JP5178360B2 - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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以下の手順で、図1に示される窒化物半導体発光素子を作製した。まず、サファイア基板である基板101上に、AlrGa1-rN(0≦r≦1)からなるバッファ層(50nm厚)、n型GaN層である第1のn型窒化物半導体層102(5μm厚)、GaNからなるバリア層およびInqGa1-qN(0<q<1)からなるウェル層を含む発光層103(100nm厚)、p型AlGaN層(30nm厚)およびp型GaN層(200nm厚)からなるp型窒化物半導体層104、およびn型GaN層である第2のn型窒化物半導体層105(0.2μm厚)をこの順に成長させた。
以下の手順で、図8に示される窒化物半導体発光素子を作製した。まず、実施例1と同様にして、サファイア基板である基板801上に、AlrGa1-rN(0≦r≦1)からなるバッファ層(50nm厚)、n型GaN層である第1のn型窒化物半導体層802(5μm厚)、GaNからなるバリア層およびInqGa1-qN(0<q<1)からなるウェル層を含む発光層803(100nm厚)、p型AlGaN層(30nm厚)およびp型GaN層(200nm厚)からなるp型窒化物半導体層804、およびn型GaN層である第2のn型窒化物半導体層805(0.2μm厚)をこの順に成長させた。
Claims (1)
- 第1のn型窒化物半導体層、発光層、p型窒化物半導体層、第2のn型窒化物半導体層をこの順で含む窒化物半導体発光素子であって、
前記第2のn型窒化物半導体層の一部の表面上に形成される透明導電膜からなる電極と、
前記第2のn型窒化物半導体層表面に、少なくともp型窒化物半導体層の前記第2のn型窒化物半導体層側表面に達する深さを有する凹部を形成してなる電流阻止部と、
前記透明導電膜からなる電極に接続された、ワイヤボンディング用のパッド電極と、
を備え、
前記透明導電膜からなる電極は、スパッタ法により形成され、単一または複数のライン形状を有するか、または網目形状を有し、
前記第2のn型窒化物半導体層における、前記透明導電膜からなる電極が形成される側の表面の少なくとも一部は、凹凸形状を有し、
前記透明導電膜からなる電極は、その一部が前記電流阻止部を構成する凹部の底面に接するように形成されており、
前記パッド電極は、前記電流阻止部を構成する凹部の底面上に形成され、前記透明導電膜からなる電極の前記一部と接している窒化物半導体発光素子。
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