JP2018014346A - 発光素子 - Google Patents
発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018014346A JP2018014346A JP2016141224A JP2016141224A JP2018014346A JP 2018014346 A JP2018014346 A JP 2018014346A JP 2016141224 A JP2016141224 A JP 2016141224A JP 2016141224 A JP2016141224 A JP 2016141224A JP 2018014346 A JP2018014346 A JP 2018014346A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflective
- film
- electrode
- light emitting
- reflective electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
11:n層
12:発光層
13:p層
14:透明電極
15:nドット電極
16:DBR層
17:反射電極
17A:反射膜
17B:酸化膜
18:カバーメタル層
19:pドット電極
23:p側接合層
24:n側接合層
Claims (9)
- 反射電極を有した発光素子であって、
前記反射電極は、
AgまたはAg合金からなる反射膜と、透明導電性酸化物からなる酸化膜とを交互に繰り返し積層させ、前記反射膜の層数を2以上とした構造であり、
前記反射膜は、前記酸化膜よりも厚い、
ことを特徴とする発光素子。 - 前記反射膜は、前記酸化膜の厚さの10倍以上である、ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記反射膜の厚さの総計は、100nm以上であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光素子。
- 各前記反射膜の厚さは、10〜100nmであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の発光素子。
- 各前記酸化膜の厚さは、1〜10nmであることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記反射膜の層数は3以上である、ことを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記酸化膜は、IZOまたはITOからなることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の発光素子。
- 反射電極は、最表層が前記反射膜である、ことを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の発光素子。
- III 族窒化物半導体からなることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016141224A JP6783984B2 (ja) | 2016-07-19 | 2016-07-19 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016141224A JP6783984B2 (ja) | 2016-07-19 | 2016-07-19 | 発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018014346A true JP2018014346A (ja) | 2018-01-25 |
JP6783984B2 JP6783984B2 (ja) | 2020-11-11 |
Family
ID=61020621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016141224A Active JP6783984B2 (ja) | 2016-07-19 | 2016-07-19 | 発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6783984B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019149480A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 豊田合成株式会社 | 半導体素子、発光装置、および発光装置の製造方法 |
CN110571346A (zh) * | 2019-08-06 | 2019-12-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
US11289673B2 (en) | 2019-08-06 | 2022-03-29 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel having Bragg mirror and manufacturing method of same |
JP2022122248A (ja) * | 2021-02-09 | 2022-08-22 | 隆達電子股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオード構造 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11186599A (ja) * | 1997-12-15 | 1999-07-09 | Hewlett Packard Co <Hp> | 電極に銀を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置 |
JP2001217461A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合発光素子 |
JP2001274535A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Asahi Chem Res Lab Ltd | 銀マイグレーション防止方法 |
KR20090015633A (ko) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | 포항공과대학교 산학협력단 | 오믹 전극 및 이의 형성 방법 |
WO2014208341A1 (ja) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 株式会社神戸製鋼所 | 反射電極用または配線電極用Ag合金膜、反射電極または配線電極、およびAg合金スパッタリングターゲット |
JP2015505790A (ja) * | 2011-10-18 | 2015-02-26 | サン−ゴバン グラス フランス | 銀層の熱処理方法 |
-
2016
- 2016-07-19 JP JP2016141224A patent/JP6783984B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11186599A (ja) * | 1997-12-15 | 1999-07-09 | Hewlett Packard Co <Hp> | 電極に銀を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置 |
JP2001217461A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合発光素子 |
JP2001274535A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Asahi Chem Res Lab Ltd | 銀マイグレーション防止方法 |
KR20090015633A (ko) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | 포항공과대학교 산학협력단 | 오믹 전극 및 이의 형성 방법 |
JP2015505790A (ja) * | 2011-10-18 | 2015-02-26 | サン−ゴバン グラス フランス | 銀層の熱処理方法 |
WO2014208341A1 (ja) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 株式会社神戸製鋼所 | 反射電極用または配線電極用Ag合金膜、反射電極または配線電極、およびAg合金スパッタリングターゲット |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019149480A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 豊田合成株式会社 | 半導体素子、発光装置、および発光装置の製造方法 |
CN110571346A (zh) * | 2019-08-06 | 2019-12-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
WO2021022587A1 (zh) * | 2019-08-06 | 2021-02-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
US11289673B2 (en) | 2019-08-06 | 2022-03-29 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel having Bragg mirror and manufacturing method of same |
JP2022122248A (ja) * | 2021-02-09 | 2022-08-22 | 隆達電子股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオード構造 |
JP7212754B2 (ja) | 2021-02-09 | 2023-01-25 | 隆達電子股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオード構造 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6783984B2 (ja) | 2020-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4946195B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP6665466B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP5084100B2 (ja) | 窒化物系発光素子及びその製造方法 | |
JP5630384B2 (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP5541261B2 (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子 | |
JP2015060886A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子 | |
JP5178360B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP2018014346A (ja) | 発光素子 | |
TW201703293A (zh) | 發光元件 | |
TWI681571B (zh) | 發光二極體結構 | |
JP5589812B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2008192782A (ja) | 電極及びそれを有するiii族窒化物系化合物半導体発光素子 | |
JP2018113442A (ja) | 電流遮断層を有する発光素子 | |
JP5949368B2 (ja) | 半導体発光素子とその製造方法 | |
JP2007081400A (ja) | 窒化物系半導体発光素子 | |
JP5652373B2 (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
TWI569468B (zh) | 氮化物系半導體發光元件 | |
JP5165254B2 (ja) | フリップチップ型の発光素子 | |
JP6261927B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2017117904A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
JP5541260B2 (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子 | |
US9614188B2 (en) | Organic electroluminescent element and lighting device | |
US20130161669A1 (en) | Light-emitting diode with current diffusion structure and a method for fabricating the same | |
KR100793314B1 (ko) | 다층 구조의 애노드 및 상기 애노드를 포함하는 상향 발광유기 발광소자 | |
JP2015528186A (ja) | Oled用透明被支持電極 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180830 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190806 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191004 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200409 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200908 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200921 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6783984 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |