JP2018026414A - 接合装置および接合システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本実施形態に係る接合装置は、第1保持部と、第2保持部と、ストライカーとを備える。第1保持部は、第1基板を上方から吸着保持する。第2保持部は、第1保持部の下方に配置され、第2基板を下方から吸着保持する。ストライカーは、第1基板の中心部を上方から押圧して第2基板に接触させる。また、第1保持部は、第1基板の外周部の一部の領域を吸着保持するものであって、第1基板の中心部から外周部へ向かう方向のうち、第1基板と第2基板との接合領域が最も速く拡大する方向と交わる領域を吸着保持する。
【選択図】図6
Description
まず、実施形態に係る接合システムの構成について、図1〜図3を参照して説明する。図1は、実施形態にかかる接合システムの構成を示す模式平面図である。図2は、実施形態にかかる接合システムの構成を示す模式側面図である。図3は、第1基板および第2基板の模式側面図である。
次に、接合装置41の構成について図4および図5を参照して説明する。図4は、接合装置41の構成を示す模式平面図である。図5は、接合装置41の構成を示す模式側面図である。
次に、接合システム1の具体的な動作について図13〜図20を参照して説明する。図13は、接合システム1が実行する処理の一部を示すフローチャートである。図14は、本実施形態に係る接合処理において使用される上チャック140の吸引部を示す図である。図15は、本実施形態に係る接合処理において使用される下チャック141の吸着領域を示す図である。図16〜図20は、接合処理の動作説明図である。なお、図13に示す各種の処理は、制御装置70による制御に基づいて実行される。
次に、上述した実施形態の変形例について説明する。図21は、変形例に係る上チャックの模式底面図である。また、図22は、変形例に係る下チャックの模式断面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
T 重合ウェハ
W1 上ウェハ
W2 下ウェハ
41 接合装置
140 上チャック
141 下チャック
150 上チャック保持部
170 本体部
171 第1吸引部
172 第2吸引部
173 第3吸引部
174 第4吸引部
175 第5吸引部
180 支持部材
190 ストライカー
200 パッド部
210 内側吸着領域
220 外側吸着領域
230 第1分割領域
231 第1外側分割領域
232 第1内側分割領域
240 第2分割領域
241 第2外側分割領域
242 第2内側分割領域
250 ベース部
260 凸部
Claims (6)
- 第1基板を上方から吸着保持する第1保持部と、
前記第1保持部の下方に配置され、第2基板を下方から吸着保持する第2保持部と、
前記第1基板の中心部を上方から押圧して前記第2基板に接触させるストライカーと
を備え、
前記第1保持部は、
前記第1基板の外周部の一部の領域を吸着保持するものであって、前記第1基板の中心部から外周部へ向かう方向のうち、少なくとも、前記第1基板と前記第2基板との接合領域が最も速く拡大する方向と交わる前記領域を吸着保持すること
を特徴とする接合装置。 - 前記第1保持部は、
前記第1基板の中心部から外周部へ向かう方向のうち、前記第1基板と前記第2基板との接合領域が最も速く拡大する第1の方向に配置される複数の第1吸引部と、
前記複数の第1吸着部と周方向に並べて配置され、前記第1基板の中心部から外周部へ向かう方向のうち、前記第1基板と前記第2基板との接合領域が前記第1の方向と比較して遅く拡大する第2の方向に配置される複数の第2吸引部と
を備え、
前記第1吸引部と前記第2吸引部とで、前記第1基板の吸着力および吸着解除タイミングのうち少なくとも1つを異ならせること
を特徴とする請求項1に記載の接合装置。 - 前記第1基板および前記第2基板は、表面の結晶方向が[100]である単結晶シリコンウェハであり、
前記第1基板の中心部から前記第1基板の表面に対して平行な[0−11]結晶方向に向かう方向を0°と規定したとき、前記複数の第1吸引部は45°の方向を基準に90°間隔で配置され、前記複数の第2吸引部は0°の方向を基準に90°間隔で配置されること
を特徴とする請求項2に記載の接合装置。 - 前記第1保持部は、
前記複数の第1吸引部よりも内周側において前記第1の方向に配置される複数の第3吸引部と、
前記複数の第2吸引部よりも内周側において前記第2の方向に配置される複数の第4吸引部と
を備えることを特徴とする請求項2または3に記載の接合装置。 - 前記第1保持部は、
前記複数の第3吸引部および前記複数の第4吸引部よりも内周側に配置された円環状の第5吸引部
を備えることを特徴とする請求項4に記載の接合装置。 - 第1基板および第2基板の表面を改質する表面改質装置と、
改質された前記第1基板および前記第2基板の表面を親水化する表面親水化装置と、
親水化された前記第1基板と前記第2基板とを分子間力により接合する接合装置と
を備え、
前記接合装置は、
前記第1基板を上方から吸着保持する第1保持部と、
前記第1保持部の下方に配置され、前記第2基板を下方から吸着保持する第2保持部と、
前記第1基板の中心部を上方から押圧して前記第2基板に接触させるストライカーと
を備え、
前記第1保持部は、
前記第1基板の外周部の一部の領域を吸着保持するものであって、前記第1基板の中心部から外周部へ向かう方向のうち、少なくとも、前記第1基板と前記第2基板との接合領域が最も速く拡大する方向と交わる前記領域を吸着保持すること
を特徴とする接合システム。
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