, whereby the first fine wiring 21 is welded to the first electrode 15 via the first adhesive layer 22 and the first sealing layer 30 is interposed. The first resin film 23 and the first protective layer 40 are welded, the second fine wiring 51 is welded to the second electrode 19 through the second adhesive layer 52, and the second sealing layer 60 is used. The second resin film 53 and the second protective layer 70 are welded.
At this time, the core 21 a and the first electrode 15 are welded by melting the low melting point metal film 21 b on the surface layer of the first fine wiring 21.
Similarly, the low melting point metal film (not shown) on the surface layer of the second fine wiring 51 is melted, so that the core (not shown) of the second fine wiring 51 and the second electrode 19 are welded.
Thus, the photovoltaic module 100 can be obtained.

ここでは、第１配線シート及び第２配線シートとして、図４に示される構造の配線シート２００を用いる例を説明したが、第１配線シート及び第２配線シートとしては、図６に示される構造の配線シート２００を用いても良い。この場合、配線シート２００（第１配線シート、第２配線シート）とは別に、樹脂フィルム（第１樹脂フィルム２３、第２樹脂フィルム５３）を準備する。   Here, the example in which the wiring sheet 200 having the structure shown in FIG. 4 is used as the first wiring sheet and the second wiring sheet has been described, but the structure shown in FIG. 6 is used as the first wiring sheet and the second wiring sheet. The wiring sheet 200 may be used. In this case, a resin film (first resin film 23, second resin film 53) is prepared separately from the wiring sheet 200 (first wiring sheet, second wiring sheet).

ここで、本発明者の検討によれば、複数の第１微細配線２１が、互いに平行に配置された複数のワイヤーである場合に、このワイヤーの外径をＤ（図３）とすると、第１接着層２２の層厚Ｔ（図３）は、Ｄ／６±Ｄ／１２の範囲に設定されていることが好ましい。例えば、ワイヤーの外径Ｄが３００μｍの場合、層厚Ｔは５０μｍ±２５μｍの範囲が好ましい。
このようにすることにより、図３に示すように、第１電極１５からの第１微細配線２１の浮き上がりを抑制し、より確実に第１電極１５に対して第１微細配線２１を溶着させることができるとともに、第１接着層２２により第１樹脂フィルム２３を第１電極１５に対して十分な接着強度で接着することができる。また、第１接着層２２の層厚Ｔを、Ｄ／６−Ｄ／１２以上に設定することにより、第１微細配線２１の周辺にボイド（空洞）が形成されることによる信頼性の低下を抑制することができる。 Here, according to the study by the present inventor, when the plurality of first fine wirings 21 are a plurality of wires arranged in parallel to each other, when the outer diameter of the wires is D (FIG. 3), The layer thickness T (FIG. 3) of the one adhesive layer 22 is preferably set in a range of D / 6 ± D / 12. For example, when the outer diameter D of the wire is 300 μm, the layer thickness T is preferably in the range of 50 μm ± 25 μm.
By doing so, as shown in FIG. 3, the first fine wiring 21 can be more securely welded to the first electrode 15 by suppressing the floating of the first fine wiring 21 from the first electrode 15. In addition, the first resin film 23 can be bonded to the first electrode 15 with sufficient adhesive strength by the first adhesive layer 22. In addition, by setting the layer thickness T of the first adhesive layer 22 to D / 6-D / 12 or more, reliability is reduced due to the formation of voids (cavities) around the first fine wiring 21. Can be suppressed.

同様に、複数の第２微細配線５１が、互いに平行に配置された複数のワイヤーである場合に、このワイヤーの外径をＤとすると、第２接着層５２の層厚Ｔは、Ｄ／６±Ｄ／１２の範囲に設定されていることが好ましい。
このようにすることにより、第２電極１９からの第２微細配線５１の浮き上がりを抑制し、より確実に第２電極１９に対して第２微細配線５１を溶着させることができるとともに、第２樹脂フィルム５３を第２接着層５２により十分な接着強度で第２電極１９に対して接着することができる。また、第２接着層５２の層厚Ｔを、Ｄ／６−Ｄ／１２以上に設定することにより、第２微細配線５１の周辺にボイドが形成されることによる信頼性の低下を抑制することができる。 Similarly, when the plurality of second fine wirings 51 are a plurality of wires arranged in parallel to each other and the outer diameter of the wires is D, the layer thickness T of the second adhesive layer 52 is D / 6. It is preferable to be set within a range of ± D / 12.
By doing so, it is possible to suppress the floating of the second fine wiring 51 from the second electrode 19, and more reliably weld the second fine wiring 51 to the second electrode 19, and the second resin. The film 53 can be adhered to the second electrode 19 with sufficient adhesive strength by the second adhesive layer 52. In addition, by setting the layer thickness T of the second adhesive layer 52 to be equal to or greater than D / 6-D / 12, a reduction in reliability due to the formation of voids around the second fine wiring 51 is suppressed. Can do.

以上のような実施形態に係る光発電モジュール１００によれば、ヘテロ接合型の光発電素子１０を備え、且つ、第１接着層２２が、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体を含む樹脂材料により構成されている。ここで、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体（アイオノマー等）は、水分透過率が低いという特性を有している。このため、第１保護層４０として、水分透過率が比較的高い材料を選択した場合であっても、第１接着層２２によって第２非晶質系半導体膜１３及び第１非晶質系半導体膜１２を水分から保護することができる。よって、例えば、第１保護層４０に含まれるナトリウム成分が水分とともに第２非晶質系半導体膜１３及び第１非晶質系半導体膜１２側に泳動することも抑制することができる。
このため、第１封止層３０の材料の選択の自由度が高くなる。
また、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体（アイオノマー等）は、紫外線に対する耐性も良好である。よって、第１封止層３０が紫外線吸収剤を実質的に含んでいなくても、第１接着層２２の良好な耐性を確保できる。このため、紫外光を発電に有効に利用することができるので、より良好な発電効率を得ることができる。 According to the photovoltaic module 100 according to the embodiment as described above, the resin including the heterojunction photovoltaic element 10 and the first adhesive layer 22 including a copolymer of ethylene and unsaturated carboxylic acid. It is composed of materials. Here, a copolymer of ethylene and an unsaturated carboxylic acid (such as an ionomer) has a characteristic of low moisture permeability. For this reason, even if a material having a relatively high moisture permeability is selected as the first protective layer 40, the second amorphous semiconductor film 13 and the first amorphous semiconductor are formed by the first adhesive layer 22. The membrane 12 can be protected from moisture. Therefore, for example, the sodium component contained in the first protective layer 40 can also be prevented from migrating to the second amorphous semiconductor film 13 and the first amorphous semiconductor film 12 side together with moisture.
For this reason, the freedom degree of selection of the material of the 1st sealing layer 30 becomes high.
In addition, copolymers of ethylene and unsaturated carboxylic acids (such as ionomers) have good resistance to ultraviolet rays. Therefore, even when the first sealing layer 30 does not substantially contain the ultraviolet absorber, it is possible to ensure good resistance of the first adhesive layer 22. For this reason, since ultraviolet light can be used effectively for power generation, better power generation efficiency can be obtained.

特に、第１接着層２２を構成する樹脂材料（エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体を含む樹脂材料）における共重合体がアイオノマーである場合、第１接着層２２の良好な透明性、紫外線耐性及び水分の低い透過率を実現できるため、上述した効果をより確実に得ることができる。   In particular, when the copolymer in the resin material (resin material containing a copolymer of ethylene and unsaturated carboxylic acid) constituting the first adhesive layer 22 is an ionomer, good transparency of the first adhesive layer 22; Since the ultraviolet resistance and the low transmittance of moisture can be realized, the above-described effects can be obtained more reliably.

また、ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて測定した第１接着層２２の３５０ｎｍの波長における光線透過率を、７０％以上とすることにより、紫外線由来の光エネルギーを効率よく発電に寄与させることが可能となるので、光発電モジュール１００の良好な発電効率を得ることができる。この光線透過率は、７５％以上であることがより好ましく、８０％以上であることがより好ましい。
第１封止層３０の光線透過率についても、ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて測定した第１封止層３０の３５０ｎｍの波長における光線透過率を、７０％以上とすることができ、その場合、特に良好な発電効率を得ることができる。この光線透過率も、７５％以上であることがより好ましく、８０％以上であることがより好ましい。 Further, by setting the light transmittance at a wavelength of 350 nm of the first adhesive layer 22 measured according to JIS-K7105 to 70% or more, it becomes possible to efficiently contribute to the power generation of light energy derived from ultraviolet rays. Therefore, good power generation efficiency of the photovoltaic module 100 can be obtained. The light transmittance is more preferably 75% or more, and more preferably 80% or more.
Regarding the light transmittance of the first sealing layer 30, the light transmittance at a wavelength of 350 nm of the first sealing layer 30 measured according to JIS-K7105 can be set to 70% or more. Good power generation efficiency can be obtained. This light transmittance is also preferably 75% or more, and more preferably 80% or more.

また、複数の第１微細配線２１が、互いに平行に配置された複数のワイヤーである場合において、ワイヤーの外径をＤとすると、第１接着層２２の層厚Ｔは、Ｄ／６±Ｄ／１２の範囲に設定することができる。このようにすることにより、図３に示すように、第１電極１５からの第１微細配線２１の浮き上がりを抑制し、より確実に第１電極１５に対して第１微細配線２１を溶着させることができるとともに、第１接着層２２により第１樹脂フィルム２３を第１電極１５に対して十分な接着強度で接着することができる。   Further, in the case where the plurality of first fine wirings 21 are a plurality of wires arranged in parallel to each other, and the outer diameter of the wire is D, the layer thickness T of the first adhesive layer 22 is D / 6 ± D / 12 can be set. By doing so, as shown in FIG. 3, the first fine wiring 21 can be more securely welded to the first electrode 15 by suppressing the floating of the first fine wiring 21 from the first electrode 15. In addition, the first resin film 23 can be bonded to the first electrode 15 with sufficient adhesive strength by the first adhesive layer 22.

また、第２保護層７０が透光性である場合において、第２接着層５２を、第１接着層２２と同様に、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体を含む樹脂材料により構成することができる。このようにすることにより、第２接着層５２によって第１接着層２２と同様の効果が得られる。
すなわち、第２保護層７０として、水分透過率が比較的高い材料を選択した場合であっても、第２接着層５２によって第４非晶質系半導体膜１７及び第３非晶質系半導体膜１６を水分から保護することができる。よって、例えば、第２保護層７０に含まれるナトリウム成分が水分とともに第４非晶質系半導体膜１７、及び第３非晶質系半導体膜１６側に泳動することも抑制することができる。
このため、第２保護層７０の材料の選択の自由度が高くなる。
また、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体（アイオノマー等）は、紫外線に対する耐性も良好である。よって、第２保護層７０が紫外線吸収剤を実質的に含んでいなくても、第２接着層５２の良好な耐性を確保できる。このため、紫外光を発電に有効に利用することができるので、より良好な発電効率を得ることができる。
特に、第２接着層５２を構成する樹脂材料（エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体を含む樹脂材料）における共重合体がアイオノマーである場合、第２接着層５２の良好な透明性、紫外線耐性、水分の低い透過率を実現できるため、上述した効果をより確実に得ることができる。 When the second protective layer 70 is translucent, the second adhesive layer 52 is made of a resin material containing a copolymer of ethylene and an unsaturated carboxylic acid, like the first adhesive layer 22. be able to. By doing so, the same effect as that of the first adhesive layer 22 is obtained by the second adhesive layer 52.
That is, even if a material having a relatively high moisture permeability is selected as the second protective layer 70, the fourth amorphous semiconductor film 17 and the third amorphous semiconductor film are formed by the second adhesive layer 52. 16 can be protected from moisture. Therefore, for example, migration of the sodium component contained in the second protective layer 70 to the fourth amorphous semiconductor film 17 and the third amorphous semiconductor film 16 side together with moisture can be suppressed.
For this reason, the freedom degree of selection of the material of the 2nd protective layer 70 becomes high.
In addition, copolymers of ethylene and unsaturated carboxylic acids (such as ionomers) have good resistance to ultraviolet rays. Therefore, even if the second protective layer 70 does not substantially contain the ultraviolet absorber, it is possible to ensure good resistance of the second adhesive layer 52. For this reason, since ultraviolet light can be used effectively for power generation, better power generation efficiency can be obtained.
In particular, when the copolymer in the resin material (resin material containing a copolymer of ethylene and unsaturated carboxylic acid) constituting the second adhesive layer 52 is an ionomer, good transparency of the second adhesive layer 52, Since the ultraviolet light resistance and the low moisture transmittance can be realized, the above-described effects can be obtained more reliably.

また、第２接着層５２についてＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて測定した第２接着層５２の３５０ｎｍの波長における光線透過率を、７０％以上とすることにより、紫外線由来の光エネルギーを効率よく発電に寄与させることが可能となるので、光発電モジュール１００の良好な発電効率を得ることができる。この光線透過率も、７５％以上であることがより好ましく、８０％以上であることがより好ましい。
第２保護層７０の光線透過率についても、ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて測定した第２封止層７０の３５０ｎｍの波長における光線透過率を、７０％以上とすることができ、その場合、特に良好な発電効率を得ることができる。この光線透過率も、７５％以上であることがより好ましく、８０％以上であることがより好ましい。 Further, by making the light transmittance at a wavelength of 350 nm of the second adhesive layer 52 measured according to JIS-K7105 for the second adhesive layer 52 to be 70% or more, light energy derived from ultraviolet rays contributes to power generation efficiently. Therefore, good power generation efficiency of the photovoltaic module 100 can be obtained. This light transmittance is also preferably 75% or more, and more preferably 80% or more.
Regarding the light transmittance of the second protective layer 70, the light transmittance at a wavelength of 350 nm of the second sealing layer 70 measured according to JIS-K7105 can be set to 70% or more. Power generation efficiency can be obtained. This light transmittance is also preferably 75% or more, and more preferably 80% or more.

なお、光発電素子１０の各構成要素の導電型は、上述の例とは反転していても良い。   In addition, the conductivity type of each component of the photovoltaic device 10 may be reversed from the above example.

以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   Hereinafter, although an example and a comparative example explain the present invention, the present invention is not limited to these.

実施例に係る光発電モジュールを、以下の方法で作製した。
透光性基板（第１保護層）、第１封止層（後述する樹脂シート１を使用）、第１配線シート（後述する配線シート１を使用）、光発電素子の順に重ねた。更に、光発電素子の上に、第２配線シート（後述する配線シート１を使用）、第２封止層（後述する樹脂シート３を使用）、バックシート（第２保護層）をこの順で重ね、これらを真空ラミネータを用いてラミネートし、光発電モジュールを作製した。 The photovoltaic module according to the example was manufactured by the following method.
A light-transmitting substrate (first protective layer), a first sealing layer (using a resin sheet 1 described later), a first wiring sheet (using a wiring sheet 1 described later), and a photovoltaic element were stacked in this order. Furthermore, on the photovoltaic element, a second wiring sheet (using a wiring sheet 1 described later), a second sealing layer (using a resin sheet 3 described later), and a back sheet (second protective layer) in this order. These were stacked and laminated using a vacuum laminator to produce a photovoltaic module.

比較例に係る光発電モジュールは、第１封止層および第２封止層としてそれぞれ後述する樹脂シート４を使用し、第１配線シート及び第２配線シートとしてそれぞれ後述する配線シート２を使用した以外は、実施例に係る光発電モジュールと同様に作製した。   The photovoltaic module according to the comparative example uses the resin sheet 4 described later as the first sealing layer and the second sealing layer, and uses the wiring sheet 2 described later as the first wiring sheet and the second wiring sheet, respectively. Other than that, it produced similarly to the photovoltaic module concerning an Example.

＜配線シート１＞
厚さ２５μｍのテトラフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）により形成された基材シート（第１樹脂フィルム又は第２樹脂フィルムに相当）と、当該基材シートの一方の面に形成された厚さ７５μｍの樹脂シート２（後述：第１接着層又は第２接着層に相当）と、を有するシートにおける樹脂シート２側の表面に対して、直径３００μｍの金属微細配線を等間隔に並べて加熱圧着することにより、配線シート１を作製した。得られた配線シート１は、樹脂シート２にワイヤが埋設されていた。 <Wiring sheet 1>
A base sheet (corresponding to a first resin film or a second resin film) formed of tetrafluoroethylene / ethylene copolymer (ETFE) having a thickness of 25 μm, and a thickness formed on one surface of the base sheet A metal micro-wiring with a diameter of 300 μm is arranged at equal intervals on the surface of the sheet having a thickness of 75 μm resin sheet 2 (which will be described later: corresponding to the first adhesive layer or the second adhesive layer) and thermocompression-bonded. By doing this, the wiring sheet 1 was produced. In the obtained wiring sheet 1, wires were embedded in the resin sheet 2.

＜配線シート２＞
厚さ１００μｍの樹脂シート４（後述）の表面に対して、直径３００μｍの金属微細配線を等間隔に並べて加熱圧着することにより、配線シート２を作製した。得られた配線シート２は、樹脂シート４にワイヤが埋設されていた。 <Wiring sheet 2>
The wiring sheet 2 was produced by heat-pressing the metal fine wiring with a diameter of 300 micrometers on the surface of the resin sheet 4 (after-mentioned) with a thickness of 100 micrometers, arranging it at equal intervals. In the obtained wiring sheet 2, wires were embedded in the resin sheet 4.

各樹脂シート１〜４は、後述するＡ層（（Ａ）−１又は（Ａ）−２）と、後述するＢ層（（Ｂ）−１又は（Ｂ）−２）と、のうちの少なくとも何れか１層を有する単層又は多層の樹脂シートである。
＜樹脂シート１＞
樹脂シート１は、３層シートであり、表層である（Ａ）−１と、中間層である（Ｂ）−１と、表層である（Ａ）−１と、がこの順に積層された構造となっている。 Each of the resin sheets 1 to 4 includes at least one of an A layer ((A) -1 or (A) -2) described later and a B layer ((B) -1 or (B) -2) described later. It is a single layer or multilayer resin sheet having any one layer.
<Resin sheet 1>
The resin sheet 1 is a three-layer sheet having a structure in which (A) -1 which is a surface layer, (B) -1 which is an intermediate layer, and (A) -1 which is a surface layer are laminated in this order. It has become.

＜樹脂シート２＞
樹脂シート２は、単層シートであり、（Ａ）−１により構成されている。 <Resin sheet 2>
The resin sheet 2 is a single-layer sheet and is configured by (A) -1.

＜樹脂シート３＞
樹脂シート３は、３層シートであり、表層である（Ａ）−２と、中間層である（Ｂ）−２と、表層である（Ａ）−２と、がこの順に積層された構造となっている。 <Resin sheet 3>
The resin sheet 3 is a three-layer sheet, and has a structure in which (A) -2 which is a surface layer, (B) -2 which is an intermediate layer, and (A) -2 which is a surface layer are laminated in this order. It has become.

＜樹脂シート４＞
樹脂シート４は、単層シートであり、エチレン−酢酸ビニル共重合体により構成されている。 <Resin sheet 4>
The resin sheet 4 is a single layer sheet and is made of an ethylene-vinyl acetate copolymer.

以下、各層の原料と配合を説明する。   Hereinafter, the raw materials and blending of each layer will be described.

＜原料＞
−１．樹脂−
（Ａ層）用の樹脂
・アイオノマー１：エチレン・メタクリル酸・アクリル酸ブチル三元共重合体（メタクリル酸単位含有量＝５質量％、アクリル酸ブチル７質量％）の亜鉛アイオノマー（中和度１０％、ＭＦＲ１１ｇ／１０分）
・アイオノマー２：エチレン・メタクリル酸共重合体（メタクリル酸単位含有量＝８．５質量％）の亜鉛アイオノマー（中和度１８％、ＭＦＲ６ｇ／１０分） <Raw material>
-1. Resin
Resin / ionomer for (A layer) 1: Zinc ionomer (degree of neutralization 10) of ethylene / methacrylic acid / butyl acrylate terpolymer (methacrylic acid unit content = 5 mass%, butyl acrylate 7 mass%) %, MFR11g / 10min)
Ionomer 2: Zinc ionomer of ethylene / methacrylic acid copolymer (methacrylic acid unit content = 8.5% by mass) (neutralization degree 18%, MFR 6 g / 10 min)

（Ｂ層）用の樹脂
・アイオノマー３：エチレン・メタクリル酸・アクリル酸ブチル三元共重合体（メタクリル酸単位含有量＝５質量％、アクリル酸ブチル７質量％）の亜鉛アイオノマー（中和度１０％、ＭＦＲ１１ｇ／１０分）
・アイオノマー４：エチレン・メタクリル酸共重合体（メタクリル酸単位含有量＝１２質量％）の亜鉛アイオノマー（中和度３６％、ＭＦＲ１．５g／１０分） Resin and ionomer for (B layer): Zinc ionomer of ethylene / methacrylic acid / butyl acrylate terpolymer (methacrylic acid unit content = 5 mass%, butyl acrylate 7 mass%) (degree of neutralization 10) %, MFR11g / 10min)
-Ionomer 4: Zinc ionomer of ethylene / methacrylic acid copolymer (methacrylic acid unit content = 12% by mass) (degree of neutralization 36%, MFR 1.5 g / 10 min)

−２．添加剤−
・酸化防止剤：ペンタエリトリトールテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオナート］（ＢＡＳＦ社製、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０）
・紫外線吸収剤：２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４,６−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチルフェノール
・光安定剤：ビス（２，２，６，６，−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート
・シランカップリング剤：Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン -2. Additive-
Antioxidant: Pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] (manufactured by BASF, Irganox 1010)
UV absorber: 2- (2H-benzotriazol-2-yl) -4,6-di-tert-pentylphenolLight stabilizer: bis (2,2,6,6, -tetramethyl-4-piperidyl ) Sebacate silane coupling agent: N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane

なお、Ａ層およびＢ層に用いられる安定剤マスターバッチ１としては、各層用の樹脂と同じ樹脂と、酸化防止剤、紫外線吸収剤および光安定剤とを、樹脂／酸化防止剤／紫外線吸収剤／光安定剤＝９３．７／０．３／４／２の質量比で混合し、あらかじめ２軸押し出し機にて押し出したものを用いた。
また、Ａ層およびＢ層に用いられる安定剤バスターバッチ２としては、各層用の樹脂と同じ樹脂と、酸化防止剤、紫外線吸収剤および光安定剤とを、樹脂／酸化防止剤／光安定剤＝９６／２／２の質量比で混合し、あらかじめ２軸押出機にて押し出したものを用いた。
白色マスターバッチとしては、大日精化工業株式会社製白色マスターバッチＰＥ−Ｍ １３Ｎ４７００と、酸化防止剤と、紫外線吸収剤と、光安定剤と、を所定質量比で混合し、あらかじめ２軸押出機にて作製したものを用いた。 In addition, as the stabilizer masterbatch 1 used for the A layer and the B layer, the same resin as the resin for each layer, the antioxidant, the ultraviolet absorber, and the light stabilizer are resin / antioxidant / ultraviolet absorber. / Light stabilizer = 93.7 / 0.3 / 4/2 The mass ratio was used and the mixture was extruded in advance with a biaxial extruder.
Further, as the stabilizer buster batch 2 used for the A layer and the B layer, the same resin as the resin for each layer, an antioxidant, an ultraviolet absorber, and a light stabilizer are used as a resin / antioxidant / light stabilizer. = Mixed at a mass ratio of 96/2/2 and extruded in advance using a twin screw extruder.
As a white masterbatch, a white masterbatch PE-M 13N4700 manufactured by Dainichi Seika Kogyo Co., Ltd., an antioxidant, an ultraviolet absorber, and a light stabilizer are mixed at a predetermined mass ratio, and a twin-screw extruder is previously prepared. What was produced in (1) was used.

−３．配合−
＜Ａ層＞
・（Ａ）−１：アイオノマー１／安定剤マスターバッチ２／シランカップリング剤＝９０／１０／０．２
・（Ａ）−２：アイオノマー２／安定剤マスターバッチ１／白色マスターバッチ／シランカップリング剤＝８５／１０／５／０．２ -3. Formulation
<A layer>
(A) -1: ionomer 1 / stabilizer masterbatch 2 / silane coupling agent = 90/10 / 0.2
(A) -2: ionomer 2 / stabilizer masterbatch 1 / white masterbatch / silane coupling agent = 85/10/5 / 0.2

＜Ｂ層＞
・（Ｂ）−１：アイオノマー３／安定剤マスターバッチ２＝９０／１０
・（Ｂ）−２：アイオノマー４／安定剤マスターバッチ１／白色マスターバッチ＝８５／１０／５ <B layer>
(B) -1: ionomer 3 / stabilizer masterbatch 2 = 90/10
(B) -2: ionomer 4 / stabilizer master batch 1 / white master batch = 85/10/5

＜樹脂シートの作製＞
多層樹脂シートである樹脂シート１および３を、それぞれ２種３層多層キャスト成形機（田辺プラスチックス機械社製）、フィードブロック式（ＥＤＩ社製）、４０ｍｍφ単軸押出機、およびダイ幅５００ｍｍ押出機を用いて加工温度１４０℃にてシート状に成形することにより作製した。
また、単層樹脂シートである樹脂シート２および４を、それぞれ単層Ｔ−ダイ成形機（田辺プラスチックス機械社製）、４０ｍｍφ単軸押出機、ダイ幅５００ｍｍ押出機を用いて、上記樹脂シート１、３と同様に、加工温度１４０℃にてシート状に成形し、作製した。
なお、基材シートと樹脂シート２との積層構造を有する配線シート１は、上記成形機の繰出し部分より基材シートを供給し、樹脂シート２を成形時にニップロールにて加熱圧着することで製造した。 <Production of resin sheet>
Resin sheets 1 and 3, which are multilayer resin sheets, are each extruded into two types and three layers of multilayer cast molding machine (manufactured by Tanabe Plastics Machinery), feed block type (manufactured by EDI), 40 mmφ single screw extruder, and die width 500 mm extrusion It was produced by forming into a sheet shape at a processing temperature of 140 ° C. using a machine.
In addition, the resin sheets 2 and 4 which are single layer resin sheets are respectively obtained by using a single layer T-die molding machine (manufactured by Tanabe Plastics Machinery Co., Ltd.), a 40 mmφ single screw extruder, and a die width 500 mm extruder. In the same manner as in 1 and 3, the sheet was formed into a sheet shape at a processing temperature of 140 ° C.
In addition, the wiring sheet 1 having a laminated structure of the base sheet and the resin sheet 2 was manufactured by supplying the base sheet from the feeding portion of the molding machine and heat-pressing the resin sheet 2 with a nip roll at the time of molding. .

実施例および比較例の光発電モジュールを用いて行った測定および評価について、以下に説明する。   Measurements and evaluations performed using the photovoltaic modules of Examples and Comparative Examples will be described below.

