JP2018010216A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

表示装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018010216A
JP2018010216A JP2016140059A JP2016140059A JP2018010216A JP 2018010216 A JP2018010216 A JP 2018010216A JP 2016140059 A JP2016140059 A JP 2016140059A JP 2016140059 A JP2016140059 A JP 2016140059A JP 2018010216 A JP2018010216 A JP 2018010216A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
display device
marker
flexible substrate
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2016140059A
Other languages
English (en)
Inventor
佐伯 孝
Takashi Saeki
孝 佐伯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Display Inc filed Critical Japan Display Inc
Priority to JP2016140059A priority Critical patent/JP2018010216A/ja
Priority to US15/478,458 priority patent/US10043835B2/en
Publication of JP2018010216A publication Critical patent/JP2018010216A/ja
Priority to US16/023,646 priority patent/US10283535B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68778Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting substrates others than wafers, e.g. chips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/54Arrangements for reducing warping-twist
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

【課題】フレキシブル基板を用いた表示装置の折り曲げ精度を向上させること。
【解決手段】表示装置の製造方法は、磁石を含む治具の上に、複数の画素が設けられた基板を配置し、前記基板の上に、磁性材料で構成されたプレートを配置することにより前記基板を磁力で固定し、前記治具と前記プレートとの間に前記基板を挟んだ状態で、前記基板の一端を折り曲げることを含む。前記基板の一端を折り曲げるとき、スペーサーを間に挟んで前記基板を折り曲げてもよい。
【選択図】図6

Description

本発明は、複数の画素を含む表示装置に関する。特に、基板として折り曲げ可能なフレキシブル基板を用いた表示装置に関する。
従来、LCD(Liquid Crystal Display)やOLED(Organic Light Emitting Diode)ディスプレイなどの表示装置として、可撓性を有する基板(以下「フレキシブル基板」という。)を用いた表示装置が知られている。フレキシブル基板を用いた表示装置は、パネル全体に柔軟性があり、折り曲げ可能であるため、汎用性が高いという特長がある。
また、フレキシブル基板を用いた場合、表示装置のベゼル部分の縮小化が可能であるという利点がある。例えば、特許文献1では、画素アレイ部と周辺回路部を接続する配線部においてフレキシブル基板を折り曲げることにより、周辺回路部を画素アレイ部の背面側に配置した表示装置が開示されている。これにより、表示装置のベゼル部分を狭くすることができ、表示装置を小型化することができる。
特開2011−209405号公報
上述した特許文献1には、配線部を境にして基板をほぼ180°折り曲げた構成とすることが開示されている。この場合、正確な位置で基板を折り曲げないと、配線の断線を招くおそれがある。しかしながら、表示装置には、製造過程において反りが発生している場合が多く、その反りの影響を受けて正確な位置で基板を折り曲げることが困難であった。
本発明の課題の一つは、フレキシブル基板を用いた表示装置の折り曲げ精度を向上させることにある。
本発明の一実施形態における表示装置の製造方法は、磁石を含む治具の上に、複数の画素が設けられた基板を配置し、前記基板の上に、磁性材料で構成されたプレートを配置することにより前記基板を磁力で固定し、前記治具と前記プレートとの間に前記基板を挟んだ状態で、前記基板の一端を折り曲げることを含む。前記基板の一端を折り曲げるとき、スペーサーを間に挟んで前記基板を折り曲げてもよい。
本発明の一実施形態における表示装置は、第1面を内側にして折り曲げられた部分を含む基板と、前記基板における前記第1面とは反対側の第2面に設けられた複数の画素と、平面視において、互いに向かい合うように前記第2面に設けられた第1マーカー及び第2マーカーと、を含む。第1面を内側にして折り曲げられた部分には、スペーサーを有してもよい。
第1実施形態における有機EL表示装置の構成を示す平面図である。 第1実施形態における有機EL表示装置の構成を示す断面図である。 第1実施形態における有機EL表示装置の製造方法を示す断面図である。 第1実施形態における有機EL表示装置の製造方法を示す断面図である。 第1実施形態における有機EL表示装置の製造方法を示す断面図である。 第1実施形態における有機EL表示装置の折り曲げ加工の様子を示す斜視図である。 第1実施形態における有機EL表示装置の折り曲げ加工に使用する治具の構成を示す平面図である。 第1実施形態における有機EL表示装置の構成を示す拡大図である。 第1実施形態における有機EL表示装置の構成を示す拡大図である。 第1実施形態における有機EL表示装置の折り曲げ加工の様子を示す斜視図である。 第1実施形態における有機EL表示装置の構成を示す拡大図である。 第1実施形態における有機EL表示装置の検査過程の様子を示す斜視図である。
以下、本発明の実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
(第1実施形態)
<表示装置の構成>
図1は、第1実施形態の表示装置における構成を示す平面図である。図2は、第1実施形態の表示装置における構成を示す断面図である。具体的には、図2は、図1に示した有機EL(エレクトロルミネセンス)表示装置10をA−A’で切断した断面に対応する図である。なお、本実施形態では、表示装置の一例として有機EL表示装置10を例示するが、本発明は、これ以外の表示装置に対しても適用可能である。
本実施形態における有機EL表示装置10は、樹脂材料で構成されたフレキシブル基板101の上に、表示領域としての表示回路102、走査線駆動回路103、信号線駆動回路104、配線部105、論理回路106、及びフレキシブルプリント回路107を有する。
フレキシブル基板101は、樹脂材料で構成されており、可撓性を有する。樹脂材料としては、ポリイミド、アクリルといった樹脂材料を用いることが可能である。ただし、これらの材料以外であっても可撓性を有する基板を構成する材料として適切なものであれば使用可能である。
表示回路102は、フレキシブル基板101の表面に形成された複数の画素102aにより構成される。つまり、行列方向に複数配置された画素102aが、画面を表示する領域として機能する表示回路102を構成する。画素102aは、半導体デバイスとしての薄膜トランジスタと、表示素子としての有機EL(エレクトロルミネセンス)素子とを含んでいる。
走査線駆動回路103は、行方向(図1における横方向)に延びる複数の走査線に接続されている。また、信号線駆動回路104は、列方向(図1における縦方向)に延びる複数の信号線に接続されている。これら複数の走査線と複数の信号線とが交差する位置に対応して複数の画素102aが配置される。なお、本実施形態の有機EL表示装置10は、画素102aの形成と同時に、薄膜トランジスタを用いて走査線駆動回路103及び信号線駆動回路104を形成している。
配線部105には、走査線駆動回路103及び信号線駆動回路104と論理回路106とを接続する複数の配線が設けられている。後述するように、本実施形態では、配線部105がフレキシブル基板101の折り曲げ位置として利用される。
論理回路106は、走査線駆動回路103及び信号線駆動回路104に対して所定の制御信号及びデータ信号を出力する回路である。具体的には、論理回路106は、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)等の集積回路で構成することができる。なお、本実施形態では、論理回路106を用いて走査線駆動回路103及び信号線駆動回路104の両方を制御する例を示したが、走査線駆動回路103及び信号線駆動回路104のいずれか一方または両方を論理回路106で代替してもよい。
フレキシブルプリント回路107は、論理回路106と外部回路との間の信号の送受信を行うための端子として用いられる回路である。フレキシブルプリント回路107は、可撓性を有する樹脂基板上に複数の配線を配置した構成を有し、フレキシブル基板101上に接着されて論理回路106と電気的に接続される。論理回路106は、フレキシブルプリント回路107上に配置されてもよい。
また、本実施形態の有機EL表示装置10は、フレキシブル基板101の一部が折り曲げられて、畳まれている。具体的には、図2に示すように、フレキシブル基板101を構成する面のうち、複数の画素102aが形成される面を表面とし、その反対側の面を裏面とした場合、フレキシブル基板101は裏面を内側にして配線部105にて折り曲げられている。
したがって、図2に示すように、本実施形態の有機EL表示装置10を側面から見た場合、論理回路106及びフレキシブルプリント回路107は、表示回路102の裏側に配置されることとなる。つまり、フレキシブル基板101の一端を折り曲げて、論理回路106やフレキシブルプリント回路107を表示回路102の裏側に配置した構成とすることにより、全体的に有機EL表示装置10を小型化することができる。
なお、後述するように、本実施形態では、フレキシブル基板101を折り曲げるとき、スペーサー108を間に挟んで折り曲げている。したがって、有機EL表示装置10は、折り曲げられた部分101aにスペーサー108を有している。スペーサー108は、折り曲げ位置となる配線部105において、配線が断線することを防止する目的で配置される。すなわち、フレキシブル基板101を折り曲げる際に、最小曲率半径(例えば、r=0.5mm)を一定に保つ役割を果たす。
