JP2018019070A - 電子部品内蔵基板 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る電子部品内蔵基板を概略的に示す断面図である。図1に示す電子部品内蔵基板1は、例えば、通信端末などに使用される基板である。図1に示すように、電子部品内蔵基板1は、基板10と、基板10に内蔵された電子部品20と、応力緩和層30と、を備えている。基板10は、配線層11及び配線層11に対して積層された絶縁層12を有している。電子部品20は基板10に内蔵されており、配線層11及び絶縁層12が積層された積層方向に交差する方向に延在する第1電極層21A及び第2電極層21Bより構成される一対の電極層と、一対の電極層の間に設けられた誘電体層22を有している。ここで、電子部品20が基板10に「内蔵されている」とは、電子部品20が基板10の主面(主面10a又は主面10b)から露出していない状態をいう。
次に、図5を参照して本発明の第2実施形態に係る電子部品内蔵基板2について説明する。図5は、本発明の第2実施形態に係る電子部品内蔵基板を概略的に示す断面図である。電子部品内蔵基板2は、電子部品内蔵基板1と同様に、基板10と、電子部品20と、応力緩和層30と、を備えている。電子部品内蔵基板2が電子部品内蔵基板1と相違している点は、応力緩和層30及び電子部品20が配線層11に対して順に積層されている点である。また、電子部品20が配線層11上に積層されているため、電子部品20の分割された第2電極層21Bに対応して、配線層11が複数に分割されている。電子部品内蔵基板2では、応力緩和層30は、第2電極層21Bと配線層11との間を埋めるように設けられていると共に、分割された配線層11の隙間を埋めるように設けられている。本実施形態においては、第2電極層21Bは3つに分割されており、配線層11も、それぞれの第2電極層21Bに対応して少なくとも3つに分割されている。
次に、図9を参照して本発明の第2実施形態に係る電子部品内蔵基板3について説明する。図9は、本発明の第3実施形態に係る電子部品内蔵基板を概略的に示す断面図である。図9に示すように、電子部品内蔵基板3は、基板10と、基板10に内蔵された電子部品20と、応力緩和層30(応力ギャップ層)と、を備えている。電子部品内蔵基板3が電子部品内蔵基板1と相違している点は、応力緩和層30が導電性を有する点である。応力緩和層30が電子部品20の第2電極層21Bに対して配線層11側に設けられており、第2電極層21Bと接触している。また、応力緩和層30は、配線層11の開口13の中に配置されており、基板10の配線層11側の主面10bから露出している。
次に、図13を参照して本発明の第4実施形態に係る電子部品内蔵基板4について説明する。図13は、本発明の第4実施形態に係る電子部品内蔵基板を概略的に示す断面図である。電子部品内蔵基板4は、電子部品内蔵基板3と同様に、基板10と、電子部品20と、導電性を有する応力緩和層30と、を備えている。電子部品内蔵基板4が電子部品内蔵基板3と相違している点は、応力緩和層30及び電子部品20が配線層11に対して順に積層されており、電子部品20の分割された第2電極層21Bに対応して、配線層11が複数に分割されている点である。本実施形態においては、第2電極層21Bは3つに分割されており、配線層11も、それぞれの第2電極層21Bに対応して少なくとも3つに分割されている。これにより、電子部品20の第2電極層21Bは、応力緩和層30及び配線層11を介して外部の電子部品又は配線などと電気的に接続される。
Claims (8)
- 配線層及び前記配線層に対して積層された絶縁層を有する基板と、
前記基板に内蔵され、前記基板の積層方向に交差する方向に延在する一対の電極層及び前記一対の前記電極層の間に設けられた誘電体層を有する電子部品と、
前記積層方向において、前記絶縁層に対して前記配線層側に設けられた応力緩和層と、を備え、
前記積層方向において、前記電子部品の前記配線層側の端部の少なくとも一部は前記応力緩和層に接しており、
前記積層方向において、前記電子部品の前記絶縁層側の端部の少なくとも一部は前記絶縁層に接しており、
前記応力緩和層のヤング率は、前記配線層側に位置する前記電極層のヤング率よりも低い、電子部品内蔵基板。 - 前記応力緩和層は、絶縁性を有する第1応力緩和層と、導電性を有する第2応力緩和層と、を含み、
前記第2応力緩和層は、前記配線層側に位置する前記電極層に対して前記配線層側に設けられている、請求項1に記載の電子部品内蔵基板。 - 配線層及び前記配線層に対して積層された絶縁層を有する基板と、
前記基板に内蔵され、前記基板の積層方向に交差する方向に延在する一対の電極層及び前記一対の前記電極層の間に設けられた誘電体層を有する電子部品と、
前記積層方向において、前記絶縁層に対して前記配線層側に設けられ、絶縁性を有する応力緩和層と、を備え、
前記積層方向において、前記電子部品の前記配線層側の端部の少なくとも一部は前記応力緩和層に接しており、
前記積層方向において、前記電子部品の前記絶縁層側の端部の少なくとも一部は前記絶縁層に接しており、
前記応力緩和層のヤング率は、前記配線層側に位置する前記電極層のヤング率よりも低い、電子部品内蔵基板。 - 配線層及び前記配線層に対して積層された絶縁層を有する基板と、
前記基板に内蔵され、前記基板の積層方向に交差する方向に延在する一対の電極層及び前記一対の前記電極層の間に設けられた誘電体層を有する電子部品と、
前記配線層側に位置する前記電極層に対して前記配線層側に設けられ、導電性を有する応力緩和層と、を備え、
前記応力緩和層のヤング率は、前記配線層側に位置する前記電極層のヤング率よりも低い、電子部品内蔵基板。 - 前記電子部品の少なくとも一部は前記配線層に埋め込まれ、
前記応力緩和層は、前記電子部品内蔵基板の前記配線層側から露出している、請求項1〜4の何れか一項に記載の電子部品内蔵基板。 - 前記応力緩和層及び前記電子部品は前記配線層に対して順に積層され、
前記応力緩和層は前記配線層に接している、請求項1〜4の何れか一項に記載の電子部品内蔵基板。 - 前記応力緩和層のヤング率は、前記配線層のヤング率よりも低い、請求項6に記載の電子部品内蔵基板。
- 前記応力緩和層のヤング率は、前記絶縁層のヤング率よりも低い、請求項1〜7の何れか一項に記載の電子部品内蔵基板。
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JP2003337346A (ja) * | 2002-03-13 | 2003-11-28 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2005191559A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-07-14 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板 |
JP2008172182A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 薄膜コンデンサ搭載基板、および該基板の製造方法と該基板を用いてなる半導体装置 |
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JP2003337346A (ja) * | 2002-03-13 | 2003-11-28 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2005191559A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-07-14 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板 |
JP2008172182A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 薄膜コンデンサ搭載基板、および該基板の製造方法と該基板を用いてなる半導体装置 |
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