JP2018025565A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018025565A5 JP2018025565A5 JP2017201457A JP2017201457A JP2018025565A5 JP 2018025565 A5 JP2018025565 A5 JP 2018025565A5 JP 2017201457 A JP2017201457 A JP 2017201457A JP 2017201457 A JP2017201457 A JP 2017201457A JP 2018025565 A5 JP2018025565 A5 JP 2018025565A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image data
- wafer
- defect
- inspection system
- additional
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims 36
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 7
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims 4
- 230000002452 interceptive Effects 0.000 claims 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Description
1つの実施形態において、付加的な画像データは、第1の画像データおよび第2の画像データより少ないノイズを有している。例えば、本明細書に記載されたような個別の光学状態のために生成されたウエハのための画像データを組み合わせることは、検出したい欠陥(DOI)に対してウエハと感度のノイズプロファイルの新たなコンテキストを提供する。さらに、画素レベルで多重の光学状態からの情報を組み合わせること(または融合すること)によって、擬似欠陥のイベントまたはノイズに対する感度を低減させることができる。例えば、以上に記載されたような画像相関の実行によって、立体的に一致しない第1の画像データおよび第2の画像データ内のウエハノイズは、付加的な画像データで実質的に除去することができる。このように、本明細書に記載された実施形態は、(例えば、個別の画像モード、偏光状態、波長、ピクセルサイズ、などによって定義された)個別の光学状態がウエハレベルのノイズおよび擬似欠陥の個別の視点を提供し、それによって(本明細書にさらに記載されたように(例えば欠陥検出の目的のため)用いられてもよい)付加的な画像データにおいてノイズを抑えるためのポテンシャルを提供するという事実を活用する。
以上に記載されたように、照射のバリエーションは、ウエハの画像データにおけるスペックルパターンを変化させるために用いられ、それによって、その画像データを用いて画像相関が実行された後にスペックルノイズを低減してもよい。さらに、第1の光学状態および第2の光学状態のための45度の方位角および−45度の方位角によって定義された2つの照射角を用いるように、いくつかの実施形態が以上に記載されたが、個別の光学状態は、変化する方位角および/または仰角を含む様々な照射角に拡大することができる。個別の照射角の各々のための出力は、ウエハの個別のパスにおいて取得されてもよい。2つ以上の様々な照射角を用いて生成された画像データを相関することは、ノイズをさらに抑制し、かつS/Nを改善するために用いられてもよい。例えば、照射の方位角をその上変化すると、仰角を変化することは、また、スペックルパターンを大幅に変更することができ、それによって、ノイズの非相関を高め、さらにS/Nを改善する。このように、任意の付加的な光学状態を用いて方法を実行することは、非相関であるスペックルノイズをさらに除去し、かつウエハ上の欠陥のためのS/Nを改善することを支援してもよい。同様の方式において、相関は、任意のチャネルおよび任意の光学状態のために拡張することができる。
Claims (42)
- ウエハ上の欠陥を検出する方法であって、
第1および第2の検査システムにより一つのウエハを走査することにより前記一つのウエハのための出力を生成するステップと、
前記第1の検査システムを用いて生成された前記出力を用いて前記一つのウエハのための第1の画像データと、前記第2の検査システムを用いて生成された前記出力を用いて前記一つのウエハのための第2の画像データと、を生成するステップであって、前記第1の検査システムは、干渉性光である第1の光を生成するように構成された第1の光源と、前記一つのウエハを移動するように構成された第1のステージと、前記一つのウエハからの光を検出して、前記出力の第1の部分を生成するように構成された第1の検出器とを含み、前記第2の検査システムは、干渉性光である第2の光を生成するように構成された第2の光源と、前記一つのウエハを移動するように構成された第2のステージと、前記一つのウエハからの光を検出して、前記出力の第2の部分を生成するように構成された第2の検出器とを含み、前記第1および前記第2の光源は同一の光源ではなく、前記第1および前記第2のステージは同一のステージではないステップと、
前記第1の画像データと、前記一つのウエハ上の実質的に同一の位置に対応する前記第2の画像データとを組み合わせるステップであって、それによって、前記一つのウエハのための付加的な画像データを生成するステップと、
前記付加的な画像データを用いて前記一つのウエハ上の欠陥を検出するステップと
を備え、
前記第1の画像データと前記第2の画像データとを組み合わせるステップは、前記第1の画像データと前記第2の画像データについて画像相関を行い、一致しない画像を除去することを含む、方法。 - 前記第1の検査システムにより前記出力を生成するステップは、前記第1の検査システムの第1の光学状態を用いて実行され、前記第2の検査システムにより前記出力を生成するステップは、前記第2の検査システムの第2の光学状態を用いて実行され、前記第1および前記第2の光学状態は、前記第1および前記第2の検査システムの少なくとも1つの光学パラメータのための個別の値によって定義されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記個別の値は、前記走査中に前記第1および前記第2の光が前記ウエハに対して方向づけられる照射の個別の角度を含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記個別の値は、個別の撮像モード、個別の偏光状態、個別の波長、個別のピクセルサイズ、またはそれらのいくつかの組み合わせを含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記個別の値は、前記第1および前記第2の検査システムの個別のチャネルを含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記第1の検査システムにより前記出力を生成するステップは、前記第1の検査システムの第1の光学状態を用いて実行され、前記第2の検査システムにより前記出力を生成するステップは、前記第2の検査システムの第2の光学状態を用いて実行され、前記第1および前記第2の光学状態は、前記走査中に前記ウエハから光を収集するために用いられる前記第1および前記第2の検査システムの光学パラメータのための同一の値によって定義されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 個別の検査システムにより前記ウエハを走査することにより前記ウエハのための出力を生成するステップと、
前記個別の検査システムを用いて生成された前記出力を用いて前記ウエハのための第3の画像データを生成するステップと、
前記ウエハ上の同一の位置に実質的に対応する前記第1の画像データまたは前記第2の画像データに、前記第3の画像データを組み合わせるステップであって、それによって、前記ウエハのためのさらなる付加的な画像データを生成するステップと、
前記さらなる付加的な画像データを用いて前記ウエハ上の欠陥を検出するステップと
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記第1の画像データと前記第2の画像データとは、差分画像データを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記組み合わせるステップは、前記第1の画像データと、前記ウエハ上の実質的に同一の位置に対応する前記第2の画像データとについて画像相関を実行することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記組み合わせるステップは、前記第1の画像データおよび第2の画像データの画素レベルで実行されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 欠陥検出は、前記組み合わせるステップに先立って実行されないことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記欠陥に対応する前記付加的な画像データの一部は、前記付加的な画像データの前記一部を生成するために組み合わせられる前記第1の画像データおよび前記第2の画像データの一部より大きな信号対ノイズ比を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記付加的な画像データは、前記第1の画像データおよび前記第2の画像データより少ないノイズを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記付加的な画像データは、前記第1の画像データおよび前記第2の画像データより少ないスペックルノイズを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1の画像データを用いて前記ウエハ上の欠陥を検出するステップと、
前記第2の画像データを用いて前記ウエハ上の欠陥を検出するステップと、
前記第1の画像データ、前記第2の画像データ、および前記付加的な画像データのいずれかを用いて検出された前記欠陥の組み合わせとして、前記ウエハ上で検出された前記欠陥を報告するするステップと
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記付加的な画像データを用いて前記欠陥の特徴のための値を判定するステップをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1の画像データ、前記第2の画像データ、および前記付加的な画像データのいくつかの組み合わせを用いて前記欠陥の特徴のための値を判定するステップをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記欠陥を検出するステップは、
前記付加的な画像データを用いて前記ウエハ上の潜在的な欠陥を識別するステップと、
前記第1の画像データ、前記第2の画像データ、および前記付加的な画像データ、またはそれらのいくつかの組み合わせを用いて判定された前記潜在的な欠陥に関する画素レベル情報を用いて、前記潜在的な欠陥の擬似欠陥フィルタリングを実行することにより前記欠陥を識別するステップと
を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記欠陥を検出するステップは、
前記付加的な画像データを用いて前記ウエハ上の潜在的な欠陥を識別するステップと、
前記第1の画像データ、前記第2の画像データ、および前記付加的な画像データ、またはそれらのいくつかの組み合わせを用いて判定された前記潜在的な欠陥の特徴の値を用いて、前記潜在的な欠陥の擬似欠陥フィルタリングを実行することにより前記欠陥を識別するステップと
を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記第1の画像データ、前記第2の画像データ、前記付加的な画像データ、またはそれらのいくつかの組み合わせを用いて判定された前記欠陥に関する画素レベルの情報を用いて、前記欠陥をビニングするステップをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1の画像データ、前記第2の画像データ、前記付加的な画像データ、またはそれらのいくつかの組み合わせを用いて判定された前記欠陥の特徴の値を用いて、前記欠陥をビニングするステップをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- ウエハ上の欠陥を検出するように構成されたシステムであって、
一つのウエハを走査することにより前記一つのウエハのための出力を生成するように構成された第1および第2の検査システムと、
コンピュータサブシステムであって、
前記第1の検査システムを用いて生成された前記出力を用いて前記一つのウエハのための第1の画像データと、前記第2の検査システムを用いて生成された前記出力を用いて前記一つのウエハのための第2の画像データとを生成するように構成され、前記第1の検査システムは、干渉性光である第1の光を生成するように構成された第1の光源と、前記一つのウエハを移動するように構成された第1のステージと、前記一つのウエハからの光を検出して、前記出力の第1の部分を生成するように構成された第1の検出器とを含み、前記第2の検査システムは、干渉性光である第2の光を生成するように構成された第2の光源と、前記一つのウエハを移動するように構成された第2のステージと、前記一つのウエハからの光を検出して、前記出力の第2の部分を生成するように構成された第2の検出器とを含み、前記第1および前記第2の光源は同一の光源ではなく、前記第1および第2のステージは同一のステージではなく、
前記第1の画像データと、前記一つのウエハ上の実質的に同一の位置に対応する前記第2の画像データとを組み合わせ、それによって、前記一つのウエハのための付加的な画像データを生成するように構成され、
前記付加的な画像データを用いて前記一つのウエハ上の欠陥を検出するように構成された、コンピュータサブシステムと
を備え、
前記第1の画像データと前記第2の画像データとを組み合わせる処理は、前記第1の画像データと前記第2の画像データについて画像相関を行い、一致しない画像を除去することを含む、システム。 - 前記第1の検査システムにより前記出力を生成するステップは、前記第1の検査システムの第1の光学状態を用いて実行され、前記第2の検査システムにより前記出力を生成するステップは、前記第2の検査システムの第2の光学状態を用いて実行され、前記第1および前記第2の光学状態は、前記第1および前記第2の検査システムの少なくとも1つの光学パラメータのための個別の値によって定義されることを特徴とする請求項22に記載のシステム。
- 前記個別の値は、前記走査中に前記第1および前記第2の光が前記ウエハに対して方向づけられる照射の個別の角度を含むことを特徴とする請求項23に記載のシステム。
- 前記個別の値は、個別の撮像モード、個別の偏光状態、個別の波長、個別のピクセルサイズ、またはそれらのいくつかの組み合わせを含むことを特徴とする請求項23に記載のシステム。
- 前記個別の値は、前記第1および前記第2の検査システムの個別のチャネルを含むことを特徴とする請求項23に記載のシステム。
- 前記第1の検査システムにより前記出力を生成するステップは、前記第1の検査システムの第1の光学状態を用いて実行され、前記第2の検査システムにより前記出力を生成するステップは、前記第2の検査システムの第2の光学状態を用いて実行され、前記第1および前記第2の光学状態は、前記走査中に前記ウエハから光を収集するために用いられる前記第1および前記第2の検査システムの光学パラメータのための同一の値によって定義されることを特徴とする請求項22に記載のシステム。
- 前記ウエハを走査することにより、前記ウエハのための出力を生成するように構成された個別の検査システムをさらに備え、
前記コンピュータサブシステムは、
前記個別の検査システムを用いて生成された前記出力を用いて前記ウエハのための第3の画像データを生成し、
前記ウエハ上の同一の位置に実質的に対応する前記第1または前記第2の画像データに前記第3の画像データを組み合わせ、それによって、前記ウエハのためのさらなる付加的な画像データを生成し、
前記さらなる付加的な画像データを用いて前記ウエハ上の欠陥を検出するようにさらに構成されることを特徴とする請求項22に記載のシステム。 - 前記第1および前記第2の画像データは、個別の画像データを含むことを特徴とする請求項22のシステム。
- 前記組み合わせることは、前記ウエハ上の実質的に同一の位置に対応する前記第1の画像データと前記第2の画像データについて画像相関を実行することを含むことを特徴とする請求項22に記載のシステム。
- 前記組み合わせることは、前記第1および前記第2の画像データの画素レベルで実行されることを特徴とする請求項22に記載のシステム。
- 欠陥検出は、前記組み合わせるステップに先立って実行されないことを特徴とする請求項22に記載のシステム。
- 前記欠陥に対応する前記付加的な画像データの一部は、前記付加的な画像データの前記一部を生成するために組み合わせられる前記第1および前記第2の画像データの一部より大きな信号対ノイズ比を有することを特徴とする請求項22に記載のシステム。
- 前記付加的な画像データは、前記第1および前記第2の画像データより少ないノイズを有することを特徴とする請求項22に記載のシステム。
- 前記付加的な画像データは、前記第1および前記第2の画像データより少ないスペックルノイズを有することを特徴とする請求項22に記載のシステム。
- 前記コンピュータサブシステムは、
前記第1の画像データを用いて前記ウエハ上の欠陥を検出し、
前記第2の画像データを用いて前記ウエハ上の欠陥を検出し、
前記第1の画像データ、前記第2の画像データ、および前記付加的な画像データのいずれかを用いて検出された前記欠陥の組み合わせとして、前記ウエハ上で検出された前記欠陥を報告するようにさらに構成されることを特徴とする請求項22に記載のシステム。 - 前記コンピュータサブシステムは、前記付加的な画像データを用いて前記欠陥の特徴のための値を判定するようにさらに構成されることを特徴とする請求項22に記載のシステム。
- 前記コンピュータサブシステムは、前記第1の画像データ、前記第2の画像データ、および前記付加的な画像データのいくつかの組み合わせを用いて、前記欠陥の特徴のための値を判定するようにさらに構成されることを特徴とする請求項22に記載のシステム。
- 前記欠陥を検出することは、
前記付加的な画像データを用いて前記ウエハ上の潜在的な欠陥を識別することと、
前記第1の画像データ、前記第2の画像データ、および前記付加的な画像データ、またはそれらのいくつかの組み合わせを用いて判定された前記潜在的な欠陥に関する画素レベル情報を用いて、前記潜在的な欠陥の擬似欠陥フィルタリングを実行することにより前記欠陥を識別することと
を含むことを特徴とする請求項22に記載のシステム。 - 前記欠陥を検出することは、
前記付加的な画像データを用いて前記ウエハ上の潜在的な欠陥を識別することと、
前記第1の画像データ、前記第2の画像データ、および前記付加的な画像データ、またはそれらのいくつかの組み合わせを用いて判定された前記潜在的な欠陥の特徴の値を用いて、前記潜在的な欠陥の擬似欠陥フィルタリングを実行することにより前記欠陥を識別することと
を含むことを特徴とする請求項22に記載のシステム。 - 前記コンピュータサブシステムは、前記第1の画像データ、前記第2の画像データ、および前記付加的な画像データ、またはそれらのいくつかの組み合わせを用いて判定された前記欠陥に関する画素レベルの情報を用いて、前記欠陥をビニングするようにさらに構成されることを特徴とする請求項22に記載のシステム。
- 前記コンピュータサブシステムは、前記第1の画像データ、前記第2の画像データ、および前記付加的な画像データ、またはそれらのいくつかの組み合わせを用いて判定された前記欠陥の特徴の値を用いて、前記欠陥をビニングするようにさらに構成されることを特徴とする請求項22に記載のシステム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019205887A JP6957579B2 (ja) | 2009-01-26 | 2019-11-14 | ウエハ上の欠陥を検出するためのシステムおよび方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/359,476 US8223327B2 (en) | 2009-01-26 | 2009-01-26 | Systems and methods for detecting defects on a wafer |
US12/359,476 | 2009-01-26 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016093971A Division JP6231156B2 (ja) | 2009-01-26 | 2016-05-09 | ウエハ上の欠陥を検出するためのシステムおよび方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019205887A Division JP6957579B2 (ja) | 2009-01-26 | 2019-11-14 | ウエハ上の欠陥を検出するためのシステムおよび方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018025565A JP2018025565A (ja) | 2018-02-15 |
JP2018025565A5 true JP2018025565A5 (ja) | 2020-10-08 |
JP6787867B2 JP6787867B2 (ja) | 2020-11-18 |
Family
ID=42353935
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011548147A Active JP5719782B2 (ja) | 2009-01-26 | 2010-01-22 | ウエハ上の欠陥を検出するためのシステムおよび方法 |
JP2015007021A Pending JP2015096866A (ja) | 2009-01-26 | 2015-01-16 | ウエハ上の欠陥を検出するためのシステムおよび方法 |
JP2016093971A Active JP6231156B2 (ja) | 2009-01-26 | 2016-05-09 | ウエハ上の欠陥を検出するためのシステムおよび方法 |
JP2017201457A Active JP6787867B2 (ja) | 2009-01-26 | 2017-10-18 | ウエハ上の欠陥を検出するためのシステムおよび方法 |
JP2019205887A Active JP6957579B2 (ja) | 2009-01-26 | 2019-11-14 | ウエハ上の欠陥を検出するためのシステムおよび方法 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011548147A Active JP5719782B2 (ja) | 2009-01-26 | 2010-01-22 | ウエハ上の欠陥を検出するためのシステムおよび方法 |
JP2015007021A Pending JP2015096866A (ja) | 2009-01-26 | 2015-01-16 | ウエハ上の欠陥を検出するためのシステムおよび方法 |
JP2016093971A Active JP6231156B2 (ja) | 2009-01-26 | 2016-05-09 | ウエハ上の欠陥を検出するためのシステムおよび方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019205887A Active JP6957579B2 (ja) | 2009-01-26 | 2019-11-14 | ウエハ上の欠陥を検出するためのシステムおよび方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US8223327B2 (ja) |
EP (1) | EP2389685A4 (ja) |
JP (5) | JP5719782B2 (ja) |
KR (2) | KR101700319B1 (ja) |
CN (2) | CN103531497B (ja) |
IL (4) | IL213490A (ja) |
WO (1) | WO2010085679A2 (ja) |
Families Citing this family (87)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7570796B2 (en) | 2005-11-18 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
WO2010014609A2 (en) | 2008-07-28 | 2010-02-04 | Kla-Tencor Corporation | Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for classifying defects detected in a memory device area on a wafer |
US8169613B1 (en) | 2008-11-21 | 2012-05-01 | Kla-Tencor Corp. | Segmented polarizer for optimizing performance of a surface inspection system |
US8223327B2 (en) | 2009-01-26 | 2012-07-17 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods for detecting defects on a wafer |
US8605275B2 (en) * | 2009-01-26 | 2013-12-10 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
US10324046B1 (en) * | 2009-06-03 | 2019-06-18 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for monitoring a non-defect related characteristic of a patterned wafer |
KR101803119B1 (ko) * | 2010-06-30 | 2017-11-29 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 웨이퍼 검사 또는 계측 구성을 위한 데이터 섭동 |
CN102023168B (zh) * | 2010-11-08 | 2013-04-17 | 北京大学深圳研究生院 | 半导体晶圆表面的芯片检测方法及*** |
KR101908749B1 (ko) | 2010-12-16 | 2018-10-16 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 웨이퍼 검사 |
US9170211B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-10-27 | Kla-Tencor Corp. | Design-based inspection using repeating structures |
US9279774B2 (en) | 2011-07-12 | 2016-03-08 | Kla-Tencor Corp. | Wafer inspection |
US9239295B2 (en) * | 2012-04-09 | 2016-01-19 | Kla-Tencor Corp. | Variable polarization wafer inspection |
CN102768969B (zh) * | 2012-07-03 | 2015-01-07 | 上海华力微电子有限公司 | 一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法 |
FR2994734B1 (fr) * | 2012-08-21 | 2017-08-25 | Fogale Nanotech | Dispositif et procede pour faire des mesures dimensionnelles sur des objets multi-couches tels que des wafers. |
US9355440B1 (en) | 2012-10-10 | 2016-05-31 | Kla-Tencor Corp. | Detection of selected defects in relatively noisy inspection data |
US9189844B2 (en) * | 2012-10-15 | 2015-11-17 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using defect-specific information |
US9053527B2 (en) * | 2013-01-02 | 2015-06-09 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
US9134254B2 (en) | 2013-01-07 | 2015-09-15 | Kla-Tencor Corp. | Determining a position of inspection system output in design data space |
US9311698B2 (en) | 2013-01-09 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using template image matching |
KR20140091916A (ko) * | 2013-01-14 | 2014-07-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 패널 검사방법 |
WO2014149197A1 (en) | 2013-02-01 | 2014-09-25 | Kla-Tencor Corporation | Detecting defects on a wafer using defect-specific and multi-channel information |
US9222895B2 (en) | 2013-02-25 | 2015-12-29 | Kla-Tencor Corp. | Generalized virtual inspector |
US9619876B2 (en) | 2013-03-12 | 2017-04-11 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on wafers based on 2D scatter plots of values determined for output generated using different optics modes |
US9008410B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-04-14 | Kla-Tencor Corporation | Single die inspection on a dark field inspection tool |
HUE056308T2 (hu) * | 2013-03-19 | 2022-02-28 | Hennecke Systems Gmbh | Eljárás és rendszer sík félvezetõ tárgyak ellenõrzéséhez |