また、本実施形態の有機EL表示装置10は、フレキシブル基板101の表面側に、表示回路102、走査線駆動回路103及び信号線駆動回路104を覆うよう封止層109及び保護基板110を有する。封止層109は、ポリイミドやアクリルといった樹脂層で構成される。保護基板110は、フレキシブル基板101と同様の樹脂材料で構成することができる。封止層109及び保護基板110は、いずれも表示回路102、走査線駆動回路103及び信号線駆動回路104を外部からの水分や衝撃から保護する役割を果たす。ただし、封止層109によって十分に外部からの水分や衝撃を防ぐことができるのであれば、保護基板110は省略してもよい。
さらに、本実施形態の有機EL表示装置10は、フレキシブル基板101及び保護基板110の表面を保護するための保護フィルム111a〜111dが設けられている。このとき、保護フィルム111aは、保護基板110の表面(観察者側の面)を保護する。保護フィルム111b及び保護フィルム111cは、フレキシブル基板101の裏面を保護する。保護フィルム111dは、フレキシブル基板101の表面を保護する。
図2に示すように、保護フィルム111b及び保護フィルム111cは、スペーサー108を間に挟んで異なる位置に配置される。例えば、保護フィルム111bは、フレキシブル基板101の裏面のほぼ全域を保護し、保護フィルム111cは、フレキシブル基板101のうち、折り曲げられた部分101aよりも先(端部側)に位置する部分の裏面を保護する。これにより、フレキシブル基板101を折り曲げた際に、フレキシブル基板101の裏面同士が直接的に接触することを防ぐことができる。
保護フィルム111dは、露出したフレキシブル基板101の表面(本実施形態の場合、配線部105)を保護するとともに、フレキシブル基板101を折り曲げる際に中立面の位置を制御する目的で配置される。ここで、中立面とは、積層体を折り曲げる際に、圧縮歪みと引張歪みが釣り合う面を指す。つまり、本実施形態では、フレキシブル基板101と配線部105とを含む積層体に対して保護フィルム111dを設けることにより、意図的に中立面が配線部105に一致するようにしている。このように設定すると、フレキシブル基板101を折り曲げる際、配線部105を構成する配線に中立面が位置するため、配線が応力歪みにより断線するおそれを低減することができる。
なお、本実施形態の有機EL表示装置10は、図1に示すように、フレキシブル基板101上において、表示回路102(複数の画素102aが配置される領域)以外の領域に、アライメントマーカー(位置合わせのためのマーカー)112a、113aを有する。これらのアライメントマーカー112a、113aは、後述する表示装置の製造過程において重要な役割を果たす。この点については、以下に示す表示装置の製造方法の説明で詳しく述べる。
<表示装置の製造方法>
本実施形態の有機EL表示装置10の製造方法について説明する。まず、図3に示すように、ガラス等で構成される第1支持基板301上に第1樹脂層302を形成する。第1樹脂層302は、第1支持基板301の剥離後に、フレキシブル基板101として機能する層である。
次に、第1樹脂層302上に、既知の薄膜トランジスタの製造プロセスを用いて、表示回路102及び信号線駆動回路104を形成する。なお、図3には図示されないが、表示回路102及び信号線駆動回路104の形成と同時に、走査線駆動回路103及び配線部105も第1樹脂層302上に形成される。なお、図1に示したアライメントマーカー112a、113aは、薄膜トランジスタの製造プロセスの過程で形成すればよい。なお、信号線駆動回路104又は走査線駆動回路103が、必ずしもこの工程で第1樹脂層302上に形成されなくても良い。その場合は、後の工程で論理回路106に含まれる一部として実装される。
表示回路102及び信号線駆動回路104を形成したら、樹脂材料で構成される封止層109を用いて第2支持基板303及び第2樹脂層304を接着する。具体的には、予め第2支持基板303上に第2樹脂層304を形成しておき、封止層109を介して第1樹脂層302と第2樹脂層304が向かい合うように接着する。
次に、図4に示すように、第1樹脂層302上に論理回路106及びフレキシブルプリント回路107を配置する。具体的には、第1樹脂層302上には、配線部105と電気的に接続する端子部が設けられており、その端子部に対して論理回路106及びフレキシブルプリント回路107が接続される。
次に、図5に示すように、第1支持基板301及び第2支持基板303を剥離して第1樹脂層302及び第2樹脂層304を露出させる。第1支持基板301及び第2支持基板303の剥離は、レーザー光を基板と樹脂層との間の界面に照射することにより行えばよい。これ以降、第1樹脂層302をフレキシブル基板101と呼び、第2樹脂層304を保護基板110と呼ぶ。
第1支持基板301及び第2支持基板303の剥離が完了したら、フレキシブル基板101及び保護基板110の対応する箇所に、それぞれ保護フィルム111a〜111dを接着する。このような製造プロセスを経て、複数の画素が設けられたフレキシブル基板10’が完成する。換言すれば、フレキシブル基板10’は、折り曲げ加工前の有機EL表示装置とも言える。
次に、複数の画素が設けられたフレキシブル基板に対して折り曲げ加工を行う。具体的には、後述する磁石を含む治具21と磁性材料で構成されたプレート(以下「磁性プレート」という。)31との間にフレキシブル基板10’を挟んで固定し、フレキシブル基板10’の一部を折り曲げる。これにより、フレキシブル基板10’における論理回路106及びフレキシブルプリント回路107といった部品が配置された部分を、表示回路102の裏側に折り畳む加工を行う。
図6に示すように、本実施形態では、まず治具21の上に、複数の画素が設けられたフレキシブル基板10’を配置する。本実施形態では、2枚のフレキシブル基板10’を配置する例を示しているが、特に枚数に制限はない。治具21は、磁石で構成された治具であってもよいし、磁力を有する金属板で構成された治具であってもよい。いずれにしても、後述する磁性プレート31を磁力により固定することが可能な材質で構成されていればよい。
なお、図7に示すように、本実施形態の治具21は、フレキシブル基板10’を配置する位置を示すマーカー22を備えている。治具21へのマーカー22の形成方法は、例えば印刷、貼物、罫書きなど、容易に視認できる方法であれば、いかなる方法を用いてもよい。また、マーカー22に代えて、治具21におけるフレキシブル基板10’を配置する位置に凹部を設け、フレキシブル基板10’の一部が嵌まるように配置する構成としてもよい。勿論、凹部を磁性プレート31側に設けることも可能である。
本実施形態では、上述のマーカー22や凹部を確認して位置合わせを行いながらフレキシブル基板10’を配置するが、その位置合わせ精度は、比較的低いものであっても構わない。後述するように、治具21と磁性プレート31とでフレキシブル基板10’を固定できれば十分だからである。
図6に戻って、治具21の端部には、突起部23が設けられる。また、磁性プレート31の端部には、孔部32が設けられる。これら突起部23と孔部32とは、互いに対応する位置に設けられており、孔部32に対して突起部23が挿入されるように治具21と磁性プレート31とを重ね合わせる。つまり、突起部23及び孔部32は、治具21と磁性プレート31とを貼り合わせる際の位置決めと、貼り合わせた後の固定に利用される。
なお、本実施形態の磁性プレート31には、開口部33が設けられている。開口部33は、治具21上に配置されたフレキシブル基板10’の表示回路102(一点鎖線で示される領域)が露出する位置に設けられる。したがって、本実施形態では、治具21と磁性プレート31を貼り合わせた後も、表示回路102が視認できるようになっている。ただし、開口部33は省略することも可能である。
以上のように、治具21の上にフレキシブル基板10’を配置した後、突起部23及び孔部32の位置を合わせつつフレキシブル基板10’上に磁性プレート31を配置することにより、フレキシブル基板10’を磁力で固定することが可能である。本実施形態では、このように磁力でフレキシブル基板10’を固定した上で、その一部を折り曲げる加工を行う。したがって、フレキシブル基板10’の反りを矯正した状態で折り曲げ加工を行えるため、後述するアライメントマーカーを用いた位置合わせも精度よく行うことが可能となる。
次に、フレキシブル基板10’の折り曲げ位置付近の構成について説明する。図8は、図7に示す枠線24で囲まれた部分の拡大図の構成を示す図である。図8に示すように、フレキシブル基板10’の折り曲げ位置801に対して線対称となる位置には、アライメントマーカー112a、112bが形成されている。
なお、図8では図示されないが、フレキシブル基板10’の反対側の端部(図1におけるアライメントマーカー113aの位置)にも、折り曲げ位置801に対して線対称となる位置に2つのアライメントマーカーが形成されている。このように、本実施形態では、折り曲げ位置801に対して線対称となる位置に、少なくとも4つのアライメントマーカーが設けられている。ただし、説明を簡単にするため、ここではアライメントマーカー112a、112bに着目して説明する。
なお、本実施形態では、4つのアライメントマーカーを用いる例を示したが、これに限定されるものではない。つまり、一対のアライメントマーカーが少なくとも1組設けられていれば、位置合わせを行うことが可能である。
これらのアライメントマーカー112a、112bは、表示回路102などを形成する際における薄膜トランジスタの製造過程において、いずれかの薄膜を用いて形成すればよい。その際、表示回路102(複数の画素102aが配置される領域)以外の領域に形成することが望ましい。また、アライメントマーカー112a、112bの視認性を向上させるためには、金属層を用いることが好ましい。さらに、アライメントマーカー112a、112bの形状は、図8に示した形状に限定されるものではなく、一対の位置合わせ用のマーカーとして機能するものであればいかなる形状であってもよい。
本実施形態では、折り曲げ位置801を基準としてフレキシブル基板10’の一部を、裏面を内側にして折り曲げる(図2参照)。その際、互いに異なる位置に設けられたアライメントマーカー112a、112bを用いた位置合わせを行いながらフレキシブル基板10’の一端を折り曲げることにより、精度の良い折り曲げ加工を行うことができる。本実施形態の場合、アライメントマーカー112a、112bが平面視において重畳するように折り曲げることにより位置合わせを行うことができる。
なお、図9に示すように、本実施形態では、フレキシブル基板10’を折り曲げるに際して、フレキシブル基板10’の裏面側にスペーサー108を配置する。図9において、手前側がフレキシブル基板10’の表面であり、奥側がフレキシブル基板10’の裏面である。つまり、フレキシブル基板10’を折り曲げるときは、図10に示すように、論理回路106及びフレキシブルプリント回路107が設けられた部分がフレキシブル基板10’の裏面側に配置されるように折り曲げる。これにより、図2に示した有機EL表示装置10を得ることができる。
以上のように、本実施形態における表示装置の製造方法においては、複数の画素が設けられたフレキシブル基板10’を、磁石を含む治具21及び磁性プレート31を用いて磁力で固定した後、フレキシブル基板10’の一部(具体的には、論理回路106等が設けられた一端)を折り曲げる。これにより、フレキシブル基板10’の反りを矯正した状態で折り曲げ加工を行うことができ、折り曲げ精度を向上させることができる。
さらに、本実施形態では、折り曲げ位置801を基準として一対のアライメントマーカー112a、112bを設け、これらを用いて位置合わせを行いながらフレキシブル基板10’の折り曲げ加工を行う。これにより、前述の磁力を用いたフレキシブル基板10’の反りの矯正との相乗効果により、より折り曲げ精度の高い加工を行うことができる。
上述した効果は、本実施形態のようにスペーサー108を内側に挟んで折り曲げるような場合に有効である。すなわち、折り曲げ精度を高めることにより、折り曲げの際にスペーサー108の位置がずれることがなく、十分な曲率半径を確保できずに配線が断線するといった不具合を回避することができる。
(変形例)
本実施形態における表示装置の製造方法では、フレキシブル基板10’とスペーサー108との間の位置合わせを行ってもよい。図11は、図9に示す枠線25で囲まれた部分の拡大図の構成を示す図である。図11に示すように、フレキシブル基板10’には、前述のアライメントマーカー112a、112bとは異なる他のアライメントマーカー115aが設けられている。
本変形例におけるアライメントマーカー115aは、四角形状の4つのマーカーが1セットになっている。他方、スペーサー108には、スペーサー用のアライメントマーカー115bが設けられている。本変形例では、これらのアライメントマーカー115a、115bが一対のマーカーとして機能し、フレキシブル基板10’とスペーサー108との間の位置合わせが可能となっている。
したがって、フレキシブル基板10’の裏面側にスペーサー108を、接着層を介して接着する際に、アライメントマーカー115a、115bを用いて位置合わせを行うことにより、さらに精度の高い折り曲げ加工を実現することができる。
(第2実施形態)
第1実施形態では、有機EL表示装置10の製造方法について詳細に説明したが、この製造方法には、検査過程が含まれていてもよい。すなわち、第1実施形態で説明した磁石を含む治具21及び磁性材料で構成されたプレート31は、有機EL表示装置10の検査過程において用いることも可能である。
図12は、第2実施形態における有機EL表示装置10の検査過程の様子を示す斜視図である。図12において、第1実施形態で説明したフレキシブル基板10’(つまり、折り曲げ加工前の有機EL表示装置)は、治具21及び磁性プレート31で挟まれた状態で配置されている。このとき、磁性プレート31に設けられた開口部33によってフレキシブル基板10’上に形成された表示回路102が露出する。
したがって、本実施形態によれば、フレキシブル基板10’の反りを矯正した状態で表示回路102の検査を行うことが可能であり、より精度の高い検査過程を含む有機EL表示装置の製造方法を実現することができる。
なお、本実施形態では、有機EL表示装置10の表示回路102を検査する例を示したが、開口部33の位置を変更することにより、走査線駆動回路103や信号線駆動回路104といった他の回路を検査することも可能である。
本実施形態においては、開示例として有機EL表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、有機EL表示装置以外の自発光装置、液晶表示装置、または電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特にサイズを限定することなく適用が可能である。
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
また、上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
10…表示装置、10’…フレキシブル基板、21…治具、22…マーカー、23…突起部、24、25…枠線、枠線、31…磁性材料で構成されたプレート(磁性プレート)、32…孔部、33…開口部、101…フレキシブル基板、101a…折り曲げ部分、102…表示回路、102a…画素、103…走査線駆動回路、104…信号線駆動回路、105…配線部、106…論理回路、107…フレキシブルプリント回路、108…スペーサー、109…封止層、110…保護基板、111a〜111d…保護フィルム、112a、112b、113a、115a、115b…アライメントマーカー、301…第1支持基板、302…第1樹脂層、303…第2支持基板、304…第2樹脂層、801…折り曲げ位置

Claims (15)

  1. 磁石を含む治具の上に、複数の画素が設けられた基板を配置し、
    前記基板の上に、磁性材料で構成されたプレートを配置することにより前記基板を磁力で固定し、
    前記治具と前記プレートとの間に前記基板を挟んだ状態で、前記基板の一端を折り曲げることを含む、表示装置の製造方法。
  2. 前記基板の一端を折り曲げるとき、スペーサーを間に挟んで前記基板を折り曲げる、請求項1に記載の表示装置の製造方法。
  3. 前記基板は、互いに異なる位置に設けられた第1マーカー及び第2マーカーを有し、
    前記第1マーカー及び前記第2マーカーを用いた位置合わせを行いながら前記基板の一端を折り曲げる、請求項2に記載の表示装置の製造方法。
  4. 磁石を含む治具の上に、複数の画素が設けられた基板を配置し、
    前記基板の上に、磁性材料で構成されたプレートを、当該プレートに設けられた開口部を介して前記基板の一部が露出するように配置することにより、前記基板を磁力で固定し、
    前記治具と前記プレートとの間に前記基板を挟んだ状態で、露出した前記基板の一部を検査することを含む、表示装置の製造方法。
  5. 前記治具は、位置合わせのための突起部を有し、
    前記プレートは、前記突起部を挿入可能な大きさの孔部を有し、
    前記突起部が前記孔部に嵌まるように、前記プレートを前記基板の上に配置する、請求項1又は4に記載の表示装置の製造方法。
  6. 前記治具に設けられたマーカー又は凹部を用いた位置合わせを行いながら前記治具の上に前記基板を配置する、請求項1又は4に記載の表示装置の製造方法。
  7. 前記プレートには、凹部が設けられ、
    前記基板の一部が前記凹部に嵌まるように、前記基板の上に前記プレートを配置する、請求項1又は4に記載の表示装置の製造方法。
  8. 前記プレートには、開口部が設けられ、
    前記複数の画素の少なくとも一部が前記開口部から露出するように、前記基板の上に前記プレートを配置する、請求項1に記載の表示装置の製造方法。
  9. 第1面を内側にして折り曲げられた部分を含む基板と、
    前記基板における前記第1面とは反対側の第2面に設けられた複数の画素と、
    平面視において、互いに向かい合うように前記第2面に設けられた第1マーカー及び第2マーカーと、
    を含む、表示装置。
  10. 前記第1マーカー及び前記第2マーカーは、前記複数の画素が配置される領域以外の領域に設けられる、請求項9に記載の表示装置。
  11. 前記第1マーカー及び前記第2マーカーの少なくとも一つは、前記第2面に設けられた金属層を含む、請求項9に記載の表示装置。
  12. 前記第1面を内側にして折り曲げられた部分に設けられたスペーサーを有する、請求項9に記載の表示装置。
  13. 前記第2面に設けられた第3マーカーをさらに含み、
    前記スペーサーは、平面視において前記第3マーカーと重畳する位置に設けられている、請求項12に記載の表示装置。
  14. 前記スペーサーは、前記第3マーカーと向かい合うように設けられたマーカーを有する、請求項13に記載の表示装置。
  15. 前記第3マーカーと前記スペーサーに設けられたマーカーとの間に接着層を有する、請求項14に記載の表示装置。
JP2016140059A 2016-07-15 2016-07-15 表示装置及びその製造方法 Pending JP2018010216A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016140059A JP2018010216A (ja) 2016-07-15 2016-07-15 表示装置及びその製造方法
US15/478,458 US10043835B2 (en) 2016-07-15 2017-04-04 Display device and method for manufacturing the same
US16/023,646 US10283535B2 (en) 2016-07-15 2018-06-29 Display device and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016140059A JP2018010216A (ja) 2016-07-15 2016-07-15 表示装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018010216A true JP2018010216A (ja) 2018-01-18

Family

ID=60941321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016140059A Pending JP2018010216A (ja) 2016-07-15 2016-07-15 表示装置及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US10043835B2 (ja)
JP (1) JP2018010216A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111223398A (zh) * 2018-11-23 2020-06-02 北京小米移动软件有限公司 柔性显示屏模组和电子设备
JP2022550642A (ja) * 2019-08-02 2022-12-05 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 表示装置及び表示装置の製造方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI832717B (zh) * 2014-04-25 2024-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
CN106526931A (zh) * 2016-11-04 2017-03-22 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、液晶显示面板及液晶显示面板的制备方法
JP2018105976A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2019066750A (ja) * 2017-10-04 2019-04-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102524340B1 (ko) * 2018-02-22 2023-04-25 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200108139A (ko) * 2019-03-06 2020-09-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN110703479B (zh) * 2019-09-24 2022-03-29 上海中航光电子有限公司 显示装置
KR20210065589A (ko) * 2019-11-27 2021-06-04 엘지디스플레이 주식회사 타일링 표시 장치 제조용 마운팅 지그 및 이를 이용한 타일링 표시 장치 제조 방법
CN111402736B (zh) * 2020-03-26 2022-03-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置
KR20220031778A (ko) * 2020-09-03 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 라미네이션 장치, 표시 장치, 및 표시 장치 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001175195A (ja) * 1999-12-20 2001-06-29 Seiko Seiki Co Ltd 表示装置およびその製造方法
JP2006119566A (ja) * 2004-10-21 2006-05-11 Samsung Electronics Co Ltd 治具及びこれを用いた表示装置の製造方法
US20150137102A1 (en) * 2013-11-21 2015-05-21 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method for manufacturing organic light-emitting display device
JP2015204239A (ja) * 2014-04-16 2015-11-16 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001009675A1 (fr) * 1999-07-29 2001-02-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif d'affichage a cristaux liquides et procede de fabrication
US6982793B1 (en) * 2002-04-04 2006-01-03 Nanometrics Incorporated Method and apparatus for using an alignment target with designed in offset
US6897099B2 (en) * 2002-07-23 2005-05-24 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Method for fabricating liquid crystal display panel
KR100724479B1 (ko) * 2003-11-07 2007-06-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 구동회로와의 본딩상태 검사방법
KR20070117110A (ko) * 2006-06-07 2007-12-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 테이프 캐리어 패키지 및 이를 포함하는 액정표시장치
JP5273330B2 (ja) * 2006-08-04 2013-08-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20090030540A (ko) * 2007-09-20 2009-03-25 삼성전자주식회사 반도체 패키지, 이를 제조하기 위한 반도체 패키지의제조장치와 반도체 패키지의 제조방법, 그리고 반도체패키지를 구비한 전자 기기
JP2011209405A (ja) 2010-03-29 2011-10-20 Sony Corp 表示装置及び電子機器
KR102097150B1 (ko) * 2013-02-01 2020-04-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
US9349969B2 (en) * 2013-02-01 2016-05-24 Lg Display Co., Ltd. Electronic devices with flexible display and method for manufacturing the same
US9740035B2 (en) * 2013-02-15 2017-08-22 Lg Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting display device and method for manufacturing the same
US9209207B2 (en) * 2013-04-09 2015-12-08 Apple Inc. Flexible display with bent edge regions
US9276055B1 (en) * 2014-08-31 2016-03-01 Lg Display Co., Ltd. Display device with micro cover layer and manufacturing method for the same
US9287329B1 (en) * 2014-12-30 2016-03-15 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with chamfered polarization layer
JP2016188976A (ja) * 2015-03-30 2016-11-04 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001175195A (ja) * 1999-12-20 2001-06-29 Seiko Seiki Co Ltd 表示装置およびその製造方法
JP2006119566A (ja) * 2004-10-21 2006-05-11 Samsung Electronics Co Ltd 治具及びこれを用いた表示装置の製造方法
US20150137102A1 (en) * 2013-11-21 2015-05-21 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method for manufacturing organic light-emitting display device
JP2015204239A (ja) * 2014-04-16 2015-11-16 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111223398A (zh) * 2018-11-23 2020-06-02 北京小米移动软件有限公司 柔性显示屏模组和电子设备
JP2022550642A (ja) * 2019-08-02 2022-12-05 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 表示装置及び表示装置の製造方法
US11839135B2 (en) 2019-08-02 2023-12-05 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP7466311B2 (ja) 2019-08-02 2024-04-12 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 表示装置及び表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20180019267A1 (en) 2018-01-18
US10043835B2 (en) 2018-08-07
US20180323223A1 (en) 2018-11-08
US10283535B2 (en) 2019-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2018010216A (ja) 表示装置及びその製造方法
US9269650B2 (en) Chip-on-film package and display device including the same
JP6786284B2 (ja) 表示装置の製造方法、及び表示装置
US9576520B2 (en) Display device with groove in a non-display area and method of manufacturing the same
JP4240111B2 (ja) 電気光学装置の製造方法
JP2018013619A (ja) 表示装置の製造方法、及び表示装置
US20170293176A1 (en) Display panel and display apparatus including the same
KR20070116739A (ko) 전기 광학 장치, 및 이것을 구비한 전자 기기
JP5126033B2 (ja) 表示装置
US9570035B2 (en) Display device
US10228583B2 (en) Display panel including a verification code and display device having the same
US10036911B2 (en) Tiled display device
US20200352020A1 (en) Display device, flexible wiring board, method of manufacturing the display device, and electronic device
WO2020039709A1 (ja) 表示装置及び集積回路モジュール
KR102468443B1 (ko) 표시장치
JP2009109733A (ja) 表示装置
US20120182515A1 (en) Liquid crystal display apparatus
JPWO2017017817A1 (ja) 表示装置
US9036357B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
KR100860196B1 (ko) 실장 구조체, 전기 광학 장치, 전자 기기, 및 실장구조체의 제조 방법
KR20150111545A (ko) 표시 장치
US9971178B2 (en) Display device
KR102309490B1 (ko) 표시장치
KR102565698B1 (ko) 표시 장치
CN113267920A (zh) 电子装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190710

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200520

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200602

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20201201