JP2018001474A - 脆性基板の分断方法 - Google Patents
脆性基板の分断方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018001474A JP2018001474A JP2016128426A JP2016128426A JP2018001474A JP 2018001474 A JP2018001474 A JP 2018001474A JP 2016128426 A JP2016128426 A JP 2016128426A JP 2016128426 A JP2016128426 A JP 2016128426A JP 2018001474 A JP2018001474 A JP 2018001474A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- brittle substrate
- crack
- forming
- dummy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 177
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 116
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 58
- 206010011376 Crepitations Diseases 0.000 claims abstract description 11
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 claims abstract description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 77
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 6
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 5
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- XKUFZFHWUPPPDG-UHFFFAOYSA-N CC(C)C1C(C)(C[ClH]C)CC(C)C1 Chemical compound CC(C)C1C(C)(C[ClH]C)CC(C)C1 XKUFZFHWUPPPDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
Description
図1を参照しつつ、本実施の形態における脆性基板の分断方法について、以下に説明する。
本実施の形態においては、クラックラインCL(図4および図5)を形成する方法が、実施の形態1におけるものとは異なっている。以下、本実施の形態におけるガラス基板4の分断方法について、以下に説明する。
図20および図21を参照して、本実施の形態においては、クラックラインCLを形成する工程は、クラックラインCLがガラス基板4の上面SF1上において曲線部を有するように行われる。より具体的には、クラックラインCLを形成する工程は、クラックラインCLがガラス基板4の上面SF1上において閉曲線をなすように行われる。
実施の形態1(図5)においては、ダミーラインDLは、厚さ方向に沿ってガラス基板4の下面SF2上にクラックラインCLを射影した位置から、ゼロよりも大きい寸法SH(図5)だけシフトされており、この寸法SHは下面SF2上のすべての位置で一定であってよい。これに対して本実施の形態においては、寸法SHの大きさが、位置によって相違させられる。この方法について、以下、具体的に説明する。
図36および図37を参照して、ガラス基板4の下面SF2上にダミーラインDLが形成される。本実施の形態においては、ダミーラインDLを形成する工程は、ダミーラインDLが第1の部分DL1および第2の部分DL2を有するように行われる。
上述した実施の形態1〜5においては、クラックラインCLを形成する工程(図5)は、クラックラインCLがガラス基板4の上面SF1近傍において上面SF1から垂直に延びるように行われる場合について説明した。これに対して本実施の形態においては、クラックラインCLを形成する工程は、クラックラインCLがガラス基板4の上面SF1から斜めに延びるように行われる。一般に、ガラス基板4の上面SF1に垂直な方向(以下、方向XPとも称する)から傾いた方向に延びるように形成されたクラックラインCL(図43)がさらに伸展する場合、本発明者の検討によれば、直線的に伸展する場合(図44)だけでなく、途中で伸展方向が意図せず変化してしまう場合(図45)がある。本実施の形態によれば、このような変化が抑制される。以下、そのための方法について具体的に説明する。
図48を参照して、ダミーラインDLが形成されることによってガラス基板4に生じている内部応力の分布が、図中破線によって模式的に示されている。上述した実施の形態1〜6においては、ダミーラインDLを形成する工程は、ダミーラインDLの周囲におけるガラス基板4の内部応力がガラス基板4の下面SF2に垂直な対称軸XSを有するように行われてよい。このようなダミーラインDLは、通常のスクライビング器具を用いて容易に形成することができる。
図49を参照して、実施の形態7のダミーラインDL(図48)と異なり、本実施の形態のダミーラインDLiを形成する工程は、ダミーラインDLの周囲におけるガラス基板4の内部応力がガラス基板4の下面SF2に対して斜めの対称軸XSiを有するように行われる。ダミーラインDLiは、斜めの対称軸XSiを有する刃先によって形成され得る。具体的には、通常の刃先が対称軸XSiに沿って斜めに傾けられつつ用いられるか、あるいはそのような傾きを設ける代わりに、対称軸XSiを有する特別な刃先が準備される。ダミーラインDLiを、上述した実施の形態1〜6のダミーラインDLの代わりに適用することができる。以下、特に、ダミーラインDLiが実施の形態1と類似の形態に適用された場合について説明する。
CL クラックライン
DL ダミーライン
SF1 上面(第1の面)
SF2 下面(第2の面)
TL トレンチライン
XS,XSi 対称軸
4 ガラス基板(脆性基板)
Claims (11)
- 第1の面および前記第1の面と反対の第2の面を有し、前記第1の面に垂直な厚さ方向を有する脆性基板を準備する工程と、
