JP2018048410A - CxNyHz FILM, FILM DEPOSITION METHOD, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND PRODUCTION METHOD THEREOF - Google Patents
CxNyHz FILM, FILM DEPOSITION METHOD, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND PRODUCTION METHOD THEREOF Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018048410A JP2018048410A JP2017232698A JP2017232698A JP2018048410A JP 2018048410 A JP2018048410 A JP 2018048410A JP 2017232698 A JP2017232698 A JP 2017232698A JP 2017232698 A JP2017232698 A JP 2017232698A JP 2018048410 A JP2018048410 A JP 2018048410A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- gas
- chamber
- cvd apparatus
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
Description
本発明は、ＣｘＮｙＨｚ膜、成膜方法、磁気記録媒体およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a C x N y H z film, a film forming method, a magnetic recording medium, and a manufacturing method thereof.
図１８は、従来の磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図である。
まず、非磁性基板１０１の上に少なくとも磁性層１０２を形成した被成膜基板１００を用意し、この被成膜基板１００の上に膜厚３ｎｍのＤＬＣ(Diamond Like Carbon)膜１０３をプラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により成膜する。次いで、このＤＬＣ膜１０３の上に厚さ１ｎｍのＣＮ膜１０４をスパッタリングにより成膜する。
FIG. 18 is a cross-sectional view for explaining a conventional method of manufacturing a magnetic recording medium.
First, a
次いで、ＣＮ膜１０４をフッ素系のフォンブリン油にディッピングすることにより、ＣＮ膜１０４の上にはフォンブリン油が塗布される。次に、被成膜基板１００を１５０℃の温度で１時間アニールすることにより、ＣＮ膜１０４上には固体潤滑剤として機能する膜厚４ｎｍのフッ化有機膜１０５が形成される。また、フッ化有機膜１０５の作製方法として蒸着法を用いることもあり、その場合の蒸着温度は１１０℃である。
Next, fomblin oil is applied onto the
上記の磁気記録媒体を使用する際にはフッ化有機膜１０５にメディアヘッド（図示せず）を接近させる必要があり、このメディアヘッドと磁性層１０２との距離をより短くすることが要求される。このため、ＤＬＣ膜１０３とＣＮ膜１０４とフッ化有機膜１０５の合計膜厚をより薄くすることが要求される。
When using the above magnetic recording medium, it is necessary to bring a media head (not shown) close to the fluorinated
また、上記の磁気記録媒体においてＤＬＣ膜１０３をプラズマＣＶＤ法で成膜する理由は次のとおりである。
ＤＬＣ膜をスパッタリングにより成膜し、その膜厚を８ｎｍ以下にすると、磁性層１０２からＣｏなどの不純物が溶け出してフッ化有機膜１０５に到達する（いわゆるコロージョン）という問題が発生する。そこで、ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法により成膜することで、スパッタリングに比べて高密度なＤＬＣ膜を成膜できるため、その膜厚を３ｎｍとしてもコロージョンを防ぐためのバリア性を十分に確保することができる。
The reason why the
When the DLC film is formed by sputtering and the film thickness is 8 nm or less, impurities such as Co are dissolved from the
また、上記の磁気記録媒体においてＣＮ膜１０４を形成する理由は次のとおりである。
ＤＬＣ膜１０３は水の接触角が８０°程度であるため、ＤＬＣ膜１０３上にフッ化有機膜１０５を塗布するとＤＬＣ膜１０３とフッ化有機膜１０５との密着性が悪い。このため、ＤＬＣ膜１０３上にフッ化有機膜１０５を塗布することができない。そこで、ＤＬＣ膜１０３とフッ化有機膜１０５との間に、水の接触角が３０°程度であるＣＮ膜１０４を形成することで、ＤＬＣ膜１０３とフッ化有機膜１０５との密着性を高めることができる。ただし、ＣＮ膜１０４はコロージョンを防ぐためのバリア性の機能を有していない。
The reason why the CN
Since the contact angle of water with the
本発明の一態様は、高密度のＣｘＮｙＨｚ膜および成膜方法を提供することを課題とする。
本発明の一態様は、磁性層とフッ化有機膜との間の膜の厚さを薄くした磁気記録媒体またはその製造方法を提供することを課題とする。
An object of one embodiment of the present invention is to provide a high-density C x N y H z film and a film formation method.
An object of one embodiment of the present invention is to provide a magnetic recording medium in which the thickness of a film between a magnetic layer and a fluorinated organic film is reduced, or a manufacturing method thereof.
本発明の一態様は、被成膜基板上に成膜されたＣｘＮｙＨｚ膜であって、
ｘ，ｙ，ｚは下記式（１）〜（４）を満たすことを特徴とするＣｘＮｙＨｚ膜。
（１）０．４＜ｘ＜０．７
（２）０．０１＜ｙ＜０．５
（３）０≦ｚ＜０．３
（４）ｘ＋ｙ＋ｚ＝１
One embodiment of the present invention is a C x N y H z film formed over a deposition target substrate,
x, y, z is C x N y H z film and satisfies the following formulas (1) to (4).
(1) 0.4 <x <0.7
(2) 0.01 <y <0.5
(3) 0 ≦ z <0.3
(4) x + y + z = 1
また、本発明の一態様において、
前記ＣｘＮｙＨｚ膜は水の接触角が５０°以下（より好ましくは３０°以下）である表面を有することが好ましい。
In one embodiment of the present invention,
The C x N y H z film preferably has a surface with a water contact angle of 50 ° or less (more preferably 30 ° or less).
本発明の一態様は、非磁性基板上に形成された磁性層と、
前記磁性層上に形成された上述したＣｘＮｙＨｚ膜と、
前記ＣｘＮｙＨｚ膜上に形成されたフッ化有機膜と、
を具備することを特徴とする磁気記録媒体である。
One embodiment of the present invention includes a magnetic layer formed over a nonmagnetic substrate;
The above-mentioned C x N y H z film formed on the magnetic layer;
A fluorinated organic film formed on the C x N y H z film;
A magnetic recording medium comprising:
また、本発明の一態様において、
前記ＣｘＮｙＨｚ膜と前記磁性層との間に形成されたＤＬＣ膜をさらに具備するとよい。
In one embodiment of the present invention,
A DLC film formed between the C x N y H z film and the magnetic layer may be further provided.
また、本発明の一態様において、
前記フッ化有機膜は、ＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＨｄ膜、ＣａＦｂＯｅ膜、ＣａＦｂＯｅＨｄ膜、ＣａＦｂＮｃＯｅ膜及びＣａＦｂＮｃＯｅＨｄ膜のいずれかの膜であるとよい。ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは、自然数である。
In one embodiment of the present invention,
The fluorinated organic film includes a C a F b film, a C a F b N c film, a C a F b H d film, a C a F b O e film, a C a F b O e H d film, and a C a F b N c O e film and C a F b N c O e may be either a film of H d membrane. However, a, b, c, d, and e are natural numbers.
また、本発明の一態様において、
前記ＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＨｄ膜、ＣａＦｂＯｅ膜、ＣａＦｂＯｅＨｄ膜、ＣａＦｂＮｃＯｅ膜及びＣａＦｂＮｃＯｅＨｄ膜それぞれはアモルファス膜であるとよい。
ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは、自然数である。
In one embodiment of the present invention,
C a F b film, C a F b N c film, C a F b H d film, C a F b O e film, C a F b O e H d film, C a F b N c O e film Each of the C a F b N c O e H d films may be an amorphous film.
However, a, b, c, d, and e are natural numbers.
また、本発明の一態様において、
前記いずれかの膜の厚さは３ｎｍ以下であるとよい。
In one embodiment of the present invention,
The thickness of any one of the films is preferably 3 nm or less.
本発明の一態様は、被成膜基板上に、出発原料を気化させたガスを用いたＣＶＤ法により請求項１または２に記載のＣｘＮｙＨｚ膜を成膜する成膜方法であって、
前記出発原料は、ＣＸＨＹＮＺからなり、常温で液体または固体であり、下記式（１）〜（４）を満たすことを特徴とする成膜方法。
ただし、Ｘ，Ｙ，Ｚは自然数である。
（１）４≦Ｘ≦１２
（２）０≦Ｙ≦４
（３）２≦Ｚ≦１２
（４）Ｙ／Ｘ＜１
One embodiment of the present invention is a film forming method for forming a C x N y H z film according to
The starting material is made of C X H Y N Z , is liquid or solid at room temperature, and satisfies the following formulas (1) to (4).
However, X, Y, and Z are natural numbers.
(1) 4 ≦ X ≦ 12
(2) 0 ≦ Y ≦ 4
(3) 2 ≦ Z ≦ 12
(4) Y / X <1
ここで、出発原料とは、薄膜の構成元素を含む化合物のことである。 Here, the starting material is a compound containing the constituent elements of the thin film.
また、本発明の一態様において、
前記出発原料は、Ｃ４Ｈ２Ｎ２、Ｃ５Ｈ３Ｎ３、Ｃ７Ｈ３Ｎ３、Ｃ６Ｈ２Ｎ４、Ｃ５Ｈ２Ｎ４、Ｃ１０Ｈ２Ｎ４、Ｃ１２Ｈ４Ｎ４およびＣ６Ｎ４のいずれか一の原料であるとよい。
In one embodiment of the present invention,
The starting materials are C 4 H 2 N 2 , C 5 H 3 N 3 , C 7 H 3 N 3 , C 6 H 2 N 4 , C 5 H 2 N 4 , C 10 H 2 N 4 , C 12 H It may be a raw material of any one of 4 N 4 and C 6 N 4 .
本発明の一態様は、上述した成膜方法により成膜された前記ＣｘＮｙＨｚ膜上にフッ化有機膜を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、
前記被成膜基板は、非磁性基板上に磁性層を形成したものであり、
前記ＣｘＮｙＨｚ膜は水の接触角が５０°以下である表面を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
One aspect of the present invention is a method of manufacturing a magnetic recording medium in which a fluorinated organic film is formed on the C x N y H z film formed by the film forming method described above.
The film formation substrate is a nonmagnetic substrate formed with a magnetic layer,
The C x N y H z film has a surface with a water contact angle of 50 ° or less, and is a method of manufacturing a magnetic recording medium.
また、本発明の一態様において、
前記ＣｘＮｙＨｚ膜と前記磁性層との間にＤＬＣ膜を形成するとよい。
In one embodiment of the present invention,
A DLC film may be formed between the C x N y H z film and the magnetic layer.
また、本発明の一態様において、
前記フッ化有機膜は、原料ガスを用いたＣＶＤ法により形成されたＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＨｄ膜、ＣａＦｂＯｅ膜、ＣａＦｂＯｅＨｄ膜、ＣａＦｂＮｃＯｅ膜及びＣａＦｂＮｃＯｅＨｄ膜のいずれかの膜であり、
前記原料ガスは、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有するとよい。
ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは、自然数である。
In one embodiment of the present invention,
The fluorinated organic film includes a C a F b film, a C a F b N c film, a C a F b H d film, a C a F b O e film, a C a formed by a CVD method using a source gas. F b O e H d membrane is any membrane C a F b N c O e film and C a F b N c O e H d film,
The source gas may include an organic source gas containing carbon and fluorine.
However, a, b, c, d, and e are natural numbers.
また、本発明の一態様において、
前記有機物原料ガスが３個以上の炭素を含むとよい。
In one embodiment of the present invention,
The organic material gas may contain 3 or more carbons.
また、本発明の一態様において、
前記膜上に前記ＣａＦｂ膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ６、Ｃ６Ｆ６、Ｃ６Ｆ１２、Ｃ６Ｆ１４、Ｃ７Ｆ８、Ｃ７Ｆ１４、Ｃ７Ｆ１６、Ｃ８Ｆ１６、Ｃ８Ｆ１８、Ｃ９Ｆ１８、Ｃ９Ｆ２０、Ｃ１０Ｆ８、Ｃ１０Ｆ１８、Ｃ１１Ｆ２０、Ｃ１２Ｆ１０、Ｃ１３Ｆ２８、Ｃ１５Ｆ３２、Ｃ２０Ｆ４２、及びＣ２４Ｆ５０の少なくとも一つを有し、
前記膜上に前記ＣａＦｂＮｃ膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ３Ｎ３、Ｃ３Ｆ９Ｎ、Ｃ５Ｆ５Ｎ、Ｃ６Ｆ４Ｎ２、Ｃ６Ｆ９Ｎ３、Ｃ６Ｆ１２Ｎ２、Ｃ６Ｆ１５Ｎ、Ｃ７Ｆ５Ｎ、Ｃ８Ｆ４Ｎ２、Ｃ９Ｆ２１Ｎ、Ｃ１２Ｆ４Ｎ４、Ｃ１２Ｆ２７Ｎ、Ｃ１４Ｆ８Ｎ２、Ｃ１５Ｆ３３Ｎ、Ｃ２４Ｆ４５Ｎ３、及びトリヘプタフルオロプロピルアミンの少なくとも一つを有し、
前記膜上に前記ＣａＦｂＯｄ膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ６Ｏ、Ｃ４Ｆ６Ｏ３、Ｃ４Ｆ８Ｏ、Ｃ５Ｆ６Ｏ３、Ｃ６Ｆ４Ｏ２、Ｃ６Ｆ１０Ｏ３、Ｃ８Ｆ４Ｏ３、Ｃ８Ｆ８Ｏ、Ｃ８Ｆ８Ｏ２、Ｃ８Ｆ１４Ｏ３、Ｃ１３Ｆ１０Ｏ、Ｃ１３Ｆ１０Ｏ３、及びＣ２Ｆ６Ｏ（Ｃ３Ｆ６Ｏ）ｎ（ＣＦ２Ｏ）ｍの少なくとも一つを有し、
前記膜上に前記ＣａＦｂＮｃＯｄ膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ７Ｆ５ＮＯを有するとよい。
In one embodiment of the present invention,
When the C a F b film is formed on the film, the organic material gas is C 3 F 6 , C 4 F 6 , C 6 F 6 , C 6 F 12 , C 6 F 14 , C 7 F 8. , C 7 F 14, C 7 F 16, C 8
When the C a F b N c film is formed on the film, the organic material gas is C 3 F 3 N 3 , C 3 F 9 N, C 5 F 5 N, C 6 F 4 N 2 , C 6 F 9 N 3 , C 6 F 12 N 2 , C 6 F 15 N, C 7 F 5 N, C 8 F 4 N 2 , C 9 F 21 N, C 12 F 4 N 4 , C 12 F 27 N , C 14 F 8 N 2 , C 15 F 33 N, C 24 F 45 N 3 , and triheptafluoropropylamine,
In the case of forming the C a F b O d film on the film, the organic material gas is C 3 F 6 O, C 4 F 6 O 3 , C 4 F 8 O, C 5 F 6 O 3 , C 6 F 4 O 2 , C 6 F 10 O 3 , C 8 F 4 O 3 , C 8 F 8 O, C 8 F 8 O 2 , C 8 F 14 O 3 , C 13 F 10 O, C 13 F 10 At least one of O 3 and C 2 F 6 O (C 3 F 6 O) n (CF 2 O) m,
The organic source gas in the case of forming the C a F b N c O d film on the film may include C 7 F 5 NO.
また、本発明の一態様において、
前記有機物原料ガスとしてパーフルオロアミン類を用いるとよい。
In one embodiment of the present invention,
Perfluoroamines may be used as the organic material gas.
また、本発明の一態様において、
前記原料ガスを用いたＣＶＤ法は、前記ＣｘＮｙＨｚ膜を保持電極に保持し、前記保持電極に保持された前記ＣｘＮｙＨｚ膜に対向する対向電極を配置し、前記保持電極および前記対向電極の一方の電極に電力を供給して直流プラズマを形成する際の直流電圧または高周波プラズマを形成する際の直流電圧成分を＋１５０Ｖ〜−１５０ＶとしたプラズマＣＶＤ法であるとよい。
In one embodiment of the present invention,
In the CVD method using the source gas, the C x N y H z film is held on a holding electrode, a counter electrode facing the C x N y H z film held on the holding electrode is disposed, It may be a plasma CVD method in which a DC voltage when forming DC plasma by supplying electric power to one electrode of the holding electrode and the counter electrode or a DC voltage component when forming high frequency plasma is +150 V to −150 V. .
本発明の一態様によれば、高密度のＣｘＮｙＨｚ膜および成膜方法を提供することができる。
また、本発明の一態様によれば、磁性層とフッ化有機膜との間の膜の厚さを薄くした磁気記録媒体またはその製造方法を提供することができる。
According to one embodiment of the present invention, a high-density C x N y H z film and a film formation method can be provided.
In addition, according to one embodiment of the present invention, it is possible to provide a magnetic recording medium in which the thickness of the film between the magnetic layer and the fluorinated organic film is reduced, or a manufacturing method thereof.
以下では、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it will be easily understood by those skilled in the art that modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the description of the embodiments below.
（第１の実施形態）
図１は、本発明の一態様に係る磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図である。図２は、図１に示すＣｘＮｙＨｚ膜１４を成膜するためのＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。
(First embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a magnetic recording medium according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a CVD apparatus for forming the C x N y H z film 14 shown in FIG.
まず、図１に示すように、非磁性基板１１の上に少なくとも磁性層１２を形成した被成膜基板２を用意し、この被成膜基板２の上に膜厚１ｎｍ（好ましくは０．５ｎｍ）のＤＬＣ膜１３をＣＶＤ法により成膜する。なお、被成膜基板２は、例えばバードディスク基板、メディアヘッドなどである。
First, as shown in FIG. 1, a
次に、ＤＬＣ膜１３の上に膜厚１ｎｍ（好ましくは０．５ｎｍ）のＣｘＮｙＨｚ膜１４を図２に示すＣＶＤ装置を用いて成膜する。ＣｘＮｙＨｚ膜１４の表面の水の接触角は５０°以下（より好ましくは３０°以下）となる。ｘ，ｙ，ｚは下記式（１）〜（４）を満たし、好ましくは下記式（１'）〜（４'）を満たす。
（１）０．４＜ｘ＜０．７
（２）０．０１＜ｙ＜０．５
（３）０≦ｚ＜０．３
（４）ｘ＋ｙ＋ｚ＝１
（１'）０．５＜ｘ＜０．７
（２'）０．０５＜ｙ＜０．４
（３'）０≦ｚ＜０．３
（４'）ｘ＋ｙ＋ｚ＝１
Next, a C x N y H z film 14 having a thickness of 1 nm (preferably 0.5 nm) is formed on the
(1) 0.4 <x <0.7
(2) 0.01 <y <0.5
(3) 0 ≦ z <0.3
(4) x + y + z = 1
(1 ′) 0.5 <x <0.7
(2 ′) 0.05 <y <0.4
(3 ′) 0 ≦ z <0.3
(4 ′) x + y + z = 1
この後、ＣｘＮｙＨｚ膜１４をフッ素系のフォンブリン油にディッピングすることにより、ＣｘＮｙＨｚ膜１４の上にはフォンブリン油が塗布される。次に、被成膜基板２を１５０℃の温度で１時間アニールすることにより、ＣｘＮｙＨｚ膜１４上には固体潤滑剤として機能する膜厚４ｎｍのフッ化有機膜１５が形成される。なお、フッ化有機膜１５の作製方法として蒸着法を用いても良く、その場合の蒸着温度は１１０℃である。
Thereafter, the C x N y H z film 14 is dipped into the fluorine-based fomblin oil, so that the fomblin oil is applied onto the C x N y H z film 14. Next, by annealing the
ここで、図２に示すＣＶＤ装置について説明する。
ＣＶＤ装置は、チャンバー１を有しており、チャンバー１には、チャンバー１の内部を真空排気する排気口が設けられている。この排気口は排気ポンプ（図示せず）に接続されている。
Here, the CVD apparatus shown in FIG. 2 will be described.
The CVD apparatus has a
チャンバー１内の下方には被成膜基板２を保持する保持電極４が配置されている。保持電極４は例えば周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源６に電気的に接続されており、保持電極４はＲＦ印加電極（ＲＦカソード）としても作用する。高周波電源６によって高周波を印加した保持電極４の高周波出力密度は、例えば１×１０−２Ｗ／ｃｍ２以下である。保持電極４の周囲及び下部はアースシールド５によってシールドされている。なお、本実施形態では、高周波電源６を用いているが、他の電源、例えば直流電源又はマイクロ波電源を用いても良い。
A holding
チャンバー１内の上方には、保持電極４に対向して平行の位置にガスシャワー電極（対向電極）７が配置されている。これらは一対の平行平板型電極である。ガスシャワー電極７は接地電位(図示せず)に接続されている。ガスシャワー電極７の下面には、被処理基板２のＤＬＣ膜１３が形成された側（ガスシャワー電極７と保持電極４との間の空間）にシャワー状の原料ガスを供給する複数の供給口（図示せず）が形成されている。
A gas shower electrode (counter electrode) 7 is disposed above the
ガスシャワー電極７の内部にはガス導入経路（図示せず）が設けられている。このガス導入経路の一方側は上記供給口に繋げられており、ガス導入経路の他方側は原料ガスの供給配管２８の一端に接続されている。この供給配管２８の周囲はヒータ２１によって覆われており、供給配管２８は二手に分岐されている。供給配管２８の一方の他端はバルブ２９に接続されており、バルブ２９は配管を介してマスフローコントローラ３１に接続されている。マスフローコントローラ３１は配管を介してバルブ３０に接続されており、バルブ３０は配管を介してＮ２供給源に接続されている。
A gas introduction path (not shown) is provided inside the
供給配管２８の他方の他端はバルブ１９に接続されている。バルブ１９は配管を介してマスフローコントローラ２０に接続されており、マスフローコントローラ２０は配管を介してバルブ１８に接続されている。バルブ１８は配管を介して出発原料１６を収容する原料容器に接続されている。原料容器、バルブ１８，１９およびマスフローコントローラ２０は恒温槽１７内に配置されている。
The other end of the
出発原料１６は、ＣＸＨＹＮＺからなり、常温で液体または固体であり、下記式（１）〜（４）を満たし、好ましくは下記式（１'）〜（４'）を満たすものである。ただし、Ｘ，Ｙ，Ｚは自然数である。
（１）４≦Ｘ≦１２
（２）０≦Ｙ≦４
（３）２≦Ｚ≦１２
（４）Ｙ／Ｘ＜１（より好ましくは３／７≦Ｙ／Ｘ＜１）
（１'）４≦Ｘ≦７
（２'）０≦Ｙ≦４
（３'）２≦Ｚ≦４
（４'）Ｙ／Ｘ＜１（より好ましくは３／７≦Ｙ／Ｘ＜１）
The starting
(1) 4 ≦ X ≦ 12
(2) 0 ≦ Y ≦ 4
(3) 2 ≦ Z ≦ 12
(4) Y / X <1 (more preferably 3/7 ≦ Y / X <1)
(1 ′) 4 ≦ X ≦ 7
(2 ′) 0 ≦ Y ≦ 4
(3 ′) 2 ≦ Z ≦ 4
(4 ′) Y / X <1 (more preferably 3/7 ≦ Y / X <1)
上記式（１）のようにした理由は、Ｘが４未満であると出発原料が常温で気体になるからであり、Ｘが１２より大きくなると出発原料を蒸発させるのが困難になるからである。 The reason for the above formula (1) is that if X is less than 4, the starting material becomes a gas at room temperature, and if X is larger than 12, it is difficult to evaporate the starting material. .
出発原料１６の具体例は、Ｃ４Ｈ２Ｎ２（フマルニトリル）、Ｃ５Ｈ３Ｎ３（シアノピラジン、シアノピリミジン）およびＣ７Ｈ３Ｎ３（ピリジンジカルボニトリル）などが挙げられる。
Specific examples of the starting
次に、図２に示すＣＶＤ装置を用いた成膜方法について説明する。
被成膜基板２をチャンバー１内に挿入し、このチャンバー１内の保持電極４上に被成膜基板２を保持する。次いで、排気ポンプによってチャンバー１内を真空排気する。
Next, a film forming method using the CVD apparatus shown in FIG. 2 will be described.
The
次いで、出発原料１６を恒温槽１７で加熱することによって気化させ、その帰化させた原料ガスをマスフローコントローラ２０によって流量制御し、その流量制御した原料ガスをヒータ２１によって温度低下しないように維持しながら供給配管およびガス導入経路を通して、ガスシャワー電極７の供給口からシャワー状の原料ガスを、チャンバー１内に導入して被成膜基板２の表面に供給する。この供給された原料ガスは、保持電極４とアースシールド５との間を通ってチャンバー１の外側へ排気ポンプによって排気される。そして、原料ガスの供給量と排気のバランスにより、所定の圧力、原料ガス流量に制御することによりチャンバー１内を原料ガス雰囲気とし、高周波電源６により例えば１３．５６ＭＨｚの高周波（ＲＦ）を印加し、プラズマを発生させることにより被成膜基板２のＤＬＣ膜１３の上にＣｘＮｙＨｚ膜１４を成膜する。なお、本実施形態では、上記の原料ガスにＮ２ガスを加えていないが、Ｎ２供給源からのＮ２ガスをマスフローコントローラ３１によって流量制御して上記の原料ガスに加えてもよい。これにより、ＣｘＮｙＨｚ膜１４中のＮの含有量を増やすことができる。
Next, the starting
次いで、高周波電源６からの電力供給を停止し、ガスシャワー電極７の供給口からの原料ガスの供給を停止し、成膜処理を終了する。
Next, the power supply from the high
本実施形態によれば、上述した出発原料１６を用いることにより、水素含有量が少なくて高密度なＣｘＮｙＨｚ膜１４を成膜することができる。このため、ＣｘＮｙＨｚ膜１４に、磁性層１２からＣｒなどの不純物が溶け出してフッ化有機膜１５に到達する（いわゆるコロージョン）のを防ぐためのバリア性を持たせることができる。従来はＤＬＣ膜１３だけに持たせていたバリア性をＣｘＮｙＨｚ膜１４にも持たせることにより、ＤＬＣ膜１３を薄くしてもコロージョンを防ぐことが可能になる。その結果、磁性層１２とフッ化有機膜１５との間の膜の厚さを従来のものより薄くすることができる。
According to the present embodiment, by using the starting
また、ＣｘＮｙＨｚ膜１４の表面の水の接触角は５０°以下とすることができるため、フッ化有機膜１５とＣｘＮｙＨｚ膜１４との密着力を十分に確保することができ、フッ化有機膜１５がＣｘＮｙＨｚ膜１４から剥離することを抑制できる。
Further, since the contact angle of water on the surface of the C x N y H z film 14 can be 50 ° or less, sufficient adhesion between the fluorinated
なお、本実施形態では、磁性層１２上にＤＬＣ膜１３を形成し、このＤＬＣ膜１３上にＣｘＮｙＨｚ膜１４を形成し、このＣｘＮｙＨｚ膜１４上にフッ化有機膜１５を形成しているが、磁性層１２上にＣｘＮｙＨｚ膜１４を形成し、このＣｘＮｙＨｚ膜１４上にフッ化有機膜１５を形成してもよい。
In the present embodiment, a
また、本実施形態では、非磁性基板１１の上に少なくとも磁性層１２を形成した被成膜基板１０を用意し、この被成膜基板１０の上に成膜したＤＬＣ膜１３上にＣｘＮｙＨｚ膜１４を形成しているが、これに限定されず、他の基板上にＣｘＮｙＨｚ膜１４を形成してもよい。この場合の他の基板は、種々の基板を用いることが可能であり、例えば電子デバイスを用いても良い。
In the present embodiment, a
また、本実施形態では、図２に示すＣＶＤ装置を用いてＣｘＮｙＨｚ膜１４を成膜しているが、図３〜図９それぞれに示すＣＶＤ装置を用いてもよい。なお、図３〜図９において図２と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。 In the present embodiment, the C x N y H z film 14 is formed using the CVD apparatus shown in FIG. 2, but the CVD apparatus shown in FIGS. 3 to 9 may be used. 3 to 9, the same parts as those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and the description of the same parts is omitted.
（変形例１）
図３に示すＣＶＤ装置はバルブ１９を有し、バルブ１９は配管を介してニードルバルブ２２に接続されている。ニードルバルブ２２は配管を介してバルブ１８に接続されており、バルブ１８は配管を介して出発原料１６を収容する原料容器に接続されている。原料容器、バルブ１８，１９およびニードルバルブ２２は恒温槽１７内に配置されている。
(Modification 1)
The CVD apparatus shown in FIG. 3 has a
出発原料１６の具体例は、Ｃ６Ｈ２Ｎ４（ジシアノピラジン）、Ｃ５Ｈ２Ｎ４（ジシアノイミダゾール）、Ｃ１０Ｈ２Ｎ４（テトラシアノベンゼン）およびＣ１２Ｈ４Ｎ４（テトラシアノキノジメタン）などが挙げられる。
出発原料１６の具体例は、Ｃ４Ｈ２Ｎ２（フマルニトリル）、Ｃ５Ｈ３Ｎ３（シアノピラジン、シアノピリミジン）、Ｃ７Ｈ３Ｎ３（ピリジンジカルボニトリル）およびＣ６Ｎ４（テトラシアノエチレン）などが挙げられる。
Specific examples of the starting
Specific examples of the starting
次に、図３に示すＣＶＤ装置を用いた成膜方法について説明する。
被成膜基板２をチャンバー１内に挿入し、このチャンバー１内の保持電極４上に被成膜基板２を保持する。次いで、排気ポンプによってチャンバー１内を真空排気する。
Next, a film forming method using the CVD apparatus shown in FIG. 3 will be described.
The
次いで、出発原料１６を恒温槽１７で加熱することによって気化させ、その帰化させた原料ガスをニードルバルブ２２によって流量制御し、その流量制御した原料ガスをヒータ２１によって温度低下しないように維持しながら供給配管およびガス導入経路を通して、ガスシャワー電極７の供給口からシャワー状の原料ガスを、チャンバー１内に導入して被成膜基板２の表面に供給する。この供給された原料ガスは、保持電極４とアースシールド５との間を通ってチャンバー１の外側へ排気ポンプによって排気される。そして、原料ガスの供給量と排気のバランスにより、所定の圧力、原料ガス流量に制御することによりチャンバー１内を原料ガス雰囲気とし、高周波電源６により例えば１３．５６ＭＨｚの高周波（ＲＦ）を印加し、プラズマを発生させることにより被成膜基板２のＤＬＣ膜１３の上にＣｘＮｙＨｚ膜１４を成膜する。なお、本変形例では、上記の原料ガスにＮ２ガスを加えていないが、Ｎ２供給源からのＮ２ガスをマスフローコントローラ３１によって流量制御して上記の原料ガスに加えてもよい。これにより、ＣｘＮｙＨｚ膜１４中のＮの含有量を増やすことができる。
Next, the starting
図３に示すＣＶＤ装置では、ニードルバルブ２２によって流量制御するため、マスフローコントローラの使用温度の上限を超えるような高温に加熱して気化させるような出発原料１６であっても流量を制御することが可能であり、ＣｘＮｙＨｚ膜１４を成膜することができる。
In the CVD apparatus shown in FIG. 3, since the flow rate is controlled by the
図３に示すＣＶＤ装置で成膜したＣｘＮｙＨｚ膜１４であっても、本実施形態と同様の効果（表面の水の接触角が５０°以下であること、バリア性を有すること）を得ることができる。 Even in the case of the C x N y H z film 14 formed by the CVD apparatus shown in FIG. 3, the same effects as in this embodiment (the contact angle of water on the surface is 50 ° or less and have a barrier property) ) Can be obtained.
（変形例２）
図４に示すＣＶＤ装置はバルブ１９を有し、バルブ１９は配管を介して気化器２７に接続されている。気化器２７及びバルブ１９はヒータ２１によって加熱されるようになっている。気化器２７は配管を介して液体ＭＦＭ２５に接続されており、液体ＭＦＭ２５は配管を介してバルブ１８に接続されている。バルブ１８は配管を介して出発原料１６を収容する原料容器に接続されている。原料容器、バルブ１８および液体ＭＦＭ２５は恒温槽１７内に配置されている。気化器２７は配管を介してバルブ２４に接続されており、バルブ２４は配管を介してマスフローコントローラ２０に接続されている。マスフローコントローラ２０は配管を介してバルブ２３ａに接続されており、バルブ２３ａは配管を介してキャリアガス供給源（Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ２等）に接続されている。キャリアガス供給源は配管を介してバルブ２３ｂに接続されており、バルブ２３ｂは配管を介して原料容器内に接続されている。
(Modification 2)
The CVD apparatus shown in FIG. 4 has a
次に、図４に示すＣＶＤ装置を用いた成膜方法について説明する。
被成膜基板２をチャンバー１内に挿入し、このチャンバー１内の保持電極４上に被成膜基板２を保持する。次いで、排気ポンプによってチャンバー１内を真空排気する。
Next, a film forming method using the CVD apparatus shown in FIG. 4 will be described.
The
次いで、出発原料１６を恒温槽１７で所定の温度に加熱し、液体状の出発原料を液体ＭＦＭ２５にＮ２などのキャリアガスで圧送し、この液体ＭＦＭによって流量制御された液体状の出発原料を気化器２７に導入するとともに、キャリアガス供給源からのキャリアガスをマスフローコントローラ２０によって流量制御して気化器２７に導入し、この気化器２７によって出発原料を気化させ、その帰化させた出発原料およびキャリアガスを含む原料ガスをヒータ２１によって温度低下しないように維持しながら供給配管２８およびガス導入経路を通して、ガスシャワー電極７の供給口からシャワー状の原料ガスを、チャンバー１内に導入して被成膜基板２の表面に供給する。この供給された原料ガスは、保持電極４とアースシールド５との間を通ってチャンバー１の外側へ排気ポンプによって排気される。そして、原料ガスの供給量と排気のバランスにより、所定の圧力、原料ガス流量に制御することによりチャンバー１内を原料ガス雰囲気とし、高周波電源６により例えば１３．５６ＭＨｚの高周波（ＲＦ）を印加し、プラズマを発生させることにより被成膜基板２のＤＬＣ膜１３の上にＣｘＮｙＨｚ膜１４を成膜する。なお、本変形例では、上記の原料ガスにＮ２ガスを加えていないが、Ｎ２供給源からのＮ２ガスをマスフローコントローラ３１によって流量制御して上記の原料ガスに加えてもよい。これにより、ＣｘＮｙＨｚ膜１４中のＮの含有量を増やすことができる。
Then heated to a predetermined temperature in a
図４に示すＣＶＤ装置で成膜したＣｘＮｙＨｚ膜１４であっても、本実施形態と同様の効果（表面の水の接触角が５０°以下であること、バリア性を有すること）を得ることができる。 Even in the case of the C x N y H z film 14 formed by the CVD apparatus shown in FIG. 4, the same effects as in this embodiment (the contact angle of water on the surface is 50 ° or less and have a barrier property) ) Can be obtained.
（変形例３）
図５に示すＣＶＤ装置は、図４に示す液体ＭＦＭ２５及び気化器２７をマスフローコントローラ２０に変更したものである。
(Modification 3)
The CVD apparatus shown in FIG. 5 is obtained by changing the
次に、図５に示すＣＶＤ装置を用いた成膜方法における原料ガスの被処理基板２への供給方法ついて説明する。なお、この供給方法以外の成膜方法は本実施形態と同様である。
Next, a method for supplying the source gas to the
キャリアガス供給源からのキャリアガスをマスフローコントローラ２０によって流量制御して原料容器に供給して出発原料１６をバブリングさせながら出発原料１６を恒温槽１７で加熱することによって気化させ、その帰化させた原料ガスおよびキャリアガスをマスフローコントローラ２０によって流量制御し、その流量制御した原料ガスおよびキャリアガスをヒータ２１によって温度低下しないように維持しながら供給配管２８およびガス導入経路を通して、ガスシャワー電極７の供給口からシャワー状の原料ガスおよびキャリアガスを、チャンバー１内に導入して被成膜基板２の表面に供給する。
The carrier gas from the carrier gas supply source is flow-controlled by the
図５に示すＣＶＤ装置で成膜したＣｘＮｙＨｚ膜１４であっても、本実施形態と同様の効果（表面の水の接触角が５０°以下であること、バリア性を有すること）を得ることができる。 Even in the case of the C x N y H z film 14 formed by the CVD apparatus shown in FIG. 5, the same effects as in this embodiment (the contact angle of water on the surface is 50 ° or less and have a barrier property) ) Can be obtained.
（変形例４）
図６に示すＣＶＤ装置は、出発原料１６を収容する原料容器、バルブ１８，１９、マスフローコントローラ２０、配管および供給配管２８の周囲はヒータ２１によって覆われている。
(Modification 4)
In the CVD apparatus shown in FIG. 6, the surroundings of the raw material container for accommodating the starting
次に、図６に示すＣＶＤ装置を用いた成膜方法における原料ガスの被処理基板２への供給方法ついて説明する。なお、この供給方法以外の成膜方法は本実施形態と同様である。
Next, a method for supplying the source gas to the
出発原料１６をヒータ２１で加熱することによって気化させ、その帰化させた原料ガスをマスフローコントローラ２０によって流量制御し、その流量制御した原料ガスをヒータ２１によって温度低下しないように維持しながら供給配管２８およびガス導入経路を通して、ガスシャワー電極７の供給口からシャワー状の原料ガスを、チャンバー１内に導入して被成膜基板２の表面に供給する。
The starting
図６に示すＣＶＤ装置で成膜したＣｘＮｙＨｚ膜１４であっても、本実施形態と同様の効果（表面の水の接触角が５０°以下であること、バリア性を有すること）を得ることができる。 Even with the C x N y H z film 14 formed by the CVD apparatus shown in FIG. 6, the same effects as in this embodiment (the contact angle of water on the surface is 50 ° or less and have a barrier property) ) Can be obtained.
（変形例５）
図７に示すＣＶＤ装置は、図６に示すマスフローコントローラ２０をニードルバルブ２２に変更したものである。
(Modification 5)
The CVD apparatus shown in FIG. 7 is obtained by changing the
次に、図７に示すＣＶＤ装置を用いた成膜方法における原料ガスの被処理基板２への供給方法ついて説明する。なお、この供給方法以外の成膜方法は本実施形態と同様である。
Next, a method for supplying the source gas to the
出発原料１６をヒータ２１で加熱することによって気化させ、その帰化させた原料ガスをニードルバルブ２２によって流量制御し、その流量制御した原料ガスをヒータ２１によって温度低下しないように維持しながら供給配管２８およびガス導入経路を通して、ガスシャワー電極７の供給口からシャワー状の原料ガスを、チャンバー１内に導入して被成膜基板２の表面に供給する。
The starting
図７に示すＣＶＤ装置で成膜したＣｘＮｙＨｚ膜１４であっても、本実施形態と同様の効果（表面の水の接触角が５０°以下であること、バリア性を有すること）を得ることができる。 Even in the case of the C x N y H z film 14 formed by the CVD apparatus shown in FIG. 7, the same effects as in this embodiment (the contact angle of water on the surface is 50 ° or less and have a barrier property) ) Can be obtained.
（変形例６）
図８に示すＣＶＤ装置は、図４に示す恒温槽１７をヒータ２１ａに変更したものである。
(Modification 6)
The CVD apparatus shown in FIG. 8 is obtained by changing the
次に、図８に示すＣＶＤ装置を用いた成膜方法における原料ガスの被処理基板２への供給方法ついて説明する。なお、この供給方法以外の成膜方法は本実施形態と同様である。
Next, a method for supplying the source gas to the
出発原料１６をヒータ２１ａで所定の温度に加熱し、液体状の出発原料を液体ＭＦＭ２５にＮ２などのキャリアガスで圧送し、この液体ＭＦＭによって流量制御された液体状の出発原料を気化器２７に導入するとともに、キャリアガス供給源からのキャリアガスをマスフローコントローラ２０によって流量制御して気化器２７に導入し、この気化器２７によって出発原料を気化させ、その帰化させた出発原料およびキャリアガスを含む原料ガスをヒータ２１によって温度低下しないように維持しながら供給配管２８およびガス導入経路を通して、ガスシャワー電極７の供給口からシャワー状の原料ガスを、チャンバー１内に導入して被成膜基板２の表面に供給する。
The starting
図８に示すＣＶＤ装置で成膜したＣｘＮｙＨｚ膜１４であっても、本実施形態と同様の効果（表面の水の接触角が５０°以下であること、バリア性を有すること）を得ることができる。 Even in the case of the C x N y H z film 14 formed by the CVD apparatus shown in FIG. 8, the same effects as in this embodiment (the contact angle of water on the surface is 50 ° or less and have a barrier property) ) Can be obtained.
（変形例７）
図９に示すＣＶＤ装置は、図５に示す恒温槽１７をヒータ２１に変更したものである。
(Modification 7)
The CVD apparatus shown in FIG. 9 is obtained by changing the
次に、図９に示すＣＶＤ装置を用いた成膜方法における原料ガスの被処理基板２への供給方法ついて説明する。なお、この供給方法以外の成膜方法は本実施形態と同様である。
Next, a method for supplying the source gas to the
キャリアガス供給源からのキャリアガスをマスフローコントローラ２０によって流量制御して原料容器に供給して出発原料１６をバブリングさせながら出発原料１６をヒータ２１で加熱することによって気化させ、その帰化させた原料ガスおよびキャリアガスをマスフローコントローラ２０によって流量制御し、その流量制御した原料ガスおよびキャリアガスをヒータ２１によって温度低下しないように維持しながら供給配管２８およびガス導入経路を通して、ガスシャワー電極７の供給口からシャワー状の原料ガスおよびキャリアガスを、チャンバー１内に導入して被成膜基板２の表面に供給する。
The carrier gas from the carrier gas supply source is flow-controlled by the
図９に示すＣＶＤ装置で成膜したＣｘＮｙＨｚ膜１４であっても、本実施形態と同様の効果（表面の水の接触角が５０°以下であること、バリア性を有すること）を得ることができる。 Even in the case of the C x N y H z film 14 formed by the CVD apparatus shown in FIG. 9, the same effects as in this embodiment (the contact angle of water on the surface is 50 ° or less and have a barrier property) ) Can be obtained.
（第２の実施形態）
本実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法では、図１に示すＤＬＣ膜１３上にＣｘＮｙＨｚ膜１４を形成するまでの工程は第１の実施形態と同様であるので説明を省略し、図１０に示すプラズマＣＶＤ装置を用いてＣｘＮｙＨｚ膜１４の上にフッ化有機膜１５を形成する工程から説明する。なお、本実施形態は、フッ化有機膜１５を形成する工程以外については第１の実施形態と同様である。
(Second Embodiment)
In the method of manufacturing the magnetic recording medium according to the present embodiment, the steps until the C x N y H z film 14 is formed on the
図１０は、本発明の一態様に係るフッ化有機膜を成膜するためのプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。
プラズマＣＶＤ装置はチャンバー１を有しており、チャンバー１内の下方には被処理基板２を保持する保持電極４が配置されている。
FIG. 10 is a cross-sectional view schematically illustrating a plasma CVD apparatus for forming a fluorinated organic film according to one embodiment of the present invention.
The plasma CVD apparatus has a
保持電極４は例えば周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源６に電気的に接続されており、保持電極４はＲＦ印加電極としても作用する。保持電極４の周囲及び下部はアースシールド５によってシールドされている。なお、本実施形態では、高周波電源６を用いているが、他の電源、例えば直流電源又はマイクロ波電源を用いても良い。
The holding
チャンバー１内の上方には、保持電極４に対向して平行の位置にガスシャワー電極（対向電極）７が配置されている。これらは一対の平行平板型電極である。ガスシャワー電極は接地電位に接続されている。なお、本実施形態では、保持電極４に電源を接続し、ガスシャワー電極に接地電位を接続しているが、保持電極４に接地電位を接続し、ガスシャワー電極に電源を接続しても良い。
A gas shower electrode (counter electrode) 7 is disposed above the
ガスシャワー電極７の下面には、被処理基板２のＣｘＮｙＨｚ膜１４が形成された側（ガスシャワー電極７と保持電極４との間の空間）にシャワー状の原料ガスを供給する複数の供給口（図示せず）が形成されている。原料ガスとしては、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有するものを用いることができる。この有機物原料ガスは３個以上の炭素を含むことが好ましい。
On the lower surface of the
ガスシャワー電極７の内部にはガス導入経路（図示せず）が設けられている。このガス導入経路の一方側は上記供給口に繋げられており、ガス導入経路の他方側は原料ガスの供給機構３に接続されている。また、チャンバー１には、チャンバー１の内部を真空排気する排気口が設けられている。この排気口は排気ポンプ（図示せず）に接続されている。
A gas introduction path (not shown) is provided inside the
また、プラズマＣＶＤ装置は、高周波電源６、原料ガスの供給機構３、排気ポンプなどを制御する制御部（図示せず）を有しており、この制御部は後述するＣＶＤ成膜処理を行うようにプラズマＣＶＤ装置を制御するものである。
Further, the plasma CVD apparatus has a control unit (not shown) for controlling the high-
次に、図１０に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて図１に示すＣｘＮｙＨｚ膜１４の上にフッ化有機膜１５を形成する工程について説明する。
Next, a process of forming the fluorinated
本実施形態では、フッ化有機膜１５としてＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＯｄ膜及びＣａＦｂＮｃＯｄ膜のいずれかの膜を用いる。ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄは、自然数である。
In this embodiment, any one of a C a F b film, a C a F b N c film, a C a F b O d film, and a C a F b N c O d film is used as the fluorinated
以下にＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＯｄ膜及びＣａＦｂＮｃＯｄ膜のいずれかの膜の成膜について詳細に説明する。
被成膜基板２を図１０に示すチャンバー１内に挿入し、このチャンバー１内の保持電極４上に被成膜基板２を保持する。
Hereinafter, the film formation of any one of the C a F b film, the C a F b N c film, the C a F b O d film, and the C a F b N c O d film will be described in detail.
The
次に、排気ポンプによってチャンバー１内を真空排気する。次いで、ガスシャワー電極７の供給口からシャワー状の原料ガスを、チャンバー１内に導入して被成膜基板２の表面に供給する。この供給された原料ガスは、保持電極４とアースシールド５との間を通ってチャンバー１の外側へ排気ポンプによって排気される。そして、原料ガスの供給量と排気のバランスにより、所定の圧力、原料ガス流量に制御することによりチャンバー１内を原料ガス雰囲気とし、高周波電源６により例えば１３．５６ＭＨｚの高周波（ＲＦ）を印加し、プラズマを発生させることにより被成膜基板２のＤＬＣ膜１３の上にＣａＦｂ膜１５を成膜する。この際の成膜条件は、圧力が０．０１Ｐａ〜大気圧、処理温度が常温で、高周波プラズマを形成する際の直流電圧成分が＋１５０Ｖ〜−１５０Ｖ（より好ましくは＋５０Ｖ〜−５０Ｖ）である条件で行うことが好ましい。このように直流電圧成分を低く抑えることにより、フッ化有機膜１５より下層の膜へのプラズマダメージを抑制することができる。
Next, the inside of the
次いで、高周波電源６からの電力供給を停止し、ガスシャワー電極７の供給口からの原料ガスの供給を停止し、成膜処理を終了する。
Next, the power supply from the high
上記の原料ガスとしては、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有するものを用いることが好ましい。 As said source gas, it is preferable to use what has organic source gas containing carbon and a fluorine.
有機物原料ガスの具体例は、以下のとおりである。
膜１５としてＣａＦｂ膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ６、Ｃ６Ｆ６、Ｃ６Ｆ１２、Ｃ６Ｆ１４、Ｃ７Ｆ８、Ｃ７Ｆ１４、Ｃ７Ｆ１６、Ｃ８Ｆ１６、Ｃ８Ｆ１８、Ｃ９Ｆ１８、Ｃ９Ｆ２０、Ｃ１０Ｆ８、Ｃ１０Ｆ１８、Ｃ１１Ｆ２０、Ｃ１２Ｆ１０、Ｃ１３Ｆ２８、Ｃ１５Ｆ３２、Ｃ２０Ｆ４２、及びＣ２４Ｆ５０の少なくとも一つを有するものである。
Specific examples of the organic material gas are as follows.
The organic raw material gas for forming a C a F b film as the
膜１５としてＣａＦｂＮｃ膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ３Ｎ３、Ｃ３Ｆ９Ｎ、Ｃ５Ｆ５Ｎ、Ｃ６Ｆ４Ｎ２、Ｃ６Ｆ９Ｎ３、Ｃ６Ｆ１２Ｎ２、Ｃ６Ｆ１５Ｎ、Ｃ７Ｆ５Ｎ、Ｃ８Ｆ４Ｎ２、Ｃ９Ｆ２１Ｎ、Ｃ１２Ｆ４Ｎ４、Ｃ１２Ｆ２７Ｎ、Ｃ１４Ｆ８Ｎ２、Ｃ１５Ｆ３３Ｎ、Ｃ２４Ｆ４５Ｎ３、及びトリヘプタフルオロプロピルアミンの少なくとも一つを有するものである。
The organic material gas used when forming a C a F b N c film as the
膜１５としてＣａＦｂＯｄ膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ６Ｏ、Ｃ４Ｆ６Ｏ３、Ｃ４Ｆ８Ｏ、Ｃ５Ｆ６Ｏ３、Ｃ６Ｆ４Ｏ２、Ｃ６Ｆ１０Ｏ３、Ｃ８Ｆ４Ｏ３、Ｃ８Ｆ８Ｏ、Ｃ８Ｆ８Ｏ２、Ｃ８Ｆ１４Ｏ３、Ｃ１３Ｆ１０Ｏ、Ｃ１３Ｆ１０Ｏ３、及びＣ２Ｆ６Ｏ（Ｃ３Ｆ６Ｏ）ｎ（ＣＦ２Ｏ）ｍの少なくとも一つを有するものである。
The organic raw material gas when forming a C a F b O d film as the
膜１５としてＣａＦｂＮｃＯｄ膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、Ｃ７Ｆ５ＮＯを有するものである。
The organic source gas in the case where a C a F b N c O d film is formed as the
なお、本実施形態では、高周波電源６を用いているが、直流電源またはマイクロ波電源を用いても良い。このように直流電源を用いることで直流プラズマを形成する際の直流電圧は、＋１５０Ｖ〜−１５０Ｖ（より好ましくは＋５０Ｖ〜−５０Ｖ）であることが好ましい。
In the present embodiment, the high
このようにして被成膜基板２のＣｘＮｙＨｚ膜１４の上に成膜されたＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＨｄ膜、ＣａＦｂＯｅ膜、ＣａＦｂＯｅＨｄ膜、ＣａＦｂＮｃＯｅ膜及びＣａＦｂＮｃＯｅＨｄ膜のいずれかの膜１５は、その膜厚が３ｎｍ以下（より好ましくは１ｎｍ以下）であり、水の接触角が大きく撥水性であり、固体潤滑剤として機能する。この膜１５はアモルファス膜であることが好ましい。また、膜１５のヤング率は０．１〜３０ＧＰａであることが好ましい。
Thus, the C a F b film, the C a F b N c film, the C a F b H d film, and the C a F formed on the C x N y H z film 14 of the
（第３の実施形態）
図１１は、本発明の一態様に係るフッ化有機膜を成膜するためのプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図であり、図１０と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
(Third embodiment)
11 is a cross-sectional view schematically showing a plasma CVD apparatus for forming a fluorinated organic film according to one embodiment of the present invention. The same parts as those in FIG. Only explained.
保持電極４は切り替えスイッチ８ａを介して高周波電源６ａ及び接地電位に電気的に接続されており、切り替えスイッチ８ａによって保持電極４には高周波電力又は接地電位が印加されるようになっている。また、ガスシャワー電極７は切り替えスイッチ８ｂを介して高周波電源６ｂ及び接地電位に電気的に接続されており、切り替えスイッチ８ｂによってガスシャワー電極７には高周波電力又は接地電位が印加されるようになっている。なお、本実施形態では、高周波電源６ａ，６ｂを用いているが、他の電源、例えば直流電源又はマイクロ波電源を用いても良い。
The holding
また、プラズマＣＶＤ装置は、切り替えスイッチ８ａ，８ｂ、高周波電源６ａ，６ｂ、プラズマ形成用ガスの供給機構３、排気ポンプなどを制御する制御部（図示せず）を有しており、この制御部はＣＶＤ成膜処理を行うようにプラズマＣＶＤ装置を制御するものである。
The plasma CVD apparatus also includes a control unit (not shown) for controlling the changeover switches 8a and 8b, the high
次に、図１１に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて図１に示すＣｘＮｙＨｚ膜１４の上にフッ化有機膜１５を形成する工程について説明するが、第２の実施形態と同一部分の説明は省略する。
Next, a process of forming the fluorinated
(1)第１の接続状態によって高周波電源６ａ，６ｂ及び接地電位を保持電極４及びガスシャワー電極７に接続して被成膜基板２のＣｘＮｙＨｚ膜１４の上にＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＨｄ膜、ＣａＦｂＯｅ膜、ＣａＦｂＯｅＨｄ膜、ＣａＦｂＮｃＯｅ膜及びＣａＦｂＮｃＯｅＨｄ膜のいずれかの膜１５を成膜する場合
第１の接続状態は、切り替えスイッチ８ａによって高周波電源６ａと保持電極４を接続し、切り替えスイッチ８ｂによって接地電位とガスシャワー電極７を接続した状態である。この状態によって膜１５を成膜する具体的な方法は、第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。
(1) The high
(2)第２の接続状態によって高周波電源６ａ，６ｂ及び接地電位を保持電極４及びガスシャワー電極７に接続して被成膜基板２のＣｘＮｙＨｚ膜１４の上にＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＨｄ膜、ＣａＦｂＯｅ膜、ＣａＦｂＯｅＨｄ膜、ＣａＦｂＮｃＯｅ膜及びＣａＦｂＮｃＯｅＨｄ膜のいずれかの膜１５を成膜する場合
第２の接続状態は、切り替えスイッチ８ａによって接地電位と保持電極４を接続し、切り替えスイッチ８ｂによって高周波電源６ｂとガスシャワー電極７を接続した状態である。この状態によって膜１５を成膜する具体的な方法は以下のとおりである。
(2) The high
排気ポンプによってチャンバー１内を真空排気する。次いで、ガスシャワー電極７の供給口からシャワー状の原料ガスを、チャンバー１内に導入して被成膜基板２のＣｘＮｙＨｚ膜１４の表面に供給する。この供給された原料ガスは、保持電極４とアースシールド５との間を通ってチャンバー１の外側へ排気ポンプによって排気される。そして、原料ガスの供給量と排気のバランスにより、所定の圧力、原料ガス流量に制御することによりチャンバー１内を原料ガス雰囲気とし、高周波電源６ｂにより例えば１３．５６ＭＨｚの高周波（ＲＦ）をガスシャワー電極７に印加し、プラズマを発生させることにより被成膜基板２のＤＬＣ膜１３の上にＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＨｄ膜、ＣａＦｂＯｅ膜、ＣａＦｂＯｅＨｄ膜、ＣａＦｂＮｃＯｅ膜及びＣａＦｂＮｃＯｅＨｄ膜のいずれかの膜１５を成膜する。この際の成膜条件は、圧力が０．０１Ｐａ〜大気圧、処理温度が常温で、高周波プラズマを形成する際の直流電圧成分が＋１５０Ｖ〜−１５０Ｖ（より好ましくは＋５０Ｖ〜−５０Ｖ）である条件で行うことが好ましい。
The
次いで、プラズマ用電源からの電力供給を停止し、ガスシャワー電極７の供給口からの原料ガスの供給を停止し、成膜処理を終了する。
Next, the power supply from the plasma power supply is stopped, the supply of the source gas from the supply port of the
本実施形態においても第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。 In this embodiment, the same effect as that of the second embodiment can be obtained.
＜実施例１＞
基板上にＣｘＮｙＨｚ膜を成膜し、このＣｘＮｙＨｚ膜をＦＴ−ＩＲによって分析した結果を図１２（Ａ）に示す。
<Example 1>
The C x N y H z film was formed on a substrate, showing the C x N y H z film in FIG. 12 (A) The results were analyzed by FT-IR.
（ＣｘＮｙＨｚ膜の成膜条件）
基板 ： Ｓｉ
成膜装置 ： 図６に示すＣＶＤ装置
出発原料 ： シアノピラジン
ガス流量 ： ＦＵＬＬ ＯＰＥＮ（１０ｓｃｃｍのトルエン用マスフローを使用）
ガス圧力 ： ５Ｐａ
高周波電源の周波数 ： ３８０ｋＨｚ
高周波出力 ： ９００Ｗ
成膜時間 ： １０ｍｉｎ
( Cx N y H z film formation conditions)
Substrate: Si
Film forming apparatus: CVD apparatus shown in FIG. 6 Starting material: Cyanopyrazine Gas flow rate: FULL OPEN (using a mass flow for toluene of 10 sccm)
Gas pressure: 5Pa
High frequency power supply frequency: 380 kHz
High frequency output: 900W
Deposition time: 10 min
比較例として、基板上にＤＬＣ膜を成膜し、このＤＬＣ膜をＦＴ−ＩＲによって分析した結果を図１２（Ｂ）に示す。 As a comparative example, a DLC film is formed on a substrate, and the result of analyzing this DLC film by FT-IR is shown in FIG.
（ＤＬＣ膜の成膜条件）
基板 ： Ｓｉ
成膜装置 ： 図６に示すＣＶＤ装置
出発原料 ： トルエン
ガス流量 ： ３０ｓｃｃｍ
ガス圧力 ： ０．５Ｐａ
高周波電源の周波数 ： １３．５６ＭＨｚ
高周波出力 ： １００Ｗ
成膜時間 ： ２０ｍｉｎ
(DLC film formation conditions)
Substrate: Si
Film forming apparatus: CVD apparatus shown in FIG. 6 Starting material: Toluene Gas flow rate: 30 sccm
Gas pressure: 0.5 Pa
Frequency of high frequency power supply: 13.56 MHz
High frequency output: 100W
Deposition time: 20 min
（実験結果）
図１２（Ａ），（Ｂ）は、ＦＴ−ＩＲによって分析した結果であり、横軸に波数（ｃｍ−１）、縦軸に吸光度（ａ．ｕ．）を示す図である。
図１２（Ａ）に示すように、ＣｘＮｙＨｚ膜ではＣＮ結合およびＮＨ結合が検出され、図１２（Ｂ）に示すように、ＤＬＣ膜ではＣＨ結合が検出された。
(Experimental result)
12 (A) and 12 (B) are the results of analysis by FT-IR, in which the horizontal axis represents wave number (cm −1 ) and the vertical axis represents absorbance (au).
As shown in FIG. 12 (A), CN bonds and NH bonds were detected in the C x N y H z film, and as shown in FIG. 12 (B), CH bonds were detected in the DLC film.
＜実施例２＞
基板上にＣｘＮｙＨｚ膜（ＣＶＤ−ＣＮ）を成膜し、このＣｘＮｙＨｚ膜のアッシングレート、水の接触角、ＸＰＳ（ａｔ％）それぞれを測定した結果を表１に示す。表１のＸＰＳ測定結果に示すように、本実施例のＣｘＮｙＨｚ膜は第１の実施形態におけるＣｘＮｙＨｚ膜１４のｘ、ｙ、ｚの範囲に入っている。
<Example 2>
C x N y H z film (CVD-CN) deposited on a substrate, the C x N y H z film in the ashing rate, the contact angle of water, XPS (at%) Table 1 the results of measurement of the respective Shown in As shown in the XPS measurement results in Table 1, the C x N y H z film of this example is in the range of x, y, z of the C x N y H z film 14 in the first embodiment.
（ＣｘＮｙＨｚ膜の成膜条件）
基板 ： Ｓｉ
成膜装置 ： 図１３に示すＣＶＤ装置
出発原料 ： シアノピラジン
ガス流量 ： ３．３ｓｃｃｍ（トルエン用マスフローを使用）
圧力 ： ０．３Ｐａ
ホットカソード２０３ ： タンタルフィラメント
交流電源２０５の出力 ： ２２０Ｗ
ＤＣ電源２０７の電流 ： １６５０ｍＡ
ＤＣ電源２１２の電圧 ： ２５０Ｖ
外部磁場 ： ５０Ｇ
成膜時間 ： ＸＰＳ:４２sec（２５nm）、水の接触角:０．８sec（０．５nm）
( Cx N y H z film formation conditions)
Substrate: Si
Film forming apparatus: CVD apparatus shown in FIG. 13 Starting material: Cyanopyrazine Gas flow rate: 3.3 sccm (using toluene mass flow)
Pressure: 0.3 Pa
Hot cathode 203: Tantalum filament Output of AC power supply 205: 220W
Current of DC power supply 207: 1650 mA
Voltage of DC power supply 212: 250V
External magnetic field: 50G
Deposition time: XPS: 42 sec (25 nm), water contact angle: 0.8 sec (0.5 nm)
比較例として、基板上にＤＬＣ膜を成膜し、このＤＬＣ膜のアッシングレート、水の接触角、ＸＰＳ（ａｔ％）、水素含有量それぞれを測定した結果を表２に示す。 As a comparative example, Table 2 shows the results of measuring a DLC film on a substrate and measuring the ashing rate, water contact angle, XPS (at%), and hydrogen content of the DLC film.