配線接続良否（ＥＬ画像）：
実施例及び比較例に係る光発電モジュールの配線接続良否について、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）法により評価した。すなわち、各光発電モジュールに電流を入力して発光させた状態で、ＥＬ画像を取得し、良否の評価を行った。
各光発電モジュールのＥＬ画像の取得には、ＥＬ画像検査装置（アイテス社製、ＰＶＸ１００）を用いた。また、ＥＬ画像を取得するための測定条件は、シャッター時間１５秒、絞り８、ＩＳＯ感度８００、光発電モジュールへの入力電圧０．７３Ｖ、光発電モジュールへの入力電流８Ａという条件を採用した。
そして、得られたＥＬ画像を目視にて確認し、配線接続良否の評価を行った。
評価結果は、○：影なし（接続良好）、×：影あり（配線接続の一部に難あり）、とした。
結果は、実施例では○、比較例では×となった。 Wiring connection quality (EL image):
The wiring connection quality of the photovoltaic modules according to the examples and comparative examples was evaluated by an EL (electroluminescence) method. That is, an EL image was acquired in a state where a current was inputted to each photovoltaic module to emit light, and the quality was evaluated.
For obtaining the EL image of each photovoltaic module, an EL image inspection device (manufactured by ITES, PVX100) was used. The measurement conditions for acquiring the EL image were as follows: shutter time 15 seconds, aperture 8, ISO sensitivity 800, input voltage 0.73V to the photovoltaic module, and input current 8A to the photovoltaic module.
And the obtained EL image was confirmed visually and the quality of wiring connection was evaluated.
The evaluation results were as follows: ○: no shadow (good connection), ×: shadow (part of wiring connection was difficult).
The results were ○ in the example and × in the comparative example.

発電効率（Ｐｍａｘ）：
実施例及び比較例に係る光発電モジュールについて、発電効率（Ｐｍａｘ）を測定した。
すなわち、各光発電モジュールに入力するバイアス電圧を変化させながら、電流を測定し、得られたデータをプロットすることにより、Ｉ−Ｖ曲線（図示略）を得た。
ここで、電流の測定には、住友重機械工業株式会社 太陽電池ＩＶ測定装置Ｎｏ．Ｍ１３０−ＤＤＹＴＢ３８３ Ｊ−ＪＡを用いた。
また、バイアス電圧は、−０．１Ｖから０．８Ｖの範囲で変化させ、この範囲のうち、−０．１Ｖから０．４Ｖまではバイアス電圧を０．０２Ｖ刻みで変化させ、０．４Ｖから０．８Ｖまではバイアス電圧を０．０１Ｖ刻みで変化させた。
また、測定条件として、ＡＭ１．５Ｇ、１ＳＵＮを採用し、２５℃で測定を行った。
そして、得られたＩ−Ｖ曲線に関し、電圧と電流の積が最大になる点、すなわち「最大出力＝発電効率（Ｐｍａｘ）」を求めた。
その結果、発電効率（Ｐｍａｘ）は、実施例では２１．１、比較例では１９．８となった。 Power generation efficiency (Pmax):
About the photovoltaic module which concerns on an Example and a comparative example, power generation efficiency (Pmax) was measured.
That is, while changing the bias voltage input to each photovoltaic module, the current was measured, and the obtained data was plotted to obtain an IV curve (not shown).
Here, in the measurement of current, Sumitomo Heavy Industries, Ltd. M130-DDYTB383 J-JA was used.
The bias voltage is changed in the range of -0.1V to 0.8V. Within this range, the bias voltage is changed in increments of 0.02V from -0.1V to 0.4V. The bias voltage was changed in increments of 0.01V up to 0.8V.
Further, AM1.5G and 1SUN were adopted as measurement conditions, and measurement was performed at 25 ° C.
Then, with respect to the obtained IV curve, a point at which the product of voltage and current becomes maximum, that is, “maximum output = power generation efficiency (Pmax)” was obtained.
As a result, the power generation efficiency (Pmax) was 21.1 in the example and 19.8 in the comparative example.

フィルファクタ（ＦＦ）：
更に、上記の発電効率（Ｐｍａｘ）の測定結果を用いて、実施例及び比較例に係る光発電モジュールのフィルファクタ（ＦＦ）を求めた。
ここで、電圧が０Ｖ時の電流は短絡電流（ｓｈｏｒｔ−ｃｉｒｃｕｉｔ ｃｕｒｒｅｎｔ＝Ｉｓｃ）といい、光発電モジュールに電流が流れていない時の電圧を開放電圧（ｏｐｅｎ−ｃｉｒｃｕｉｔ ｖｏｌｔａｇｅ＝Ｖｏｃ）という。
フィルファクタ（ＦＦ）は、発電効率（Ｐｍａｘ）／（Ｖｏｃ×Ｉｓｃ）であり、実施例では０．７８９、比較例では０．７４３となった。 Fill factor (FF):
Furthermore, the fill factor (FF) of the photovoltaic module which concerns on an Example and a comparative example was calculated | required using the measurement result of said electric power generation efficiency (Pmax).
Here, the current when the voltage is 0 V is referred to as a short-circuit current (Isc), and the voltage when no current is flowing through the photovoltaic module is referred to as an open-circuit voltage (Voc).
The fill factor (FF) is power generation efficiency (Pmax) / (Voc × Isc), which is 0.789 in the example and 0.743 in the comparative example.

また、上記の配線シート１、２を用いて行った測定および評価について、以下に説明する。   Moreover, the measurement and evaluation performed using said wiring sheets 1 and 2 are demonstrated below.

・３５０ｎｍの波長における樹脂シートの光線透過率：２５℃という条件下、ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて樹脂シートの３５０ｎｍの波長における光線透過率を測定した。なお、単位は、％とした。
実施例の配線シート１では、３５０ｎｍの波長における光線透過率は、８５％であった。
一方、比較例の配線シート２では、３５０ｎｍの波長における光線透過率は、４．３％であった。 -Light transmittance of the resin sheet at a wavelength of 350 nm: The light transmittance at a wavelength of 350 nm of the resin sheet was measured according to JIS-K7105 under the condition of 25 ° C. The unit is%.
In the wiring sheet 1 of the example, the light transmittance at a wavelength of 350 nm was 85%.
On the other hand, in the wiring sheet 2 of the comparative example, the light transmittance at a wavelength of 350 nm was 4.3%.

・全光線透過率：２５℃という条件下、ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて樹脂シートの全光線透過率を測定した。なお、単位は、％とした。
実施例の配線シート１では、全光線透過率は、８９．６％であった。
一方、比較例の配線シート２では、全光線透過率は、９２．２％であった。 -Total light transmittance: Under the conditions of 25 degreeC, the total light transmittance of the resin sheet was measured according to JIS-K7105. The unit is%.
In the wiring sheet 1 of the example, the total light transmittance was 89.6%.
On the other hand, in the wiring sheet 2 of the comparative example, the total light transmittance was 92.2%.

１０ 光発電素子
１１ 結晶半導体基板
１２ 第１非晶質系半導体膜
１３ 第２非晶質系半導体膜
１４ 第１透光性電極膜
１５ 第１電極
１６ 第３非晶質系半導体膜
１７ 第４非晶質系半導体膜
１８ 第２透光性電極膜
１９ 第２電極
２１ 第１微細配線
２１ａ コア
２１ｂ 低融点金属膜
２２ 第１接着層
２３ 第１樹脂フィルム
３０ 第１封止層
４０ 第１保護層
５１ 第２微細配線
５２ 第２接着層
５３ 第２樹脂フィルム
６０ 第２封止層
７０ 第２保護層
１００ 光発電モジュール
２００ 配線シート DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Photoelectric power generation element 11 Crystal semiconductor substrate 12 1st amorphous semiconductor film 13 2nd amorphous semiconductor film 14 1st translucent electrode film 15 1st electrode 16 3rd amorphous semiconductor film 17 4th Amorphous semiconductor film 18 Second translucent electrode film 19 Second electrode 21 First fine wiring 21a Core 21b Low melting point metal film 22 First adhesive layer 23 First resin film 30 First sealing layer 40 First protection Layer 51 second fine wiring 52 second adhesive layer 53 second resin film 60 second sealing layer 70 second protective layer 100 photovoltaic module 200 wiring sheet

Claims (5)

光発電素子を備える光発電モジュールであって、
前記光発電素子は、
第１導電型の結晶半導体基板を備えているとともに、
前記結晶半導体基板の一方の面側に、第１非晶質系半導体膜と、第１導電型の第２非晶質系半導体膜と、第１透光性電極膜と、第１電極と、をこの順に備え、
前記結晶半導体基板の他方の面側に、真性の第３非晶質系半導体膜と、第２導電型の第４非晶質系半導体膜と、第２透光性電極膜と、第２電極と、をこの順に備え、
前記第１非晶質系半導体膜は、前記第２非晶質系半導体膜よりも不純物濃度が低い第１導電型であるか、又は、真性であり、
当該光発電モジュールは、更に、
前記光発電素子の一方の面の前記第１電極に第１接着層により接合固定された複数の第１微細配線と、
前記光発電素子の前記一方の面との間に前記複数の第１微細配線を挟んでいるとともに、前記第１接着層を介して前記光発電素子の前記一方の面に接合された第１樹脂フィルムと、
透光性の第１保護層と、
前記第１保護層と前記第１樹脂フィルムとの間に充填された第１封止層と、
前記光発電素子の他方の面の前記第２電極に第２接着層により接合固定された複数の第２微細配線と、
前記光発電素子の前記他方の面との間に前記複数の第２微細配線を挟んでいるとともに、前記第２接着層を介して前記光発電素子の前記他方の面に接合された第２樹脂フィルムと、
第２保護層と、
前記第２保護層と前記第２樹脂フィルムとの間に充填された第２封止層と、
を備え、
前記第１接着層は、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体を含む樹脂材料により構成されている光発電モジュール。 A photovoltaic module comprising photovoltaic elements,
The photovoltaic element is
A first conductivity type crystalline semiconductor substrate;
A first amorphous semiconductor film, a first conductive type second amorphous semiconductor film, a first translucent electrode film, a first electrode, on one surface side of the crystalline semiconductor substrate; In this order,
An intrinsic third amorphous semiconductor film, a second conductivity type fourth amorphous semiconductor film, a second translucent electrode film, and a second electrode are formed on the other surface side of the crystalline semiconductor substrate. And in this order,
The first amorphous semiconductor film is a first conductivity type having an impurity concentration lower than that of the second amorphous semiconductor film, or is intrinsic.
The photovoltaic module further includes
A plurality of first fine wires bonded and fixed to the first electrode on one surface of the photovoltaic element by a first adhesive layer;
The first resin having the plurality of first fine wirings sandwiched between the one surface of the photovoltaic element and bonded to the one surface of the photovoltaic element via the first adhesive layer With film,
A translucent first protective layer;
A first sealing layer filled between the first protective layer and the first resin film;
A plurality of second fine wires bonded and fixed to the second electrode on the other surface of the photovoltaic element by a second adhesive layer;
The second resin having the plurality of second fine wirings sandwiched between the other surface of the photovoltaic element and bonded to the other surface of the photovoltaic element via the second adhesive layer With film,
A second protective layer;
A second sealing layer filled between the second protective layer and the second resin film;
With
The said 1st contact bonding layer is a photovoltaic module comprised by the resin material containing the copolymer of ethylene and unsaturated carboxylic acid. 前記共重合体は、アイオノマーである請求項１に記載の光発電モジュール。   The photovoltaic module according to claim 1, wherein the copolymer is an ionomer. ＪＩＳ−Ｋ７１０５に準じて測定した前記第１接着層の３５０ｎｍの波長における光線透過率が、７０％以上である請求項１又は２に記載の光発電モジュール。   The photovoltaic module according to claim 1 or 2, wherein a light transmittance at a wavelength of 350 nm of the first adhesive layer measured according to JIS-K7105 is 70% or more. 前記複数の第１微細配線は、互いに平行に配置された複数のワイヤーであり、
前記ワイヤーの外径をＤとすると、
前記第１接着層の層厚Ｔは、Ｄ／６±Ｄ／１２の範囲に設定されている請求項１乃至３の何れか一項に記載の光発電モジュール。 The plurality of first fine wirings are a plurality of wires arranged in parallel to each other,
If the outer diameter of the wire is D,
4. The photovoltaic module according to claim 1, wherein a thickness T of the first adhesive layer is set in a range of D / 6 ± D / 12. 5. 前記第２保護層は透光性であり、
前記第２接着層は、エチレンと不飽和カルボン酸との共重合体を含む樹脂材料により構成されている請求項１乃至４の何れか一項に記載の光発電モジュール。 The second protective layer is translucent;
The photovoltaic module according to any one of claims 1 to 4, wherein the second adhesive layer is made of a resin material containing a copolymer of ethylene and an unsaturated carboxylic acid.
JP2015022074A 2015-02-06 2015-02-06 Photovoltaic module Pending JP2018056145A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015022074A JP2018056145A (en) 2015-02-06 2015-02-06 Photovoltaic module
PCT/JP2016/053464 WO2016125882A1 (en) 2015-02-06 2016-02-05 Photovoltaic module
TW105104059A TW201640686A (en) 2015-02-06 2016-02-05 Photovoltaic power generation module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015022074A JP2018056145A (en) 2015-02-06 2015-02-06 Photovoltaic module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018056145A true JP2018056145A (en) 2018-04-05

Family

ID=56564220

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015022074A Pending JP2018056145A (en) 2015-02-06 2015-02-06 Photovoltaic module

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2018056145A (en)
TW (1) TW201640686A (en)
WO (1) WO2016125882A1 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020031574A1 (en) * 2018-08-10 2020-02-13 株式会社カネカ Solar cell module
JP2021034659A (en) * 2019-08-28 2021-03-01 パナソニック株式会社 Solar cell module
GB202119064D0 (en) * 2021-12-29 2022-02-09 Rec Solar Pte Ltd Solar cell assembly
CN114300549B (en) * 2021-12-29 2023-09-08 明冠新材料股份有限公司 Single-glass photovoltaic cell, preparation method and photovoltaic module

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4565455B2 (en) * 1998-10-16 2010-10-20 三井・デュポンポリケミカル株式会社 Solar cell sealing material and solar cell module
JP2000243990A (en) * 1999-02-18 2000-09-08 Dainippon Printing Co Ltd Solar-cell cover film and manufacture thereof, and solar-cell module using same
DE10239845C1 (en) * 2002-08-29 2003-12-24 Day4 Energy Inc Electrode for photovoltaic cells, photovoltaic cell and photovoltaic module
JP2012138467A (en) * 2010-12-27 2012-07-19 Dainippon Printing Co Ltd Solar battery sealing material, and solar battery module using the same
JP5623325B2 (en) * 2011-03-30 2014-11-12 リンテック株式会社 Protective sheet for solar cell, method for producing the same, and solar cell module
JP2014015544A (en) * 2012-07-10 2014-01-30 Bridgestone Corp Ethylene-vinyl acetate copolymer sheet, and intermediate film for laminated glass, laminated glass, sealing film for solar cell, and solar cell using the ethylene-vinyl acetate copolymer sheet
JP6050661B2 (en) * 2012-11-21 2016-12-21 長州産業株式会社 Photovoltaic generator manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
TW201640686A (en) 2016-11-16
WO2016125882A1 (en) 2016-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6946518B2 (en) Wiring sheet, structure and photovoltaic module
JP5639930B2 (en) SOLAR CELL SEALING MATERIAL AND SOLAR CELL MODULE PRODUCED BY USING THE SAME
TWI479006B (en) Solar battery seal and flexible solar module
US20140360560A1 (en) Solar cell module having excellent appearance and method for manufacturing same
JP4889828B2 (en) Solar cell sealing material, solar cell protective sheet, and method for manufacturing solar cell module
JP2012216805A (en) Solar cell module filler sheet
JP2009094320A (en) Filler sheet for rear face of solar cell module
WO2016125882A1 (en) Photovoltaic module
JP2010093120A (en) Back filler layer for solar cell module, and solar cell module using the same
JP2012099803A (en) Solar cell sealing sheet, production method therefor, and method of manufacturing flexible solar cell module
JP2015170640A (en) Sealing material for solar battery module and solar battery module
JP6608189B2 (en) PID countermeasure solar cell module of solar cell module using n-type silicon semiconductor
WO2014049778A1 (en) Filler sheet for solar cell modules, solar cell sealing sheet, and method for manufacturing solar cell module
WO2014042217A1 (en) Solar cell protective sheet and flexible solar cell module
JP2014187172A (en) Encapsulant sheet for solar battery module, and solar battery module
JP2018039865A (en) Sealant for solar battery module and solar battery module
JP2011176273A (en) Solar-cell sealing material, solar-cell protective sheet, and method of manufacturing solar-cell module
JP2013065619A (en) Solar cell sealing sheet and flexible solar cell module
TW201446859A (en) Sealing material for solar cells and solar cell module
JP2016058473A (en) Encapsulation sheet for solar cell and solar cell module
JP2013199030A (en) Solar cell protection sheet and flexible solar cell module
JP2014236155A (en) Solar battery module with hot-melt adhesive
WO2014054579A1 (en) Filler sheet for solar cell modules and method for manufacturing solar cell module
JP2017123364A (en) Sealant for solar battery module, and solar battery module
JP2014187173A (en) Encapsulant sheet for solar battery module, and solar battery module