US9865512B2 (en) | 2013-04-08 | 2018-01-09 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic design attributes for wafer inspection |
US9310320B2 (en) * | 2013-04-15 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Based sampling and binning for yield critical defects |
US9747670B2 (en) | 2013-06-26 | 2017-08-29 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for improving wafer surface inspection sensitivity |
US9442077B2 (en) | 2013-08-28 | 2016-09-13 | Kla-Tencor Corp. | Scratch filter for wafer inspection |
JP6295396B2 (ja) * | 2013-12-13 | 2018-03-20 | パルステック工業株式会社 | 光学観察装置、光学観察方法、標本観察画像の画像処理プログラム |
US9816939B2 (en) * | 2014-07-22 | 2017-11-14 | Kla-Tencor Corp. | Virtual inspection systems with multiple modes |
US9766186B2 (en) | 2014-08-27 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corp. | Array mode repeater detection |
US9766187B2 (en) | 2014-08-27 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corp. | Repeater detection |
US9582869B2 (en) * | 2014-10-19 | 2017-02-28 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic binning for diversification and defect discovery |
US10267746B2 (en) * | 2014-10-22 | 2019-04-23 | Kla-Tencor Corp. | Automated pattern fidelity measurement plan generation |
US9599573B2 (en) * | 2014-12-02 | 2017-03-21 | Kla-Tencor Corporation | Inspection systems and techniques with enhanced detection |
US10718934B2 (en) * | 2014-12-22 | 2020-07-21 | California Institute Of Technology | Epi-illumination Fourier ptychographic imaging for thick samples |
US9835566B2 (en) * | 2015-03-03 | 2017-12-05 | Kla-Tencor Corp. | Adaptive nuisance filter |
US9747520B2 (en) * | 2015-03-16 | 2017-08-29 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for enhancing inspection sensitivity of an inspection tool |
CN108475422B (zh) * | 2015-08-12 | 2019-09-06 | 科磊股份有限公司 | 在电子束图像中确定缺陷的位置 |
US10359371B2 (en) | 2015-08-24 | 2019-07-23 | Kla-Tencor Corp. | Determining one or more characteristics of a pattern of interest on a specimen |
JP2017049974A (ja) * | 2015-09-04 | 2017-03-09 | キヤノン株式会社 | 識別器生成装置、良否判定方法、およびプログラム |
FR3045156B1 (fr) | 2015-12-11 | 2017-12-22 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de detection de defauts et dispositif associe |
US10062156B2 (en) | 2016-02-25 | 2018-08-28 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for detecting defects on a substrate |
US9940705B2 (en) * | 2016-05-04 | 2018-04-10 | Kla-Tencor Corporation | System, method and computer program product for detecting defects in a fabricated target component using consistent modulation for the target and reference components |
US11010886B2 (en) | 2016-05-17 | 2021-05-18 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for automatic correction of drift between inspection and design for massive pattern searching |
US10192302B2 (en) * | 2016-05-25 | 2019-01-29 | Kla-Tencor Corporation | Combined patch and design-based defect detection |
US10304177B2 (en) | 2016-06-29 | 2019-05-28 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods of using z-layer context in logic and hot spot inspection for sensitivity improvement and nuisance suppression |
JP6640057B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2020-02-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡装置及びそれを用いた傾斜ホールの測定方法 |
US10115040B2 (en) | 2016-09-14 | 2018-10-30 | Kla-Tencor Corporation | Convolutional neural network-based mode selection and defect classification for image fusion |
US10739275B2 (en) * | 2016-09-15 | 2020-08-11 | Kla-Tencor Corporation | Simultaneous multi-directional laser wafer inspection |
JP6924261B2 (ja) * | 2016-10-20 | 2021-08-25 | ケーエルエー コーポレイション | パターニングされたウェハの特性評価のためのハイブリッド計量 |
WO2018176370A1 (zh) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 深圳配天智能技术研究院有限公司 | 一种视觉检测***及方法 |
US10957033B2 (en) * | 2017-07-10 | 2021-03-23 | Kla-Tencor Corporation | Repeater defect detection |
US10620135B2 (en) * | 2017-07-19 | 2020-04-14 | Kla-Tencor Corp. | Identifying a source of nuisance defects on a wafer |
US10699926B2 (en) * | 2017-08-30 | 2020-06-30 | Kla-Tencor Corp. | Identifying nuisances and defects of interest in defects detected on a wafer |
US10964016B2 (en) * | 2018-03-13 | 2021-03-30 | Kla-Tencor Corporation | Combining simulation and optical microscopy to determine inspection mode |
JP6708695B2 (ja) * | 2018-04-20 | 2020-06-10 | ファナック株式会社 | 検査装置 |
CN108827971A (zh) * | 2018-04-26 | 2018-11-16 | 深圳市创科自动化控制技术有限公司 | 一种表面缺陷检测方法 |
CN110658196B (zh) * | 2018-06-29 | 2022-07-08 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种缺陷检测装置及缺陷检测方法 |
CN109065468B (zh) * | 2018-09-12 | 2020-12-04 | 上海华力微电子有限公司 | 缺陷过滤***及过滤方法和计算机存储介质 |
KR102175286B1 (ko) * | 2018-10-11 | 2020-11-06 | 라온피플 주식회사 | 결함 검출 장치 및 방법 |
WO2020078660A1 (en) * | 2018-10-19 | 2020-04-23 | Asml Netherlands B.V. | System and method for aligning electron beams in multi-beam inspection apparatus |
US10801968B2 (en) * | 2018-10-26 | 2020-10-13 | Kla-Tencor Corporation | Algorithm selector based on image frames |
CN109545700B (zh) * | 2018-11-30 | 2020-07-31 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆缺陷扫描方法 |
US11010885B2 (en) * | 2018-12-18 | 2021-05-18 | Kla Corporation | Optical-mode selection for multi-mode semiconductor inspection |
US11138722B2 (en) * | 2018-12-21 | 2021-10-05 | Kla-Tencor Corporation | Differential imaging for single-path optical wafer inspection |
WO2020132961A1 (zh) * | 2018-12-26 | 2020-07-02 | 合刃科技(深圳)有限公司 | 外观缺陷检测方法及装置 |
US11815470B2 (en) * | 2019-01-17 | 2023-11-14 | Applied Materials Israel, Ltd. | Multi-perspective wafer analysis |
US10902582B2 (en) | 2019-01-17 | 2021-01-26 | Applied Materials Israel, Ltd. | Computerized system and method for obtaining information about a region of an object |
JP7299728B2 (ja) * | 2019-03-22 | 2023-06-28 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
US11114324B2 (en) * | 2019-04-10 | 2021-09-07 | KLA Corp. | Defect candidate generation for inspection |
CN110132996A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-08-16 | 德淮半导体有限公司 | 缺陷检测装置及其检测方法 |
CN110412035A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-11-05 | 合刃科技(武汉)有限公司 | 一种高反光材料表面检测方法及*** |
CN110441315B (zh) * | 2019-08-02 | 2022-08-05 | 英特尔产品(成都)有限公司 | 电子部件测试设备和方法 |
US11255748B2 (en) | 2019-08-15 | 2022-02-22 | Pratt & Whitney Canada Corp. | Methods and systems for measurement of components |
US11410292B2 (en) | 2019-09-27 | 2022-08-09 | Kla Corporation | Equi-probability defect detection |
US11557031B2 (en) * | 2019-11-21 | 2023-01-17 | Kla Corporation | Integrated multi-tool reticle inspection |
WO2021136631A1 (en) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | Asml Holding N.V. | Contaminant detection metrology system, lithographic apparatus, and methods thereof |
CN111272773B (zh) * | 2019-12-31 | 2021-10-29 | 浙江大学 | 一种半导体晶圆表面缺陷的快速超高分辨检测*** |
US11035803B1 (en) | 2020-02-26 | 2021-06-15 | Applied Materials Israel Ltd. | Multi-perspective examination of a specimen |
WO2021176923A1 (ja) | 2020-03-02 | 2021-09-10 | 日本電気株式会社 | 海底光通信システム及び通信方法 |
CN111693546A (zh) * | 2020-06-16 | 2020-09-22 | 湖南大学 | 缺陷检测***、方法及图像采集*** |
US11710227B2 (en) * | 2020-06-19 | 2023-07-25 | Kla Corporation | Design-to-wafer image correlation by combining information from multiple collection channels |
KR20230056781A (ko) * | 2020-09-02 | 2023-04-27 | 어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드 | 다중 관점 웨이퍼 분석 |
US11748871B2 (en) | 2020-09-28 | 2023-09-05 | KLA Corp. | Alignment of a specimen for inspection and other processes |
CN112240887A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-01-19 | 惠州高视科技有限公司 | 电池外观缺陷检测***和方法 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59202633A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン検査装置 |
JPH068789B2 (ja) * | 1984-12-07 | 1994-02-02 | 株式会社日立製作所 | ウエハ検査装置 |
JP2665785B2 (ja) * | 1988-12-07 | 1997-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置 |
US20040057044A1 (en) | 1994-12-08 | 2004-03-25 | Mehrdad Nikoonahad | Scanning system for inspecting anamolies on surfaces |
JPH11237344A (ja) | 1998-02-19 | 1999-08-31 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法およびその装置 |
US6256093B1 (en) | 1998-06-25 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | On-the-fly automatic defect classification for substrates using signal attributes |
US6366352B1 (en) | 1999-06-10 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Optical inspection method and apparatus utilizing a variable angle design |
US6268093B1 (en) | 1999-10-13 | 2001-07-31 | Applied Materials, Inc. | Method for reticle inspection using aerial imaging |
JP2001168158A (ja) | 1999-12-03 | 2001-06-22 | Nec Corp | 光学的パターン検査装置 |
JP2001235428A (ja) | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Nikon Corp | 外観検査装置 |
JP4418078B2 (ja) * | 2000-04-03 | 2010-02-17 | 株式会社トプコン | 表面検査装置 |
JP4649051B2 (ja) * | 2001-03-21 | 2011-03-09 | オリンパス株式会社 | 検査画面の表示方法及び基板検査システム |
JP2002303586A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-18 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
JP2002365027A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-18 | Japan Science & Technology Corp | 表面観察装置 |
US6781687B2 (en) * | 2002-09-26 | 2004-08-24 | Orbotech Ltd. | Illumination and image acquisition system |
JP4489777B2 (ja) | 2003-06-10 | 2010-06-23 | ケーエルエー−テンコール コーポレイション | マルチチャネルデータのグラフィック表現を用いて基板の表面において生じる欠陥を分類するための方法及びシステム |
JP4523310B2 (ja) | 2003-08-25 | 2010-08-11 | 株式会社日立国際電気 | 異物識別方法及び異物識別装置 |
US7646906B2 (en) | 2004-01-29 | 2010-01-12 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods for detecting defects in reticle design data |
RU2305320C2 (ru) | 2004-07-02 | 2007-08-27 | Алексей Александрович Бендицкий | Способ формирования матричного изображения объекта |
JP2006220644A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-08-24 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン検査方法及びその装置 |
JP4625716B2 (ja) * | 2005-05-23 | 2011-02-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
WO2007005489A2 (en) | 2005-07-05 | 2007-01-11 | Mattson Technology, Inc. | Method and system for determining optical properties of semiconductor wafers |
JP2009503976A (ja) * | 2005-07-27 | 2009-01-29 | インゲニア・テクノロジー・リミテッド | 物品の表面からのコヒーレントな光放射の散乱から得られた信号から作成された物品のシグネチャの検証 |
JP4778755B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2011-09-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びこれを用いた装置 |
US7659975B1 (en) | 2005-09-21 | 2010-02-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspection of a wafer or setting up an inspection process |
US7554656B2 (en) * | 2005-10-06 | 2009-06-30 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspection of a wafer |
US7747062B2 (en) | 2005-11-09 | 2010-06-29 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods, defect review tools, and systems for locating a defect in a defect review process |
US8041103B2 (en) * | 2005-11-18 | 2011-10-18 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space |
JP4723362B2 (ja) | 2005-11-29 | 2011-07-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 光学式検査装置及びその方法 |
WO2007092950A2 (en) | 2006-02-09 | 2007-08-16 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Methods and systems for determining a characteristic of a wafer |
US7589869B2 (en) * | 2006-04-28 | 2009-09-15 | Electro Scientific Industries, Inc. | Adjusting image quality using multi-wavelength light |
JP4939843B2 (ja) * | 2006-06-07 | 2012-05-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びその装置 |
JP5132982B2 (ja) * | 2007-05-02 | 2013-01-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン欠陥検査装置および方法 |
US8126255B2 (en) | 2007-09-20 | 2012-02-28 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods for creating persistent data for a wafer and for using persistent data for inspection-related functions |
JP4573308B2 (ja) | 2008-04-03 | 2010-11-04 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 表面検査装置及び方法 |
US8223327B2 (en) * | 2009-01-26 | 2012-07-17 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods for detecting defects on a wafer |
JP2011053085A (ja) | 2009-09-02 | 2011-03-17 | Sumco Corp | ウェーハ表面のlpd検出方法 |
-
2009
- 2009-01-26 US US12/359,476 patent/US8223327B2/en active Active
-
2010
- 2010-01-22 WO PCT/US2010/021850 patent/WO2010085679A2/en active Application Filing
- 2010-01-22 JP JP2011548147A patent/JP5719782B2/ja active Active
- 2010-01-22 EP EP10733928.5A patent/EP2389685A4/en not_active Withdrawn
- 2010-01-22 CN CN201310410071.4A patent/CN103531497B/zh active Active
- 2010-01-22 CN CN2010800056350A patent/CN102292805B/zh active Active
- 2010-01-22 KR KR1020167012836A patent/KR101700319B1/ko active IP Right Grant
- 2010-01-22 KR KR1020117015543A patent/KR101693058B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-06-12 IL IL213490A patent/IL213490A/en active IP Right Grant
-
2012
- 2012-07-03 US US13/541,579 patent/US8467047B2/en active Active
-
2013
- 2013-05-06 IL IL226184A patent/IL226184A/en active IP Right Revival
- 2013-05-22 US US13/900,465 patent/US9880107B2/en active Active
-
2015
- 2015-01-16 JP JP2015007021A patent/JP2015096866A/ja active Pending
- 2015-10-12 IL IL242041A patent/IL242041A/en active IP Right Revival
- 2015-10-12 IL IL242040A patent/IL242040A/en active IP Right Revival
-
2016
- 2016-05-09 JP JP2016093971A patent/JP6231156B2/ja active Active
-
2017
- 2017-10-18 JP JP2017201457A patent/JP6787867B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-08 US US15/865,130 patent/US10605744B2/en active Active
-
2019
- 2019-11-14 JP JP2019205887A patent/JP6957579B2/ja active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2018025565A5 (ja) | ||
JP6231156B2 (ja) | ウエハ上の欠陥を検出するためのシステムおよび方法 | |
TWI600897B (zh) | 用於偵測晶圓上之缺陷之電腦實施方法、非暫時性電腦可讀媒體及系統 | |
JP6448722B2 (ja) | ウェハの欠陥検出 | |
JP2020034572A5 (ja) | ||
TWI648706B (zh) | 用於偵測晶圓上之缺陷之方法、系統及非暫時性電腦可讀媒體 | |
TWI606423B (zh) | 用於檢測晶圓上缺陷之系統 | |
TWI643280B (zh) | 使用結構性資訊之缺陷偵測 | |
TWI597489B (zh) | 於暗場檢測工具上之單一晶粒檢測 | |
JP2015511310A (ja) | ウエハ検査のためのセグメント化 | |
KR20150131114A (ko) | 웨이퍼 상의 결함 검출 | |
JP2020526911A5 (ja) | ||
JP2008232837A (ja) | 欠陥強調・欠陥検出の方法および装置、プログラム | |
JP2017101977A (ja) | 検査システムおよび検査方法 | |
KR101294967B1 (ko) | 원형 선재의 표면 결함 검출 방법 및 장치 | |
JP2011053085A (ja) | ウェーハ表面のlpd検出方法 | |
WO2021131508A1 (ja) | 表面欠陥検出装置と表面欠陥検出方法とプログラムおよび表面欠陥検出システム | |
JP2018112471A (ja) | 検査システムおよび検査方法 |