（ＤＬＣ膜の成膜条件）
基板 ： Ｓｉ
成膜装置 ： 図１３に示すＣＶＤ装置
出発原料 ： 高純度トルエン
ガス流量 ： ３．３ｓｃｃｍ
圧力 ： ０．３Ｐａ
ホットカソード２０３ ： タンタルフィラメント
交流電源２０５の出力 ： ２２０Ｗ
ＤＣ電源２０７の電流 ： １６５０ｍＡ
ＤＣ電源２１２の電圧 ： ２５０Ｖ
外部磁場 ： ５０Ｇ
成膜時間 ： ＸＰＳ:２１sec（３０nm）、水の接触角:０．７sec（１０nm）、ＲＢＳ／ＥＲＤＡ:４２sec（６０nm）
(DLC film formation conditions)
Substrate: Si
Film forming apparatus: CVD apparatus shown in FIG. 13 Starting material: High purity toluene Gas flow rate: 3.3 sccm
Pressure: 0.3 Pa
Hot cathode 203: Tantalum filament Output of AC power supply 205: 220W
Current of DC power supply 207: 1650 mA
Voltage of DC power supply 212: 250V
External magnetic field: 50G
Deposition time: XPS: 21 sec (30 nm), water contact angle: 0.7 sec (10 nm), RBS / ERDA: 42 sec (60 nm)
（アッシング条件）
ガス ： Ｏ２
ガス流量 ： ５０ｓｃｃｍ
圧力 ： ３０Ｐａ
電極 ： 平行平板型
電極に印加する高周波の周波数 ： １３．５６ＭＨｚ
電極に印加する高周波出力 ： ５００Ｗ
(Ashing condition)
Gas: O 2
Gas flow rate: 50sccm
Pressure: 30Pa
Electrode: Parallel plate type High frequency applied to the electrode: 13.56 MHz
High frequency output applied to electrode: 500W
（ＲＢＳ／ＥＲＤＡ）
装置 ： 島津製作所製ＩＢＡ−７５００
Ｈｅエネルギー ： ２．３ＭｅＶ
Ｈｅ電荷 ： ７２μＣ
ＥＲＤＡ検出器角度 ： ３０°
試料入射角 ： ７５°
補助検出器（ＲＢＳ）角度 ： １６０°
(RBS / ERDA)
Apparatus: Shimadzu Corporation IBA-7500
He energy: 2.3 MeV
He charge: 72 μC
ERDA detector angle: 30 °
Sample incident angle: 75 °
Auxiliary detector (RBS) angle: 160 °
（水の接触角の測定）
装置 ： 協和界面株式会社製接触角計ＤｒｏｐＭａｓｔｅｒ３００
測定方法 ： 液滴法
解析方法 ： θ／２法
液量 ： １μｌ
(Measurement of water contact angle)
Apparatus: Contact angle meter DropMaster300 manufactured by Kyowa Interface Co., Ltd.
Measurement method: Droplet method Analysis method: θ / 2 method Liquid volume: 1 μl
（ＸＰＳ測定）
装置 ： ＵＬＶＡＣ Ｑｕａｎｔｅｒａ ＳＸＭ
Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｘ−ｒａｙ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ
加速電圧 ： ３ｋＶ
エミッション電流 ： ２０μＡ
(XPS measurement)
Equipment: ULVAC Quantera SXM
Scanning X-ray Microscopy
Acceleration voltage: 3 kV
Emission current: 20μA
図１３は、実施例２によるＣｘＮｙＨｚ膜および比較例によるＤＬＣ膜を成膜するためのプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。このプラズマＣＶＤ装置は被成膜基板（例えばディスク基板）に対して左右対称の構造を有しており、被成膜基板２０１の両面に同時に成膜可能な装置であるが、図１３では、被成膜基板２０１に対して左側を示し、右側は省略している。
FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing a plasma CVD apparatus for forming a C x N y H z film according to Example 2 and a DLC film according to a comparative example. This plasma CVD apparatus has a symmetrical structure with respect to a film formation substrate (for example, a disk substrate), and is an apparatus capable of simultaneously forming films on both surfaces of the
プラズマＣＶＤ装置はチャンバー２０２を有しており、このチャンバー２０２内には、例えばタンタルからなるフィラメント状のカソード電極（ホットカソード）２０３が形成されている。ホットカソード２０３の両端はチャンバー２０２の外部に位置する交流電源２０５に電気的に接続されており、この交流電源２０５はチャンバー２０２に対して絶縁された状態で配置されている。交流電源２０５としては例えば０〜５０Ｖ、１０〜５０Ａ（アンペア）の電源を用いることができる。交流電源２０５の一端はアース２０６に電気的に接続されている。
The plasma CVD apparatus has a
チャンバー２０２内には、ホットカソード２０３の周囲を囲むようにロート状の形状を有するアノード電極（ホーンアノード）２０４が配置されており、このホーンアノード２０４はスピーカーのような形状とされている。ホーンアノード２０４はＤＣ電源（直流電源）２０７に電気的に接続されており、このＤＣ電源２０７はチャンバー２０２に対して絶縁された状態で配置されている。このＤＣ電源２０７のプラス電位側がホーンアノード２０４に電気的に接続されており、ＤＣ電源２０７のマイナス電位側がアース２０６に電気的に接続されている。ＤＣ電源２０７としては例えば０〜５００Ｖ、０〜７．５Ａ（アンペア）の電源を用いることができる。
An anode electrode (horn anode) 204 having a funnel shape is disposed in the
チャンバー２０２内には被成膜基板２０１が配置されており、この被成膜基板２０１はホットカソード２０３及びホーンアノード２０４に対向するように配置されている。詳細には、ホットカソード２０３はホーンアノード２０４の内周面の中央部付近で包囲されており、ホーンアノード２０４は、その最大内径側を被成膜基板２０１に向けて配置されている。
A
ホットカソード２０３と被成膜基板２０１との間の距離ｌは、可能な限り長くすることが好ましく、具体的には２００ｍｍ以上３００ｍｍ以下であることが好ましい。この距離ｌを２００ｍｍ未満とすると被成膜基板２０１に成膜される薄膜の硬度が低くなってしまい、距離ｌを３００ｍｍ超とすると成膜レートが遅くなり実用的ではないからである。
The distance l between the
被成膜基板２０１は、図示しないホルダー（保持部）および図示しないトランスファー装置（ハンドリングロボットあるいはロータリインデックスデーブル）により、図示の位置に、順次供給されるようになっている。
The
被成膜基板２０１はイオン加速用電源としてのＤＣ電源（直流電源）２１２に電気的に接続されており、このＤＣ電源２１２はチャンバー２０２に対して絶縁された状態で配置されている。このＤＣ電源２１２のマイナス電位側が被成膜基板２０１に電気的に接続されており、ＤＣ電源２１２のプラス電位側がアース２０６に電気的に接続されている。ＤＣ電源２１２としては例えば０〜１５００Ｖ、０〜１００ｍＡ（ミリアンペア）の電源を用いることができる。
The
チャンバー２０２内には、ホットカソード２０３及びホーンアノード２０４それぞれと被成膜基板２０１との間の空間を覆うようにプラズマウォール２０８が配置されている。このプラズマウォール２０８は、フロート電位（図示せず）に電気的に接続されており、チャンバー２０２に対して絶縁された状態で配置されている。また、プラズマウォール２０８は円筒形状又は多角形状を有しており、その円筒又は多角の内径Ｂが１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下である。この内径Ｂを１００ｍｍ未満とするとホーンアノード２０４の近傍で原料ガスのイオン化が高くなりすぎてしまい、遊離カーボン（すなわち、すす）が発生し易くなり好ましくないからである。また、内径Ｂを２００ｍｍ超とするとホーンアノード２０４の近傍で原料ガスのイオン化が低くなりすぎてしまい、緻密な膜を被成膜基板２０１に成膜しにくくなり、また後述するネオジウム磁石を用いても高磁場が作りにくくなるからである。
A
プラズマウォール２０８の被成膜基板２０１側の端部には膜厚補正板２０８ａが設けられており、膜厚補正板２０８ａは前記フロート電位に電気的に接続されている。この膜厚補正板２０８ａにより被成膜基板２０１の外周部分に成膜される膜の厚さを制御することができる。
A film
チャンバー２０２の外側にはネオジウム磁石２０９が配置されている。このネオジウム磁石２０９は例えば円筒形状又は多角形状を有しており、この円筒側面又は多角側面の筒方向の中心を通る内径２１１とホットカソード２０３との距離Ａは５０ｍｍ以内（より好ましくは３５ｍｍ以内）であることが好ましい。この内径２１１の中心は磁石中心２１０となり、この磁石中心２１０はホットカソード２０３の略中心及び被成膜基板２０１の略中心それぞれと対向するように位置している。ネオジウム磁石２０９は、その磁石中心２１０の磁力が５０Ｇ以上２００Ｇ（ガウス）以下であることが好ましく、より好ましくは５０Ｇ以上１５０Ｇ以下である。
A
また、プラズマＣＶＤ装置はチャンバー２０２内を真空排気する真空排気機構（図示せず）を有している。また、プラズマＣＶＤ装置はチャンバー２０２内に成膜原料ガスを供給するガス供給機構（図示せず）を有している。
In addition, the plasma CVD apparatus has an evacuation mechanism (not shown) for evacuating the
図１４は、実施例２のＣｘＮｙＨｚ膜をＸＰＳによって表面分析した結果を示す図である。図１４は、縦軸が強度（ｃ／ｓ）を示し、横軸が結合エネルギー（ｅＶ）を示す。
図１５（Ａ）〜（Ｄ）は、実施例２のＣｘＮｙＨｚ膜をスパッタしながらＸＰＳによって深さ方向に分析した結果を示す図である。図１５（Ａ）はＣｘＮｙＨｚ膜のＯの分析結果であり、図１５（Ｂ）はＣｘＮｙＨｚ膜のＮの分析結果であり、図１５（Ｃ）はＣｘＮｙＨｚ膜のＣの分析結果であり、図１５（Ｄ）はＣｘＮｙＨｚ膜のＳｉの分析結果である。なお、図１５（Ａ）〜（Ｄ）は、縦軸が原子含有量を示し、横軸がスパッタ時間を示す。
FIG. 14 is a diagram showing the results of surface analysis of the C x N y H z film of Example 2 by XPS. In FIG. 14, the vertical axis represents strength (c / s) and the horizontal axis represents binding energy (eV).
FIGS. 15A to 15D are diagrams showing the results of analysis in the depth direction by XPS while sputtering the C x N y H z film of Example 2. FIG. Figure 15 (A) is a result of analysis of C x N y H z films O, FIG. 15 (B) is a result of analysis of C x N y H z films in N, Figure 15 (C) is C x FIG. 15D shows the analysis result of C of the N y H z film, and FIG. 15D shows the analysis result of Si of the C x N y H z film. 15A to 15D, the vertical axis indicates the atomic content, and the horizontal axis indicates the sputtering time.
図１６は、比較例のＤＬＣ膜をＸＰＳによって表面分析した結果を示す図である。図１６は、縦軸が強度（ｃ／ｓ）を示し、横軸が結合エネルギー（ｅＶ）を示す。
図１７（Ａ）〜（Ｄ）は、比較例のＤＬＣ膜をスパッタしながらＸＰＳによって深さ方向に分析した結果を示す図である。図１７（Ａ）はＤＬＣ膜のＯの分析結果であり、図１７（Ｂ）はＤＬＣ膜のＮの分析結果であり、図１７（Ｃ）はＤＬＣ膜のＣの分析結果であり、図１７（Ｄ）はＤＬＣ膜のＳｉの分析結果である。なお、図１７（Ａ）〜（Ｄ）は、縦軸が原子含有量を示し、横軸がスパッタ時間を示す。
FIG. 16 is a diagram showing the results of surface analysis of the DLC film of the comparative example by XPS. In FIG. 16, the vertical axis represents strength (c / s) and the horizontal axis represents binding energy (eV).
FIGS. 17A to 17D are diagrams showing the results of analysis in the depth direction by XPS while sputtering the DLC film of the comparative example. 17A shows the analysis result of O in the DLC film, FIG. 17B shows the analysis result of N in the DLC film, and FIG. 17C shows the analysis result of C in the DLC film. (D) is the analysis result of Si in the DLC film. In FIGS. 17A to 17D, the vertical axis indicates the atomic content, and the horizontal axis indicates the sputtering time.
（実験結果）
表１および表２に示すように、ＣｘＮｙＨｚ膜のアッシングレートは、ＤＬＣ膜と同程度の値を有することが確認され、ＣｘＮｙＨｚ膜の水の接触角は５０°以下になることが確認された。
(Experimental result)
As shown in Table 1 and Table 2, it was confirmed that the ashing rate of the C x N y H z film had a value comparable to that of the DLC film, and the water contact angle of the C x N y H z film was 50 It was confirmed that it would be less than °.
１…チャンバー
２，１００…被成膜基板
３…原料ガスの供給機構
４…保持電極
５…アースシールド
６，６ａ，６ｂ…高周波電源
７…ガスシャワー電極（対向電極）
８ａ，８ｂ…切り替えスイッチ
１１，１０１…非磁性基板
１２，１０２…磁性層
１３，１０３…ＤＬＣ膜
１４…ＣｘＮｙＨｚ膜
１５…フッ化有機膜、ＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＨｄ膜、ＣａＦｂＯｅ膜、ＣａＦｂＯｅＨｄ膜、ＣａＦｂＮｃＯｅ膜及びＣａＦｂＮｃＯｅＨｄ膜のいずれかの膜
１６…出発原料
１７…恒温槽
１８，１９…バルブ
２０…マスフローコントローラ
２１，２１ａ…ヒータ
２２…ニードルバルブ
２３ａ，２３ｂ，２４…バルブ
２５…液体ＭＦＭ
２７…気化器
２８…供給配管
２９，３０…バルブ
３１…マスフローコントローラ
１０４…ＣＮ膜
１０５…フッ化有機膜
DESCRIPTION OF
8a, 8b ...
27 ...
Claims (3)
前記ＣｘＮｙＨｚ膜のｘ，ｙ，ｚは下記式（１）〜（４）を満たし、
前記出発原料は、ＣＸＨＹＮＺからなり、常温で液体または固体であり、下記式（５）〜（８）を満たし、
前記出発原料は、Ｃ４Ｈ２Ｎ２、Ｃ５Ｈ３Ｎ３、Ｃ７Ｈ３Ｎ３、Ｃ６Ｈ２Ｎ４、Ｃ５Ｈ２Ｎ４、Ｃ１０Ｈ２Ｎ４、Ｃ１２Ｈ４Ｎ４およびＣ６Ｎ４のいずれか一の原料であることを特徴とする成膜方法成膜方法。
ただし、Ｘ，Ｙ，Ｚは自然数である。
（１）０．４＜ｘ＜０．７
（２）０．０１＜ｙ＜０．５
（３）０≦ｚ＜０．３
（４）ｘ＋ｙ＋ｚ＝１
（５）４≦Ｘ≦１２
（６）０≦Ｙ≦４
（７）２≦Ｚ≦１２
（８）Ｙ／Ｘ＜１ A film forming method for forming a C x N y H z film on a deposition target substrate by a CVD method using a gas obtained by vaporizing a starting material,
X, y, z of the C x N y H z film satisfy the following formulas (1) to (4),
The starting material is made of C X H Y N Z and is liquid or solid at room temperature, satisfying the following formulas (5) to (8),
The starting materials are C 4 H 2 N 2 , C 5 H 3 N 3 , C 7 H 3 N 3 , C 6 H 2 N 4 , C 5 H 2 N 4 , C 10 H 2 N 4 , C 12 H 4. A film forming method, wherein the material is any one of 4 N 4 and C 6 N 4 .
However, X, Y, and Z are natural numbers.
(1) 0.4 <x <0.7
(2) 0.01 <y <0.5
(3) 0 ≦ z <0.3
(4) x + y + z = 1
(5) 4 ≦ X ≦ 12
(6) 0 ≦ Y ≦ 4
(7) 2 ≦ Z ≦ 12
(8) Y / X <1
前記被成膜基板は、非磁性基板上に磁性層を形成したものであり、
前記ＣｘＮｙＨｚ膜は水の接触角が５０°以下である表面を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 A method for manufacturing a magnetic recording medium, comprising: forming a fluorinated organic film on the C x N y H z film formed by the film forming method according to claim 1,
The film formation substrate is a nonmagnetic substrate formed with a magnetic layer,
The method of manufacturing a magnetic recording medium, wherein the C x N y H z film has a surface with a water contact angle of 50 ° or less.
前記ＣｘＮｙＨｚ膜と前記磁性層との間にＤＬＣ膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 In claim 2,
A method of manufacturing a magnetic recording medium, wherein a DLC film is formed between the C x N y H z film and the magnetic layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017232698A JP2018048410A (en) | 2017-12-04 | 2017-12-04 | CxNyHz FILM, FILM DEPOSITION METHOD, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND PRODUCTION METHOD THEREOF |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017232698A JP2018048410A (en) | 2017-12-04 | 2017-12-04 | CxNyHz FILM, FILM DEPOSITION METHOD, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND PRODUCTION METHOD THEREOF |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013540524A Division JP6311963B2 (en) | 2011-10-24 | 2011-10-24 | Film formation method and magnetic recording medium manufacturing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018048410A true JP2018048410A (en) | 2018-03-29 |
Family
ID=61767355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017232698A Pending JP2018048410A (en) | 2017-12-04 | 2017-12-04 | CxNyHz FILM, FILM DEPOSITION METHOD, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND PRODUCTION METHOD THEREOF |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2018048410A (en) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH076354A (en) * | 1993-04-13 | 1995-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium and production of magnetic recording medium |
| JPH09125229A (en) * | 1995-10-30 | 1997-05-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Hard film, hard coated member, and production thereof |
| JP3058066B2 (en) * | 1995-11-06 | 2000-07-04 | 富士電機株式会社 | Magnetic recording medium and method of manufacturing the same |
| JP2002038269A (en) * | 2000-07-21 | 2002-02-06 | Nachi Fujikoshi Corp | Method for synthesizing hard carbon nitride film |
| JP2002230739A (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-16 | Hitachi Ltd | Magnetic recording medium, manufacturing method therefor and magnetic recording device using the same |
| JP2009185316A (en) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Utec:Kk | Plasma cvd apparatus and fluoride organic film, and organic film having silane coupling group |
| JP2010062457A (en) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Diamond field-effect transistor and method of manufacturing the same |
| JP2010238359A (en) * | 2010-06-22 | 2010-10-21 | Wd Media Singapore Pte Ltd | Method for manufacturing magnetic disk |
| JP6311963B2 (en) * | 2011-10-24 | 2018-04-18 | 株式会社ユーテック | Film formation method and magnetic recording medium manufacturing method |
-
2017
- 2017-12-04 JP JP2017232698A patent/JP2018048410A/en active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH076354A (en) * | 1993-04-13 | 1995-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium and production of magnetic recording medium |
| JPH09125229A (en) * | 1995-10-30 | 1997-05-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Hard film, hard coated member, and production thereof |
| JP3058066B2 (en) * | 1995-11-06 | 2000-07-04 | 富士電機株式会社 | Magnetic recording medium and method of manufacturing the same |
| JP2002038269A (en) * | 2000-07-21 | 2002-02-06 | Nachi Fujikoshi Corp | Method for synthesizing hard carbon nitride film |
| JP2002230739A (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-16 | Hitachi Ltd | Magnetic recording medium, manufacturing method therefor and magnetic recording device using the same |
| JP2009185316A (en) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Utec:Kk | Plasma cvd apparatus and fluoride organic film, and organic film having silane coupling group |
| JP2010062457A (en) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Diamond field-effect transistor and method of manufacturing the same |
| JP2010238359A (en) * | 2010-06-22 | 2010-10-21 | Wd Media Singapore Pte Ltd | Method for manufacturing magnetic disk |
| JP6311963B2 (en) * | 2011-10-24 | 2018-04-18 | 株式会社ユーテック | Film formation method and magnetic recording medium manufacturing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6311963B2 (en) | Film formation method and magnetic recording medium manufacturing method | |
| CN104996000B (en) | Plasma source | |
| US20100206713A1 (en) | PZT Depositing Using Vapor Deposition | |
| JP5850847B2 (en) | Apparatus for coating a substrate surface with a dielectric barrier discharge, method for depositing a film on an inorganic substrate, and use of the apparatus for coating a substrate surface with a dielectric barrier discharge | |
| CN106637207B (en) | A kind of high temperature resistant diamond-like coating method in graphite substrate | |
| WO2006013968A1 (en) | Thin-film forming apparatus | |
| JP7119113B2 (en) | Method for manufacturing an electrostatic chuck and its protrusions | |
| US20220127726A1 (en) | Methods and apparatuses for deposition of adherent carbon coatings on insulator surfaces | |
| JP2005256024A (en) | Thin film deposition apparatus and thin film deposition method | |
| JP2011179061A (en) | Sputtering thin film deposition system | |
| JP2003082458A (en) | Apparatus and method for forming amorphous carbon film | |
| JPWO2004108981A1 (en) | Thin film formation method | |
| JP2018048410A (en) | CxNyHz FILM, FILM DEPOSITION METHOD, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND PRODUCTION METHOD THEREOF | |
| JP2021528815A (en) | Single beam plasma source | |
| WO2017183313A1 (en) | Gas supply device, film formation device, gas supply method, production method for carbon film, and manufacturing method for magnetic recording medium | |
| JP7129083B2 (en) | Method for forming BxNyCzOw film, magnetic recording medium, and method for manufacturing the same | |
| JP2005330556A (en) | Carbon-based sliding material | |
| JP2017218624A (en) | Film deposition method of hard film | |
| JP2013065417A (en) | Plasma gun and deposition device using the same | |
| TWI573158B (en) | Foil coil for capacitor and manufacturing method thereof | |
| JP6044042B2 (en) | Plasma CVD apparatus and method for manufacturing magnetic recording medium | |
| JPWO2012108014A1 (en) | Method for manufacturing magnetic recording medium, magnetic recording medium, and DLC film | |
| JP7219941B2 (en) | Plasma CVD device, magnetic recording medium manufacturing method and film forming method | |
| JP5997417B1 (en) | Vacuum arc film forming apparatus and film forming method | |
| KR20140078145A (en) | Plasma chemical vapor deposition system and cleaning method for the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20181218 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190618 |