前記脆性基板の前記第2の面上において刃先を移動させることによって前記第2の面上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有するダミーラインを形成する工程とを備え、前記ダミーラインを形成する工程は、前記ダミーラインの直下において前記脆性基板が前記ダミーラインと交差する方向において連続的につながっている状態であるクラックレス状態が得られるように行われ、さらに
前記脆性基板の前記第1の面上にクラックラインを形成する工程と、
前記クラックラインを伸展させることによって前記脆性基板に分断面を形成する工程と、を備える、
脆性基板の分断方法。 - 前記クラックラインを形成する工程の前に、前記脆性基板の前記第1の面上において刃先を移動させることによって前記第1の面上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有するトレンチラインを形成する工程を備え、前記トレンチラインを形成する工程は、前記トレンチラインの直下において前記脆性基板が前記トレンチラインと交差する方向において連続的につながっている状態であるクラックレス状態が得られるように行われ、
前記クラックラインを形成する工程は、前記トレンチラインからクラックを伸展させることによって行われる、
請求項1に記載の脆性基板の分断方法。 - 前記クラックラインを形成する工程は、前記クラックラインが前記脆性基板の前記第1の面上において曲線部を有するように行われる、請求項1または2に記載の脆性基板の分断方法。
- 前記クラックラインを形成する工程は、前記クラックラインが前記脆性基板の前記第1の面上において閉曲線をなすように行われる、請求項1から3のいずれか1項に記載の脆性基板の分断方法。
- 前記脆性基板を分断する工程において、前記ダミーラインは、前記厚さ方向に沿って前記脆性基板の前記第2の面上に前記クラックラインを射影した位置から、ゼロよりも大きい寸法だけシフトされている、請求項1から4のいずれか1項に記載の脆性基板の分断方法。
- 前記寸法は前記脆性基板の前記第2の面上において変化している、請求項5に記載の脆性基板の分断方法。
- 前記ダミーラインを形成する工程は、前記ダミーラインが第1の部分および第2の部分を有するように行われ、
前記厚さ方向に沿って前記脆性基板の前記第2の面上に前記クラックラインを射影した位置は前記第1の部分と前記第2の部分との間に挟まれている、請求項1から4のいずれか1項に記載の脆性基板の分断方法。 - 前記クラックラインを形成する工程は、前記クラックラインが前記脆性基板の前記第1の面から垂直に延びるように行われる、請求項1から7のいずれか1項に記載の脆性基板の分断方法。
- 前記クラックラインを形成する工程は、前記クラックラインが前記脆性基板の前記第1の面から斜めに延びるように行われる、請求項1から7のいずれか1項に記載の脆性基板の分断方法。
- 前記ダミーラインを形成する工程は、前記ダミーラインの周囲における前記脆性基板の内部応力が前記脆性基板の前記第2の面に垂直な対称軸を有するように行われる、請求項1から9のいずれか1項に記載の脆性基板の分断方法。
- 前記ダミーラインを形成する工程は、前記ダミーラインの周囲における前記脆性基板の内部応力が前記脆性基板の前記第2の面に対して斜めの対称軸を有するように行われる、請求項1から9のいずれか1項に記載の脆性基板の分断方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016128426A JP6760641B2 (ja) | 2016-06-29 | 2016-06-29 | 脆性基板の分断方法 |
KR1020170066703A KR20180002495A (ko) | 2016-06-29 | 2017-05-30 | 취성 기판의 분단 방법 |
TW106118267A TW201803817A (zh) | 2016-06-29 | 2017-06-02 | 脆性基板之分斷方法 |
CN201710491435.4A CN107538627A (zh) | 2016-06-29 | 2017-06-23 | 脆性基板的切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016128426A JP6760641B2 (ja) | 2016-06-29 | 2016-06-29 | 脆性基板の分断方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018001474A true JP2018001474A (ja) | 2018-01-11 |
JP6760641B2 JP6760641B2 (ja) | 2020-09-23 |
Family
ID=60945736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016128426A Expired - Fee Related JP6760641B2 (ja) | 2016-06-29 | 2016-06-29 | 脆性基板の分断方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6760641B2 (ja) |
KR (1) | KR20180002495A (ja) |
CN (1) | CN107538627A (ja) |
TW (1) | TW201803817A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11116261A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-27 | Ishizuka Glass Co Ltd | ガラスの加工方法 |
JP2015067500A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
JP2016069195A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 基板分断方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011046581A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Seiko Instruments Inc | 接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
TW201425243A (zh) * | 2012-12-25 | 2014-07-01 | Luminous Optical Technology Co Ltd | 大面積強化玻璃基材的切割方法 |
JP6288260B2 (ja) * | 2014-05-30 | 2018-03-07 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性基板の分断方法 |
WO2016047317A1 (ja) * | 2014-09-25 | 2016-03-31 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性基板の分断方法 |
-
2016
- 2016-06-29 JP JP2016128426A patent/JP6760641B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-05-30 KR KR1020170066703A patent/KR20180002495A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-06-02 TW TW106118267A patent/TW201803817A/zh unknown
- 2017-06-23 CN CN201710491435.4A patent/CN107538627A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11116261A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-27 | Ishizuka Glass Co Ltd | ガラスの加工方法 |
JP2015067500A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
JP2016069195A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 基板分断方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180002495A (ko) | 2018-01-08 |
TW201803817A (zh) | 2018-02-01 |
JP6760641B2 (ja) | 2020-09-23 |
CN107538627A (zh) | 2018-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI447005B (zh) | Cutter and cutting method using its brittle material substrate | |
JP6288258B2 (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
KR20160045047A (ko) | 스크라이빙 휠, 스크라이브 장치 및 스크라이브 방법 | |
JP2014533231A (ja) | 非金属材料の曲線切断方法 | |
KR101912685B1 (ko) | 취성 기판의 분단 방법 | |
CN109219505B (zh) | 脆性基板的分断方法 | |
KR102066120B1 (ko) | 취성 기판의 분단 방법 | |
JP2016108158A (ja) | 脆性材料基板の分断方法及び加工装置 | |
JP2018001474A (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
JP6288260B2 (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
JP5833968B2 (ja) | ガラス基板の分断方法 | |
JP5416381B2 (ja) | 脆性材料基板の分断方法 | |
JP6755037B2 (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
JP6288293B2 (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
JP2017149079A (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
JP2016084275A (ja) | ガラス基板の分断方法 | |
JP2007140131A (ja) | 液晶パネルの製造方法 | |
TWI469209B (zh) | 半導體裝置之製造方法 | |
TWI625314B (zh) | 劃線工具、劃線工具之製造方法及劃線之形成方法 | |
KR101856556B1 (ko) | 취성 기판의 분단 방법 | |
KR101648010B1 (ko) | 스크라이브 라인 형성 방법 | |
TW201511908A (zh) | 脆性材料基板之裂斷方法及裂斷裝置 | |
JP2017065007A (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
JP2017065006A (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
JP2017064987A (ja) | 脆性基板の分断方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190517 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200421 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200616 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200818 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200831 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6760641 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |